JP2001237304A - Ceramic substrate for semiconductor manufacturing/ inspecting device - Google Patents
Ceramic substrate for semiconductor manufacturing/ inspecting deviceInfo
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 200
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 140
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 73
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 25
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 15
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 27
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920005822 acrylic binder Polymers 0.000 description 10
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 6
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017398 Au—Ni Inorganic materials 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002708 Au–Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 description 1
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 1
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISDDBQLTUUCGCZ-UHFFFAOYSA-N dipotassium dicyanide Chemical compound [K+].[K+].N#[C-].N#[C-] ISDDBQLTUUCGCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052575 non-oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011225 non-oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 1
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、主に、ホットプレ
ート（セラミックヒータ）、静電チャック、ウエハプロ
ーバなど、半導体の製造用や検査用の装置として用いら
れるセラミック基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic substrate used as a device for manufacturing or inspecting a semiconductor, such as a hot plate (ceramic heater), an electrostatic chuck, and a wafer prober.
【０００２】[0002]
【従来の技術】エッチング装置や、化学的気相成長装置
等を含む半導体製造・検査装置等においては、従来、ス
テンレス鋼やアルミニウム合金などの金属製基材を用い
たヒータやウエハプローバ等が用いられてきた。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing / inspection apparatus including an etching apparatus and a chemical vapor deposition apparatus, a heater or a wafer prober using a metal base material such as stainless steel or an aluminum alloy is used. I have been.
【０００３】ところが、このような金属製のヒータは、
以下のような問題があった。まず、金属製であるため、
ヒータ板の厚みは、１５ｍｍ程度と厚くしなければなら
ない。なぜなら、薄い金属板では、加熱に起因する熱膨
張により、反り、歪み等が発生してしまい、金属板上に
載置したシリコンウエハが破損したり傾いたりしてしま
うからである。しかしながら、ヒータ板の厚みを厚くす
ると、ヒータの重量が重くなり、また、嵩張ってしまう
という問題があった。[0003] However, such a metal heater has the following problems.
There were the following problems. First, because it is made of metal,
The thickness of the heater plate must be as thick as about 15 mm. This is because, in a thin metal plate, warping, distortion, and the like are generated due to thermal expansion caused by heating, and the silicon wafer placed on the metal plate is damaged or tilted. However, when the thickness of the heater plate is increased, there is a problem that the weight of the heater increases and the heater becomes bulky.
【０００４】また、抵抗発熱体に印加する電圧や電流量
を変えることにより、加熱温度を制御するのであるが、
金属板が厚いために、電圧や電流量の変化に対してヒー
タ板の温度が迅速に追従せず、温度制御しにくいという
問題もあった。[0004] The heating temperature is controlled by changing the voltage or the amount of current applied to the resistance heating element.
Since the metal plate is thick, there is a problem that the temperature of the heater plate does not quickly follow a change in voltage or current amount, and it is difficult to control the temperature.
【０００５】そこで、特開平４−３２４２７６号公報で
は、基板として、熱伝導率が高く、強度も大きい非酸化
物セラミックである窒化アルミニウムを使用し、この窒
化アルミニウム基板中に抵抗発熱体とタングステンから
なるスルーホールとが形成され、これらに外部端子とし
て二クロム線がろう付けされたセラミックヒータが提案
されている。In Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-324276, aluminum nitride, which is a non-oxide ceramic having high thermal conductivity and high strength, is used as a substrate. Ceramic heaters have been proposed in which through holes are formed, and dichrome wires are brazed as external terminals to these through holes.
【０００６】また、別のセラミックヒータとして、セラ
ミック基板の底面に袋孔を設け、袋孔の内部に外部端子
を挿入することにより、セラミック基板の内部に設けら
れた抵抗発熱体と接続させるように構成されたセラミッ
クヒータも開示されている。図１１は、このような構成
のセラミックヒータを模式的に示した断面図であり、セ
ラミック基板４１の内部に抵抗発熱体４２からなる回路
が設けられるとともに、その端部に抵抗発熱体４２と接
続したスルーホール４８が設けられている。Further, as another ceramic heater, a blind hole is provided in the bottom surface of the ceramic substrate, and an external terminal is inserted into the blind hole so as to be connected to a resistance heating element provided inside the ceramic substrate. A configured ceramic heater is also disclosed. FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a ceramic heater having such a configuration, in which a circuit including a resistance heating element 42 is provided inside a ceramic substrate 41 and an end thereof is connected to the resistance heating element 42. A through hole 48 is provided.
【０００７】そして、セラミック基板４１の底面には、
このスルーホール４８を露出させるように袋孔４７が設
けられ、この袋孔４７に断面がＴ字型の外部端子４３が
挿入され、金ろう等によりスルーホール４８と接合され
ている。なお、袋孔４７の周囲の導体層４６は、外部端
子４３をろう材を介して支持するとともに、スルーホー
ル４８との接続をより確実にするために形成されたもの
である。Then, on the bottom surface of the ceramic substrate 41,
A blind hole 47 is provided so as to expose the through hole 48, and an external terminal 43 having a T-shaped cross section is inserted into the blind hole 47 and is joined to the through hole 48 by gold brazing or the like. The conductor layer 46 around the blind hole 47 is formed to support the external terminal 43 via a brazing material and to make connection with the through hole 48 more reliable.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成からなるセラミックヒータ４０に通電を行って、２０
０℃以上の高温で発熱させると、セラミック基板４１の
熱膨張率に比べて外部端子４３の熱膨張率が大きいた
め、外部端子４３の頭の部分がより大きく膨張して袋孔
４７部分のセラミック基板４１に大きな応力が作用し、
セラミック基板４１にクラックが発生してしまうという
問題があった。また、このような熱膨張率の差に起因し
て、外部端子４３が脱落してしまう場合もあった。However, by energizing the ceramic heater 40 having the above configuration,
When heat is generated at a high temperature of 0 ° C. or more, the thermal expansion coefficient of the external terminal 43 is larger than the thermal expansion coefficient of the ceramic substrate 41. A large stress acts on the substrate 41,
There is a problem that cracks occur in the ceramic substrate 41. Further, the external terminals 43 may fall off due to such a difference in the coefficient of thermal expansion.
【０００９】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、半導体製造・検査装置用セラミ
ック基板を２００℃以上の高温で使用しても、セラミッ
ク基板にクラック等が発生せず、また、導電線が脱落し
ない半導体製造・検査装置用セラミック基板を提供する
ことを目的とする。また、本発明の他の目的は、ホット
プレート、静電チャック、ウエハプローバ等として好適
に用いることができる半導体製造・検査装置用セラミッ
ク基板を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems. Even when a ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus is used at a high temperature of 200 ° C. or more, cracks or the like are generated on the ceramic substrate. Another object of the present invention is to provide a ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus in which conductive lines do not fall off. It is another object of the present invention to provide a ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus that can be suitably used as a hot plate, an electrostatic chuck, a wafer prober, or the like.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】第一の本発明は、セラミ
ック基板の内部に、１または２以上の回路からなる抵抗
発熱体が埋設されてなる半導体製造・検査装置用セラミ
ック基板において、上記セラミック基板の底面に緩衝材
が配設されて、上記緩衝材に導電線が接続され、かつ、
上記導電線は、上記回路と電気的に接続されてなること
を特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板で
ある。上記緩衝材と上記導電線との接続、上記導電線と
上記回路との電気的な接続は、金ろう、銀ろう、アルミ
ニウムろう材などのろう材により行う。また、上記導電
線と上記回路との接続は、後述するスルーホールを介し
てもよい。According to a first aspect of the present invention, there is provided a ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus wherein a resistance heating element comprising one or more circuits is embedded in a ceramic substrate. A cushioning material is provided on the bottom surface of the substrate, a conductive line is connected to the cushioning material, and
The conductive line is a ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus, which is electrically connected to the circuit. The connection between the cushioning material and the conductive wire and the electrical connection between the conductive wire and the circuit are performed using a brazing material such as a gold brazing material, a silver brazing material, or an aluminum brazing material. Further, the connection between the conductive line and the circuit may be through a through hole described later.
【００１１】また、第二の本発明は、セラミック基板の
内部に、１または２以上の回路からなる抵抗発熱体が埋
設されてなる半導体製造・検査装置用セラミック基板に
おいて、上記セラミック基板の底面に緩衝材が挿入され
て、上記回路の端部との電気的な接続が図られ、上記緩
衝材に導電線が接続されてなることを特徴とする半導体
製造・検査装置用セラミック基板である。第一の本発明
と第二の本発明とは、上記抵抗発熱体の回路と上記導電
線との接続の仕方が上記のように少し異なるが、その他
の構成は、同様であるので、以下においては、両者を一
つの発明として説明することにする。A second aspect of the present invention is a ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus in which a resistance heating element comprising one or more circuits is embedded in a ceramic substrate. A ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus, wherein a buffer material is inserted to electrically connect with an end of the circuit, and a conductive wire is connected to the buffer material. The first invention and the second invention are slightly different in the way of connecting the circuit of the resistance heating element and the conductive wire as described above, but the other configurations are the same, so that Will be described as one invention.
【００１２】本発明の半導体製造・検査装置用セラミッ
ク基板においては、上記回路の端部と上記緩衝材との間
にスルーホールが介装され、上記スルーホールを介して
上記回路の端部と上記緩衝材または上記導電線との接続
が図られていることが望ましい。上記緩衝材または導電
線は、ろう付けされることにより上記回路の端部との接
続が図られていることが望ましい。上記セラミック基板
の熱膨張率と上記緩衝材の熱膨張率とは、２５〜４００
℃の温度範囲において、下記の式（１）を満たすことが
望ましい。 セラミック基板の熱膨張率−緩衝材の熱膨張率＜３ｐｐｍ／℃・・（１） 上記セラミック基板の熱膨張率と上記緩衝材との熱膨張
率の差が３ｐｐｍを超えると、クラックが発生しやすく
なるからである。In the ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus according to the present invention, a through hole is interposed between the end of the circuit and the cushioning material, and the end of the circuit is connected to the end of the circuit via the through hole. It is desirable that the connection with the cushioning material or the conductive wire is made. It is desirable that the buffer material or the conductive wire be connected to the end of the circuit by brazing. The coefficient of thermal expansion of the ceramic substrate and the coefficient of thermal expansion of the cushioning material are 25 to 400.
It is desirable that the following formula (1) be satisfied in the temperature range of ° C. Thermal expansion coefficient of ceramic substrate-Thermal expansion coefficient of buffer material <3 ppm / ° C (1) If the difference between the thermal expansion coefficient of the ceramic substrate and the thermal expansion coefficient of the buffer material exceeds 3 ppm, cracks occur. It is easier.
【００１３】上記セラミック基板の熱膨張率と上記導電
線の熱膨張率とは、２５〜４００℃の温度範囲におい
て、下記の式（２）を満たすことが望ましい。 ｜セラミック基板の熱膨張率−導電線の熱膨張率｜＞２ｐｐｍ／℃・・（２） このようにセラミック基板との熱膨張率の差が大きい導
電線を使用すると、特に、クラックが発生しやすく、こ
のような場合に、本発明の効果が大きいからである。な
お、上記緩衝材は、導電性の材料に限定されないが、導
電性緩衝材であることが望ましい。特に、導電線と回路
との電気的な接続が必要な場合は、必須である。The coefficient of thermal expansion of the ceramic substrate and the coefficient of thermal expansion of the conductive wire preferably satisfy the following equation (2) in a temperature range of 25 to 400 ° C. | Coefficient of thermal expansion of ceramic substrate-Coefficient of thermal expansion of conductive line |> 2 ppm / ° C. (2) When a conductive line having a large difference in thermal expansion coefficient from the ceramic substrate is used, cracks are particularly generated. This is because the effect of the present invention is great in such a case. The buffer is not limited to a conductive material, but is preferably a conductive buffer. In particular, it is essential when electrical connection between the conductive wire and the circuit is required.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下の発明の実施の形態の説明に
おいては、緩衝材は、導電性緩衝材を使用した場合を説
明する。本発明の半導体製造・検査装置用セラミック基
板（以下、単に半導体装置用セラミック基板ともいう）
は、セラミック基板の内部に、１または２以上の回路か
らなる抵抗発熱体が埋設されてなる半導体製造・検査装
置用セラミック基板において、上記セラミック基板の底
面に導電性緩衝材が挿入されて、上記回路の端部との接
続が図られ、上記導電性緩衝材に導電線が接続されてい
ることを特徴とする。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the following description of embodiments of the present invention, a case where a conductive buffer material is used as a buffer material will be described. The ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection device of the present invention (hereinafter, also simply referred to as a ceramic substrate for a semiconductor device)
Is a ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus in which a resistance heating element comprising one or more circuits is buried inside a ceramic substrate, wherein a conductive buffer material is inserted into a bottom surface of the ceramic substrate, A connection with an end of the circuit is provided, and a conductive line is connected to the conductive buffer.
【００１５】従来においては、袋孔に挿入された外部端
子（導電線の一部となるもの）とセラミック基板との熱
膨張率の差に起因して、２００℃以上の高温に加熱する
と、セラミック基板にクラックが発生しやすかった。Conventionally, when heated to a high temperature of 200 ° C. or more due to the difference in the coefficient of thermal expansion between an external terminal (which becomes a part of a conductive wire) inserted into a blind hole and a ceramic substrate, ceramic Cracks were easily generated on the substrate.
【００１６】しかしながら、本発明の半導体装置用セラ
ミック基板では、袋孔の内部に、セラミック基板と導電
線との間の緩衝材の役割を果たすワッシャー（導電性緩
衝材）が挿入され、このワッシャーの中心孔に導電線が
挿入され、接続されている。そのため、セラミック基板
の温度が上昇して上記導電線が膨張しても、直接セラミ
ック基板に直接大きな応力は作用せず、その結果、長時
間通電を行っても、セラミック基板にはクラック等が生
じにくい。従って、本発明の半導体装置用セラミック基
板は、耐久性に優れたものとなる。なお、以下では、導
電性緩衝材の一例として、ワッシャーを用いた場合を説
明するが、上記導電性緩衝材としては、ワッシャーのよ
うなドーナツ型に限定されず、四角形、５角形等の多角
形等であってもよい。However, in the ceramic substrate for a semiconductor device according to the present invention, a washer (conductive buffer material) serving as a buffer between the ceramic substrate and the conductive wire is inserted into the blind hole. A conductive wire is inserted into the center hole and connected. Therefore, even if the temperature of the ceramic substrate rises and the above-mentioned conductive wires expand, a large stress does not directly act on the ceramic substrate, and as a result, cracks and the like occur on the ceramic substrate even when energization is performed for a long time. Hateful. Therefore, the ceramic substrate for a semiconductor device of the present invention has excellent durability. In the following, a case where a washer is used as an example of a conductive buffer material will be described. However, the conductive buffer material is not limited to a donut shape such as a washer, and may be a polygon such as a square, a pentagon, or the like. And so on.
【００１７】以下に、本発明の半導体製造・検査装置用
セラミック基板について、図面に基づいて説明する。Hereinafter, a ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１８】図１（ａ）は、本発明の半導体装置用セラ
ミック基板の一実施形態であるホットプレート（以下、
セラミックヒータともいう）の一例を模式的に示す底面
図であり、（ｂ）は、（ａ）に示したセラミックヒータ
の一部を示す部分拡大断面図である。FIG. 1A shows a hot plate (hereinafter, referred to as a hot plate) which is an embodiment of a ceramic substrate for a semiconductor device according to the present invention.
FIG. 2 is a bottom view schematically illustrating an example of a ceramic heater), and FIG. 2B is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a part of the ceramic heater illustrated in FIG.
【００１９】セラミック基板１１は、円板形状に形成さ
れており、抵抗発熱体１２は、このセラミック基板１１
の内部に同心円形状のパターンに形成されている。ま
た、これら抵抗発熱体１２は、互いに近い二重の同心円
同士が１組の回路として、１本の線になるように接続さ
れ、その回路の両端部分の直下には、スルーホール３８
が形成され、このスルーホール３８が露出するように、
セラミック基板１１の底面１１ｂに袋孔２７が形成され
ている。そして、この袋孔２７にワッシャー２４が嵌め
込まれ、ワッシャー２４およびスルーホール３８を介し
て入出力の端子となる導電線１３が接続されている。ま
た、中央に近い部分には、シリコンウエハ１９を支持す
る支持ピン１６を挿入するための貫通孔１５が形成さ
れ、さらに、熱電対等の測温素子を挿入するための有底
孔１４が形成されている。なお、袋孔２７の付近につい
ては、図２に詳細に記載しているので、以下において詳
しく説明する。また、ヒータ以外の部分についは、後で
詳しく説明する。The ceramic substrate 11 is formed in a disk shape, and the resistance heating element 12 is
Are formed in a concentric pattern inside. Further, these resistance heating elements 12 are connected so that double concentric circles close to each other form a single line as a set of circuits, and a through hole 38 is provided immediately below both ends of the circuit.
Is formed, and the through hole 38 is exposed,
A bag hole 27 is formed in the bottom surface 11 b of the ceramic substrate 11. The washer 24 is fitted into the blind hole 27, and the conductive wire 13 serving as an input / output terminal is connected via the washer 24 and the through hole 38. A through hole 15 for inserting a support pin 16 for supporting a silicon wafer 19 is formed in a portion near the center, and a bottomed hole 14 for inserting a temperature measuring element such as a thermocouple is formed. ing. The vicinity of the blind hole 27 is described in detail in FIG. 2 and will be described in detail below. Further, parts other than the heater will be described later in detail.
【００２０】図２（ａ）は、上記セラミックヒータの袋
孔近傍を模式的に示す部分拡大縦断面図であり、（ｂ）
は、その水平断面図である。なお、破線で表されている
のは、導電層２６である。（ａ）に示したように、袋孔
２７にはワッシャー２４が嵌め込まれ、ワッシャー２４
の中心孔に導電線１３が挿入されている。そして、導電
線１３は、袋孔２７の内部に充填された金ろう２５を介
して、または、ワッシャー２４および金ろう２５を介し
てスルーホール３８と接続されており、このスルーホー
ル３８は抵抗発熱体１２と接続されている。FIG. 2A is a partially enlarged longitudinal sectional view schematically showing the vicinity of a blind hole of the ceramic heater, and FIG.
Is a horizontal sectional view thereof. The conductive layer 26 is indicated by a broken line. As shown in (a), the washer 24 is fitted into the bag hole 27,
The conductive wire 13 is inserted into the center hole of the. The conductive wire 13 is connected to a through hole 38 through a brazing filler metal 25 filled in the inside of the blind hole 27 or through a washer 24 and a brazing filler metal 25. It is connected to the body 12.
【００２１】また、ワッシャー２４とスルーホール３８
との間には、ＷＣからなり、一部が切り欠かれた円柱形
状の３個の導体層２６が形成されているが、この導体層
２６は、ワッシャー２４を３つの方向から支持するとと
もに、ワッシャー２４をスルーホール３８に確実に接続
させるために設けられている。また、この導体層２６
は、袋孔２７を形成する際に、削りすぎによりスルーホ
ール３８や抵抗発熱体１２が破損するのを防止する役目
も果している。The washer 24 and the through hole 38
And three cylindrical conductor layers 26 formed of WC and partially cut away are formed. The conductor layers 26 support the washers 24 from three directions, It is provided to securely connect the washer 24 to the through hole 38. The conductor layer 26
Also serves to prevent breakage of the through hole 38 and the resistance heating element 12 due to excessive shaving when forming the blind hole 27.
【００２２】導電線１３の材質は、通常の配線に使用さ
れる体積抵抗率の低いものであれば特に限定されるもの
ではなく、例えば、コバール、銅、アルミニウム、ニッ
ケル等が挙げられるが、これらの中では、高温における
耐酸化性等に優れるニッケルが好ましい。The material of the conductive wire 13 is not particularly limited as long as it has a low volume resistivity used for ordinary wiring, and examples thereof include Kovar, copper, aluminum, and nickel. Among them, nickel excellent in oxidation resistance at high temperatures and the like is preferable.
【００２３】また、ワッシャー２４を構成する材料は、
その熱膨張率がセラミック基板とほぼ等しいか、また
は、導電線との中間にあるものが好ましく、例えば、導
電性セラミックが好ましく、セラミック基板が窒化アル
ミニウムの場合は、例えば、タングステン、モリブデン
またはこれらの炭化物からなるものが好ましい。The material constituting the washer 24 is as follows.
It is preferable that the coefficient of thermal expansion is substantially equal to that of the ceramic substrate, or that the conductive ceramic is in the middle of the conductive line.For example, a conductive ceramic is preferable. Those composed of carbides are preferred.
【００２４】セラミック基板１１と導電線１３との熱膨
張率に関する関係が、上記式（２）を満たす場合に、セ
ラミック基板が２００℃以上の高温になると、導電線の
熱膨張率が大きすぎるため、セラミック基板１１にクラ
ックが発生しやすい。従って、特にこのような場合に、
導電性緩衝材であるワッシャー２４を袋孔２７に嵌め込
み、ワッシャー２４を介して導電線１３と接続すること
により、セラミック基板１１にクラックが発生するのを
防止することが望ましい。If the relationship between the coefficient of thermal expansion between the ceramic substrate 11 and the conductive wires 13 satisfies the above expression (2), and the temperature of the ceramic substrate is higher than 200 ° C., the coefficient of thermal expansion of the conductive wires is too large. In addition, cracks are easily generated in the ceramic substrate 11. Therefore, especially in such a case,
It is desirable to prevent a crack from being generated in the ceramic substrate 11 by fitting a washer 24, which is a conductive buffer material, into the bag hole 27 and connecting to the conductive wire 13 via the washer 24.
【００２５】ワッシャー２４のサイズについては特に限
定されないが、ワッシャー２４を袋孔２７に嵌め込ん
で、仮固定することができるよう、袋孔２７の直径とほ
ぼ同じ直径であることが望ましい。The size of the washer 24 is not particularly limited. However, it is preferable that the diameter of the washer 24 is substantially the same as the diameter of the blind hole 27 so that the washer 24 can be fitted into the blind hole 27 and temporarily fixed.
【００２６】金ろう２５としては、タングステンとの密
着性に優れるＡｕ−Ｎｉ合金が望ましい。Ａｕ／Ｎｉの
比率は、〔８１．５〜８２．５（重量％）〕／〔１８．
５〜１７．５（重量％）〕が望ましく、Ａｕ−Ｎｉ層の
厚さは、０．００１〜５０μｍが望ましい。接続を確保
するに充分な範囲だからである。As the gold solder 25, an Au-Ni alloy having excellent adhesion to tungsten is desirable. The ratio of Au / Ni is [81.5 to 82.5 (% by weight)] / [18.
5 to 17.5 (% by weight)], and the thickness of the Au—Ni layer is preferably 0.001 to 50 μm. This is because the range is sufficient to secure the connection.
【００２７】１０-6〜１０-5Ｐａの高真空下、５００〜
１０００℃の高温で使用するとＡｕ−Ｃｕ合金では劣化
するが、Ａｕ−Ｎｉ合金ではこのような経時的な劣化が
なく有利である。また、Ａｕ−Ｎｉ合金中の不純物元素
量は全量を１００重量部とした場合に１重量部未満であ
ることが望ましい。Under a high vacuum of 10 -6 to 10 -5 Pa, 500 to
When used at a high temperature of 1000 ° C., the Au—Cu alloy deteriorates, but the Au—Ni alloy is advantageous because such deterioration does not occur over time. The amount of the impurity element in the Au—Ni alloy is desirably less than 1 part by weight when the total amount is 100 parts by weight.
【００２８】なお、図２に示したセラミックヒータにお
いては、金ろう２５を用いてワッシャー２４と抵抗発熱
体１２の端部との接続を行っているが、場合によって
は、銀ろうや半田等で接続を行ってもよい。In the ceramic heater shown in FIG. 2, the connection between the washer 24 and the end of the resistance heating element 12 is made using a gold solder 25, but in some cases, a silver solder or solder is used. A connection may be made.
【００２９】抵抗発熱体１２は、貴金属（金、銀、白
金、パラジウム）、タングステン、モリブデン、ニッケ
ル等の金属、または、タングステン、モリブデンの炭化
物等の導電性セラミックからなるものであることが望ま
しい。抵抗値を高くすることが可能となり、断線等を防
止する目的で厚み自体を厚くすることができるととも
に、酸化しにくく、熱伝導率が低下しにくいからであ
る。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用し
てもよい。The resistance heating element 12 is preferably made of a metal such as a noble metal (gold, silver, platinum, palladium), tungsten, molybdenum, nickel, or a conductive ceramic such as a carbide of tungsten or molybdenum. This is because the resistance value can be increased, the thickness itself can be increased for the purpose of preventing disconnection, and the like, and it is hard to be oxidized and the thermal conductivity does not easily decrease. These may be used alone or in combination of two or more.
【００３０】また、抵抗発熱体１２は、セラミック基板
１１全体の温度を均一にする必要があることから、図１
に示すような同心円形状のパターン、同心円形状と屈曲
線形状との組み合わせのパターン等が好ましい。また、
抵抗発熱体１２の厚さは、１〜５０μｍが望ましく、そ
の幅は、５〜２０ｍｍが好ましい。Since the resistance heating element 12 needs to make the temperature of the entire ceramic substrate 11 uniform, FIG.
And a combination pattern of a concentric shape and a bent line shape as shown in FIG. Also,
The thickness of the resistance heating element 12 is preferably 1 to 50 μm, and the width thereof is preferably 5 to 20 mm.
【００３１】抵抗発熱体１２の厚さや幅を変化させるこ
とにより、その抵抗値を変化させることができるが、こ
の範囲が最も実用的だからである。抵抗発熱体１２の抵
抗値は、薄く、また細くなるほど大きくなる。The resistance value can be changed by changing the thickness and width of the resistance heating element 12, but this range is the most practical. The resistance value of the resistance heating element 12 increases as it becomes thinner and thinner.
【００３２】抵抗発熱体１２は、断面が方形、楕円形、
紡錘形、蒲鉾形状のいずれでもよいが、偏平なものであ
ることが望ましい。偏平の方が加熱面に向かって放熱し
やすいため、加熱面１１ａへの熱伝搬量を多くすること
ができ、加熱面の温度分布ができにくいからである。な
お、抵抗発熱体１２は螺旋形状でもよい。また、抵抗発
熱体１２は、加熱面の反対側か、加熱面の反対側から厚
さ方向に５０％までの領域に形成することが望ましい。
加熱面の温度分布をなくして、半導体ウエハを均一に加
熱することができるからである。The cross section of the resistance heating element 12 is square, elliptical,
Any of a spindle shape and a kamaboko shape may be used, but a flat shape is desirable. This is because the flat surface is more likely to radiate heat toward the heating surface, so that the amount of heat transmitted to the heating surface 11a can be increased, and the temperature distribution on the heating surface is less likely to occur. Note that the resistance heating element 12 may have a spiral shape. Further, it is desirable that the resistance heating element 12 be formed on the opposite side of the heating surface or in a region up to 50% in the thickness direction from the opposite side of the heating surface.
This is because the semiconductor wafer can be uniformly heated by eliminating the temperature distribution on the heating surface.
【００３３】セラミック基板１１の内部に抵抗発熱体１
２を形成するためには、金属や導電性セラミックからな
る導体ペーストを用いることが好ましい。即ち、セラミ
ック基板の内部に抵抗発熱体を形成する場合には、グリ
ーンシート上に導体ペースト層を形成した後、グリーン
シートを積層、焼成することにより、内部に抵抗発熱体
を作製する。The resistance heating element 1 is provided inside the ceramic substrate 11.
In order to form No. 2, it is preferable to use a conductive paste made of metal or conductive ceramic. That is, when forming a resistance heating element inside a ceramic substrate, a conductive paste layer is formed on a green sheet, and then the green sheet is laminated and fired to produce the resistance heating element inside.
【００３４】上記導体ペーストとしては特に限定されな
いが、導電性を確保するため金属粒子または導電性セラ
ミックが含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤など
を含むものが好ましい。The above-mentioned conductive paste is not particularly limited, but preferably contains not only metal particles or conductive ceramics but also resin, solvent, thickener and the like in order to secure conductivity.
【００３５】上記金属粒子や導電性セラミック粒子の材
料としては、上述したものが挙げられる。これら金属粒
子または導電性セラミック粒子の粒径は、０．１〜１０
０μｍが好ましい。０．１μｍ未満と微細すぎると、酸
化されやすく、一方、１００μｍを超えると、焼結しに
くくなり、抵抗値が大きくなるからである。The materials for the metal particles and the conductive ceramic particles include those described above. The particle size of these metal particles or conductive ceramic particles is 0.1 to 10
0 μm is preferred. If it is too fine, less than 0.1 μm, it is liable to be oxidized, while if it exceeds 100 μm, sintering becomes difficult and the resistance value becomes large.
【００３６】上記金属粒子の形状は、球状であっても、
リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場
合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよ
い。Although the shape of the metal particles is spherical,
It may be scaly. When these metal particles are used, they may be a mixture of the above-mentioned spheres and the above-mentioned flakes.
【００３７】上記金属粒子がリン片状物、または、球状
物とリン片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属
酸化物を保持しやすくなり、抵抗発熱体とセラミック基
板との密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくするこ
とができるため有利である。When the metal particles are flakes or a mixture of spheres and flakes, the metal oxide between the metal particles can be easily held, and the adhesion between the resistance heating element and the ceramic substrate can be improved. This is advantageous because it can ensure the performance and can increase the resistance value.
【００３８】導体ペーストに使用される樹脂としては、
例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂
などが挙げられる。また、溶剤としては、例えば、イソ
プロピルアルコールなどが挙げられる。増粘剤として
は、セルロースなどが挙げられる。As the resin used for the conductor paste,
For example, an acrylic resin, an epoxy resin, a phenol resin, and the like can be given. Examples of the solvent include isopropyl alcohol. Examples of the thickener include cellulose and the like.
【００３９】図３は、本発明に係るセラミックヒータの
別の実施形態を模式的に示した縦断面図である。本発明
の半導体装置用セラミック基板では、図３に示すように
抵抗発熱体１２とワッシャー２４との間にスルーホール
３８が形成されていてもよい。このスルーホール３８
は、袋孔３７を形成する際に、削りすぎにより抵抗発熱
体１２を破損するのを防止することができる。FIG. 3 is a longitudinal sectional view schematically showing another embodiment of the ceramic heater according to the present invention. In the ceramic substrate for a semiconductor device of the present invention, a through hole 38 may be formed between the resistance heating element 12 and the washer 24 as shown in FIG. This through hole 38
When forming the blind hole 37, it is possible to prevent the resistance heating element 12 from being damaged due to excessive shaving.
【００４０】スルーホール３８の直径は、０．１〜１０
ｍｍが望ましい。断線を防止しつつ、クラックや歪みを
防止することができるからである。The diameter of the through hole 38 is 0.1 to 10
mm is desirable. This is because cracks and distortion can be prevented while preventing disconnection.
【００４１】本発明の半導体装置用セラミック基板を構
成するセラミック材料は特に限定されないが、例えば、
絶縁性の窒化物セラミック、炭化物セラミック、酸化物
セラミック等が挙げられる。The ceramic material constituting the ceramic substrate for a semiconductor device of the present invention is not particularly limited.
Insulating nitride ceramics, carbide ceramics, oxide ceramics and the like can be mentioned.
【００４２】上記窒化物セラミックとしては、金属窒化
物セラミック、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ
素、窒化ホウ素等が挙げられる。また、上記炭化物セラ
ミックとしては、金属炭化物セラミック、例えば、炭化
ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化タンタル等が挙げられ
る。Examples of the nitride ceramic include metal nitride ceramics, for example, aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride and the like. Examples of the carbide ceramic include metal carbide ceramics such as silicon carbide, zirconium carbide, and tantalum carbide.
【００４３】上記酸化物セラミックとしては、金属酸化
物セラミック、例えば、アルミナ、ジルコニア、コージ
ェライト、ムライト等が挙げられる。これらのセラミッ
クは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。Examples of the oxide ceramic include metal oxide ceramics such as alumina, zirconia, cordierite, and mullite. These ceramics may be used alone or in combination of two or more.
【００４４】これらのセラミックの中では、窒化物セラ
ミック、炭化物セラミックの方が酸化物セラミックに比
べて望ましい。熱伝導率が高いからである。また、窒化
物セラミックの中では窒化アルミニウムが最も好適であ
る。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いからであ
る。Among these ceramics, nitride ceramics and carbide ceramics are more preferable than oxide ceramics. This is because the thermal conductivity is high. Also, among nitride ceramics, aluminum nitride is most preferred. This is because the thermal conductivity is the highest at 180 W / m · K.
【００４５】また、上記セラミック材料は、焼結助剤を
含有していてもよい。上記焼結助剤としては、例えば、
アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類
酸化物等が挙げられる。これらの焼結助剤のなかでは、
ＣａＯ、Ｙ2 Ｏ3 、Ｎａ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏ、Ｒｂ2 Ｏが好
ましい。これらの含有量としては、０．１〜１０重量％
が好ましい。また、アルミナを含有していてもよい。Further, the ceramic material may contain a sintering aid. As the sintering aid, for example,
Examples thereof include alkali metal oxides, alkaline earth metal oxides, and rare earth oxides. Among these sintering aids,
CaO, Y 2 O 3, Na 2 O, Li 2 O, Rb 2 O are preferred. Their content is 0.1 to 10% by weight.
Is preferred. Further, it may contain alumina.
【００４６】本発明にかかる半導体装置用セラミック基
板は、明度がＪＩＳ Ｚ ８７２１の規定に基づく値で
Ｎ４以下のものであることが望ましい。このような明度
を有するものが輻射熱量、隠蔽性に優れるからである。
また、このようなセラミック基板は、サーモビュアによ
り、正確な表面温度測定が可能となる。It is desirable that the ceramic substrate for a semiconductor device according to the present invention has a brightness of N4 or less as a value based on JIS Z 8721. This is because a material having such brightness is excellent in radiant heat and concealing property.
Further, such a ceramic substrate can accurately measure the surface temperature by using a thermoviewer.
【００４７】ここで、明度のＮは、理想的な黒の明度を
０とし、理想的な白の明度を１０とし、これらの黒の明
度と白の明度との間で、その色の明るさの知覚が等歩度
となるように各色を１０分割し、Ｎ０〜Ｎ１０の記号で
表示したものである。そして、実際の測定は、Ｎ０〜Ｎ
１０に対応する色票と比較して行う。この場合の小数点
１位は０または５とする。Here, the lightness N is set such that the ideal black lightness is 0, the ideal white lightness is 10, and the brightness of the color is between these black lightness and white lightness. Each color is divided into ten so that the perception of the color is equal, and displayed by symbols N0 to N10. And the actual measurement is N0-N
The comparison is made with the color chart corresponding to No. 10. In this case, the first decimal place is 0 or 5.
【００４８】このような特性を有するセラミック基板
は、セラミック基板中にカーボンを５０〜５０００ｐｐ
ｍ含有させることにより得られる。カーボンには、非晶
質のものと結晶質のものとがあり、非晶質のカーボン
は、セラミック基板の高温における体積抵抗率の低下を
抑制することでき、結晶質のカーボンは、セラミック基
板の高温における熱伝導率の低下を抑制することができ
るため、その製造する基板の目的等に応じて適宜カーボ
ンの種類を選択することができる。カーボンの含有量
は、２００〜２０００ｐｐｍが好ましい。The ceramic substrate having such characteristics has a carbon content of 50 to 5000 pp in the ceramic substrate.
m. There are two types of carbon, amorphous and crystalline.Amorphous carbon can suppress a decrease in volume resistivity of a ceramic substrate at a high temperature. Since the decrease in thermal conductivity at high temperatures can be suppressed, the type of carbon can be appropriately selected according to the purpose of the substrate to be manufactured. The content of carbon is preferably from 200 to 2000 ppm.
【００４９】非晶質のカーボンとしては、例えば、Ｃ、
Ｈ、Ｏだけからなる炭化水素、好ましくは、糖類を、空
気中で焼成することにより得ることができ、結晶質のカ
ーボンとしては、グラファイト粉末等を用いることがで
きる。また、アクリル系樹脂を不活性雰囲気（窒化ガ
ス、アルゴンガス）下で熱分解させた後、加熱加圧する
ことによりカーボンを得ることができるが、このアクリ
ル系樹脂の酸価を変化させることにより、結晶性（非晶
性）の程度を調整することができる。As the amorphous carbon, for example, C,
Hydrocarbons consisting solely of H and O, preferably saccharides, can be obtained by baking in air, and graphite powder or the like can be used as crystalline carbon. In addition, carbon can be obtained by thermally decomposing the acrylic resin in an inert atmosphere (nitriding gas, argon gas) and then heating and pressurizing. By changing the acid value of the acrylic resin, The degree of crystallinity (amorphity) can be adjusted.
【００５０】本発明の半導体装置用セラミック基板は、
円板形状であり、直径２００ｍｍ以上が望ましく、２５
０ｍｍ以上が最適である。円板形状の半導体装置用セラ
ミック基板は、温度の均一性が要求されるが、直径の大
きな基板ほど、温度が不均一になりやすいからである。The ceramic substrate for a semiconductor device of the present invention comprises:
Disc shape, preferably 200 mm or more in diameter, 25
0 mm or more is optimal. This is because a disc-shaped ceramic substrate for a semiconductor device requires uniform temperature, but a substrate having a larger diameter tends to have a non-uniform temperature.
【００５１】本発明の半導体装置用セラミック基板の厚
さは、５０ｍｍ以下が好ましく、２０ｍｍ以下がより好
ましい。また、１〜１０ｍｍが最適である。厚みは、薄
すぎると高温での反りが発生しやすく、厚すぎると熱容
量が大きくなり過ぎて昇温降温特性が低下するからであ
る。また、本発明の半導体装置用セラミック基板の気孔
率は、０または５％以下が望ましい。高温での熱伝導率
の低下、反りの発生を抑制できるからである。The thickness of the ceramic substrate for a semiconductor device of the present invention is preferably 50 mm or less, more preferably 20 mm or less. Also, 1 to 10 mm is optimal. If the thickness is too small, warpage at a high temperature is apt to occur, and if the thickness is too large, the heat capacity becomes too large and the temperature rise and fall characteristics deteriorate. The porosity of the ceramic substrate for a semiconductor device of the present invention is desirably 0 or 5% or less. This is because a decrease in thermal conductivity at a high temperature and the occurrence of warpage can be suppressed.
【００５２】本発明では、必要に応じてセラミック基板
に熱電対を埋め込んでおくことができる。熱電対により
抵抗発熱体の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、
電流量を代えて、温度を制御することができるからであ
る。In the present invention, a thermocouple can be embedded in a ceramic substrate as needed. The temperature of the resistance heating element is measured with a thermocouple, and the voltage and
This is because the temperature can be controlled by changing the amount of current.
【００５３】上記熱電対の金属線の接合部位の大きさ
は、各金属線の素線径と同一か、もしくは、それよりも
大きく、かつ、０．５ｍｍ以下がよい。このような構成
によって、接合部分の熱容量が小さくなり、温度が正確
に、また、迅速に電流値に変換されるのである。このた
め、温度制御性が向上してウエハの加熱面の温度分布が
小さくなるのである。上記熱電対としては、例えば、Ｊ
ＩＳ−Ｃ−１６０２（１９８０）に挙げられるように、
Ｋ型、Ｒ型、Ｂ型、Ｅ型、Ｊ型、Ｔ型熱電対が挙げられ
る。The size of the junction of the thermocouple metal wires is preferably equal to or larger than the diameter of each metal wire and 0.5 mm or less. With such a configuration, the heat capacity of the junction is reduced, and the temperature is accurately and quickly converted to a current value. For this reason, the temperature controllability is improved and the temperature distribution on the heated surface of the wafer is reduced. Examples of the thermocouple include J
As listed in IS-C-1602 (1980),
K-type, R-type, B-type, E-type, J-type, and T-type thermocouples are exemplified.
【００５４】本発明の抵抗発熱体を備えた半導体装置用
セラミック基板は、半導体の製造や半導体の検査を行う
ために用いられるセラミック基板であり、具体的な装置
としては、例えば、静電チャック、ウエハプローバ、サ
セプタ、ホットプレート（セラミックヒータ）等が挙げ
られる。これらのセラミック基板はいずれも、例えば、
図１で説明したような構成の抵抗発熱体を備えている。The ceramic substrate for a semiconductor device provided with the resistance heating element of the present invention is a ceramic substrate used for manufacturing a semiconductor or inspecting a semiconductor. Specific examples of the device include an electrostatic chuck, Wafer probers, susceptors, hot plates (ceramic heaters) and the like can be mentioned. Each of these ceramic substrates, for example,
A resistance heating element having the configuration described with reference to FIG. 1 is provided.
【００５５】上記ホットプレート（セラミックヒータ）
は、セラミック基板の内部に抵抗発熱体のみが設けられ
た装置であり、これにより、半導体ウエハ等の被加熱物
を所定の温度に加熱することができる。The above hot plate (ceramic heater)
Is an apparatus in which only a resistance heating element is provided inside a ceramic substrate, whereby an object to be heated such as a semiconductor wafer can be heated to a predetermined temperature.
【００５６】本発明の半導体装置用セラミック基板の内
部に静電電極を設けた場合には、静電チャックとして機
能する。上記静電電極を構成する金属としては、例え
ば、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、タングステ
ン、モリブデン、ニッケルなどが好ましい。また、上記
導電性セラミックとしては、例えば、タングステン、モ
リブデンの炭化物などが挙げられる。これらは、単独で
用いてもよく、２種以上を併用してもよい。When an electrostatic electrode is provided inside the ceramic substrate for a semiconductor device of the present invention, it functions as an electrostatic chuck. As the metal constituting the electrostatic electrode, for example, a noble metal (gold, silver, platinum, palladium), tungsten, molybdenum, nickel or the like is preferable. Examples of the conductive ceramic include carbides of tungsten and molybdenum. These may be used alone or in combination of two or more.
【００５７】図４（ａ）は、静電チャックを模式的に示
す縦断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した静電チャ
ックのＡ−Ａ線断面図である。この静電チャェク６０で
は、セラミック基板６１の内部にチャック正負極静電層
６２、６３が埋設され、その電極上にセラミック誘電体
膜６４が形成されている。また、セラミック基板６１の
内部には、抵抗発熱体６６が設けられ、シリコンウエハ
１９を加熱することができるようになっており、この抵
抗発熱体６６の端部にスルーホールが設けられている。
なお、図示はしていないが、セラミック基板６１の底面
には、スルーホールが露出するように袋孔が形成され、
この袋孔にワッシャーが嵌め込まれ、導電線が接続され
ている。なお、セラミック基板６１には、必要に応じ
て、ＲＦ電極が埋設されていてもよい。FIG. 4A is a longitudinal sectional view schematically showing an electrostatic chuck, and FIG. 4B is a sectional view taken along line AA of the electrostatic chuck shown in FIG. In this electrostatic chuck 60, chuck positive / negative electrostatic layers 62 and 63 are embedded in a ceramic substrate 61, and a ceramic dielectric film 64 is formed on its electrodes. A resistance heating element 66 is provided inside the ceramic substrate 61 so that the silicon wafer 19 can be heated, and a through hole is provided at an end of the resistance heating element 66.
Although not shown, a blind hole is formed on the bottom surface of the ceramic substrate 61 so that a through hole is exposed.
A washer is fitted into the blind hole, and the conductive wire is connected. Note that an RF electrode may be embedded in the ceramic substrate 61 as necessary.
【００５８】また、（ｂ）に示したように、静電チャッ
ク６０は、通常、平面視円形状に形成されており、セラ
ミック基板６１の内部に（ｂ）に示した半円弧状部６２
ａと櫛歯部６２ｂとからなるチャック正極静電層６２
と、同じく半円弧状部６３ａと櫛歯部６３ｂとからなる
チャック負極静電層６３とが、互いに櫛歯部６２ｂ、６
３ｂを交差するように対向して配置されている。As shown in (b), the electrostatic chuck 60 is usually formed in a circular shape in a plan view, and a semicircular portion 62 shown in (b) is provided inside the ceramic substrate 61.
a positive electrode electrostatic layer 62 composed of a and a comb tooth portion 62b
And the chuck negative electrode electrostatic layer 63, which is also composed of a semicircular portion 63 a and a comb tooth 63 b,
3b so as to cross each other.
【００５９】チャック正負静電層６２、６３と導電線と
の接続は、上述したセラミックヒータと同様にスルーホ
ールが露出するように袋孔を設け、上記袋孔にワッシャ
ーを嵌め込み、上記ワッシャーの中心孔に上記導電線を
挿入し、金ろう等のろう材によりこれらを接着すること
が望ましい。The connection between the chuck positive / negative electrostatic layers 62 and 63 and the conductive wire is made by forming a blind hole such that a through hole is exposed, similarly to the above-described ceramic heater, fitting a washer into the blind hole, and connecting the center of the washer. It is desirable to insert the conductive wires into the holes and bond them with a brazing material such as gold brazing.
【００６０】この静電チャックを使用する場合には、チ
ャック正極静電層６２とチャック負極静電層６３とにそ
れぞれ直流電源の＋側と−側を接続し、直流電圧を印加
する。これにより、この静電チャック上に載置された半
導体ウエハが静電的に吸着されることになる。When this electrostatic chuck is used, the positive and negative sides of the DC power supply are connected to the chuck positive electrostatic layer 62 and the chuck negative electrostatic layer 63, respectively, and a DC voltage is applied. Thus, the semiconductor wafer placed on the electrostatic chuck is electrostatically attracted.
【００６１】図５および図６は、他の静電チャックにお
ける静電電極を模式的に示した水平断面図であり、図５
に示す静電チャック７０では、セラミック基板７１の内
部に半円形状のチャック正極静電層７２とチャック負極
静電層７３が形成されており、図６に示す静電チャック
８０では、セラミック基板８１の内部に円を４分割した
形状のチャック正極静電層８２ａ、８２ｂとチャック負
極静電層８３ａ、８３ｂが形成されている。また、２枚
の正極静電層８２ａ、８２ｂおよび２枚のチャック負極
静電層８３ａ、８３ｂは、それぞれ交差するように形成
されている。なお、円形等の電極が分割された形態の電
極を形成する場合、その分割数は特に限定されず、５分
割以上であってもよく、その形状も扇形に限定されな
い。FIGS. 5 and 6 are horizontal sectional views schematically showing electrostatic electrodes of another electrostatic chuck.
In the electrostatic chuck 70 shown in FIG. 6, a semicircular chuck positive electrode electrostatic layer 72 and a chuck negative electrode electrostatic layer 73 are formed inside a ceramic substrate 71. In the electrostatic chuck 80 shown in FIG. Are formed with chuck positive electrode electrostatic layers 82a and 82b and chuck negative electrode electrostatic layers 83a and 83b each having a shape obtained by dividing a circle into four parts. Further, the two positive electrode electrostatic layers 82a and 82b and the two chuck negative electrode electrostatic layers 83a and 83b are formed to cross each other. In the case of forming an electrode in which a circular electrode or the like is divided, the number of divisions is not particularly limited, and may be five or more, and the shape is not limited to a sector.
【００６２】本発明の半導体装置用セラミック基板の表
面にチャックトップ導体層を設け、内部にガード電極や
グランド電極を設けた場合には、ウエハプローバとして
機能する。When a chuck top conductor layer is provided on the surface of the ceramic substrate for a semiconductor device of the present invention, and a guard electrode and a ground electrode are provided inside, a function as a wafer prober is provided.
【００６３】図７は、本発明のウエハプローバの一実施
形態を模式的に示した断面図であり、図８は、その平面
図であり、図９は、図７に示したウエハプローバにおけ
るＡ−Ａ線断面図である。このウエハプローバ１０１で
は、平面視円形状のセラミック基板３の表面に同心円形
状の溝８が形成されるとともに、溝８の一部にシリコン
ウエハを吸引するための複数の吸引孔９が設けられてお
り、溝８を含むセラミック基板３の大部分にシリコンウ
エハの電極と接続するためのチャックトップ導体層２が
円形状に形成されている。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of the wafer prober of the present invention, FIG. 8 is a plan view thereof, and FIG. 9 is a sectional view of the wafer prober shown in FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along a line A. In the wafer prober 101, a concentric groove 8 is formed on the surface of the ceramic substrate 3 having a circular shape in plan view, and a plurality of suction holes 9 for sucking a silicon wafer are provided in a part of the groove 8. In addition, the chuck top conductor layer 2 for connecting to the electrode of the silicon wafer is formed in a circular shape on most of the ceramic substrate 3 including the groove 8.
【００６４】また、セラミック基板３の内部には、スト
レイキャパシタやノイズを除去するために図９に示した
ような格子形状のガード電極６とグランド電極７とが設
けられている。なお、ガード電極６の内部に矩形状の電
極非形成部５２が形成されているのは、ガード電極６の
上下に存在するセラミック基板をしっかりと密着させる
ためである。Further, a guard electrode 6 and a ground electrode 7 having a lattice shape as shown in FIG. 9 are provided inside the ceramic substrate 3 for removing stray capacitors and noise. The reason why the rectangular electrode non-formed portion 52 is formed inside the guard electrode 6 is to firmly adhere the ceramic substrates above and below the guard electrode 6.
【００６５】さらに、セラミック基板３の内部には、シ
リコンウエハの温度をコントロールするために、図１
（ａ）に示したような平面視同心円形状の抵抗発熱体５
１が設けられており、抵抗発熱体５１の両端には、抵抗
発熱体５１と接続されたスルーホール５８が形成されて
いる。また、図７には示されていないが、セラミックヒ
ータ１０の場合と同様に、セラミック基板３の底面に
は、スルーホール５８が露出するように、袋孔が形成さ
れ、この袋孔にワッシャーが嵌め込まれ、導電線が接続
されている。Further, in order to control the temperature of the silicon wafer inside the ceramic substrate 3, FIG.
A resistance heating element 5 having a concentric shape in plan view as shown in FIG.
1 are provided, and through holes 58 connected to the resistance heating element 51 are formed at both ends of the resistance heating element 51. Although not shown in FIG. 7, similarly to the case of the ceramic heater 10, a blind hole is formed on the bottom surface of the ceramic substrate 3 so that the through hole 58 is exposed, and a washer is provided in this blind hole. It is fitted and the conductive wire is connected.
【００６６】さらに、図示していないが、抵抗発熱体５
１と同様に、ガード電極６やグランド電極７と接続され
たスルーホール５６、５７の下部にも袋孔が設けられ、
ワッシャーが嵌め込まれ、その中心孔に導電線が挿入さ
れ、接続されていることが望ましい。Further, although not shown, the resistance heating element 5
Similarly to 1, a blind hole is also provided below the through holes 56 and 57 connected to the guard electrode 6 and the ground electrode 7,
It is desirable that the washer is fitted and the conductive wire is inserted and connected to the center hole.
【００６７】このような構成のウエハプローバでは、そ
の上に集積回路が形成されたシリコンウエハを載置した
後、このシリコンウエハにテスタピンを持つプローブカ
ードを押しつけ、加熱、冷却しながら電圧を印加して導
通テストを行うことができる。In such a wafer prober, after a silicon wafer on which an integrated circuit is formed is mounted thereon, a probe card having tester pins is pressed against the silicon wafer, and a voltage is applied while heating and cooling. To conduct a continuity test.
【００６８】次に、本発明の半導体装置用セラミック基
板の製造方法の一例として、セラミックヒータの製造方
法について説明する。図１０（ａ）〜（ｄ）は、セラミ
ック基板の内部に抵抗発熱体を有するセラミックヒータ
の製造方法を模式的に示した断面図である。Next, a method for manufacturing a ceramic heater will be described as an example of a method for manufacturing a ceramic substrate for a semiconductor device according to the present invention. 10A to 10D are cross-sectional views schematically showing a method for manufacturing a ceramic heater having a resistance heating element inside a ceramic substrate.
【００６９】（１）セラミック基板の作製工程 まず、セラミックの粉末をバインダ、溶剤等と混合して
ペーストを調製し、これを用いてグリーンシートを作製
する。上述したセラミック粉末としては、窒化アルミニ
ウム等を使用することができ、必要に応じて、イットリ
ア等の焼結助剤を加えてもよい。(1) Step of Producing Ceramic Substrate First, a ceramic powder is mixed with a binder, a solvent and the like to prepare a paste, and a green sheet is produced using the paste. Aluminum nitride or the like can be used as the above-mentioned ceramic powder, and a sintering aid such as yttria may be added as necessary.
【００７０】また、バインダとしては、アクリル系バイ
ンダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニ
ルアルコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
さらに溶媒としては、α−テルピネオール、グリコール
から選ばれる少なくとも１種が望ましい。The binder is preferably at least one selected from an acrylic binder, ethyl cellulose, butyl cellosolve, and polyvinyl alcohol.
Further, as the solvent, at least one selected from α-terpineol and glycol is desirable.
【００７１】これらを混合して得られるペーストをドク
ターブレード法でシート状に成形してグリーンシート５
０を作製する。グリーンシート５０の厚さは、０．１〜
５ｍｍが好ましい。次に、得られたグリーンシート５０
に、必要に応じて、シリコンウエハを支持するための支
持ピンを挿入する貫通孔となる部分、熱電対などの測温
素子を埋め込むための有底孔となる部分、抵抗発熱体を
外部の導電線と接続するためのスルーホール３８となる
部分等を形成する。後述するグリーンシート積層体を形
成した後に、上記加工を行ってもよく、焼結体を製造し
た後に、上記加工を行ってもよい。The paste obtained by mixing these is formed into a sheet by a doctor blade method to form a green sheet 5.
0 is produced. The thickness of the green sheet 50 is 0.1 to
5 mm is preferred. Next, the obtained green sheet 50
In addition, if necessary, a portion serving as a through hole for inserting a support pin for supporting a silicon wafer, a portion serving as a bottomed hole for embedding a temperature measuring element such as a thermocouple, and a resistance heating element connected to an external conductive material. A portion serving as a through hole 38 for connecting to a line is formed. The above-described processing may be performed after forming a green sheet laminate described later, or the above-described processing may be performed after manufacturing a sintered body.
【００７２】なお、スルーホール３８となる部分を設け
た場合には、上記ペースト中にカーボンを加えておいた
ものを充填してもよい。グリーンシート中のカーボン
は、スルーホール中に充填されたタングステンやモリブ
デンと反応し、これらの炭化物が形成されるからであ
る。When a portion to be the through hole 38 is provided, the paste may be filled with carbon added to the paste. This is because carbon in the green sheet reacts with tungsten or molybdenum filled in the through holes to form carbides thereof.
【００７３】（２）グリーンシート上に導体ペーストを
印刷する工程 グリーンシート５０上に、金属ペーストまたは導電性セ
ラミックを含む導体ペーストを印刷し、導体ペースト層
１２０を形成する。これらの導電ペースト中には、金属
粒子または導電性セラミック粒子が含まれている。上記
金属粒子であるタングステン粒子またはモリブデン粒子
等の平均粒子径は、０．１〜５μｍが好ましい。平均粒
子が０．１μｍ未満であるか、５μｍを超えると、導体
ペーストを印刷しにくいからである。(2) Step of Printing Conductor Paste on Green Sheet A conductor paste containing a metal paste or a conductive ceramic is printed on the green sheet 50 to form a conductor paste layer 120. These conductive pastes contain metal particles or conductive ceramic particles. The average particle diameter of the metal particles such as tungsten particles or molybdenum particles is preferably 0.1 to 5 μm. If the average particle size is less than 0.1 μm or more than 5 μm, it is difficult to print the conductive paste.
【００７４】このような導体ペーストとしては、例え
ば、金属粒子または導電性セラミック粒子８５〜８７重
量部；アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソル
ブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種
のバインダ１．５〜１０重量部；および、α−テルピネ
オール、グリコールから選ばれる少なくとも１種の溶媒
を１．５〜１０重量部を混合した組成物（ペースト）が
挙げられる。As such a conductive paste, for example, 85 to 87 parts by weight of metal particles or conductive ceramic particles; 1.5 to 10 parts by weight of at least one kind of binder selected from acrylic, ethyl cellulose, butyl cellosolve, and polyvinyl alcohol And a composition (paste) obtained by mixing 1.5 to 10 parts by weight of at least one solvent selected from α-terpineol and glycol.
【００７５】（３）グリーンシートの積層工程 上記（１）の工程で作製した導体ペーストを印刷してい
ないグリーンシート５０を、上記（２）の工程で作製し
た導体ペースト層１２０を形成したグリーンシート５０
の上下に積層する（図１０（ａ））。このとき、上側に
積層するグリーンシート５０の数を下側に積層するグリ
ーンシート５０の数よりも多くして、抵抗発熱体１２の
形成位置を底面の方向に偏芯させる。具体的には、上側
のグリーンシート５０の積層数は２０〜５０枚が、下側
のグリーンシート５０の積層数は５〜２０枚が好まし
い。(3) Green Sheet Laminating Step The green sheet 50 on which the conductive paste prepared in the above step (1) is not printed is replaced with the green sheet on which the conductive paste layer 120 prepared in the above step (2) is formed. 50
(FIG. 10A). At this time, the number of the green sheets 50 stacked on the upper side is made larger than the number of green sheets 50 stacked on the lower side, and the formation position of the resistance heating element 12 is decentered toward the bottom. Specifically, the number of stacked green sheets 50 on the upper side is preferably 20 to 50, and the number of stacked green sheets 50 on the lower side is preferably 5 to 20.
【００７６】（４）グリーンシート積層体の焼成工程 グリーンシート積層体の加熱、加圧を行い、グリーンシ
ート５０および内部の導体ペーストを焼結させる（図１
０（ｂ））。加熱温度は、１０００〜２０００℃が好ま
しく、加圧の圧力は、１００〜２００ｋｇ／ｃｍ2 が好
ましい。加熱は、不活性ガス雰囲気中で行う。不活性ガ
スとしては、例えば、アルゴン、窒素などを使用するこ
とができる。(4) Green Sheet Laminate Firing Step The green sheet laminate is heated and pressed to sinter the green sheet 50 and the conductive paste therein (FIG. 1).
0 (b)). The heating temperature is preferably from 1000 to 2000 ° C., and the pressure is preferably from 100 to 200 kg / cm 2 . Heating is performed in an inert gas atmosphere. As the inert gas, for example, argon, nitrogen, or the like can be used.
【００７７】得られたセラミック基板３１に、測温素子
を挿入するための有底孔（図示せず）や、ワッシャーを
挿入するための袋孔３７等を設ける（図１０（ｃ））。
有底孔および袋孔３７は、表面研磨後に、ドリル加工や
サンドブラストなどのブラスト処理を行うことにより形
成することができる。The obtained ceramic substrate 31 is provided with a bottomed hole (not shown) for inserting a temperature measuring element, a blind hole 37 for inserting a washer, and the like (FIG. 10C).
The bottomed hole and the blind hole 37 can be formed by performing blasting such as drilling or sand blasting after surface polishing.
【００７８】次に、作製した袋孔３７の内部に金ろうペ
ーストを塗布し、ワッシャー２４を嵌め込んだ後、導電
線１３をワッシャー２４の中心孔に挿入し、金ろうペー
ストをリフローさせることによりろう付けを行って、抵
抗発熱体１２と導電線１３とを接続する（図１０
（ｄ））。なお、加熱温度は、９００〜１１００℃が好
適である。さらに、測温素子としての熱電対などを有底
孔に耐熱性樹脂または無機充填材で封止し、セラミック
ヒータとする。Next, after applying the brazing paste to the inside of the formed bag hole 37 and fitting the washer 24, the conductive wire 13 is inserted into the center hole of the washer 24, and the brazing paste is reflowed. Brazing is performed to connect the resistance heating element 12 and the conductive wire 13 (FIG. 10).
(D)). Note that the heating temperature is preferably from 900 to 1100 ° C. Further, a thermocouple or the like as a temperature measuring element is sealed in the bottomed hole with a heat-resistant resin or an inorganic filler to obtain a ceramic heater.
【００７９】上記セラミックヒータを製造する際に、セ
ラミック基板の内部に静電電極を設けることにより静電
チャックを製造することができ、また、加熱面にチャッ
クトップ導体層を設け、セラミック基板の内部にガード
電極やグランド電極を設けることによりウエハプローバ
を製造することができる。When manufacturing the above ceramic heater, an electrostatic chuck can be manufactured by providing an electrostatic electrode inside the ceramic substrate, and a chuck top conductor layer is provided on the heating surface, and the inside of the ceramic substrate is provided. A wafer prober can be manufactured by providing a guard electrode and a ground electrode on the substrate.
【００８０】セラミック基板の内部に電極を設ける場合
には、抵抗発熱体を形成する場合と同様にグリーンシー
トの表面に導体ペースト層を形成すればよい。また、セ
ラミック基板の表面に導体層を形成する場合には、スパ
ッタリング法やめっき法を用いることができ、これらを
併用してもよい。When the electrodes are provided inside the ceramic substrate, a conductive paste layer may be formed on the surface of the green sheet as in the case of forming the resistance heating element. When a conductor layer is formed on the surface of the ceramic substrate, a sputtering method or a plating method can be used, and these may be used in combination.
【００８１】[0081]
【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。 （実施例１）セラミックヒータ１０の製造 （１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒
径：１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒
径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１２重量
部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノ
ールとからなるアルコール５３重量部を混合したペース
トを用い、ドクターブレード法により成形を行って、厚
さ０．４７ｍｍのグリーンシートを作製した。The present invention will be described in more detail below. (Example 1) Production of ceramic heater 10 (1) 100 parts by weight of aluminum nitride powder (manufactured by Tokuyama Corporation, average particle size: 1.1 μm), 4 parts by weight of yttria (average particle size: 0.4 μm), acrylic binder 12 Using a paste obtained by mixing 0.5 parts by weight of a dispersant and 53 parts by weight of an alcohol composed of 1-butanol and ethanol, a green sheet having a thickness of 0.47 mm was produced by a doctor blade method. .
【００８２】（２）次に、このグリーンシートを８０℃
で５時間乾燥させた後、図１に示すようなスルーホール
３８等の接続部となる部分等をパンチングにより形成し
た。(2) Next, the green sheet is heated to 80 ° C.
After drying for 5 hours, connecting portions such as the through holes 38 as shown in FIG. 1 were formed by punching.
【００８３】（３）平均粒子径１μｍのタングステンカ
ーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０
重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部および分
散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製し
た。(3) 100 parts by weight of tungsten carbide particles having an average particle diameter of 1 μm, acrylic binder 3.0
By weight, 3.5 parts by weight of the α-terpineol solvent and 0.3 parts by weight of the dispersant were mixed to prepare a conductor paste A.
【００８４】平均粒子径３μｍのタングステン粒子１０
０重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テル
ピネオール溶媒３．７重量部および分散剤０．２重量部
を混合して導体ペーストＢを調製した。この後、貫通孔
が形成された部分に導体ペーストＢを充填し、導体ペー
ストＡをグリーンシート５０上にスクリーン印刷で印刷
し、抵抗発熱体用の導体ペースト層を形成した。印刷パ
ターンは、図１に示したような同心円パターンとし、導
体ペースト層の幅を１０ｍｍ、その厚さを１２μｍとし
た。Tungsten particles 10 having an average particle diameter of 3 μm
A conductive paste B was prepared by mixing 0 parts by weight, 1.9 parts by weight of an acrylic binder, 3.7 parts by weight of an α-terpineol solvent, and 0.2 parts by weight of a dispersant. Thereafter, the conductive paste B was filled in the portion where the through holes were formed, and the conductive paste A was printed on the green sheet 50 by screen printing to form a conductive paste layer for a resistance heating element. The printing pattern was a concentric pattern as shown in FIG. 1, the width of the conductive paste layer was 10 mm, and the thickness thereof was 12 μm.
【００８５】上記処理の終わったグリーンシートに、導
体ペーストを印刷しないグリーンシートを上側（加熱
面）に１５枚、下側に１０枚、１３０℃、８０ｋｇ／ｃ
ｍ2 の圧力で積層した。なお、グリーンシートの導体層
２６を形成する部分には、図２（ｂ）に示した３個の円
形状の貫通孔をお互いが接するように形成し、導体ペー
ストＢを充填した。On the green sheet after the above treatment, 15 green sheets on which no conductor paste is to be printed are printed on the upper side (heating surface), 10 green sheets on the lower side, 130 ° C., 80 kg / c.
The layers were laminated at a pressure of m 2 . In the portion of the green sheet where the conductor layer 26 is to be formed, three circular through holes shown in FIG. 2B were formed so as to be in contact with each other, and were filled with the conductor paste B.
【００８６】（４）次に、得られた積層体を窒素ガス
中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０
ｋｇ／ｃｍ2 で１０時間ホットプレスし、厚さ５ｍｍの
窒化アルミニウム板状体を得た。これを２３０ｍｍの円
板状に切り出し、内部に厚さ６μｍ、幅１０ｍｍ（アス
ペクト比：１６６６）の抵抗発熱体１２を有するセラミ
ック基板１１とした。なお、３個の導体層２６の直径
は、２．５ｍｍであった。(4) Next, the obtained laminate was degreased in nitrogen gas at 600 ° C. for 5 hours, and at 1890 ° C. under a pressure of 150 ° C.
Hot pressing was performed at kg / cm 2 for 10 hours to obtain an aluminum nitride plate having a thickness of 5 mm. This was cut into a 230 mm disk to obtain a ceramic substrate 11 having a resistance heating element 12 with a thickness of 6 μm and a width of 10 mm (aspect ratio: 1666). The diameter of the three conductor layers 26 was 2.5 mm.
【００８７】（５）次に、（４）で得られたセラミック
基板１１を、ダイヤモンド砥石で研磨した後、ドリル加
工により熱電対のための有底孔１４を設けた。(5) Next, after the ceramic substrate 11 obtained in (4) was polished with a diamond grindstone, a bottomed hole 14 for a thermocouple was provided by drilling.
【００８８】（６）さらに、図２（ｂ）に示した円形の
導体層２６が３個集合した部分の中央をドリルでえぐり
取って直径５ｍｍ、深さ０．５ｍｍの袋孔２７とし、こ
の袋孔２７にタングステンからなるワッシャー２４を嵌
め込んだ後、ワッシャー２４の中心孔に導電線１３を挿
入し、Ｎｉ−Ａｕ合金（Ａｕ：８２重量％、Ｎｉ：１８
重量％）からなる金ろうを用い、１０３０℃で加熱、リ
フローして、ニッケル製の導電線１３を抵抗発熱体１２
の端部と接続した。 （７）次に、温度制御のための複数の熱電対を有底孔に
埋め込み、セラミックヒータ１０の製造を完了した。(6) Further, the center of the portion where three circular conductor layers 26 shown in FIG. 2B are assembled is drilled out to form a blind hole 27 having a diameter of 5 mm and a depth of 0.5 mm. After fitting a washer 24 made of tungsten into the blind hole 27, the conductive wire 13 is inserted into the center hole of the washer 24, and a Ni-Au alloy (Au: 82% by weight, Ni: 18) is used.
(% By weight) and heated and reflowed at 1030 ° C. to form a conductive wire 13 made of nickel into a resistance heating element 12.
Connected to the end of (7) Next, a plurality of thermocouples for temperature control were embedded in the bottomed holes, and the manufacture of the ceramic heater 10 was completed.
【００８９】（実施例２）セラミックヒータ グリーンシートにスルーホール用の貫通孔を形成し、導
体ペーストＢを充填し、また、抵抗発熱体用の導体ペー
スト層３８０を形成したグリーンシート５０に、導体ペ
ーストを印刷しないグリーンシート５０を上側（加熱
面）に１５枚、下側に１０枚積層し、ワッシャーとして
タングステンカーバイト製のものを使用した以外は、実
施例１の場合と同様にして、セラミックヒータ３０を製
造した。(Example 2) A through hole for a through hole was formed in a ceramic heater green sheet, a conductive paste B was filled, and a conductive sheet was formed on a green sheet 50 on which a conductive paste layer 380 for a resistance heating element was formed. A ceramic sheet was formed in the same manner as in Example 1 except that 15 green sheets 50 on which no paste was printed were laminated on the upper side (heating surface) and 10 on the lower side, and a tungsten washer was used as a washer. The heater 30 was manufactured.
【００９０】（比較例１）図１１に示した従来のセラミ
ックヒータの場合と同様に、形成したセラミック基板の
袋孔中にワッシャーを挿入せず、袋孔中に断面がＴ字型
の外部端子を挿入して、スルーホールと接続した以外
は、実施例１の場合と同様にして、セラミックヒータを
製造した。(Comparative Example 1) As in the case of the conventional ceramic heater shown in FIG. 11, a washer was not inserted into the blind hole of the formed ceramic substrate, and an external terminal having a T-shaped cross section was formed in the blind hole. And a ceramic heater was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a ceramic heater was inserted.
【００９１】上記実施例１、２および比較例１で得られ
たセラミックヒータについて、通電を行って４５０℃ま
で昇温させた後、その温度で１０００時間保持し、その
後、セラミック基板を切断してセラミック基板にクラッ
クが発生しているか否かを顕微鏡により観察した。その
結果、実施例１、２では、セラミック基板に全くクラッ
クが発生していなかったのに対し、比較例１では、セラ
ミック基板にクラックが発生していた。The ceramic heaters obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 were energized to raise the temperature to 450 ° C., held at that temperature for 1000 hours, and then cut the ceramic substrate. It was observed under a microscope whether or not cracks occurred in the ceramic substrate. As a result, in Examples 1 and 2, no cracks occurred in the ceramic substrate, whereas in Comparative Example 1, cracks occurred in the ceramic substrate.
【００９２】（実施例３） ウエハプローバの製造（図
７〜９参照） （１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径０．
４μｍ）４重量部、アクリルバイダー１１．５重量部、
分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノール
とからなるアルコール５３重量部を混合した組成物を、
ドクターブレード法により成形し、厚さ０．４７ｍｍの
グリーンシートを得た。Example 3 Manufacture of a wafer prober (see FIGS. 7 to 9) (1) 100 parts by weight of aluminum nitride powder (manufactured by Tokuyama Corporation, average particle size: 1.1 μm), yttria (average particle size: 0.1 μm)
4 μm) 4 parts by weight, acrylic binder 11.5 parts by weight,
A composition obtained by mixing 0.5 part by weight of a dispersant and 53 parts by weight of alcohol composed of 1-butanol and ethanol,
The green sheet was formed by a doctor blade method to obtain a green sheet having a thickness of 0.47 mm.
【００９３】（２）このグリーンシートを８０℃で５時
間乾燥させた後、パンチングにて発熱体と導電線と接続
するためのスルーホール用の貫通孔を設けた。 （３）平均粒子径１μｍのタングステンカーバイド粒子
１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−
テルピネオール溶媒３．５重量および分散剤０．３重量
部を混合して導電性ペーストＡとした。(2) After drying this green sheet at 80 ° C. for 5 hours, a through-hole for a through-hole for connecting a heating element and a conductive wire was provided by punching. (3) 100 parts by weight of tungsten carbide particles having an average particle diameter of 1 μm, 3.0 parts by weight of an acrylic binder, α-
A conductive paste A was prepared by mixing 3.5 parts by weight of a terpineol solvent and 0.3 parts by weight of a dispersant.
【００９４】また、平均粒子径３μｍのタングステン粒
子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α
−テルピネオール溶媒３．７重量および分散剤０．２重
量部を混合して導電性ペーストＢとした。Further, 100 parts by weight of tungsten particles having an average particle diameter of 3 μm, 1.9 parts by weight of an acrylic binder, α
-Conductive paste B was prepared by mixing 3.7 parts by weight of a terpineol solvent and 0.2 parts by weight of a dispersant.
【００９５】次に、グリーンシートに、この導電性ペー
ストＡを用いたスクリーン印刷で、格子状のガード電極
用印刷体、グランド電極用印刷体を印刷した。さらに、
発熱体を図１に示すように同心円パターンとして印刷し
た。Next, a grid-shaped printed body for a guard electrode and a printed body for a ground electrode were printed on the green sheet by screen printing using the conductive paste A. further,
The heating element was printed as a concentric pattern as shown in FIG.
【００９６】また、導電線と接続するためのスルーホー
ル用の貫通孔に導電性ペーストＢを充填した。さらに、
印刷されたグリーンシートおよび印刷がされていないグ
リーンシートを５０枚積層して１３０℃、８０ｋｇ／ｃ
ｍ2 の圧力で一体化し、積層体を作製した。Further, a conductive paste B was filled in a through hole for a through hole for connecting to a conductive wire. further,
A stack of 50 printed and unprinted green sheets is laminated at 130 ° C. and 80 kg / c.
The layers were integrated under a pressure of m 2 to produce a laminate.
【００９７】（４）次に、この積層体を窒素ガス中で６
００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／
ｃｍ2 で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アル
ミニウム板状体を得た。これを直径２３０ｍｍの円状に
切り出してセラミック製の板状体とした。スルーホール
の大きさは直径２．０ｍｍ、深さ３．０ｍｍであった。
また、ガード電極６、グランド電極７の厚さは６μｍ、
ガード電極６の形成位置は、ウエハ載置面から０．７ｍ
ｍ、グランド電極７の形成位置は、ウエハ載置面から
１．４ｍｍ、発熱体の形成位置は、ウエハ載置面から
２．８ｍｍであった。(4) Next, this laminate is placed in nitrogen gas for 6 hours.
Degreasing at 00 ° C for 5 hours, 1890 ° C, pressure 150kg /
Hot pressing was performed for 3 hours at 2 cm 2 to obtain a 3 mm-thick aluminum nitride plate. This was cut into a circular shape having a diameter of 230 mm to obtain a ceramic plate. The size of the through hole was 2.0 mm in diameter and 3.0 mm in depth.
Further, the thickness of the guard electrode 6 and the ground electrode 7 is 6 μm,
The formation position of the guard electrode 6 is 0.7 m from the wafer mounting surface.
m, the formation position of the ground electrode 7 was 1.4 mm from the wafer mounting surface, and the formation position of the heating element was 2.8 mm from the wafer mounting surface.
【００９８】（５）上記（４）で得た板状体を、ダイア
モンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ＳｉＣ等に
よるブラスト処理で表面に熱電対のための有底孔および
シリコンウエハ吸着用の溝７（幅０．５ｍｍ、深さ０．
５ｍｍ）を設けた。(5) After polishing the plate-like body obtained in (4) above with a diamond grindstone, a mask is placed, and a bottomed hole for a thermocouple and a silicon wafer are formed on the surface by blasting with SiC or the like. Groove 7 for suction (width 0.5 mm, depth 0.
5 mm).
【００９９】（６）溝７が形成された面にスパッタリン
グにてチタン、モリブデン、ニッケル層を形成した。ス
パッタリングのための装置は、日本真空技術株式会社製
のＳＶ−４５４０を使用した。スパッタリングの条件は
気圧０．６Ｐａ、温度１００℃、電力２００Ｗで、スパ
ッタリングの時間は、３０秒から１分の間で、各金属に
より調整した。得られた膜は、蛍光Ｘ線分析計の画像か
らチタンは０．５μｍ、モリブデンは４μｍ、ニッケル
は１．５μｍであった。(6) Titanium, molybdenum and nickel layers were formed on the surface where the grooves 7 were formed by sputtering. As a device for sputtering, SV-4540 manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd. was used. Sputtering conditions were an atmospheric pressure of 0.6 Pa, a temperature of 100 ° C., and a power of 200 W. The sputtering time was adjusted from 30 seconds to 1 minute for each metal. The obtained film was 0.5 μm for titanium, 4 μm for molybdenum, and 1.5 μm for nickel from the image of the X-ray fluorescence spectrometer.
【０１００】（７）硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、ほう酸３
０ｇ／ｌ、塩化アンモニウム３０ｇ／ｌ、ロッシェル塩
６０ｇ／ｌを含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき
浴に（６）で得られたセラミック板３を浸漬して、スパ
ッタリングにより形成された金属層の表面に厚さ７μ
ｍ、ホウ素の含有量が１重量％以下のニッケル層を析出
させ、１２０℃で３時間アニーリングした。(7) Nickel sulfate 30 g / l, boric acid 3
The ceramic plate 3 obtained in (6) is immersed in an electroless nickel plating bath comprising an aqueous solution containing 0 g / l, ammonium chloride 30 g / l, and Rochelle salt 60 g / l, and the surface of the metal layer formed by sputtering. 7μ thick
A nickel layer having a content of m and boron of 1% by weight or less was deposited and annealed at 120 ° C. for 3 hours.
【０１０１】さらに、表面にシアン化金カリウム２ｇ／
ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム
５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる
無電解金めっき液に９３℃の条件で１分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層上に厚さ１μｍの金めっき層を形成し
た。Further, 2 g of potassium potassium cyanide /
1, 75 g / l ammonium chloride, 50 g / l sodium citrate, and 10 g / l sodium hypophosphite for 1 minute at 93 ° C. in an electroless gold plating solution to give a thickness of 1 μm on the nickel plating layer. Was formed.
【０１０２】（８）次いで、溝８から裏面に抜ける吸引
孔９をドリル加工して穿孔し、さらにスルーホール５
６、５７、５８を露出させるための袋孔（図示せず）を
設けた。そして、この袋孔にタングステンカーバイト製
のワッシャーを嵌め込み、ワッシャーの中心孔にニッケ
ル製の導電線を挿入した後、Ｎｉ−Ａｕ合金（Ａｕ８２
ｗｔ％、Ｎｉ１８ｗｔ％）からなる金ろうを用い、１０
３０℃で加熱リフローさせて、各配線の接続を行った。(8) Next, the suction hole 9 that passes through the groove 8 to the back surface is drilled and drilled.
Bag holes (not shown) for exposing 6, 57 and 58 were provided. Then, a tungsten carbide washer is fitted into the bag hole, a nickel conductive wire is inserted into the center hole of the washer, and then a Ni-Au alloy (Au82
wt%, 18 wt% Ni)
Each wiring was connected by heating and reflow at 30 ° C.
【０１０３】（９）温度制御のための複数熱電対を凹部
に埋め込み、ウエハプローバヒータ１０１を得た。(9) A plurality of thermocouples for temperature control were buried in the recesses to obtain a wafer prober heater 101.
【０１０４】（実施例４）応用例、抵抗発熱体および静
電チャック用静電電極を内部に有するセラミックヒータ
（図４） （１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径：
０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１１．５重量
部、分散剤０．５重量部、ショ糖０．２重量部、グラフ
ァイト０．０５重量部および１−ブタノールとエタノー
ルとからなるアルコール５３重量部を混合したペースト
を用い、ドクターブレード法による成形を行って、厚さ
０．４７ｍｍのグリーンシートを得た。(Example 4) Application example, ceramic heater having resistance heating element and electrostatic electrode for electrostatic chuck inside (FIG. 4) (1) Aluminum nitride powder (manufactured by Tokuyama Corporation, average particle size 1.1 μm) 100 parts by weight, yttria (average particle size:
0.4 μm) 4 parts by weight, 11.5 parts by weight of acrylic binder, 0.5 parts by weight of dispersant, 0.2 parts by weight of sucrose, 0.05 parts by weight of graphite and 53 parts by weight of alcohol composed of 1-butanol and ethanol Using the paste in which the parts were mixed, molding was performed by a doctor blade method to obtain a green sheet having a thickness of 0.47 mm.
【０１０５】（２）次に、このグリーンシートを８０℃
で５時間乾燥させた後、パンチングにより直径１．８ｍ
ｍ、３．０ｍｍ、５．０ｍｍの半導体ウエハ支持ピンを
挿入する貫通孔となる部分、外部端子と接続するための
スルーホールとなる部分を設けた。(2) Next, the green sheet is heated to 80 ° C.
After drying for 5 hours, punch 1.8m in diameter
A portion serving as a through hole for inserting a semiconductor wafer support pin having a length of 3.0 mm and 5.0 mm, and a portion serving as a through hole for connecting to an external terminal were provided.
【０１０６】（３）平均粒子径１μｍのタングステンカ
ーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０
重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部および分
散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製し
た。平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量
部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピネオ
ール溶媒３．７重量部および分散剤０．２重量部を混合
して導体ペーストＢを調製した。この導電性ペーストＡ
をグリーンシートにスクリーン印刷で印刷し、導体ペー
スト層を形成した。印刷パターンは、同心円パターンと
した。また、他のグリーンシートに図４に示した形状の
静電電極パターンからなる導体ペースト層を形成した。(3) 100 parts by weight of tungsten carbide particles having an average particle diameter of 1 μm, acrylic binder 3.0
By weight, 3.5 parts by weight of the α-terpineol solvent and 0.3 parts by weight of the dispersant were mixed to prepare a conductor paste A. A conductive paste B was prepared by mixing 100 parts by weight of tungsten particles having an average particle diameter of 3 μm, 1.9 parts by weight of an acrylic binder, 3.7 parts by weight of an α-terpineol solvent, and 0.2 parts by weight of a dispersant. This conductive paste A
Was printed on a green sheet by screen printing to form a conductor paste layer. The printing pattern was a concentric pattern. Further, a conductor paste layer composed of an electrostatic electrode pattern having the shape shown in FIG. 4 was formed on another green sheet.
【０１０７】さらに、外部端子を接続するためのスルー
ホール用の貫通孔に導体ペーストＢを充填した。上記処
理の終わったグリーンシートに、さらに、導体ペースト
を印刷しないグリーンシートを上側（加熱面）に３７
枚、下側に１３枚、１３０℃、８０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力
で積層した。Further, a conductive paste B was filled in a through hole for a through hole for connecting an external terminal. On the green sheet after the above processing, a green sheet on which the conductive paste is not printed is further placed on the upper side (heated surface).
13 sheets were stacked on the lower side at 130 ° C. under a pressure of 80 kg / cm 2 .
【０１０８】（４）次に、得られた積層体を窒素ガス
中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０
ｋｇ／ｃｍ2 で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒
化アルミニウム板状体を得た。これを２３０ｍｍの円板
状に切り出し、内部に厚さ６μｍ、幅１０ｍｍの抵抗発
熱体および静電電極を有するセラミック製の板状体とし
た。(4) Next, the obtained laminate was degreased in nitrogen gas at 600 ° C. for 5 hours, and at 1890 ° C. under a pressure of 150 ° C.
It was hot-pressed at kg / cm 2 for 3 hours to obtain an aluminum nitride plate having a thickness of 3 mm. This was cut into a 230 mm disk to obtain a ceramic plate having a 6 μm thick, 10 mm wide resistive heating element and electrostatic electrodes inside.
【０１０９】（５）次に、（４）で得られた板状体を、
ダイヤモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、Ｓｉ
Ｃ等によるブラスト処理で表面に熱電対のための有底孔
（直径：１．２ｍｍ、深さ：２．０ｍｍ）を設けた。(5) Next, the plate obtained in (4) is
After polishing with a diamond grindstone, a mask is placed and Si
A bottomed hole (diameter: 1.2 mm, depth: 2.0 mm) for a thermocouple was provided on the surface by blasting treatment with C or the like.
【０１１０】（６）さらに、底面に袋孔を形成してスル
ーホールを露出させ、この袋孔にタングステンカーバイ
ト製のワッシャーを嵌め込んだ後、その中心孔にニッケ
ル製の導電線を挿入し、Ｎｉ−Ａｕ（Ａｕ８２ｗｔ％、
Ｎｉ１８ｗｔ％）からなる金ろうを用い、１０３０℃で
リフローさせて導電線と抵抗発熱体とを接続させた。(6) Further, a blind hole is formed on the bottom surface to expose a through hole, a tungsten carbide washer is fitted into the blind hole, and a nickel conductive wire is inserted into the center hole. , Ni-Au (Au 82 wt%,
The conductive wire and the resistance heating element were connected by reflowing at 1030 ° C. using a gold solder made of Ni (18 wt%).
【０１１１】（７）次に、温度制御のための複数の熱電
対を有底孔に埋め込み、静電チャックの製造を完了し
た。 （比較例２）形成したセラミック基板の袋孔中にワッシ
ャーを挿入せず、袋孔中に断面がＴ字型の外部端子を挿
入して、スルーホールと接続した以外は、実施例４の場
合と同様にして、静電チャックを製造した。(7) Next, a plurality of thermocouples for temperature control were embedded in the bottomed holes, and the manufacture of the electrostatic chuck was completed. (Comparative Example 2) Example 4 except that a washer was not inserted into the blind hole of the formed ceramic substrate, and an external terminal having a T-shaped cross section was inserted into the blind hole and connected to the through hole. In the same manner as in the above, an electrostatic chuck was manufactured.
【０１１２】上記実施例３、４、および、比較例２で得
られた静電チャック、ウエハプローバについて、通電を
行って４５０℃まで昇温させた後、その温度で１０００
時間保持し、その後、セラミック基板を切断してセラミ
ック基板にクラックが発生しているか否かを顕微鏡によ
り観察した。その結果、実施例３、４に係る静電チャッ
ク、ウエハプローバでは、セラミック基板に全くクラッ
クが発生していなかったのに対し、比較例２に係る静電
チャックでは、セラミック基板にクラックが発生してい
た。The electrostatic chuck and wafer prober obtained in Examples 3 and 4 and Comparative Example 2 were energized, heated to 450 ° C., and then heated at that temperature to 1000 ° C.
After holding for a time, the ceramic substrate was cut and observed with a microscope to see if a crack had occurred in the ceramic substrate. As a result, in the electrostatic chucks and wafer probers according to Examples 3 and 4, no crack was generated in the ceramic substrate, whereas in the electrostatic chuck according to Comparative Example 2, cracks were generated in the ceramic substrate. I was
【０１１３】[0113]
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体製造
・検査装置用セラミック基板によれば、セラミック基板
の底面に形成された袋孔に、セラミック基板と導電線と
の緩衝材となるワッシャーが嵌め込まれ、このワッシャ
ーに導電線が接続されているので、２００℃以上の高温
で使用しても、セラミック基板にクラック等が発生せ
ず、また、導電線が脱落せず、接続信頼性に優れた半導
体製造・検査装置用セラミック基板となる。従って、本
発明の半導体製造・検査装置用セラミック基板は、例え
ば、ホットプレート、静電チャック、ウエハプローバ、
サセプタ等の基板として好適である。As described above, according to the ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus of the present invention, a washer serving as a buffer between the ceramic substrate and the conductive wire is provided in the blind hole formed in the bottom surface of the ceramic substrate. The conductive wire is connected to this washer, so even when used at a high temperature of 200 ° C or more, the ceramic substrate does not crack, the conductive wire does not fall off, and the connection reliability is excellent. It becomes a ceramic substrate for semiconductor manufacturing and inspection equipment. Therefore, the ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus of the present invention includes, for example, a hot plate, an electrostatic chuck, a wafer prober,
It is suitable as a substrate for a susceptor or the like.
【図１】（ａ）は、本発明の半導体装置用セラミック基
板の一例であるセラミックヒータを模式的に示す底面図
であり、（ｂ）は、（ａ）に示したセラミックヒータの
部分拡大縦断面図である。FIG. 1A is a bottom view schematically showing a ceramic heater which is an example of a ceramic substrate for a semiconductor device of the present invention, and FIG. 1B is a partially enlarged longitudinal section of the ceramic heater shown in FIG. FIG.
【図２】（ａ）は、上記セラミックヒータの袋孔近傍を
模式的に示す部分拡大縦断面図であり、（ｂ）は、その
水平断面図である。FIG. 2 (a) is a partially enlarged longitudinal sectional view schematically showing the vicinity of a blind hole of the ceramic heater, and FIG. 2 (b) is a horizontal sectional view thereof.
【図３】本発明に係るセラミックヒータの別の実施形態
を模式的に示した部分拡大縦断面図である。FIG. 3 is a partially enlarged longitudinal sectional view schematically showing another embodiment of the ceramic heater according to the present invention.
【図４】（ａ）は、静電チャックを模式的に示す縦断面
図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した静電チャックのＡ
−Ａ線断面図である。4A is a longitudinal sectional view schematically showing an electrostatic chuck, and FIG. 4B is a sectional view of the electrostatic chuck shown in FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along a line A.
【図５】本発明の半導体装置用セラミック基板の一例で
ある静電チャックに埋設されている静電電極の別の一例
を模式的に示す水平断面図である。FIG. 5 is a horizontal sectional view schematically showing another example of an electrostatic electrode embedded in an electrostatic chuck which is an example of the ceramic substrate for a semiconductor device of the present invention.
【図６】静電チャックに埋設されている静電電極の更に
別の一例を模式的に示す水平断面図である。FIG. 6 is a horizontal sectional view schematically showing still another example of the electrostatic electrode embedded in the electrostatic chuck.
【図７】本発明の半導体製造・検査装置用セラミック基
板の一例であるウエハプローバを模式的に示す断面図で
ある。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a wafer prober which is an example of a ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus of the present invention.
【図８】図７に示したウエハプローバを模式的に示す平
面図である。8 is a plan view schematically showing the wafer prober shown in FIG.
【図９】図７に示したウエハプローバにおけるＡ−Ａ線
断面図である。FIG. 9 is a sectional view taken along line AA of the wafer prober shown in FIG. 7;
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の半導体装置用セ
ラミック基板の一例であるセラミックヒータの製造方法
を模式的に示す断面図である。FIGS. 10A to 10D are cross-sectional views schematically showing a method of manufacturing a ceramic heater as an example of the ceramic substrate for a semiconductor device according to the present invention.
【図１１】従来の半導体装置用セラミック基板を模式的
に示す部分拡大縦断面図である。FIG. 11 is a partially enlarged longitudinal sectional view schematically showing a conventional ceramic substrate for a semiconductor device.
３、１１、３１、４１、６１、７１、８１ セラミック
基板 ６ ガード電極 ７ グランド電極 ８ 溝 ９ 吸引孔 １０、３０、４０ セラミックヒータ １１ａ 加熱面 １１ｂ 底面 １２、４２、５１ 抵抗発熱体 １３ 導電線 １４ 有底孔 １５ 貫通孔 １６ 支持ピン １９ シリコンウエハ ２４ ワッシャー ２５、３５ 金ろう ２６、３６ 導体層 ２７、３７ 袋孔 ３８、５６、５７、５８ スルーホール ６０、７０、８０ 静電チャック ６２、７２、８２ａ、８２ｂ チャック正極静電層 ６３、７３、８３ａ、８３ｂ チャック負極静電層 ６２ａ、６３ａ 半円弧状部 ６２ｂ、６３ｂ 櫛歯部 ６４ セラミック誘電体膜 ６５ シリコンウエハ ６６ 抵抗発熱体3, 11, 31, 41, 61, 71, 81 Ceramic substrate 6 Guard electrode 7 Ground electrode 8 Groove 9 Suction hole 10, 30, 40 Ceramic heater 11a Heating surface 11b Bottom surface 12, 42, 51 Resistance heating element 13 Conductive wire 14 Hole with bottom 15 Through hole 16 Support pin 19 Silicon wafer 24 Washer 25, 35 Gold solder 26, 36 Conductor layer 27, 37 Bag hole 38, 56, 57, 58 Through hole 60, 70, 80 Electrostatic chuck 62, 72, 82a, 82b Chuck positive electrode electrostatic layer 63, 73, 83a, 83b Chuck negative electrode electrostatic layer 62a, 63a Semicircular portion 62b, 63b Comb-tooth portion 64 Ceramic dielectric film 65 Silicon wafer 66 Resistance heating element
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Claims (7)
上の回路からなる抵抗発熱体が埋設されてなる半導体製
造・検査装置用セラミック基板において、前記セラミッ
ク基板の底面に緩衝材が配設されて、前記緩衝材に導電
線が接続され、かつ、前記導電線は、前記回路と電気的
に接続されてなることを特徴とする半導体製造・検査装
置用セラミック基板。1. A ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus in which a resistance heating element comprising one or more circuits is buried inside a ceramic substrate, wherein a cushioning material is provided on a bottom surface of the ceramic substrate. A ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus, wherein a conductive line is connected to the buffer material, and the conductive line is electrically connected to the circuit.
上の回路からなる抵抗発熱体が埋設されてなる半導体製
造・検査装置用セラミック基板において、前記セラミッ
ク基板の底面に緩衝材が挿入されて、前記回路の端部と
の電気的な接続が図られ、前記緩衝材に導電線が接続さ
れてなることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラ
ミック基板。2. A ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus in which a resistance heating element comprising one or more circuits is embedded inside a ceramic substrate, wherein a cushioning material is inserted into a bottom surface of the ceramic substrate. A ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus, wherein the ceramic substrate is electrically connected to an end of the circuit, and a conductive line is connected to the buffer material.
ルーホールが介装され、前記スルーホールを介して前記
回路の端部と前記緩衝材または前記導電線との接続が図
られている請求項１または２に記載の半導体製造・検査
装置用セラミック基板。3. A through hole is interposed between the end of the circuit and the buffer, and the end of the circuit is connected to the buffer or the conductive line via the through hole. The ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus according to claim 1 or 2, wherein
れることにより前記回路の端部との接続が図られている
請求項１、２または３に記載の半導体製造・検査装置用
セラミック基板。4. The ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus according to claim 1, wherein the buffer material or the conductive wire is connected to an end of the circuit by brazing. .
衝材の熱膨張率とは、２５〜４００℃の温度範囲におい
て、下記の式（１）を満たす請求項１〜４のいずれか１
に記載の半導体製造・検査装置用セラミック基板。 セラミック基板の熱膨張率−緩衝材の熱膨張率＜３ｐｐｍ／℃・・（１）5. The thermal expansion coefficient of the ceramic substrate and the thermal expansion coefficient of the buffer material satisfy the following expression (1) in a temperature range of 25 to 400 ° C.
A ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus according to claim 1. Coefficient of thermal expansion of ceramic substrate-Coefficient of thermal expansion of buffer material <3 ppm / ° C (1)
電線の熱膨張率とは、２５〜４００℃の温度範囲におい
て、下記の式（２）を満たす請求項１〜５のいずれか１
に記載の半導体製造・検査装置用セラミック基板。 ｜セラミック基板の熱膨張率−導電線の熱膨張率｜＞２ｐｐｍ／℃・・（２）6. The thermal expansion coefficient of the ceramic substrate and the thermal expansion coefficient of the conductive wire satisfy the following expression (2) in a temperature range of 25 to 400 ° C.
A ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus according to claim 1. | Coefficient of thermal expansion of ceramic substrate-Coefficient of thermal expansion of conductive wire |> 2 ppm / ° C. (2)
項１〜６のいずれか１に記載の半導体製造・検査装置用
セラミック基板。7. The ceramic substrate for a semiconductor manufacturing / inspection apparatus according to claim 1, wherein said buffer material is a conductive buffer material.
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|---|---|---|---|---|
| JP2005277335A (en) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | Wafer support member |
| KR20120112036A (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-11 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | Member for semiconductor manufacturing device |
| JP2018133502A (en) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | 日本特殊陶業株式会社 | Electrostatic chuck and substrate holding method |
| CN114175851A (en) * | 2019-07-16 | 2022-03-11 | 日本碍子株式会社 | Ceramic heater with shaft |
| US12176238B1 (en) | 2021-12-08 | 2024-12-24 | Mico Ceramics Ltd. | Cryogenic susceptor and electric connector assembly used therein |
-
2000
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| KR20120112036A (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-11 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | Member for semiconductor manufacturing device |
| JP2012216786A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Ngk Insulators Ltd | Member for semiconductor manufacturing apparatus |
| KR101867625B1 (en) * | 2011-03-31 | 2018-06-15 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | Member for semiconductor manufacturing device |
| JP2018133502A (en) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | 日本特殊陶業株式会社 | Electrostatic chuck and substrate holding method |
| CN114175851A (en) * | 2019-07-16 | 2022-03-11 | 日本碍子株式会社 | Ceramic heater with shaft |
| US12176238B1 (en) | 2021-12-08 | 2024-12-24 | Mico Ceramics Ltd. | Cryogenic susceptor and electric connector assembly used therein |
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