JP2002155357A - マグネトロンスパッタ方法とその装置 - Google Patents
マグネトロンスパッタ方法とその装置Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ターゲットの利用効率がよく、量
産に適したマグネトロンスパッタ装置とその方法を提供
することを課題とする。 【解決手段】 ターゲットの裏面側に設けられた磁界発
生手段によりターゲットの表面に磁場を発生してスパッ
タを行うマグネトロンスパッタ方法で、ターゲットの表
面に発生する磁場の立ち上がり部分を垂直状にして逆Ｕ
字状の磁場を発生させてスパッタするものである。
産に適したマグネトロンスパッタ装置とその方法を提供
することを課題とする。 【解決手段】 ターゲットの裏面側に設けられた磁界発
生手段によりターゲットの表面に磁場を発生してスパッ
タを行うマグネトロンスパッタ方法で、ターゲットの表
面に発生する磁場の立ち上がり部分を垂直状にして逆Ｕ
字状の磁場を発生させてスパッタするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マグネトロンスパ
ッタ装置に関し、詳しくは、ターゲットの利用効率の優
れたマグネトロンスパッタ方法とその装置に関するもの
である。
ッタ装置に関し、詳しくは、ターゲットの利用効率の優
れたマグネトロンスパッタ方法とその装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ターゲットの裏面側（非スパ
ッタ面側、又は後方側（背後））に磁石を設け、その磁
力線によってスパッタ面近傍に磁界を形成し、真空チャ
ンバ内に導入したアルゴンガスなどの希ガスとターゲッ
トから放出される二次電子を効率よく閉じ込めて衝突頻
度を高めて、雰囲気ガスのイオンを数多く生成して（イ
オン密度の高いプラズマを形成して）成膜速度を高め
て、ターゲットをスパッタリングするマグネトロンスパ
ッタ装置が知られている。
ッタ面側、又は後方側（背後））に磁石を設け、その磁
力線によってスパッタ面近傍に磁界を形成し、真空チャ
ンバ内に導入したアルゴンガスなどの希ガスとターゲッ
トから放出される二次電子を効率よく閉じ込めて衝突頻
度を高めて、雰囲気ガスのイオンを数多く生成して（イ
オン密度の高いプラズマを形成して）成膜速度を高め
て、ターゲットをスパッタリングするマグネトロンスパ
ッタ装置が知られている。
【０００３】この方法により、例えばＩＴＯ（酸化イン
ジウム）などの非磁性体からなるターゲットをスパッタ
する際は、磁石の磁力線が非磁性体からなるターゲット
を通過して、ターゲット表面に所望（ターゲット表面か
ら垂直方向に湧き出す形状…トンネル状）の磁場を形成
する。この磁場はプラズマのイオン密度を高めるのに十
分であり、スムーズにスパッタを行うことができる。一
方、コバルトやニッケルなどの強磁性体をターゲットと
して用い、ターゲットの厚さを非磁性体と同様にした場
合、ターゲットを通過する磁力線が少なくなり、ターゲ
ット表面に形成される磁束密度が弱くなる。従って、従
来のマグネトロンスパッタ装置では、厚い磁性体をター
ゲットに用いることは困難とされてきた。
ジウム）などの非磁性体からなるターゲットをスパッタ
する際は、磁石の磁力線が非磁性体からなるターゲット
を通過して、ターゲット表面に所望（ターゲット表面か
ら垂直方向に湧き出す形状…トンネル状）の磁場を形成
する。この磁場はプラズマのイオン密度を高めるのに十
分であり、スムーズにスパッタを行うことができる。一
方、コバルトやニッケルなどの強磁性体をターゲットと
して用い、ターゲットの厚さを非磁性体と同様にした場
合、ターゲットを通過する磁力線が少なくなり、ターゲ
ット表面に形成される磁束密度が弱くなる。従って、従
来のマグネトロンスパッタ装置では、厚い磁性体をター
ゲットに用いることは困難とされてきた。
【０００４】しかし、近年、半導体に多く使用されるコ
バルトやニッケルといった強磁性体からなる質のよい膜
を量産する必要性から、成膜速度の高いマグネトロンス
パッタ方法を用いて磁性体のターゲットをスパッタリン
グすることが切望されている。このような観点から、磁
性体をターゲットに用いる場合には、厚みを１〜２ｍｍ
程度の薄い磁性体（図６）を用いることにより、磁性体
ターゲットのマグネトロンスパッタを可能として磁性体
からなる質のよい膜を生産している。
バルトやニッケルといった強磁性体からなる質のよい膜
を量産する必要性から、成膜速度の高いマグネトロンス
パッタ方法を用いて磁性体のターゲットをスパッタリン
グすることが切望されている。このような観点から、磁
性体をターゲットに用いる場合には、厚みを１〜２ｍｍ
程度の薄い磁性体（図６）を用いることにより、磁性体
ターゲットのマグネトロンスパッタを可能として磁性体
からなる質のよい膜を生産している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような方法によ
り、磁性体をターゲットとしたマグネトロンスパッタ方
法が可能となったものの、以下のような問題点があっ
た。
り、磁性体をターゲットとしたマグネトロンスパッタ方
法が可能となったものの、以下のような問題点があっ
た。
【０００６】即ち、薄いターゲットを用いているため
に、そのターゲットが直ぐに消耗する等寿命がきわめて
短く、このためターゲットを頻繁に交換しなければなら
ない。このターゲットの交換においては、そのつど、真
空チャンバ内を大気にさらしてターゲットの交換作業を
行い、その後、再びチャンバ内を排気して真空雰囲気と
するといった非常に手間がかかる工程を必要とし、量産
には不向きという欠点があった。
に、そのターゲットが直ぐに消耗する等寿命がきわめて
短く、このためターゲットを頻繁に交換しなければなら
ない。このターゲットの交換においては、そのつど、真
空チャンバ内を大気にさらしてターゲットの交換作業を
行い、その後、再びチャンバ内を排気して真空雰囲気と
するといった非常に手間がかかる工程を必要とし、量産
には不向きという欠点があった。
【０００７】また、従来の磁石による磁場は、円弧状で
あるためにその立ち上がりが斜めであり、このためエロ
ージョン域が狭くターゲットの利用効率が悪いという欠
点があった。
あるためにその立ち上がりが斜めであり、このためエロ
ージョン域が狭くターゲットの利用効率が悪いという欠
点があった。
【０００８】そこで、本発明は、このような問題点を鑑
みてなされたものであり、量産に適した厚みをもつ磁性
体をターゲットとして用いて、磁性体の薄膜を成膜する
ことが可能で、且つ生産効率（成膜速度を飛躍的に上げ
る）がよく、低コストで経済性に優れたマグネトロンス
パッタ方法とその装置を提供することを課題とする。
みてなされたものであり、量産に適した厚みをもつ磁性
体をターゲットとして用いて、磁性体の薄膜を成膜する
ことが可能で、且つ生産効率（成膜速度を飛躍的に上げ
る）がよく、低コストで経済性に優れたマグネトロンス
パッタ方法とその装置を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は上記のよ
うな課題を解決するために、その方法として請求項１に
記載のように、ターゲットの裏面側に設けられた磁界発
生手段によりターゲットの表面に磁場を発生してスパッ
タを行うマグネトロンスパッタ方法において、ターゲッ
トの表面に発生する磁場の立ち上がり部分を垂直状にす
ることで、逆Ｕ字状の磁場を発生させてスパッタするこ
とを特徴とする。
うな課題を解決するために、その方法として請求項１に
記載のように、ターゲットの裏面側に設けられた磁界発
生手段によりターゲットの表面に磁場を発生してスパッ
タを行うマグネトロンスパッタ方法において、ターゲッ
トの表面に発生する磁場の立ち上がり部分を垂直状にす
ることで、逆Ｕ字状の磁場を発生させてスパッタするこ
とを特徴とする。
【００１０】また、上記方法を具体化した装置として
は、請求項２に記載のように、スパッタリングされるた
めのターゲットと、ターゲットを設置するためのバック
プレートと、ターゲットの表面に磁場を発生すべくター
ゲットの裏面側に設けられた磁界発生手段とを有するマ
グネトロンスパッタ装置において、磁界発生手段をバッ
クプレートに直接、又はバックプレートに近接して配置
することを特徴とする。
は、請求項２に記載のように、スパッタリングされるた
めのターゲットと、ターゲットを設置するためのバック
プレートと、ターゲットの表面に磁場を発生すべくター
ゲットの裏面側に設けられた磁界発生手段とを有するマ
グネトロンスパッタ装置において、磁界発生手段をバッ
クプレートに直接、又はバックプレートに近接して配置
することを特徴とする。
【００１１】さらに、具体化した装置として、請求項３
に記載のように、磁界発生手段は、希土類磁石からなる
本体と、本体の側周面を被覆した非磁性体の金属と、磁
界を形成する本体の上下部分を被覆した磁性体の金属と
で構成されていることを特徴とする。
に記載のように、磁界発生手段は、希土類磁石からなる
本体と、本体の側周面を被覆した非磁性体の金属と、磁
界を形成する本体の上下部分を被覆した磁性体の金属と
で構成されていることを特徴とする。
【００１２】さらに、具体化した装置としては、請求項
４に記載のように、ターゲットは、その裏面側の磁界発
生手段の配置された部分（即ち、非スパッタ部分）がス
パッタされる部分に比し薄く形成されていることであ
る。
４に記載のように、ターゲットは、その裏面側の磁界発
生手段の配置された部分（即ち、非スパッタ部分）がス
パッタされる部分に比し薄く形成されていることであ
る。
【００１３】
【作用】即ち、本発明は、ターゲットの裏面側（非スパ
ッタ面側）に設けられた磁界発生手段により、ターゲッ
ト表面側（スパッタ面側）への磁場の立ち上がり部分を
垂直状にして逆Ｕ字状の磁場を形成して、ターゲットを
スパッタすることにより、ターゲットのエロージョン領
域をターゲットのスパッタ面全体に拡げることができ、
ターゲットの利用効率を格段に上げることが可能とな
る。
ッタ面側）に設けられた磁界発生手段により、ターゲッ
ト表面側（スパッタ面側）への磁場の立ち上がり部分を
垂直状にして逆Ｕ字状の磁場を形成して、ターゲットを
スパッタすることにより、ターゲットのエロージョン領
域をターゲットのスパッタ面全体に拡げることができ、
ターゲットの利用効率を格段に上げることが可能とな
る。
【００１４】そして、ターゲットを設置するためのバッ
クプレートに直接、又はバックプレートに近接して磁界
発生手段を配置することにより、ターゲットと磁界発生
手段との距離を従来の装置に比し短くすることで、ター
ゲット表面への磁場の立ち上がり部分を垂直状にして逆
Ｕ字状の磁場を形成することが可能となる。
クプレートに直接、又はバックプレートに近接して磁界
発生手段を配置することにより、ターゲットと磁界発生
手段との距離を従来の装置に比し短くすることで、ター
ゲット表面への磁場の立ち上がり部分を垂直状にして逆
Ｕ字状の磁場を形成することが可能となる。
【００１５】さらに、磁場を強めるために、ターゲット
の裏面側（非スパッタ面側）に設けられた磁界発生手段
を本体が希土類磁石からなり、且つ本体の側周面を非磁
性体の金属で被覆し、磁界を形成する本体の上下部分を
磁性体の金属で被覆して構成することにより、従来の磁
石に比し、ターゲット表面に強い磁場、即ち磁場の立ち
上がり分を垂直状にして側面視逆Ｕ字状の磁場を形成す
ることができるので、エロージョン域を拡大しスパッタ
効率を高めることが可能となる。
の裏面側（非スパッタ面側）に設けられた磁界発生手段
を本体が希土類磁石からなり、且つ本体の側周面を非磁
性体の金属で被覆し、磁界を形成する本体の上下部分を
磁性体の金属で被覆して構成することにより、従来の磁
石に比し、ターゲット表面に強い磁場、即ち磁場の立ち
上がり分を垂直状にして側面視逆Ｕ字状の磁場を形成す
ることができるので、エロージョン域を拡大しスパッタ
効率を高めることが可能となる。
【００１６】また、ターゲットの裏面側の磁界発生手段
の配置された部分（非スパッタ部分）をスパッタされる
部分に比し薄く形成することにより、ターゲットの薄い
部分より磁場を発生させてターゲット表面側への磁場の
形成を容易にし、且つエロージョン部分を厚く形成する
ことにより、エロージョン域を確保することでスパッタ
効率を高めることが可能となる。
の配置された部分（非スパッタ部分）をスパッタされる
部分に比し薄く形成することにより、ターゲットの薄い
部分より磁場を発生させてターゲット表面側への磁場の
形成を容易にし、且つエロージョン部分を厚く形成する
ことにより、エロージョン域を確保することでスパッタ
効率を高めることが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を、以
下、図面に基づいて説明する。
下、図面に基づいて説明する。
【００１８】図１は、本発明の第１の実施の形態のマグ
ネトロンスパッタ装置の構成を示す概略断面模式図であ
り、図２は、磁界発生手段としての磁石を示し、（イ）
は概略平面図、（ロ）は概略断面側面図である。図３
（イ）は発生する磁場を示す説明図を示し、（ロ）はそ
の磁場によりスパッタされたターゲットのエロージョン
域を示す概略断面図を示す。
ネトロンスパッタ装置の構成を示す概略断面模式図であ
り、図２は、磁界発生手段としての磁石を示し、（イ）
は概略平面図、（ロ）は概略断面側面図である。図３
（イ）は発生する磁場を示す説明図を示し、（ロ）はそ
の磁場によりスパッタされたターゲットのエロージョン
域を示す概略断面図を示す。
【００１９】この装置は、真空チャンバ（図示せず）内
に、スパッタによって成膜される基板（図示せず）が水
平に設けられ、磁性体ターゲット１であるＮｉ（直径２
００ｍｍ、厚さ５ｍｍ）からなる平板状の円形ターゲッ
ト１がこの基板（図示せず）に対向して配置されてい
る。
に、スパッタによって成膜される基板（図示せず）が水
平に設けられ、磁性体ターゲット１であるＮｉ（直径２
００ｍｍ、厚さ５ｍｍ）からなる平板状の円形ターゲッ
ト１がこの基板（図示せず）に対向して配置されてい
る。
【００２０】このターゲット１の裏面側（後方側…図
１）には、ターゲット１の裏面にはバックプレート２が
設けられ、バックプレート２の中央部、周縁部に等間隔
で磁石３、４が配置されている。この磁石３、４は、本
体部３ａ、４ａがそれぞれ希土類（ネオジムと鉄にボロ
ンが加えられた３元素の化合物Ｎｄ2 Ｆｅ14Ｂで表面磁
束密度４００ｍＴ）よりなり、その側周面３ｂ、４ｂは
非磁性体、例えばＳｕＳ−３０４で被覆され、磁界方向
である上下面３ｃ、４ｃは磁性体、例えばＳｕＳ−４３
０で被覆されている。これにより、熱、水、及び表面の
キズによる劣化等より本体部３ａ、４ａを保護すること
ができる。（即ち、希土類は熱（〜８０℃）に弱く、水
にも弱い。また、磁力が強いために取扱中にキズがつき
やすく、そのキズが原因で劣化も早い。）また、磁石３
はターゲット１に対してＳ極面を向け、四方に配置され
た磁石４はターゲット１に対してＮ極面を向けた状態で
配置され、これらの磁石３、４はヨーク６によって固定
されている。この磁石３、４はターゲット１とからの距
離（ｈ）が、通常のマグネトロンスパッタ装置（図６）
の距離（Ｈ）に比し、短い距離である。
１）には、ターゲット１の裏面にはバックプレート２が
設けられ、バックプレート２の中央部、周縁部に等間隔
で磁石３、４が配置されている。この磁石３、４は、本
体部３ａ、４ａがそれぞれ希土類（ネオジムと鉄にボロ
ンが加えられた３元素の化合物Ｎｄ2 Ｆｅ14Ｂで表面磁
束密度４００ｍＴ）よりなり、その側周面３ｂ、４ｂは
非磁性体、例えばＳｕＳ−３０４で被覆され、磁界方向
である上下面３ｃ、４ｃは磁性体、例えばＳｕＳ−４３
０で被覆されている。これにより、熱、水、及び表面の
キズによる劣化等より本体部３ａ、４ａを保護すること
ができる。（即ち、希土類は熱（〜８０℃）に弱く、水
にも弱い。また、磁力が強いために取扱中にキズがつき
やすく、そのキズが原因で劣化も早い。）また、磁石３
はターゲット１に対してＳ極面を向け、四方に配置され
た磁石４はターゲット１に対してＮ極面を向けた状態で
配置され、これらの磁石３、４はヨーク６によって固定
されている。この磁石３、４はターゲット１とからの距
離（ｈ）が、通常のマグネトロンスパッタ装置（図６）
の距離（Ｈ）に比し、短い距離である。
【００２１】このように、磁石３、４が希土類で構成さ
れていること、及びターゲット１から磁石３、４の設け
られた距離が近接していることにより、ターゲット１裏
面に設けられた磁石３、４の磁力線は、図中の矢印（図
３（イ）実線部分で示す。尚、破線部分は対比するため
の従来の磁場を示す。）によって示すように、磁石４よ
りターゲット１を略垂直状に貫き逆Ｕ字状の磁場を形成
して磁石３側に向かうように発生することができる。即
ち、ターゲット１表面から垂直方向に湧き出す形状の磁
力線となる。このため、ターゲット１のエロージョン域
をターゲット表面に均一にしかもほぼ全面に広げること
ができる（図３（ロ）実線部分で示す。尚、破線部分は
対比するための従来の磁場によるエロージョン域を示
す。）。これにより、ターゲット１の利用効率を３５％
以上（従来の利用効率は２０〜２５％である。）に上げ
ることが可能となった。
れていること、及びターゲット１から磁石３、４の設け
られた距離が近接していることにより、ターゲット１裏
面に設けられた磁石３、４の磁力線は、図中の矢印（図
３（イ）実線部分で示す。尚、破線部分は対比するため
の従来の磁場を示す。）によって示すように、磁石４よ
りターゲット１を略垂直状に貫き逆Ｕ字状の磁場を形成
して磁石３側に向かうように発生することができる。即
ち、ターゲット１表面から垂直方向に湧き出す形状の磁
力線となる。このため、ターゲット１のエロージョン域
をターゲット表面に均一にしかもほぼ全面に広げること
ができる（図３（ロ）実線部分で示す。尚、破線部分は
対比するための従来の磁場によるエロージョン域を示
す。）。これにより、ターゲット１の利用効率を３５％
以上（従来の利用効率は２０〜２５％である。）に上げ
ることが可能となった。
【００２２】以上にように本発明のマグネトロンスパッ
タ装置は構成されている。この装置を用いて磁性体であ
るＮｉターゲットを用いる場合について説明する。
タ装置は構成されている。この装置を用いて磁性体であ
るＮｉターゲットを用いる場合について説明する。
【００２３】先ず、真空ポンプを駆動させ、真空チャン
バ内を所定の真空度とし、放電ガス供給源から放電ガス
を真空チャンバ内に供給する。そして、ターゲット電極
によりターゲット１に１３．５６ＭＨｚの高周波電源よ
り電圧を印加することにより、ターゲット１材の表面近
傍にプラズマを発生させる。
バ内を所定の真空度とし、放電ガス供給源から放電ガス
を真空チャンバ内に供給する。そして、ターゲット電極
によりターゲット１に１３．５６ＭＨｚの高周波電源よ
り電圧を印加することにより、ターゲット１材の表面近
傍にプラズマを発生させる。
【００２４】そして、ターゲット１の裏面側に設けた磁
石３、４によって形成される略垂直状にターゲット１を
貫き逆Ｕ字状の磁場により、空間部に形成されるプラズ
マがターゲット１表面から垂直方向に湧き出す形状とな
り、基板近傍をプラズマにより活性化することとなるの
で、成膜速度を飛躍的に早くすることができる。しか
も、この空間部の磁場が円形のターゲット１の表面に均
一にしかもほぼ全面に広がるために、広いエロージョン
域を形成してスパッタを行い、ターゲット１の広い範囲
からのスパッタ粒子が基板に到達し、基板表面には均一
なＮｉの薄膜が形成されることとなる。
石３、４によって形成される略垂直状にターゲット１を
貫き逆Ｕ字状の磁場により、空間部に形成されるプラズ
マがターゲット１表面から垂直方向に湧き出す形状とな
り、基板近傍をプラズマにより活性化することとなるの
で、成膜速度を飛躍的に早くすることができる。しか
も、この空間部の磁場が円形のターゲット１の表面に均
一にしかもほぼ全面に広がるために、広いエロージョン
域を形成してスパッタを行い、ターゲット１の広い範囲
からのスパッタ粒子が基板に到達し、基板表面には均一
なＮｉの薄膜が形成されることとなる。
【００２５】尚、上記実施例では、磁石３、４は、本体
部３ａ、４ａを希土類とし、その本体部３ａ、４ａの側
周面３ｂ、４ｂを非磁性体、上下面３ｃ、４ｃを磁性体
で保護して構成したが、さらに、上面に磁場レンズ８
（図４）を設けることにより集中した垂直の磁場を形成
してさらに強い垂直状の磁場をターゲット１表面に形成
することができる。
部３ａ、４ａを希土類とし、その本体部３ａ、４ａの側
周面３ｂ、４ｂを非磁性体、上下面３ｃ、４ｃを磁性体
で保護して構成したが、さらに、上面に磁場レンズ８
（図４）を設けることにより集中した垂直の磁場を形成
してさらに強い垂直状の磁場をターゲット１表面に形成
することができる。
【００２６】また、上記実施例では、ターゲット１を薄
く形成したが、例えば、各磁石３、４の配置された部分
のみターゲット１を薄く（１〜２ｍｍ程度）形成し、エ
ロージョン部分を厚く（２ｍｍ以上）形成する（図５）
ことにより、ターゲット１の利用効率をさらに良くする
ことも可能である。
く形成したが、例えば、各磁石３、４の配置された部分
のみターゲット１を薄く（１〜２ｍｍ程度）形成し、エ
ロージョン部分を厚く（２ｍｍ以上）形成する（図５）
ことにより、ターゲット１の利用効率をさらに良くする
ことも可能である。
【００２７】さらに、各磁石３、４の配置は細かく調整
することにより、ターゲットの大きさ、形にこだわるこ
となくターゲット効率を向上すべく使用することができ
る。
することにより、ターゲットの大きさ、形にこだわるこ
となくターゲット効率を向上すべく使用することができ
る。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマグネト
ロンスパッタ方法とその装置によれば、磁界発生手段を
ターゲットのバックプレートに直接、又は近接して設け
ることにより、ターゲットの表面に垂直状の強い磁場を
形成することができるという顕著な効果を得た。
ロンスパッタ方法とその装置によれば、磁界発生手段を
ターゲットのバックプレートに直接、又は近接して設け
ることにより、ターゲットの表面に垂直状の強い磁場を
形成することができるという顕著な効果を得た。
【００２９】さらに、ターゲットを磁性体で構成し、こ
のターゲットの裏面側の磁石を非磁性体等で被覆された
希土類で構成することにより、ターゲットの表面に垂直
状の強い磁場を形成することにより、厚い磁性体からな
るターゲットを用いても、エロージョン域をターゲット
のスパッタ面全体に拡げることができ、効率のよいスパ
ッタを可能にすることができるという顕著な効果を得る
ことができた。
のターゲットの裏面側の磁石を非磁性体等で被覆された
希土類で構成することにより、ターゲットの表面に垂直
状の強い磁場を形成することにより、厚い磁性体からな
るターゲットを用いても、エロージョン域をターゲット
のスパッタ面全体に拡げることができ、効率のよいスパ
ッタを可能にすることができるという顕著な効果を得る
ことができた。
【００３０】また、の厚い磁性体のターゲットを使用可
能としたことにより、ターゲットの寿命を長くすること
ができる。その結果、効率よく生産することができ、量
産に適した方法となり、高品質のしかも低コストの膜を
製造することができるという利点がある。
能としたことにより、ターゲットの寿命を長くすること
ができる。その結果、効率よく生産することができ、量
産に適した方法となり、高品質のしかも低コストの膜を
製造することができるという利点がある。
【００３１】また、磁界発生手段を磁性体等で被覆した
希土類で構成することにより、簡易な構成で強い磁場の
形成されたマグネトロンスパッタ装置を構成することが
でき、磁石を長期にわたり使用することが可能となる。
希土類で構成することにより、簡易な構成で強い磁場の
形成されたマグネトロンスパッタ装置を構成することが
でき、磁石を長期にわたり使用することが可能となる。
【図１】は、本発明のマグネトロンスパッタ装置を示す
概略断面模式図。
概略断面模式図。
【図２】は、マグネトロンスパッタ装置に設けられた磁
界発生手段としての磁石を示し、（イ）は概略平面図、
（ロ）は概略断面側面図。
界発生手段としての磁石を示し、（イ）は概略平面図、
（ロ）は概略断面側面図。
【図３】（イ）は、ターゲットの表面の磁場を示す概略
説明図で、（ロ）はターゲットのエロージョン域を示す
概略断面図。
説明図で、（ロ）はターゲットのエロージョン域を示す
概略断面図。
【図４】は、磁界発生手段としての磁石の他実施例を示
す概略断面図。
す概略断面図。
【図５】は、マグネトロンスパッタ装置の他実施例を示
し、ターゲットを加工した場合の磁場を示す概略断面
図。
し、ターゲットを加工した場合の磁場を示す概略断面
図。
【図６】は、従来のマグネトロンスパッタ装置を示す概
略断面図。
略断面図。
１…ターゲット
Claims (4)
- 【請求項１】 ターゲットの裏面側に設けられた磁界発
生手段によりターゲットの表面に磁場を発生してスパッ
タを行うマグネトロンスパッタ方法において、ターゲッ
トの表面に発生する磁場の立ち上がり部分を垂直状にす
ることで、逆Ｕ字状の磁場を発生させてスパッタするこ
とを特徴とするマグネトロンスパッタ方法。 - 【請求項２】 スパッタリングされるためのターゲット
と、ターゲットを設置するためのバックプレートと、タ
ーゲットの表面に磁場を発生すべくターゲットの裏面側
に設けられた磁界発生手段とを有するマグネトロンスパ
ッタ装置において、磁界発生手段をバックプレートに直
接、又はバックプレートに近接して配置することを特徴
とするマグネトロンスパッタ装置。 - 【請求項３】 磁界発生手段は、希土類磁石からなる本
体と、本体の側周面を被覆した非磁性体の金属と、磁界
を形成する本体の上下部分を被覆した磁性体の金属とで
構成されている請求項２記載のマグネトロンスパッタ装
置。 - 【請求項４】 ターゲットは、その裏面側の磁界発生手
段の配置された部分がスパッタされる部分に比し薄く形
成されている請求項２又は３に記載のマグネトロンスパ
ッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000350743A JP2002155357A (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | マグネトロンスパッタ方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000350743A JP2002155357A (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | マグネトロンスパッタ方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002155357A true JP2002155357A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=18823915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000350743A Pending JP2002155357A (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | マグネトロンスパッタ方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002155357A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012011329A1 (ja) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ターゲットの裏面に溝を備えた磁性材スパッタリングターゲット |
-
2000
- 2000-11-17 JP JP2000350743A patent/JP2002155357A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012011329A1 (ja) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ターゲットの裏面に溝を備えた磁性材スパッタリングターゲット |
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