JP2001237408A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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- JP2001237408A JP2001237408A JP2000044297A JP2000044297A JP2001237408A JP 2001237408 A JP2001237408 A JP 2001237408A JP 2000044297 A JP2000044297 A JP 2000044297A JP 2000044297 A JP2000044297 A JP 2000044297A JP 2001237408 A JP2001237408 A JP 2001237408A
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
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- H10F39/151—Geometry or disposition of pixel elements, address lines or gate electrodes
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 浮遊拡散層の面積を低減して、浮遊拡散層の
信号電荷を高感度に検出できる固体撮像装置およびその
製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｐ型半導体基板１１上に水平転送部１を
形成し、水平転送部１から信号電荷を受ける浮遊拡散層
２６と、浮遊拡散層２６の電位変化を検出する検出用Ｍ
ＯＳＦＥＴ２５とを形成している。この検出用ＭＯＳＦ
ＥＴ２５は、開口部３０ａが形成されたゲート電極３０
を有している。また、上記ゲート電極３０が浮遊拡散層
２６に向って延在すると共に、開口部３０ａが浮遊拡散
層２６上に位置している。
信号電荷を高感度に検出できる固体撮像装置およびその
製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｐ型半導体基板１１上に水平転送部１を
形成し、水平転送部１から信号電荷を受ける浮遊拡散層
２６と、浮遊拡散層２６の電位変化を検出する検出用Ｍ
ＯＳＦＥＴ２５とを形成している。この検出用ＭＯＳＦ
ＥＴ２５は、開口部３０ａが形成されたゲート電極３０
を有している。また、上記ゲート電極３０が浮遊拡散層
２６に向って延在すると共に、開口部３０ａが浮遊拡散
層２６上に位置している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高い検出感度を有す
るＣＣＤ(charge coupled device memory)等の固体撮像
装置およびその製造方法に関する。
るＣＣＤ(charge coupled device memory)等の固体撮像
装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４(ａ)は、従来のＣＣＤの要部を示す
平面図であり、４１は水平転送部、４２は水平出力ゲー
ト、４３はリセットゲート、４４はリセットドレイン、
４５は検出用ＭＯＳＦＥＴ(ＭＯＳ電解効果型トランジ
スタ)、４６は浮遊拡散層(以下、ＦＤと記述)、４７,５
７はコンタクト穴、４８はアルミ配線、５０は検出用Ｍ
ＯＳＦＥＴ４５のゲート電極である。この検出用ＭＯＳ
ＦＥＴ４５は、ＦＤ４６の電位変化を検出する検出回路
の一部である。上記ＦＤ４６はＮ+層からなり、そのＮ+
層は、フォトレジストによりＦＤ４６を形成する部分を
パターンニングにより露出させ、その露出した部分への
イオン注入で形成している。
平面図であり、４１は水平転送部、４２は水平出力ゲー
ト、４３はリセットゲート、４４はリセットドレイン、
４５は検出用ＭＯＳＦＥＴ(ＭＯＳ電解効果型トランジ
スタ)、４６は浮遊拡散層(以下、ＦＤと記述)、４７,５
７はコンタクト穴、４８はアルミ配線、５０は検出用Ｍ
ＯＳＦＥＴ４５のゲート電極である。この検出用ＭＯＳ
ＦＥＴ４５は、ＦＤ４６の電位変化を検出する検出回路
の一部である。上記ＦＤ４６はＮ+層からなり、そのＮ+
層は、フォトレジストによりＦＤ４６を形成する部分を
パターンニングにより露出させ、その露出した部分への
イオン注入で形成している。
【０００３】図４(ｂ)は図４(ａ)のＢ−Ｂ線断面図であ
り、５１はＰ型半導体基板、５２はフィールド酸化膜で
ある。図４(ｂ)に示すように、上記ＦＤ４６の上方にコ
ンタクト穴４７を形成すると共に、ゲート電極５０のＦ
Ｄ４６側の端部の上方にもコンタクト穴５７を形成して
いる。上記コンタクト穴４７,５７にアルミ配線４８を
形成することにより、ＦＤ４６とゲート電極５０とをア
ルミ配線４８で接続している。
り、５１はＰ型半導体基板、５２はフィールド酸化膜で
ある。図４(ｂ)に示すように、上記ＦＤ４６の上方にコ
ンタクト穴４７を形成すると共に、ゲート電極５０のＦ
Ｄ４６側の端部の上方にもコンタクト穴５７を形成して
いる。上記コンタクト穴４７,５７にアルミ配線４８を
形成することにより、ＦＤ４６とゲート電極５０とをア
ルミ配線４８で接続している。
【０００４】上記構成のＣＣＤでは、リセットゲート４
３に印加するリセットパルス電圧をハイレベルにしてＦ
Ｄ４６をリセットし、リセットパルス電圧をローレベル
にして水平転送部４１からＦＤ４６に信号電荷を転送し
ている。このとき、上記ＦＤ４６に接続された検出用Ｍ
ＯＳＦＥＴ４５のゲート電極５０等を含む全体の容量を
Ｃｔ、転送された信号電荷量をＱとした場合、ＦＤ４６
では△Ｖｆｄ＝Ｑ／Ｃｔの電位変化が生じ、その電位変
化を検出用ＭＯＳＦＥＴ４５で検出している。また、上
記検出用ＭＯＳＦＥＴ４５を有する検出回路の利得をＧ
とした場合、検出回路の検出感度は△Ｖｏｕｔ＝Ｇ・Ｑ
／Ｃｔとなり、信号電荷Ｑに比例した電圧変化が検出回
路に出力される。
３に印加するリセットパルス電圧をハイレベルにしてＦ
Ｄ４６をリセットし、リセットパルス電圧をローレベル
にして水平転送部４１からＦＤ４６に信号電荷を転送し
ている。このとき、上記ＦＤ４６に接続された検出用Ｍ
ＯＳＦＥＴ４５のゲート電極５０等を含む全体の容量を
Ｃｔ、転送された信号電荷量をＱとした場合、ＦＤ４６
では△Ｖｆｄ＝Ｑ／Ｃｔの電位変化が生じ、その電位変
化を検出用ＭＯＳＦＥＴ４５で検出している。また、上
記検出用ＭＯＳＦＥＴ４５を有する検出回路の利得をＧ
とした場合、検出回路の検出感度は△Ｖｏｕｔ＝Ｇ・Ｑ
／Ｃｔとなり、信号電荷Ｑに比例した電圧変化が検出回
路に出力される。
【０００５】ところで、Ｃｔを構成する容量としては、
主に、ＦＤとリセットゲート間容量Ｃｆｒ、ＦＤと水平
出力ゲート間容量Ｃｏｇ、検出用ＭＯＳＦＥＴのゲート
容量Ｃｇ、ＦＤと半導体基板間の接合容量Ｃｆｄ、アル
ミ配線容量Ｃｍｒ等がある。つまり、上記ＦＤ４６に接
続された検出用ＭＯＳＦＥＴ４５のゲート電極５０を含
む全体の容量Ｃｔは、Ｃｔ＝Ｃｆｒ＋Ｃｏｇ＋Ｃｇ＋Ｃ
ｆｄ＋Ｃｍｒである。したがって、上記検出回路の利得
Ｇが一定であれば、Ｃｆｄが小さい方が検出感度は高く
できる。上記ＦＤ４６の容量ＣｆｄはＦＤ４６の面積に
比例すると考えられるから、高い検出感度を達成するに
は、できる限り、ＦＤ４６の面積を縮小する必要があ
る。
主に、ＦＤとリセットゲート間容量Ｃｆｒ、ＦＤと水平
出力ゲート間容量Ｃｏｇ、検出用ＭＯＳＦＥＴのゲート
容量Ｃｇ、ＦＤと半導体基板間の接合容量Ｃｆｄ、アル
ミ配線容量Ｃｍｒ等がある。つまり、上記ＦＤ４６に接
続された検出用ＭＯＳＦＥＴ４５のゲート電極５０を含
む全体の容量Ｃｔは、Ｃｔ＝Ｃｆｒ＋Ｃｏｇ＋Ｃｇ＋Ｃ
ｆｄ＋Ｃｍｒである。したがって、上記検出回路の利得
Ｇが一定であれば、Ｃｆｄが小さい方が検出感度は高く
できる。上記ＦＤ４６の容量ＣｆｄはＦＤ４６の面積に
比例すると考えられるから、高い検出感度を達成するに
は、できる限り、ＦＤ４６の面積を縮小する必要があ
る。
【０００６】図５(ａ)は他の従来のＣＣＤの要部を示す
平面図であり、図５(ｂ)は図５(ａ)のＢ−Ｂ線断面図で
ある。図５(ａ),(ｂ)は、検出用ＭＯＳＦＥＴ１４５の
ゲート電極１５０をＦＤ１４６の上方まで延在した点
と、１つのコンタクト穴１４７に形成されたアルミ配線
１４８がＦＤ１４６とゲート電極１５０とを接続してい
る点とが、図４(ａ),(ｂ)の従来例と異なっている。し
たがって、図５(ａ),(ｂ)において、図４(ａ),(ｂ)と同
一構成部には同一番号を付して、その説明は省略する。
平面図であり、図５(ｂ)は図５(ａ)のＢ−Ｂ線断面図で
ある。図５(ａ),(ｂ)は、検出用ＭＯＳＦＥＴ１４５の
ゲート電極１５０をＦＤ１４６の上方まで延在した点
と、１つのコンタクト穴１４７に形成されたアルミ配線
１４８がＦＤ１４６とゲート電極１５０とを接続してい
る点とが、図４(ａ),(ｂ)の従来例と異なっている。し
たがって、図５(ａ),(ｂ)において、図４(ａ),(ｂ)と同
一構成部には同一番号を付して、その説明は省略する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＣＣ
Ｄの製造方法では、ＦＤ４６,１４６の面積をさらに縮
小することは困難であるため、電荷検出回路の検出感度
を高めることができない。つまり、上記水平転送部４１
からＦＤ４６に転送された信号電荷を、高感度に検出す
ることができないという問題点がある。より詳しく説明
すると、上記ＦＤ４６,１４６およびコンタクト穴４７,
１４７はフオトレジストによりパターンニングして形成
するため、ＦＤ４６,１４６とコンタクト穴４７,１４７
の合わせマージンｄ１,ｄ２を確保する必要があった。
合わせマージンｄは、アルミ配線４８,１４８およびＦ
Ｄ４６,１４６の線幅や、アライメント等のばらつきを
考え、０.２〜０.４ｕｍ程度必要である。しかし、ＦＤ
４６,１４６の大きさは１〜２ｕｍ□程度であることか
ら、合わせマージンｄ１,ｄ２はＦＤ４６,１４６の１０
〜２５％とかなり大きくなっており、ＦＤ４６,１４６
の面積を小さくすることができない。
Ｄの製造方法では、ＦＤ４６,１４６の面積をさらに縮
小することは困難であるため、電荷検出回路の検出感度
を高めることができない。つまり、上記水平転送部４１
からＦＤ４６に転送された信号電荷を、高感度に検出す
ることができないという問題点がある。より詳しく説明
すると、上記ＦＤ４６,１４６およびコンタクト穴４７,
１４７はフオトレジストによりパターンニングして形成
するため、ＦＤ４６,１４６とコンタクト穴４７,１４７
の合わせマージンｄ１,ｄ２を確保する必要があった。
合わせマージンｄは、アルミ配線４８,１４８およびＦ
Ｄ４６,１４６の線幅や、アライメント等のばらつきを
考え、０.２〜０.４ｕｍ程度必要である。しかし、ＦＤ
４６,１４６の大きさは１〜２ｕｍ□程度であることか
ら、合わせマージンｄ１,ｄ２はＦＤ４６,１４６の１０
〜２５％とかなり大きくなっており、ＦＤ４６,１４６
の面積を小さくすることができない。
【０００８】そこで、本発明は、ＦＤの面積を小さくし
て、ＦＤの信号電荷を高感度に検出できるＣＣＤおよび
その製造方法を提供することを目的としている。
て、ＦＤの信号電荷を高感度に検出できるＣＣＤおよび
その製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の固体撮像装置は、第１導電型の半導体基板
と、上記第１導電型の半導体基板上に形成された電荷転
送部と、上記電荷転送部から信号電荷を受ける第２導電
型の浮遊拡散層と、上記第２導電型の浮遊拡散層の電位
変化を検出する検出用トランジスタとを備えた固体撮像
装置において、上記検出用トランジスタのゲート電極に
開口部が形成され、上記検出用トランジスタのゲート電
極が上記第２導電型の浮遊拡散層に向って延在すると共
に、上記開口部が上記第２導電型の浮遊拡散層上に位置
することを特徴としている。
め、本発明の固体撮像装置は、第１導電型の半導体基板
と、上記第１導電型の半導体基板上に形成された電荷転
送部と、上記電荷転送部から信号電荷を受ける第２導電
型の浮遊拡散層と、上記第２導電型の浮遊拡散層の電位
変化を検出する検出用トランジスタとを備えた固体撮像
装置において、上記検出用トランジスタのゲート電極に
開口部が形成され、上記検出用トランジスタのゲート電
極が上記第２導電型の浮遊拡散層に向って延在すると共
に、上記開口部が上記第２導電型の浮遊拡散層上に位置
することを特徴としている。
【００１０】本発明の固体撮像装置によれば、上記検出
用トランジスタのゲート電極に形成された開口部が第２
導電型の浮遊拡散層上に位置するので、ゲート電極の開
口部上に金属配線を形成することにより、セルフアライ
メントになり、第２導電型の浮遊拡散層と金属配線とが
接続される。したがって、上記第２導電型の浮遊拡散層
とコンタクト穴との合わせマージンをなくすことがで
き、第２導電型の浮遊拡散層の面積を低減できる。その
結果、上記第２導電型の浮遊拡散層と半導体基板間との
接合容量が減少し、第２導電型の浮遊拡散層の信号電荷
を高感度に検出することができる。
用トランジスタのゲート電極に形成された開口部が第２
導電型の浮遊拡散層上に位置するので、ゲート電極の開
口部上に金属配線を形成することにより、セルフアライ
メントになり、第２導電型の浮遊拡散層と金属配線とが
接続される。したがって、上記第２導電型の浮遊拡散層
とコンタクト穴との合わせマージンをなくすことがで
き、第２導電型の浮遊拡散層の面積を低減できる。その
結果、上記第２導電型の浮遊拡散層と半導体基板間との
接合容量が減少し、第２導電型の浮遊拡散層の信号電荷
を高感度に検出することができる。
【００１１】また、一実施形態の発明の固体撮像装置
は、第１導電型の半導体基板と、上記第１導電型の半導
体基板上に形成された電荷転送部と、上記電荷転送部か
ら信号電荷を受ける第２導電型の浮遊拡散層と、上記第
２導電型の浮遊拡散層の電位変化を検出する検出用トラ
ンジスタとを備えた固体撮像装置において、上記検出用
トランジスタが不連続な第１,第２のゲート電極を有
し、上記第１のゲート電極に開口部が形成され、上記開
口部が上記第２導電型の浮遊拡散層上に位置することを
特徴としている。
は、第１導電型の半導体基板と、上記第１導電型の半導
体基板上に形成された電荷転送部と、上記電荷転送部か
ら信号電荷を受ける第２導電型の浮遊拡散層と、上記第
２導電型の浮遊拡散層の電位変化を検出する検出用トラ
ンジスタとを備えた固体撮像装置において、上記検出用
トランジスタが不連続な第１,第２のゲート電極を有
し、上記第１のゲート電極に開口部が形成され、上記開
口部が上記第２導電型の浮遊拡散層上に位置することを
特徴としている。
【００１２】上記一実施形態の発明の固体撮像装置によ
れば、上記検出用トランジスタが不連続な第１,第２の
ゲート電極を有し、その第１のゲート電極の開口部が第
２導電型の浮遊拡散層上に位置するので、第１のゲート
電極の開口部上に金属配線を形成することにより、セル
フアライメントになり、第２導電型の浮遊拡散層と金属
配線とが接続される。したがって、上記第２導電型の浮
遊拡散層とコンタクト穴との合わせマージンをなくすこ
とができ、第２導電型の浮遊拡散層の面積を低減でき
る。その結果、上記第２導電型の浮遊拡散層と半導体基
板間との接合容量が減少し、第２導電型の浮遊拡散層の
信号電荷を高感度に検出することができる。
れば、上記検出用トランジスタが不連続な第１,第２の
ゲート電極を有し、その第１のゲート電極の開口部が第
２導電型の浮遊拡散層上に位置するので、第１のゲート
電極の開口部上に金属配線を形成することにより、セル
フアライメントになり、第２導電型の浮遊拡散層と金属
配線とが接続される。したがって、上記第２導電型の浮
遊拡散層とコンタクト穴との合わせマージンをなくすこ
とができ、第２導電型の浮遊拡散層の面積を低減でき
る。その結果、上記第２導電型の浮遊拡散層と半導体基
板間との接合容量が減少し、第２導電型の浮遊拡散層の
信号電荷を高感度に検出することができる。
【００１３】また、本発明の固体撮像装置の製造方法
は、上記検出用トランジスタのゲート電極をエッチング
により形成する工程と、上記ゲート電極の開口部を取り
囲むように、上記ゲート電極上およびゲート電極の周り
にフォトレジストを形成する工程と、上記フォトレジス
トおよび上記ゲート電極をマスクとしてイオン注入を行
って、上記第２導電型の浮遊拡散層を上記ゲート電極の
開口部の下方に形成する工程とを有していることを特徴
としている。
は、上記検出用トランジスタのゲート電極をエッチング
により形成する工程と、上記ゲート電極の開口部を取り
囲むように、上記ゲート電極上およびゲート電極の周り
にフォトレジストを形成する工程と、上記フォトレジス
トおよび上記ゲート電極をマスクとしてイオン注入を行
って、上記第２導電型の浮遊拡散層を上記ゲート電極の
開口部の下方に形成する工程とを有していることを特徴
としている。
【００１４】本発明の固体撮像装置の製造方法によれ
ば、上記フォトレジストおよびゲート電極をマスクとし
てイオン注入を行って、第２導電型の浮遊拡散層をゲー
ト電極の開口部の下方に形成するので、セルフアライメ
ントになり、上記第２導電型の浮遊拡散層の合わせマー
ジンをなくすことができる。
ば、上記フォトレジストおよびゲート電極をマスクとし
てイオン注入を行って、第２導電型の浮遊拡散層をゲー
ト電極の開口部の下方に形成するので、セルフアライメ
ントになり、上記第２導電型の浮遊拡散層の合わせマー
ジンをなくすことができる。
【００１５】また、一実施形態の発明の固体撮像装置の
製造方法は、上記第２導電型の浮遊拡散層を、上記ゲー
ト電極の開口部の下方にセルフアライメントで形成する
ことを特徴としている。
製造方法は、上記第２導電型の浮遊拡散層を、上記ゲー
ト電極の開口部の下方にセルフアライメントで形成する
ことを特徴としている。
【００１６】上記一実施形態の発明の固体撮像装置の製
造方法によれば、上記第２導電型の浮遊拡散層がセルフ
アライメントで形成されるので、効率的である。
造方法によれば、上記第２導電型の浮遊拡散層がセルフ
アライメントで形成されるので、効率的である。
【００１７】また、一実施形態の発明の固体撮像装置の
製造方法は、上記ゲート電極の開口部の上方に位置する
ように平坦化層にコンタクト穴を形成し、上記コンタク
ト穴に金属配線を形成することにより、上記第２導電型
の浮遊拡散層と上記ゲート電極とを上記金属配線で接続
することを特徴としている。
製造方法は、上記ゲート電極の開口部の上方に位置する
ように平坦化層にコンタクト穴を形成し、上記コンタク
ト穴に金属配線を形成することにより、上記第２導電型
の浮遊拡散層と上記ゲート電極とを上記金属配線で接続
することを特徴としている。
【００１８】上記一実施形態の発明の固体撮像装置の製
造方法によれば、上記ゲート電極の開口部の上方に位置
するように平坦化層にコンタクト穴を形成し、コンタク
ト穴に金属配線を形成することにより、第２導電型の浮
遊拡散層とゲート電極とを金属配線で接続するので、セ
ルフアライメントになり、上記第２導電型の浮遊拡散層
とコンタクト穴との合わせマージンをなくすことができ
る。
造方法によれば、上記ゲート電極の開口部の上方に位置
するように平坦化層にコンタクト穴を形成し、コンタク
ト穴に金属配線を形成することにより、第２導電型の浮
遊拡散層とゲート電極とを金属配線で接続するので、セ
ルフアライメントになり、上記第２導電型の浮遊拡散層
とコンタクト穴との合わせマージンをなくすことができ
る。
【００１９】また、一実施形態の発明の固体撮像装置の
製造方法は、上記検出用トランジスタの第１,第２のゲ
ート電極をエッチングにより形成する工程と、上記第１
のゲート電極の開口部を取り囲むように、上記第１のゲ
ート電極上および第１のゲート電極の周りにフォトレジ
ストを形成する工程と、上記フォトレジストおよび上記
第１のゲート電極をマスクとしてイオン注入を行って、
上記第２導電型の浮遊拡散層を上記第１のゲート電極の
開口部の下方に形成する工程とを有していることを特徴
としている。
製造方法は、上記検出用トランジスタの第１,第２のゲ
ート電極をエッチングにより形成する工程と、上記第１
のゲート電極の開口部を取り囲むように、上記第１のゲ
ート電極上および第１のゲート電極の周りにフォトレジ
ストを形成する工程と、上記フォトレジストおよび上記
第１のゲート電極をマスクとしてイオン注入を行って、
上記第２導電型の浮遊拡散層を上記第１のゲート電極の
開口部の下方に形成する工程とを有していることを特徴
としている。
【００２０】上記一実施形態の発明の固体撮像装置の製
造方法によれば、上記フォトレジストおよび第１のゲー
ト電極をマスクとしてイオン注入を行って、第２導電型
の浮遊拡散層を第１のゲート電極の開口部の下方に形成
するので、セルフアライメントになり、上記第２導電型
の浮遊拡散層の合わせマージンをなくすことができる。
造方法によれば、上記フォトレジストおよび第１のゲー
ト電極をマスクとしてイオン注入を行って、第２導電型
の浮遊拡散層を第１のゲート電極の開口部の下方に形成
するので、セルフアライメントになり、上記第２導電型
の浮遊拡散層の合わせマージンをなくすことができる。
【００２１】また、一実施形態の発明の固体撮像装置の
製造方法は、上記第１,第２のゲート電極を同一工程で
同時に形成することを特徴としている。
製造方法は、上記第１,第２のゲート電極を同一工程で
同時に形成することを特徴としている。
【００２２】上記一実施形態の発明の固体撮像装置の製
造方法によれば、上記第１,第２のゲート電極を同一工
程で同時に形成するので、効率的に製造することができ
る。
造方法によれば、上記第１,第２のゲート電極を同一工
程で同時に形成するので、効率的に製造することができ
る。
【００２３】また、一実施形態の発明の固体撮像装置の
製造方法は、上記第２導電型の浮遊拡散層を、上記第１
のゲート電極の開口部の下方にセルフアライメントで形
成することを特徴としている。
製造方法は、上記第２導電型の浮遊拡散層を、上記第１
のゲート電極の開口部の下方にセルフアライメントで形
成することを特徴としている。
【００２４】上記一実施形態の発明の固体撮像装置の製
造方法によれば、上記第２導電型の浮遊拡散層がセルフ
アライメントで形成されるので、より効率的である。
造方法によれば、上記第２導電型の浮遊拡散層がセルフ
アライメントで形成されるので、より効率的である。
【００２５】また、一実施形態の発明の固体撮像装置の
製造方法は、上記第１のゲート電極の開口部の上方に位
置するように平坦化層にコンタクト穴を形成し、上記コ
ンタクト穴に金属配線を形成することにより、上記第２
導電型の浮遊拡散層と上記第１のゲート電極とを上記金
属配線で接続することを特徴としている。
製造方法は、上記第１のゲート電極の開口部の上方に位
置するように平坦化層にコンタクト穴を形成し、上記コ
ンタクト穴に金属配線を形成することにより、上記第２
導電型の浮遊拡散層と上記第１のゲート電極とを上記金
属配線で接続することを特徴としている。
【００２６】上記一実施形態の発明の固体撮像装置の製
造方法によれば、上記第１のゲート電極の開口部の上方
に位置するように平坦化層にコンタクト穴を形成し、コ
ンタクト穴に金属配線を形成することにより、第２導電
型の浮遊拡散層と第１のゲート電極とを金属配線で接続
するので、セルフアライメントになり、上記第２導電型
の浮遊拡散層とコンタクト穴との合わせマージンをなく
すことができる。
造方法によれば、上記第１のゲート電極の開口部の上方
に位置するように平坦化層にコンタクト穴を形成し、コ
ンタクト穴に金属配線を形成することにより、第２導電
型の浮遊拡散層と第１のゲート電極とを金属配線で接続
するので、セルフアライメントになり、上記第２導電型
の浮遊拡散層とコンタクト穴との合わせマージンをなく
すことができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＣＣＤを図示の実
施の形態により詳細に説明する。
施の形態により詳細に説明する。
【００２８】(第１の実施の形態)図１(ａ)は本発明の第
１の実施の形態のＣＣＤの要部の平面図であり、図１
(ｂ)は図１(ａ)のＢ−Ｂ線断面図である。
１の実施の形態のＣＣＤの要部の平面図であり、図１
(ｂ)は図１(ａ)のＢ−Ｂ線断面図である。
【００２９】上記ＣＣＤは、図１(ａ),(ｂ)に示すよう
に、第１導電型の半導体基板としてのＰ型半導体基板１
１と、Ｐ型半導体基板１１上に形成された電荷転送部と
しての水平転送部１と、水平転送部１から信号電荷を受
ける第２導電型の浮遊拡散層としてのＦＤ６と、ＦＤ６
の電位変化を検出する検出用トランジスタとしての検出
用ＭＯＳＦＥＴ５とを備えている。上記ＦＤ６をリセッ
トする場合、リセットゲート３に印加するリセットパル
ス電圧をハイレベルにする。また、上記水平転送部１か
らＦＤ６に信号電荷を転送する場合、リセットゲート３
のリセットパルス電圧をローレベルにする。なお、２は
水平出力ゲートである。
に、第１導電型の半導体基板としてのＰ型半導体基板１
１と、Ｐ型半導体基板１１上に形成された電荷転送部と
しての水平転送部１と、水平転送部１から信号電荷を受
ける第２導電型の浮遊拡散層としてのＦＤ６と、ＦＤ６
の電位変化を検出する検出用トランジスタとしての検出
用ＭＯＳＦＥＴ５とを備えている。上記ＦＤ６をリセッ
トする場合、リセットゲート３に印加するリセットパル
ス電圧をハイレベルにする。また、上記水平転送部１か
らＦＤ６に信号電荷を転送する場合、リセットゲート３
のリセットパルス電圧をローレベルにする。なお、２は
水平出力ゲートである。
【００３０】上記検出用ＭＯＳＦＥＴ５は、図１(ｂ)に
示すように、不連続な第１,第２のゲート電極９,１０を
有している。この第１のゲート電極９には、ＦＤ６上に
位置する開口部９ａを形成している。また、上記開口部
９ａの上方に位置するように、平坦化層としての平坦化
膜１４にコンタクト穴７を形成する。また、上記第２の
ゲート電極１０の第１のゲート電極９側の端部の上方に
位置するように、平坦化膜１４にコンタクト穴１７を形
成している。上記コンタクト穴７,１７に、金属配線と
してのアルミ配線８の材料を充填して、コンタクト穴
７,１７にアルミ配線８を形成している。上記コンタク
ト穴７を塞いでいるアルミ配線８が第１のゲート電極９
とＦＤ６とを接続してる。なお、１２はフィールド酸化
膜であり、１３はゲート酸化膜であり、１４は平坦化膜
である。
示すように、不連続な第１,第２のゲート電極９,１０を
有している。この第１のゲート電極９には、ＦＤ６上に
位置する開口部９ａを形成している。また、上記開口部
９ａの上方に位置するように、平坦化層としての平坦化
膜１４にコンタクト穴７を形成する。また、上記第２の
ゲート電極１０の第１のゲート電極９側の端部の上方に
位置するように、平坦化膜１４にコンタクト穴１７を形
成している。上記コンタクト穴７,１７に、金属配線と
してのアルミ配線８の材料を充填して、コンタクト穴
７,１７にアルミ配線８を形成している。上記コンタク
ト穴７を塞いでいるアルミ配線８が第１のゲート電極９
とＦＤ６とを接続してる。なお、１２はフィールド酸化
膜であり、１３はゲート酸化膜であり、１４は平坦化膜
である。
【００３１】上記構成のＣＣＤによれば、検出用ＭＯＳ
ＦＥＴ５が不連続な第１,第２のゲート電極９,１０を有
し、その第１のゲート電極９の開口部９ａがＦＤ６上に
位置するので、開口部９ａ上にアルミ配線８を形成する
ことにより、セルフアライメントになり、ＦＤ６とアル
ミ配線８とが接続される。したがって、上記ＦＤ６とコ
ンタクト穴７との合わせマージンをなくすことができ、
ＦＤ６の面積を低減できる。その結果、上記ＦＤ６と半
導体基板１１間との接合容量が減少し、ＦＤ６の信号電
荷を高感度に検出することができる。
ＦＥＴ５が不連続な第１,第２のゲート電極９,１０を有
し、その第１のゲート電極９の開口部９ａがＦＤ６上に
位置するので、開口部９ａ上にアルミ配線８を形成する
ことにより、セルフアライメントになり、ＦＤ６とアル
ミ配線８とが接続される。したがって、上記ＦＤ６とコ
ンタクト穴７との合わせマージンをなくすことができ、
ＦＤ６の面積を低減できる。その結果、上記ＦＤ６と半
導体基板１１間との接合容量が減少し、ＦＤ６の信号電
荷を高感度に検出することができる。
【００３２】上記ＣＣＤは次のようにして製造される。
【００３３】まず、ＬＯＣＯＳ(local oxidation of si
licon)法により、Ｐ型半導体基板１１上にフィールド酸
化膜１２を形成した後、そのフィールド酸化膜１２上に
ゲート酸化膜１３を形成する。
licon)法により、Ｐ型半導体基板１１上にフィールド酸
化膜１２を形成した後、そのフィールド酸化膜１２上に
ゲート酸化膜１３を形成する。
【００３４】次に、上記ゲート酸化膜１３上に、上記検
出用ＭＯＳＦＥＴ５の第１,第２のゲート電極９,１０の
材料を積層し、それをエッチングして、開口部９ａを有
する第１のゲート電極９と第２のゲート電極１０とを同
時に形成する。したがって、効率的である。
出用ＭＯＳＦＥＴ５の第１,第２のゲート電極９,１０の
材料を積層し、それをエッチングして、開口部９ａを有
する第１のゲート電極９と第２のゲート電極１０とを同
時に形成する。したがって、効率的である。
【００３５】次に、上記第１のゲート電極９の開口部９
ａを取り囲むように、第１のゲート電極９上および第１
のゲート電極９の周りにフォトレジストを形成する。そ
して、上記フォトレジストおよび第１のゲート電極９を
マスクとしてイオン注入を行って、ＦＤ６であるＮ+層
を開口部９ａの下方に形成する。したがって、上記ＦＤ
６がセルフアライメントで形成されるので、さらに効率
的である。また、このとき、上記フォトレジストにおい
て、開口部９ａに対応する開口は、開口部９ａより製造
ばらつきのマージン分大きければよい。
ａを取り囲むように、第１のゲート電極９上および第１
のゲート電極９の周りにフォトレジストを形成する。そ
して、上記フォトレジストおよび第１のゲート電極９を
マスクとしてイオン注入を行って、ＦＤ６であるＮ+層
を開口部９ａの下方に形成する。したがって、上記ＦＤ
６がセルフアライメントで形成されるので、さらに効率
的である。また、このとき、上記フォトレジストにおい
て、開口部９ａに対応する開口は、開口部９ａより製造
ばらつきのマージン分大きければよい。
【００３６】次に、上記フォトレジストを除去した後、
第１のゲート電極９上に平坦化膜１４を積層し、その平
坦化膜１４に対して選択的にエッチングを行って、第１
のゲート電極９の開口部９ａの上方の平坦化膜１４にコ
ンタクト穴７を形成する。また、上記第２のゲート電極
１０の第１のゲート電極９側の端部の上方の平坦化膜１
４にコンタクト穴１７を形成する。このとき、上記コン
タクト穴７は、第１のゲート電極９の開口部９ａより製
造ばらつき分大きく形成すればよい。そして、上記コン
タクト穴７にアルミ配線８の材料を充填してアルミ配線
８を形成し、そのアルミ配線８を介して第１のゲート電
極９とＦＤ６とを接続する。
第１のゲート電極９上に平坦化膜１４を積層し、その平
坦化膜１４に対して選択的にエッチングを行って、第１
のゲート電極９の開口部９ａの上方の平坦化膜１４にコ
ンタクト穴７を形成する。また、上記第２のゲート電極
１０の第１のゲート電極９側の端部の上方の平坦化膜１
４にコンタクト穴１７を形成する。このとき、上記コン
タクト穴７は、第１のゲート電極９の開口部９ａより製
造ばらつき分大きく形成すればよい。そして、上記コン
タクト穴７にアルミ配線８の材料を充填してアルミ配線
８を形成し、そのアルミ配線８を介して第１のゲート電
極９とＦＤ６とを接続する。
【００３７】このように、上記フォトレジストおよび第
１のゲート電極９をマスクとしてイオン注入を行って、
ＦＤ６を開口部９ａの下方に形成するので、セルフアラ
イメントになり、ＦＤ６の合わせマージンをなくすこと
ができる。
１のゲート電極９をマスクとしてイオン注入を行って、
ＦＤ６を開口部９ａの下方に形成するので、セルフアラ
イメントになり、ＦＤ６の合わせマージンをなくすこと
ができる。
【００３８】また、上記開口部９ａの上方の平坦化膜１
４にコンタクト穴７を形成し、コンタクト穴７にアルミ
配線８を形成することにより、ＦＤ６と第１のゲート電
極９とをアルミ配線８で接続するので、セルフアライメ
ントになり、ＦＤ６とコンタクト穴７との合わせマージ
ンをなくすことができる。
４にコンタクト穴７を形成し、コンタクト穴７にアルミ
配線８を形成することにより、ＦＤ６と第１のゲート電
極９とをアルミ配線８で接続するので、セルフアライメ
ントになり、ＦＤ６とコンタクト穴７との合わせマージ
ンをなくすことができる。
【００３９】上記実施の形態では、第１のゲート電極９
に開口部９ａを形成していたが、第１のゲート電極に切
り欠きを形成し、その切り欠きの下方にＦＤを形成して
もよい。つまり、ここで開口部とは、第１のゲート電極
で大部分囲まれたものをいう。
に開口部９ａを形成していたが、第１のゲート電極に切
り欠きを形成し、その切り欠きの下方にＦＤを形成して
もよい。つまり、ここで開口部とは、第１のゲート電極
で大部分囲まれたものをいう。
【００４０】(第２の実施の形態)図２(ａ)は本発明の第
２の実施の形態のＣＣＤの要部の平面図であり、図２
(ｂ)は図２(ａ)のＢ−Ｂ線断面図である。なお、図２
(ａ),(ｂ)において、図１(ａ),(ｂ)と同一構成部には同
一番号を付している。
２の実施の形態のＣＣＤの要部の平面図であり、図２
(ｂ)は図２(ａ)のＢ−Ｂ線断面図である。なお、図２
(ａ),(ｂ)において、図１(ａ),(ｂ)と同一構成部には同
一番号を付している。
【００４１】上記ＣＣＤは、図２(ａ),(ｂ)に示すよう
に、第１導電型の半導体基板としてのＰ型半導体基板１
１と、Ｐ型半導体基板１１上に形成された電荷転送部と
しての水平転送部１と、水平転送部１から信号電荷を受
ける第２導電型の浮遊拡散層としてのＦＤ２６と、ＦＤ
２６の電位変化を検出する検出用トランジスタとしての
検出用ＭＯＳＦＥＴ２５とを備えている。上記ＦＤ２６
をリセットする場合、リセットゲート３に印加するリセ
ットパルス電圧をハイレベルにする。また、上記水平転
送部１からＦＤ２６に信号電荷を転送する場合、リセッ
トゲート３のリセットパルス電圧をローレベルにする。
なお、２は水平出力ゲートである。
に、第１導電型の半導体基板としてのＰ型半導体基板１
１と、Ｐ型半導体基板１１上に形成された電荷転送部と
しての水平転送部１と、水平転送部１から信号電荷を受
ける第２導電型の浮遊拡散層としてのＦＤ２６と、ＦＤ
２６の電位変化を検出する検出用トランジスタとしての
検出用ＭＯＳＦＥＴ２５とを備えている。上記ＦＤ２６
をリセットする場合、リセットゲート３に印加するリセ
ットパルス電圧をハイレベルにする。また、上記水平転
送部１からＦＤ２６に信号電荷を転送する場合、リセッ
トゲート３のリセットパルス電圧をローレベルにする。
なお、２は水平出力ゲートである。
【００４２】上記検出用ＭＯＳＦＥＴ２５は、図２(ｂ)
に示すように、開口部３０ａが形成されたゲート電極３
０を有している。このゲート電極３０がＦＤ２６に向っ
て延在すると共に、開口部３０ａがＦＤ２６上に位置し
ている。また、上記開口部３０ａの上方に位置するよう
に、平坦化層としての平坦化膜１４にコンタクト穴２７
を形成する。そのコンタクト穴２７を金属配線としての
アルミ配線２８の材料で塞ぐことにより、アルミ配線２
８を形成している。このアルミ配線２８が、ゲート電極
３０とＦＤ２６とを接続している。なお、１２はフィー
ルド酸化膜であり、１３はゲート酸化膜であり、１４は
平坦化膜である。
に示すように、開口部３０ａが形成されたゲート電極３
０を有している。このゲート電極３０がＦＤ２６に向っ
て延在すると共に、開口部３０ａがＦＤ２６上に位置し
ている。また、上記開口部３０ａの上方に位置するよう
に、平坦化層としての平坦化膜１４にコンタクト穴２７
を形成する。そのコンタクト穴２７を金属配線としての
アルミ配線２８の材料で塞ぐことにより、アルミ配線２
８を形成している。このアルミ配線２８が、ゲート電極
３０とＦＤ２６とを接続している。なお、１２はフィー
ルド酸化膜であり、１３はゲート酸化膜であり、１４は
平坦化膜である。
【００４３】上記構成のＣＣＤによれば、上記検出用Ｍ
ＯＳＦＥＴ２５のゲート電極３０の開口部３０ａがＦＤ
２６上に位置するので、開口部３０ａ上にアルミ配線２
８を形成することにより、セルフアライメントになり、
ＦＤ２６とアルミ配線２８とが接続される。したがっ
て、上記ＦＤ２６とコンタクト穴２７との合わせマージ
ンをなくすことができ、ＦＤ２６の面積を低減できる。
その結果、上記ＦＤ２６と半導体基板１１間との接合容
量が減少し、ＦＤ２６の信号電荷を高感度に検出するこ
とができる。
ＯＳＦＥＴ２５のゲート電極３０の開口部３０ａがＦＤ
２６上に位置するので、開口部３０ａ上にアルミ配線２
８を形成することにより、セルフアライメントになり、
ＦＤ２６とアルミ配線２８とが接続される。したがっ
て、上記ＦＤ２６とコンタクト穴２７との合わせマージ
ンをなくすことができ、ＦＤ２６の面積を低減できる。
その結果、上記ＦＤ２６と半導体基板１１間との接合容
量が減少し、ＦＤ２６の信号電荷を高感度に検出するこ
とができる。
【００４４】図３(ａ)〜(ｄ)は上記ＣＣＤの製造方法の
工程図である。このＣＣＤは次のようにして製造され
る。
工程図である。このＣＣＤは次のようにして製造され
る。
【００４５】まず、図３(ａ)に示すように、ＬＯＣＯＳ
(local oxidation of silicon)法により、Ｐ型半導体基
板１１上にフィールド酸化膜１２を形成した後、そのフ
ィールド酸化膜１２上にゲート酸化膜１３を形成する。
(local oxidation of silicon)法により、Ｐ型半導体基
板１１上にフィールド酸化膜１２を形成した後、そのフ
ィールド酸化膜１２上にゲート酸化膜１３を形成する。
【００４６】次に、図３(ｂ)に示すように、上記ゲート
酸化膜１３上に、検出用ＭＯＳＦＥＴ２５のゲート電極
３０の材料を積層し、それをエッチングして、開口部３
０ａを有するゲート電極３０を形成する。
酸化膜１３上に、検出用ＭＯＳＦＥＴ２５のゲート電極
３０の材料を積層し、それをエッチングして、開口部３
０ａを有するゲート電極３０を形成する。
【００４７】次に、図３(ｃ)に示すように、上記ゲート
電極３０の開口部３０ａを取り囲むように、ゲート電極
３０上およびゲート電極３０の周りにフォトレジスト１
５をに積層させる。そして、上記フォトレジスト１５お
よびゲート電極３０をマスクとしてイオン注入を行っ
て、ＦＤ２６であるＮ+層を開口部３０ａの下方に形成
する。したがって、上記ＦＤ２６がセルフアライメント
で形成されるので、効率的である。また、このとき、上
記フォトレジスト１５において、開口部３０ａに対応す
る開口１５ａは、開口部３０ａより製造ばらつきのマー
ジン分大きければよい。
電極３０の開口部３０ａを取り囲むように、ゲート電極
３０上およびゲート電極３０の周りにフォトレジスト１
５をに積層させる。そして、上記フォトレジスト１５お
よびゲート電極３０をマスクとしてイオン注入を行っ
て、ＦＤ２６であるＮ+層を開口部３０ａの下方に形成
する。したがって、上記ＦＤ２６がセルフアライメント
で形成されるので、効率的である。また、このとき、上
記フォトレジスト１５において、開口部３０ａに対応す
る開口１５ａは、開口部３０ａより製造ばらつきのマー
ジン分大きければよい。
【００４８】次に、上記フォトレジスト１５を除去した
後、図３(ｄ)に示すように、ゲート電極３０上に平坦化
膜１４を積層し、その平坦化膜１４に対して選択的にエ
ッチングを行って、開口部３０ａの上方の平坦化膜１４
にコンタクト穴２７を形成する。このとき、上記コンタ
クト穴２７は、ゲート電極３０の開口部３０ａより製造
ばらつき分大きく形成すればよい。そして、上記コンタ
クト穴２７にアルミ配線２８の材料を充填してアルミ配
線２８を形成し、そのアルミ配線２８を介してゲート電
極３０とＦＤ２６とを接続する。
後、図３(ｄ)に示すように、ゲート電極３０上に平坦化
膜１４を積層し、その平坦化膜１４に対して選択的にエ
ッチングを行って、開口部３０ａの上方の平坦化膜１４
にコンタクト穴２７を形成する。このとき、上記コンタ
クト穴２７は、ゲート電極３０の開口部３０ａより製造
ばらつき分大きく形成すればよい。そして、上記コンタ
クト穴２７にアルミ配線２８の材料を充填してアルミ配
線２８を形成し、そのアルミ配線２８を介してゲート電
極３０とＦＤ２６とを接続する。
【００４９】このように、上記フォトレジスト１５およ
びゲート電極３０をマスクとしてイオン注入を行って、
ＦＤ２６を開口部３０ａの下方に形成するので、セルフ
アライメントになり、ＦＤ２６の合わせマージンをなく
すことができる。
びゲート電極３０をマスクとしてイオン注入を行って、
ＦＤ２６を開口部３０ａの下方に形成するので、セルフ
アライメントになり、ＦＤ２６の合わせマージンをなく
すことができる。
【００５０】また、上記開口部３０ａの上方の平坦化膜
１４にコンタクト穴２７を形成し、コンタクト穴２７に
アルミ配線２８を形成することにより、ＦＤ２６とゲー
ト電極３０とをアルミ配線２８で接続するので、セルフ
アライメントになり、ＦＤ２６とコンタクト穴２７との
合わせマージンをなくすことができる。
１４にコンタクト穴２７を形成し、コンタクト穴２７に
アルミ配線２８を形成することにより、ＦＤ２６とゲー
ト電極３０とをアルミ配線２８で接続するので、セルフ
アライメントになり、ＦＤ２６とコンタクト穴２７との
合わせマージンをなくすことができる。
【００５１】上記実施の形態では、ゲート電極３０に開
口部３０ａを形成していたが、ゲート電極に切り欠きを
形成し、その切り欠きの下方にＦＤを形成してもよい。
つまり、ここで開口部とは、ゲート電極で大部分囲まれ
たものをいう。
口部３０ａを形成していたが、ゲート電極に切り欠きを
形成し、その切り欠きの下方にＦＤを形成してもよい。
つまり、ここで開口部とは、ゲート電極で大部分囲まれ
たものをいう。
【００５２】なお、本発明は、請求の範囲内において種
々の変更が可能であり、上記第１,第２の実施の形態に
限定されない。
々の変更が可能であり、上記第１,第２の実施の形態に
限定されない。
【００５３】
【発明の効果】以上より明らかなように、本発明の固体
撮像装置は、検出用トランジスタのゲート電極に形成さ
れた開口部が第２導電型の浮遊拡散層上に位置するの
で、ゲート電極の開口部上に金属配線を形成することに
より、セルフアライメントになり、第２導電型の浮遊拡
散層と金属配線とが接続される。したがって、上記第２
導電型の浮遊拡散層の面積を低減でき、第２導電型の浮
遊拡散層の信号電荷を高感度に検出することができる。
撮像装置は、検出用トランジスタのゲート電極に形成さ
れた開口部が第２導電型の浮遊拡散層上に位置するの
で、ゲート電極の開口部上に金属配線を形成することに
より、セルフアライメントになり、第２導電型の浮遊拡
散層と金属配線とが接続される。したがって、上記第２
導電型の浮遊拡散層の面積を低減でき、第２導電型の浮
遊拡散層の信号電荷を高感度に検出することができる。
【００５４】一実施形態の発明の固体撮像装置によれ
ば、上記検出用トランジスタが不連続な第１,第２のゲ
ート電極を有し、その第１のゲート電極の開口部が第２
導電型の浮遊拡散層上に位置するので、第１のゲート電
極の開口部上に金属配線を形成することにより、セルフ
アライメントになり、第２導電型の浮遊拡散層と金属配
線とが接続される。したがって、上記第２導電型の浮遊
拡散層の面積を低減でき、第２導電型の浮遊拡散層の信
号電荷を高感度に検出することができる。
ば、上記検出用トランジスタが不連続な第１,第２のゲ
ート電極を有し、その第１のゲート電極の開口部が第２
導電型の浮遊拡散層上に位置するので、第１のゲート電
極の開口部上に金属配線を形成することにより、セルフ
アライメントになり、第２導電型の浮遊拡散層と金属配
線とが接続される。したがって、上記第２導電型の浮遊
拡散層の面積を低減でき、第２導電型の浮遊拡散層の信
号電荷を高感度に検出することができる。
【００５５】本発明の固体撮像装置の製造方法は、フォ
トレジストおよびゲート電極をマスクとしてイオン注入
を行って、第２導電型の浮遊拡散層をゲート電極の開口
部の下方に形成するので、セルフアライメントになり、
第２導電型の浮遊拡散層の合わせマージンをなくすこと
ができる。
トレジストおよびゲート電極をマスクとしてイオン注入
を行って、第２導電型の浮遊拡散層をゲート電極の開口
部の下方に形成するので、セルフアライメントになり、
第２導電型の浮遊拡散層の合わせマージンをなくすこと
ができる。
【００５６】一実施形態の発明の固体撮像装置の製造方
法は、上記浮遊拡散層をセルフアライメントで形成する
ので、効率的に製造することができる。
法は、上記浮遊拡散層をセルフアライメントで形成する
ので、効率的に製造することができる。
【００５７】一実施形態の発明の固体撮像装置の製造方
法は、上記ゲート電極の開口部の上方に位置するように
平坦化層にコンタクト穴を形成し、コンタクト穴に金属
配線を形成することにより、第２導電型の浮遊拡散層と
ゲート電極とを金属配線で接続するので、セルフアライ
メントになり、第２導電型の浮遊拡散層とコンタクト穴
との合わせマージンをなくすことができる。
法は、上記ゲート電極の開口部の上方に位置するように
平坦化層にコンタクト穴を形成し、コンタクト穴に金属
配線を形成することにより、第２導電型の浮遊拡散層と
ゲート電極とを金属配線で接続するので、セルフアライ
メントになり、第２導電型の浮遊拡散層とコンタクト穴
との合わせマージンをなくすことができる。
【００５８】一実施形態の発明の固体撮像装置の製造方
法は、上記フォトレジストおよび第１のゲート電極をマ
スクとしてイオン注入を行って、第２導電型の浮遊拡散
層を第１のゲート電極の開口部の下方に形成するので、
セルフアライメントになり、第２導電型の浮遊拡散層の
合わせマージンをなくすことができる。
法は、上記フォトレジストおよび第１のゲート電極をマ
スクとしてイオン注入を行って、第２導電型の浮遊拡散
層を第１のゲート電極の開口部の下方に形成するので、
セルフアライメントになり、第２導電型の浮遊拡散層の
合わせマージンをなくすことができる。
【００５９】一実施形態の発明の固体撮像装置の製造方
法は、上記第１,第２のゲート電極を同一工程で同時に
形成するので、効率的に製造することができる。
法は、上記第１,第２のゲート電極を同一工程で同時に
形成するので、効率的に製造することができる。
【００６０】一実施形態の発明の固体撮像装置の製造方
法は、上記浮遊拡散層をセルフアライメントで形成する
ので、効率的に製造することができる。
法は、上記浮遊拡散層をセルフアライメントで形成する
ので、効率的に製造することができる。
【００６１】一実施形態の発明の固体撮像装置の製造方
法によれば、上記第１のゲート電極の開口部の上方に位
置するように平坦化層にコンタクト穴を形成し、コンタ
クト穴に金属配線を形成することにより、第２導電型の
浮遊拡散層と第１のゲート電極とを上記金属配線で接続
するので、セルフアライメントになり、第２導電型の浮
遊拡散層とコンタクト穴との合わせマージンをなくすこ
とができる。
法によれば、上記第１のゲート電極の開口部の上方に位
置するように平坦化層にコンタクト穴を形成し、コンタ
クト穴に金属配線を形成することにより、第２導電型の
浮遊拡散層と第１のゲート電極とを上記金属配線で接続
するので、セルフアライメントになり、第２導電型の浮
遊拡散層とコンタクト穴との合わせマージンをなくすこ
とができる。
【図１】 図１(ａ)は本発明の第１の実施の形態の固体
撮像装置の平面図であり、図１(ｂ)は図１(ａ)のＢ−Ｂ
線断面図である。
撮像装置の平面図であり、図１(ｂ)は図１(ａ)のＢ−Ｂ
線断面図である。
【図２】 図２(ａ)は本発明の第２の実施の形態の固体
撮像装置の平面図であり、図２(ｂ)は図２(ａ)のＢ−Ｂ
線断面図である。
撮像装置の平面図であり、図２(ｂ)は図２(ａ)のＢ−Ｂ
線断面図である。
【図３】 図３は上記第２の実施の形態の固体撮像装置
の製造方法の工程図である。
の製造方法の工程図である。
【図４】 図４は従来の固体撮像装置の平面図であり、
図４(ｂ)は図４(ａ)のＢ−Ｂ線断面図である。
図４(ｂ)は図４(ａ)のＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】 図５は他の従来の固体撮像装置の平面図であ
り、図５(ｂ)は図５(ａ)のＢ−Ｂ線断面図である。
り、図５(ｂ)は図５(ａ)のＢ−Ｂ線断面図である。
１ 水平転送部 ２ 水平出力ゲート ３ リセットゲート ４ リセットドレイン ５,２５ 検出用ＭＯＳＦＥＴ ６,２６ ＦＤ(浮遊拡散層) ７,１７,２７ コンタクト穴 ８,２８ アルミ配線 ９ 第１のゲート電極 １０ 第２のゲート電極 １４ 平坦化膜 ３０ ゲート電極 ９ａ,３０ａ 開口部
Claims (9)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板と、上記第１導
電型の半導体基板上に形成された電荷転送部と、上記電
荷転送部から信号電荷を受ける第２導電型の浮遊拡散層
と、上記第２導電型の浮遊拡散層の電位変化を検出する
検出用トランジスタとを備えた固体撮像装置において、 上記検出用トランジスタのゲート電極に開口部が形成さ
れ、 上記検出用トランジスタのゲート電極が上記第２導電型
の浮遊拡散層に向って延在すると共に、上記開口部が上
記第２導電型の浮遊拡散層上に位置することを特徴とす
る固体撮像装置。 - 【請求項２】 第１導電型の半導体基板と、上記第１導
電型の半導体基板上に形成された電荷転送部と、上記電
荷転送部から信号電荷を受ける第２導電型の浮遊拡散層
と、上記第２導電型の浮遊拡散層の電位変化を検出する
検出用トランジスタとを備えた固体撮像装置において、 上記検出用トランジスタが不連続な第１,第２のゲート
電極を有し、 上記第１のゲート電極に開口部が形成され、 上記開口部が上記第２導電型の浮遊拡散層上に位置する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の固体撮像装置の製造方
法であって、 上記検出用トランジスタのゲート電極をエッチングによ
り形成する工程と、 上記ゲート電極の開口部を取り囲むように、上記ゲート
電極上およびゲート電極の周りにフォトレジストを形成
する工程と、 上記フォトレジストおよび上記ゲート電極をマスクとし
てイオン注入を行って、上記第２導電型の浮遊拡散層を
上記ゲート電極の開口部の下方に形成する工程とを有し
ていることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の固体撮像装置の製造方
法において、 上記第２導電型の浮遊拡散層を、上記ゲート電極の開口
部の下方にセルフアライメントで形成することを特徴と
する固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項３または４に記載の固体撮像装置
の製造方法において、 上記ゲート電極の開口部の上方に位置するように平坦化
層にコンタクト穴を形成し、上記コンタクト穴に金属配
線を形成することにより、上記第２導電型の浮遊拡散層
と上記ゲート電極とを上記金属配線で接続することを特
徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項２の固体撮像装置の製造方法であ
って、 上記検出用トランジスタの第１,第２のゲート電極をエ
ッチングにより形成する工程と、 上記第１のゲート電極の開口部を取り囲むように、上記
第１のゲート電極上および第１のゲート電極の周りにフ
ォトレジストを形成する工程と、 上記フォトレジストおよび上記第１のゲート電極をマス
クとしてイオン注入を行って、上記第２導電型の浮遊拡
散層を上記第１のゲート電極の開口部の下方に形成する
工程とを有していることを特徴とする固体撮像装置の製
造方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の固体撮像装置の製造方
法において、 上記第１,第２のゲート電極を同一工程で同時に形成す
ることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項６または７に記載の固体撮像装置
の製造方法において、 上記第２導電型の浮遊拡散層を、上記第１のゲート電極
の開口部の下方にセルフアライメントで形成することを
特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項６乃至８のいずれか１つに記載の
固体撮像装置の製造方法において、 上記第１のゲート電極の開口部の上方に位置するように
平坦化層にコンタクト穴を形成し、上記コンタクト穴に
金属配線を形成することにより、上記第２導電型の浮遊
拡散層と上記第１のゲート電極とを上記金属配線で接続
することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2000044297A JP2001237408A (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US09/740,507 US6545301B2 (en) | 2000-02-22 | 2000-12-19 | Solid-state image sensor and manufacturing method therefor |
| KR10-2001-0004815A KR100514110B1 (ko) | 2000-02-22 | 2001-02-01 | 고체촬상장치 및 그의 제조방법 |
| KR10-2003-0047890A KR100489343B1 (ko) | 2000-02-22 | 2003-07-14 | 고체촬상장치 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000044297A JP2001237408A (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
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|---|---|
| JP2001237408A true JP2001237408A (ja) | 2001-08-31 |
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ID=18567076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000044297A Pending JP2001237408A (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6545301B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001237408A (ja) |
| KR (2) | KR100514110B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100676203B1 (ko) * | 2005-06-21 | 2007-01-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 설비용 정전 척의 냉각 장치 |
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- 2001-02-01 KR KR10-2001-0004815A patent/KR100514110B1/ko not_active Expired - Fee Related
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2003
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| US20010015428A1 (en) | 2001-08-23 |
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| KR100514110B1 (ko) | 2005-09-09 |
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