JP2001237225A

JP2001237225A - 局所処理装置

Info

Publication number: JP2001237225A
Application number: JP2000046394A
Authority: JP
Inventors: Hiroo Miyajima; 弘夫宮島; Takashi Koike; 孝小池; Hiroaki Akiyama; 博明秋山
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-02-23
Filing date: 2000-02-23
Publication date: 2001-08-31

Abstract

(57)【要約】【課題】ケーシング内に冷媒を導入してケーシング内
の熱交換を行わせることにより、気体放電を安定的に効
率よく発生させて表面処理効率を向上させることのでき
る局所処理装置を提供する。【解決手段】電磁的遮蔽をなすケーシング部材２１を
有する。前記ケーシング部材内に処理用気体を流通させ
る放電管４０と、当該放電管４０の両側に対向配置した
一対の電極４６，４８と、当該一方の電極４６を高周波
電源に接続するリード３０とを有する。そして、前記ケ
ーシング部材２１に空気供給管５２と空気放出管５４と
を設けてケーシング部材２１内に冷媒を供給可能とし
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理物の表面を
エッチング、アッシング、改質し又は薄膜を形成する表
面処理技術に関し、特に大気圧又はその近傍の圧力下で
プラズマに生成される励起活性種を用いて局所的に表面
処理をする局所処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、大気圧付近の圧力下でのプラ
ズマ放電により生成される励起活性種を利用することに
よって、真空設備を必要とせずに低コストで被処理物の
表面を様々に処理することができる表面処理技術が知ら
れている。大気圧下でのプラズマによる表面処理には、
電極と被処理物間で直接気体放電を生じさせ、これによ
り発生するプラズマに直接曝露させる直接放電方式と、
一対の電極間での気体放電によりプラズマを発生させ、
それにより生成される励起活性種に被処理物を曝露させ
る間接放電方式とがある。

【０００３】間接放電方式は、直接放電方式に比して処
理レートが低いので高出力を要求される場合があるが、
チャージアップによる被処理物の損傷の虞がない点で有
利である。特開平６−１９０２６９号公報には、一対の
電極間に電源から高周波電圧を印加して放電を発生さ
せ、両電極間の放電領域を通過するヘリウム、酸素等の
ガスを励起、イオン化して活性種を生成し、この活性種
を含むガスを反応性ガス流としてガス吹出し口から被処
理物に噴出させることによって、被処理物の形状や処理
範囲の制限に対応して局所的なドライ洗浄処理を可能と
するガン構造の表面処理装置が提案されている。

【０００４】更に、特にこのような大気圧プラズマに局
所表面処理に適した表面処理装置の典型例が、同じく特
開平９−２３２２９３号公報に開示されている。この従
来装置は、例えば内径１ｍｍ以下の狭小な断面を有する
ガラス等の誘電体材料からなる細い放電管と、当該放電
管を挟むように対向配置された一対の電極とを備え、放
電管先端のノズル部を被処理物の表面に向けて配置す
る。ガス供給源から放電管内に所定のガスを導入しつ
つ、両電極間で気体放電を発生させることにより生成さ
れる励起活性種を含む反応性ガスを、ノズル部から細い
ガス流として被処理物表面に噴射する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来において
は以下のような問題があった。

【０００６】気体放電を連続的に発生させることで放電
管が加熱されるため、放電管を介して周囲の部材も加熱
されてしまう。また、局所処理装置には電磁的遮蔽を行
わせる等のためケーシングを設けることが多い。しか
し、ケーシングは密閉形状であるため、ケーシング内に
熱がこもってしまう。このため、気体放電にて発生した
熱により放電管の周囲の部材が熱的影響を受けて、変形
や劣化を引き起こすという問題があった。

【０００７】また、電源から電極に印加させるリードや
リードに接続された電極（以下「伝導経路」という）に
おいても、電源から電力が伝導される際に抵抗熱が発生
する。上記したようにケーシング内は密閉形状なため、
伝導経路が熱により劣化し気体放電の発生効率が低下す
るという問題があった。

【０００８】また、気体放電により放電管が加熱される
ことで、放電管に供給されるガスが加熱されてしまう。
このため、気体放電による励起活性種の発生率に変化が
生じ、安定した処理が行えないという問題があった。

【０００９】また、特に出力周波数が３０ＭＨｚ以上の
高周波電力を伝導経路に伝導させると、高周波電力は伝
導経路の表面部を伝導するため、特に表面部の劣化防止
が望まれていた。

【００１０】本発明の目的は、ケーシング内に冷媒を導
入してケーシング内の熱交換を行わせることにより、気
体放電を安定的に効率よく発生させて表面処理効率を向
上させることのできる局所処理装置を提供することにあ
る。

【００１１】さらに、本発明の他の目的は、高周波電力
の伝導効率を高めて表面処理効率を向上させることので
きる局所処理装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る局所処理装置においては、電磁的遮蔽
をなすケーシングを有し、当該ケーシング内に処理用気
体を流通させる放電管と、当該放電管の両側に対向配置
した一対の電極と、当該電極の一方を高周波電源に接続
するリードとを有し、前記ケーシングに冷媒供給管と冷
媒放出管とを設けてケーシング内に冷媒を供給可能とし
た構成とした。このため、ケーシング内の熱交換を行う
ことができる。これにより、気体放電を連続的に行って
もケーシング内に熱がこもらず、ケーシング内の部材の
熱による劣化を防止することができる。また、ケーシン
グ内の熱交換を行わせることにより、放電管の温度を一
定以内に保たせることができるため、気体放電の処理効
率を安定させることができる。

【００１３】また、上記構成において、前記放電管と、
前記リード、前記リードに接続した一方の電極と、前記
ケーシングとの間に、前記冷媒を流通させる冷却空間を
設けることができる。このため、ケーシング内の熱交換
を積極的に促進することができ、表面処理効率の安定化
を図ることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の局所処理装置の実施形態
について図面に従って詳細に説明する。

【００１５】図１は本実施形態における局所処理装置２
０の断面図である。本実施形態における局所処理装置２
０はケーシング部材２１を有している。前記ケーシング
部材２１は、上部ケーシング部材２２、中部ケーシング
部材２４、下部ケーシング部材２６、底部ケーシング部
材２８にて形成される。前記上部〜底部ケーシング部材
２２，２４，２６，２８は、それぞれ略角柱形状のブロ
ック体のセンター部を略円筒形状に刳り抜いたものであ
る。前記ケーシング部材２１は、前記上部〜底部ケーシ
ング部材２２，２４，２６，２８の刳り抜き部が芯合わ
せされるように密接してなっている。このように、ケー
シング部材２１は前記上部〜底部ケーシング部材２２，
２４，２６，２８の一部を省略したり追加したりできる
ため、ケーシング部材２１のサイズを内部に入れ込む部
材に合わせて調節することができる。本実施形態におい
ては、ケーシング部材２１はアルミなどの金属材料にて
形成し、電磁波の遮蔽をなしているのである。なお、ケ
ーシング部材２１の材料としては、アルミに限らずシー
ルド機能を有する材質のものであればよい。

【００１６】前記ケーシング部材２１の軸心上には直管
状の放電管４０が配置されている。前記放電管４０は上
端部を上部ケーシング部材２２の軸心上に位置し、放電
管４０下端部を底部ケーシング部材２８内壁面に臨ませ
ている。一方、前記放電管４０下端部に対向する底部ケ
ーシング部材２８の対向面には、ノズルチップ４４が外
部に突出する形で着脱自在に設けられ、当該ノズルチッ
プ４４に前記放電管４０の下端部がはめ込まれている。
このように、放電管４０とノズルチップ４４とを分離可
能に形成させたことにより、ノズルチップ４４を異なる
孔径のものに交換することができる。このため、表面処
理を行わせる領域や形状に応じて最適な孔径のノズルで
表面処理を行うことができる。また、ノズルチップ４４
の材料としては、ステンレス（ＳＵＳ）やアルミが好ま
しい。

【００１７】前記ノズルチップ４４は底部ケーシング部
材２８内に上端部を突出させている。前記ノズルチップ
４４の上端部は略円筒形状に形成したノズルホルダ４２
に螺着され、これによりノズルチップ４４が固定保持さ
れる。ノズルホルダ４２の材質としては、ステンレス
（ＳＵＳ）やアルミが好ましい。

【００１８】前記放電管４０は、下部ケーシング部材２
６に対向する面の周囲を保護部材３６にて覆わせてい
る。前記保護部材３６は、受け部３７の中央部に仕切り
部３９を一体的に垂設した逆Ｔ字形状をなしている。前
記保護部材３６は仕切り部３９の中心軸部に放電管４０
を貫通させ、放電管４０の保護をなしている。そして、
保護部材３６は、受け部３７下面を前記ノズルホルダ４
２の上面に当接され、ノズルホルダ４２にて支持され
る。

【００１９】前記保護部材３６は、図２（ａ）に示した
ように仕切り部３９両面３９ａ，３９ｂの上下方向中央
にそれぞれ一対の棒状電極４６，４８を当接させてい
る。前記一対の棒状電極４６，４８はそれぞれ略直方形
状をなしている。そして、前記一対の棒状電極４６，４
８は、前記保護部材３６の仕切り部３９を挟み込むよう
に対向配置している。すなわち、図２（ａ）に示すよう
に前記棒状電極４６と保護部材３６と棒状電極４８とが
上面視一直線状となるように配置している。前記仕切り
部３９軸心部に放電管４０を上下方向に貫通させて、当
該放電管４０の貫通部分内で気体放電を発生させるので
ある。このように、前記一対の棒状電極４６，４８はノ
ズルチップ４４近傍に配置しているため、気体放電によ
り発生した励起活性種が直ちにノズルチップ４４から外
部へ放出することができる。このため、ノズルチップ４
４近くに配置する被処理物表面に十分な量の励起活性種
を到達させることができる。

【００２０】また、受け部３７の長手方向の長さは棒状
電極４６，４８の長手方向の長さより長く形成してい
る。これにより、両電極４６，４８の設置面積を確保さ
せている。特に、高周波電圧を印加される棒状電極４６
は、底部ケーシング部材２８を直線的に臨めないため、
棒状電極４６が底部ケーシング部材２８と短絡すること
を防止できる。前記保護部材３６はアルミナや石英にて
形成しており、両電極４６，４８の絶縁を保持させてい
る。なお、保護部材３６の材料としては、絶縁体材料で
あればこれに限られない。

【００２１】そして、前記保護部材３６の仕切り部３９
の高さは、図２（ｂ）に示すように、前記棒状電極４
６，４８よりも高く形成してある。また、前記保護部材
３６の仕切り部３９ａ，３９ｂは前記棒状電極４６，４
８の厚み方向に対して十分長く形成している。これによ
り、棒状電極４６，４８同士が直線的に臨めないように
している。棒状電極４６，４８同士が直線的に臨める
と、棒状電極４６，４８に印加させる際に、保護部材３
６の表面（沿面）を伝って導通してしまう沿面放電が発
生するおそれがある。沿面放電が発生すると、放電管４
０内での気体放電が発生せずまたは発生した気体放電を
停止させてしまう。上記したように、前記保護部材３６
の仕切り部３９は、前記棒状電極４６、４８の厚み方向
に対して十分長く形成しているため、沿面放電を防止す
ることができる。このため、放電管４０内を介した気体
放電を確実に発生させることができ、また発生した気体
放電を安定して持続させることができる。

【００２２】前記棒状電極４６，４８はアルミにて形成
しており、それぞれ表面に金めっきを施している。これ
により、棒状電極４６，４８の酸化による腐食を防止さ
せることができる。また、金は高い導電性を有している
ため、棒状電極４６，４８の伝導効率を向上させること
ができる。また、棒状電極４６，４８の性能の劣化を防
止することができる。

【００２３】前記棒状電極４６背面と、ケーシング部材
２１内壁面との間には、ホルダ部材５０が介在してい
る。前記ホルダ部材５０は基端部を下部ケーシング部材
２６内壁面に当接し、ホルダ部材５０の先端部を前記棒
状電極４６の背面部に当接させている。これにより、棒
状電極４６が保護部材３６側に位置決め保持されてい
る。前記ホルダ部材５０の材質としては、アルミナや石
英を好ましく用いることができるが、絶縁体材料であれ
ばこれに限られない。

【００２４】これに対して、他方の棒状電極４８は、下
部ケーシング部材２１の外表面まで露出した延長電極４
９に一体的に連結されている。前記延長電極４９は、図
示しないアース経路に接続されている。これにより、棒
状電極４８の接地が確保され、ケーシング部材２１内に
おいて短絡を防止させることができる。

【００２５】前記保護部材３６の上には、略円柱形状の
中間部材３４が配置されている。前記中間部材３４は側
面部を中部ケーシング部材２４の内壁面に対向するよう
配置している。そして、前記中間部材３４は下面を前記
保護部材３６の仕切り部３９の上面に当接して、前記保
護部材３６の位置決めをなしているのである。また、前
記中間部材３４の中心軸部には貫通孔が設けられ、当該
貫通孔内に放電管４０を挿入させて当該放電管４０を保
護しているのである。前記中間部材３４は、テフロンや
マイカ系セラミックスにて形成され、これにより放電管
４０外部への絶縁を保持させている。なお、前記中間部
材３４としては、テフロンやマイカ系セラミックスが好
ましいが、絶縁体材料であればこれに限られない。

【００２６】前記中間部材３４の上側には、絶縁部材３
２が配置されている。前記絶縁部材３２は前記上部ケー
シング部材２２の刳り抜き部に対応する略円柱形状をな
している。前記絶縁部材３２は前記上部ケーシング部材
３２の刳り抜き部にはめ込まれている。これにより、ケ
ーシング部材２１の上面方向における密閉がなされ、ケ
ーシング部材２１内部に密閉空間を形成させることがで
きる。絶縁部材３２の上面は断面凹部形状に形成してあ
り、当該凹部底面は前記中間部材３４上面に対応させて
形成している。そして、絶縁部材３２の下面は下方に張
り出した断面逆凸部形状に形成してあり、当該逆凸部下
面にて中間部材３４上面と当接させている。前記絶縁部
材３２は周面部に開口したガス流入孔３３を有してい
る。上部ケーシング部材２２の一側面部にも、図示しな
いガス供給源に接続したガス流入パイプ６２が設けてあ
り、当該ガス流入パイプ６２の先端部を前記ガス流入孔
３３の上開口部に対応させている。前記ガス流入孔３３
は前記上開口部から絶縁部材３２の軸中心方向に向って
伸び、当該軸中心部にて軸心に沿って下方へ屈曲する。
そして、前記ガス流入孔３３は前記絶縁部材３２の下面
まで達し、当該下面部にて下開口部を有している。前記
絶縁部材３２下面部のガス流入孔３３の下開口部には、
放電管４０の上端部が挿入される。このため、ガス流入
パイプ６２から流入された処理気体がガス流入孔３３を
介して放電管４０上部に送り出されるのである。また、
前記ガス流入孔３３下開口部の内壁面は、円筒形状の押
え部材３５が形成されている。前記押え部材３５には内
側フランジが形成してあり、当該内側フランジが前記放
電管４０上部に当接して下方向に付勢する。このため、
前記放電管４０の位置決めをなすことができるのであ
る。前記絶縁部材３２はテフロンにて形成され、絶縁保
持を行わせている。なお、前記絶縁部材３２は、絶縁体
材料であればこれに限られない。

【００２７】また、前記上部ケーシング部材２２上面の
軸中心方向からリード３０が挿入配置されている。前記
リード３０は、前記絶縁部材３２上面付近にて直径方向
に屈曲する。そして、絶縁部材３２の上面凹部内壁面に
沿って下降し、絶縁部材３２を貫通する。上記したよう
に絶縁部材３２の上面凹部底面は中間部材３４上面に対
応して形成しているため、前記絶縁部材３２を貫通する
リード３０は、中間部材３４の側面に当接するように下
降する。これにより中間部材３４にてリード３０の保護
を行わせることができる。前記リード３０は、さらに下
方に伸びて棒状電極４６に接続する。これにより、リー
ド３０は棒状電極４６との電気的導通が確保される。そ
して、前記リード３０は下端部を保護部材３６の受け部
３７ａに当接し、伝導効率を向上させるのである。

【００２８】前記リード３０は、複数の板状部材にて形
成し、当該複数の板状部材を積層配置させてなってい
る。本実施形態においては、前記リード３０は、前記板
状部材を３枚積層配置させたものとしている。そして、
本実施形態においては、リード３０の上端部が、図示し
ない高周波電源に接続している。本実施形態において
は、高周波電源の出力周波数が４０．６８ＭＨｚのもの
を用いている。図示しない高周波電源から出力される高
周波電力は、前記リード３０の上端部から棒状電極４６
に伝導されるが、このような高周波電力はリード３０の
内部ではなくリード３０の表面部を伝導する。上記した
ように、リード３０は複数の板状部材を積層配置してい
る。このため、高周波電力は積層させた板状部材の間隙
を介してそれぞれの板状部材の表面部を伝導する。本実
施形態においては、３枚の板状部材を積層配置させてい
るため、高周波電力の伝導効率を３倍化させることがで
きる。これにより、気体放電を発生させるのに十分な高
周波電圧を棒状電極４６に印加させることができ、高周
波電圧にて気体放電を行わせることができるのである。

【００２９】また、前記リード３０は銅にて形成され、
表面に金めっきを施している。これにより、前記リード
３０の酸化を防止して安定的に高周波電力を伝導させる
ことができる。

【００３０】また、前記ケーシング部材２１と、リード
３０及び棒状電極４６そして前記保護部材３６及び中間
部材３４との間は、中空領域６０が設けられている。前
記中空領域６０をマイカ系セラミックスなどの誘電体で
囲って絶縁する形態も考えられる。しかし、図３（ｂ）
に示したように、大気雰囲気中よりも誘電体（絶縁体）
であるマイカ系セラミックスの方が、比誘電率は５倍以
上大きい。このように、ケーシング部材２１内を誘電体
で充填する構成とするよりも、中空領域６０を設けて絶
縁空間を形成させる方が、高周波電力を伝導する際の絶
縁保持を効果的に行えることに本願発明者は着目した。
このように中空領域６０を形成させたため、高周波電力
伝導時における絶縁保持が効果的になされ、もれ電流を
最小化することができる。

【００３１】また、下部ケーシング部材２６の一側面部
には空気供給管５２を突設するとともに、下部ケーシン
グ部材２６の他側面部には空気放出管５４を突設してい
る。前記空気供給管５２は図示しない冷却空気の供給源
に接続されており、空気供給管５２より冷却空気をケー
シング部材２１内に積極的に案内することができる。そ
して、ケーシング部材２１内の中空領域６０を通ってケ
ーシング部材２１内部の熱交換を行い、空気放出管５４
よりケーシング部材２１外部に放出される。これによ
り、電極のプラズマ生成過程における過熱状態を防止す
ることができ、ケーシング部材２１内部の温度を一定に
保持することができ、気体放電を安定して行わせること
ができる。また、本実施形態においては３０ＭＨｚ以上
の高周波電力を伝導させているため、リード３０の表面
部が発熱する。このため、冷却空気により熱交換を積極
的かつ効果的に行わせることができ、気体放電の処理効
率を安定的に行わせることができる。これにより、気体
放電を連続的に行ってもケーシング部材２１内に熱がこ
もらず、ケーシング部材２１内の部材の熱による劣化を
防止することができる。また、ケーシング部材２１内の
熱交換を行わせることにより、放電管４０の温度を一定
以内に保たせることができるため、気体放電の処理効率
を安定させることができる。また、前記ケーシング２１
部材内に、前記冷却空気を流通させる冷却空間である中
空領域６０を設けたため、ケーシング部材２１内の熱交
換を積極的に促進することができ、表面処理効率の安定
化を図ることができる。なお、本実施形態においては冷
媒として冷却空気を用いたが、これに限らず必要に応じ
て空気以外のガスや液体を用いることもできる。

【００３２】以上のように構成した局所処理装置２０の
作用は以下のようになる。被処理物の表面処理を行う場
合には、局所処理装置２０はノズルチップ４４の先端を
図示しない被処理物の上方に臨ませている。

【００３３】表面処理を行うための処理用気体は上部ケ
ーシング部材２２側壁に設けたガス流入パイプ６２より
ケーシング部材２１内に流入する。この処理用気体は絶
縁部材３２のガス流入孔３３を介して放電管４０上部に
流入し、放電管４０内を下方に進行する。一方、前記放
電管４０に対向配置した棒状電極４６には上記したよう
に高周波電圧が印加される。このような高周波電圧を棒
状電極４６に印加すると、棒状電極４６，４８に挟まれ
た真空管４０内で電子が高周波振動する。上気したよう
に、前記真空管４０内には処理用気体が流入しているた
め、前記高周波振動する電子が処理用気体に衝突してプ
ラズマ化され、励起活性種のプラズマが発生する。従っ
て、高密度のプラズマを発生させることができるととも
に、プラズマの生成率を高くすることができ、異常放電
を起こりにくくすることができる。前記励起活性種はノ
ズルチップ４４の先端より、直ちに被処理物の表面上に
送りだすことができる。このため、十分な励起活性種を
被処理物上に送り出し、被処理物の表面処理を行わせる
ことができる。被処理物としては半導体チップ、ウエハ
等がある。処理工程としては、エッチング、アッシン
グ、被処理物表面の改質や薄膜形成等があるが、特に用
途はこれに限られない。

【００３４】図３（ａ）に実施例である局所処理装置２
０と比較例の局所処理装置におけるアッシングレイトの
比較図を示す。実施例はケーシング部材２１に空気供給
管５２と空気放出管５４とを設けた電極局所処理装置２
０であり、比較例は前記空気供給管５２と空気放出管５
４とを有さない局所処理装置である。処理条件として
は、Ｈｅ流量は２ｌ／ｍｉｎであり、Ｏ₂流量は３０ｍ
ｌ／ｍｉｎである。ノズルチップ先端から被処理物まで
の距離は、０．５ｍｍ程度である。ノズルチップの外径
は３．０ｍｍであり、内径は１．５ｍｍである。上記処
理条件において実施例と比較例のアッシングレイトを比
較すると、図３（ａ）に示すように同じ出力でも処理効
率を３倍以上に上昇させることができるという結果を得
た。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る局所
処理装置においては、電磁的遮蔽をなすケーシングを有
し、当該ケーシング内に処理用気体を流通させる放電管
と、当該放電管の両側に対向配置した一対の電極と、当
該電極の一方を高周波電源に接続するリードとを有し、
前記ケーシングに冷媒供給管と冷媒放出管とを設けてケ
ーシング内に冷媒を供給可能としたため、ケーシング内
の熱交換を行うことができる。これにより、気体放電を
連続的に行ってもケーシング内に熱がこもらず、ケーシ
ング内の部材の熱による劣化を防止することができる。
また、ケーシング内の熱交換を行わせることにより、放
電管の温度を一定以内に保たせることができるため、気
体放電の処理効率を安定させることができる。

【００３６】また、前記ケーシング内に、前記冷媒を流
通させる冷却空間である中空領域を設けることにより、
ケーシング内の熱交換を積極的に促進することができ、
表面処理効率の安定化を図ることができる。

【００３７】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態における局所処理装置を示す
断面図である。

【図２】本発明の実施形態における局所処理装置の要部
上面図及び斜視図である。

【図３】本発明における局所処理装置の処理効率と材質
の比誘電率を示す説明図である。

【符号の説明】

２０………局所表面処理装置２１………ケーシング部材２２………上部ケーシング部材２４………中部ケーシング部材２６………下部ケーシング部材２８………底部ケーシング部材３０………リード３２………絶縁部材３３………ガス流入孔３４………中間部材３５………押え部材３６………保護部材、３７………受け部３９………仕切り部４０………放電管４２………ノズルホルダ４４………ノズルチップ４６………棒状電極４８………棒状電極４９………延長電極５０………ホルダ部材５２………空気供給管５４………空気放出管６０………中空領域６２………ガス流入パイプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者秋山博明長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコーエプソン株式会社内Ｆターム(参考） 4K030 EA04 FA01 KA15 KA26 KA30 4K057 DA16 DD01 DE14 DE20 DM02 DM06 DM39 DN01 5F004 AA16 BA06 BA20 BB11 BB29 BB32 BD01 BD04 DA22 DA26 5F045 AA08 AC17 EF02 EF11 EH04 EH08 EH13 EH18 EJ05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電磁的遮蔽をなすケーシングを有し、当
該ケーシング内に処理用気体を流通させる放電管と、当
該放電管の両側に対向配置した一対の電極と、当該電極
の一方を高周波電源に接続するリードとを有し、前記ケ
ーシングに冷媒供給管と冷媒放出管とを設けてケーシン
グ内に冷媒を供給可能としたことを特徴とする局所処理
装置。
【請求項２】前記放電管と、前記リード、前記リード
に接続した一方の電極と、前記ケーシングとの間に、前記冷媒を流通させる冷却空
間を設けたことを特徴とする請求項１に記載の局所処理
装置。