JP2002246366A - コンタクトホールエッチングの後洗浄法 - Google Patents
コンタクトホールエッチングの後洗浄法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェット洗浄の代わりにドライ洗浄を用いる
コンタクトエッチングの後洗浄法を提供する。 【解決手段】 タングステン金属層と該金属層表面に形
成される酸化層と該酸化層表面に形成されるフォトレジ
スト層とを備えると共に、前記フォトレジスト層と前記
酸化層を貫通し前記タングステン金属層表面の所定のエ
リアを露出させるコンタクトホールを有するウェハーの
洗浄方法であって、先ず前記フォトレジスト層を除去す
るためのフォトレジスト除去段階を行い、この後高分子
の残留物を除去し且つ水溶性を有する化合物を形成する
ためにドライ洗浄を施す段階を行い、最後ウェハーを純
水の中に浸し前記水溶性の化合物を溶解するための水洗
浄段階を行う。結果、コンタクトホール内の残留物は完
全に除去される。
コンタクトエッチングの後洗浄法を提供する。 【解決手段】 タングステン金属層と該金属層表面に形
成される酸化層と該酸化層表面に形成されるフォトレジ
スト層とを備えると共に、前記フォトレジスト層と前記
酸化層を貫通し前記タングステン金属層表面の所定のエ
リアを露出させるコンタクトホールを有するウェハーの
洗浄方法であって、先ず前記フォトレジスト層を除去す
るためのフォトレジスト除去段階を行い、この後高分子
の残留物を除去し且つ水溶性を有する化合物を形成する
ためにドライ洗浄を施す段階を行い、最後ウェハーを純
水の中に浸し前記水溶性の化合物を溶解するための水洗
浄段階を行う。結果、コンタクトホール内の残留物は完
全に除去される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェハーの洗浄方法
に関わり、特にコンタクトホールエッチングの後洗浄
（post clean）法に関する。
に関わり、特にコンタクトホールエッチングの後洗浄
（post clean）法に関する。
【０００２】
【従来の技術】常に配線微細化や高集積度を追求してい
る半導体製造において、微粒（ゴミ）は製品の良品率に
与える影響が非常に大きいものである。特に金属層間の
コンタクトホールの製造工程に際して、コンタクトホー
ル内に残留する残留物が完全に除去されないと金属層間
における電気的接続の品質に相当な悪影響を与えること
に違いない。
る半導体製造において、微粒（ゴミ）は製品の良品率に
与える影響が非常に大きいものである。特に金属層間の
コンタクトホールの製造工程に際して、コンタクトホー
ル内に残留する残留物が完全に除去されないと金属層間
における電気的接続の品質に相当な悪影響を与えること
に違いない。
【０００３】図１は周知のコンタクトホールの構成を示
す断面図、 図２は従来のコンタクトエッチングの後洗
浄法のフローチャートである。図１に示すように、ウェ
ハー１０は基板１２と基板１２表面に形成される金属層
１４と該金属層１４表面に形成される酸化層１６と該酸
化層１６表面に形成されるフォトレジスト層１８からな
る。エッチング法で形成（定義）されるコンタクトホー
ル２０はフォトレジスト層１８と酸化層１６を貫通し金
属層１４表面の所定のエリアを露出させるようになる。
該コンタクトホールを形成してから後洗浄が行われる。
該後洗浄法は図２に示すようにフォトレジスト除去段階
２２とウェット洗浄段階２４と水洗浄段階２６からな
る。
す断面図、 図２は従来のコンタクトエッチングの後洗
浄法のフローチャートである。図１に示すように、ウェ
ハー１０は基板１２と基板１２表面に形成される金属層
１４と該金属層１４表面に形成される酸化層１６と該酸
化層１６表面に形成されるフォトレジスト層１８からな
る。エッチング法で形成（定義）されるコンタクトホー
ル２０はフォトレジスト層１８と酸化層１６を貫通し金
属層１４表面の所定のエリアを露出させるようになる。
該コンタクトホールを形成してから後洗浄が行われる。
該後洗浄法は図２に示すようにフォトレジスト除去段階
２２とウェット洗浄段階２４と水洗浄段階２６からな
る。
【０００４】フォトレジスト除去段階２２はプラズマ反
応器内においてドライエッチング法でフォトレジスト層
１８を除去する、即ち、フォトレジスト層１８内の炭化
水素と酸素プラズマとの反応を介しフォトレジスト層１
８をエッチングして剥離するものである。該反応中生成
されるCO、CO2、H2Oは真空システムによる吸引で排出さ
れる。
応器内においてドライエッチング法でフォトレジスト層
１８を除去する、即ち、フォトレジスト層１８内の炭化
水素と酸素プラズマとの反応を介しフォトレジスト層１
８をエッチングして剥離するものである。該反応中生成
されるCO、CO2、H2Oは真空システムによる吸引で排出さ
れる。
【０００５】しかしながら、該フォトレジスト１８の除
去に際して生成される高分子の残留物は大量にコンタク
トホール２０内に堆積してしまうことがある。このた
め、ウェット洗浄法で該高分子の残留物を完全に除去す
るためのウェット洗浄段階２４を行う必要がある。従来
のウェット洗浄法は、適当な時間や温度及び濃度等の条
件においてウェハー１０を所定のエッチング溶液、例え
ばACT（米国ACT社製の塩基性化合物で、商品名はACT935
である）またはEKC（米国EKC社製の塩基性化合物で、商
品名はEKCである）等の塩基性溶液に浸し、高分子の残
留物とエッチング溶液との反応を介してその残留物をエ
ッチング即ち除去するものである。
去に際して生成される高分子の残留物は大量にコンタク
トホール２０内に堆積してしまうことがある。このた
め、ウェット洗浄法で該高分子の残留物を完全に除去す
るためのウェット洗浄段階２４を行う必要がある。従来
のウェット洗浄法は、適当な時間や温度及び濃度等の条
件においてウェハー１０を所定のエッチング溶液、例え
ばACT（米国ACT社製の塩基性化合物で、商品名はACT935
である）またはEKC（米国EKC社製の塩基性化合物で、商
品名はEKCである）等の塩基性溶液に浸し、高分子の残
留物とエッチング溶液との反応を介してその残留物をエ
ッチング即ち除去するものである。
【０００６】最後の水洗浄段階２６は水洗でウェハー１
０の周縁部に残留されるエッチング溶液を確実に除去す
るためのものである。この場合、残留のエッチング溶液
を完全に除去するために、ウェハー１０を純水の中に浸
す前にウェハー１０を９０°回転させる必要がある。
０の周縁部に残留されるエッチング溶液を確実に除去す
るためのものである。この場合、残留のエッチング溶液
を完全に除去するために、ウェハー１０を純水の中に浸
す前にウェハー１０を９０°回転させる必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェッ
ト洗浄を用いる従来の後洗浄法は所定の化学薬剤を必要
とするが、このような化学薬剤は値段が非常に高いばか
りか資源も欠乏である。このため、従来の後方法によれ
ば、量産コストの低減を図ることができない。一方、ウ
ェハー１０をエッチング溶液の中に浸す場合、エッチン
グ溶液は完全に高分子の残留物と反応するまで時間が掛
かる。このため、コンタクトエッチングの後洗浄法の実
施時間は長くなる。
ト洗浄を用いる従来の後洗浄法は所定の化学薬剤を必要
とするが、このような化学薬剤は値段が非常に高いばか
りか資源も欠乏である。このため、従来の後方法によれ
ば、量産コストの低減を図ることができない。一方、ウ
ェハー１０をエッチング溶液の中に浸す場合、エッチン
グ溶液は完全に高分子の残留物と反応するまで時間が掛
かる。このため、コンタクトエッチングの後洗浄法の実
施時間は長くなる。
【０００８】前記のような問題点を解決するため、本発
明の目的は従来のウェット洗浄の代わりにドライ洗浄を
用いるコンタクトエッチングの後洗浄法を提供すること
にある。
明の目的は従来のウェット洗浄の代わりにドライ洗浄を
用いるコンタクトエッチングの後洗浄法を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明はタングステン金属層と該タングステン金属層
表面に形成される酸化層と該酸化層表面に形成されるフ
ォトレジスト層とを備えると共に、前記フォトレジスト
層と前記酸化層を貫通し前記タングステン金属層表面の
所定のエリアを露出させるコンタクトホールを有するウ
ェハーの洗浄方法であって、先ず前記フォトレジスト層
を除去するためのフォトレジスト除去段階を行い、その
後高分子の残留物を除去し且つ水溶性を有する化合物を
形成するためにドライ洗浄を施す段階を行い、最後ウェ
ハーを純水の中に浸し前記水溶性の化合物を溶解するた
めの水洗浄段階を行う。結果、コンタクトホール内の残
留物は完全に除去される。
に本発明はタングステン金属層と該タングステン金属層
表面に形成される酸化層と該酸化層表面に形成されるフ
ォトレジスト層とを備えると共に、前記フォトレジスト
層と前記酸化層を貫通し前記タングステン金属層表面の
所定のエリアを露出させるコンタクトホールを有するウ
ェハーの洗浄方法であって、先ず前記フォトレジスト層
を除去するためのフォトレジスト除去段階を行い、その
後高分子の残留物を除去し且つ水溶性を有する化合物を
形成するためにドライ洗浄を施す段階を行い、最後ウェ
ハーを純水の中に浸し前記水溶性の化合物を溶解するた
めの水洗浄段階を行う。結果、コンタクトホール内の残
留物は完全に除去される。
【００１０】
【発明の実施の形態】前記の目的を達成して従来の欠点
を除去するための課題を実行する本発明の実施例の構成
とその作用を添付図面に基づき詳細に説明する。
を除去するための課題を実行する本発明の実施例の構成
とその作用を添付図面に基づき詳細に説明する。
【００１１】図３乃至図６は本発明の実施例のコンタク
トホールエッチングの後洗浄法を示す図、図７は本発明
の実施例のコンタクトエッチングの後洗浄法のフローチ
ャートである。
トホールエッチングの後洗浄法を示す図、図７は本発明
の実施例のコンタクトエッチングの後洗浄法のフローチ
ャートである。
【００１２】本発明はコンタクトエッチングの後洗浄工
程に適するウェハーの洗浄方法を提供するものである。
図３に示すように、ウェハー３０は基板３２と基板３２
表面に形成されるタングステン金属層３４と該タングス
テン金属層３４表面に形成される酸化層３８と該酸化層
３８表面に形成されるフォトレジスト層４０及びコンタ
クトホール４２を有する。コンタクトホール４２はエッ
チング法で形成されるものである。該エッチング法はタ
ングステン金属層３４をエッチングストップ層としフォ
トレジスト層４０と酸化層３８を貫通しタングステン金
属層３４表面の所定のエリアを露出させるようにエッチ
ングを行うものである。また、前記酸化層３８の形成
（堆積）に際して反応ガスはTEOSとする。
程に適するウェハーの洗浄方法を提供するものである。
図３に示すように、ウェハー３０は基板３２と基板３２
表面に形成されるタングステン金属層３４と該タングス
テン金属層３４表面に形成される酸化層３８と該酸化層
３８表面に形成されるフォトレジスト層４０及びコンタ
クトホール４２を有する。コンタクトホール４２はエッ
チング法で形成されるものである。該エッチング法はタ
ングステン金属層３４をエッチングストップ層としフォ
トレジスト層４０と酸化層３８を貫通しタングステン金
属層３４表面の所定のエリアを露出させるようにエッチ
ングを行うものである。また、前記酸化層３８の形成
（堆積）に際して反応ガスはTEOSとする。
【００１３】図７に示すように本発明の後洗浄法はフォ
トレジスト除去段階４４とドライ洗浄段階４６と水洗浄
段階４８とからなる。
トレジスト除去段階４４とドライ洗浄段階４６と水洗浄
段階４８とからなる。
【００１４】最初のフォトレジスト除去段階４４はプラ
ズマ反応器内においてドライエッチングでフォトレジス
ト層４０を除去、即ち、フォトレジスト層４０内の炭化
水素と酸素プラズマとの反応を介しフォトレジスト層４
０をエッチングして剥離するものである。図４に示すよ
うに、該フォトレジスト層４０を除去する際高分子の残
留物５０が大量に生成されコンタクトホール４２内に残
留してしまう。
ズマ反応器内においてドライエッチングでフォトレジス
ト層４０を除去、即ち、フォトレジスト層４０内の炭化
水素と酸素プラズマとの反応を介しフォトレジスト層４
０をエッチングして剥離するものである。図４に示すよ
うに、該フォトレジスト層４０を除去する際高分子の残
留物５０が大量に生成されコンタクトホール４２内に残
留してしまう。
【００１５】その次に施されるドライ洗浄段階４６はド
ライエッチング法でこのような高分子の残留物を除去す
るためのものである。該段階の実施条件は10−20秒間、
200−300℃、圧力500mT、マイクロ波約800W、RF約800−
100Wである。本発明のドライ洗浄段階においてはCF4及
びN2H2を主な反応ガスとすると共に不活性ガス、N2、H2
等による反応ガスを組み込むのは肝要である。ここで、
CF4ガスと反応ガス全体との比は1/2−1/6、CF4ガスの流
量は40−200sccm、N2H2ガスの流量は100−500sccmであ
り得る。このように、高分子の残留物５０を除去すると
同時に、CF4はWOxと反応しWF6、WFx、CO、CO2等の揮発
性ガスを生成することができる。一方、N2H2はWと反応
し例えばH 2O4W、H 4H2、H2N2O2、NH3等による水溶性の
残留物５２（図５）を生成することができる。生成され
るガスは真空システムによる吸引で排出される。
ライエッチング法でこのような高分子の残留物を除去す
るためのものである。該段階の実施条件は10−20秒間、
200−300℃、圧力500mT、マイクロ波約800W、RF約800−
100Wである。本発明のドライ洗浄段階においてはCF4及
びN2H2を主な反応ガスとすると共に不活性ガス、N2、H2
等による反応ガスを組み込むのは肝要である。ここで、
CF4ガスと反応ガス全体との比は1/2−1/6、CF4ガスの流
量は40−200sccm、N2H2ガスの流量は100−500sccmであ
り得る。このように、高分子の残留物５０を除去すると
同時に、CF4はWOxと反応しWF6、WFx、CO、CO2等の揮発
性ガスを生成することができる。一方、N2H2はWと反応
し例えばH 2O4W、H 4H2、H2N2O2、NH3等による水溶性の
残留物５２（図５）を生成することができる。生成され
るガスは真空システムによる吸引で排出される。
【００１６】最後、水溶性の残留物５２を除去するため
に水洗浄段階４８を行う。これはウェハー３０を直接純
水の中に浸し水溶性の残留物５２を純水の中に直接溶解
させるものである。これにより、図６に示すようにコン
タクトホール４２内の全ての残留物は完全に除去され
る。
に水洗浄段階４８を行う。これはウェハー３０を直接純
水の中に浸し水溶性の残留物５２を純水の中に直接溶解
させるものである。これにより、図６に示すようにコン
タクトホール４２内の全ての残留物は完全に除去され
る。
【００１７】本発明は前記実施例の如く提示されている
が、これは本発明を限定するものではなく、当業者は本
発明の要旨と範囲内において変形と修正をすることがで
きる。
が、これは本発明を限定するものではなく、当業者は本
発明の要旨と範囲内において変形と修正をすることがで
きる。
【００１８】
【発明の効果】従来の後洗浄法と比較すると、本発明の
後洗浄法は値段の非常に高い且つ稀有なACTやEKC等の塩
基性溶液を使用することがなく、ドライ洗浄で高分子の
残留物５０を除去することができるため、生産コストを
大幅に降下することができる。また、ドライ洗浄を用い
ることにより高分子の残留物５０の除去は迅速的となる
し、水洗浄の場合ウェハー１０を９０°回転させること
もなくなるため、後洗浄法の実施時間はかなり短縮され
る。更に、本発明の方法によれば、レジスト除去段階と
ドライ洗浄段階は同様な環境（in-situ）において行わ
れるため、プラズマ反応器の作動条件を調整することだ
けで順次にフォトレジスト層４０と高分子の残留物５０
を除去することができる。これによりコンタクトホール
エッチングの後洗浄法の実施は一層便利になる。
後洗浄法は値段の非常に高い且つ稀有なACTやEKC等の塩
基性溶液を使用することがなく、ドライ洗浄で高分子の
残留物５０を除去することができるため、生産コストを
大幅に降下することができる。また、ドライ洗浄を用い
ることにより高分子の残留物５０の除去は迅速的となる
し、水洗浄の場合ウェハー１０を９０°回転させること
もなくなるため、後洗浄法の実施時間はかなり短縮され
る。更に、本発明の方法によれば、レジスト除去段階と
ドライ洗浄段階は同様な環境（in-situ）において行わ
れるため、プラズマ反応器の作動条件を調整することだ
けで順次にフォトレジスト層４０と高分子の残留物５０
を除去することができる。これによりコンタクトホール
エッチングの後洗浄法の実施は一層便利になる。
【図１】周知のコンタクトホールの構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】従来のコンタクトエッチングの後洗浄法のフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図３】本発明の実施例のコンタクトホールエッチング
の後洗浄法（フォトレジスト除去段階実施前の状態）を
示す断面図である。
の後洗浄法（フォトレジスト除去段階実施前の状態）を
示す断面図である。
【図４】図３に示すコンタクトホールエッチングの後洗
浄法（フォトレジスト除去段階実施後の状態）を示す断
面図である。
浄法（フォトレジスト除去段階実施後の状態）を示す断
面図である。
【図５】図３に示すコンタクトホールエッチングの後洗
浄法（ドライ洗浄段階実施後の状態）を示す断面図であ
る。
浄法（ドライ洗浄段階実施後の状態）を示す断面図であ
る。
【図６】図３に示すコンタクトホールエッチングの後洗
浄法（水洗浄段階実施後の状態）を示す断面図である。
浄法（水洗浄段階実施後の状態）を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例のコンタクトエッチングの後洗
浄法のフローチャートである。
浄法のフローチャートである。
３０ ウェハー ３２ 基板 ３４ タングステン金属層 ３８ 酸化層 ４０ フォトレジスト層 ４２ コンタクトホール ４４ フォトレジスト除去段階 ４６ ドライ洗浄段階 ４８ 水洗浄段階 ５０ 高分子の残留物 ５２ 水溶性の残留物
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/768 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ａ (72)発明者 ホン−ロン チャン 台湾，シンチュ・シティ，ギン−クオ・ロ ード，セクション ３，ナンバー 67，12 Ｆ−１ (72)発明者 ファン−フェイ リウ 台湾，シン−チュ・カウンティ，チウン− リン・カントリー，ウェン−サン・ロー ド，ナンバー 363 Ｆターム(参考） 5F004 AA14 DA00 DA01 DA24 DA25 EA13 EB01 FA08 5F033 KK19 QQ07 QQ09 QQ11 QQ15 QQ24 QQ92 QQ96 RR03 SS04 XX09 5F043 AA02 CC16 GG02
Claims (13)
- 【請求項１】 タングステン金属層と該タングステン金
属層表面に形成される酸化層と該酸化層表面に形成され
るフォトレジスト層とを備えると共に、前記フォトレジ
スト層と前記酸化層を貫通し前記タングステン金属層表
面の所定のエリアを露出させるコンタクトホールを有す
るウェハーの洗浄方法において、 （ａ）前記フォトレジスト層を除去するためのフォトレ
ジスト除去段階と、 （ｂ）CF4及びN2H2を反応ガスとしドライ洗浄を施すド
ライ洗浄段階と、 （ｃ）水洗浄段階とからなることを特徴とするコンタク
トホールエッチングの後洗浄法。 - 【請求項２】 前記ドライ洗浄段階に用いられるCF4ガ
スの流量は40−200sccmであることを特徴とする請求項
１に記載のコンタクトホールエッチングの後洗浄法。 - 【請求項３】 前記ドライ洗浄段階に用いられるN2H2ガ
スの流量は100−500sccmであることを特徴とする請求項
１に記載のコンタクトホールエッチングの後洗浄法。 - 【請求項４】 前記ドライ洗浄段階に用いられるCF4ガ
スと反応ガス全体との比は1/2−1/6であることを特徴と
する請求項１または２に記載のコンタクトホールエッチ
ングの後洗浄法。 - 【請求項５】 前記ドライ洗浄段階に用いられる反応ガ
スには更に不活性ガスが含まれることを特徴とする請求
項１乃至４のいずれかに記載のコンタクトホールエッチ
ングの後洗浄法。 - 【請求項６】 前記ドライ洗浄段階において二種の電力
を用いることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに
記載のコンタクトホールエッチングの後洗浄法。 - 【請求項７】 前記ドライ洗浄段階において同時にRF電
力とマイクロ波電力を用いることを特徴とする請求項６
に記載のコンタクトホールエッチングの後洗浄法。 - 【請求項８】 RF電力は80−120ワットであることを特
徴とする請求項７に記載のコンタクトホールエッチング
の後洗浄法。 - 【請求項９】 マイクロ波電力は700−900ワットである
ことを特徴とする請求項７または８に記載のコンタクト
ホールエッチングの後洗浄法。 - 【請求項１０】 前記水洗浄段階は前記ウェハーを純水
の中に浸すことで行うことを特徴とする請求項１乃至９
のいずれかに記載のコンタクトホールエッチングの後洗
浄法。 - 【請求項１１】 前記酸化層の形成に際して反応ガスは
TEOSとすることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれ
かに記載のコンタクトホールエッチングの後洗浄法。 - 【請求項１２】 前記レジスト除去段階はドライエッチ
ングを施す段階であることを特徴とする請求項１乃至１
１のいずれかに記載のコンタクトホールエッチングの後
洗浄法。 - 【請求項１３】 前記レジスト除去段階とドライ洗浄段
階は同様な環境において行われることを特徴とする請求
項１乃至１２のいずれかに記載のコンタクトホールエッ
チングの後洗浄法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001032724A JP2002246366A (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | コンタクトホールエッチングの後洗浄法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001032724A JP2002246366A (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | コンタクトホールエッチングの後洗浄法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246366A true JP2002246366A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18896607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001032724A Pending JP2002246366A (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | コンタクトホールエッチングの後洗浄法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002246366A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100432894B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2004-05-22 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
| WO2009008958A3 (en) * | 2007-07-11 | 2009-04-16 | Lam Res Corp | Method of post etch polymer residue removal |
| CN112320753A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-02-05 | 武汉高芯科技有限公司 | 一种mems晶圆清洗方法 |
-
2001
- 2001-02-08 JP JP2001032724A patent/JP2002246366A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100432894B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2004-05-22 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
| WO2009008958A3 (en) * | 2007-07-11 | 2009-04-16 | Lam Res Corp | Method of post etch polymer residue removal |
| CN112320753A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-02-05 | 武汉高芯科技有限公司 | 一种mems晶圆清洗方法 |
| CN112320753B (zh) * | 2020-10-29 | 2024-04-26 | 武汉高芯科技有限公司 | 一种mems晶圆清洗方法 |
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