JP2001237404A

JP2001237404A - 増幅型固体撮像装置

Info

Publication number: JP2001237404A
Application number: JP2000046251A
Authority: JP
Inventors: Hisanori Tomota; 尚紀友田; Masayuki Masuyama; 雅之桝山; Yoshikazu Sano; 義和佐野
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-02-23
Filing date: 2000-02-23
Publication date: 2001-08-31
Anticipated expiration: 2020-02-23
Also published as: JP3853562B2

Abstract

(57)【要約】【課題】撮像領域の周辺部における集光率の低下に起
因したシェーディングの発生が抑制された増幅型固体撮
像装置を提供する。【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１内に形成
された複数の受光部２と、半導体基板１の上方に形成さ
れて互いに積層された複数の遮光層４と、遮光層４同士
の間に形成された層間絶縁膜３とを含み、遮光層４が、
受光部２の各々に対応させて形成された複数の開口部を
有する増幅型固体撮像装置において、複数の遮光層４の
うち少なくとも半導体基板１から最も離れた最上層の遮
光層において、前記開口部の中心と、これに対応する受
光部２の中心とのずれが、撮像領域の中心部から周辺部
に向かうに従って大きくなるように、前記開口部を形成
した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、増幅型固体撮像装
置に関するものであり、更に詳しくは、出力画像の周辺
部に生じる信号レベルの落ち込み（シェーディング）を
抑制した増幅型固体撮像装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】固体撮像装置としては、ＣＣＤ型固体撮
像装置、増幅型固体撮像装置などが知られている。特
に、増幅型固体撮像装置は、周辺回路とワン・チップ化
できるという長所を有するため、携帯機器の画像入力素
子として注目されている。

【０００３】これらの固体撮像装置においては、出力画
像の周辺部に生じるシェーディングの抑制が課題とされ
ている。固体撮像装置においては、撮影光学系の光学中
心が撮像領域（画素が配置された領域）の中心延長線上
に配置されるため、射出瞳距離が有限である場合、撮像
領域の中心では光は垂直に入射するが、撮像領域の周辺
部では光が斜め方向から入射する。そのため、撮像領域
の周辺部においては、マイクロレンズによる集光中心が
受光部の中心からずれ、受光部への集光率が低下する。
このような、撮像領域の周辺部における集光率の低下が
シェーディングの原因であることが知られている。

【０００４】図６は、ＣＣＤ型固体撮像装置の構造を示
す断面図である。半導体基板２１内には、複数の受光部
２２が行列状に配置されている。更に、図示を省略する
が、半導体基板２１内には、受光部２２の各列に隣接さ
せて電荷転送部が形成され、電荷転送部上には絶縁膜を
介して転送電極が形成されている。半導体基板２１上に
は遮光層２４が形成されており、遮光層２４には、受光
部２２の各々に対応させて複数の開口部が形成されてい
る。遮光層２４上には層間絶縁膜２３が形成され、層間
絶縁膜２３上には受光部２２の各々に対応するように複
数のマイクロレンズ２５が形成されている。

【０００５】このようなＣＣＤ型固体撮像装置において
は、図６に示すように、撮像領域の周辺部に配置される
マイクロレンズ２５を受光部２２に対してずらすことに
より、シェーディングを抑制することが提案されている
（例えば、特開平６−１４０６０９号公報）。マイクロ
レンズ２５と、これに対応する受光部２２との位置ずれ
（Ｌｍ）は、撮像領域の中心部から周辺部に向かうに従
って次第に大きくなるように調整されている。このよう
なＣＣＤ型固体撮像装置によれば、出力画像の周辺部に
おけるシェーディングを十分に抑制することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】増幅型固体撮像装置に
おいても、ＣＣＤ型固体撮像装置と同様に、出力画像の
周辺部におけるシェーディングを抑制する手段として、
撮像領域の周辺部に配置されるマイクロレンズを受光部
に対してずらすことが提案されている。

【０００７】図７は、このような増幅型固体撮像装置の
構造を示す断面図である。半導体基板３１内に、複数の
受光部３２が行列状に配置されている。更に、図示を省
略するが、半導体基板３１には、受光部３２の各々に対
応させて、画素内の増幅回路を構成するＭＯＳトランジ
スタが形成されている。半導体基板３１上には、複数層
の遮光層３４が、互いに層間絶縁膜３３を介して積層さ
れている。各遮光層３４には、受光部３２の各々に対応
させて形成された開口部が形成されている。更に、その
上方には、受光部３２の各々に対応させて複数のマイク
ロレンズ３５が形成されており、マイクロレンズ３５
と、これに対応する受光部３２との位置ずれ（Ｌｍ）
は、撮像領域の中心部から周辺部に向かうに従って次第
に大きくなるように調整されている。

【０００８】しかしながら、このような増幅型固体撮像
装置では、出力画像の周辺部におけるシェーディングを
十分に抑制することはできなかった。

【０００９】本発明は、出力画像の周辺部におけるシェ
ーディングが抑制された増幅型固体撮像装置を提供する
ことを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の増幅型固体撮像装置は、半導体基板と、前
記半導体基板内に形成された複数の受光部と、前記半導
体基板の上方に形成され、互いに積層された複数の遮光
層と、前記遮光層同士の間に形成された層間絶縁膜とを
含み、前記遮光層が、前記受光部の各々に対応させて形
成された複数の開口部を有する増幅型固体撮像装置であ
って、前記複数の遮光層のうち少なくとも前記半導体基
板から最も離れた最上層の遮光層において、前記開口部
の中心と、これに対応する受光部の中心とのずれが、撮
像領域の中心部から周辺部に向かうに従って大きくなる
ように、前記開口部が形成されていることを特徴とす
る。

【００１１】ＣＣＤ型固体撮像装置においては、遮光層
は一層しか形成されず、受光部からマイクロレンズまで
の距離が比較的短いため、マイクロレンズを受光部に対
して位置ずれさせるだけで十分にシェーディングを抑制
することができる。それに対して、増幅型固体撮像装置
では、増幅回路を構成する配線が遮光層として用いられ
るため遮光層が複数層形成され、その結果、受光部から
マイクロレンズまでの距離が長くなる。従って、図７に
示すように、撮像領域の周辺部においては、たとえマイ
クロレンズをずらしたとしても、入射光が遮光層に遮ら
れることが避けられず、集光率の低下が生じる。

【００１２】しかしながら、本発明の増幅型固体撮像装
置によれば、撮像領域の周辺部において、少なくとも最
上層の遮光層に形成される開口部を受光部に対してずら
して配置することにより、遮光層で遮られる入射光を低
減し、集光率の低下を抑制することができる。その結
果、出力画像の周辺部におけるシェーディングを抑制す
ることができる。なお、撮像領域の中心部においては、
遮光層に形成される開口部の中心と受光部の中心とが位
置ずれしていないことが好ましい。

【００１３】前記増幅型固体撮像装置においては、前記
複数の遮光層において、前記開口部の中心と、対応する
受光部の中心とのずれが、下層から上層に向かうに従っ
て大きくなることが好ましい。遮光層の層数が多い場合
であっても、確実にシェーディングを抑制することがで
きるからである。

【００１４】また、前記増幅型固体撮像装置において
は、増幅型固体撮像装置への入射光が発散または収束す
る場合、前記開口部の中心が、これに対応する受光部の
中心に対して、前記入射光の光路に応じた方向にずれて
いることが好ましい。より確実にシェーディングを抑制
することができるからである。

【００１５】例えば、増幅型固体撮像装置への入射光が
発散する場合は、前記開口部の中心が、これに対応する
受光部の中心に対して、撮像領域の中心部に向かう方向
にずれていることが好ましい。また、増幅型固体撮像装
置への入射光が収束する場合は、前記開口部の中心が、
これに対応する受光部の中心に対して、撮像領域の周辺
部に向かう方向にずれていることが好ましい。

【００１６】前記増幅型固体撮像装置においては、更
に、前記遮光層の上方に前記受光部の各々に対応させて
形成された複数のマイクロレンズを含み、前記マイクロ
レンズの中心と、これに対応する受光部の中心とのずれ
が、撮像領域の中心部から周辺部に向かうに従って大き
くなり、且つ、前記最上層の遮光層における前記開口部
の中心と、これに対応する受光部の中心とのずれよりも
大きくなるように、前記マイクロレンズが形成されてい
ることが好ましい。この好ましい例によれば、確実にシ
ェーディングを抑制することができる。

【００１７】この好ましい例においては、増幅型固体撮
像装置への入射光が発散または収束する場合、前記マイ
クロレンズの中心が、これに対応する受光部の中心に対
して、前記入射光の光路に応じた方向にずれていること
が好ましい。より確実にシェーディングを抑制すること
ができるからである。

【００１８】例えば、増幅型固体撮像装置への入射光が
発散する場合は、前記マイクロレンズの中心が、これに
対応する受光部の中心に対して、撮像領域の中心部に向
かう方向にずれていることが好ましい。また、増幅型固
体撮像装置への入射光が収束する場合は、前記マイクロ
レンズの中心が、これに対応する受光部の中心に対し
て、撮像領域の周辺部に向かう方向にずれていることが
好ましい。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の増幅型固体撮像装
置の一例について説明する。

【００２０】増幅型固体撮像装置は、複数の画素が配置
された撮像領域と、前記画素を駆動するための周辺回路
などが配置された非撮像領域とを備えている。以下、撮
像領域の構造について説明する。

【００２１】撮像領域には、前述したように複数の画素
が配置されている。前記画素は、各々、光電変換を行う
ための受光部と、受光部の光電変換で生じた信号を増幅
するための増幅回路とを備えている。また、前記増幅回
路は、通常、複数のＭＯＳトランジスタを含む。

【００２２】図１は、本発明の増幅型固体撮像装置の一
例を示す断面図であり、撮像領域の構造を示すものであ
る。

【００２３】半導体基板１内に、画素数に応じた複数の
受光部２が形成されている。受光部２は、半導体基板１
表面において、一定の配列ピッチをもって行列状に配置
される。

【００２４】図示を省略するが、半導体基板１には、各
受光部２の周囲に、複数個のＭＯＳトランジスタが形成
されている。これらのＭＯＳトランジスタは、後述する
複数層の遮光膜４を介して互いに電気的に接続されて、
増幅回路を構成している。なお、ＭＯＳトランジスタの
配置の形態は、特に限定するものではなく、画素内に形
成される増幅回路の回路構造などに応じて適宜決定する
ことができる。

【００２５】半導体基板１の上方には、複数層の遮光層
４が形成されている（以下、各遮光層について、半導体
基板側から順に「第１の遮光層」、「第２の遮光層」な
どというように番号を付して呼ぶ。また、半導体基板か
ら最も離れた遮光層を「最上層の遮光層」と呼ぶ。）。
遮光層４の層数は、画素内に形成される増幅回路の回路
構造に応じて適宜決定することができ、例えば２〜５
層、好ましくは３層である。また、各遮光層４の層厚
は、例えば１００〜１０００ｎｍ、好ましくは４００〜
８００ｎｍである。層厚は、全ての遮光層４について、
同一としても、相違させてもよい。

【００２６】各遮光層４には、受光部２の各々に対応さ
せて複数の開口部が形成されている。なお、開口部の配
置の形態については後に詳説する。

【００２７】各遮光層４上には層間絶縁膜３が形成され
ている。各層間絶縁膜３の層厚は、例えば３００〜１２
００ｎｍ、好ましくは６００〜１０００ｎｍである。ま
た、層厚は、全ての層間絶縁膜３について、同一として
も、相違させてもよい。

【００２８】更に、最上層の層間絶縁膜上には、受光部
２の各々に対応させて、複数のマイクロレンズ５が形成
されている。受光部２（半導体基板１表面）からマイク
ロレンズ５までの距離（Ｈｍ）は、例えば２〜１０μ
ｍ、好ましくは３〜７μｍである。なお、マイクロレン
ズ５の配置の形態については後に詳説する。

【００２９】次に、遮光層４に形成される開口部および
マイクロレンズ５の配置の形態について、図１および図
２を参照しながら説明する。なお、図２は、最上層の遮
光層に形成される開口部およびマイクロレンズの配置を
模式的に示す平面図である。また、図１および図２にお
いては、同一部分には同一符号を付している。

【００３０】少なくとも最上層の遮光層における開口部
と、マイクロレンズ５とは、撮像領域の周辺部におい
て、受光部２に対して位置ずれを生じるように配置され
る。位置ずれの方向は、固体撮像装置に入射する光の光
路に応じて決定することができる。例えば、図３に示す
ように、射出瞳が固体撮像装置１０の上方（マイクロレ
ンズ側）に位置する場合、固体撮像装置１０に入射する
光は発散光となる。以下、このような場合を例に挙げて
説明する。

【００３１】最上層の遮光層に形成される開口部は、撮
像領域の中心部においては、開口部の中心と受光部２の
中心とが半導体基板１表面に垂直な同一直線上に位置す
るように配置され、撮像領域の周辺部においては、開口
部の中心が、受光部２の中心よりも撮像領域の中心部側
に位置するように配置される。この開口部と受光部２と
の位置ずれは、撮像領域の中心部から周辺部に向かうに
従って次第に大きくなるように設定される。

【００３２】好ましくは、最上層の遮光層だけでなく、
その他の遮光層においても同様に、開口部と受光部との
位置ずれが撮像領域の中心部から周辺部に向かうに従っ
て次第に大きくなるように設定される。但し、第１の遮
光層に関しては、撮像領域の周辺部においても、開口部
の中心と受光部２の中心とが半導体基板表面に垂直な同
一直線上に位置することが好ましい。

【００３３】このとき、同一受光部（撮像領域の中心に
ある受光部を除く。）に対応する開口部の位置ずれは、
下層側の遮光層から上層側の遮光層に向かうに従って、
次第に大きくなるように設定される。

【００３４】すなわち、同一受光部に対応する各遮光層
４の開口部の位置ずれには、次の関係が成立する。

【００３５】０ ≦ Ｌ１＜Ｌ２＜ … ＜Ｌｎここで、Ｌ１、Ｌ２およびＬｎは、各々、第１の遮光
層、第２の遮光層および第ｎ層の遮光層における開口部
の位置ずれの大きさである。なお、位置ずれの大きさ
は、受光部の中心と開口部の中心とのずれを、半導体基
板表面に対して水平な方向に関して表した量である。

【００３６】更に、同一受光部に対応する各遮光層４の
開口部の位置ずれには、次の関係が成立することが好ま
しい。

【００３７】Ｌ２：Ｈ２＝Ｌ３：Ｈ３＝ … ＝Ｌｎ：Ｈｎここで、Ｈ２、Ｈ３およびＨｎは、各々、受光部（半導
体基板表面）から、第２の遮光層、第３の遮光層および
第ｎ層の遮光層までの距離である。

【００３８】開口部は、例えば、一定の配列ピッチをも
って行列状に配置することができる。この場合、図２に
示すように、遮光層４の開口部の配列の中心と、受光部
２の配列の中心とを一致させた状態で、遮光層４の開口
部の配列ピッチを受光部２の配列ピッチよりも小さく
し、尚且つ、遮光層４の開口部の配列ピッチを、上層の
遮光層ほど小さくなるように設定することにより、前述
したような位置ずれを達成することができる。

【００３９】マイクロレンズ５は、遮光層４の開口部と
同様に、対応する受光部２との位置ずれが、撮像領域の
中心部から周辺部に向かうに従って次第に大きくなるよ
うに配置される。また、マイクロレンズ５の位置ずれ
（Ｌｍ）は、最上層の遮光層に形成された同一受光部
（撮像領域の中心にある受光部を除く。）に対応する開
口部の位置ずれよりも、大きくなるように設定される。

【００４０】マイクロレンズ５は、例えば、一定の配列
ピッチをもって行列状に配置することができる。この場
合、図２に示すように、マイクロレンズ５の配列の中心
と、受光部２の配列の中心とを一致させた状態で、マイ
クロレンズ５の配列ピッチを、受光部２の配列ピッチよ
りも小さく、更には最上層の遮光層における開口部の配
列ピッチよりも小さく設定することにより、前述したよ
うな位置ずれを達成することができる。

【００４１】遮光層４の開口部およびマイクロレンズ５
の位置ずれの大きさは、射出瞳距離（射出瞳位置から受
光部までの距離）、撮像領域サイズ（撮像領域の中心に
配置された受光部から最端部に配置された受光部までの
距離）などに応じて適宜決定することができる。射出瞳
距離が短く、撮像領域サイズが大きいほど、開口部およ
びマイクロレンズの位置ずれは大きく設定することが好
ましい。

【００４２】次に、前述したような増幅型固体撮像装置
の製造方法の一例について説明する。

【００４３】まず、シリコン基板内に、ボロンなどのｐ
型不純物を注入し、ｐ型ウェルを形成する。次に、ｐ型
ウェル内に、リンなどのｎ型不純物を注入し、受光部を
形成する。このとき、一定の配列ピッチをもってマスク
パターンが配置された注入マスクを使用する。

【００４４】また、受光部の周囲に複数のＭＯＳトラン
ジスタを形成する。ＭＯＳトランジスタは、例えば、ｐ
型ウェル内にｎ型不純物を注入してソースおよびドレイ
ンを形成した後、シリコン基板上に熱酸化によりシリコ
ン酸化膜を形成し、更に化学気相堆積法（以下、「ＣＶ
Ｄ法」という。）によりポリシリコン膜を形成し、これ
をパターニングしてゲート電極とすることにより形成で
きる。更に、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成し、
ゲート電極を被覆するように絶縁膜を形成する。

【００４５】絶縁膜上に、第１の遮光層を形成する。第
１の遮光層としては、例えば、アルミニウム、タングス
テンなどの金属を使用することができ、その成膜方法と
しては、例えば、スパッタ法を使用することができる。
次に、第１の遮光層にエッチングにより開口部を形成し
た後、第１の遮光層上に層間絶縁膜を形成する。層間絶
縁膜としては、例えば、シリコン酸化膜などを使用する
ことができ、その成膜方法としては、例えば、ＣＶＤ法
を使用することができる。

【００４６】これと同様の操作を所望の層数分だけ繰り
返し、複数層の遮光層および層間絶縁膜を形成する。こ
のとき、各遮光層の開口部形成においては、受光部より
も小さい配列ピッチでマスクパターンが形成されたエッ
チングマスクを使用する。但し、第１の遮光層に関して
は、受光部と同等の配列ピッチでマスクパターンが形成
されたエッチングマスクを使用することも可能である。

【００４７】また、各遮光層の開口部形成においては、
下層の遮光層における開口部の配列ピッチよりも小さい
ピッチでマスクパターンが配置されたエッチングマスク
を使用する。

【００４８】次に、層間絶縁膜上に、マイクロレンズの
構成材料となる樹脂層を形成する。樹脂としては、例え
ば、アクリル系樹脂などを使用することができる。ま
た、樹脂層の層厚は、例えば０．５〜３μｍ、好ましく
は０．５〜２μｍである。

【００４９】樹脂層をエッチングして画素数に応じて分
割する。このとき、最上層の遮光層における開口部の配
列ピッチよりも小さい配列ピッチでマスクパターンが配
置されたエッチングマスクを使用する。その後、加熱に
よるリフロー処理を実施することにより、分割された樹
脂層をレンズ状に成形する。

【００５０】以上の説明においては、射出瞳が固体撮像
装置の上方に位置する場合を例示したが、本発明は、射
出瞳が固体撮像装置の下方（半導体基板側）に位置する
場合に適用することも可能である。

【００５１】図４は、このような場合に適用できる増幅
型固体撮像装置の構造の一例を示す断面図である。な
お、図１および図４においては、同一部分には同一符号
を付している。

【００５２】前述したように、遮光層の開口部およびマ
イクロレンズの位置ずれの方向は、固体撮像装置１０に
入射する光の光路に応じて決定される。図５に示すよう
に、射出瞳が固体撮像装置１０の下方に位置する場合、
固体撮像装置１０に入射する光は、射出瞳が固体撮像装
置の上方に位置する場合とは反対に、収束光となる。

【００５３】この増幅型固体撮像装置においては、各遮
光層４の開口部およびマイクロレンズ５は、対応する受
光部に対して、射出瞳が固体撮像装置の上方に位置する
場合とは反対方向、すなわち撮像領域の周辺部側に位置
ずれするように配置される。

【００５４】なお、図４に示す増幅型固体撮像装置は、
遮光層４の開口部およびマイクロレンズ５の位置ずれの
方向が異なること以外は、図１と同様の構造を有するも
のである。

【００５５】前述したように、増幅型固体撮像装置に入
射する光は、撮像領域の中心においては垂直方向から入
射するが、撮像領域の周辺部においては斜め方向からす
る。また、光が斜め方向から入射するため、受光部から
の距離が遠い遮光層ほど、光の入射点と受光部の中心と
のずれが大きくなる。

【００５６】本発明の増幅型固体撮像装置においては、
複数の遮光層のうち少なくとも最上層の遮光層、すなわ
ち入射点と受光部中心とのずれが最大となる遮光層にお
いて、開口部と受光部との位置ずれが、入射光の傾きが
小さい中心部ほど小さく、入射光の傾きが大きい周辺部
ほど大きくなるように設定されている。その結果、例え
ば、図１および図４に示すように、撮像領域の中心部だ
けでなく周辺部においても、入射光を遮光層で遮ること
なく受光部まで集光することができる。よって、出力画
像の周辺部におけるシェーディングの発生を抑制するこ
とができる。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の増幅型固
体撮像装置によれば、半導体基板と、前記半導体基板内
に形成された複数の受光部と、前記半導体基板の上方に
形成され、前記受光部の各々に対応した複数の開口部を
有する複数の遮光層とを含み、前記複数の遮光層のうち
少なくとも前記半導体基板から最も離れた最上層の遮光
層において、前記開口部の中心と、これに対応する受光
部の中心とのずれが、撮像領域の中心部から周辺部に向
かうに従って大きくなるように、前記開口部が形成され
ているため、撮像領域の周辺部におけるシェーディング
を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る増幅型固体撮像装置の構造の一
例を示す断面図である。

【図２】遮光層の開口部およびマイクロレンズの配置
の一例を模式的に示す平面図である。

【図３】固体撮像装置と射出瞳の位置関係を示すため
の図である。

【図４】本発明に係る増幅型固体撮像装置の構造の別
の一例を示す断面図である。

【図５】固体撮像装置と射出瞳の位置関係を示すため
の図である。

【図６】ＣＣＤ型固体撮像装置の構造を示す断面図で
ある。

【図７】従来の増幅型固体撮像装置の構造を示す断面
図である。

【符号の説明】

１、２１、３１半導体基板２、２２、３２受光部３、２３、３３層間絶縁膜４、２４、３４遮光層５、２５、３５マイクロレンズ１０増幅型固体撮像装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐野義和大阪府高槻市幸町１番１号松下電子工業株式会社内Ｆターム(参考） 4M118 AA06 AB01 BA14 BA30 CA01 CA03 CA17 FA06 GB07 GB11 GB15 GB17 GB20 GD04 GD07 5C024 CX35 EX43 GY01 GY41 GZ34

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板と、前記半導体基板内に形成
された複数の受光部と、前記半導体基板の上方に形成さ
れ、互いに積層された複数の遮光層と、前記遮光層同士
の間に形成された層間絶縁膜とを含み、前記遮光層が、
前記受光部の各々に対応させて形成された複数の開口部
を有する増幅型固体撮像装置であって、前記複数の遮光
層のうち少なくとも前記半導体基板から最も離れた最上
層の遮光層において、前記開口部の中心と、これに対応
する受光部の中心とのずれが、撮像領域の中心部から周
辺部に向かうに従って大きくなるように、前記開口部が
形成されていることを特徴とする増幅型固体撮像装置。
【請求項２】前記複数の遮光層において、前記開口部
の中心と、これに対応する受光部の中心とのずれが、下
層から上層に向かうに従って大きくなる請求項１に記載
の増幅型固体撮像装置。
【請求項３】増幅型固体撮像装置への入射光が発散ま
たは収束する場合、前記開口部の中心が、これに対応す
る受光部の中心に対して、前記入射光の光路に応じた方
向にずれている請求項１または２に記載の増幅型固体撮
像装置。
【請求項４】更に、前記遮光層の上方に前記受光部の
各々に対応させて形成された複数のマイクロレンズを含
み、前記マイクロレンズの中心と、これに対応する受光
部の中心とのずれが、撮像領域の中心部から周辺部に向
かうに従って大きくなり、且つ、前記最上層の遮光層に
おける前記開口部の中心と、これに対応する受光部の中
心とのずれよりも大きくなるように、前記マイクロレン
ズが形成されている請求項１〜３のいずれかに記載の増
幅型固体撮像装置。
【請求項５】増幅型固体撮像装置への入射光が発散ま
たは収束する場合、前記マイクロレンズの中心が、これ
に対応する受光部の中心に対して、前記入射光の光路に
応じた方向にずれている請求項４に記載の増幅型固体撮
像装置。