JP2002170876A

JP2002170876A - 基板搬送容器

Info

Publication number: JP2002170876A
Application number: JP2000403875A
Authority: JP
Inventors: Akira Tanaka; 亮田中; Takashi Kishi; 貴士岸
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2000-12-04
Filing date: 2000-12-04
Publication date: 2002-06-14

Abstract

(57)【要約】【目的】収容した保管又は搬送対象基板への外部雰囲
気からの汚染を効率よく防止すると共に、乾燥気体等を
容器内に導入してその雰囲気を短時間で効率的に置換で
きるようにした基板搬送容器を提供する。【構成】内部に保管又は搬送の対象とする基板を収納
する容器本体１２と、容器本体１２に対して密閉可能な
ドア１４とで構成される基板搬送容器１０において、基
板搬送容器１０内を清浄な気体で流通又は置換するため
の給気口３０及び排気口３２と、給気口３２に接続し容
器１０内に延びるダクト３８と、ダクト３８の容器１０
内方に向けた面に配置した整流板４０とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスクまたはハードディスク等の被処理物を、極め
て清浄度の高い雰囲気下で保管または運搬するのに使用
して好適な基板搬送容器に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体工場において製造工程中
の半導体ウエハやフォトマスク等の基板を搬送・保管す
る時に、雰囲気空気中に存在する微量の粉塵やガス状不
純物が半導体ウエハ等の対象物へ付着すると製品歩留ま
りの低下につながり、この傾向は、集積度の増加に伴っ
て益々顕著になる。また、磁気ディスクにおいても、磁
気抵抗ヘッドの登場により、記録の高密度化が一段と加
速しており、粉塵だけでなくガス状不純物に対しての高
い清浄度が求められつつある。さらに、半導体ウエハの
コロージョン低減の観点から、基板を収納する雰囲気の
湿度を低く維持する簡便な手段も求められている。

【０００３】このような搬送・保管の場合に基板を収容
する清浄空間を作るため、モータファンと、ＨＥＰＡ
（ｈｉｇｈｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｐａｒｔｉｃｌｅ
ａｉｒ）フィルタやＵＬＰＡ（ｕｌｔｒａｌｏｗ
ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎａｉｒ）フィルタを搭載した
基板搬送容器等が開発されている。また、例えば、半導
体ウエハ周辺を局所的に清浄化する方法として、半導体
ウエハを収納した基板搬送容器内を高純度の窒素で置換
し、清浄度維持と自然酸化膜の成長を抑えるようにした
ものがある。

【０００４】しかしながら、前記ＨＥＰＡフィルタやＵ
ＬＰＡフィルタを使用したものでは、粒子状汚染物質は
除去できるものの、微量の有機または無機ガスは除去で
きない。また、循環する空気が被処理物の清浄化に直接
寄与しない部分に大量に流れたり、基板搬送容器内で滞
留部があると、基板搬送容器内の換気効率の向上が望め
ず、清浄化された空気による被処理物の汚染防止効果が
薄れてしまう。また、窒素に置換する方法では、例えば
レジスト等を塗布した半導体ウエハ自身から発生する不
純物を除去できない等の問題がある。

【０００５】即ち、例えば半導体ウエハの保管に当たっ
ては、半導体素子の微細化により分子状汚染物質が問題
になっている。例えば、レジスト等を塗布した半導体ウ
エハ自体からレジスト等の有機物成分が基板容器内壁に
付着すると、その部分が汚染源となり不均一な自然酸化
膜の成長や、化学増幅型レジストによるパターン不良が
顕在化するという問題がある。また、化学気相成長によ
る成膜や配線材料の多様化によって、多種多様な材料が
これらに用いられ、これらが容器内壁に付着すると、同
様に清浄環境に維持すべき半導体ウエハの汚染源とな
る。

【０００６】一方で、半導体素子のうち、ＤＲＡＭは少
品種大量生産品であるが、今後システムＬＳＩの占める
割合が増大するという傾向が予測され、半導体生産も多
品種少量生産に移行する傾向がある。これらの半導体ウ
エハの処理ロットは、工程間の高速搬送が要求されると
共に、次処理までの保管時間がランダムとなる傾向があ
る。このようなわけで、これらの半導体ウエハを搬送・
保管する基板搬送容器としては、上述した多様な汚染物
質が発生する半導体製造工程、及び工程間処理待ち時間
の多様化に対応して、常に清浄な環境下に半導体ウエハ
を維持することが要請されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の課題に
鑑み、収容した保管または搬送対象基板への外部雰囲気
からの汚染を効率よく防止すると共に、乾燥気体等を容
器内に導入してその雰囲気を短時間で効率的に置換でき
るようにした基板搬送容器を提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
内部に保管または搬送の対象とする基板を収納する容器
本体と、該容器本体に対して密閉可能なドアとで構成さ
れる基板搬送容器において、前記基板搬送容器内を清浄
な気体で流通または置換するための給気口及び排気口
と、前記給気口に接続し前記容器内に延びるダクトと、
該ダクトの容器内方に向けた面に配置した整流板とを備
えたことを特徴とする基板搬送容器である。

【０００９】これにより、整流板の開口率を容器内の気
体流れが均一となるように調整することで、給気口から
整流板を備えたダクトを介して容器内に収容された多数
の半導体ウエハ等の被処理基板間に均一に清浄な気体を
供給することが出来る。従って、清浄ガスによる容器内
の置換効率が改善され、短時間で清浄な気体の置換が行
える。また、清浄な気体を流通しつつ例えば複数の半導
体ウエハを保管する場合には、多数の半導体ウエハの間
に清浄な気体が均一に流れ、これにより半導体ウエハ表
面を効率的に清浄な気体に接触させつつ保管を行うこと
が出来る。

【００１０】請求項２記載の発明は、前記給気口近傍に
粒子除去用フィルタ及びガス状不純物除去用フィルタと
を備えたことを特徴とする請求項１に記載の基板搬送容
器である。これにより、容器内に流入する清浄な気体中
に含まれる粒子状汚染物質のみならずガス状汚染物質も
除去することができる。従って、保管・搬送対象の基板
に外部から導入されるガス中に含まれる物質による汚染
を防止することが出来る。

【００１１】請求項３記載の発明は、前記給気口と排気
口に逆流防止機構を備えたことを特徴とする請求項１に
記載の基板搬送容器である。これにより、供給口のガス
配管側のガス圧力が容器内部のガス圧力よりも高くなっ
た時のみ、清浄な気体が容器内に供給され、容器内部の
ガス圧力が排気口外側のガス圧力よりも高くなった時に
清浄な気体が容器内から排出される。従って、置換また
は流通する清浄な気体の逆流が防止される。

【００１２】請求項４記載の発明は、内部に保管または
搬送の対象とする基板を収納する容器本体と、該容器本
体に対して密閉可能なドアとで構成される基板搬送容器
において、前記容器本体を構成する主要材料を吸水率
０．１％以下の高分子材料または不透湿材料で構成した
ことを特徴とする基板搬送容器である。これにより、清
浄な気体の容器内の置換を停止した時に、容器内壁面か
ら容器内部に拡散する湿気の量が低減し、容器内の湿度
を低く保つことができる。従って、処理対象基板の湿気
による汚染に基づく不良等を防止することが出来る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図１乃至図８を参照しながら説明する。

【００１４】図１及び図２は、本発明の実施の形態の基
板搬送容器を示す。この基板搬送容器は、例えば直径が
２００ｍｍ程度の半導体ウエハ（被処理基板）Ｗをカセ
ットに収納した状態で容器内に収容し、搬送・保管等を
行うものである。この基板搬送容器１０は、底面にカセ
ットに収納した被処理基板を出し入れする開口部を有し
た角筒状の容器本体１２と、その開口部を閉塞するドア
１４とから構成されている。ドア１４は装置１６側に設
けられた基板搬出入ドア自動開閉装置１８に連結され
て、容器本体１０の底面の開口部を開閉可能としてい
る。

【００１５】ドア１４上にはカセット２０が搭載され、
これに多数の半導体ウエハＷが収納されている。ドア１
４にはラッチ機構を備え、基板搬出入ドア自動開閉装置
１８によりドア１４に設けられたラッチを外して昇降機
構２２を下げることにより、ドア１４と共にカセット２
０を容器本体１２から取り出し、更にカセット２０に搭
載した半導体ウエハＷをカセット２０から取り出すこと
ができる。そして、半導体ウエハを容器１２内に収容す
る場合には、半導体ウエハＷを搭載したカセット２０を
ドア１４に載せて、昇降機構１８を上昇させてカセット
２０を容器本体１２内に挿入し、基板搬出入ドア自動開
閉装置１８によりドア１４に設けられたラッチ機構をロ
ックすることによりドア１４が容器本体１２に固定され
る。ドア１４と容器本体１２との接触部にはガスケット
等が配置され、容器１０内を気密に保つことができる。

【００１６】処理済み半導体ウエハを収容した容器１０
を装置１６のロードポートから切り離して搬送する場合
等には、切り離す直前に容器１０内部の清浄な気体によ
る置換が行われる。この清浄な気体は、不活性ガス、乾
燥空気、または湿り空気が用いられる。このような場合
に、清浄な気体による容器内部の置換時間を削減するた
めには、高流量で且つ置換効率を上げることが重要であ
る。このため、この容器１０においては清浄な気体の吹
き出し口の面積を増加させ、且つ容器内を均一に清浄な
気体が流れるような構成を有している。

【００１７】清浄ガス置換は通常、半導体製造装置に取
り付けられたドア自動開閉装置上において、ウエハを装
置に搬入する前、又は処理の終わったウエハを容器内に
収納した後に実施する。その他の時期としては、例えば
ＡＧＶ（ＡｕｔｏｍａｔｅｄＧｕｉｄｅｄＶｅｈｉｃ
ｌｅ）等の基板搬送装置や、保管庫、保管棚といった搬
送・保管している時期に実施することもある。ドア自動
開閉装置上においてガス置換する場合は、大流量、例え
ば１０〜４０Ｌ／ｍｉｎで容器内を短時間で、高速置換
することが重要である。このため、この容器１０におい
ては清浄な気体の吹き出し口の面積を増加させ、且つ容
器内を均一に清浄な気体が流れるような構成を有してい
る。一方、保管庫で保管する場合には、例えば０．５〜
５Ｌ／ｍｉｎ程度の低流量でゆっくり置換すれば良い。
この清浄な気体は、高純度な窒素ガス、不活性ガス、乾
燥空気が用いられるが、用途によっては湿度４０％ＲＨ
程度の高純度な湿り空気を用いても構わない。ガスの置
換の方法は、例えば、給気ポートにガスを連続的に注入
しながら排気ポートから連続的に排気したり、給気ポー
トから一定流量のガスを注入後一旦止めて、排気ポート
から一定流量排気する操作を繰り返したり、或いは給気
ポートはガスを流し続けて、排気ポートから間欠的に排
気する方法等がある。置換は、容器内にもともと閉じ込
められていた空気と、注入する清浄気体が効率良く混合
・置換できる方法が良い。従って、単に清浄ガスを連続
的に流し、連続的に排気するよりも、給気・排気を断続
的に繰り返したり、給気は連続にして、排気を断続的に
実施したり、給気は断続的にして、排気を連続的に実施
するような方法が良い。

【００１８】図３（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）はドアの構
造の詳細を示す。（ａ）はドア１４の下面を示し、容器
１０内を清浄な気体で流通または置換するための給気口
３０及び排気口３２が配置されている。更にドア１４の
下面には基板搬出入ドア自動開閉装置１８と係合する位
置決め穴３４が設けられ、基板搬出入ドア自動開閉装置
１８に立設したピンと係合することにより、ドア１４を
基板搬出入ドア自動開閉装置１８に対して固定する。ド
アラッチ３６は、これを回転することにより、ドア１４
内に設けられたラッチ機構をロックすることでドア１４
を容器本体１２に固定い、またアンロックすることでド
ア１４を容器本体１２から開放可能とする。給排気口３
０，３２、位置決め穴３４、ドアラッチ３６等の寸法及
び配置は、Ｓｅｍｉ規格等により統一されている。

【００１９】ドア１４には容器１０内の半導体ウエハＷ
が配置される一番上の高さ近傍迄延在するダクト３８が
配置されている。このダクト３８は、その先端３８ａが
閉塞されていて、容器１０の内方に向かう面に図４に示
す多数の開口を有する整流板４０が配置されている。こ
の整流板４０には、図示するように多数の開口を有し、
この開口率は給気口側が大きく、ダクト３８の先端部に
向かうに従い小さくなるように構成されている。このダ
クト３８及び整流板４０によりドア１４の底面に設けら
れた給気口３０から供給される清浄な気体はダクト３８
内を上昇し、先端部が閉塞されているので、気体の流れ
は９０°向きを変えて整流板から吹き出させることがで
きる（図１及び図２参照）。仮に整流板４０の開口率を
均一にしておくと、ダクト３８の上端部が閉塞されてい
るため、ダクトの上部程供給圧力が高くなり、吹き出し
量が増える。従って、ダクト３８の下部において開口率
を高くし、ダクトの上部に行くに従い開口率を低くする
ことで、ダクトの高さ方向に沿って均一な吹き出し量が
得られる。

【００２０】このようなダクト３８と整流板４０を設け
ることにより、清浄な気体の吹き出し面積を拡大するこ
とができ、これにより通過面風速を低下させ、高流量で
且つ容器内ガスの置換効率を上げることができる。これ
により清浄な気体の容器１０内部の置換時間を低減する
ことができる。

【００２１】図５は、本発明の基板搬送容器の乾燥ガス
による置換特性を示した図である。即ち、乾燥ガスによ
る置換に際して、相対湿度の変化を示したグラフであ
り、図中の黒い△印は通常のポリカーボネート容器を用
いた場合であり、流量が５Ｌ／ｍｉｎであり、図中の×
印は、流量が１０Ｌ／ｍｉｎの場合である。図示するよ
うに、下限湿度までの到達時間は約１５分程度かかり、
流量による差は殆どない。これに対して、白い○印は本
発明の吸水率０．１％以下の高分子材料を用いた容器で
あり、同様に乾燥ガスの流量が１０Ｌ／ｍｉｎである場
合を示し、約５分程度で下限湿度まで到達する。このこ
とは、乾燥ガスの置換効率が高いことを示しており、乾
燥ガスをダクト３８から整流板４０を介して均一な流れ
を形成するように容器内に供給することで、置換効率が
改善されることを示している。

【００２２】尚、この実施の形態では整流板として多数
の円形の開口を有するパンチングプレートを用いた例に
ついて示したが、異なる通気抵抗を持った不織布を張り
付け、ダクトに沿って均一な吹き出し量が得られるよう
に通気抵抗を調整するようにしてもよい。また、この実
施の形態では整流板を備えたダクトをドアに設けた例に
ついて示したが、容器本体に固定するようにしてもよ
い。

【００２３】次に、給気口に備えた逆止弁について図５
を参照して説明する。逆止弁４２は、スプリング４４に
より固定部４６に固定されている。固定部４６と逆止弁
４２の接触部にはＯリングシール４８が備えられてい
る。従って、逆止弁４２の下流側Ａの圧力が上流側Ｂの
圧力よりも高い時には、（ａ）に示すようにスプリング
４４が伸張して逆止弁４２が閉止状態となる。また、逆
止弁４２の下流側Ａの圧力が上流側Ｂの圧力よりも低い
時には、（ｂ）に示すようにスプリング４４が収縮して
逆止弁４２が開放状態となる。

【００２４】次に、図６を参照して、給気口とダクトと
の接続について説明する。給気口３２には上述した逆止
弁４２を備えている。フィルタ５０は、ＵＬＰＡ濾材等
の粒子状汚染物質捕捉フィルタと、ガス状不純物捕捉フ
ィルタ５４とを備えている。粒子状汚染物質捕捉フィル
タ５２は、種々のフィルタが知られているが、疎水性で
且つ不純物放出がないフッ素形樹脂を用いたＵＬＰＡフ
ィルタが好適である。ガス状不純物捕捉フィルタ５４
は、活性炭、添着活性炭、活性炭素繊維、ゼオライト、
シリカゲル、イオン交換不織布または繊維の内これらを
単独または組み合わせて用いることができる。この実施
形態においては、活性炭５４ａとこれをサンドイッチ状
に挟み込むイオン交換不織布５４ｂが用いられている。
これらのガス状不純物を捕捉するフィルタは、粒子状汚
染物質捕捉フィルタの負荷を軽減するために発塵しない
材料を用いることが好ましい。いずれのフィルタも、そ
の平均面風速を０．１ｍ／ｓ以下、好ましくは０．０５
ｍ／ｓにして、接続するガス配管やパージ配管から流入
した外気中に含まれる汚染物質を確実に捕捉することが
できることが必要である。

【００２５】半導体ウエハの容器内への保管時で、最も
困難なのは湿度の問題である。この実施の形態の基板搬
送容器１０においては、その容器本体１２とドア１４と
の材料を吸水率０．１％以下の高分子材料または不透湿
材料で構成している。これらの材料はＡＳＴＭ（Ａｍｅ
ｒｉｃａｎＳｏｃｉｅｔｙｆｏｒＴｅｓｔｉｎｇ
ａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ）Ｄ５７０規格により定
められている。半導体ウエハ等の搬送・保管容器に使用
される一般的な材料の吸水率を述べると、ＰＣ（ポリカ
ーボネート）０．２％、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタ
レート）０．０８％、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテル
ケトン）０．１４％、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）
０．２５％、ＰＰ（ポリプロピレン）０．０３％であ
る。

【００２６】この容器１０の構成材料として好ましいの
は、吸水率０．１％以下であり、これに該当するものと
してＰＥ（ポリエーテルイミド）＜０．０１％、ＰＰ
（ポリプロピレン）０．０３％、ＰＢＴ（ポリブチレン
テレフタレート）０．０６〜０．０８％、ＰＰＳ（ポリ
フェニレンスルフィド）０．０２％、ＰＴＦＥ＜０．０
１％、ＰＣ（カーボン２０％添加ポリカーボネート）
０．１％、ＰＢＴ（カーボン２０％添加ポリブチレンテ
レフタレート）０．０５％などがある。特にこの容器材
料として好ましいものは、吸水率が低く、耐薬品性が良
好であり、高温での安定性が高く、且つ成型収縮率が低
い材料が好ましく、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィ
ド）、カーボン添加ポリブチレンテレフタレート（ＰＢ
Ｔ）、カーボン添加ポリカーボネートが特に好ましい。

【００２７】また、低湿度にすると、ウエハが帯電しや
すくなるので、少なくともウエハに接するウエハ支持部
材とウエハ支持部材から容器下部に接地するドアは、カ
ーボン等を添加した導電性材料が特に好ましい。更に、
ガス状不純物捕捉素子として用いるイオン交換不織布や
活性炭は、製造直後の状態で水を吸着しているので、予
め脱水処理をして使用するのが好ましい。

【００２８】容器内を乾燥ガス、即ち乾燥空気または水
分を含まない不活性ガスと置換すると、置換直後は湿度
は略０％の限界湿度まで低下する。しかしながら、この
状態で乾燥ガスの供給を停止して放置しておくと、容器
内壁面の高分子材料が保持している水分が湿度勾配によ
って容器内部に拡散する。従って、乾燥ガスにより置換
した容器内部の湿度は、時間の経過と共に増大する。図
８は、この一例を示し、乾燥ガスによる置換後に略０％
の相対湿度が従来の市販ＰＣ（ポリカーボネート）容器
を使用した場合には、数時間後には３０％以上に上昇す
ることを示している。本発明の実施形態の吸水率０．０
２％のポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）を使用する
ことで、乾燥ガスにより置換直後の略０％の相対湿度は
数時間以上経過しても略１２％程度に留まり、顕著な湿
度上昇抑制効果が確認された。これにより保管搬送時の
容器内湿度が上昇することが防止できることは明らかで
ある。尚、自然酸化膜の成長は暗所で保管することによ
り抑制効果があることが知られている。このため、容器
本体を構成する材料は、光透過性材料よりも光遮断性材
料を用いることが好ましい。

【００２９】図５は、本発明の基板搬送容器の乾燥ガス
による置換特性を示した図である。即ち、乾燥ガスによ
る置換に際して、相対湿度の変化を示したグラフであ
り、図中の黒い△印は通常のポリカーボネート容器を用
いた場合であり、流量が５Ｌ／ｍｉｎであり、図中の×
印は、流量が１０Ｌ／ｍｉｎの場合である。図示するよ
うに、下限湿度までの到達時間は約１５分程度かかり、
流量による差は殆どない。これに対して、白い○印は本
発明の吸水率０．１％以下の高分子材料を用いた容器で
あり、同様に乾燥ガスの流量が１０Ｌ／ｍｉｎである場
合を示し、約５分程度で下限湿度まで到達する。このこ
とは、乾燥ガスの置換効率が高いことを示しており、乾
燥ガスをダクト３８から整流板４０を介して均一な流れ
を形成するように容器内に供給することで、置換効率が
改善されることを示している。

【００３０】尚、上述した実施の形態においては、容器
の材料としてポリフェニレンスルフィドを用い、乾燥ガ
スをダクトを介して開口率を調整した整流板から均一に
流す例について説明したが、本発明の趣旨を逸脱するこ
となく種々の変形実施例が可能なことは勿論である。

【００３１】次に、本発明の第二の実施の形態を図９乃
至図１４を参照しながら説明する。本発明の実施の形態
は、３００ｍｍウエハ用ＦＯＵＰ（ＦｒｏｎｔＯｐｅ
ｎｉｎｇＵｎｉｆｉｅｄＰｏｄ）に適用した例であ
る。本基板搬送容器は、容器本体１２と容器前面に配置
されたドア１４と、位置決めピンを受けるキネマティッ
クカップリング等を持つ底板５８と、容器本体内部に配
置されて、複数枚の半導体ウエハＷを支えるウエハ支持
部材５６と、容器本体１２に取り付けられた給気ポート
３０と排気ポート３２及び給気ポート３２の下流側に配
置されてガス吹き出し口に多孔板４０を持ったダクト３
８から構成される。ＦＯＵＰはＳＥＭＩ規格により、ポ
ッド底部に位置決めピンや各種識別用穴などが配置され
るため、給気・排気ポートはそれらに干渉しないようド
アから見て左右の下部に配置している。本発明の第一の
実施の形態と同様に、給気・排気ポートには逆流防止弁
４２とフィルタ５２が内蔵されている。容器内のガス
は、ガス置換装置、ドアオープナ、搬送装置、保管庫な
どの所定の位置に着座した後、給気ポートから不活性ガ
スなどが給気されると、フィルタ５４で不純物が除去さ
れ、ダクト３８を通り、多孔板４０からドアに向かう流
れが形成される。半導体ウエハＷ通過後のガスは排気ポ
ート３２から排気され、容器内を効率良くガス置換でき
る。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板搬送容器内を清浄な気体で流通または置換する際に、
清浄な気体をダクトを介して整流板から均一に容器内に
流すことで、容器内のガスの滞留を生じることなく効率
的な置換が行える。これにより、清浄な気体による置換
時間を短縮することができ、半導体工場等における生産
の効率化が図れる。また、清浄な気体が容器内を均一に
流れることで、容器内に保管する多数の半導体ウエハ等
に均一に新鮮な清浄ガスを供給してこれらを清浄に保つ
ことができる。また、ガス状不純物捕捉素子を備えたフ
ィルタを設けると共に逆流防止弁を備えることで、容器
内に保管する半導体ウエハ等の汚染を防止することがで
きる。更にまた、容器を構成する主要材料を、吸水率が
０．１％以下の高分子材料または不透湿材料を用いるこ
とで、容器内壁面からの湿気の拡散による相対湿度の上
昇を防止できる。

【００３３】総じて本発明によれば、ガス状汚染物質を
除去しつつ、短時間で乾燥ガス等の置換が行え、且つ容
器内湿度が上昇しないようにした基板搬送容器が提供さ
れる。従って、多品種少量生産等の半導体デバイス等の
製造方式に用いて有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の基板搬送容器の立面図で
ある。

【図２】図１に示す基板搬送容器の平面図である。

【図３】図１に示す基板搬送容器のドアの構造を示す、
（ａ）下面の平面図、（ｂ）Ｘ矢視図、（ｃ）上面の平
面図、（ｄ）Ｙ矢視図である。

【図４】整流板の構造令を示した図である。

【図５】本発明の容器と従来例の容器とを対比した乾燥
ガスの供給停止後の容器内の相対湿度の上昇を示すグラ
フである。

【図６】逆流防止弁の構造を模式的に示した図であり、
（ａ）は閉止状態を示し、（ｂ）は開放状態を示す。

【図７】給気口とダクトとの接続構造例を示した図であ
る。

【図８】本発明の容器と従来例の容器とを対比した乾燥
ガスによる容器内部の置換特性を示すグラフである。

【図９】本発明の第２の実施の形態の基板搬送容器の側
面図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態の基板搬送容器の
下面図である。

【図１１】図９のＡ−Ａ断面図である。

【図１２】図１１のＢ−Ｂ断面図である。

【図１３】図１１のＣ−Ｃ断面図である。

【符号の説明】

１０基板搬送容器１２容器本体１４ドア２０カセット３８ダクト４０整流板４２逆流防止弁５２フィルタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3E067 AA11 AB41 AC03 BA05A BB14A BC06A CA04 CA05 FA01 FC01 GA19 3E096 AA06 BA16 BB04 CA02 CB03 DA25 DA30 DB06 DC02 EA02X FA03 FA22 GA03 5F031 CA02 CA05 CA07 DA09 EA02 EA14 EA19 EA20 NA16 PA26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内部に保管または搬送の対象とする基板
を収納する容器本体と、該容器本体に対して密閉可能な
ドアとで構成される基板搬送容器において、前記基板搬
送容器内を清浄な気体で流通または置換するための給気
口及び排気口と、前記給気口に接続し前記容器内に延び
るダクトと、該ダクトの容器内方に向けた面に配置した
整流板とを備えたことを特徴とする基板搬送容器。
【請求項２】前記給気口近傍に粒子除去用フィルタ及
びガス状不純物除去用フィルタとを備えたことを特徴と
する請求項１に記載の基板搬送容器。
【請求項３】前記給気口と排気口に逆流防止機構を備
えたことを特徴とする請求項１に記載の基板搬送容器。
【請求項４】内部に保管または搬送の対象とする基板
を収納する容器本体と、該容器本体に対して密閉可能な
ドアとで構成される基板搬送容器において、前記容器本
体を構成する主要材料を吸水率０．１％以下の高分子材
料または不透湿材料で構成したことを特徴とする基板搬
送容器。