JP2002190672A

JP2002190672A - ビルドアップコア基板、ビルドアップ配線基板、及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002190672A
Application number: JP2000386062A
Authority: JP
Inventors: Susumu Okikawa; 進沖川
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 2000-12-19
Filing date: 2000-12-19
Publication date: 2002-07-05

Abstract

(57)【要約】【課題】形状寸法のバラツキが極めて少ない熱・電
気伝導性ポストを封入した基板の提供する。また、短距
離配線を可能にし動作周波数の高速化に容易に対応でき
るものを提供する。【解決手段】下記の工程を主要工程とするビルドアッ
プコア基板の製造方法と、それにより可能となったビル
ドアップコア基板、ビルドアップ配線基板である。１．バリヤ層（材質はＮｉ，Ｔｉ，Ｓｎ等）の一方の主
面にポスト形成層（材質はＣｕ等）を、他方の主面にキ
ャリヤ層（材質はＦｅ−Ｎｉ合金等）を接合。２．エッチングによりバリヤ層に達するまで除去して、
熱・電気伝導性ポスト（材質はＣｕ等）が所定ピッチで
複数個、林立するパターンエッチング品を作り、プリプ
レグを積層し、加熱加圧して第１積層品を作る。３．該第１積層品から前記キャリヤ層を除去。４．更に前記バリヤ層を除去して第２積層品を得て、プ
リプレグを積層し、加熱加圧してビルドアップコア基板
を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ビルドアップ配線
基板のコア基板、及びビルドアップ層を付加し表面に電
子部品が実装されて信号伝送が行われるビルドアップ配
線基板に係り、特に狭ピッチの半導体パッケージを可能
とする形状寸法の偏差が極めて少ないものであり、且つ
放熱性に優れ、半導体パッケージの熱膨張係数の階層、
傾斜をつけて信頼性を向上したものに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体パッケージには多くの機能を兼ね
備えることが要求されてきた。先ず、小型で高密度（フ
ァインピッチ）配線できること。それに伴う単位面積、
単位体積当たりの発熱量の増大による良好な放熱性であ
る。更に半導体チップが処理する信号の高速化にも対応
できなくてはならない。また、電子パッケージに対する
コストダウン要求は、年々過酷なものになっているか
ら、製造コストの低減も重要である。

【０００３】半導体パッケージの高密度化は、配線パタ
ーンの幅、または二つの配線パターン間距離を指標とす
るＣＤ（Critical Dimension）で評価され、年々小さ
くする努力がなされてきた。配線パターンの幅、または
二つの配線パターン間距離は、単に小型化だけでなく伝
送線路が長くなることによる伝送信号の遅延なと、デバ
イス性能に与える影響は大きい。

【０００４】半導体パッケージの配線パターン形成の従
来法には、セミアディティブ法、フルアディティブ法、
サブトラクティブ法など多くの製法がある。セミアディ
ティブ法は、（基板のレーザ孔明け）―（樹脂の粗化処
理）―（ジンケート処理、即ちＺｎメッキ）―（レジス
トのコート形成）―（レジストのエッチングによる選択
除去）―（電気銅メッキ）―配線パターンの完成という
工程を経る。ジンケート膜は、最後に除去することが、
短絡防止の為に必要である。フルアディティブ法は、
（基板のレーザ孔明け）―（粗化処理）―（レジスト形
成）―（レジストのエッチングによる選択除去）―（無
電解銅メッキ）―配線パターンの完成という工程を経
る。サブトラクティブ法は、（レーザ孔明け）―（粗化
処理）―（銅メッキ）―（エッチング）―配線パターン
の完成という工程を経る。以上の様に、従来の製造方法
は、多くの複雑な工程を必要としてきた。

【０００５】従来の製法を、もう少し詳しく述べる。銅
張り基板の所要位置にスルーホールを穴明けしたのち、
無電解めっき処理及び銅めっき処理を施して全面に銅め
っき層を形成する。その後、全面にフォトレジスト膜を
電着により形成したのち、フォトレジスト膜上にインク
マスクをスクリーン印刷により形成する。その後、露光
処理を行って、インクマスクを介して露出するフォトレ
ジスト膜を硬化させたのち、現像処理してフォトレジス
ト膜中、光が照射されなかった部分を溶解除去して、配
線パターンに準じたレジストパターンを形成する。その
後、露出する銅めっき層及びその下層の銅箔をエッチン
グ除去したのち、レジストパターンを剥離して、銅めっ
き層及び銅箔による所望の配線パターンを形成する。半
導体パッケージは、高密度実装の為に三次元実装、多層
基板化しており、各層間の電気的接続はスルーホールで
なされている。

【０００６】半導体素子は、また熱に弱い。そこで、半
導体素子の発する熱を効果的に放熱処理することができ
るとともに、構造を簡素にして安価なコストで製造する
ことができる半導体素子用基板の開発が活発に行われて
きた。従来、０．３ｍｍ程度のドリルで、複数のスルー
ホールをピッチ１．２７ｍｍ程度で穴明け後、Ｃｕ等で
スルーホールメッキを施して基板の縦方向の導通を取っ
ていた。例えば特開平１０−３１３０７１号公報には、
基板の他方の主面上に放熱パターンを形成し、この放熱
パターン上に、配線基板に搭載される際の接合面となる
放熱板を接合し、さらに基板の厚さ方向に貫通するよう
に放熱用スルーホールを穿設して放熱用スルーホール内
に金属材料を充填し、ベアチップの発する熱を金属材料
が充填された放熱用スルーホール及び放熱パターンを介
して放熱板に伝導するようにしたものが開示される。

【０００７】また、特開平９−１９９６３２号公報に
は、フレキシブル基板において、放熱性に優れ、穴明け
加工を容易に行うことができ、かつ、高密度配線が可能
な、電子部品搭載用基板を開示する。この特開平９−１
９９６３２号公報によると、「電気絶縁性のフレキシブ
ルフィルム及び該フレキシブルフィルムの厚み方向に２
層以上設けた導体回路よりなる多層基板と、すべてのフ
レキシブルフィルムを貫通する貫通穴と、該貫通穴を覆
うよう多層基板の上面側に設けた放熱金属板と、上記貫
通穴と放熱金属板とにより形成される、電子部品を搭載
するための搭載用凹部と、多層基板に設けられ導体回路
に導通するスルーホールとを有する。フレキシブルフィ
ルムの厚みは、３０〜２００μｍであることが好まし
い。」

【０００８】そして、特開平９−１９９６３２号公報の
実施例によると、製造方法は次のとおりである。ガラス
繊維入りエポキシ系材料からなるフレキシブルフィルム
を準備する。フレキシブルフィルムは、厚み０．０５ｍ
ｍ、幅２．５〜１５ｃｍの可撓性を有する帯状のフィル
ムである。このフレキシブルフィルムは、予めロール状
に巻回しておき、複数のロール体を形成しておく。次い
で、上記ロール体からフレキシブルフィルムを引き出し
ながら、該フレキシブルフィルムの下面側に、熱可塑性
のガラス繊維入りエポキシ系材料からなる絶縁性接着剤
を接着する。次いで、パンチング加工により、フレキシ
ブルフィルムの略中央部分に貫通穴を穿設する。次い
で、フレキシブルフィルムの下面側に、前記絶縁性接着
剤を介して、厚み３５ｍｍの銅箔を接着する。そして、
スルーホールの内部に、半田を充填する。

【０００９】また、近年半導体パッケージ基板は、機器
の小型化にともない、パターンはファイン化の一途をた
どり、いわゆるビルドアップ配線基板と称し、コア基板
の両面に絶縁層を塗布しビルドアップ層を付加してメッ
キ法によってパターンを形成していく方法が行われてい
る。図１１に従来のビルドアップ配線基板の一例を図示
する。ビルドアップ配線基板３は、ビルドアップコア基
板１と上下のビルドアップ層でなる。ビルドアップコア
基板１は、ガラス繊維強化のエポキシ・リジッド材料を
用いることが多い。上側ビルドアップ層２ａは、配線パ
ターン７、半田ボール５ａを経て半導体（Ｓｉ）チップ
４にＣ４接続される。Ｃ４接続とは、controlled coll
apsible chip connectorの略語で、ＬＳＩチップの電
気信号と発生する熱をパッドを経て基板へと流れる電気
的にも熱的にも有効な伝導路を形成する接続手法であ
る。

【００１０】記号４はＬＳＩ、ＣＳＰなどの半導体素子
である場合もある。アンダーフィル６は、樹脂などで耐
湿性および耐衝撃性向上の為に封止する機能がある。下
側ビルドアップ層２ｂは、半田ボール５ｂを経て、外部
回路に接続される。コア基板１は、スルーホール８の内
壁にＣｕメッキして穴埋めし、樹脂を充填して平坦化す
る。上下のビルドアップ層は電気的、熱的に接続されて
いる。下側ビルドアップ層２ｂは、通常、ビルドアップ
コア基板１を取り囲んで上下対称にバランスをとって、
ビルドアップ配線基板３全体として、反り無く平坦度を
出す為に設けることが多い。ビルドアップ層２ａ、２ｂ
は、１〜３層が一般的であり、この層のＣｕはメッキで
形成することが多い。回路パターンはメッキＣｕをエッ
チングまたはアディティブ法のメッキで形成される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従来のビルドアップコ
ア基板、ビルドアップ配線基板においては種々の課題が
ある。第１は、半導体チップとの熱膨張係数の大きな差
異による信頼性の低下、第２は狭ピッチへの対応困難、
第３はビルドアップ層の活用度の低下、第４は熱放散性
の低下、第５は加工工数と不均一、第６は浮遊容量の発
生、第７はスルーホール孔明け工程での問題である。以
下、各問題点毎に説明する。

【００１２】（１）半導体チップとの熱膨張係数の大き
な差異による信頼性の低下。ＦＣ−ＢＧＡ（Flip Chip-Ball Grid Array）を構成
する半導体チップのＳｉは熱膨張係数が３．２（ｐｐｍ
／℃）程度であるのに対して、ＰＷＢ（PrintedWire B
oard）は、材質にもよるが１７（ｐｐｍ／℃）程度と両
者の差は大きい。熱膨張差の影響によりチップとインタ
ーポーザの半田ボール接続が、温度サイクル（−５５℃
〜＋１２５℃）試験により半田ボールの疲労断線が発生
する問題があった。

【００１３】（２）狭ピッチへの対応困難。従来のビルドアップコア基板１のスルーホール８は、通
常０．３ｍｍのドリルで穴あけするし補強材として入れ
たガラス繊維が邪魔となって、ピッチを狭くすることは
困難で、せいぜい１．２７ｍｍ程度と粗いものしかでき
ない。従って、年々ピッチの狭くなる半導体チップ４の
バンプ、半田ボール５ａのピッチとは不整合が大きく、
ビルドアップ層２ａの配線で大きく引き回して、層間結
合を所謂スタッガ方式としなければならず、配線長を増
大する。このことは、信号の伝送速度を遅らせ、動作周
波数が１ＧＨｚにも達する現状において、高速化のニー
ズに反して問題である。ビルドアップコア基板での再配
線長が長くなり、上側ビルドアップ層２ａの信号結線を
制限する問題もある。

【００１４】また、狭ピッチを阻害する要因としてラン
ドの存在がある。従来のビルドアップコア基板において
は、図１１に例示するように、直径０．４〜１．２５ｍ
ｍ程度のランド７１が必須であった。従って、ランド間
に配線パターンを設けたい場合、ランドとの短絡防止の
為に設けられる配線パターンの数に制約があるという問
題もあった。

【００１５】（３）ビルドアップ層の活用度の低下。また、下側ビルドアップ層２ｂは、スルーホールの数が
少ないために有効利用できないという問題がある。ＢＧ
Ａ用の半田ボール５ｂとの接続くらいにしか使えないか
らである。従来のようにドリルで穿孔する製造方法で
は、スルーホールの径が大きく、ピッチも大きく、配線
の展開がビルドアップ配線基板３の上面に偏りがちであ
る。ビルドアップコア基板のスルーホールが半導体チッ
プ４のバンプ密度より遥かに低いので、下側ビルドアッ
プ層２ｂのチャンネルを使いこなせないという問題があ
る。（４）熱放散性の低下。また、図１１に示す従来のビルドアップコア基板１では
放熱に関与できるのはスルーホール８の内壁のメッキ層
位であり熱放散性に劣るという問題があった。

【００１６】（５）加工工数と不均一。更に、ビルドアップコア基板のＣｕ板をハーフエッチン
グし、樹脂埋込み後、平面研磨手段によって複数の熱・
電気伝導性ポストの端部が露出するまで研磨する方法が
ある。この場合、露出する熱・電気伝導性ポストと、未
露出の熱・電気伝導性ポストとが混在して、バラツキが
大きいだけでなく、熱放散性が悪く信頼性と加工性に劣
るという問題があった。従来のＣｕ板のエッチングで
は、エッチングで形成される孔の形状、深さがばらつく
のが通常である。場所によって被エッチング性にバラツ
キがあるためである。次に、プリプレグをラミネートし
てエッチングされた孔をすべて埋め、反転してＣｕ層側
を裏面研磨して樹脂にＣｕの熱・電気伝導性ポストが所
定のピッチで複数個、埋め込まれたものを製造する場合
には、研磨面をどこで止めるかによって、Ｃｕ層の厚
さ、絶縁層の厚さが、その都度ばらついてしまうという
問題があった。

【００１７】図１２を用いて、この問題点を詳細に説明
する。図１２（ａ）は、従来のＣｕ板のエッチング後の
断面形状を示す。エッチング深さのバラッキがあり、理
想的な台形からずれた形状である。これに図１２（ｂ）
に示すように樹脂を充填して、図１２（ｂ）のＣｕ板側
からエッチングすると、図１２（ｃ）に示すようにエッ
チング残り、樹脂出っ張り、ショート（電気的短絡）が
発生する。この為、更に裏面の機械的な研磨が必要とな
り、余計な工数がかかる上に均一性が悪いという問題が
あった。これは信号の伝送速度を遅らせる問題となって
いた。

【００１８】（６）浮遊容量の発生。また、半導体素子４の受けパッドは信頼性確保の為、大
きくする必要があり、その為に上側ビルドアップ層２ａ
と下側ビルドアップ層２ｂのチャンネル静電容量のバラ
ンスが悪くなり、邪魔な浮遊容量を形成する問題もあっ
た。（７）スルーホール孔明け工程での問題。また、ガラス繊維強化エポキシ樹脂基板を用いる場合、
スルーホールのドリルによる穴あけはガラス繊維により
微細な穴あけが阻害されるのみならず、繊維の破断を来
たし、信頼性の低下、後のメッキ工程でのメッキ液の染
込みなど、種々の問題もある。また、熱膨張係数を調節
するために樹脂にフィラーを添加することが多くなって
いるが、微小ビア（スルーホール）加工の場合には、こ
のフィラーの粒径自体が妨げになるという問題もある。

【００１９】そこで、本発明は、機械的研磨を用いずに
熱・電気伝導性ポストと絶縁層の厚みを均一に制御でき
る新規な製造方法を提供し、その結果、半導体チップと
の熱膨張係数の差異を低減して信頼性を向上したビルド
アップ配線基板を提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を
解決するため、下記の構成を趣旨とする。なお、括
弧（）内に、図１〜図９で使用した記号を、理解の容易
の為に示す。本発明の技術的思想が、図１〜図９の実施
例に限定されるものではない。なお、ポスト形成層１
０、熱・電気伝導性ポスト１５、孔明き板１９は、同じ
又は類似したものを、工程に応じて別な記号を用いて使
い分けている。例えば、エッチングの説明の時（図１）
にはポスト形成層１０を、図４のビルドアップコア基板
の時には熱・電気伝導性ポスト１５を、そして空洞部１
８を包含する全体を孔明き板１９と呼んでいる。同様
に、絶縁板を形成するプリプレグ１２、１３と、充填樹
脂１４と、絶縁材１７とは、例えば図２の積層して加熱
加圧するビルドアップコア基板の製造方法の説明ではプ
リプレグ１２、１３を、図３のスクリーンプリント法で
のビルドアップコア基板の製造方法の説明には充填樹脂
１４を、出来上がったビルドアップコア基板の構成を機
能的に説明する図４では絶縁材１７を記号に用いてい
る。

【００２１】｛１｝板厚方向に複数の貫通孔１８を有す
る低熱膨張係数の熱・電気伝導性板１５と、該複数の貫
通孔１８を有する熱・電気伝導性板１５と異なる材質か
らなり前記貫通孔１８内に設けられた島状に孤立した複
数の熱・電気伝導性ポスト１６と、該複数の熱・電気伝
導性ポスト１６の外周に設けられ、前記低熱膨張係数の
熱・電気伝導性板１５との間に介在して、前記複数の熱
・電気伝導性ポスト１６を電気的に絶縁する絶縁材１７
と、前記低熱膨張係数の熱・電気伝導性板１５の両主面
に接合された絶縁板１２、１３と、前記絶縁板の一方ま
たは両方の主面上に設けられた厚み１８μｍ以下の極薄
銅箔層２１からなることを特徴とするビルドアップコア
基板１。なお、熱・電気伝導性ポスト（１６）は、下位
概念として、メタルポストまたはメタルコアと呼ぶこと
もある。

【００２２】｛２｝前記複数の熱・電気伝導性ポスト１
６が、ＣｕまたはＣｕ合金であり、前記複数の貫通孔１
８を有する低熱膨張係数の熱・電気伝導性板１５がＦｅ
−Ｎｉ合金でなる｛１｝記載のビルドアップコア基板
（１）である。｛３｝前記複数の熱・電気伝導性ポスト１６の直径が、
０．０１〜０．２ｍｍ、ピッチが０．１〜１．０ｍｍで
あることを特徴とする｛１｝記載のビルドアップコア基
板（１）である。なお、前記複数の熱・電気伝導性ポス
ト１６の直径のより好ましい下限は、０．０４ｍｍであ
る。

【００２３】｛４｝前記絶縁材１７が、ガラス繊維強化
エポキシ樹脂、ガラス繊維強化ビスマレイミド・トリア
ジン（ＢＴ）樹脂、またはポリエーテル・サルフォン
（ＰＥＳ）配合エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリア
ミドイミド樹脂のうちのいずれかであることを特徴とす
る｛１｝記載のビルドアップコア基板１である。｛５｝前記複数の熱・電気伝導性ポスト１６の外周に、
絶縁材１７と孔明き板１９を具備することを特徴とした
｛１｝載のビルドアップコア基板１である。｛６｝前記｛１｝記載のビルドアップコア基板１と、該
ビルドアップコア基板１の主表面に形成されるビルドア
ップ層２ａ、２ｂを備えたビルドアップ配線基板３であ
る。

【００２４】｛７｝下記の工程でなることを特徴とする
ビルドアップコア基板（１）の製造方法である。１．バリヤ層９の一方の主面にポスト形成層１０を、他
方の主面にキャリヤ層１１を接合する。２．前記ポスト形成層１０に、所定の領域を除去するマ
スクを載置する。３．前記所定の領域を、エッチングにより、前記バリヤ
層１１に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポスト１
６が複数個、林立する第１のパターンエッチング品を作
る。４．該第１のパターンエッチング品と、孔明き板１９と
を組合せる。５．該第１のパターンエッチング品と孔明き板１９に粗
化処理をする。６．その後、絶縁板１２を積層し、加熱加圧して第１積
層品を作る。７．該第１積層品から前記キャリヤ層１１を除去する。８．更に前記バリヤ層９を除去して第２積層品を得る。９．該第２積層品と絶縁板１３を積層する。１０．前記絶縁板１２、１３の一方または両方の主面上
に厚み１８μｍ以下の極薄銅箔層を積層してビルドアッ
プコア基板を製造する。なお、上記のバリヤ層（９）、
ポスト形成層（１０）、キャリヤ層（１１）、熱・電気
伝導性ポスト（１６）、孔明き板（１９）の好ましい材
質は、各々、バリヤ層（９）はＮｉ，Ｔｉ，Ｓｎなど、
ポスト形成層（１０）はＣｕ、キャリヤ層（１１）はＦ
ｅ−Ｎｉ合金、熱・電気伝導性ポスト（１６）はＣｕ、
孔明き板（１９）はＦｅ−Ｎｉ合金である。

【００２５】｛８｝下記の工程でなることを特徴とする
ビルドアップコア基板１の製造方法である。１．バリヤ層９の一方の主面にポスト形成層１０を、他
方の主面にキャリヤ層１１を接合する。２．前記ポスト形成層１０に、所定の領域を除去するマ
スクを載置する。３．前記所定の領域を、エッチングにより、前記バリヤ
層９に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポスト１６
が複数個、林立する第１のパターンエッチング品を作
る。４．該第１のパターンエッチング品と、孔明き板とを組
合せて空洞部を有する組立品を得る。５．前記第１のパターンエッチング品と前記孔明き板に
粗化処理をする。６．前記空洞部にスクリーンプリント法で樹脂を充填す
る。７．前記キャリヤ層をエッチング除去する。８．更に前記バリヤ層をエッチング除去する。９．次いで主面両側から絶縁板を積層する。１０．前記絶縁板の一方または両方の主面上に厚み１８
μｍ以下の極薄銅箔層を積層してビルドアップコア基板
を製造する。なお、上記のバリヤ層９、ポスト形成層１
０、キャリヤ層１１、熱・電気伝導性ポスト１６、孔明
き板１９の好ましい材質は、各々、バリヤ層９はＮｉ，
Ｔｉ，Ｓｎなど、ポスト形成層１０はＣｕ、キャリヤ層
１１はＦｅ−Ｎｉ合金、熱・電気伝導性ポスト１６はＣ
ｕ、孔明き板１９はＦｅ−Ｎｉ合金である。

【００２６】｛９｝前記極薄銅箔の厚みが５μｍ以下で
あることを特徴とする｛１｝記載のビルドアップコア基
板である。｛１０｝前記極薄銅箔の厚みが５μｍ以下であることを
特徴とする｛７｝または｛８｝記載のビルドアップコア
基板の製造方法である。

【００２７】

【発明の実施の形態】本発明においては、熱・電気伝導
性ポスト１６はＣｕ、孔明き板１９はＦｅ−Ｎｉ合金で
構成したので、Ｃｕの良好な熱・電気伝導性を活かしつ
つ、低熱膨張係数のＦｅ−ＮＩ孔明き板１９でインター
ポーザの全体的な熱膨張係数を６〜１２ｐｐｍ／℃とな
るように制御できるので、従来の問題点であった半田ボ
ールの温度サイクルによる疲労断線が５〜１０倍改善さ
れると共に放熱性も良好であるという顕著な効果があ
る。更に、ビルドアップコア基板１が最外層に厚み１８
μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、という極薄銅箔
層を設けたので、狭ピッチ（ファインピッチとも呼ばれ
る）の配線パターンをエッチングなどで精度良く容易に
形成できる。以下、図面を用いて本発明に係るビルドア
ップコア基板の製造方法を説明する。

【００２８】図１は本発明に係るビルドアップコア基板
のパターンエッチング組立品を示す図である。図１
（ａ）はエッチングに使うマスクの平面図を示す。この
マスクは、複数の熱・電気伝導性ポスト１６を、ポスト
形成層１０からエッチング除去するのに使用する。ポス
ト形成層１０の材質は、熱及び電気伝導性の良好な材
質、例えばＣｕまたはＣｕ合金が好ましい。図１（ｂ）
はＡ-Ａ矢視断面図であり、バリヤ層９の両主面に接合
されたポスト形成層１０とＦｅ−Ｎｉ合金のキャリヤ層
１１のうち、ポスト形成層１０が複数の熱・電気伝導性
ポスト１６を残してエッチング除去された状態を示す。
これに、熱膨張係数の小さいＦｅ−Ｎｉ合金でなる孔明
き板１９（図1（ｃ））を組合せて、図１（ｄ）に示す
組立品を製造する。

【００２９】本発明におけるポスト形成層１０の材質と
して好適なのは、熱及び電気の良好な導体であるＣｕま
たはその合金である。Ｃｕは、無酸素銅線（ＯＦＣ：Ox
ygenFree Copper）、電解銅などを用いることができる
が、バリヤ層９と接着ではなく拡散接合などの冶金学的
接合を用いる場合には、例えばＳｎを添加して耐熱性を
改良したものが好ましい。バリヤ層９の材質は、Ｔｉ，
Ｓｎ，Ｎｉなどが適当である。バリヤ層９の両面にエポ
キシ樹脂等でポスト形成層１０とＦｅ−Ｎｉ合金のキャ
リヤ層１１を接合する。あるいは冶金学的な拡散接合に
依ってもよい。また、本発明は図１に例示する所定のピ
ッチで設けなければならない限定も無く、円柱状である
限定もない。必要に応じて不均一ピッチ、非円柱形状の
熱・電気伝導性ポスト１６を形成することもできる。

【００３０】本発明においては、従来のようにドリルを
用いるのではないから、ピッチを従来の１．２７ｍｍ程
度に比べて狭ピッチの１．０ｍｍ以下にすることが可能
である。本発明において、このピッチの下限は、エッチ
ング技術の進歩に伴って、年々下がっており、現状では
０．１ｍｍ程度までは可能である。今後、この下限はも
っと下がることは言うまでもない。

【００３１】そして、エッチングにより前記同心円状に
前記ポスト形成層１０を、同心円状に前記バリヤ層９に
達するまで除去して、複数個の熱・電気伝導性ポスト１
６が所定ピッチで林立するパターンエッチング品（図１
（ｂ））を作る。図４に複数個の熱・電気伝導性ポスト
１６がガラス繊維強化エポキシ樹脂などのプリプレグ１
２に封入された断面斜視図を示す。本発明のビルドアッ
プコア基板１を用いると、図９に図示したように、熱
は、複数個の熱・電気伝導性ポスト１６の縦方向のみな
らず、隣接した他の熱・電気伝導性ポストへリレー式に
伝達され、放熱される。

【００３２】化学エッチング液としては、バリヤ層９が
Ｔｉの場合には、エチレンジアミン系のエンストリップ
ＴＬ−１４２（メルテックス社製、商品名）濃縮液を用
いる。その他、バリヤ層９の材質に応じて、メテックＳ
ＣＢ（マクダーミッド社製商品名）等の市販の溶液や、
硝酸と過酸化水素の混合物、クロム酸と硫酸の混酸など
が使える。

【００３３】本発明においては、前記バリヤ層９をエッ
チング・ストップ層として機能させるので、高さの不均
一が無く精密に制御された複数の熱・電気導電性ポスト
１６のアレイを得ることができる。更に、余計な機械的
研磨も不要である。本発明によると、優れたエッチング
性を有し、配線部のコーナー部を顕微鏡で観察した結果
も、理想的な形状にエッチングされていることを確認し
た。

【００３４】本発明の高さの不均一が無いという特徴は
重要である。それは基板を電子回路に用いる場合のマイ
クロストリップ線路の特性インピーダンスで理解でき
る。特性インピーダンスは、材料の透磁率、誘電率を一
定とした場合、自然対数ｌｎで表すｌｎ（４ｈ／（０．
５３６ｗ+０．６７ｔ））なる値に比例することが、多
くの教科書、例えば中沢喜三郎他著「ＶＬＳＩシステム
設計」で知られている。ここで、記号ｈは絶縁層厚、記
号ｗは配線幅、記号ｔは配線厚である。この関係式か
ら、インピーダンス制御のために絶縁層および導体層の
各厚さ制御が重要であることが分かる。特性インピーダ
ンスが一定下（例えば５０Ω）では、配線幅が狭くなる
と絶縁厚も薄くなり、その公差も小さくなる。また、
幅、厚さについての管理がより厳しくなる。すなわち、
動作周波数が１ＧＨｚにもなろうとする高速化時代には
絶縁層および導体層の各厚さ制御が重要である。

【００３５】次に、図２を用いて本発明に係るビルドア
ップコア基板の製造方法の説明を続ける。図１（ｄ）で
示す組立品を、図２（ａ）に示すように、ガラス繊維強
化エポキシ樹脂などのプリプレグ１２を積層し加熱加圧
して第１積層品（図２（ａ））を作り、該第１積層品か
ら前記キャリヤ層１１を塩化第二鉄溶液により除去す
る。前記キャリヤ層１１は、その剛性によりハンドリン
グ性を向上する。

【００３６】組立品（図１（ｄ））と絶縁板として用い
るプリプレグ１２との接着力を向上するために、組立品
（図１（ｄ））の金属面を粗化処理することが好まし
い。粗化処理の方法は、特に限定されないが、メッキで
瘤状の微小突起を形成したり、機械的に研磨したりして
金属面とエポキシ樹脂間の接着力の向上を図る。

【００３７】プリプレグの材質としては、ガラス繊維強
化エポキシ樹脂のほかに、ガラス繊維強化ビスマレイミ
ド・トリアジン（ＢＴ:bismallimide triazene）樹
脂、またはポリエーテル・サルフォン（ＰＥＳ:poly-et
her sulphon）配合エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂、ＲＣＣ（樹脂付き銅箔（Resin C
oated Copper））等が好適である。

【００３８】その他、未硬化ないしは半硬化したプリプ
レグとしては、ガラス布、ガラス単繊維、紙等の強化基
材に、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、あるいはこれらの混合物等と、それぞれの樹脂の硬
化剤を含浸させたもの、あるいは、加熱して半硬化状
（Ｂ−ステージ）にしたものが使用できる。この樹脂と
しては、弗素樹脂のように熱可塑性の樹脂をも用いるこ
とができる。なお、本発明において絶縁層１２、１３の
形成は、プリプレグ（硬化剤を添加した樹脂、顔料、離
型剤などを予め混合したものを強化繊維にさせ、半硬化
状態にした成型材料）に限定されない。塗布、ホットメ
ルトなど公知の方法で樹脂などの絶縁層を形成すれば良
い。

【００３９】なお、近年、半田の鉛フリー化が急速に進
展している。鉛フリー化によるリフロー炉の温度上昇等
から、基材、ビルドアップ層のより高Ｔｇ（ガラス化温
度）化が求められている。本発明のビルドアップコア基
板、ビルドアップ層についても係る考慮も必要である。

【００４０】更に前記バリヤ層９をエンストリップＴＬ
−１４２濃縮液などで除去して第２積層品（図２
（ｃ））を得て、該第２積層品とプリプレグ１３を積層
し、加熱加圧してビルドアップコア基板（図２（ｄ））
を得る。ここで、前記バリヤ層の材質はＴｉ、Ｓｎ、Ｎ
ｉまたはそれらの合金、前記ポスト形成層の材質はＣｕ
またはその合金、前記キャリヤ層の材質はＣｕまたはそ
の合金が好適である。本発明では、バリヤ層９を正確な
エッチング深さのコントロール手段として用いることが
できる。

【００４１】さて、図２（ｄ）に示す熱・電気伝導性ポ
スト１６の外周に樹脂などの絶縁層１０、その外周を孔
明きのポスト形成層１０を設けたビルドアップコア基板
の部分品が出来上がった。次に、図２（ｅ）に示す３５
μｍ程度のキャリヤ銅箔２１１に、粘着性の剥離層２１
２を介して、３〜５μｍ程度の極薄銅箔２１が設けられ
た部材を用意する。図２（ｄ）で示す部分品に、図２
（ｅ）で示す部材によって最外層に銅箔層２１を設け
る。なお、部材（図２（ｅ））の剥離層２１は必ずしも
粘着性のものに限定されず、後で除去できるものであれ
ば本発明の技術的思想にとって、何ら妨げとなるもので
はない。なお、図２に示す製造方法例では、図２（ｅ）
のような部材を用いたが、本発明は、それに限定される
ものではなく、極薄銅箔層２１は、電解または無電解メ
ッキ、蒸着等々、公知の方法を適宜用いることができ
る。図２（ｅ）のような部材を用いる場合には、極薄銅
箔の形成が容易である。

【００４２】図３を用いて本発明に係るビルドアップコ
ア基板の別の製造方法を説明する。熱・電気伝導性ポス
ト１６が複数個、林立する組立品（図１（ｄ））を作る
工程までは、図２で説明した工程が利用できる。次い
で、前記組立品（図３（ａ））の空洞部１８にスクリー
ンプリント法で、加熱して半硬化状の樹脂１４を充填す
る（図３（ｂ））。そして、前記キャリヤ層１１をエッ
チング除去する（図３（ｃ））。更に前記バリヤ層９を
エッチング除去し（図３（ｄ））、主面両側からプリプ
レグ１２、１３を積層し、加熱加圧してビルドアップコ
ア基板を得る（図３（ｅ））。

【００４３】図４に、本発明に係るビルドアップコア基
板１の、外周銅箔層２１及びプリプレグ層１２、１３を
取り除いた部分品の部分断面斜視図を示す。複数の林立
するＣｕなどの熱・電気伝導性ポスト１６の外周を、絶
縁材１７が取り巻き、Ｆｅ−Ｎｉなどの低熱膨張係数の
孔明き板１９がその外周に設けられる。本発明に係るビ
ルドアップコア基板１の用途は、図５に例示するよう
に、このビルドアップコア基板１の上下にビルドアップ
層２ａ、２ｂを付加したビルドアップ配線基板３などで
ある。一般にビルドアップ配線基板とは、たとえばベー
ス部分をガラスエポキシ積層板とし、ベースの表面を接
続するスルーホールはエポキシ樹脂により埋められてい
るものや、表面実装をビルドアップしたもの、あるいは
前記のビルドアップ配線基板と表面実装とを組合せたも
のを言う。これらのビルドアップ層２ａ上面及びビルド
アップ層２ｂ下面には、それぞれ配線導体層が形成され
る。ビルドアップ層の数は、１層に限定されず複数層で
あることが多い。

【００４４】本発明のビルドアップコア基板１をビルド
アップ配線基板として使用する際、封入された熱・電気
伝導性ポストを例えば、レーザで開口して選択使用す
る。それにより極めて高精度に熱・電気伝導性ポストを
形成できる。この熱・電気伝導性ポストはサーマルビア
として機能し、サーマルビアを介して熱を効率よく伝達
する構成となる。

【００４５】ビルドアップコア基板（１）にビルドアッ
プ層（２ａ、２ｂ）を付加した図５に例示するビルドア
ップ配線基板の製造は、特に限定されるものではなく前
述の製造方法を適宜組合せれば良い。例えば、ビルドア
ップコア基板（１）に回路パターンがパターンエッチン
グされた金属箔と、ビルドアップコア基板（１）と、プ
リプレグを重ねて加圧・加熱すれば良い。図６に示す、
より複雑なビルドアップ配線基板を製造することも容易
である。

【００４６】図６に示すビルドアップコア基板３の製造
方法を、図７及び図８を用いて説明する。図７（ａ）は
バリヤ層９の一方の面に複数の林立したＣｕなどの熱・
電気伝導性ポスト１６を、図７（ｂ）はプリプレグ１２
を、図７（ｃ）は０．４ｍｍピッチで直径０．３ｍｍの
穴が明けられたＦｅ−Ｎｉ合金などの孔明き板１９で、
例えばパターンエッチングで製造したものを示す。これ
らの熱・電気伝導性ポスト１６、プリプレグ１２、パタ
ーンエッチング品２０を、図７（ｄ）に示すように、積
層して、加熱された押板で加圧してラミネート品を製造
する。

【００４７】図８（ａ）は、図７（ｄ）で製造されたラ
ミネート品を、反転した状態で示した図である。このＦ
ｅ−Ｎｉ合金のキャリヤ層１１と、次いでＴｉバリヤ層
９の一部を、図８（ｂ）に示すようにエッチング除去す
る。次にこれを、図８（ｃ）に示すプリプレグ１３と積
層して、加熱加圧して図８（ｄ）に示すラミネート品、
即ちビルドアップコア基板１が得られる。

【００４８】熱膨張係数は、４２アロイが４．２ｐｐｍ
に対してＣｕは１６ｐｐｍと大きいが、本発明のビルド
アップコア基板では、例えば図４に模式図を示すように
Ｃｕ等の熱・電気伝導性ポスト１６に比べて、４２アロ
イ等の孔明き板１９の占める割合が圧倒的に多い。従っ
て、全体としてのビルドアップコア基板の熱膨張係数
は、４２アロイに極めて近く低いものとなる。

【００４９】Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、低熱膨張特性を付与
する目的で用いるため、３０℃〜３００℃における平均
熱膨張係数を４〜６ｐｐｍ/℃の範囲の合金薄板を配置
することが望ましい。具体的に使用するＦｅ−Ｎｉ系合
金としてはＦｅ−４２％Ｎｉ合金、Ｆｅ−３６％Ｎｉ合
金のいわゆるインバー合金、Ｆｅ−３１％Ｎｉ−５％Ｃ
ｏ合金のいわゆるスーパーインバー合金、Ｆｅ−２９％
Ｎｉ−１７％Ｃｏ合金等のＮｉ３０〜６０％、残部Ｆｅ
あるいはＮｉの一部をＣｏで置換したものを基本元素と
するものが使用できる。このうち、例えばシリコンチッ
プの上面に形成するには、シリコンチップ４の平均熱膨
張係数に近似するＦｅ−３６％Ｎｉ合金やＦｅ−３１％
Ｎｉ−５％Ｃｏ合金を用いることが望ましい。

【００５０】従来、接続信頼性を大きく阻害していた要
因として、シリコンチップと、基板又はインターポーザ
（熱膨張係数１６ｐｐｍ/℃程度）との差に起因した半
田ボール部の断線の問題がある。この問題に対して、基
板の基材を低熱膨張化すると同時に、放熱特性を付与で
きる本発明によると、シリコンチップで発生した熱を複
数の熱・電気伝導性ポスト１６を介して、基板の下面方
向及び水平方向へ拡散してやることができる。なお、熱
・電気伝導性ポストは導電性ポストとも呼ばれる。

【００５１】本発明で孔明き板１９にＦｅ−Ｎｉ合金を
用いる場合には、半導体チップ４とビルドアップ配線基
板３との間には、良好な熱膨張係数の傾斜，階層を得る
ことができ、ヒート・サイクル、ヒート・ショック等に
よるクラックなどによる信頼性低下を大幅に改善でき
る。図５に示す一実施例では、半導体チップ４を搭載す
るビルドアップ配線基板３、ビルドアップ配線基板３を
搭載するプリント配線板ＰＷＢ（図示せず）の熱膨張係
数は、各々、３．２ｐｐｍ/℃、８〜１０ｐｐｍ/℃、１
７ｐｐｍ/℃と、良好な熱膨張係数の傾斜，階層を示し
ている。

【００５２】図６に例示するビルドアップ配線基板にお
いては、図中にＶｃｃ、Ｖｓｓと示すように、電源電圧
層、アース層と回路構成に合わせて使い分けることが可
能となる。本発明によると、簡単にこのような構成を可
能とするため、チップのクロック周波数の増大により電
圧変動が生じやすくなっている現状において、安定した
電圧の供給と併せ、安定したアース（接地、グランドと
も呼ばれる）を可能とする。なお、図６では２層に重畳
された孔明き板１９の例を示したが、本発明によると何
層でも容易に製造できる。

【００５３】図２と図３を用いて本発明に係るビルドア
ップコア基板の製造方法の一例を示したが、本発明はそ
れに限定されるものではなく、リールに巻かれた金属
箔、樹脂フィルムを用いてローラによって連続的にリー
ル・ツー・リール（reel-to-reel）工法でホトエッチン
グやラミネート工程までを連続的に処理することもでき
る。図１０に一例を示す。図１０（ａ）はリールに巻き
取られた状態を示し、その部分拡大図を図１０（ｂ）及
び図１０（ｃ）に示す。これは、例えば図２（ｄ）に対
応する。このようなリール形状にした場合には、ハンド
リング性が格段に向上して、電子パッケージの自動生産
が容易化する利点がある。

【００５４】本発明によると、熱・電気伝導性ポストを
複数個設けたインターポーザが容易に得られ、基板をエ
ッチングすることにより熱・電気伝導性ポストとして絶
縁基板より隔離された島状の熱・電気伝導性ポスト部分
が形成される。本発明の基板は優れたエッチング性を有
する導体板を用いるため、狭ピッチの高密度配線に好適
であることから、従来のビルドアップの積層枚数を少な
くできる。そのため、本発明の基板を用いれば、基板そ
のものの配線密度を高めることができ、本発明の基板を
積層したビルドアップ配線基板や、たとえばフリップチ
ップ実装、Wafer Level CSP等に特に有効である。ま
た、ビルドアップ層の層数の低減は、コストダウンに直
結する。

【００５５】また本発明は、ビルドアップ配線基板を用
いて半導体装置とすることができる。本発明の半導体装
置としては、特に限定されるものではないが、半導体チ
ップからの信号を外部に導く半田ボールを介し、フリッ
プチップ実装とし、さらにプリント基板が複数枚積層さ
れたビルドアップ配線基板に信号が伝達される半導体装
置とすることができ、狭ピッチに好適なエッチング性に
優れた導体板を用いることから、ビルドアップ配線基板
に直接実装する半導体装置に特に好適である。

【００５６】また、本発明においては、狭ピッチの高密
度配線に好適であることから、本発明の基板を用いれ
ば、配線密度を高めることができるので、従来のビルド
アップの積層枚数を少なくできる。以上、本発明におい
て、バリヤ層（９）、ポスト形成層（１０）、キャリヤ
層（１１）、熱・電気伝導性ポスト（１６）、孔明き板
（１９）の好ましい材質は、各々、バリヤ層（９）はＮ
ｉ，Ｔｉ，Ｓｎなど、ポスト形成層（１０）はＣｕ、キ
ャリヤ層（１１）はＦｅ−Ｎｉ合金、熱・電気伝導性板
（１５）はＦｅ−Ｎｉ合金、熱・電気伝導性ポスト（１
６）はＣｕ、孔明き板（１９）はＦｅ−Ｎｉ合金である
が、等価な作用効果を有するものであれば、本発明の技
術的思想が適用できる。

【００５７】本発明に係るビルドアップコア基板は、外
層の絶縁層１２に更に銅箔２１を貼付ける。貼付けに
は、キャリヤ銅箔層２１１（用済後、剥離除去する）と
極薄銅箔２１との間に有機系などの剥離層２１２を有す
る複合銅箔を用いると良い。以下に、その製造方法を概
説する。キャリヤ銅箔層２１１として、厚さ３５μｍの
電解銅箔を用いる。このような電解銅箔は粗面（マット
面）および平滑（光沢）面を有している。その光沢面側
に、以下のようにして、有機系剥離層を形成し、次いで
１次銅電着、２次銅電着、粗化処理及び防錆処理を行
う。

【００５８】（イ）剥離層形成３５μｍの銅箔を、３０℃のカルボキシベンゾトリアゾ
ール（ＣＢＴＡ）２ｇ／Ｌ溶液に３０秒間浸漬した後に
取り出し、脱イオン水中で水洗いしてＣＢＴＡの有機系
剥離層を形成する。得られた有機系剥離層の厚さをSIM
（走査型イオン顕微鏡）で得られた像から測定したとこ
ろ、６０Åであった。

【００５９】（ロ）１次銅電着形成された有機系剥離層の表面に、銅１７ｇ／Ｌ、ピロ
リン酸カリウム５００ｇ／Ｌを含む、ｐＨ８．５のピロ
リン酸銅電着浴を用いて、浴温５０℃、電流密度３Ａ／
ｄｍ²で陰極電解し、厚さ１μｍの銅を析出させた。（ハ）２次銅電着形成された極薄銅箔の表面を水洗し、銅８０ｇ／Ｌおよ
び硫酸１５０ｇ／Ｌを含む硫酸銅電着浴を用いて、浴温
５０℃、電流密度６０Ａ／ｄｍ²で陰極電解し、５μｍ
の銅を析出させ、全体で６μｍの極薄銅箔層とする。

【００６０】（ニ）粗化処理このように形成された極薄銅箔層の表面に粗化処理を施
する。電流密度を上昇させて極薄銅箔表面に導電性銅微
粒子群を形成する。（ホ）防錆処理粗化処理が施された極薄銅箔層の表面に電着により亜鉛
クロメートの防錆処理を施し、複合銅箔を得る。

【００６１】極薄銅箔層の形成には「転写法」を用いる
こともできる。その概略を以下、説明する。キャリヤ材
としての電解銅箔をカソードとして、バリア材としての
Ｎｉメッキ層を形成した後、配線部形成材として硫酸銅
メッキを施し、三層の転写法用箔材を用意する。次に、
ドライフィルムレジストをラミネートし、露光、現像に
よって所望のするレジストパターンを形成し、配線部形
成材を選択エッチし、配線形成材上に残留するレジスト
を水酸化カリウム溶液を用いてレジストを剥離する。

【００６２】次に、上記の工程によって得られた転写法
用箔材を金型にセットし、ガラスエポキシ樹脂へ銅配線
パターン側を転写し、キャリヤ材及びバリア材を選択エ
ッチし、転写された銅配線パターンのみを残留させるこ
とができるものであり、配線幅５０μｍ以下、配線間距
離５０μｍ以下の狭ピッチの配線を形成するのに適した
方法と言える。転写法による極薄銅箔の厚みは５〜１８
μｍ程度である。従って、本発明に用いる銅箔は、転写
法による場合は１８μｍ以下であり、前述の剥離層つき
の複合銅箔を用いる場合には５μｍ以下にすることがで
きる。

【００６３】本発明に係るビルドアップコア基板は、最
外周層２１に極薄銅箔層を具備する。従って、ファイン
ピッチのエッチングパターンが容易に形成できるので、
半導体パッケージの小型化、高密度化効果は大きい。ま
た、従来の様に、レーザ孔明けに際にレーザ光線の反射
を防止のための黒化処理が不要である。銅箔が極めて薄
いためレーザ光線が容易に銅箔を透過できるからであ
る。

【００６４】

【発明の効果】バリヤ層を用いたエッチング法によるの
で、形状寸法のバラツキが極めて少ない熱・電気伝導性
ポストを封入した基板が得られる。また、短距離配線を
可能にするので、動作周波数の高速化に容易に対応でき
る。また、本発明によると、メタルコアを使用している
ので、寸法安定性に優れ、薄くても剛性が高いのでハン
ドリング性も良い上に、微細で固体（ソリッド）の熱・
電気伝導性ポストを利用するので、従来のようにコアー
基板のドリルやレーザによるスルーホールの穴あけ工程
が不要である。スルーホールの穴内面のメッキも不要で
ある。また、高密度に製造可能なのでビルドアップ層の
上下両面が有効に使えるので、層数の減少によるコスト
ダウンも可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るビルドアップコア基板のパターン
エッチング品を示す図である。

【図２】本発明に係るビルドアップコア基板の一製造方
法を示す図である。

【図３】本発明に係るビルドアップコア基板の別の製造
方法を示す図である。

【図４】本発明に係るビルドアップコア基板の斜視・部
分断面図である。

【図５】本発明に係るビルドアップ配線基板の図であ
る。

【図６】本発明に係る別のビルドアップ配線基板の図で
ある。

【図７】図６に示すビルドアップコア基板の製造工程の
一部を示す図である。

【図８】図６に示すビルドアップコア基板の製造工程の
残部を示す図である。

【図９】本発明に係るビルドアップ配線基板の放熱の状
況を示す模式図である。

【図１０】本発明に係るビルドアップコア基板の更に別
の製造方法を示す図である。

【図１１】従来のビルドアップ配線基板を示す図であ
る。

【図１２】従来のエッチング方法の問題点を説明する図
である。

【符号の説明】

１．ビルドアップコア基板、２ａ．側ビルドアップ層、
２ｂ．下側ビルドアップ層、ビルドアップ配線基板、
４．半導体チップ、５ａ、５ｂ．半田ボール、６．アン
ダフィル、７．配線パターン、８．スルーホール、９．
バリヤ層、１０．ポスト形成層、１１．キャリヤ層、１
２、１３．絶縁板、１４．充填樹脂、１５．熱・電気伝
導性板、１６．熱・電気伝導性ポスト、１７．絶縁材、
１８．空洞部、１９．孔明き板

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１３年２月５日（２００１．２．５）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 23/12 ５０１Ｈ０１Ｌ 23/12 ５０１ＢＨ０５Ｋ 1/05 Ｈ０５Ｋ 1/05 Ｚ 1/11 1/11 Ｌ 3/40 3/40 Ｈ 3/44 3/44 ＢＦターム(参考） 5E315 AA05 AA11 BB05 BB14 BB18 CC16 CC21 DD16 DD17 DD20 GG01 GG07 GG20 5E317 AA24 BB01 BB12 BB18 CC60 CD21 CD25 CD27 CD32 GG01 GG11 GG16 5E346 AA02 AA04 AA12 AA15 AA29 AA32 AA42 AA43 CC04 CC09 CC32 DD16 DD23 DD24 DD32 EE09 EE13 EE19 FF01 FF27 GG15 GG22 HH11 HH17 HH31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】板厚方向に複数の貫通孔を有する低熱膨
張係数の熱・電気伝導性板と、該複数の貫通孔を有する
低熱膨張係数の熱・電気伝導性板と異なる材質からなり
前記貫通孔内に設けられた島状に孤立した複数の熱・電
気伝導性ポストと、該複数の熱・電気伝導性ポストの外
周に設けられ、前記低熱膨張係数の熱・電気伝導性板と
の間に介在して、前記複数の熱・電気伝導性ポストを電
気的に絶縁する絶縁材と、前記低熱膨張係数の熱・電気
伝導性板の両主面に接合された絶縁板と、前記縁板の一
方または両方の主面上に設けられた厚み１８μｍ以下の
極薄銅箔層からなることを特徴とするビルドアップコア
基板。
【請求項２】前記複数の熱・電気伝導性ポストがＣｕ
またはＣｕ合金であり、前記複数の貫通孔を有する熱・
電気伝導性板がＦｅ−Ｎｉ合金でなる請求項１記載のビ
ルドアップコア基板。
【請求項３】前記複数の熱・電気伝導性ポストの直径
が、０．０１〜０．２ｍｍ、ピッチが０．１〜１．０ｍ
ｍであることを特徴とする請求項１記載のビルドアップ
コア基板。
【請求項４】前記絶縁材が、ガラス繊維強化エポキシ
樹脂、ガラス繊維強化ビスマレイミド・トリアジン（Ｂ
Ｔ）樹脂、またはポリエーテル・サルフォン（ＰＥＳ）
配合エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド
樹脂のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１
記載のビルドアップコア基板。
【請求項５】前記複数の熱・電気伝導性ポストの外周
に、絶縁材と孔明き板を具備することを特徴とした請求
項１記載のビルドアップコア基板。
【請求項６】請求項１記載のビルドアップコア基板
と、該ビルドアップコア基板の両主面に形成されるビル
ドアップ層を備えたビルドアップ配線基板。
【請求項７】下記の工程でなることを特徴とするビル
ドアップコア基板の製造方法。（１）バリヤ層の一方の主面にポスト形成層を、他方の
主面にキャリヤ層を接合する。（２）前記ポスト形成層に、所定の領域を除去するマス
クを載置する。（３）前記所定の領域を、エッチングにより、前記バリ
ヤ層に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポストが複
数個、林立する第１のパターンエッチング品を作る。（４）第１のパターンエッチング品と、孔明き板とを組
合せる。（５）記第１のパターンエッチング品と前記孔明き板
にＣｕメッキや粗化処理をする。（６）その後、絶縁板を積層し、加熱加圧して第１積
層品を作る。（７）該第１積層品から前記キャリヤ層を除去する。（８）更に前記バリヤ層を除去して第２積層品を得
る。（９）該第２積層品と絶縁板を積層する。（１０）前記絶縁板の一方または両方の主面上に厚み１
８μｍ以下の極薄銅箔層を積層してビルドアップコア基
板を製造する。
【請求項８】下記の工程でなることを特徴とするビル
ドアップコア基板の製造方法。（１）バリヤ層の一方の主面にポスト形成層を、他方の
主面にキャリヤ層を接合する。（２）前記ポスト形成層に、所定の領域を除去するマス
クを載置する。（３）前記所定の領域を、エッチングにより、前記バリ
ヤ層に達するまで除去して、熱・電気伝導性ポストが複
数個、林立する第１のパターンエッチング品を作る。（４）該第１のパターンエッチング品と、孔明き板とを
組合せて空洞部を有する組立品を得る。（５）前記第１のパターンエッチング品と前記孔明き板
にＣｕメッキや粗化処理をする。（６）前記空洞部にスクリーンプリント法で樹脂を充填
する。（７）前記キャリヤ層をエッチング除去する。（８）更に前記バリヤ層をエッチング除去する。（９）次いで主面両側から絶縁板を積層する。（１０）前記絶縁板の一方または両方の主面上に厚み１
８μｍ以下の極薄銅箔層を設けてビルドアップコア基板
を製造する。
【請求項９】前記極薄銅箔の厚みが５μｍ以下である
ことを特徴とする請求項1記載のビルドアップコア基
板。
【請求項１０】前記極薄銅箔の厚みが５μｍ以下であ
ることを特徴とする請求項７または８記載のビルドアッ
プコア基板の製造方法。