JP2002303677A - Ｘ線スペクトル測定用治具 - Google Patents
Ｘ線スペクトル測定用治具Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低エネルギーのＸ線に対しても効率よく散乱
Ｘ線のスペクトルを測定することができる治具及び散乱
体を提供する。 【解決手段】 Ｘ線スペクトルを測定するための治具２
０ａ，ｂであって、カーボンからなる散乱体２１ａ、ｂ
と、前記散乱体２１ａ，ｂを支持する支持部材２２ｃ、
ｄ等からなり、前記散乱体２１ａ、ｂは、円筒体をその
軸に対して４５度の角度でカットして得られる形状又は
円錐形状である。
Ｘ線のスペクトルを測定することができる治具及び散乱
体を提供する。 【解決手段】 Ｘ線スペクトルを測定するための治具２
０ａ，ｂであって、カーボンからなる散乱体２１ａ、ｂ
と、前記散乱体２１ａ，ｂを支持する支持部材２２ｃ、
ｄ等からなり、前記散乱体２１ａ、ｂは、円筒体をその
軸に対して４５度の角度でカットして得られる形状又は
円錐形状である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線スペクトル測
定用治具に関し、特にＸ線用の散乱体に関する。
定用治具に関し、特にＸ線用の散乱体に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＴ装置に代表される診断用Ｘ線装置か
ら放射されるＸ線（一次Ｘ線）のスペクトル（エネルギ
ーｖｓ強度の分布）を正確に測定しておくことは、患者
の被爆線量や画像の画質への影響を把握するうえで極め
て重要なことである。
ら放射されるＸ線（一次Ｘ線）のスペクトル（エネルギ
ーｖｓ強度の分布）を正確に測定しておくことは、患者
の被爆線量や画像の画質への影響を把握するうえで極め
て重要なことである。
【０００３】ところが、Ｘ線装置から放射される一次Ｘ
線は、その撮影条件（例えば、管電流が５０〜３００ｍ
Ａ）から線量率が非常に大きくなるために、一次Ｘ線を
直接検出器に当てて測定する直接測定は、検出器がパイ
ルアップ（いわゆる窒息状態）を起こし、スペクトルの
測定が不可能となってしまう。
線は、その撮影条件（例えば、管電流が５０〜３００ｍ
Ａ）から線量率が非常に大きくなるために、一次Ｘ線を
直接検出器に当てて測定する直接測定は、検出器がパイ
ルアップ（いわゆる窒息状態）を起こし、スペクトルの
測定が不可能となってしまう。
【０００４】そこで、１９８７年に、MatschekoとRibbe
rforsによって、強度（線量率）の大きい一次Ｘ線をカ
ーボンの散乱体に当てることで減弱させ、間接的に測定
を行う方法が提案された。具体的には、散乱体である円
筒形のカーボン散乱体にＣＴ装置から放射される一次Ｘ
線を当て、９０度方向に散乱したＸ線（散乱Ｘ線）だけ
を検出するというものである。
rforsによって、強度（線量率）の大きい一次Ｘ線をカ
ーボンの散乱体に当てることで減弱させ、間接的に測定
を行う方法が提案された。具体的には、散乱体である円
筒形のカーボン散乱体にＣＴ装置から放射される一次Ｘ
線を当て、９０度方向に散乱したＸ線（散乱Ｘ線）だけ
を検出するというものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、乳房
（マンモ）撮影用Ｘ線装置等の軟Ｘ線を発生するＸ線装
置から放射されるＸ線は、そのエネルギーが低いため
に、カーボン散乱体自身（内部）で大きく減弱された
り、散乱後に通過する空気中において減弱されてしま
う。そのために、検出器で計測される計数値が極めて低
い値となり、信頼性のあるスペクトル測定が困難となっ
てしまう。
（マンモ）撮影用Ｘ線装置等の軟Ｘ線を発生するＸ線装
置から放射されるＸ線は、そのエネルギーが低いため
に、カーボン散乱体自身（内部）で大きく減弱された
り、散乱後に通過する空気中において減弱されてしま
う。そのために、検出器で計測される計数値が極めて低
い値となり、信頼性のあるスペクトル測定が困難となっ
てしまう。
【０００６】また、ＣＴ装置からのＸ線についても、そ
のスペクトル中のエネルギー領域の低い成分についても
同様の減弱が生じ、正確なスペクトル測定が困難とな
る。
のスペクトル中のエネルギー領域の低い成分についても
同様の減弱が生じ、正確なスペクトル測定が困難とな
る。
【０００７】そこで、本発明は、このような状況に鑑み
てなされたものであり、低エネルギーのＸ線に対しても
効率よく散乱Ｘ線のスペクトルを測定することができる
治具及び散乱体を提供することを目的とする。
てなされたものであり、低エネルギーのＸ線に対しても
効率よく散乱Ｘ線のスペクトルを測定することができる
治具及び散乱体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るＸ線スペクトル測定用治具は、Ｘ線ス
ペクトルを測定するための治具であって、カーボンから
なる散乱体と、前記散乱体を支持する支持部材とからな
り、前記散乱体は、円筒体をその軸に対して４５度の角
度でカットして得られる形状であることを特徴とする。
に、本発明に係るＸ線スペクトル測定用治具は、Ｘ線ス
ペクトルを測定するための治具であって、カーボンから
なる散乱体と、前記散乱体を支持する支持部材とからな
り、前記散乱体は、円筒体をその軸に対して４５度の角
度でカットして得られる形状であることを特徴とする。
【０００９】また、前記散乱体は、前記斜めカット円筒
体に代えて、円錐形状とすることもできる。
体に代えて、円錐形状とすることもできる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて詳細に説明する。
て図面を用いて詳細に説明する。
【００１１】図１は、本実施の形態における一次Ｘ線ス
ペクトル測定システム１００の外観図である。この一次
Ｘ線スペクトル測定システム１００は、Ｘ線発生装置か
らの一次Ｘ線をカーボン散乱体で９０度散乱されたＸ線
を半導体検出器で検出し、波高分析することによってス
ペクトルを得た後に、計算処理によって、検出器の特定
及び９０度散乱の効果を補正（逆算）し、これによって
一次Ｘ線のスペクトルを算出する測定システムであり、
Ｘ線装置１０、測定治具２０、コリメータ３０、検出器
アセンブリ４０、アンプ５０及びデータ処理装置６０か
ら構成される。
ペクトル測定システム１００の外観図である。この一次
Ｘ線スペクトル測定システム１００は、Ｘ線発生装置か
らの一次Ｘ線をカーボン散乱体で９０度散乱されたＸ線
を半導体検出器で検出し、波高分析することによってス
ペクトルを得た後に、計算処理によって、検出器の特定
及び９０度散乱の効果を補正（逆算）し、これによって
一次Ｘ線のスペクトルを算出する測定システムであり、
Ｘ線装置１０、測定治具２０、コリメータ３０、検出器
アセンブリ４０、アンプ５０及びデータ処理装置６０か
ら構成される。
【００１２】Ｘ線装置１０は、例えば、島津製ＵＤ１５
０Ｌ−５（単相全波整流方式、Ｘ線管は島津製ＣＩＲＣ
ＬＥＸ１／２Ｕ１３ＣＮ−２５）である。
０Ｌ−５（単相全波整流方式、Ｘ線管は島津製ＣＩＲＣ
ＬＥＸ１／２Ｕ１３ＣＮ−２５）である。
【００１３】測定治具２０は、カーボン散乱体を保持し
ているアセンブリである。
ているアセンブリである。
【００１４】コリメータ３０は、測定治具２０のカーボ
ン散乱体で散乱されたＸ線のうち、９０度方向の散乱Ｘ
線だけを通過させるためのコリメータであり、例えば、
厚さ２ｍｍ、径０．４ｍｍφ×２のタングステンからな
る。
ン散乱体で散乱されたＸ線のうち、９０度方向の散乱Ｘ
線だけを通過させるためのコリメータであり、例えば、
厚さ２ｍｍ、径０．４ｍｍφ×２のタングステンからな
る。
【００１５】検出器アセンブリ４０は、ＣｄＺｎＴｅ半
導体検出器とプリアンプとからなり、その検出器は、例
えば、Ａｍｐｔｅｋ社製ＸＲ−１００Ｔ（断面積３ｍｍ
×３ｍｍ、厚さ２ｍｍの直方体）である。
導体検出器とプリアンプとからなり、その検出器は、例
えば、Ａｍｐｔｅｋ社製ＸＲ−１００Ｔ（断面積３ｍｍ
×３ｍｍ、厚さ２ｍｍの直方体）である。
【００１６】アンプ５０は、検出器アセンブリ４０から
のパルス信号を増幅するメインアンプである。
のパルス信号を増幅するメインアンプである。
【００１７】データ処理装置６０は、東洋メディック製
Ｒａｍｔｅｃ４１３Ｘ線スペクトルアナライザであり、
アンプ５０からのパルス信号をＡ／Ｄ変換し、波高ごと
の計数値を記憶することによってスペクトルを測定す
る。
Ｒａｍｔｅｃ４１３Ｘ線スペクトルアナライザであり、
アンプ５０からのパルス信号をＡ／Ｄ変換し、波高ごと
の計数値を記憶することによってスペクトルを測定す
る。
【００１８】図２は、図１における測定治具２０、コリ
メータ３０及び検出器アセンブリ４０の外観図である。
メータ３０及び検出器アセンブリ４０の外観図である。
【００１９】測定治具２０は、一端が開放された筒体で
あり、その開放端をコリメータ３０に被せるように差し
込むことによって固定することができ、一端が斜めにカ
ットされた円筒状のカーボン散乱体２１、その散乱体２
１を接着保持しているプレート２２ａ及びそのプレート
２２ａと接着された円筒支持部２２ｂから構成される。
あり、その開放端をコリメータ３０に被せるように差し
込むことによって固定することができ、一端が斜めにカ
ットされた円筒状のカーボン散乱体２１、その散乱体２
１を接着保持しているプレート２２ａ及びそのプレート
２２ａと接着された円筒支持部２２ｂから構成される。
【００２０】なお、プレート２２ａは、例えば、発砲ス
チロールが円盤状にカットされたものである。また、円
筒支持部２２ｂは、例えば、厚さ５ｍｍの透明のポリカ
ードネイトからなる筒体である。
チロールが円盤状にカットされたものである。また、円
筒支持部２２ｂは、例えば、厚さ５ｍｍの透明のポリカ
ードネイトからなる筒体である。
【００２１】この測定治具２０をコリメータ３０に被せ
て差し込む際には、Ｘ線装置１０からの一次Ｘ線が散乱
体２１の斜面に対して４５度の角度で入射するように、
その測定治具２０を回転させながら位置（回転方向の位
置）を合わせる。
て差し込む際には、Ｘ線装置１０からの一次Ｘ線が散乱
体２１の斜面に対して４５度の角度で入射するように、
その測定治具２０を回転させながら位置（回転方向の位
置）を合わせる。
【００２２】図３は、図１に示された一次Ｘ線スペクト
ル測定システム１００における各装置１０〜４０の位置
や寸法を示す図である。
ル測定システム１００における各装置１０〜４０の位置
や寸法を示す図である。
【００２３】図４は、本一次Ｘ線スペクトル測定システ
ム１００に用いられる測定治具の例（ここでは、２種類
の測定治具２０ａ，ｂ）を示す外観図である。
ム１００に用いられる測定治具の例（ここでは、２種類
の測定治具２０ａ，ｂ）を示す外観図である。
【００２４】図３（ａ）に示される測定治具２０ａは、
一次Ｘ線が一定方向から放射される場合に用いる治具で
あり、例えば、一般撮影や乳房（マンモ）撮影用のＸ線
装置からのＸ線のスペクトルを測定するのに用いられ
る。ここで用いられているカーボン散乱体２１ａは、円
筒体がその軸に対して４５度の角度でカットされた形状
をしている。また、円筒支持部２２ｃは、散乱体２１ａ
の斜面に入射するＸ線を遮らないように、その方向に窓
が設けられている。これらの具体的な寸法例は、図５に
示される通りである。
一次Ｘ線が一定方向から放射される場合に用いる治具で
あり、例えば、一般撮影や乳房（マンモ）撮影用のＸ線
装置からのＸ線のスペクトルを測定するのに用いられ
る。ここで用いられているカーボン散乱体２１ａは、円
筒体がその軸に対して４５度の角度でカットされた形状
をしている。また、円筒支持部２２ｃは、散乱体２１ａ
の斜面に入射するＸ線を遮らないように、その方向に窓
が設けられている。これらの具体的な寸法例は、図５に
示される通りである。
【００２５】図３（ｂ）に示される測定治具２０ｂは、
一次Ｘ線が３６０度の方向から放射される場合に用いる
治具であり、ＣＴ装置からのＸ線のスペクトルを測定す
るのに用いられる。ここで用いられているカーボン散乱
体２１ｂは、４５度に傾斜した側面を持つ円錐形状をし
ている。また、円筒支持部２２ｄは、散乱体２１ｂの側
面に対して３６０度の方向から入射するＸ線をできるだ
け遮らないように、３つの大きな窓が設けられている。
これらの具体的な寸法例は、図６に示される通りであ
る。
一次Ｘ線が３６０度の方向から放射される場合に用いる
治具であり、ＣＴ装置からのＸ線のスペクトルを測定す
るのに用いられる。ここで用いられているカーボン散乱
体２１ｂは、４５度に傾斜した側面を持つ円錐形状をし
ている。また、円筒支持部２２ｄは、散乱体２１ｂの側
面に対して３６０度の方向から入射するＸ線をできるだ
け遮らないように、３つの大きな窓が設けられている。
これらの具体的な寸法例は、図６に示される通りであ
る。
【００２６】図７は、測定治具２０に用いられる散乱体
２１の例を示す外観図である。図７（ａ）に示された散
乱体２１ａは、斜めにカットされた円筒形状のカーボン
散乱体であり、一般撮影及びマンモ撮影用測定治具２０
ａに用いられ、図７（ｂ）に示された散乱体２１ｂは、
円錐形状のカーボン散乱体であり、ＣＴ用測定治具２０
ｂに用いられ、図７（ｃ）に示された散乱体２１ｃは、
従来から使用されている一般的なカーボン散乱体であ
る。
２１の例を示す外観図である。図７（ａ）に示された散
乱体２１ａは、斜めにカットされた円筒形状のカーボン
散乱体であり、一般撮影及びマンモ撮影用測定治具２０
ａに用いられ、図７（ｂ）に示された散乱体２１ｂは、
円錐形状のカーボン散乱体であり、ＣＴ用測定治具２０
ｂに用いられ、図７（ｃ）に示された散乱体２１ｃは、
従来から使用されている一般的なカーボン散乱体であ
る。
【００２７】次に以上のように構成された本一次Ｘ線ス
ペクトル測定システム１００による具体的な実験例を示
す。
ペクトル測定システム１００による具体的な実験例を示
す。
【００２８】図８は、Ｘ線装置１０による撮影条件（Ｘ
線の発生条件）を示す。
線の発生条件）を示す。
【００２９】図９は、検出器アセンブリ４０内に収めら
れているＣｄＺｎＴｅ半導体検出器４１の構造と検出原
理を示す図である。
れているＣｄＺｎＴｅ半導体検出器４１の構造と検出原
理を示す図である。
【００３０】図１０は、ＣｄＺｎＴｅ半導体検出器４１
の検出特性、即ち、検出効率（図１０（ａ））及び応答
関数（図１０（ｂ））を示すグラフである。
の検出特性、即ち、検出効率（図１０（ａ））及び応答
関数（図１０（ｂ））を示すグラフである。
【００３１】図１１は、ＣｄＺｎＴｅ半導体検出器４１
の検出特性（検出効率及び応答関数）の補正式を示す図
である。
の検出特性（検出効率及び応答関数）の補正式を示す図
である。
【００３２】図１２は、Ａｍ２４１の線源を用いてえら
れた測定スペクトルと（図１２（ａ））、検出特性の補
正後のスペクトル（図１２（ｂ））を示す。
れた測定スペクトルと（図１２（ａ））、検出特性の補
正後のスペクトル（図１２（ｂ））を示す。
【００３３】図１３は、Ｘ線装置１０の管電圧１００ｋ
Ｖで管電流５０ｍＡにおける測定スペクトルと検出特性
による補正後のスペクトルを示す。
Ｖで管電流５０ｍＡにおける測定スペクトルと検出特性
による補正後のスペクトルを示す。
【００３４】図１４は、散乱体２１による９０度散乱の
補正式を説明する図（１／２）である。
補正式を説明する図（１／２）である。
【００３５】図１５は、散乱体２１による９０度散乱の
補正式を説明する図（２／２）である。
補正式を説明する図（２／２）である。
【００３６】図１６は、Ｘ線装置１０の管電圧１００ｋ
Ｖで管電流５０ｍＡにおける測定スペクトルと９０度散
乱の補正後のスペクトルを示す。
Ｖで管電流５０ｍＡにおける測定スペクトルと９０度散
乱の補正後のスペクトルを示す。
【００３７】図１７は、Ｘ線装置１０の管電圧１００ｋ
Ｖで３種類の管電流に対して得られた一次Ｘ線スペクト
ルを示す。
Ｖで３種類の管電流に対して得られた一次Ｘ線スペクト
ルを示す。
【００３８】図１８は、Ｘ線装置１０の管電圧１２０ｋ
Ｖで４種類の管電流に対して得られた一次Ｘ線スペクト
ルを示す。
Ｖで４種類の管電流に対して得られた一次Ｘ線スペクト
ルを示す。
【００３９】図１９は、Ｘ線装置１０の管電圧１３０ｋ
Ｖで３種類の管電流に対して得られた一次Ｘ線スペクト
ルを示す。
Ｖで３種類の管電流に対して得られた一次Ｘ線スペクト
ルを示す。
【００４０】図２０は、直接測定（direct）と３種類の
散乱体２１（円筒、円錐、斜めカット円筒）を用いて得
られた４種類の一次Ｘ線スペクトルを示す。
散乱体２１（円筒、円錐、斜めカット円筒）を用いて得
られた４種類の一次Ｘ線スペクトルを示す。
【００４１】図２１は、ＣｄＺｎＴｅ半導体検出器４１
を用いた場合と高純度Ｇｅ半導体検出器を用いた場合そ
れぞれの一次Ｘ線スペクトルを示す。
を用いた場合と高純度Ｇｅ半導体検出器を用いた場合そ
れぞれの一次Ｘ線スペクトルを示す。
【００４２】これらの実験データから分かるように、診
断用Ｘ線装置の一次Ｘ線スペクトルを、カーボン散乱体
で９０度散乱させた散乱Ｘ線スペクトルから逆算して求
めることができた。また、逆算して求めた一次Ｘ線スペ
クトルと直接測定したスペクトルがだいたい一致してお
り、実用上問題ないことが確かめられた。
断用Ｘ線装置の一次Ｘ線スペクトルを、カーボン散乱体
で９０度散乱させた散乱Ｘ線スペクトルから逆算して求
めることができた。また、逆算して求めた一次Ｘ線スペ
クトルと直接測定したスペクトルがだいたい一致してお
り、実用上問題ないことが確かめられた。
【００４３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係るＸ線スペクトル測定用治具は、Ｘ線スペクトルを
測定するための治具であって、カーボンからなる散乱体
と、前記散乱体を支持する支持部材とからなり、前記散
乱体は、円筒体をその軸に対して４５度の角度でカット
して得られる形状であることを特徴とする。
に係るＸ線スペクトル測定用治具は、Ｘ線スペクトルを
測定するための治具であって、カーボンからなる散乱体
と、前記散乱体を支持する支持部材とからなり、前記散
乱体は、円筒体をその軸に対して４５度の角度でカット
して得られる形状であることを特徴とする。
【００４４】これによって、円筒体のカーボン散乱体と
異なり、カーボン散乱体自身（内部）でＸ線が減弱され
てしまうことが回避され、低エネルギー領域のＸ線に対
しても高い精度でスペクトル測定が可能となる。
異なり、カーボン散乱体自身（内部）でＸ線が減弱され
てしまうことが回避され、低エネルギー領域のＸ線に対
しても高い精度でスペクトル測定が可能となる。
【００４５】また、前記散乱体は、前記斜めカット円筒
体に代えて、円錐形状とすることもできる。これによっ
て、ＣＴ装置のように、３６０度の方向からＸ線が入射
される場合であっても、上記斜めカット円筒体と同様の
効果が得られ、ＣＴ装置に対する正確な一次Ｘ線スペク
トルの測定が可能となる。
体に代えて、円錐形状とすることもできる。これによっ
て、ＣＴ装置のように、３６０度の方向からＸ線が入射
される場合であっても、上記斜めカット円筒体と同様の
効果が得られ、ＣＴ装置に対する正確な一次Ｘ線スペク
トルの測定が可能となる。
【図１】本発明に係る一次Ｘ線スペクトル測定システム
１００の外観図である。
１００の外観図である。
【図２】測定治具２０、コリメータ３０及び検出器アセ
ンブリ４０の外観図である。
ンブリ４０の外観図である。
【図３】図１に示された一次Ｘ線スペクトル測定システ
ム１００における各装置１０〜４０の位置や寸法を示す
図である。
ム１００における各装置１０〜４０の位置や寸法を示す
図である。
【図４】一次Ｘ線スペクトル測定システム１００に用い
られる測定治具の例（ここでは、２種類の測定治具２０
ａ，ｂ）を示す外観図である。
られる測定治具の例（ここでは、２種類の測定治具２０
ａ，ｂ）を示す外観図である。
【図５】図３（ａ）に示された測定治具２０ａの具体的
な寸法例を示す。
な寸法例を示す。
【図６】図３（ｂ）に示された測定治具２０ｂの具体的
な寸法例を示す。
な寸法例を示す。
【図７】測定治具２０に用いられる散乱体２１の例を示
す外観図である。
す外観図である。
【図８】実験例におけるＸ線装置１０による撮影条件
（Ｘ線の発生条件）を示す。
（Ｘ線の発生条件）を示す。
【図９】検出器アセンブリ４０内に収められているＣｄ
ＺｎＴｅ半導体検出器４１の構造と検出原理を示す図で
ある。
ＺｎＴｅ半導体検出器４１の構造と検出原理を示す図で
ある。
【図１０】ＣｄＺｎＴｅ半導体検出器４１の検出特性、
即ち、検出効率（図１０（ａ））及び応答関数（図１０
（ｂ））を示すグラフである。
即ち、検出効率（図１０（ａ））及び応答関数（図１０
（ｂ））を示すグラフである。
【図１１】ＣｄＺｎＴｅ半導体検出器４１の検出特性
（検出効率及び応答関数）の補正式を示す図である。
（検出効率及び応答関数）の補正式を示す図である。
【図１２】Ａｍ２４１の線源を用いてえられた測定スペ
クトルと（図１２（ａ））、検出特性の補正後のスペク
トル（図１２（ｂ））を示す。
クトルと（図１２（ａ））、検出特性の補正後のスペク
トル（図１２（ｂ））を示す。
【図１３】Ｘ線装置１０の管電圧１００ｋＶで管電流５
０ｍＡにおける測定スペクトルと検出特性による補正後
のスペクトルを示す。
０ｍＡにおける測定スペクトルと検出特性による補正後
のスペクトルを示す。
【図１４】散乱体２１による９０度散乱の補正式を説明
する図（１／２）である。
する図（１／２）である。
【図１５】散乱体２１による９０度散乱の補正式を説明
する図（２／２）である。
する図（２／２）である。
【図１６】Ｘ線装置１０の管電圧１００ｋＶで管電流５
０ｍＡにおける測定スペクトルと９０度散乱の補正後の
スペクトルを示す。
０ｍＡにおける測定スペクトルと９０度散乱の補正後の
スペクトルを示す。
【図１７】Ｘ線装置１０の管電圧１００ｋＶで３種類の
管電流に対して得られた一次Ｘ線スペクトルを示す。
管電流に対して得られた一次Ｘ線スペクトルを示す。
【図１８】Ｘ線装置１０の管電圧１２０ｋＶで４種類の
管電流に対して得られた一次Ｘ線スペクトルを示す。
管電流に対して得られた一次Ｘ線スペクトルを示す。
【図１９】Ｘ線装置１０の管電圧１３０ｋＶで３種類の
管電流に対して得られた一次Ｘ線スペクトルを示す。
管電流に対して得られた一次Ｘ線スペクトルを示す。
【図２０】直接測定（direct）と３種類の散乱体２１
（円筒、円錐、斜めカット円筒）を用いて得られた４種
類の一次Ｘ線スペクトルを示す。
（円筒、円錐、斜めカット円筒）を用いて得られた４種
類の一次Ｘ線スペクトルを示す。
【図２１】ＣｄＺｎＴｅ半導体検出器４１を用いた場合
と高純度Ｇｅ半導体検出器を用いた場合それぞれの一次
Ｘ線スペクトルを示す。
と高純度Ｇｅ半導体検出器を用いた場合それぞれの一次
Ｘ線スペクトルを示す。
１０ Ｘ線装置 ２０、２０ａ、２０ｂ 測定治具 ２１、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ カーボン散乱体 ２２ａ プレート ２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ 円筒支持部 ３０ コリメータ ４０ 検出器アセンブリ ４１ 半導体検出器 ４２ プリアンプ ５０ アンプ ６０ データ処理装置 １００ 一次Ｘ線スペクトル測定システム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G088 EE02 FF02 GG21 JJ40 4C093 CA50 DA06 EE30
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線スペクトルを測定するための治具で
あって、 カーボンからなる散乱体と、 前記散乱体を支持する支持部材とからなり、 前記散乱体は、円筒体をその軸に対して４５度の角度で
カットして得られる形状であることを特徴とするＸ線ス
ペクトル測定用治具。 - 【請求項２】 Ｘ線スペクトルを測定するための治具で
あって、 カーボンからなる散乱体と、 前記散乱体を支持する支持部材とからなり、 前記散乱体は、円錐形状であることを特徴とするＸ線ス
ペクトル測定用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001106542A JP2002303677A (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | Ｘ線スペクトル測定用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001106542A JP2002303677A (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | Ｘ線スペクトル測定用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002303677A true JP2002303677A (ja) | 2002-10-18 |
Family
ID=18959019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001106542A Pending JP2002303677A (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | Ｘ線スペクトル測定用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002303677A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004165017A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子およびその製造方法 |
| JP2011099695A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Ihi Corp | 高エネルギーｘ線の検出装置と検出方法 |
| JP2011099697A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Ihi Corp | 高エネルギーｘ線のエネルギー弁別検査装置と検出方法 |
-
2001
- 2001-04-04 JP JP2001106542A patent/JP2002303677A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004165017A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子およびその製造方法 |
| JP2011099695A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Ihi Corp | 高エネルギーｘ線の検出装置と検出方法 |
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