JP2002190609A - ミラー型太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
ミラー型太陽電池およびその製造方法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射率に波長依存性のないミラーおよび半透
過ミラーに適用可能な太陽電池を提供する。 【解決手段】 本発明の太陽電池は、基板の少なくとも
一方の面に第１電極膜／光電変換層／第２電極膜を順次
積層した素子を備え、該第１電極膜および第２電極膜が
金属膜であり、該太陽電池の第２電極膜および光電変換
層に部分的欠落部を設けることを特徴とするミラー型太
陽電池。
過ミラーに適用可能な太陽電池を提供する。 【解決手段】 本発明の太陽電池は、基板の少なくとも
一方の面に第１電極膜／光電変換層／第２電極膜を順次
積層した素子を備え、該第１電極膜および第２電極膜が
金属膜であり、該太陽電池の第２電極膜および光電変換
層に部分的欠落部を設けることを特徴とするミラー型太
陽電池。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属光沢を有する
ミラー型太陽電池とその製造方法に関する。
ミラー型太陽電池とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、環境問題が重要視されるようにな
り、従来の火力や原子力以外のエコロジーな発電源とし
て太陽光発電が注目されている。太陽光発電は住宅用ば
かりでなく様々な電子機器にも応用範囲が広がってきて
いる。
り、従来の火力や原子力以外のエコロジーな発電源とし
て太陽光発電が注目されている。太陽光発電は住宅用ば
かりでなく様々な電子機器にも応用範囲が広がってきて
いる。
【０００３】図２は従来の太陽電池の構造を示した図で
ある。一般的な従来の太陽電池では、第２電極膜４ｂと
して酸化インジウム錫などの透明導電膜を用いていた。
前記透明導電膜４ｂから入射した光は光電変換層３を介
して第１電極膜２である金属膜で反射し、再び光電変換
層３と第２電極膜４ｂを介して反射光となる。
ある。一般的な従来の太陽電池では、第２電極膜４ｂと
して酸化インジウム錫などの透明導電膜を用いていた。
前記透明導電膜４ｂから入射した光は光電変換層３を介
して第１電極膜２である金属膜で反射し、再び光電変換
層３と第２電極膜４ｂを介して反射光となる。
【０００４】前記光電変換層３にアモルファスシリコン
を用いた太陽電池の場合には、可視光の緑色付近にキャ
リア収集効率のピークを持ち、また、結晶シリコンを用
いた太陽電池の場合には、可視光の赤色付近にキャリア
収集効率のピークを持つ。このように全波長域に対して
均一なキャリア収集効率を持つような太陽電池は存在し
ない。従って、反射光はその太陽電池材料特有の色味を
有するので、人間は該色味を感知することになる。
を用いた太陽電池の場合には、可視光の緑色付近にキャ
リア収集効率のピークを持ち、また、結晶シリコンを用
いた太陽電池の場合には、可視光の赤色付近にキャリア
収集効率のピークを持つ。このように全波長域に対して
均一なキャリア収集効率を持つような太陽電池は存在し
ない。従って、反射光はその太陽電池材料特有の色味を
有するので、人間は該色味を感知することになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記色味を人間の目で
認識させないために、太陽電池上面に色調補正の干渉膜
を配置したり、太陽電池を覆うように有色の保護膜を配
置して太陽電池材料特有の色味を変化させ、各種の色味
を得ていた。
認識させないために、太陽電池上面に色調補正の干渉膜
を配置したり、太陽電池を覆うように有色の保護膜を配
置して太陽電池材料特有の色味を変化させ、各種の色味
を得ていた。
【０００６】しかし金属的な光沢の反射面が欲しい場
合、従来のように前記干渉膜や有色の保護膜を太陽電池
上面に設ける方法では、反射率の高い光沢反射面を得る
事は物理的に不可能であった。また、光電変換層に光を
入射させる必要があるため金属膜を入射光側の電極に用
いる事はできなかった。例え膜厚を薄くして半透過とし
た金属膜を用いても太陽電池からの反射光は色味を有す
るため、やはり金属的な光沢の反射面得る事が出来なか
った。
合、従来のように前記干渉膜や有色の保護膜を太陽電池
上面に設ける方法では、反射率の高い光沢反射面を得る
事は物理的に不可能であった。また、光電変換層に光を
入射させる必要があるため金属膜を入射光側の電極に用
いる事はできなかった。例え膜厚を薄くして半透過とし
た金属膜を用いても太陽電池からの反射光は色味を有す
るため、やはり金属的な光沢の反射面得る事が出来なか
った。
【０００７】本発明の目的は上記課題を解決して、波長
依存性のない金属光沢を有するミラー型太陽電池を提供
することにある。
依存性のない金属光沢を有するミラー型太陽電池を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のミラー型太陽電池は、下記記載の手段を採用す
る。基板の少なくとも一方の面に第１電極膜／光電変換
層／第２電極膜を順次積層した太陽電池であって、前記
第１電極膜および第２電極膜が金属膜であり、該太陽電
池の第２電極膜および光電変換層に部分的欠落部を設け
ることで該光電変換層への入射光を確保できる構成とし
たことを特徴とするものである。
本発明のミラー型太陽電池は、下記記載の手段を採用す
る。基板の少なくとも一方の面に第１電極膜／光電変換
層／第２電極膜を順次積層した太陽電池であって、前記
第１電極膜および第２電極膜が金属膜であり、該太陽電
池の第２電極膜および光電変換層に部分的欠落部を設け
ることで該光電変換層への入射光を確保できる構成とし
たことを特徴とするものである。
【０００９】本発明のミラー型太陽電池は、前記欠落部
が太陽電池の第１電極膜、光電変換層、第２電極膜に設
けられていることを特徴とするものであり、更に前記基
板に透明性基板を用いることが望ましい。
が太陽電池の第１電極膜、光電変換層、第２電極膜に設
けられていることを特徴とするものであり、更に前記基
板に透明性基板を用いることが望ましい。
【００１０】また、前記光電変換層の接合形態がｐ−ｉ
−ｎ接合であることが好ましい。
−ｎ接合であることが好ましい。
【００１１】さらにいうと、前記接合が、アモルファス
シリコンと微結晶シリコンのいずれか又はその組み合わ
せの半導体で構成されていることが好ましい。
シリコンと微結晶シリコンのいずれか又はその組み合わ
せの半導体で構成されていることが好ましい。
【００１２】本発明のミラー型太陽電池の製造方法は、
基板の少なくとも一方の面に金属材料からなる第１電極
膜、光電変換層、金属材料からなる第２電極膜を順次積
層し、所望のパターンで第２電極膜および光電変換層に
部分的欠落部を形成することを特徴とする。
基板の少なくとも一方の面に金属材料からなる第１電極
膜、光電変換層、金属材料からなる第２電極膜を順次積
層し、所望のパターンで第２電極膜および光電変換層に
部分的欠落部を形成することを特徴とする。
【００１３】本発明のミラー型太陽電池の製造方法は、
基板の少なくとも一方の面に金属材料からなる第１電極
膜、光電変換層、金属材料からなる第２電極膜を順次積
層し、所望のパターンで第２電極膜、光電変換層および
第１電極膜に部分的欠落部を形成することを特徴とす
る。
基板の少なくとも一方の面に金属材料からなる第１電極
膜、光電変換層、金属材料からなる第２電極膜を順次積
層し、所望のパターンで第２電極膜、光電変換層および
第１電極膜に部分的欠落部を形成することを特徴とす
る。
【００１４】本発明のミラー型太陽電池では、第１電極
膜および第２電極膜として金属膜を用いているので、波
長依存性のないミラーおよび半透過ミラーを実現するこ
とができる。しかも、太陽電池は部分的な欠落部側壁か
らの光によって発電を行うことができる構成である。
膜および第２電極膜として金属膜を用いているので、波
長依存性のないミラーおよび半透過ミラーを実現するこ
とができる。しかも、太陽電池は部分的な欠落部側壁か
らの光によって発電を行うことができる構成である。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明になる波長依存性のないミ
ラー型および半透過ミラー型太陽電池の構造は図１
（ａ）または（ｂ）に示すものである。図１における基
板１としてはガラス、プラスチック、ステンレス等の材
料を用いることができる。該材料は使用する用途によっ
て選択が可能である。
ラー型および半透過ミラー型太陽電池の構造は図１
（ａ）または（ｂ）に示すものである。図１における基
板１としてはガラス、プラスチック、ステンレス等の材
料を用いることができる。該材料は使用する用途によっ
て選択が可能である。
【００１６】図１において第１電極層２および第２電極
層４ａは例えばアルミニウム材料である。
層４ａは例えばアルミニウム材料である。
【００１７】図１において光電変換層３は例えばｐ−ｉ
−ｎ接合構造のアモルファスシリコンである。
−ｎ接合構造のアモルファスシリコンである。
【００１８】図１（ａ）に示すような本願発明の太陽電
池の上面から見た場合には、全面が金属膜となるため太
陽電池に吸収されなかった入射光は全て金属膜で反射さ
れて返ってくることになる。すなわち、波長依存性のな
い反射率の高いミラー型太陽電池とすることができる。
池の上面から見た場合には、全面が金属膜となるため太
陽電池に吸収されなかった入射光は全て金属膜で反射さ
れて返ってくることになる。すなわち、波長依存性のな
い反射率の高いミラー型太陽電池とすることができる。
【００１９】前記太陽電池は、厚みを有するために前記
欠落部の側壁からの入射光により発電することが可能で
ある。該欠落部により露出された光電変換層の側壁部分
は太陽電池の上面からは見えないために、ミラーの機能
に影響を及ぼすものではない。
欠落部の側壁からの入射光により発電することが可能で
ある。該欠落部により露出された光電変換層の側壁部分
は太陽電池の上面からは見えないために、ミラーの機能
に影響を及ぼすものではない。
【００２０】そして、図１に示した光電変換層３の膜厚
Ｈを変えることにより発電量を調整することができる。
Ｈを変えることにより発電量を調整することができる。
【００２１】また、基板１に透明性基板を用い、図１
（ｂ）に示すように前記第１電極層にも欠落部を設け、
半透過ミラー型太陽電池としても良い。該太陽電池を上
面から見た場合には、金属面とガラス面のみとなるの
で、波長依存性のない半透過ミラーが実現できる。この
構成においては、前記第１電極層の欠落部（透光部）の
面積を変えることにより光の反射率を変更することがで
きる。また、図１（ａ）で示した太陽電池と同様に光電
変換層３の側壁からの入射光によって発電することが可
能である。
（ｂ）に示すように前記第１電極層にも欠落部を設け、
半透過ミラー型太陽電池としても良い。該太陽電池を上
面から見た場合には、金属面とガラス面のみとなるの
で、波長依存性のない半透過ミラーが実現できる。この
構成においては、前記第１電極層の欠落部（透光部）の
面積を変えることにより光の反射率を変更することがで
きる。また、図１（ａ）で示した太陽電池と同様に光電
変換層３の側壁からの入射光によって発電することが可
能である。
【００２２】一般的な微結晶シリコンを太陽電池のｐ−
ｉ−ｎ接合に導入した場合について説明する。最適な光
電変換層３の膜厚Ｈは１から2μm程度であり、前記欠落
部の光電変換層３の側壁からの十分な光入射が期待でき
る。また、該微結晶シリコンとアモルファスシリコンを
組み合わせて太陽電池を構成しても良いことは言うまで
もない。
ｉ−ｎ接合に導入した場合について説明する。最適な光
電変換層３の膜厚Ｈは１から2μm程度であり、前記欠落
部の光電変換層３の側壁からの十分な光入射が期待でき
る。また、該微結晶シリコンとアモルファスシリコンを
組み合わせて太陽電池を構成しても良いことは言うまで
もない。
【００２３】次にアモルファスシリコンでｐ−ｉ−ｎ接
合を構成した太陽電池について説明する。最適な光電変
換層２の膜厚Ｈは0.5μm程度と非常に薄く、光電変換に
用いる光の波長と同等の大きさである。したがって、側
壁部からの入射光で光電変換が可能か懸念される。
合を構成した太陽電池について説明する。最適な光電変
換層２の膜厚Ｈは0.5μm程度と非常に薄く、光電変換に
用いる光の波長と同等の大きさである。したがって、側
壁部からの入射光で光電変換が可能か懸念される。
【００２４】そこで、本発明を用いて光電変換層２の膜
厚Ｈが光の波長よりも小さい0.16μmと0.26μmという通
常よりも薄いアモルファスシリコン太陽電池を作成し、
その太陽電池特性を評価した。まず、１cm2のエリアに
等間隔の100μm幅の太陽電池を10μｍ間隔で100本配置
して評価用サンプルを作成した。つまり、該評価用サン
プルは、100μm幅の線状帯からなる太陽電池と10μm幅
の欠落部を有するものである。特性の評価は太陽電池に
1000ルクスの蛍光灯の光を当てて、その合計起電力の測定
により行った。
厚Ｈが光の波長よりも小さい0.16μmと0.26μmという通
常よりも薄いアモルファスシリコン太陽電池を作成し、
その太陽電池特性を評価した。まず、１cm2のエリアに
等間隔の100μm幅の太陽電池を10μｍ間隔で100本配置
して評価用サンプルを作成した。つまり、該評価用サン
プルは、100μm幅の線状帯からなる太陽電池と10μm幅
の欠落部を有するものである。特性の評価は太陽電池に
1000ルクスの蛍光灯の光を当てて、その合計起電力の測定
により行った。
【００２５】その結果、図４に示すように通常の太陽電
池（従来品）より性能は低いものの十分使用に耐える性
能の特性が得られることが確認できた。これは、光電変
換層３の膜厚Ｈを光電変換に用いる光の波長より小さく
してもアモルファスシリコンの高い屈折率により、前記
欠落部の側壁で生じる近接場光がアモルファスシリコン
へ吸い込まれていくためと推測する。本評価においては
単位面積あたりの起電流は従来品に及ばないが、これほ
どの薄膜でも太陽電池として、しっかり機能しているこ
とがわかった。
池（従来品）より性能は低いものの十分使用に耐える性
能の特性が得られることが確認できた。これは、光電変
換層３の膜厚Ｈを光電変換に用いる光の波長より小さく
してもアモルファスシリコンの高い屈折率により、前記
欠落部の側壁で生じる近接場光がアモルファスシリコン
へ吸い込まれていくためと推測する。本評価においては
単位面積あたりの起電流は従来品に及ばないが、これほ
どの薄膜でも太陽電池として、しっかり機能しているこ
とがわかった。
【００２６】（実施例１）以下に、図１（ａ）に示す太
陽電池を作成する第１の実施例について説明する。実施
例１の方法は、200μm以上のラフなパターンの部分的欠
落部を太陽電池に作り込む場合に有効である。まず、前
記基板１上に第１電極膜２を成膜する。そして、図示は
しないが、第１電極膜２の一部を所望のパターンにマス
キングし、周知のマスクデポ法を用いて、その上に光電
変換層３、第２電極膜４ａを順次成膜し、最終的に前記
マスクを取り除いて図１（ａ）に示すような、第２の電
極４ａと光電変換層３に欠落部を有するミラー型太陽電
池を構成することができた。
陽電池を作成する第１の実施例について説明する。実施
例１の方法は、200μm以上のラフなパターンの部分的欠
落部を太陽電池に作り込む場合に有効である。まず、前
記基板１上に第１電極膜２を成膜する。そして、図示は
しないが、第１電極膜２の一部を所望のパターンにマス
キングし、周知のマスクデポ法を用いて、その上に光電
変換層３、第２電極膜４ａを順次成膜し、最終的に前記
マスクを取り除いて図１（ａ）に示すような、第２の電
極４ａと光電変換層３に欠落部を有するミラー型太陽電
池を構成することができた。
【００２７】（実施例２）実施例１に比べ微細パターン
からなる部分的欠落部を形成する場合について説明す
る。微細で高密度な欠落部を形成することで、光電変換
層３への入射光量を容易に調節することができ、高効率
化が期待できる。
からなる部分的欠落部を形成する場合について説明す
る。微細で高密度な欠落部を形成することで、光電変換
層３への入射光量を容易に調節することができ、高効率
化が期待できる。
【００２８】まず、基板１としてガラスを用い、第１電
極膜２として高反射率の金属であるアルミニウムを用
い、ｐｉｎ接合の第１光電変換層３としてアモルファス
シリコン（以下、ａ−Ｓｉ膜）を用い、第２電極膜４ａ
にもアルミニウムを用いる構成について図３を用いて説
明する。
極膜２として高反射率の金属であるアルミニウムを用
い、ｐｉｎ接合の第１光電変換層３としてアモルファス
シリコン（以下、ａ−Ｓｉ膜）を用い、第２電極膜４ａ
にもアルミニウムを用いる構成について図３を用いて説
明する。
【００２９】図３（ａ）に示すように、基板１の上に第
１電極膜２、光電変換層３および第２電極膜４ａを積層
する。この実施例においては第１電極膜２と第２電極膜
４ａはアルミニウムであり、スパッタリング法により成
膜した。該スパッタリング条件は、ターゲット材として
アルミニウムを用い、スパッタリング装置内に100sccm
のアルゴンガスを導入し、装置内の圧力を5〜30mTorrと
して、これに1〜3KWの電力を印加して生成したプラズマ
によって行った。
１電極膜２、光電変換層３および第２電極膜４ａを積層
する。この実施例においては第１電極膜２と第２電極膜
４ａはアルミニウムであり、スパッタリング法により成
膜した。該スパッタリング条件は、ターゲット材として
アルミニウムを用い、スパッタリング装置内に100sccm
のアルゴンガスを導入し、装置内の圧力を5〜30mTorrと
して、これに1〜3KWの電力を印加して生成したプラズマ
によって行った。
【００３０】また、Ｐ型、Ｉ型、Ｎ型の接合構造を有す
るａ−Ｓｉ膜３の成膜はプラズマＣＶＤ法により行っ
た。まずＰ型のａ−Ｓｉ膜を、プラズマＣＶＤ装置内に
シランガス500sccmと0.1〜1sccmのジボランガスを導入
し、装置内の圧力を0.5〜2Torrとし、50〜300Wの高周波
電力（13.56MHz）を印加して生成したプラズマを用いて
ガスを分解し、温度を250℃とした電極上に基板１を置
いて成膜した。次にＩ型のａ−Ｓｉ膜を、プラズマＣＶ
Ｄ装置内にシランガス500sccmを導入し、装置内の圧力
を0.5〜2Torrとし、50〜300Wの高周波電力（13.56MHz）
を印加して生成したプラズマを用いてガスを分解し、温
度を250℃とした電極上に基板１を置いて成膜した。更
にＮ型のａ−Ｓｉ膜をプラズマＣＶＤ装置内にシランガ
ス500sccmと0.1〜1sccmのホスフィンガスを導入し、装
置内の圧力を0.5〜2Torrとし、50〜300Wの高周波電力
（13.56MHz）を印加して生成したプラズマを用いてガス
を分解し、温度を250℃とした電極上に基板１を置いて
成膜した。
るａ−Ｓｉ膜３の成膜はプラズマＣＶＤ法により行っ
た。まずＰ型のａ−Ｓｉ膜を、プラズマＣＶＤ装置内に
シランガス500sccmと0.1〜1sccmのジボランガスを導入
し、装置内の圧力を0.5〜2Torrとし、50〜300Wの高周波
電力（13.56MHz）を印加して生成したプラズマを用いて
ガスを分解し、温度を250℃とした電極上に基板１を置
いて成膜した。次にＩ型のａ−Ｓｉ膜を、プラズマＣＶ
Ｄ装置内にシランガス500sccmを導入し、装置内の圧力
を0.5〜2Torrとし、50〜300Wの高周波電力（13.56MHz）
を印加して生成したプラズマを用いてガスを分解し、温
度を250℃とした電極上に基板１を置いて成膜した。更
にＮ型のａ−Ｓｉ膜をプラズマＣＶＤ装置内にシランガ
ス500sccmと0.1〜1sccmのホスフィンガスを導入し、装
置内の圧力を0.5〜2Torrとし、50〜300Wの高周波電力
（13.56MHz）を印加して生成したプラズマを用いてガス
を分解し、温度を250℃とした電極上に基板１を置いて
成膜した。
【００３１】上記のようにして図３（ａ）に示す構造体
を作製した後、前記第２電極膜４ａの上面にレジストを
塗布し、これをフォトリソグラフィー法により図３
（ｂ）に示すように所望のレジストパターン１０を形成
した。
を作製した後、前記第２電極膜４ａの上面にレジストを
塗布し、これをフォトリソグラフィー法により図３
（ｂ）に示すように所望のレジストパターン１０を形成
した。
【００３２】そして、前記レジストパターン１０をエッ
チングマスクとして第２電極膜４ａであるアルミニウム
と光電変換層であるａ−Ｓｉ膜３のエッチングを行い部
分的欠落部を形成した。
チングマスクとして第２電極膜４ａであるアルミニウム
と光電変換層であるａ−Ｓｉ膜３のエッチングを行い部
分的欠落部を形成した。
【００３３】この後、レジストパターン１０を剥離し
て、図３（ｃ）に示すように所望のパターンの欠落部を
有するミラー型太陽電池を得た。
て、図３（ｃ）に示すように所望のパターンの欠落部を
有するミラー型太陽電池を得た。
【００３４】上記のアルミニウムのエッチングは、ドラ
イエッチング装置内に100〜300sccmのBCL3ガスと0〜100
sccmのCL2ガスを導入し、全体の圧力を10〜100ｍTorrと
して、これに1000〜3000Wの高周波電力（13.56MHz）を
印加して生成したプラズマによって行った。
イエッチング装置内に100〜300sccmのBCL3ガスと0〜100
sccmのCL2ガスを導入し、全体の圧力を10〜100ｍTorrと
して、これに1000〜3000Wの高周波電力（13.56MHz）を
印加して生成したプラズマによって行った。
【００３５】また、ａ−Ｓｉ膜３のエッチングは、ドラ
イエッチング装置内に50〜100sccmのSF6ガスと50〜100s
ccmのCL2ガスを導入し、全体の圧力を10〜100ｍTorrと
して、これに1000〜3000Wの高周波電力（13.56MHz）を
印加して生成したプラズマによって行った。
イエッチング装置内に50〜100sccmのSF6ガスと50〜100s
ccmのCL2ガスを導入し、全体の圧力を10〜100ｍTorrと
して、これに1000〜3000Wの高周波電力（13.56MHz）を
印加して生成したプラズマによって行った。
【００３６】上記図３（ｃ）に於いて前記第１電極層も
前記レジストパターン１０またはこれと異なるレジスト
パターンを用いてエッチングにより欠落部を設ければ、
前記図１（ｂ）に示した半透過ミラー型太陽電池を形成
する事が出来る。
前記レジストパターン１０またはこれと異なるレジスト
パターンを用いてエッチングにより欠落部を設ければ、
前記図１（ｂ）に示した半透過ミラー型太陽電池を形成
する事が出来る。
【００３７】以上述べたように、光電変換に用いる光の
波長よりも小さな膜厚（少なくとも膜厚Ｈが0.16μｍ以
上）のアモルファスシリコン太陽電池へも十分適用可能
であると判断できた。また、ここで使用される光電変換
層は微結晶シリコンとアモルファスシリコンにより構成
すると明記したが、他の材料による光電変換層を用いて
もミラー型太陽電池を形成できることは言うまでもな
い。更に、上記方法により基板の裏面に太陽電池を形成
することで、基板両面にミラー型太陽電池を形成しても
良い。
波長よりも小さな膜厚（少なくとも膜厚Ｈが0.16μｍ以
上）のアモルファスシリコン太陽電池へも十分適用可能
であると判断できた。また、ここで使用される光電変換
層は微結晶シリコンとアモルファスシリコンにより構成
すると明記したが、他の材料による光電変換層を用いて
もミラー型太陽電池を形成できることは言うまでもな
い。更に、上記方法により基板の裏面に太陽電池を形成
することで、基板両面にミラー型太陽電池を形成しても
良い。
【００３８】
【発明の効果】以上詳述したごとく、本発明のミラー型
太陽電池を採用することで、入射光に対して基板の全面
を金属膜とすることができ、波長依存性のないミラーお
よび半透過ミラーに適用できる太陽電池を提供すること
ができる。
太陽電池を採用することで、入射光に対して基板の全面
を金属膜とすることができ、波長依存性のないミラーお
よび半透過ミラーに適用できる太陽電池を提供すること
ができる。
【００３９】なお、本発明のミラー型太陽電池を時計の
文字盤に用いることで、金属光沢を有する装飾性に優れ
た太陽電池一体型文字盤とすることができ、更に太陽電
池時計の部品点数を減らすという効果をもたらす。ま
た、本発明のミラー型太陽電池の部分的欠落部の面積を
変えることで回折格子としても応用できる。また、本発
明のミラー型太陽電池は反射型液晶パネル等の反射板と
して用いることもできる。
文字盤に用いることで、金属光沢を有する装飾性に優れ
た太陽電池一体型文字盤とすることができ、更に太陽電
池時計の部品点数を減らすという効果をもたらす。ま
た、本発明のミラー型太陽電池の部分的欠落部の面積を
変えることで回折格子としても応用できる。また、本発
明のミラー型太陽電池は反射型液晶パネル等の反射板と
して用いることもできる。
【図１】本発明によるミラー型太陽電池とおよび半透過
ミラー型太陽電池の実施形態を示す構造断面図である。
ミラー型太陽電池の実施形態を示す構造断面図である。
【図２】従来の太陽電池を示す構造断面図である。
【図３】本発明によるミラー型太陽電池の製造方法を示
す工程図である。
す工程図である。
【図４】本発明によるミラー型太陽電池における近接場
光の光電変換特性を表した電圧と電流密度と太陽電池膜
厚の関係を示すグラフである。
光の光電変換特性を表した電圧と電流密度と太陽電池膜
厚の関係を示すグラフである。
１ 基板 ２ 第１電極膜 ３ 光電変換層 ４ａ 第２電極膜 １０ レジストパターン
Claims (7)
- 【請求項１】 基板の少なくとも一方の面に第１電極膜
／光電変換層／第２電極膜を順次積層した太陽電池であ
って、該第１電極膜および第２電極膜が金属膜であり、
該太陽電池の第２電極膜および光電変換層に部分的欠落
部を設けることを特徴とするミラー型太陽電池。 - 【請求項２】 前記欠落部が太陽電池の第１電極膜、光
電変換層、第２電極膜に設けられていることを特徴とす
る請求項１に記載のミラー型太陽電池。 - 【請求項３】 前記基板が透明性基板であることを特徴
とする請求項２に記載のミラー型太陽電池。 - 【請求項４】 前記光電変換層の接合形態がｐ−ｉ−ｎ
接合であることを特徴とする請求項１から３のいずれか
に記載のミラー型太陽電池。 - 【請求項５】 前記接合形態が、アモルファスシリコン
と微結晶シリコンのいずれか又は組み合わせの半導体で
構成されていることを特徴とする請求項１から４のいず
れかに記載のミラー型太陽電池。 - 【請求項６】 基板の少なくとも一方の面に金属材料か
らなる第１電極膜、光電変換層、金属材料からなる第２
電極膜を順次積層し、所望のパターンで第２電極膜およ
び光電変換層に部分的欠落部を形成することを特徴とす
るミラー型太陽電池の製造方法。 - 【請求項７】 基板の少なくとも一方の面に金属材料か
らなる第１電極膜、光電変換層、金属材料からなる第２
電極膜を順次積層し、所望のパターンで第２電極膜、光
電変換層および第１電極膜に部分的欠落部を形成するこ
とを特徴とするミラー型太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000389725A JP2002190609A (ja) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | ミラー型太陽電池およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000389725A JP2002190609A (ja) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | ミラー型太陽電池およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002190609A true JP2002190609A (ja) | 2002-07-05 |
Family
ID=18856216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000389725A Pending JP2002190609A (ja) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | ミラー型太陽電池およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002190609A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012507884A (ja) * | 2008-11-03 | 2012-03-29 | コーニング インコーポレイテッド | 薄膜半導体光起電装置 |
| KR101366642B1 (ko) * | 2007-02-23 | 2014-02-26 | 린텍 코포레이션 | 광 투과성 태양전지모듈과 그 제조방법 및 태양전지패널 |
-
2000
- 2000-12-22 JP JP2000389725A patent/JP2002190609A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101366642B1 (ko) * | 2007-02-23 | 2014-02-26 | 린텍 코포레이션 | 광 투과성 태양전지모듈과 그 제조방법 및 태양전지패널 |
| JP2012507884A (ja) * | 2008-11-03 | 2012-03-29 | コーニング インコーポレイテッド | 薄膜半導体光起電装置 |
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