JP2002353473A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- 絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した後、レーザービーム加工により前記半導体層及び前記下部電極に開口部を形成し、
前記保護膜を除去することを特徴とする太陽電池の作製方法。 - 絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に、スクリーン印刷法により第１の開口部が設けられた保護膜を形成し、
前記第１の開口部に対応した部分にレーザービーム加工を行い、前記半導体層及び前記下部電極に第２の開口部を形成し、
前記保護膜を除去することを特徴とする太陽電池の作製方法。 - 絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した後、レーザービーム加工により前記半導体層及び前記下部電極に開口部を形成し、
前記保護膜を除去し、
前記保護膜を除去した後、前記半導体層上に上部電極を形成することを特徴とする太陽電池の作製方法。 - 絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に開口を有する保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した後、レーザービーム加工により前記半導体層及び前記下部電極に開口部を形成し、
前記保護膜を除去し、
前記保護膜を除去した後、前記開口部に絶縁体を形成し、
前記半導体層及び前記絶縁体上に上部電極を形成することを特徴とする太陽電池の作製方法。 - 絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した後、レーザービーム加工により前記半導体層及び前記下部電極を分断して、太陽電池の第１の単位セル及び前記第１の単位セルと隣接する第２の単位セルを形成し、
前記保護膜を除去し、
前記保護膜を除去した後に、前記第１の単位セル及び前記第２の単位セルの間に絶縁体を形成して分断部を埋め、
前記第１の単位セルの上部電極及び前記第２の単位セルの上部電極を形成し、
前記第１の単位セルの上部電極を、レーザーボンディングによって前記第２の単位セルの下部電極と接続することを特徴とする太陽電池の作製方法。 - 請求項５において、前記太陽電池の形状は、円形であることを特徴とする太陽電池の作製方法。
- 請求項１乃至６のいずれか一において、前記保護膜は、熱硬化性樹脂、または熱硬化性のポリエステル系樹脂であることを特徴とする太陽電池の作製方法。
- 請求項１乃至７のいずれか一において、粘着テープを前記保護膜に接着した後、前記粘着テープと共に前記保護膜を剥がすことを特徴とする太陽電池の作製方法。
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