JP2001237220A - Local processing unit - Google Patents

Local processing unit

Info

Publication number
JP2001237220A
JP2001237220A JP2000043355A JP2000043355A JP2001237220A JP 2001237220 A JP2001237220 A JP 2001237220A JP 2000043355 A JP2000043355 A JP 2000043355A JP 2000043355 A JP2000043355 A JP 2000043355A JP 2001237220 A JP2001237220 A JP 2001237220A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
discharge
casing member
rod
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000043355A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroo Miyajima
弘夫 宮島
Takashi Koike
孝 小池
Hiroaki Akiyama
博明 秋山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2000043355A priority Critical patent/JP2001237220A/en
Publication of JP2001237220A publication Critical patent/JP2001237220A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極部を酸化による劣化から保護することに
より、気体放電を安定的に効率よく発生させることで表
面処理効率を向上させることのできる局所処理装置を提
供する。 【解決手段】 処理用気体を流通させる放電管40を挟
むように対向配置された一対の電極46,48と、当該
一方の電極46を高周波電源に接続するリード30とで
電極部を形成する。前記電極部の表面に金メッキ処理を
施すとともに、高周波電源は出力周波数が30MHz以
上のものを用いることとした。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a local treatment apparatus capable of improving surface treatment efficiency by stably and efficiently generating gas discharge by protecting an electrode portion from deterioration due to oxidation. SOLUTION: A pair of electrodes 46 and 48 facing each other so as to sandwich a discharge tube 40 through which a processing gas flows, and a lead 30 connecting the one electrode 46 to a high-frequency power supply form an electrode portion. The surface of the electrode portion was subjected to a gold plating process, and a high frequency power supply having an output frequency of 30 MHz or more was used.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理物の表面を
エッチング、アッシング、改質し又は薄膜を形成する表
面処理技術に関し、特に大気圧又はその近傍の圧力下で
プラズマに生成される励起活性種を用いて局所的に表面
処理をする局所処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface treatment technique for etching, ashing, modifying, or forming a thin film on the surface of an object to be treated, and more particularly, to an excitation generated in a plasma at or near atmospheric pressure. The present invention relates to a local treatment apparatus for locally performing surface treatment using active species.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、大気圧付近の圧力下でのプラ
ズマ放電により生成される励起活性種を利用することに
よって、真空設備を必要とせずに低コストで被処理物の
表面を様々に処理することができる表面処理技術が知ら
れている。大気圧下でのプラズマによる表面処理には、
電極と被処理物間で直接気体放電を生じさせ、これによ
り発生するプラズマに直接曝露させる直接放電方式と、
一対の電極間での気体放電によりプラズマを発生させ、
それにより生成される励起活性種に被処理物を曝露させ
る間接放電方式とがある。
2. Description of the Related Art Conventionally, the surface of an object to be treated is variously processed at a low cost without using a vacuum facility by utilizing an excited active species generated by a plasma discharge at a pressure near the atmospheric pressure. Surface treatment techniques that can be used are known. For surface treatment with plasma under atmospheric pressure,
A direct discharge method in which a gas discharge is directly generated between the electrode and the object to be processed and is directly exposed to plasma generated by the gas discharge;
Plasma is generated by gas discharge between a pair of electrodes,
There is an indirect discharge method in which an object to be processed is exposed to the excited active species generated thereby.

【0003】間接放電方式は、直接放電方式に比して処
理レートが低いので高出力を要求される場合があるが、
チャージアップによる被処理物の損傷の虞がない点で有
利である。特開平6−190269号公報には、一対の
電極間に電源から高周波電圧を印加して放電を発生さ
せ、両電極間の放電領域を通過するヘリウム、酸素等の
ガスを励起、イオン化して活性種を生成し、この活性種
を含むガスを反応性ガス流としてガス吹出し口から被処
理物に噴出させることによって、被処理物の形状や処理
範囲の制限に対応して局所的なドライ洗浄処理を可能と
するガン構造の表面処理装置が提案されている。
The indirect discharge method requires a high output because the processing rate is lower than that of the direct discharge method.
This is advantageous in that there is no risk of damage to the workpiece due to charge-up. JP-A-6-190269 discloses that a high-frequency voltage is applied from a power supply between a pair of electrodes to generate a discharge, and a gas such as helium or oxygen passing through a discharge region between the two electrodes is excited and ionized to be activated. Generates seeds and emits a gas containing this active species as a reactive gas stream from the gas outlet to the object to be processed. There has been proposed a surface treatment apparatus having a gun structure that enables the above.

【0004】更に、特にこのような大気圧プラズマに局
所表面処理に適した表面処理装置の典型例が、同じく特
開平9−232293号公報に開示されている。この従
来装置は、例えば内径1mm以下の狭小な断面を有する
ガラス等の誘電体材料からなる細い放電管と、当該放電
管を挟むように対向配置された一対の電極とを備え、放
電管先端のノズル部を被処理物の表面に向けて配置す
る。ガス供給源から放電管内に所定のガスを導入しつ
つ、両電極間で気体放電を発生させることにより生成さ
れる励起活性種を含む反応性ガスを、ノズル部から細い
ガス流として被処理物表面に噴射する。
Further, a typical example of a surface treatment apparatus particularly suitable for local surface treatment for such atmospheric pressure plasma is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-232293. This conventional device includes, for example, a thin discharge tube made of a dielectric material such as glass having a narrow cross section with an inner diameter of 1 mm or less, and a pair of electrodes opposed to each other so as to sandwich the discharge tube. The nozzle portion is arranged facing the surface of the workpiece. A reactive gas containing excited active species generated by generating a gas discharge between both electrodes while introducing a predetermined gas from a gas supply source into a discharge tube is converted into a thin gas flow from a nozzle to a surface of the workpiece. Spray.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来において
は以下のような問題があった。
However, there have been the following problems in the prior art.

【0006】気体放電を連続的に発生させると電極部が
発熱するため、周囲の空気と反応して酸化し電極部が劣
化してしまう。このため、電極部の性能が低下して気体
放電の発生効率が低下し、表面処理効率が低下するため
問題となっていた。特に、電極部の材質に銅を用いた場
合に、この問題が顕著であった。
When the gas discharge is continuously generated, the electrode generates heat, and reacts with the surrounding air to oxidize and deteriorate the electrode. For this reason, the performance of the electrode unit is reduced, the generation efficiency of gas discharge is reduced, and the surface treatment efficiency is reduced. In particular, this problem was remarkable when copper was used as the material of the electrode portion.

【0007】また、特に出力周波数が30MHz以上の
高周波電力で気体放電を起こさせる場合、高周波電力は
電極部の表面上を伝導するため、電極部表面の抵抗率を
下げて伝導効率を向上させることが求められていた。
In particular, when gas discharge is caused by high-frequency power having an output frequency of 30 MHz or more, the high-frequency power is transmitted on the surface of the electrode portion. Was required.

【0008】本発明の目的は、電極部を酸化による劣化
から保護することにより、気体放電を安定的に効率よく
発生させることで表面処理効率を向上させることのでき
る局所処理装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a local processing apparatus capable of improving the surface processing efficiency by generating gas discharge stably and efficiently by protecting the electrode portion from deterioration due to oxidation. is there.

【0009】さらに、本発明の他の目的は、高周波電力
の伝導効率を高めて表面処理効率を向上させることので
きる局所処理装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a local processing apparatus capable of improving the efficiency of surface treatment by increasing the conduction efficiency of high-frequency power.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る局所処理装置においては、処理用気体
を流通させる放電管を挟むように対向配置された一対の
電極と、当該電極の一方を高周波電源に接続するリード
とで電極部を形成し、当該電極部の表面にメッキ処理を
施した構成とした。このため、気体放電を連続的に発生
させて電極部が発熱しても、電極部の表面はメッキ処理
により保護されるため、電極部を酸化による劣化から保
護することができる。特に電極部を銅で形成した場合で
も、電極部表面の酸化を防止して確実に性能を確保する
ことができる。これにより、気体放電を安定的に効率よ
く発生させることができる。
In order to achieve the above object, in a local processing apparatus according to the present invention, a pair of electrodes arranged opposite each other so as to sandwich a discharge tube through which a processing gas flows, and the electrodes are provided. One of the electrodes was formed with a lead connected to a high-frequency power supply, and the surface of the electrode was plated. For this reason, even if gas discharge is continuously generated and the electrode unit generates heat, the surface of the electrode unit is protected by the plating process, so that the electrode unit can be protected from deterioration due to oxidation. In particular, even when the electrode portion is formed of copper, it is possible to prevent oxidation of the surface of the electrode portion and to reliably ensure performance. Thereby, gas discharge can be generated stably and efficiently.

【0011】上記構成においては、前記メッキは金メッ
キとした構成とすることができる。これにより、電極部
の表面を低い電気抵抗率とすることができ、伝導効率を
上昇させて、気体放電の発生効率を上昇させることがで
きる。
In the above configuration, the plating may be gold plating. Thereby, the surface of the electrode portion can have a low electric resistivity, the conduction efficiency can be increased, and the generation efficiency of gas discharge can be increased.

【0012】上記構成においては、前記高周波電源は、
出力周波数が30MHz以上であるものとすることがで
きる。出力周波数が30MHz以上の場合には、高周波
電力が電極部の表面部を伝導する。表面部を金でメッキ
処理することにより、電極部の表面部は伝導効率が向上
しているため、効果的に高周波電力を伝導することがで
き、気体放電の発生効率を上昇させることができる。
In the above configuration, the high-frequency power supply includes:
The output frequency can be 30 MHz or higher. When the output frequency is 30 MHz or more, the high-frequency power is transmitted through the surface of the electrode. By plating the surface portion with gold, the surface portion of the electrode portion has improved conduction efficiency, so that high-frequency power can be conducted effectively and the gas discharge generation efficiency can be increased.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明の局所処理装置の実施形態
について図面に従って詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the local processing apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0014】図1は本実施形態における局所処理装置2
0の断面図である。本実施形態における局所処理装置2
0はケーシング部材21を有している。前記ケーシング
部材21は、上部ケーシング部材22、中部ケーシング
部材24、下部ケーシング部材26、底部ケーシング部
材28にて形成される。前記上部〜底部ケーシング部材
22,24,26,28は、それぞれ略角柱形状のブロ
ック体のセンター部を略円筒形状に刳り抜いたものであ
る。前記ケーシング部材21は、前記上部〜底部ケーシ
ング部材22,24,26,28の刳り抜き部を芯合わ
せして密接してなっている。このため、ケーシング部材
21は、ケーシング部材22,24,26,28の一部
を省略したり追加したりできるため、ケーシング部材2
1内に入れ込む部材に合わせてサイズを調節することが
できる。本実施形態においては、ケーシング部材21は
アルミにて形成している。このため、ケーシング部材2
1外部への電磁波の遮蔽をすることができる。なお、ケ
ーシング部材21の材料としては、アルミに限らずシー
ルド機能を有する材質のものであればよい。
FIG. 1 shows a local processing apparatus 2 according to this embodiment.
0 is a sectional view. Local processing device 2 in the present embodiment
0 has a casing member 21. The casing member 21 includes an upper casing member 22, a middle casing member 24, a lower casing member 26, and a bottom casing member 28. Each of the upper and lower casing members 22, 24, 26, and 28 is formed by hollowing out the center of a substantially prismatic block into a substantially cylindrical shape. The casing member 21 is in close contact with the upper to bottom casing members 22, 24, 26, and 28 by centering the hollow portions. For this reason, since the casing member 21 can omit or add a part of the casing members 22, 24, 26, and 28, the casing member 2
The size can be adjusted according to the members to be inserted into the device. In the present embodiment, the casing member 21 is formed of aluminum. For this reason, the casing member 2
(1) Electromagnetic waves can be shielded to the outside. The material of the casing member 21 is not limited to aluminum, but may be any material having a shielding function.

【0015】前記ケーシング部材21の軸心上には直管
状の放電管40が配置されている。前記放電管40は上
端部を上部ケーシング部材22の軸心上に位置し、放電
管40下端部を底部ケーシング部材28内壁面に臨ませ
ている。一方、前記放電管40下端部に対向する底部ケ
ーシング部材28の対向面には、ノズルチップ44が外
部に突出する形で着脱自在に設けられ、当該ノズルチッ
プ44に前記放電管40の下端部がはめ込まれている。
このように、放電管40とノズルチップ44とを分離可
能に形成させたことにより、ノズルチップ44を異なる
孔径のものに交換することができる。このため、表面処
理するエリアを調整することができる。また、ノズルチ
ップ44の材料としては、ステンレス(SUS)やアル
ミが好ましい。
A straight discharge tube 40 is arranged on the axis of the casing member 21. The discharge tube 40 has an upper end located on the axis of the upper casing member 22 and a lower end facing the inner wall surface of the bottom casing member 28. On the other hand, a nozzle tip 44 is detachably provided on a surface of the bottom casing member 28 facing the lower end of the discharge tube 40 so as to protrude to the outside, and the lower end of the discharge tube 40 is attached to the nozzle tip 44. Inlaid.
As described above, since the discharge tube 40 and the nozzle tip 44 are formed so as to be separable, the nozzle tip 44 can be replaced with one having a different hole diameter. For this reason, the area to be surface-treated can be adjusted. As a material of the nozzle tip 44, stainless steel (SUS) or aluminum is preferable.

【0016】前記ノズルチップ44は底部ケーシング部
材28内に上端部を突出させている。前記ノズルチップ
44の上端部は略円筒形状に形成したノズルホルダ42
に螺着されて固定保持される。ノズルホルダ42の材質
としては、ステンレス(SUS)やアルミが好ましい。
The nozzle tip 44 has an upper end projecting into the bottom casing member 28. The upper end of the nozzle tip 44 has a substantially cylindrical nozzle holder 42.
And is fixedly held. The material of the nozzle holder 42 is preferably stainless steel (SUS) or aluminum.

【0017】前記放電管40は、下部ケーシング部材2
6に対向する面の周囲を保護部材36にて覆わせてい
る。前記保護部材36は、受け部37の中央部に仕切り
部39を一体的に垂設した逆T字形状をなしている。前
記保護部材36は仕切り部39の中心軸部に放電管40
を貫通させ、放電管40の保護をなしている。そして、
保護部材36は、受け部37下面を前記ノズルホルダ4
2の上面に当接され、ノズルホルダ42にて支持され
る。
The discharge tube 40 includes a lower casing member 2
The periphery of the surface facing 6 is covered with a protective member 36. The protection member 36 has an inverted T-shape in which a partition portion 39 is integrally provided at the center of the receiving portion 37. The protection member 36 is attached to the central axis of the partition 39 by a discharge tube 40.
To protect the discharge tube 40. And
The protection member 36 is provided so that the lower surface of the receiving portion 37
2 and is supported by the nozzle holder 42.

【0018】前記保護部材36の仕切り部39の両面3
9a,39bの図2(a)に示した上下方向中央には、
それぞれ一対の棒状電極46,48を当接させている。
前記一対の棒状電極46,48はそれぞれ略直方形状を
なしており、図2(a)に示すように前記保護部材36
の仕切り部39を挟み込んで上面視一直線状となるよう
に対向配置している。棒状電極46,48に挟み込まれ
た仕切り部39軸心部を放電管40が上下方向を貫通し
ており、当該放電管40の貫通部分内で気体放電を起こ
させるのである。このように、前記一対の棒状電極4
6,48はノズルチップ44近傍に配置している。これ
により、プラズマなどの励起活性種が直ちにノズルチッ
プ44から外部へ放出することができる。このため、十
分な励起活性種を被処理物表面に到達させることができ
る。
Both sides 3 of the partition 39 of the protective member 36
9a and 39b, in the vertical center shown in FIG.
A pair of rod-shaped electrodes 46 and 48 are in contact with each other.
Each of the pair of rod-shaped electrodes 46 and 48 has a substantially rectangular shape, and as shown in FIG.
Are arranged to face each other so as to be straight when viewed from above. The discharge tube 40 penetrates in the vertical direction through the axis of the partition 39 interposed between the rod-shaped electrodes 46 and 48, and causes gas discharge in the penetrating portion of the discharge tube 40. Thus, the pair of rod-shaped electrodes 4
6 and 48 are arranged near the nozzle tip 44. As a result, excited active species such as plasma can be immediately released from the nozzle tip 44 to the outside. For this reason, sufficient excited active species can reach the surface of the object.

【0019】また、受け部37の長手方向の長さは棒状
電極46,48の長手方向の長さより長く形成してい
る。これにより、両電極46,48の設置面積を確保さ
せている。特に、高周波電圧を印加される棒状電極46
は、底部ケーシング部材28を直線的に臨めないため、
棒状電極46が底部ケーシング部材28と短絡すること
を防止できる。前記保護部材36はアルミナと石英にて
形成しており、両電極46,48の絶縁を保持させてい
る。なお、保護部材36の材料としては、絶縁体材料で
あればこれに限られない。
The length of the receiving portion 37 in the longitudinal direction is longer than the length of the rod electrodes 46 and 48 in the longitudinal direction. Thereby, the installation area of both electrodes 46 and 48 is secured. In particular, a rod-shaped electrode 46 to which a high-frequency voltage is applied
Does not face the bottom casing member 28 linearly,
The short-circuit of the rod-shaped electrode 46 with the bottom casing member 28 can be prevented. The protection member 36 is made of alumina and quartz, and keeps the electrodes 46 and 48 insulated. The material of the protection member 36 is not limited to this as long as it is an insulator material.

【0020】そして、前記保護部材36の仕切り部39
の高さは、図2(b)に示すように、前記棒状電極4
6,48よりも高く形成してある。また、前記保護部材
36の仕切り部39a,39bは前記棒状電極46,4
8の厚み方向に対して十分長く形成している。これによ
り、棒状電極46,48同士が直線的に臨めないように
している。棒状電極46,48同士が直線的に臨める
と、棒状電極46,48に印加させる際に、保護部材3
6の表面(沿面)を伝って導通してしまう沿面放電が発
生するおそれがある。沿面放電が発生すると、放電管4
0内での気体放電が発生せずまたは発生した気体放電を
停止させてしまう。上記したように、前記保護部材36
の仕切り部39は、前記棒状電極46、48の厚み方向
に対して十分長く形成しているため、沿面放電を防止す
ることができる。このため、放電管40内を介した気体
放電を確実に発生させることができ、また発生した気体
放電を安定して持続させることができる。前記棒状電極
46,48はアルミにて形成しており、それぞれ表面に
金めっきを施している。これにより、棒状電極46,4
8の腐食、酸化を防止させることができる。そして、金
は高い導電性を有しているため、棒状電極の伝導効率を
向上させることができる。また、棒状電極46,48の
性能の劣化を防止することができる。
The partition 39 of the protection member 36
The height of the rod-shaped electrode 4 is, as shown in FIG.
It is formed higher than 6,48. The partitioning portions 39a and 39b of the protection member 36 are connected to the rod-shaped electrodes 46 and 4 respectively.
8 is formed sufficiently long in the thickness direction. Thus, the rod-shaped electrodes 46 and 48 are prevented from linearly facing each other. When the rod-shaped electrodes 46, 48 face each other linearly, the protection member 3
There is a possibility that a creeping discharge which is conducted along the surface (creeping surface) of No. 6 may occur. When creeping discharge occurs, the discharge tube 4
The gas discharge within 0 is not generated or the generated gas discharge is stopped. As described above, the protection member 36
Since the partition portion 39 is formed sufficiently long in the thickness direction of the rod-shaped electrodes 46 and 48, creeping discharge can be prevented. For this reason, the gas discharge via the inside of the discharge tube 40 can be reliably generated, and the generated gas discharge can be stably maintained. The rod-shaped electrodes 46 and 48 are formed of aluminum, and each surface is plated with gold. Thereby, the rod-shaped electrodes 46, 4
8 can be prevented from corrosion and oxidation. Since gold has high conductivity, the conduction efficiency of the rod-shaped electrode can be improved. Further, it is possible to prevent the performance of the rod-shaped electrodes 46 and 48 from deteriorating.

【0021】前記棒状電極46背面と、ケーシング部材
21内壁面との間には、ホルダ部材50が介在してい
る。前記ホルダ部材50は基端部を下部ケーシング部材
26内壁面に当接し、ホルダ部材50の先端部を前記棒
状電極46の背面部に当接させている。これにより、棒
状電極46が保護部材36側に位置決め保持されてい
る。前記ホルダ部材50の材質としては、アルミナや石
英を好ましく用いることができるが、絶縁体材料であれ
ばこれに限られない。
A holder member 50 is interposed between the back surface of the rod-shaped electrode 46 and the inner wall surface of the casing member 21. The holder member 50 has a base end in contact with the inner wall surface of the lower casing member 26 and a distal end of the holder member 50 in contact with the back surface of the rod-shaped electrode 46. Thus, the rod-shaped electrode 46 is positioned and held on the protection member 36 side. As the material of the holder member 50, alumina or quartz can be preferably used, but it is not limited to this as long as it is an insulator material.

【0022】これに対して、他方の棒状電極48は、下
部ケーシング部材21の外表面まで露出した延長電極4
9に一体的に連結されている。前記延長電極49は、図
示しないアース経路に接続されている。これにより、棒
状電極48の接地が確保され、ケーシング部材21内に
おいて短絡を防止させることができる。
On the other hand, the other rod-shaped electrode 48 is connected to the extension electrode 4 exposed to the outer surface of the lower casing member 21.
9 are integrally connected. The extension electrode 49 is connected to a ground path (not shown). Thereby, the grounding of the rod-shaped electrode 48 is ensured, and a short circuit in the casing member 21 can be prevented.

【0023】前記保護部材36の上には、略円柱形状の
中間部材34が配置されている。前記中間部材34は側
面部を中部ケーシング部材24の内壁面に対向するよう
配置している。そして、前記中間部材34は下面を前記
保護部材36の仕切り部39の上面に当接して、前記保
護部材36の位置決めをなしているのである。また、前
記中間部材34の中心軸部には貫通孔が設けられ、当該
貫通孔内に放電管40を挿入させて当該放電管40を保
護しているのである。前記中間部材34は、テフロンや
マイカ系セラミックスにて形成され、これにより放電管
40外部への絶縁を保持させている。なお、前記中間部
材34としては、テフロンやマイカ系セラミックスが好
ましいが、絶縁体材料であればこれに限られない。
On the protection member 36, a substantially cylindrical intermediate member 34 is disposed. The intermediate member 34 is disposed so that a side surface portion faces the inner wall surface of the middle casing member 24. The lower surface of the intermediate member 34 contacts the upper surface of the partition 39 of the protection member 36 to position the protection member 36. Further, a through hole is provided in the central shaft portion of the intermediate member 34, and the discharge tube 40 is inserted into the through hole to protect the discharge tube 40. The intermediate member 34 is formed of Teflon or mica-based ceramics, thereby maintaining insulation to the outside of the discharge tube 40. The intermediate member 34 is preferably made of Teflon or mica ceramic, but is not limited to this as long as it is an insulator material.

【0024】前記中間部材34の上側には、絶縁部材3
2が配置されている。前記絶縁部材32は前記上部ケー
シング部材22の刳り抜き部に対応する略円柱形状をな
している。前記絶縁部材32は前記上部ケーシング部材
32の刳り抜き部にはめ込まれている。これにより、ケ
ーシング部材21の上面方向における密閉がなされ、ケ
ーシング部材21内部に密閉空間を形成させることがで
きる。絶縁部材32の上面は断面凹部形状に形成してあ
り、当該凹部底面は前記中間部材34上面に対応させて
形成している。そして、絶縁部材32の下面は下方に張
り出した断面逆凸部形状に形成してあり、当該逆凸部下
面にて中間部材34上面と当接させている。前記絶縁部
材32は周面部に開口したガス流入孔33を有してい
る。上部ケーシング部材22の一側面部にも、図示しな
いガス供給源に接続したガス流入パイプ62が設けてあ
り、当該ガス流入パイプ62の先端部を前記ガス流入孔
33の上開口部に対応させている。前記ガス流入孔33
は前記上開口部から絶縁部材32の軸中心方向に向って
伸び、当該軸中心部にて軸心に沿って下方へ屈曲する。
そして、前記ガス流入孔33は前記絶縁部材32の下面
まで達し、当該下面部にて下開口部を有している。前記
絶縁部材32下面部のガス流入孔33の下開口部には、
放電管40の上端部が挿入される。このため、ガス流入
パイプ62から流入された処理気体がガス流入孔33を
介して放電管40上部に送り出されるのである。また、
前記ガス流入孔33下開口部の内壁面は、円筒形状の押
え部材35が形成されている。前記押え部材35には内
側フランジが形成してあり、当該内側フランジが前記放
電管40上部に当接して下方向に付勢する。このため、
前記放電管40の位置決めをなすことができるのであ
る。前記絶縁部材32はテフロンにて形成され、絶縁保
持を行わせている。なお、前記絶縁部材32は、絶縁体
材料であればこれに限られない。
On the upper side of the intermediate member 34, an insulating member 3
2 are arranged. The insulating member 32 has a substantially cylindrical shape corresponding to a hollow portion of the upper casing member 22. The insulating member 32 is fitted in a hollow portion of the upper casing member 32. Thereby, the casing member 21 is sealed in the upper surface direction, and a sealed space can be formed inside the casing member 21. The upper surface of the insulating member 32 is formed in a cross-sectional concave shape, and the concave bottom surface is formed corresponding to the upper surface of the intermediate member 34. The lower surface of the insulating member 32 is formed in the shape of an inverted convex section that projects downward, and the lower surface of the inverted convex portion is in contact with the upper surface of the intermediate member 34. The insulating member 32 has a gas inflow hole 33 opened on the peripheral surface. A gas inflow pipe 62 connected to a gas supply source (not shown) is also provided on one side surface of the upper casing member 22, and a distal end of the gas inflow pipe 62 corresponds to an upper opening of the gas inflow hole 33. I have. The gas inlet 33
Extends from the upper opening toward the axial center of the insulating member 32 and is bent downward along the axis at the axial center.
The gas inlet 33 reaches the lower surface of the insulating member 32 and has a lower opening at the lower surface. In the lower opening of the gas inflow hole 33 on the lower surface of the insulating member 32,
The upper end of the discharge tube 40 is inserted. Therefore, the processing gas flowing from the gas inflow pipe 62 is sent out to the upper portion of the discharge tube 40 through the gas inflow hole 33. Also,
A cylindrical pressing member 35 is formed on the inner wall surface of the lower opening of the gas inflow hole 33. The holding member 35 has an inner flange formed thereon, and the inner flange contacts the upper portion of the discharge tube 40 and urges the discharge tube 40 downward. For this reason,
The positioning of the discharge tube 40 can be performed. The insulating member 32 is made of Teflon and performs insulation holding. The insulating member 32 is not limited to this as long as it is an insulator material.

【0025】また、前記上部ケーシング部材22上面の
軸中心方向からリード30が挿入配置されている。前記
リード30は、前記絶縁部材32上面付近にて直径方向
に屈曲する。そして、絶縁部材32の上面凹部内壁面に
沿って下降し、絶縁部材32を貫通する。上記したよう
に絶縁部材32の上面凹部底面は中間部材34上面に対
応して形成しているため、前記絶縁部材32を貫通する
リード30は、中間部材34の側面に当接するように下
降する。これにより中間部材34にてリード30の保護
を行わせることができる。前記リード30は、さらに下
方に伸びて棒状電極46に接続する。これにより、リー
ド30は棒状電極46との電気的導通が確保される。そ
して、前記リード30は下端部を保護部材36の受け部
37aに当接し、伝導効率を向上させるのである。
A lead 30 is inserted from the axial center of the upper surface of the upper casing member 22. The lead 30 bends in the diameter direction near the upper surface of the insulating member 32. Then, it descends along the inner wall surface of the upper surface concave portion of the insulating member 32 and penetrates the insulating member 32. As described above, since the bottom surface of the concave portion of the upper surface of the insulating member 32 is formed corresponding to the upper surface of the intermediate member 34, the lead 30 penetrating the insulating member 32 descends so as to contact the side surface of the intermediate member 34. Thereby, the lead 30 can be protected by the intermediate member 34. The lead 30 extends further downward and connects to the rod-shaped electrode 46. As a result, electrical conduction between the lead 30 and the rod-shaped electrode 46 is ensured. The lower end of the lead 30 contacts the receiving portion 37a of the protective member 36, thereby improving the conduction efficiency.

【0026】前記リード30は、複数の板状部材にて形
成し、当該複数の板状部材を積層配置させてなってい
る。本実施形態においては、前記リード30は、前記板
状部材を3枚積層配置させたものとしている。そして、
本実施形態においては、リード30の上端部が、図示し
ない高周波電源に接続している。本実施形態において
は、高周波電圧として、周波数が40.68MHzのも
のを用いている。図示しない高周波電源にて発生した高
周波電力は前記リード30の上端部より伝導されるが、
このような高周波電力はリード30の内部ではなくリー
ド30の表面部を通して棒状電極46に伝導する。上記
したように、リード30は複数の板状部材を積層配置し
ているが、高周波電力は板状部材の間隙を介して表面部
を伝導する。本実施形態においては、3枚の板状部材を
積層配置させているため、高周波電力の伝導効率を3倍
化させることができる。これにより、棒状電極46に効
率よく高周波電圧を印加させることができ、高周波電圧
にて気体放電を行わせることができるのである。このよ
うに高周波電圧を棒状電極46に印加することにより、
棒状電極46,48間で電子が高周波振動し、この電子
の衝突により処理気体がプラズマ化され励起活性種とな
る。従って、高密度のプラズマを高い生成率で発生する
ことができるとともに、異常放電を起こりにくくするこ
とができる。また、リード30全体の体積を減少させて
もリード30の表面積を増加させることで電力を効率よ
く伝えて、局所処理装置20をコンパクト化することが
できる。さらに、前記高周波電圧は、周波数が30MH
z以上のものを用いることにより、高周波電圧の伝導効
率を保持しつつ棒状電極46,48間にて電子が振動す
るため、棒状電極46,48に電子が衝突して損傷を与
えることなく高密度のプラズマを発生させることがで
き、処理効率を向上させることができる。
The lead 30 is formed of a plurality of plate members, and the plurality of plate members are stacked and arranged. In the present embodiment, the lead 30 is formed by laminating three plate members. And
In the present embodiment, the upper end of the lead 30 is connected to a high-frequency power source (not shown). In the present embodiment, a high frequency voltage having a frequency of 40.68 MHz is used. High-frequency power generated by a high-frequency power supply (not shown) is conducted from the upper end of the lead 30,
Such high-frequency power is transmitted to the rod-shaped electrode 46 not through the inside of the lead 30 but through the surface of the lead 30. As described above, the lead 30 has a plurality of plate-like members stacked and arranged, but high-frequency power is transmitted through the surface of the lead 30 through the gap between the plate-like members. In the present embodiment, since three plate-shaped members are stacked and arranged, the conduction efficiency of high-frequency power can be tripled. Thus, a high-frequency voltage can be efficiently applied to the rod-shaped electrode 46, and gas discharge can be performed with the high-frequency voltage. By applying the high-frequency voltage to the rod-shaped electrode 46 in this manner,
Electrons vibrate at a high frequency between the rod-shaped electrodes 46 and 48, and the collision of the electrons transforms the processing gas into plasma to become excited active species. Accordingly, high-density plasma can be generated at a high generation rate, and abnormal discharge can be suppressed. Further, even if the volume of the entire lead 30 is reduced, the power is efficiently transmitted by increasing the surface area of the lead 30, and the local processing apparatus 20 can be made compact. Further, the high frequency voltage has a frequency of 30 MHz.
By using an electrode having a thickness of z or more, electrons oscillate between the rod-shaped electrodes 46 and 48 while maintaining the high-frequency voltage conduction efficiency. Can be generated, and the processing efficiency can be improved.

【0027】また、前記リード30は銅にて形成され、
表面に金めっきを施している。これにより、前記リード
30の酸化を防止して安定的に高周波電力を伝導させる
ことができる。
The lead 30 is formed of copper,
Gold plated on the surface. Thereby, oxidation of the lead 30 can be prevented and high-frequency power can be stably conducted.

【0028】また、前記ケーシング部材21と、リード
30及び棒状電極46そして前記保護部材36及び中間
部材34との間は、中空領域60が形成されている。前
記中空領域60にマイカ系セラミックスなどの誘電体を
配置して絶縁する形態も考えられる。しかし、図3
(b)に示したように、大気雰囲気中よりも誘電体(絶
縁体)であるマイカ系セラミックスの方が、比誘電率は
5倍以上大きい。このように、ケーシング部材21内を
誘電体で充填する構成とするよりも、中空領域を設けて
絶縁空間を形成させる方が、高周波電力を伝導する際の
絶縁保持を効果的に行えることに本願発明者は着目し
た。このように中空領域60を形成させたため、絶縁保
持が効果的になされ、もれ電流を最小化することができ
る。これにより、沿面放電を一層効果的に防止すること
ができ、プラズマといった励起活性種の生成効率を上昇
させることができるのである。
A hollow area 60 is formed between the casing member 21, the lead 30, the rod electrode 46, and the protective member 36 and the intermediate member 34. A form in which a dielectric such as mica-based ceramics is disposed in the hollow region 60 to insulate the hollow region 60 may be considered. However, FIG.
As shown in (b), the relative permittivity of the mica-based ceramic, which is a dielectric (insulator), is at least five times greater than that in the air atmosphere. In this manner, the provision of the hollow space and the formation of the insulating space is more effective in maintaining insulation when transmitting high-frequency power than the case where the inside of the casing member 21 is filled with the dielectric material. The inventor paid attention. Since the hollow region 60 is formed as described above, insulation is effectively maintained, and leakage current can be minimized. As a result, creeping discharge can be more effectively prevented, and the generation efficiency of excited active species such as plasma can be increased.

【0029】また、下部ケーシング部材26の一側面部
には空気供給管52を突設するとともに、下部ケーシン
グ部材26の他側面部には空気放出管54を突設してい
る。空気供給管52より冷却空気をケーシング部材21
内に案内する。そして、ケーシング部材21内の中空領
域60を通ってケーシング部材21内部の熱交換を行
い、空気放出管54よりケーシング部材21外部に放出
される。これにより、電極のプラズマ生成過程における
過熱状態を防止することができ、ケーシング部材21内
部の温度を一定に保持することができ、放電を安定させ
ることができる。そして、電極部(棒状電極46,4
8、延長電極49、リード30)の熱膨張等による破損
を防止することができる。なお、ケーシング部材21内
の電極部を空冷できるような構造であれば特に上記構造
に限られない。
An air supply pipe 52 protrudes from one side of the lower casing member 26, and an air discharge pipe 54 protrudes from the other side of the lower casing member 26. Cooling air is supplied from the air supply pipe 52 to the casing member 21.
I will guide you inside. Then, heat exchange inside the casing member 21 is performed through the hollow region 60 in the casing member 21, and the heat is released to the outside of the casing member 21 from the air discharge pipe 54. Thus, it is possible to prevent the electrode from being overheated during the plasma generation process, to keep the temperature inside the casing member 21 constant, and to stabilize the discharge. Then, the electrode portions (rod electrodes 46, 4)
8, it is possible to prevent the extension electrode 49 and the lead 30) from being damaged due to thermal expansion or the like. Note that the structure is not particularly limited to the above structure as long as the electrode portion in the casing member 21 can be air-cooled.

【0030】以上のように構成した局所処理装置20の
作用は以下のようになる。局所処理装置20は、ノズル
チップ44の先端を図示しない被処理物の上方に臨ませ
ている。
The operation of the local processing device 20 configured as described above is as follows. The local processing apparatus 20 has a tip of the nozzle tip 44 facing above a processing object (not shown).

【0031】処理用気体が上部ケーシング部材22側壁
に設けた放電管40開口部に流入する。処理用気体は放
電管40内を進行してケーシング部材21内を下降す
る。下部ケーシング部材26の部分においては、棒状電
極46,48に高周波電圧が印加され、放電管40内に
気体放電が発生する。本実施形態においては、高周波で
電圧を印加させているため、高密度の励起活性種を発生
させることができる。前記励起活性種はノズルチップ4
4からすぐ被処理物上に送りだされるため、十分な励起
活性種を被処理物上に送り出し、表面処理を行わせるこ
とができる。被処理物としては半導体チップ、ウエハ等
がある。処理工程としては、エッチング、アッシング、
改質又は薄膜形成等があるが、特に用途はこれに限られ
ない。
The processing gas flows into the opening of the discharge tube 40 provided on the side wall of the upper casing member 22. The processing gas advances in the discharge tube 40 and descends in the casing member 21. In the lower casing member 26, a high-frequency voltage is applied to the rod-shaped electrodes 46 and 48, and gas discharge occurs in the discharge tube 40. In this embodiment, since the voltage is applied at a high frequency, a high-density excited active species can be generated. The excited active species is nozzle tip 4
4, the excited active species can be sent out onto the object to be subjected to surface treatment. The object to be processed includes a semiconductor chip and a wafer. Processing steps include etching, ashing,
Although there are modification or thin film formation, the use is not particularly limited to this.

【0032】図3(a)に実施例である局所処理装置2
0と比較例の局所処理装置におけるアッシングレイトの
比較図を示す。実施例は電極部(棒状電極46,48、
延長電極49、リード30)に金メッキを施した局所処
理装置20であり、比較例は電極部にメッキを施してい
ない局所処理装置である。処理条件としては、He流量
は2l/minであり、O2流量は30ml/minで
ある。ノズルチップ先端から被処理物までの距離は、
0.5mm程度である。ノズルチップの外径は3.0m
mであり、内径は1.5mmである。上記のような処理
条件で実施例と比較例におけるアッシングレイトを比較
すると、図3(a)に示すように同じ出力でも効率を3
倍以上に上昇させることができることがわかる。
FIG. 3A shows a local processing apparatus 2 according to the embodiment.
FIG. 5 shows a comparison diagram of the ashing rates of the local processing devices of 0 and the comparative example. In the embodiment, the electrode portions (rod electrodes 46, 48,
The local processing apparatus 20 in which the extension electrode 49 and the lead 30) are plated with gold, and the comparative example is a local processing apparatus in which the electrode portion is not plated. As processing conditions, the He flow rate is 2 l / min, and the O 2 flow rate is 30 ml / min. The distance from the tip of the nozzle tip to the workpiece is
It is about 0.5 mm. The outer diameter of the nozzle tip is 3.0m
m and the inner diameter is 1.5 mm. Comparing the ashing rates in the embodiment and the comparative example under the processing conditions as described above, as shown in FIG.
It can be seen that it can be increased more than twice.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る局所
処理装置においては、処理用気体を流通させる放電管を
挟むように対向配置された一対の電極と、当該電極の一
方を高周波電源に接続するリードとで電極部を形成し、
当該電極部の表面にメッキ処理を施した構成とした。こ
のため、気体放電を連続的に発生させて電極部が発熱し
ても、電極部の表面はメッキ処理により保護されるた
め、電極部を酸化による劣化から保護することができ
る。特に電極部を銅で形成した場合でも、電極部表面の
酸化を防止して確実に性能を確保することができる。こ
れにより、気体放電を安定的に効率よく発生させること
ができる。
As described above, in the local processing apparatus according to the present invention, a pair of electrodes arranged to face each other so as to sandwich a discharge tube through which a processing gas flows, and one of the electrodes is connected to a high-frequency power supply. Form the electrode part with the lead to be connected,
The surface of the electrode portion was plated. For this reason, even if gas discharge is continuously generated and the electrode unit generates heat, the surface of the electrode unit is protected by the plating process, so that the electrode unit can be protected from deterioration due to oxidation. In particular, even when the electrode portion is formed of copper, it is possible to prevent oxidation of the surface of the electrode portion and to reliably ensure performance. Thereby, gas discharge can be generated stably and efficiently.

【0034】また、前記メッキは金メッキとすることに
より、電極部の表面を低い電気抵抗率とすることがで
き、伝導効率を上昇させて、気体放電の発生効率を上昇
させることができる。
Further, by performing the plating by gold plating, the surface of the electrode portion can have a low electric resistivity, the conduction efficiency can be increased, and the gas discharge generation efficiency can be increased.

【0035】また、前記高周波電源は、出力周波数が3
0MHz以上であるものとすることで、効果的に高周波
電力を伝導することができ、気体放電の発生効率を上昇
させることができる。
The high frequency power supply has an output frequency of 3
By setting the frequency to 0 MHz or higher, high-frequency power can be effectively transmitted, and the generation efficiency of gas discharge can be increased.

【0036】[0036]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態における局所処理装置を示す
断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a local processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態における局所処理装置の要部
上面図及び斜視図である。
FIG. 2 is a top view and a perspective view of a main part of the local processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明における局所処理装置の処理効率と材質
の比誘電率を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing the processing efficiency of the local processing apparatus and the relative dielectric constant of a material according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20………局所表面処理装置 21………ケーシング部材 22………上部ケーシング部材 24………中部ケーシング部材 26………下部ケーシング部材 28………底部ケーシング部材 30………リード 32………絶縁部材 33………ガス流入孔 34………中間部材 35………押え部材 36………保護部材 37………受け部 39………仕切り部 40………放電管 42………ノズルホルダ 44………ノズルチップ 46………棒状電極 48………棒状電極 49………延長電極 50………ホルダ部材 52………空気供給管 54………空気放出管 60………中空領域 62………ガス流入パイプ 20 Local surface treatment device 21 Casing member 22 Upper casing member 24 Middle casing member 26 Lower casing member 28 Bottom casing member 30 Lead 32 ... Insulating member 33 ... Gas inflow hole 34 ... Intermediate member 35 ... Pressing member 36 ... Protective member 37 ... Receiving part 39 ... Partition part 40 ... Discharge tube 42 ... Nozzle holder 44 Nozzle tip 46 Rod electrode 48 Rod electrode 49 Extension electrode 50 Holder member 52 Air supply pipe 54 Air discharge pipe 60 Hollow area 62 ... Gas inflow pipe

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋山 博明 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 Fターム(参考) 4G075 AA24 AA30 AA61 BA05 BC06 BC10 BD14 CA47 CA63 EB42 EC01 EC21 FA11 FB02 5F004 BA03 BA20 BB11 DA22 DA26 EA38  ──────────────────────────────────────────────────の Continuation of front page (72) Inventor Hiroaki Akiyama 3-3-5 Yamato, Suwa-shi, Nagano F-term in Seiko Epson Corporation (reference) 4G075 AA24 AA30 AA61 BA05 BC06 BC10 BD14 CA47 CA63 EB42 EC01 EC21 FA11 FB02 5F004 BA03 BA20 BB11 DA22 DA26 EA38

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理用気体を流通させる放電管を挟むよ
うに対向配置された一対の電極と、当該電極の一方を高
周波電源に接続するリードとで電極部を形成し、当該電
極部の表面にメッキ処理を施したことを特徴とする局所
処理装置。
An electrode portion is formed by a pair of electrodes opposed to each other so as to sandwich a discharge tube through which a processing gas flows, and a lead connecting one of the electrodes to a high-frequency power supply, and a surface of the electrode portion is formed. A local treatment apparatus characterized in that a plating treatment is applied to the surface.
【請求項2】 前記メッキは金メッキとしたことを特徴
とする請求項1に記載の局所処理装置。
2. The local processing apparatus according to claim 1, wherein said plating is gold plating.
【請求項3】 前記高周波電源は、出力周波数が30M
Hz以上であることを特徴とする請求項2に記載の局所
処理装置。
3. The high frequency power supply has an output frequency of 30M.
3. The local processing apparatus according to claim 2, wherein the frequency is higher than or equal to Hz.
JP2000043355A 2000-02-21 2000-02-21 Local processing unit Withdrawn JP2001237220A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000043355A JP2001237220A (en) 2000-02-21 2000-02-21 Local processing unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000043355A JP2001237220A (en) 2000-02-21 2000-02-21 Local processing unit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001237220A true JP2001237220A (en) 2001-08-31

Family

ID=18566283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000043355A Withdrawn JP2001237220A (en) 2000-02-21 2000-02-21 Local processing unit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001237220A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049262A (en) * 2004-07-06 2006-02-16 Sekisui Chem Co Ltd Plasma processing equipment
US7819081B2 (en) 2002-10-07 2010-10-26 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma film forming system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7819081B2 (en) 2002-10-07 2010-10-26 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma film forming system
JP2006049262A (en) * 2004-07-06 2006-02-16 Sekisui Chem Co Ltd Plasma processing equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3365511B2 (en) Method and apparatus for joining with brazing material
KR101594636B1 (en) High frequency antenna unit and plasma processing apparatus
KR101244596B1 (en) Apparatus for the removal of an edge polymer from a substrate and methods therefor
KR100270425B1 (en) Plasma Processing Equipment
US20070284085A1 (en) Plasma processing apparatus, electrode unit, feeder member and radio frequency feeder rod
JP3180092B2 (en) Plasma processing system and plasma processing method
KR20010043180A (en) Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system
US20210233748A1 (en) Active gas generation apparatus and deposition processing apparatus
JP4372918B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JPH04279044A (en) Sample-retention device
JP3148177B2 (en) Plasma processing equipment
JP2002001253A (en) Plasma cleaning apparatus, plasma cleaning method, soldering system and soldering method
JP2001006897A (en) Plasma treatment device and plasma treatment method
JP2001237220A (en) Local processing unit
WO2002103770A1 (en) Apparatus and method for cleaning the surface of a substrate
JP3591407B2 (en) Local processing unit
JP3580211B2 (en) Local processing unit
JP2001203189A (en) Semiconductor manufacturing machine
KR100449524B1 (en) Plasma processing method and apparatus thereof
JP3720901B2 (en) Plasma processing apparatus and antenna manufacturing method
US20080142057A1 (en) Cleaning device using atmospheric gas discharge plasma
JP2002008895A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JPH08102278A (en) Ion beam generator and method
JP2001232179A (en) Local processing unit
JP2001237225A (en) Local processing unit

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20031222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040309

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040720

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20040729