JP2002107309A - 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 - Google Patents
欠陥検査装置及び欠陥検査方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】位相シフトマスク等超解像技術を用いたマスク
においても、設計データから正確な光学像をシミュレー
ションし参照データとして用い、誤認のない欠陥検査装
置を提供することを目的とする。 【解決手段】パターンを具備する検査基板上のパターン
を光学的に読み取り、電気的な画像情報である検出画像
データに変換し、前記検査基板の設計データからシミュ
レーションによって光学画像を求め参照データとし、前
記検出画像データと前記参照データとを比較することに
よって欠陥検査をする欠陥検査装置において、前記設計
データから２値又は多値の展開データを発生させ、前記
検査基板の複素透過率分布又は複素反射率分布を求める
第１の処理手段と、前記複素透過率分布又は前記複素反
射率分布から光学像として前記参照データを計算する第
２の処理手段と、前記検出画像データと前記参照データ
を比較する比較手段とを具備することを特徴とする欠陥
検査装置。
においても、設計データから正確な光学像をシミュレー
ションし参照データとして用い、誤認のない欠陥検査装
置を提供することを目的とする。 【解決手段】パターンを具備する検査基板上のパターン
を光学的に読み取り、電気的な画像情報である検出画像
データに変換し、前記検査基板の設計データからシミュ
レーションによって光学画像を求め参照データとし、前
記検出画像データと前記参照データとを比較することに
よって欠陥検査をする欠陥検査装置において、前記設計
データから２値又は多値の展開データを発生させ、前記
検査基板の複素透過率分布又は複素反射率分布を求める
第１の処理手段と、前記複素透過率分布又は前記複素反
射率分布から光学像として前記参照データを計算する第
２の処理手段と、前記検出画像データと前記参照データ
を比較する比較手段とを具備することを特徴とする欠陥
検査装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスク、レ
ティクル、液晶パネル、プリント基板等のパターンを有
する基板の欠陥を検出するための欠陥検査装置及び欠陥
検査方法に関する。
ティクル、液晶パネル、プリント基板等のパターンを有
する基板の欠陥を検出するための欠陥検査装置及び欠陥
検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の回路パターンは、複数の原
画パターンを有するフォトマスクを用いて、露光装置に
より半導体基板上に転写することによって形成される。
近年半導体素子における回路パターンはますます微細化
され、フォトマスクにおいてもさらなる微細化が求めら
れている。
画パターンを有するフォトマスクを用いて、露光装置に
より半導体基板上に転写することによって形成される。
近年半導体素子における回路パターンはますます微細化
され、フォトマスクにおいてもさらなる微細化が求めら
れている。
【０００３】このようなフォトマスクにピンドットやピ
ンホールのような欠陥が存在してしまえば、露光する回
路パターンの寸法等に多大な影響を与えデバイス性能を
著しく劣化させたり製品歩留まりを低下させたりする問
題が生じる。
ンホールのような欠陥が存在してしまえば、露光する回
路パターンの寸法等に多大な影響を与えデバイス性能を
著しく劣化させたり製品歩留まりを低下させたりする問
題が生じる。
【０００４】そこでフォトマスク作成段階において、欠
陥を１００％検出し修正する必要がある。そのためには
フォトマスク作成後に、原画パターン上の欠陥を検出す
るための欠陥検査装置が必要になる。
陥を１００％検出し修正する必要がある。そのためには
フォトマスク作成後に、原画パターン上の欠陥を検出す
るための欠陥検査装置が必要になる。
【０００５】前述したように近年のフォトマスクのパタ
ーンもますます微細化しており、１ＧＤＲＡＭ用のフォ
トマスクでは、検出すべき欠陥サイズが１００ｎｍとい
う微小なものになっている。
ーンもますます微細化しており、１ＧＤＲＡＭ用のフォ
トマスクでは、検出すべき欠陥サイズが１００ｎｍとい
う微小なものになっている。
【０００６】また、検出すべき欠陥はサイズだけの問題
に留まらず、位相シフトマスクや光近接効果補正マスク
等の超解像技術によるマスクに対応して、高感度な欠陥
検査を行う必要が叫ばれてきている。
に留まらず、位相シフトマスクや光近接効果補正マスク
等の超解像技術によるマスクに対応して、高感度な欠陥
検査を行う必要が叫ばれてきている。
【０００７】例えば、位相シフトマスクは、吸収体とし
てモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等のハーフトーン
を用いたものや、石英ガラスを掘り込んで形成したレベ
ンソンマスクが実用化されている。いずれも光の振幅と
位相を適切に制御したマスクを用いることにより光リソ
グラフィーで問題となる露光光量と焦点深度のマージン
を向上するものである。
てモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等のハーフトーン
を用いたものや、石英ガラスを掘り込んで形成したレベ
ンソンマスクが実用化されている。いずれも光の振幅と
位相を適切に制御したマスクを用いることにより光リソ
グラフィーで問題となる露光光量と焦点深度のマージン
を向上するものである。
【０００８】また、光近接効果補正マスクは、パターン
の疎密に応じて変動する線幅を所望値にするために、マ
スク上のパターン寸法に、露光によって変動する線幅に
対応する線幅（補助パターン）を加減することにより、
ウエハ上のパターン寸法を均一になるように制御するも
のである。
の疎密に応じて変動する線幅を所望値にするために、マ
スク上のパターン寸法に、露光によって変動する線幅に
対応する線幅（補助パターン）を加減することにより、
ウエハ上のパターン寸法を均一になるように制御するも
のである。
【０００９】このような位相シフトマスクや光近接効果
補正マスクを検査する従来の欠陥検査装置は、フォトマ
スク上のパターンをＸＹステージで走査しながら、光を
照射し、撮像されたフォトマスクの光学像（検出画像デ
ータ）と基準となるべき参照データとを逐一比較して、
その不一致箇所を欠陥として検出していた。
補正マスクを検査する従来の欠陥検査装置は、フォトマ
スク上のパターンをＸＹステージで走査しながら、光を
照射し、撮像されたフォトマスクの光学像（検出画像デ
ータ）と基準となるべき参照データとを逐一比較して、
その不一致箇所を欠陥として検出していた。
【００１０】比較方法としては、同一のパターンを形成
した無欠陥の参照用フォトマスクの光学像を参照データ
として、これと検査用フォトマスクの検出画像データを
比較するダイツーダイ比較法と、回路パターンの設計デ
ータから展開した展開データを参照データとして、これ
と検査用フォトマスクの検出画像データを比較するダイ
ツーデータベース比較法とがある。
した無欠陥の参照用フォトマスクの光学像を参照データ
として、これと検査用フォトマスクの検出画像データを
比較するダイツーダイ比較法と、回路パターンの設計デ
ータから展開した展開データを参照データとして、これ
と検査用フォトマスクの検出画像データを比較するダイ
ツーデータベース比較法とがある。
【００１１】ダイツーダイ方式は、検査用フォトマスク
領域と参照用フォトマスク領域の検出画像データを比較
するため、比較するパターンに共通する欠陥を見逃す恐
れがある。また、ダイツーデータ方式は設計データと比
較するため、確実な欠陥検査が可能であるが、感度を高
くするには設計データから展開し発生する参照データ
を、実際に検出用光をマスクに照射したときに結像する
光学像とより正確に一致させる必要がある。
領域と参照用フォトマスク領域の検出画像データを比較
するため、比較するパターンに共通する欠陥を見逃す恐
れがある。また、ダイツーデータ方式は設計データと比
較するため、確実な欠陥検査が可能であるが、感度を高
くするには設計データから展開し発生する参照データ
を、実際に検出用光をマスクに照射したときに結像する
光学像とより正確に一致させる必要がある。
【００１２】フォトマスクの設計データからシミュレー
トして、実際の光学像と一致させるように、より正確に
計算するためには、従来は、光学系をシミュレートする
有限応答フィルター演算等の画像処理技術を用いてい
た。
トして、実際の光学像と一致させるように、より正確に
計算するためには、従来は、光学系をシミュレートする
有限応答フィルター演算等の画像処理技術を用いてい
た。
【００１３】しかしながら、位相シフトマスクや近接効
果補正マスク等の超解像度技術を用いたマスクでは、上
記画像処理技術を用いても正確な光学像を求めることが
困難になりつつある。
果補正マスク等の超解像度技術を用いたマスクでは、上
記画像処理技術を用いても正確な光学像を求めることが
困難になりつつある。
【００１４】例えば、位相シフトマスクの場合、従来の
方法では、光の位相差による干渉を考慮していないた
め、これによってシミュレートされた参照データでは、
実際の光学像と合わなくなってきている。また光近接効
果補正マスクでは、補助パターンの最小寸法が光リソグ
ラフィーの微細化のトレンドに比し一挙に四分の一にも
なるため、このような微細パターンを従来の画像処理技
術では再現できなくなってきている。
方法では、光の位相差による干渉を考慮していないた
め、これによってシミュレートされた参照データでは、
実際の光学像と合わなくなってきている。また光近接効
果補正マスクでは、補助パターンの最小寸法が光リソグ
ラフィーの微細化のトレンドに比し一挙に四分の一にも
なるため、このような微細パターンを従来の画像処理技
術では再現できなくなってきている。
【００１５】さらに、検査用基板を撮像するための光学
系の主要部材である対物レンズ等も製造や組み立てによ
る収差が無視できなくなってきており、光の収差を考慮
に入れない従来の画像処理技術では、実際の光学像をシ
ミュレーションによって正確に求めることが困難となっ
ている。
系の主要部材である対物レンズ等も製造や組み立てによ
る収差が無視できなくなってきており、光の収差を考慮
に入れない従来の画像処理技術では、実際の光学像をシ
ミュレーションによって正確に求めることが困難となっ
ている。
【００１６】従って、本来正確な欠陥検査が可能であっ
たダイツーデータベース方式において、無欠陥のパター
ン（設計データそのもの）に対応する参照データ用光学
像をシミュレートすることが困難で、従来の画像処理技
術により得られた参照データでは、本来欠陥ではない部
分さえも欠陥と誤認してしまうという問題が生じてきて
いる。
たダイツーデータベース方式において、無欠陥のパター
ン（設計データそのもの）に対応する参照データ用光学
像をシミュレートすることが困難で、従来の画像処理技
術により得られた参照データでは、本来欠陥ではない部
分さえも欠陥と誤認してしまうという問題が生じてきて
いる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の欠陥検査装置では、位相シフトマスクや光近接効果補
正マスク等の超解像技術を用いたマスクを撮像したとき
の光学像を、設計データからシミュレートして参照デー
タとする場合、正確な光学像をシミュレートできないと
いう問題がある。
の欠陥検査装置では、位相シフトマスクや光近接効果補
正マスク等の超解像技術を用いたマスクを撮像したとき
の光学像を、設計データからシミュレートして参照デー
タとする場合、正確な光学像をシミュレートできないと
いう問題がある。
【００１８】本発明は、上記問題に鑑みて成されたたも
ので、超解像技術を用いたマスクにおいても、設計デー
タから正確な光学像をシミュレートし参照データとして
誤認のない欠陥検査装置を提供することを目的とする。
ので、超解像技術を用いたマスクにおいても、設計デー
タから正確な光学像をシミュレートし参照データとして
誤認のない欠陥検査装置を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明は、パターンを具備する検査基板上のパ
ターンを光学的に読み取り、電気的な画像情報である検
出画像データに変換し、一方、前記検査基板の設計デー
タからシミュレーションによって光学画像を求め参照デ
ータとし、前記検出画像データと前記参照データとを比
較することによって欠陥検査をする欠陥検査装置におい
て、前記設計データから２値又は多値の展開データを発
生させ、前記検査基板の複素透過率分布又は複素反射率
分布を求める第１の処理手段と、前記複素透過率分布又
は前記複素反射率分から光学像として前記参照データを
計算する第２の処理手段と、前記検出画像データと前記
参照データを比較する比較手段とを具備することを特徴
とする欠陥検査装置を提供する。
に、第１の発明は、パターンを具備する検査基板上のパ
ターンを光学的に読み取り、電気的な画像情報である検
出画像データに変換し、一方、前記検査基板の設計デー
タからシミュレーションによって光学画像を求め参照デ
ータとし、前記検出画像データと前記参照データとを比
較することによって欠陥検査をする欠陥検査装置におい
て、前記設計データから２値又は多値の展開データを発
生させ、前記検査基板の複素透過率分布又は複素反射率
分布を求める第１の処理手段と、前記複素透過率分布又
は前記複素反射率分から光学像として前記参照データを
計算する第２の処理手段と、前記検出画像データと前記
参照データを比較する比較手段とを具備することを特徴
とする欠陥検査装置を提供する。
【００２０】また、第２の発明は、パターンを具備する
検査基板上のパターンを光学的に読み取り、電気的な画
像情報である検出画像データに変換し、前記検査基板の
設計データからシミュレーションによって光学画像を求
め参照データとし、前記検出画像データと前記参照デー
タとを比較することによって欠陥検査をする欠陥検査方
法において、前記設計データから２値又は多値の展開デ
ータを発生させ、前記検査基板の複素透過率分布又は複
素反射率分布を求める第１の処理と、前記複素透過率分
布又は前記複素反射率分布を複素係数有限応答フィルタ
ーに通して前記参照データを計算する第２の処理と、前
記検出画像データと前記参照データを比較する比較処理
とを具備することを特徴とする欠陥検査方法を提供す
る。
検査基板上のパターンを光学的に読み取り、電気的な画
像情報である検出画像データに変換し、前記検査基板の
設計データからシミュレーションによって光学画像を求
め参照データとし、前記検出画像データと前記参照デー
タとを比較することによって欠陥検査をする欠陥検査方
法において、前記設計データから２値又は多値の展開デ
ータを発生させ、前記検査基板の複素透過率分布又は複
素反射率分布を求める第１の処理と、前記複素透過率分
布又は前記複素反射率分布を複素係数有限応答フィルタ
ーに通して前記参照データを計算する第２の処理と、前
記検出画像データと前記参照データを比較する比較処理
とを具備することを特徴とする欠陥検査方法を提供す
る。
【００２１】第１或いは第２の発明において、前記パタ
ーンが多層パターンであって、前記複素透過率分布又は
前記複素反射率分布を求める前記第１の処理は、前記多
層パターンの層毎の設計データを展開し、前記展開デー
タと複素振幅透過率又は複素振幅反射率を掛け合わせて
加えたものを前記複素振幅透過率分布又は前記複素振幅
反射率分布とすることが好ましい。
ーンが多層パターンであって、前記複素透過率分布又は
前記複素反射率分布を求める前記第１の処理は、前記多
層パターンの層毎の設計データを展開し、前記展開デー
タと複素振幅透過率又は複素振幅反射率を掛け合わせて
加えたものを前記複素振幅透過率分布又は前記複素振幅
反射率分布とすることが好ましい。
【００２２】また、第１或いは第２の発明において、前
記複素係数有限応答フィルターを通した後、前記複素透
過率分布又は前記複素反射率分布の共役複素数とを掛け
ることにより前記参照データを計算することが好まし
い。
記複素係数有限応答フィルターを通した後、前記複素透
過率分布又は前記複素反射率分布の共役複素数とを掛け
ることにより前記参照データを計算することが好まし
い。
【００２３】本発明では、部分コヒーレント結像モデル
に一部近似計算を取り入れることにより、実用的な計算
速度で、設計データから実際の光学像（欠陥のないマス
クを撮像したときの検出画像データ）をシミュレートし
参照データを求めることができる。
に一部近似計算を取り入れることにより、実用的な計算
速度で、設計データから実際の光学像（欠陥のないマス
クを撮像したときの検出画像データ）をシミュレートし
参照データを求めることができる。
【００２４】このとき、光学的照明条件（検査装置の光
源の波長、対物レンズの開口数（ＮＡ）、照明絞り、デ
フォーカス等）、レンズ収差（球面、非点、コマ等）、
マスクに形成された光吸収体の物性（透過率、反射率、
位相差等）などに応じて、参照データを高精度で計算す
ることが可能となる。
源の波長、対物レンズの開口数（ＮＡ）、照明絞り、デ
フォーカス等）、レンズ収差（球面、非点、コマ等）、
マスクに形成された光吸収体の物性（透過率、反射率、
位相差等）などに応じて、参照データを高精度で計算す
ることが可能となる。
【００２５】さらに、多層の回路パターンであるトライ
トーンマスク（クロム層とハーフトーン層の混在マス
ク）や位相シフトマスクであるレベンソンマスクのダイ
ツーデータベース比較検査も可能となる。
トーンマスク（クロム層とハーフトーン層の混在マス
ク）や位相シフトマスクであるレベンソンマスクのダイ
ツーデータベース比較検査も可能となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の好ま
しい実施形態について説明する。
しい実施形態について説明する。
【００２７】図１に、本発明による欠陥検査装置の概念
図を示す。
図を示す。
【００２８】フォトマスクやレティクル、液晶表示パネ
ル等の多層パターンを有する検査基板（試料）３０を、
欠陥検査装置のＸＹステージ３１上に真空吸着させて設
置する。水銀ランプ等の光源３２から照射された光は折
曲ミラー３４にて折り曲げられ検査基板３０上に照射さ
れている。コンデンサレンズ３３は光源３２から照射さ
れた光を検査基板３０上に均一に照明するためのもので
ある。また、対物レンズ３５は検査基板３０上のパター
ンを通った光をＣＣＤセンサ３６の撮像面上に結像する
ためのものである。
ル等の多層パターンを有する検査基板（試料）３０を、
欠陥検査装置のＸＹステージ３１上に真空吸着させて設
置する。水銀ランプ等の光源３２から照射された光は折
曲ミラー３４にて折り曲げられ検査基板３０上に照射さ
れている。コンデンサレンズ３３は光源３２から照射さ
れた光を検査基板３０上に均一に照明するためのもので
ある。また、対物レンズ３５は検査基板３０上のパター
ンを通った光をＣＣＤセンサ３６の撮像面上に結像する
ためのものである。
【００２９】このとき、光学的な分解能は、光源３２の
波長が短いほど、また対物レンズ３５の開口数（ＮＡ）
が大きいほど向上する。
波長が短いほど、また対物レンズ３５の開口数（ＮＡ）
が大きいほど向上する。
【００３０】次に、検査基板３０の光学像がＣＣＤセン
サ３６の撮像面上に結像され、ＣＣＤセンサ３６によっ
て電気的な画像情報として読み取られた情報がデータＡ
Ｄ変換器３７によってデジタル化し検出画像データとし
て、次に説明する参照データとの比較装置に入力する。
サ３６の撮像面上に結像され、ＣＣＤセンサ３６によっ
て電気的な画像情報として読み取られた情報がデータＡ
Ｄ変換器３７によってデジタル化し検出画像データとし
て、次に説明する参照データとの比較装置に入力する。
【００３１】図２は、本発明の欠陥検査におけるデータ
の処理方法を説明するブロック図である。
の処理方法を説明するブロック図である。
【００３２】図１のＡＤ変換器３７から出力された検出
画像データは図２の検出画像データ入力手段１に入力さ
れ一時的に保持される。このとき同時に設計データが複
素振幅透過率分布（又は複素振幅反射率分布）を求める
手段２に入力され、この部分で、多層パターンの各層の
設計データから２値又は多値の展開データを発生させ、
検査基板の複素振幅透過率分布（又は複素振幅反射率分
布）を計算する。この処理によって計算された複素振幅
透過率分布（又は複素振幅反射率分布）は参照データを
計算する手段３に入力され、比較対象である参照データ
を求める。そしてこの参照データと、検出画像データ入
力手段１から出力された検出画像データとは、比較手段
４にて比較されて欠陥を検査する。
画像データは図２の検出画像データ入力手段１に入力さ
れ一時的に保持される。このとき同時に設計データが複
素振幅透過率分布（又は複素振幅反射率分布）を求める
手段２に入力され、この部分で、多層パターンの各層の
設計データから２値又は多値の展開データを発生させ、
検査基板の複素振幅透過率分布（又は複素振幅反射率分
布）を計算する。この処理によって計算された複素振幅
透過率分布（又は複素振幅反射率分布）は参照データを
計算する手段３に入力され、比較対象である参照データ
を求める。そしてこの参照データと、検出画像データ入
力手段１から出力された検出画像データとは、比較手段
４にて比較されて欠陥を検査する。
【００３３】以下に、複素振幅透過率分布手段２及び参
照データを計算する手段３の処理について説明する。複
素振幅反射率分布の場合も以下の説明において物性値を
複素振幅反射率にして同様に求めることができるので省
略する。
照データを計算する手段３の処理について説明する。複
素振幅反射率分布の場合も以下の説明において物性値を
複素振幅反射率にして同様に求めることができるので省
略する。
【００３４】先ず、設計データから検出画像データの画
素単位の面積マップを展開する。面積マップは、回路パ
ターンが検出画像の画素に占める割合を２値又は多値の
階調により求める。
素単位の面積マップを展開する。面積マップは、回路パ
ターンが検出画像の画素に占める割合を２値又は多値の
階調により求める。
【００３５】このとき、クロムマスクや単層の位相シフ
トマスクの場合は、一層の設計データを展開する。単層
マスクのガラス基板の透過率を１．０、吸収体の強度透
過率をｔ２、位相差をφ、ｉ＝√−１とすると、吸収体
の複素振幅透過率はｔ・ｅｘｐ（ｉφ）となる。このと
きマスクの面積マップを０≦Ｅ（ｍ，ｎ）≦１とする
と、複素振幅透過率分布は Ｆ（ｍ，ｎ）＝１．０・Ｅ（ｍ，ｎ）＋ｔ・ｅｘｐ（ｉ
φ）・（１−Ｅ（ｍ，ｎ）） で表わされる。
トマスクの場合は、一層の設計データを展開する。単層
マスクのガラス基板の透過率を１．０、吸収体の強度透
過率をｔ２、位相差をφ、ｉ＝√−１とすると、吸収体
の複素振幅透過率はｔ・ｅｘｐ（ｉφ）となる。このと
きマスクの面積マップを０≦Ｅ（ｍ，ｎ）≦１とする
と、複素振幅透過率分布は Ｆ（ｍ，ｎ）＝１．０・Ｅ（ｍ，ｎ）＋ｔ・ｅｘｐ（ｉ
φ）・（１−Ｅ（ｍ，ｎ）） で表わされる。
【００３６】また、トライトーンマスクやレベンソンマ
スクなどの多層マスクでは、各層の設計データから検出
画像データの画素単位の面積マップを展開する。同様に
面積マップは、回路パターンが検出画像の画素に占める
割合を２値又は多値の階調により求める。
スクなどの多層マスクでは、各層の設計データから検出
画像データの画素単位の面積マップを展開する。同様に
面積マップは、回路パターンが検出画像の画素に占める
割合を２値又は多値の階調により求める。
【００３７】トライトーンマスクの場合、ガラス基板の
透過率を１．０、吸収体の強度透過率をｔ２、位相差を
φ、ｉ＝√−１とすると、吸収体の複素振幅透過率は、
ｔ・ｅｘｐ（ｉφ）となる。このときマスクの面積マッ
プを０≦（ｍ，ｎ）≦１、ハーフトーンパターンの面積
マップを０≦Ｅ'（ｍ，ｎ）≦１とすると、複素振幅透
過率分布は Ｆ（ｍ，ｎ）＝１．０・Ｅ（ｍ，ｎ）＋ｔ・ｅｘｐ（ｉ
φ）・Ｅ'（ｍ，ｎ） で表わされる。
透過率を１．０、吸収体の強度透過率をｔ２、位相差を
φ、ｉ＝√−１とすると、吸収体の複素振幅透過率は、
ｔ・ｅｘｐ（ｉφ）となる。このときマスクの面積マッ
プを０≦（ｍ，ｎ）≦１、ハーフトーンパターンの面積
マップを０≦Ｅ'（ｍ，ｎ）≦１とすると、複素振幅透
過率分布は Ｆ（ｍ，ｎ）＝１．０・Ｅ（ｍ，ｎ）＋ｔ・ｅｘｐ（ｉ
φ）・Ｅ'（ｍ，ｎ） で表わされる。
【００３８】レベンソンマスクの場合、ガラス基板の透
過率を１．０、吸収体の強度透過率をｔ２、シフターの
位相差をφ、ｉ＝√−１とすると、吸収体の複素振幅透
過率は、ｔ・ｅｘｐ（ｉφ）となる。このときマスクの
面積マップを０≦（ｍ，ｎ）≦１、シフターパターンの
面積マップを０≦Ｅ'（ｍ，ｎ）≦１とすると、複素振
幅透過率分布は Ｆ（ｍ，ｎ）＝１．０・Ｅ（ｍ，ｎ）＋１．０・ｅｘｐ
（ｉφ）・Ｅ'（ｍ，ｎ） で表わされる。
過率を１．０、吸収体の強度透過率をｔ２、シフターの
位相差をφ、ｉ＝√−１とすると、吸収体の複素振幅透
過率は、ｔ・ｅｘｐ（ｉφ）となる。このときマスクの
面積マップを０≦（ｍ，ｎ）≦１、シフターパターンの
面積マップを０≦Ｅ'（ｍ，ｎ）≦１とすると、複素振
幅透過率分布は Ｆ（ｍ，ｎ）＝１．０・Ｅ（ｍ，ｎ）＋１．０・ｅｘｐ
（ｉφ）・Ｅ'（ｍ，ｎ） で表わされる。
【００３９】以上より、 Ｆ（ｍ，ｎ）＝１．０・Ｅ（ｍ，ｎ）＋ｔ・ｅｘｐ（ｉ
φ）・Ｅ'（ｍ，ｎ） によって以上の３つのマスクについて、複素振幅透過率
分布を求めることができる。
φ）・Ｅ'（ｍ，ｎ） によって以上の３つのマスクについて、複素振幅透過率
分布を求めることができる。
【００４０】次に、このようにして求められた複素振幅
透過率分布を、参照データを計算する手段３に入力す
る。
透過率分布を、参照データを計算する手段３に入力す
る。
【００４１】以下に、この参照データを計算する処理に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００４２】光を照射した場合の像強度分布をＩ
（ｘｉ，ｙｉ）とすると、以下の式（１）で表される。
このとき、Ｂ０（ｘ，ｙ）は位相コヒーレント係数、Ｋ
（ｘ，ｙ）は点光源の像、Ｆ（ｘ，ｙ）は物体の複素振
幅透過率分布である。位相コヒーレント係数Ｂ０（ｘ，
ｙ）は式（２）で、点光源の像Ｋ（ｘ，ｙ）は式（３）
で表す。また、Ｒ＊はＲの共役複素数である。
（ｘｉ，ｙｉ）とすると、以下の式（１）で表される。
このとき、Ｂ０（ｘ，ｙ）は位相コヒーレント係数、Ｋ
（ｘ，ｙ）は点光源の像、Ｆ（ｘ，ｙ）は物体の複素振
幅透過率分布である。位相コヒーレント係数Ｂ０（ｘ，
ｙ）は式（２）で、点光源の像Ｋ（ｘ，ｙ）は式（３）
で表す。また、Ｒ＊はＲの共役複素数である。
【数１】
【数２】 σはコンデンサレンズの開口数ＮＡｃと対物レンズの開
口数ＮＡｏの比ＮＡｃ／ＮＡｏ、λは光源の波長、Ｊ１
（ｘ）は一次のベッセル関数である。ｘ'＝ＮＡｏｘ／
λ、ｙ'＝ＮＡｏｙ／λと正規化している。
口数ＮＡｏの比ＮＡｃ／ＮＡｏ、λは光源の波長、Ｊ１
（ｘ）は一次のベッセル関数である。ｘ'＝ＮＡｏｘ／
λ、ｙ'＝ＮＡｏｙ／λと正規化している。
【数３】 ここでＮＡｏは対物レンズの開口数、λは光源の波長、
ｘ'＝ＮＡｏｘ／λ、ｙ'＝ＮＡｏｙ／λ、ｚ'＝ＮＡ
ｏｚ／λと同様に正規化している。ｉ＝√−１、ｚはデ
フォーカス、Ｗ（ξ，η）はレンズの波面収差である。
ｘ'＝ＮＡｏｘ／λ、ｙ'＝ＮＡｏｙ／λ、ｚ'＝ＮＡ
ｏｚ／λと同様に正規化している。ｉ＝√−１、ｚはデ
フォーカス、Ｗ（ξ，η）はレンズの波面収差である。
【００４３】次に、式（１）を検出する画素のピッチ間
隔で離散化すると式（４）を得る。
隔で離散化すると式（４）を得る。
【数４】 ここで、Ｋ（ｍ，ｎ）とＢｏ（ｍ，ｎ）はいずれも原点
で大きい値をとるが、原点から遠ざかるにつれて振動し
ながら急激に小さくなるので、式（４）の像強度分布Ｉ
（ｍ，ｎ）を式（５）で近似することができる。
で大きい値をとるが、原点から遠ざかるにつれて振動し
ながら急激に小さくなるので、式（４）の像強度分布Ｉ
（ｍ，ｎ）を式（５）で近似することができる。
【数５】 第１項は（ｍ０−ｍ'０，ｎ０−ｎ'０）＝（０，０）の
場合、第２項は（ｍ０−ｍ'０，ｎ０−ｎ'０）≠（０，
０）かつ（ｍ−ｍ０，ｎ−ｎ０）＝（０，０）または
（ｍ０−ｍ'０，ｎ０−ｎ'０）≠（０，０）かつ（ｍ−
ｍ'０，ｎ−ｎ'０）＝（０，０）が成り立つ場合を示し
ている。ここで＊は畳み込み積分を示す。つまり、ｆ
（ｍ，ｎ）＊ｇ（ｍ，ｎ）＝ΣΣｆ（ｍ−ｍ０，ｎ−ｎ
０）・ｇ（ｍ ０，ｎ０）となる。
場合、第２項は（ｍ０−ｍ'０，ｎ０−ｎ'０）≠（０，
０）かつ（ｍ−ｍ０，ｎ−ｎ０）＝（０，０）または
（ｍ０−ｍ'０，ｎ０−ｎ'０）≠（０，０）かつ（ｍ−
ｍ'０，ｎ−ｎ'０）＝（０，０）が成り立つ場合を示し
ている。ここで＊は畳み込み積分を示す。つまり、ｆ
（ｍ，ｎ）＊ｇ（ｍ，ｎ）＝ΣΣｆ（ｍ−ｍ０，ｎ−ｎ
０）・ｇ（ｍ ０，ｎ０）となる。
【００４４】また、式（４）は式（６）にまとめられ像
強度分布Ｉ（ｍ，ｎ）は、複素係数にて表わされる。こ
のときＰ（ｍ，ｎ）は実係数からなる有限応答フィルタ
ーで、Ｑ（ｍ，ｎ）は複素係数からなる有限応答フィル
ターである。
強度分布Ｉ（ｍ，ｎ）は、複素係数にて表わされる。こ
のときＰ（ｍ，ｎ）は実係数からなる有限応答フィルタ
ーで、Ｑ（ｍ，ｎ）は複素係数からなる有限応答フィル
ターである。
【数６】 ここでＲｅ［Ｘ］は複素数Ｘの実部を表わし、 Ｐ（ｍ，ｎ）＝Ｂ０（０，０）・｜Ｋ（ｍ，ｎ）｜２ Ｑ（ｍ，ｎ）＝０ （ｍ，ｎ）＝（０，０）の場合 ＝２Ｋ＊（０，０）・Ｂ０（ｍ，ｎ）・Ｋ（ｍ，ｎ）そ
の他の場合 である。
の他の場合 である。
【００４５】また、複素係数有限フィルターＱ（ｍ，
ｎ）＝Ｑｒ（ｍ，ｎ）＋ｉＱｉ（ｍ，ｎ），Ｆ（ｍ，
ｎ）＝Ｆｒ（ｍ，ｎ）＋ｉＦｉ（ｍ，ｎ）と置くと、式
（６）から式（７）が得られる。
ｎ）＝Ｑｒ（ｍ，ｎ）＋ｉＱｉ（ｍ，ｎ），Ｆ（ｍ，
ｎ）＝Ｆｒ（ｍ，ｎ）＋ｉＦｉ（ｍ，ｎ）と置くと、式
（６）から式（７）が得られる。
【数７】 式（７）から分かるように、複素係数有限応答フィルタ
ーＱ（ｍ，ｎ）を上述のように置くと、像強度分布Ｉ
（ｍ，ｎ）は、Ｆｒ（ｍ，ｎ）Ｑｒ（ｍ，ｎ）＊Ｆ
ｒ（ｍ，ｎ）、Ｆｒ（ｍ，ｎ）Ｑｉ（ｍ，ｎ）＊Ｆ
ｉ（ｍ，ｎ）、Ｆｉ（ｍ，ｎ）Ｑｒ（ｍ，ｎ）＊Ｆ
ｉ（ｍ，ｎ）Ｆｉ（ｍ，ｎ）Ｑｉ（ｍ，ｎ）＊Ｆ
ｒ（ｍ，ｎ）及びＰ（ｍ，ｎ）＊｛Ｆｒ（ｍ，ｎ）２＋
Ｑｒ（ｍ，ｎ）２｝の５つの実部で計算でき、これによ
って設計データから実際の光学像としての参照データを
求めることができる。
ーＱ（ｍ，ｎ）を上述のように置くと、像強度分布Ｉ
（ｍ，ｎ）は、Ｆｒ（ｍ，ｎ）Ｑｒ（ｍ，ｎ）＊Ｆ
ｒ（ｍ，ｎ）、Ｆｒ（ｍ，ｎ）Ｑｉ（ｍ，ｎ）＊Ｆ
ｉ（ｍ，ｎ）、Ｆｉ（ｍ，ｎ）Ｑｒ（ｍ，ｎ）＊Ｆ
ｉ（ｍ，ｎ）Ｆｉ（ｍ，ｎ）Ｑｉ（ｍ，ｎ）＊Ｆ
ｒ（ｍ，ｎ）及びＰ（ｍ，ｎ）＊｛Ｆｒ（ｍ，ｎ）２＋
Ｑｒ（ｍ，ｎ）２｝の５つの実部で計算でき、これによ
って設計データから実際の光学像としての参照データを
求めることができる。
【００４６】図３に、上記した複素係数有限応答フィル
ターを、以上５つの実部を求める計算方法によって求
め、参照データ（像強度分布Ｉ（ｍ，ｎ））を計算した
実際の処理方法について説明する。
ターを、以上５つの実部を求める計算方法によって求
め、参照データ（像強度分布Ｉ（ｍ，ｎ））を計算した
実際の処理方法について説明する。
【００４７】この例ではクロムマスクと位相シフトマス
クの混在型マスクの設計データから参照データを計算し
た例である。第１層はガラスパターン、第２層は位相シ
フトマスクのパターンを示している。ただし設計データ
上で両方のパターンに重なりが生じる場合はこれを除い
ておく。
クの混在型マスクの設計データから参照データを計算し
た例である。第１層はガラスパターン、第２層は位相シ
フトマスクのパターンを示している。ただし設計データ
上で両方のパターンに重なりが生じる場合はこれを除い
ておく。
【００４８】位相シフトマスクの複素振幅透過率を前述
したようにｔ・ｅｘｐ（ｉφ）とすると、係数保持手段
１３に係数１としてｔ・ｃｏｓ（φ）に相当する値を、
係数保持手段１４に係数２としてｔ・ｓｉｎ（φ）に相
当する値を予め設定しておく。
したようにｔ・ｅｘｐ（ｉφ）とすると、係数保持手段
１３に係数１としてｔ・ｃｏｓ（φ）に相当する値を、
係数保持手段１４に係数２としてｔ・ｓｉｎ（φ）に相
当する値を予め設定しておく。
【００４９】図３に示すように、それぞれ第１層の展開
データがレジスター１０に入力され、第２層の展開デー
タがレジスター９に入力され保持される。次に、第２層
の展開データは、乗算器１００に入力され係数保持手段
１３から出力された係数１と乗算され加算器１１に入力
される。また同時に加算器１１には第１の展開データが
入力されて、第２の展開データと係数１との乗算結果に
加算される。こうして複素振幅透過率の実部Ｆｒが得ら
れ、レジスター１０３に入力される。
データがレジスター１０に入力され、第２層の展開デー
タがレジスター９に入力され保持される。次に、第２層
の展開データは、乗算器１００に入力され係数保持手段
１３から出力された係数１と乗算され加算器１１に入力
される。また同時に加算器１１には第１の展開データが
入力されて、第２の展開データと係数１との乗算結果に
加算される。こうして複素振幅透過率の実部Ｆｒが得ら
れ、レジスター１０３に入力される。
【００５０】一方、乗算器１０１に出力された第２層の
展開データは、係数保持手段１４から出力された係数２
と乗算されることにより、複素振幅透過率の虚部Ｆｉが
得られ、レジスター１０４に入力される。
展開データは、係数保持手段１４から出力された係数２
と乗算されることにより、複素振幅透過率の虚部Ｆｉが
得られ、レジスター１０４に入力される。
【００５１】次に、レジスター１０３から出力された複
素振幅透過率の実部Ｆｒデータはラインバッファー２０
に、レジスター１０４から出力された複素振幅透過率の
虚部Ｆｉデータはラインバッファー２１に入力してお
き、有限応答フィルターの大きさに応じて同時に像強度
演算器１５に入力する。この像強度演算器１５では、複
素振幅透過率の実部Ｆｒデータ及び虚部Ｆｉデータか
ら、Ｆｒ ２＋Ｆｉ ２を求め、これをデータ保持部１０５
に出力する。
素振幅透過率の実部Ｆｒデータはラインバッファー２０
に、レジスター１０４から出力された複素振幅透過率の
虚部Ｆｉデータはラインバッファー２１に入力してお
き、有限応答フィルターの大きさに応じて同時に像強度
演算器１５に入力する。この像強度演算器１５では、複
素振幅透過率の実部Ｆｒデータ及び虚部Ｆｉデータか
ら、Ｆｒ ２＋Ｆｉ ２を求め、これをデータ保持部１０５
に出力する。
【００５２】また、ラインバッファー２０から出力され
た複素振幅透過率の実部Ｆｒデータはレジスター１０６
に入力され、ラインバッファー２１から出力された複素
振幅透過率の虚部Ｆｉデータはレジスター１０７に入力
されそれぞれ保持する。
た複素振幅透過率の実部Ｆｒデータはレジスター１０６
に入力され、ラインバッファー２１から出力された複素
振幅透過率の虚部Ｆｉデータはレジスター１０７に入力
されそれぞれ保持する。
【００５３】次に、レジスター１０５から出力されたＦ
ｒ ２＋Ｆｉ ２データは有限応答フィルター１６に入力さ
れ、実数係数の有限応答フィルターＰと畳み込み積分
し、その結果であるＰ＊（Ｆｒ ２＋Ｆｉ ２）データ（式
（７）の第１項）をレジスター１０８に出力する。＊は
畳み込み積分を表わしている。
ｒ ２＋Ｆｉ ２データは有限応答フィルター１６に入力さ
れ、実数係数の有限応答フィルターＰと畳み込み積分
し、その結果であるＰ＊（Ｆｒ ２＋Ｆｉ ２）データ（式
（７）の第１項）をレジスター１０８に出力する。＊は
畳み込み積分を表わしている。
【００５４】また、レジスター１０６から出力された複
素振幅透過率の実部Ｆｒデータは複素線形応答フィルタ
ー２７に入力され、Ｑｒを畳み込み積分し減算器１７に
出力される。レジスター１０７から出力された複素振幅
透過率の虚部Ｆｉデータは複素線形応答フィルター２９
に入力され、Ｑｉを畳み込み積分し減算器１７に出力さ
れる。減算器１７の減算結果であるＦｒ＊Ｑｒ−Ｆｉ＊
Ｑｉデータは乗算器１１１に出力され、遅延回路１８を
介して出力された複素振幅透過率の実部Ｆｒデータと乗
算される。この乗算結果であるＦｒ（Ｆｒ＊Ｑｒ−Ｆｉ
＊Ｑｉ）データ（式（７）の第２項）は、レジスター１
０９に入力され保持される。
素振幅透過率の実部Ｆｒデータは複素線形応答フィルタ
ー２７に入力され、Ｑｒを畳み込み積分し減算器１７に
出力される。レジスター１０７から出力された複素振幅
透過率の虚部Ｆｉデータは複素線形応答フィルター２９
に入力され、Ｑｉを畳み込み積分し減算器１７に出力さ
れる。減算器１７の減算結果であるＦｒ＊Ｑｒ−Ｆｉ＊
Ｑｉデータは乗算器１１１に出力され、遅延回路１８を
介して出力された複素振幅透過率の実部Ｆｒデータと乗
算される。この乗算結果であるＦｒ（Ｆｒ＊Ｑｒ−Ｆｉ
＊Ｑｉ）データ（式（７）の第２項）は、レジスター１
０９に入力され保持される。
【００５５】レジスター１０６から出力された複素振幅
透過率の実部Ｆｒデータは複素線形応答フィルター２８
に入力され、Ｑｉを畳み込み積分し減算器１９に出力さ
れる。レジスター１０７から出力された複素振幅透過率
の虚部Ｆｉデータは複素線形応答フィルター３０に入力
され、Ｑｒを畳み込み積分し加算器１９に出力される。
加算器１９の加算結果であるＦｒ＊Ｑｉ＋Ｆｉ＊Ｑｒデ
ータは乗算器１１２に出力され、遅延回路１８を介して
出力された複素振幅透過率の虚部Ｆｉデータと乗算され
る。この乗算結果であるＦｉ（Ｆｒ＊Ｑｉ＋Ｆｉ＊
Ｑｒ）データ（式（７）の第３項）は、レジスター１１
０に入力され保持される。
透過率の実部Ｆｒデータは複素線形応答フィルター２８
に入力され、Ｑｉを畳み込み積分し減算器１９に出力さ
れる。レジスター１０７から出力された複素振幅透過率
の虚部Ｆｉデータは複素線形応答フィルター３０に入力
され、Ｑｒを畳み込み積分し加算器１９に出力される。
加算器１９の加算結果であるＦｒ＊Ｑｉ＋Ｆｉ＊Ｑｒデ
ータは乗算器１１２に出力され、遅延回路１８を介して
出力された複素振幅透過率の虚部Ｆｉデータと乗算され
る。この乗算結果であるＦｉ（Ｆｒ＊Ｑｉ＋Ｆｉ＊
Ｑｒ）データ（式（７）の第３項）は、レジスター１１
０に入力され保持される。
【００５６】以上のように、複素線形応答フィルター２
７、２８、２９、３０による処理の演算結果は実部がＱ
ｒ＊Ｆｒ−Ｑｉ＊Ｆｉで、虚部がＦｒ＊Ｑｉ＋Ｆｉ＊Ｑ
ｒで与えられるが、これらにそれぞれＦｒ、Ｆｉが乗算
されて実部出力となる。
７、２８、２９、３０による処理の演算結果は実部がＱ
ｒ＊Ｆｒ−Ｑｉ＊Ｆｉで、虚部がＦｒ＊Ｑｉ＋Ｆｉ＊Ｑ
ｒで与えられるが、これらにそれぞれＦｒ、Ｆｉが乗算
されて実部出力となる。
【００５７】さらに、レジスター１０９及びレジスター
１１０に保持されているデータ（式（７）の第２項及び
第３項）は加算器２６にて加算され、レジスター１０８
に保持されているデータ（式（７）の第１項）と、加算
器２５にて加算されてその結果である像強度分布（式
（７）の左辺）が参照データとして出力される。
１１０に保持されているデータ（式（７）の第２項及び
第３項）は加算器２６にて加算され、レジスター１０８
に保持されているデータ（式（７）の第１項）と、加算
器２５にて加算されてその結果である像強度分布（式
（７）の左辺）が参照データとして出力される。
【００５８】こうして得られた参照データは、図２に示
す比較手段４に入力されて、検出画像データと比較され
ることになる。
す比較手段４に入力されて、検出画像データと比較され
ることになる。
【００５９】図４に、このようにして求められた参照デ
ータの像強度を示す。図４中（ａ）（ｃ）は明視野の光
学像を示し、（ｂ）（ｄ）は暗視野の光学像を示す。ま
た図４中（ａ）（ｂ）はクロムマスクの光学像を示し、
（ｃ）（ｄ）は位相シフトマスクの光学像を示す。
ータの像強度を示す。図４中（ａ）（ｃ）は明視野の光
学像を示し、（ｂ）（ｄ）は暗視野の光学像を示す。ま
た図４中（ａ）（ｂ）はクロムマスクの光学像を示し、
（ｃ）（ｄ）は位相シフトマスクの光学像を示す。
【００６０】本発明のように、複素係数有限応答フィル
ターを用いて光の位相を考慮した計算によって光学像を
求めると、従来正確に表現することが困難であった明視
野と暗視野での像プロファイルの違いや、クロムマスク
と位相シフトマスクの像プロファイルの違いがよく表現
されていることが分かる。
ターを用いて光の位相を考慮した計算によって光学像を
求めると、従来正確に表現することが困難であった明視
野と暗視野での像プロファイルの違いや、クロムマスク
と位相シフトマスクの像プロファイルの違いがよく表現
されていることが分かる。
【００６１】このように、本発明によれば実際に光を照
射して撮像した検査基板の光学像とよく一致する参照デ
ータを、シミュレーションにより求めることが可能とな
り、検査装置のご認識が生じずダイツーデータ方式の精
度をより向上させることが可能となる。
射して撮像した検査基板の光学像とよく一致する参照デ
ータを、シミュレーションにより求めることが可能とな
り、検査装置のご認識が生じずダイツーデータ方式の精
度をより向上させることが可能となる。
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、超解
像技術を用いたマスクにおいても、設計データから正確
な光学像をシミュレーションできるので、参照データと
して用いても、誤認のない欠陥検査装置を提供できる。
像技術を用いたマスクにおいても、設計データから正確
な光学像をシミュレーションできるので、参照データと
して用いても、誤認のない欠陥検査装置を提供できる。
【図１】 本発明の欠陥検査装置の概略図。
【図２】 本発明の欠陥検査装置におけるデータの処理
方法を説明するブロック図。
方法を説明するブロック図。
【図３】 本発明の欠陥検査装置における参照データの
計算方法を示すブロック図。
計算方法を示すブロック図。
【図４】 本発明の参照データのシミュレーションによ
り得られた像強度を示す図であり、（ａ）は明視野のク
ロムマスクの光学像、（ｂ）は暗視野のクロムマスクの
光学像、（ｃ）は明視野の位相シフトマスクの光学像、
（ｄ）は暗視野の位相シフトマスクの光学像。
り得られた像強度を示す図であり、（ａ）は明視野のク
ロムマスクの光学像、（ｂ）は暗視野のクロムマスクの
光学像、（ｃ）は明視野の位相シフトマスクの光学像、
（ｄ）は暗視野の位相シフトマスクの光学像。
９、１０、１０３、１０４、１０５、１０６、１０７、
１０８、１０９、１１０・・・レジスター １３、１４・・・係数保持手段 １００、１０１、１１１、１１２・・・乗算器 １１、１９、２６、２５・・・加算器 １７・・・減算器 ２０、２１・・・ラインバッファー １５・・・像強度演算器 １６・・・有限応答フィルター １８・・・遅延回路
１０８、１０９、１１０・・・レジスター １３、１４・・・係数保持手段 １００、１０１、１１１、１１２・・・乗算器 １１、１９、２６、２５・・・加算器 １７・・・減算器 ２０、２１・・・ラインバッファー １５・・・像強度演算器 １６・・・有限応答フィルター １８・・・遅延回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA49 BB02 BB17 CC01 CC18 CC19 DD03 FF01 GG03 JJ26 PP12 QQ24 QQ33 RR08 UU05 2G051 AA56 AA65 AA90 AB20 AC02 AC21 BB09 CA03 CB01 CB02 EA09 EA11 EA14 EB05 ED04 ED05 ED07 2H095 BC11 BD04 BD15 BD25 BD27 5B057 AA03 AA20 BA02 CA12 CA16 CB12 CB16 DA03 DC33
Claims (6)
- 【請求項１】パターンを具備する検査基板上のパターン
を光学的に読み取り、電気的な画像情報である検出画像
データに変換し、前記検査基板の設計データからシミュ
レーションによって光学画像を求め参照データとし、前
記検出画像データと前記参照データとを比較することに
よって欠陥検査をする欠陥検査装置において、 前記設計データから２値又は多値の展開データを発生さ
せ、前記検査基板の複素透過率分布又は複素反射率分布
を求める第１の処理手段と、 前記複素透過率分布又は前記複素反射率分布から光学像
として前記参照データを計算する第２の処理手段と、 前記検出画像データと前記参照データを比較する比較手
段とを具備することを特徴とする欠陥検査装置。 - 【請求項２】前記パターンが多層パターンであって、前
記複素透過率分布又は前記複素反射率分布を求める前記
第１の処理手段は、前記多層パターンの層毎の設計デー
タを展開し、前記展開データと複素振幅透過率又は複素
振幅反射率を掛け合わせて加えたものを前記複素振幅透
過率分布又は前記複素振幅反射率分布とすることを特徴
とする請求項１記載の欠陥検査装置。 - 【請求項３】前記複素係数有限応答フィルターを通した
後、前記複素透過率分布又は前記複素反射率分布の共役
複素数とを掛けることにより前記参照データを計算する
ことを特徴とする請求項１記載の欠陥検査装置。 - 【請求項４】パターンを具備する検査基板上のパターン
を光学的に読み取り、電気的な画像情報である検出画像
データに変換し、前記検査基板の設計データからシミュ
レーションによって光学画像を求め参照データとし、前
記検出画像データと前記参照データとを比較することに
よって欠陥検査をする欠陥検査方法において、 前記設計データから２値又は多値の展開データを発生さ
せ、前記検査基板の複素透過率分布又は複素反射率分布
を求める第１の処理と、 前記複素透過率分布又は前記複素反射率分布を複素係数
有限応答フィルターに通して前記参照データを計算する
第２の処理と、 前記検出画像データと前記参照データを比較する比較処
理とを具備することを特徴とする欠陥検査方法。 - 【請求項５】前記パターンが多層パターンであって、前
記複素透過率分布又は前記複素反射率分布を求める前記
第１の処理は、前記多層パターンの層毎の設計データを
展開し、前記展開データと複素振幅透過率又は複素振幅
反射率を掛け合わせて加えたものを前記複素振幅透過率
分布又は前記複素振幅反射率分布とすることを特徴とす
る請求項４記載の欠陥検査方法。 - 【請求項６】前記複素係数有限応答フィルターを通した
後、前記複素透過率分布又は前記複素反射率分布の共役
複素数とを掛けることにより前記参照データを計算する
ことを特徴とする請求項４記載の欠陥検査方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000297430A JP2002107309A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
| US09/960,355 US20020051566A1 (en) | 2000-09-28 | 2001-09-24 | Defect inspection apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000297430A JP2002107309A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002107309A true JP2002107309A (ja) | 2002-04-10 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (1) | US20020051566A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002107309A (ja) |
Cited By (10)
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