JP2001237605A - 移相器 - Google Patents
移相器Info
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- JP2001237605A JP2001237605A JP2000045769A JP2000045769A JP2001237605A JP 2001237605 A JP2001237605 A JP 2001237605A JP 2000045769 A JP2000045769 A JP 2000045769A JP 2000045769 A JP2000045769 A JP 2000045769A JP 2001237605 A JP2001237605 A JP 2001237605A
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- input
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で高精度に位相が調整可能であり、さら
に相互変調を発生しない構成の移相器を得ることを目的
とする。 【解決手段】 ２つのマイクロストリップ線路を伝播す
る信号を、２つのマイクロストリップ線路が重なりあう
線路部分で絶縁体により容量結合させ、この重なりあう
線路長を変化させ、位相を調整するとともに複数の線路
長を一定比率で同時に変化させそれぞれの位相を高精度
に調整する。
に相互変調を発生しない構成の移相器を得ることを目的
とする。 【解決手段】 ２つのマイクロストリップ線路を伝播す
る信号を、２つのマイクロストリップ線路が重なりあう
線路部分で絶縁体により容量結合させ、この重なりあう
線路長を変化させ、位相を調整するとともに複数の線路
長を一定比率で同時に変化させそれぞれの位相を高精度
に調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、位相を連続的に
変化させることができる移相器に関するものであり、例
えば移動体通信基地局用アンテナに用いられている移相
器に関するものである。
変化させることができる移相器に関するものであり、例
えば移動体通信基地局用アンテナに用いられている移相
器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１１は移動体通信サービスである携帯
電話システムのサービスイメージを示す図である。図１
１において、１ａ、１ｂは基地局用アンテナ、２ａ、２
ｂ、・・・は子局、３ａ、３ｂ、・・・は、基地局１と
子局２が通信可能なサービスエリアを示す通信対象領域
（以後セル）、４は各セルで使用する周波数ｆ１、ｆ
２、・・・である。
電話システムのサービスイメージを示す図である。図１
１において、１ａ、１ｂは基地局用アンテナ、２ａ、２
ｂ、・・・は子局、３ａ、３ｂ、・・・は、基地局１と
子局２が通信可能なサービスエリアを示す通信対象領域
（以後セル）、４は各セルで使用する周波数ｆ１、ｆ
２、・・・である。
【０００３】携帯電話システムでは基地局用アンテナ１
から放射された周波数４の電波を用いて各子局２と通信
を行っているが、電波は大気中で減衰するため、周波数
４を用いて通信可能な領域がセル３の大きさとなるが、
大量の子局２を効率的に収容可能にするため同一周波数
４を離れたセル３で繰返して使用するセル方式をとって
いる。例えばセル３ａとセル３ｊでは同一の周波数４、
ｆ１を使用しているが、セル３ａにいる子局２ａ、２
ｂ、２ｃ、２ｄはセル３ｊから伝播してくる周波数４、
ｆ１の電波も受信可能であるが、この電波は子局２ａ、
２ｂ、２ｃ、２ｄにとっては干渉波となるため、通話品
質が劣化したり通話収容量が低下する場合がある。この
干渉波の影響を低減する技術として基地局用アンテナ１
のメインビームの水平方向からの角度（以後チルト角）
を地面方向に向けて、他セルへの電波の放射を低減し、
かつ自セル内に電波を効率よく放射する、ビームチルト
技術が必須となっている。
から放射された周波数４の電波を用いて各子局２と通信
を行っているが、電波は大気中で減衰するため、周波数
４を用いて通信可能な領域がセル３の大きさとなるが、
大量の子局２を効率的に収容可能にするため同一周波数
４を離れたセル３で繰返して使用するセル方式をとって
いる。例えばセル３ａとセル３ｊでは同一の周波数４、
ｆ１を使用しているが、セル３ａにいる子局２ａ、２
ｂ、２ｃ、２ｄはセル３ｊから伝播してくる周波数４、
ｆ１の電波も受信可能であるが、この電波は子局２ａ、
２ｂ、２ｃ、２ｄにとっては干渉波となるため、通話品
質が劣化したり通話収容量が低下する場合がある。この
干渉波の影響を低減する技術として基地局用アンテナ１
のメインビームの水平方向からの角度（以後チルト角）
を地面方向に向けて、他セルへの電波の放射を低減し、
かつ自セル内に電波を効率よく放射する、ビームチルト
技術が必須となっている。
【０００４】前記ビームチルト技術においてチルト角を
変更する方法としては、基地局用アンテナ１をいくつか
のサブアレーアンテナに分割し、各サブアレーアンテナ
の励振位相を電気的に変化させる電気チルトが一般的で
ある。電気的にチルト角を変化させるため、従来は各サ
ブアレーアンテナへ給電している給電ケーブルの長さを
変え、この長さにより給電位相を調整していた。この方
法は簡易で低価格となるが、一度チルト角を決定し実運
用を開始した後にチルト角を変化させることは極めて困
難であるため、近年は外部制御が可能で実運用開始後も
チルト角の調整が容易な移相器を用いて各サブアレーア
ンテナへの給電位相を調整する方法が一般的となりつつ
ある。
変更する方法としては、基地局用アンテナ１をいくつか
のサブアレーアンテナに分割し、各サブアレーアンテナ
の励振位相を電気的に変化させる電気チルトが一般的で
ある。電気的にチルト角を変化させるため、従来は各サ
ブアレーアンテナへ給電している給電ケーブルの長さを
変え、この長さにより給電位相を調整していた。この方
法は簡易で低価格となるが、一度チルト角を決定し実運
用を開始した後にチルト角を変化させることは極めて困
難であるため、近年は外部制御が可能で実運用開始後も
チルト角の調整が容易な移相器を用いて各サブアレーア
ンテナへの給電位相を調整する方法が一般的となりつつ
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように例えば携
帯電話システムにおいては移相器を用いて給電位相を調
整可能であることが必須となってきており、そのための
移相器としては小型で高精度に位相が変化可能であるこ
とが要求される。また近年の携帯電話の普及により一層
の周波数利用効率の向上が要求され、低相互変調特性の
重要性がますます高くなっており相互変調を発生しない
構成の移相器が必要とされている。
帯電話システムにおいては移相器を用いて給電位相を調
整可能であることが必須となってきており、そのための
移相器としては小型で高精度に位相が変化可能であるこ
とが要求される。また近年の携帯電話の普及により一層
の周波数利用効率の向上が要求され、低相互変調特性の
重要性がますます高くなっており相互変調を発生しない
構成の移相器が必要とされている。
【０００６】この発明は、かかる問題を解決するために
なされたもので、小型で高精度に位相が調整可能であ
り、さらに相互変調を発生しない構成の移相器を得るこ
とを目的とする。
なされたもので、小型で高精度に位相が調整可能であ
り、さらに相互変調を発生しない構成の移相器を得るこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明による移相器
は、第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板上に設
けられ、かつ一端に入力端子を有し、他端が先端開放の
入力側マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体基
板に設けられ、かつ一端に出力端子を有し、他端が先端
開放の出力側マイクロストリップ線路と、前記第１の誘
電体基板に対して可動する第２の誘電体基板と、前記第
２の誘電体基板上に設けられ、両端が先端開放の結合用
マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体基板と前
記第２の誘電体基板の間に設けられた絶縁体とを具備
し、前記入力側マイクロストリップ線路、および前記出
力側マイクロストリップ線路と、前記結合用マイクロス
トリップ線路とを互いに重なるように向かい合せたもの
である。
は、第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板上に設
けられ、かつ一端に入力端子を有し、他端が先端開放の
入力側マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体基
板に設けられ、かつ一端に出力端子を有し、他端が先端
開放の出力側マイクロストリップ線路と、前記第１の誘
電体基板に対して可動する第２の誘電体基板と、前記第
２の誘電体基板上に設けられ、両端が先端開放の結合用
マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体基板と前
記第２の誘電体基板の間に設けられた絶縁体とを具備
し、前記入力側マイクロストリップ線路、および前記出
力側マイクロストリップ線路と、前記結合用マイクロス
トリップ線路とを互いに重なるように向かい合せたもの
である。
【０００８】第２の発明による移相器は、第１の誘電体
基板と、前記第１の誘電体基板上に設けられ、かつ一端
に入力端子を有し、他端が先端開放の２つの入力側マイ
クロストリップ線路と、前記第１の誘電体基板に設けら
れ、かつ一端に出力端子を有し、他端が先端開放の２つ
の出力側マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体
基板に対して可動する第２の誘電体基板と、前記第２の
誘電体基板上に設けられ、かつ両端が先端開放の２つの
結合用マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体基
板と前記第２の誘電体基板の間に設けられた絶縁体とを
具備し、前記２つの入力側マイクロストリップ線路、お
よび前記２つの出力側マイクロストリップ線路と、前記
２つの結合用マイクロストリップ線路とを互いに重なる
ように向かい合せ、かつそれぞれを直線上に配置したも
のである。
基板と、前記第１の誘電体基板上に設けられ、かつ一端
に入力端子を有し、他端が先端開放の２つの入力側マイ
クロストリップ線路と、前記第１の誘電体基板に設けら
れ、かつ一端に出力端子を有し、他端が先端開放の２つ
の出力側マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体
基板に対して可動する第２の誘電体基板と、前記第２の
誘電体基板上に設けられ、かつ両端が先端開放の２つの
結合用マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体基
板と前記第２の誘電体基板の間に設けられた絶縁体とを
具備し、前記２つの入力側マイクロストリップ線路、お
よび前記２つの出力側マイクロストリップ線路と、前記
２つの結合用マイクロストリップ線路とを互いに重なる
ように向かい合せ、かつそれぞれを直線上に配置したも
のである。
【０００９】第３の発明による移相器は、第１の誘電体
基板と、前記第１の誘電体基板上に設けられ、かつ一端
に入力端子を有し、他端が先端開放の２つの入力側マイ
クロストリップ線路と、前記第１の誘電体基板に設けら
れ、かつ一端に出力端子を有し、他端が先端開放の２つ
の出力側マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体
基板に対して可動する第２の誘電体基板と、前記第２の
誘電体基板上に設けられ、両端が先端開放の２つの結合
用マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体基板と
前記第２の誘電体基板の間に設けられた絶縁体とを具備
し、前記２つの入力側マイクロストリップ線路、および
前記２つの出力側マイクロストリップ線路と、前記２つ
の結合用マイクロストリップ線路とを互いに重なるよう
に向かい合せ、かつそれぞれを平行に配置したものであ
る。
基板と、前記第１の誘電体基板上に設けられ、かつ一端
に入力端子を有し、他端が先端開放の２つの入力側マイ
クロストリップ線路と、前記第１の誘電体基板に設けら
れ、かつ一端に出力端子を有し、他端が先端開放の２つ
の出力側マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体
基板に対して可動する第２の誘電体基板と、前記第２の
誘電体基板上に設けられ、両端が先端開放の２つの結合
用マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体基板と
前記第２の誘電体基板の間に設けられた絶縁体とを具備
し、前記２つの入力側マイクロストリップ線路、および
前記２つの出力側マイクロストリップ線路と、前記２つ
の結合用マイクロストリップ線路とを互いに重なるよう
に向かい合せ、かつそれぞれを平行に配置したものであ
る。
【００１０】第４の発明による移相器は、第１の誘電体
基板と、前記第１の誘電体基板上に設けられ、かつ一端
に入力端子を有し、他端が先端開放の複数の入力側マイ
クロストリップ線路と、前記第１の誘電体基板に設けら
れ、かつ一端に出力端子を有し、他端が先端開放の複数
の出力側マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体
基板に対して可動する第２の誘電体基板と、前記第２の
誘電体基板上に設けられ両端が先端開放の複数の結合用
マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体基板と前
記第２の誘電体基板の間に設けられた絶縁体とを具備
し、前記複数の入力側マイクロストリップ線路、および
前記複数の出力側マイクロストリップ線路と、前記複数
の結合用マイクロストリップ線路とを互いに重なるよう
に向かい合せ、かつそれぞれを直線上、または平行に配
置したものである。
基板と、前記第１の誘電体基板上に設けられ、かつ一端
に入力端子を有し、他端が先端開放の複数の入力側マイ
クロストリップ線路と、前記第１の誘電体基板に設けら
れ、かつ一端に出力端子を有し、他端が先端開放の複数
の出力側マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体
基板に対して可動する第２の誘電体基板と、前記第２の
誘電体基板上に設けられ両端が先端開放の複数の結合用
マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体基板と前
記第２の誘電体基板の間に設けられた絶縁体とを具備
し、前記複数の入力側マイクロストリップ線路、および
前記複数の出力側マイクロストリップ線路と、前記複数
の結合用マイクロストリップ線路とを互いに重なるよう
に向かい合せ、かつそれぞれを直線上、または平行に配
置したものである。
【００１１】第５の発明による移相器は、前記入力側マ
イクロストリップ線路と、前記出力側マイクロストリッ
プ線路と、前記結合用マイクロストリップ線路にインピ
ーダンス整合回路を具備したものである。
イクロストリップ線路と、前記出力側マイクロストリッ
プ線路と、前記結合用マイクロストリップ線路にインピ
ーダンス整合回路を具備したものである。
【００１２】第６の発明による移相器は、前記マイクロ
ストリップ線路にインピーダンス整合回路を具備したも
のである。
ストリップ線路にインピーダンス整合回路を具備したも
のである。
【００１３】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明に
おける実施の形態１の移相器構成を示す図である。図１
において、１は第１の誘電体基板、２は第１の誘電体基
板１上に設けられ、一端に入力端子を有し、他端が先端
開放の入力側マイクロストリップ線路、３は第１の誘電
体基板１に設けられ、一端に出力端子を有し、他端が先
端開放の出力側マイクロストリップ線路、４は入力側マ
イクロストリップ線路２に接続する入力端子、５は出力
側マイクロストリップ線路３に接続する出力端子、６は
第２の誘電体基板、７は第２の誘電体基板６上に設けら
れ、両端が先端開放の結合用マイクロストリップ線路、
８は第１の誘電体基板１と第２の誘電体基板６の間に設
けてある絶縁体を示す。
おける実施の形態１の移相器構成を示す図である。図１
において、１は第１の誘電体基板、２は第１の誘電体基
板１上に設けられ、一端に入力端子を有し、他端が先端
開放の入力側マイクロストリップ線路、３は第１の誘電
体基板１に設けられ、一端に出力端子を有し、他端が先
端開放の出力側マイクロストリップ線路、４は入力側マ
イクロストリップ線路２に接続する入力端子、５は出力
側マイクロストリップ線路３に接続する出力端子、６は
第２の誘電体基板、７は第２の誘電体基板６上に設けら
れ、両端が先端開放の結合用マイクロストリップ線路、
８は第１の誘電体基板１と第２の誘電体基板６の間に設
けてある絶縁体を示す。
【００１４】なお、図１（ａ）は上面視図、（ｂ）は側
面視図、（ｃ）は側面視図（ｂ）のＡの方向から見た第
１の誘電体基板１の構成図、（ｄ）は側面視図（ｂ）の
Ｂの方向から見た第２の誘電体基板６の構成図を示す。
図２、図３はそれぞれこの発明における実施の形態１の
移相特性例、リターンロス特性例を示す図である。
面視図、（ｃ）は側面視図（ｂ）のＡの方向から見た第
１の誘電体基板１の構成図、（ｄ）は側面視図（ｂ）の
Ｂの方向から見た第２の誘電体基板６の構成図を示す。
図２、図３はそれぞれこの発明における実施の形態１の
移相特性例、リターンロス特性例を示す図である。
【００１５】次に動作について説明する。入力端子４よ
り入力した信号は入力側マイクロストリップ線路２を進
行する。この入力側マイクロストリップ線路２を進行す
る信号は入力側マイクロストリップ線路２と結合用マイ
クロストリップ線路７が重なった部分で絶縁体８を介し
て容量的に結合し、その後結合用マイクロストリップ線
路７を進行し、結合用マイクロストリップ線路７と出力
側マイクロストリップ線路３が重なった部分で再度絶縁
体８を介して容量的に結合し、その後信号は出力側マイ
クロストリップ線路３を進行し出力端子５より出力す
る。
り入力した信号は入力側マイクロストリップ線路２を進
行する。この入力側マイクロストリップ線路２を進行す
る信号は入力側マイクロストリップ線路２と結合用マイ
クロストリップ線路７が重なった部分で絶縁体８を介し
て容量的に結合し、その後結合用マイクロストリップ線
路７を進行し、結合用マイクロストリップ線路７と出力
側マイクロストリップ線路３が重なった部分で再度絶縁
体８を介して容量的に結合し、その後信号は出力側マイ
クロストリップ線路３を進行し出力端子５より出力す
る。
【００１６】ここで例えば第２の誘電体基板６を距離Ｌ
だけ方向Ｃへ移動すると、入力側マイクロストリップ線
路２、および出力側マイクロストリップ線路３と、結合
用マイクロストリップ線路７とが重なりあう部分がＬだ
け減るため、移動前と比べて入力端子４から出力端子５
を通過する信号の位相は（２×Ｌ）／λｇだけ遅れるこ
とになる。ここでλｇは等価誘電率εrの基板を伝播す
る信号の等価波長である。
だけ方向Ｃへ移動すると、入力側マイクロストリップ線
路２、および出力側マイクロストリップ線路３と、結合
用マイクロストリップ線路７とが重なりあう部分がＬだ
け減るため、移動前と比べて入力端子４から出力端子５
を通過する信号の位相は（２×Ｌ）／λｇだけ遅れるこ
とになる。ここでλｇは等価誘電率εrの基板を伝播す
る信号の等価波長である。
【００１７】従って、第２の誘電体基板６の移動量を調
整することにより、入力端子４から出力端子５を通過す
る信号の位相を連続的に可変可能で、かつ第２の誘電体
基板６の移動量に対して位相変化量がほぼ線形となる移
相器が得られる。さらに絶縁体８を介して容量結合して
いるため、位相を調整する場合にも入力側マイクロスト
リップ線路２、および出力側マイクロストリップ線路３
と、結合用マイクロストリップ線路７とが直接接触しな
いため相互変調を発生しない構成となっている。
整することにより、入力端子４から出力端子５を通過す
る信号の位相を連続的に可変可能で、かつ第２の誘電体
基板６の移動量に対して位相変化量がほぼ線形となる移
相器が得られる。さらに絶縁体８を介して容量結合して
いるため、位相を調整する場合にも入力側マイクロスト
リップ線路２、および出力側マイクロストリップ線路３
と、結合用マイクロストリップ線路７とが直接接触しな
いため相互変調を発生しない構成となっている。
【００１８】またこの実施の形態１の移相器では、入力
側マイクロストリップ線路２、および出力側マイクロス
トリップ線路３と、結合用マイクロストリップ線路７と
が重なりあう部分が約０〜約λｇ／２の範囲内では、入
力側マイクロストリップ線路２、および出力側マイクロ
ストリップ線路３と、結合用マイクロストリップ線路７
間の容量値の変化が小さいため、入力端子４、出力端子
５でのリターンロス特性の変化が小さくなる。
側マイクロストリップ線路２、および出力側マイクロス
トリップ線路３と、結合用マイクロストリップ線路７と
が重なりあう部分が約０〜約λｇ／２の範囲内では、入
力側マイクロストリップ線路２、および出力側マイクロ
ストリップ線路３と、結合用マイクロストリップ線路７
間の容量値の変化が小さいため、入力端子４、出力端子
５でのリターンロス特性の変化が小さくなる。
【００１９】実施の形態２．図４はこの発明における実
施の形態２の移相器構成を示す図である。入力側マイク
ロストリップ線路２と入力側マイクロストリップ線路２
ａ、出力側マイクロストリップ線路３と出力側マイクロ
ストリップ線路３ａ、結合用マイクロストリップ線路７
と結合用マイクロストリップ線路７ａはそれぞれ直線上
になるように配置されている。図５はこの発明における
実施の形態２の移相特性例を示す図である。
施の形態２の移相器構成を示す図である。入力側マイク
ロストリップ線路２と入力側マイクロストリップ線路２
ａ、出力側マイクロストリップ線路３と出力側マイクロ
ストリップ線路３ａ、結合用マイクロストリップ線路７
と結合用マイクロストリップ線路７ａはそれぞれ直線上
になるように配置されている。図５はこの発明における
実施の形態２の移相特性例を示す図である。
【００２０】この実施の形態２の移相器は、前記実施の
形態１と同様な動作により、第２の誘電体基板６の移動
量を調整することにより、入力端子４から出力端子５を
通過する信号の位相を連続的に可変可能で、かつ第２の
誘電体基板６の移動量に対して位相変化量がほぼ線形と
なる移相器が得られる。例えば第２の誘電体基板６を距
離Ｌだけ方向Ｃへ移動すると、入力側マイクロストリッ
プ線路２、および出力側マイクロストリップ線路３と、
結合用マイクロストリップ線路７とが重なりあう部分が
Ｌだけ増えるため、移動前と比べて入力端子４から出力
端子５を通過する信号の位相は（２×Ｌ）／λｇだけ進
むことになる。
形態１と同様な動作により、第２の誘電体基板６の移動
量を調整することにより、入力端子４から出力端子５を
通過する信号の位相を連続的に可変可能で、かつ第２の
誘電体基板６の移動量に対して位相変化量がほぼ線形と
なる移相器が得られる。例えば第２の誘電体基板６を距
離Ｌだけ方向Ｃへ移動すると、入力側マイクロストリッ
プ線路２、および出力側マイクロストリップ線路３と、
結合用マイクロストリップ線路７とが重なりあう部分が
Ｌだけ増えるため、移動前と比べて入力端子４から出力
端子５を通過する信号の位相は（２×Ｌ）／λｇだけ進
むことになる。
【００２１】一方、入力側マイクロストリップ線路２
ａ、および出力側マイクロストリップ線路３ａと、結合
用マイクロストリップ線路７ａとが重なりあう部分はＬ
だけ減るため、移動前と比べて入力端子４ａから出力端
子５ａを通過する信号の位相は（２×Ｌ）／λｇだけ遅
れることになる。つまり第２の誘電体基板６の移動量に
対して、入力端子４から出力端子５を通過する信号の移
動前との位相変化量をφとすると、入力端子４ａから出
力端子５ａを通過する信号の位相変化量は−φとなり、
出力端子５ａは出力端子５と位相変化量は同一だが、逆
相の位相変化が得られる移相器となる。また、可動部分
が第２の誘電体基板６のみであるので、出力端子５、５
ａの位相変化量の誤差が少なくなり、高精度に位相を調
整できる。
ａ、および出力側マイクロストリップ線路３ａと、結合
用マイクロストリップ線路７ａとが重なりあう部分はＬ
だけ減るため、移動前と比べて入力端子４ａから出力端
子５ａを通過する信号の位相は（２×Ｌ）／λｇだけ遅
れることになる。つまり第２の誘電体基板６の移動量に
対して、入力端子４から出力端子５を通過する信号の移
動前との位相変化量をφとすると、入力端子４ａから出
力端子５ａを通過する信号の位相変化量は−φとなり、
出力端子５ａは出力端子５と位相変化量は同一だが、逆
相の位相変化が得られる移相器となる。また、可動部分
が第２の誘電体基板６のみであるので、出力端子５、５
ａの位相変化量の誤差が少なくなり、高精度に位相を調
整できる。
【００２２】実施の形態３．図６はこの発明における実
施の形態３の移相器構成を示す図である。図６におい
て、９は第１の誘電体基板１上に設けられ両端が先端開
放のマイクロストリップ線路を示す。入力側マイクロス
トリップ線路２と入力側マイクロストリップ線路２ｂと
マイクロストリップ線路９ｂと出力側マイクロストリッ
プ線路３と出力側マイクロストリップ線路３ｂと結合用
マイクロストリップ線路７と結合用マイクロストリップ
線路７ｂ１と結合用マイクロストリップ線路７ｂ２はそ
れぞれ平行になるように配置されている。図７はこの発
明における実施の形態３の移相特性例を示す図である。
施の形態３の移相器構成を示す図である。図６におい
て、９は第１の誘電体基板１上に設けられ両端が先端開
放のマイクロストリップ線路を示す。入力側マイクロス
トリップ線路２と入力側マイクロストリップ線路２ｂと
マイクロストリップ線路９ｂと出力側マイクロストリッ
プ線路３と出力側マイクロストリップ線路３ｂと結合用
マイクロストリップ線路７と結合用マイクロストリップ
線路７ｂ１と結合用マイクロストリップ線路７ｂ２はそ
れぞれ平行になるように配置されている。図７はこの発
明における実施の形態３の移相特性例を示す図である。
【００２３】実施の形態３の移相器は、前記実施の形態
１と同様な動作により、第２の誘電体基板６の移動量を
調整することにより、入力端子４から出力端子５を通過
する信号の位相を連続的に可変可能で、かつ第２の誘電
体基板６の移動量に対して位相変化量がほぼ線形となる
移相器が得られる。例えば第２の誘電体基板６を距離Ｌ
だけ方向Ｃへ移動すると、入力側マイクロストリップ線
路２、および出力側マイクロストリップ線路３と、結合
用マイクロストリップ線路７とが重なりあう部分がＬだ
け増えるため、移動前と比べて入力端子４から出力端子
５を通過する信号の位相は（２×Ｌ）／λｇだけ進むこ
とになる。
１と同様な動作により、第２の誘電体基板６の移動量を
調整することにより、入力端子４から出力端子５を通過
する信号の位相を連続的に可変可能で、かつ第２の誘電
体基板６の移動量に対して位相変化量がほぼ線形となる
移相器が得られる。例えば第２の誘電体基板６を距離Ｌ
だけ方向Ｃへ移動すると、入力側マイクロストリップ線
路２、および出力側マイクロストリップ線路３と、結合
用マイクロストリップ線路７とが重なりあう部分がＬだ
け増えるため、移動前と比べて入力端子４から出力端子
５を通過する信号の位相は（２×Ｌ）／λｇだけ進むこ
とになる。
【００２４】一方、入力側マイクロストリップ線路２
ｂ、マイクロストリップ線路９ｂ、および出力側マイク
ロストリップ線路３ｂと、結合用マイクロストリップ線
路７ｂ、７ｃとが重なりあう部分は２×Ｌだけ減るた
め、移動前と比べて入力端子４ｂから出力端子５ｂを通
過する信号の位相は（４×Ｌ）／λｇだけ進むことにな
る。つまり第２の誘電体基板６の移動量に対して、入力
端子４から出力端子５を通過する信号の移動前との位相
変化量をφとすると、入力端子４ｂから出力端子５ｂを
通過する信号の位相変化量は２φとなり、出力端子５ｂ
は出力端子５と同相だが、位相変化量が２倍の位相変化
が得られる移相器となる。また、可動部分が第２の誘電
体基板６のみであるので、出力端子５、５ｂの位相変化
量の誤差が少なくなり、高精度に位相を調整できる。
ｂ、マイクロストリップ線路９ｂ、および出力側マイク
ロストリップ線路３ｂと、結合用マイクロストリップ線
路７ｂ、７ｃとが重なりあう部分は２×Ｌだけ減るた
め、移動前と比べて入力端子４ｂから出力端子５ｂを通
過する信号の位相は（４×Ｌ）／λｇだけ進むことにな
る。つまり第２の誘電体基板６の移動量に対して、入力
端子４から出力端子５を通過する信号の移動前との位相
変化量をφとすると、入力端子４ｂから出力端子５ｂを
通過する信号の位相変化量は２φとなり、出力端子５ｂ
は出力端子５と同相だが、位相変化量が２倍の位相変化
が得られる移相器となる。また、可動部分が第２の誘電
体基板６のみであるので、出力端子５、５ｂの位相変化
量の誤差が少なくなり、高精度に位相を調整できる。
【００２５】実施の形態４．図８はこの発明における実
施の形態４の移相器構成を示す図である。第１の誘電体
基板１上に４つの入力側マイクロストリップ線路２と、
２つのマイクロストリップ線路９と、４つの出力側マイ
クロストリップ線路３を設け、第２の誘電体基板６上に
６つの結合用マイクロストリップ線路を設けたものであ
る。入力側マイクロストリップ線路２と入力側マイクロ
ストリップ線路２ａ、出力側マイクロストリップ線路３
と出力側マイクロストリップ線路３ａ、結合用マイクロ
ストリップ線路７と結合用マイクロストリップ線路７ａ
はそれぞれ直線上になるように配置され、入力側マイク
ロストリップ線路２ｂと入力側マイクロストリップ線路
２ｃ、マイクロストリップ線路９ｂとマイクロストリッ
プ線路９ｃ、出力側マイクロストリップ線路３ｂと出力
側マイクロストリップ線路３ｃ、結合用マイクロストリ
ップ線路７ｂと結合用マイクロストリップ線路７ｃはそ
れぞれ直線上になるように配置され、かつ入力側マイク
ロストリップ線路２と入力側マイクロストリップ線路２
ｂとマイクロストリップ線路９ｂと出力側マイクロスト
リップ線路３と出力側マイクロストリップ線路３ｂと結
合用マイクロストリップ線路７と結合用マイクロストリ
ップ線路７ｂ１と結合用マイクロストリップ線路７ｂ２
はそれぞれ平行になるように配置され、さらに入力側マ
イクロストリップ線路２ａと入力側マイクロストリップ
線路２ｃとマイクロストリップ線路９ｃと出力側マイク
ロストリップ線路３ａと出力側マイクロストリップ線路
３ｃと結合用マイクロストリップ線路７ａと結合用マイ
クロストリップ線路７ｃ１と結合用マイクロストリップ
線路７ｃ２もそれぞれ平行になるように配置されてい
る。図９はこの発明における実施の形態４の移相特性例
を示す図である。
施の形態４の移相器構成を示す図である。第１の誘電体
基板１上に４つの入力側マイクロストリップ線路２と、
２つのマイクロストリップ線路９と、４つの出力側マイ
クロストリップ線路３を設け、第２の誘電体基板６上に
６つの結合用マイクロストリップ線路を設けたものであ
る。入力側マイクロストリップ線路２と入力側マイクロ
ストリップ線路２ａ、出力側マイクロストリップ線路３
と出力側マイクロストリップ線路３ａ、結合用マイクロ
ストリップ線路７と結合用マイクロストリップ線路７ａ
はそれぞれ直線上になるように配置され、入力側マイク
ロストリップ線路２ｂと入力側マイクロストリップ線路
２ｃ、マイクロストリップ線路９ｂとマイクロストリッ
プ線路９ｃ、出力側マイクロストリップ線路３ｂと出力
側マイクロストリップ線路３ｃ、結合用マイクロストリ
ップ線路７ｂと結合用マイクロストリップ線路７ｃはそ
れぞれ直線上になるように配置され、かつ入力側マイク
ロストリップ線路２と入力側マイクロストリップ線路２
ｂとマイクロストリップ線路９ｂと出力側マイクロスト
リップ線路３と出力側マイクロストリップ線路３ｂと結
合用マイクロストリップ線路７と結合用マイクロストリ
ップ線路７ｂ１と結合用マイクロストリップ線路７ｂ２
はそれぞれ平行になるように配置され、さらに入力側マ
イクロストリップ線路２ａと入力側マイクロストリップ
線路２ｃとマイクロストリップ線路９ｃと出力側マイク
ロストリップ線路３ａと出力側マイクロストリップ線路
３ｃと結合用マイクロストリップ線路７ａと結合用マイ
クロストリップ線路７ｃ１と結合用マイクロストリップ
線路７ｃ２もそれぞれ平行になるように配置されてい
る。図９はこの発明における実施の形態４の移相特性例
を示す図である。
【００２６】実施の形態４の移相器は、前記実施の形態
１と同様な動作により、第２の誘電体基板６の移動量を
調整することで、入力端子４から出力端子５を通過する
信号の位相を連続的に可変可能で、かつ第２の誘電体基
板６の移動量に対して位相変化量がほぼ線形となる移相
器が得られる。第２の誘電体基板６の移動量に対して、
入力端子４から出力端子５を通過する信号の移動前との
位相変化量をφとすると、入力端子４ａから出力端子５
ａを通過する信号の位相変化量は−φ、入力端子４ｂか
ら出力端子５ｂを通過する信号の位相変化量は２φ、入
力端子４ｃから出力端子５ｃを通過する信号の位相変化
量は−２φとなり、出力端子５ｃ、５ａ、５、５ｂでの
位相変化量がそれぞれ−２：−１：１：２である移相器
となる。また、可動部分が第２の誘電体基板６のみであ
るので、出力端子５、５ａ、５ｂ、５ｃの位相変化量の
誤差が少なくなり、高精度に位相を調整できる。また複
数の入力側マイクロストリップ線路２と、複数のマイク
ロストリップ線路９と、複数の出力側マイクロストリッ
プ線路３と、複数の結合用マイクロストリップ線路７に
より、複数の出力位相をそれぞれ同相、または逆相と
し、かつその位相変化量がｎ（ｎ＝２、３、・・・）倍
異なる位相が得られる移相器を構成できる。
１と同様な動作により、第２の誘電体基板６の移動量を
調整することで、入力端子４から出力端子５を通過する
信号の位相を連続的に可変可能で、かつ第２の誘電体基
板６の移動量に対して位相変化量がほぼ線形となる移相
器が得られる。第２の誘電体基板６の移動量に対して、
入力端子４から出力端子５を通過する信号の移動前との
位相変化量をφとすると、入力端子４ａから出力端子５
ａを通過する信号の位相変化量は−φ、入力端子４ｂか
ら出力端子５ｂを通過する信号の位相変化量は２φ、入
力端子４ｃから出力端子５ｃを通過する信号の位相変化
量は−２φとなり、出力端子５ｃ、５ａ、５、５ｂでの
位相変化量がそれぞれ−２：−１：１：２である移相器
となる。また、可動部分が第２の誘電体基板６のみであ
るので、出力端子５、５ａ、５ｂ、５ｃの位相変化量の
誤差が少なくなり、高精度に位相を調整できる。また複
数の入力側マイクロストリップ線路２と、複数のマイク
ロストリップ線路９と、複数の出力側マイクロストリッ
プ線路３と、複数の結合用マイクロストリップ線路７に
より、複数の出力位相をそれぞれ同相、または逆相と
し、かつその位相変化量がｎ（ｎ＝２、３、・・・）倍
異なる位相が得られる移相器を構成できる。
【００２７】実施の形態５．図１０はこの発明における
実施の形態５の移相器構成の一例を示す図である。図１
０において、１０ａ、１０ｂ、・・・はインピーダンス
整合回路を示す。
実施の形態５の移相器構成の一例を示す図である。図１
０において、１０ａ、１０ｂ、・・・はインピーダンス
整合回路を示す。
【００２８】実施の形態５は前記実施の形態１から実施
の形態４の移相器において、入力側マイクロストリップ
線路２、および出力側マイクロストリップ線路３の先端
開放部分からほぼλｇ／４の部分にそれぞれ適当なイン
ピーダンス整合回路１０ａ、１０ｂを設け、第１の誘電
体基板１上に両端が先端開放の適当なインピーダンス整
合回路１０ｃを設け、さらに結合用マイクロストリップ
線路７の全長をほぼλｇ／２とし、先端開放部分からほ
ぼλｇ／４の部分に適当なインピーダンス整合回路１０
ｄ、１０ｅを設けたものである。
の形態４の移相器において、入力側マイクロストリップ
線路２、および出力側マイクロストリップ線路３の先端
開放部分からほぼλｇ／４の部分にそれぞれ適当なイン
ピーダンス整合回路１０ａ、１０ｂを設け、第１の誘電
体基板１上に両端が先端開放の適当なインピーダンス整
合回路１０ｃを設け、さらに結合用マイクロストリップ
線路７の全長をほぼλｇ／２とし、先端開放部分からほ
ぼλｇ／４の部分に適当なインピーダンス整合回路１０
ｄ、１０ｅを設けたものである。
【００２９】実施の形態５によれば、実施の形態１、
２、３、４の効果に加え、実施の形態１、２、３、４に
比較しより良好な入出力特性が得られ、低挿入損失化、
位相の線形性が改善する。さらにマイクロストリップ線
路９の先端開放部分からほぼλｇ／４の部分に適当なイ
ンピーダンス整合回路１０を設けても同様の効果が得ら
れる。
２、３、４の効果に加え、実施の形態１、２、３、４に
比較しより良好な入出力特性が得られ、低挿入損失化、
位相の線形性が改善する。さらにマイクロストリップ線
路９の先端開放部分からほぼλｇ／４の部分に適当なイ
ンピーダンス整合回路１０を設けても同様の効果が得ら
れる。
【００３０】
【発明の効果】第１の発明によれば容量結合するマイク
ロストリップ線路長を変化させることにより、信号の位
相を連続的に可変可能で、位相変化量がほぼ線形となる
移相器が得られる。さらに位相を変化させる場合に、異
種金属間の接触がない構成となっているため、低相互変
調特性が得られる。
ロストリップ線路長を変化させることにより、信号の位
相を連続的に可変可能で、位相変化量がほぼ線形となる
移相器が得られる。さらに位相を変化させる場合に、異
種金属間の接触がない構成となっているため、低相互変
調特性が得られる。
【００３１】第２の発明によれば、第１の発明の効果に
加え、２つの出力位相の位相変化量は同一だが、それぞ
れ逆相の位相が得られるという効果がある。さらに２つ
の出力位相の誤差が少なく、高精度に位相を調整できる
という効果がある。
加え、２つの出力位相の位相変化量は同一だが、それぞ
れ逆相の位相が得られるという効果がある。さらに２つ
の出力位相の誤差が少なく、高精度に位相を調整できる
という効果がある。
【００３２】第３の発明によれば、第１の発明の効果に
加え、２つの出力位相は同相で、かつその位相変化量が
２倍異なる位相が得られるという効果がある。さらに２
つの出力位相の誤差が少なく、高精度に位相を調整でき
るという効果がある。
加え、２つの出力位相は同相で、かつその位相変化量が
２倍異なる位相が得られるという効果がある。さらに２
つの出力位相の誤差が少なく、高精度に位相を調整でき
るという効果がある。
【００３３】第４の発明によれば、第１の発明の効果に
加え、複数の出力位相をそれぞれ同相、または逆相と
し、かつその位相変化量がｎ（ｎ＝２、３、・・・）倍
異なる位相が得られるという効果がある。さらに複数の
出力位相の誤差が少なく、高精度に位相を調整できると
いう効果がある。
加え、複数の出力位相をそれぞれ同相、または逆相と
し、かつその位相変化量がｎ（ｎ＝２、３、・・・）倍
異なる位相が得られるという効果がある。さらに複数の
出力位相の誤差が少なく、高精度に位相を調整できると
いう効果がある。
【００３４】第５、第６の発明によれば、第１から第４
の発明の効果に加え、より良好な入出力特性が得られ、
低挿入損失化、位相の線形性が改善するという効果があ
る。
の発明の効果に加え、より良好な入出力特性が得られ、
低挿入損失化、位相の線形性が改善するという効果があ
る。
【図１】 この発明の実施の形態１を示す移相器の構成
図である。
図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による移相特性例を
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態１によるリターンロス
特性例を示す図である。
特性例を示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態２を示す移相器の構成
図である。
図である。
【図５】 この発明の実施の形態２による移相特性例を
を示す図である。
を示す図である。
【図６】 この発明の実施の形態３を示す移相器の構成
図である。
図である。
【図７】 この発明の実施の形態３による移相特性例を
を示す図である。
を示す図である。
【図８】 この発明の実施の形態４を示す移相器の構成
図である。
図である。
【図９】 この発明の実施の形態５を示す移相器の構成
図である。
図である。
【図１０】 この発明の実施の形態５を示す移相器の構
成図である。
成図である。
【図１１】 一般的な携帯電話サービスのイメージ図で
ある。
ある。
１ 第１の誘電体基板、２ 入力側マイクロストリップ線
路、３ 出力側マイクロストリップ線路、４ 入力端子、
５ 出力端子、６ 第２の誘電体基板、７ 結合用マイク
ロストリップ線路、８ 絶縁体、９ マイクロストリップ
線路、１０ インピーダンス整合回路。
路、３ 出力側マイクロストリップ線路、４ 入力端子、
５ 出力端子、６ 第２の誘電体基板、７ 結合用マイク
ロストリップ線路、８ 絶縁体、９ マイクロストリップ
線路、１０ インピーダンス整合回路。
Claims (6)
- 【請求項１】 第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体
基板上に設けられ、かつ一端に入力端子を有し、他端が
先端開放の入力側マイクロストリップ線路と、前記第１
の誘電体基板に設けられ、一端に出力端子を有し、他端
が先端開放の出力側マイクロストリップ線路と、前記第
１の誘電体基板に対して可動する第２の誘電体基板と、
前記第２の誘電体基板上に設けられ、両端が先端開放の
結合用マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体基
板と前記第２の誘電体基板の間に設けられた絶縁体とを
具備し、前記入力側マイクロストリップ線路、および前
記出力側マイクロストリップ線路と、前記結合用マイク
ロストリップ線路とを互いに重なるように向かい合せた
こと特徴とする移相器。 - 【請求項２】 第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体
基板上に設けられ、かつ一端に入力端子を有し、他端が
先端開放の２つの入力側マイクロストリップ線路と、前
記第１の誘電体基板に設けられ、かつ一端に出力端子を
有し、他端が先端開放の２つの出力側マイクロストリッ
プ線路と、前記第１の誘電体基板に対して可動する第２
の誘電体基板と、前記第２の誘電体基板上に設けられ、
両端が先端開放の２つの結合用マイクロストリップ線路
と、前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板の間
に設けられた絶縁体とを具備し、前記２つの入力側マイ
クロストリップ線路、および前記２つの出力側マイクロ
ストリップ線路と、前記２つの結合用マイクロストリッ
プ線路とを互いに重なるように向かい合せ、かつそれぞ
れを直線上に配置したこと特徴とする移相器。 - 【請求項３】 第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体
基板上に設けられ一端に入力端子を有し他端が先端開放
の２つの入力側マイクロストリップ線路と、前記第１の
誘電体基板上に設けられ両端が先端開放のマイクロスト
リップ線路と、前記第１の誘電体基板に設けられ、一端
に出力端子を有し他端が先端開放の２つの出力側マイク
ロストリップ線路と、前記第１の誘電体基板に対して可
動する第２の誘電体基板と、前記第２の誘電体基板上に
設けられ、両端が先端開放の３つの結合用マイクロスト
リップ線路と、前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電
体基板の間に設けられた絶縁体とを具備し、前記２つの
入力側マイクロストリップ線路、前記マイクロストリッ
プ線路、および前記２つの出力側マイクロストリップ線
路と、前記３つの結合用マイクロストリップ線路とを互
いに重なるように向かい合せ、かつそれぞれを平行に配
置したこと特徴とする移相器。 - 【請求項４】 第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体
基板上に設けられ、かつ一端に入力端子を有し、他端が
先端開放の複数の入力側マイクロストリップ線路と、前
記第１の誘電体基板上に設けられ、両端が先端開放の複
数のマイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体基板
に設けられ、一端に出力端子を有し、他端が先端開放の
複数の出力側マイクロストリップ線路と、前記第１の誘
電体基板に対して可動する第２の誘電体基板と、前記第
２の誘電体基板上に設けられ、両端が先端開放の複数の
結合用マイクロストリップ線路と、前記第１の誘電体基
板と前記第２の誘電体基板の間に設けられた絶縁体とを
具備し、前記複数の入力側マイクロストリップ線路、前
記複数のマイクロストリップ線路、および前記複数の出
力側マイクロストリップ線路と、前記複数の結合用マイ
クロストリップ線路とを互いに重なるように向かい合
せ、かつそれぞれを直線上、または平行に配置したこと
特徴とする移相器。 - 【請求項５】 前記入力側マイクロストリップ線路、前
記出力側マイクロストリップ線路、前記結合用マイクロ
ストリップ線路にインピーダンス整合回路を具備したこ
とを特徴とする請求項１〜４いずれか記載の移相器。 - 【請求項６】 マイクロストリップ線路にインピーダン
ス整合回路を具備したことを特徴とする請求項４記載の
移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000045769A JP2001237605A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000045769A JP2001237605A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 移相器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001237605A true JP2001237605A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=18568303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000045769A Pending JP2001237605A (ja) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | 移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001237605A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2011065706A3 (ko) * | 2009-11-24 | 2011-10-27 | 주식회사 에이스테크놀로지 | 슬로우 웨이브 구조를 이용하는 엔포트 피딩 시스템 및 이에 포함된 피딩 소자 |
| CN101707271B (zh) * | 2008-12-24 | 2012-01-25 | 广东通宇通讯股份有限公司 | 等相差分多路复合移相器 |
| WO2020135775A1 (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-02 | 华为技术有限公司 | 耦合馈电的装置、移相器和天线 |
| CN111952698A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-11-17 | 京信通信技术(广州)有限公司 | 一种移相器单元、移相器和阵列天线 |
| CN113178700A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-07-27 | 京信通信技术(广州)有限公司 | 移相器、功分网络、天线以及基站 |
-
2000
- 2000-02-23 JP JP2000045769A patent/JP2001237605A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101151984B1 (ko) * | 2009-11-24 | 2012-06-01 | 주식회사 에이스테크놀로지 | 슬로우 웨이브 구조를 이용하는 엔포트 피딩 시스템 및 이에 포함된 피딩 소자 |
| CN102648550A (zh) * | 2009-11-24 | 2012-08-22 | Ace技术株式会社 | 使用慢波结构的n端口馈电系统及包含于其中的馈电装置 |
| US20120229359A1 (en) * | 2009-11-24 | 2012-09-13 | Ace Technologies Corporation | N port feeding system using a slow wave structure feeding device included in the same |
| CN102648550B (zh) * | 2009-11-24 | 2015-11-25 | Ace技术株式会社 | 使用慢波结构的n端口馈电系统及包含于其中的馈电装置 |
| US9252498B2 (en) | 2009-11-24 | 2016-02-02 | Ace Technologies Corporation | N port feeding system using a slow wave structure feeding device included in the same |
| WO2020135775A1 (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-02 | 华为技术有限公司 | 耦合馈电的装置、移相器和天线 |
| CN111384563A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 华为技术有限公司 | 耦合馈电的装置、移相器和天线 |
| CN111952698A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-11-17 | 京信通信技术(广州)有限公司 | 一种移相器单元、移相器和阵列天线 |
| CN113178700A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-07-27 | 京信通信技术(广州)有限公司 | 移相器、功分网络、天线以及基站 |
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