JP2003003204A - ニオブ粉の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】単位質量あたりの容量が大きく、漏れ電流が小
さく、さらにバラツキの少ないコンデンサを提供しう
る、酸素含有量の少ないコンデンサ用ニオブ粉、それを
用いた焼結体およびその焼結体を用いたコンデンサの製
造方法を提供することにある。 【解決のための手段】分散媒存在下で水素化ニオブまた
は水素化ニオブ合金を−２００〜３０℃の温度範囲で粉
砕することにより、酸素含有量の少ないニオブ粉を得
る。このニオブ粉を用いて、コンデンサの陽極焼結体及
びコンデンサを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はコンデンサ用ニオブ
粉の製造方法に関し、ニオブ中の酸素含有量を少なくす
ることにより、単位質量当たりの容量が大きく、漏れ電
流特性の良好なコンデンサを得ることのできるコンデン
サ用ニオブ粉、それを用いた焼結体、およびその焼結体
を用いたコンデンサに関する。コンデンサ用ニオブと
は、ニオブを主成分とし、コンデンサを製造するための
素材となりうるものをいう。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話やパーソナルコンピューター等
の電子機器に使用されるコンデンサは、小型で大容量の
ものが望まれている。このようなコンデンサの中でもタ
ンタルコンデンサは大きさの割には容量が大きく、しか
も性能が良好なため好んで使用されている。このタンタ
ルコンデンサの陽極体としては、一般的にタンタル粉の
焼結体が使用されている。これらタンタルコンデンサの
容量を上げるためには、焼結体質量を増大させるか、ま
たはタンタル粉を微粉化して表面積を増加させた焼結体
を用いる必要がある。

【０００３】焼結体質量を増加させる方法では、コンデ
ンサの形状が必然的に増大して小型化の要求を満たさな
い。タンタル粉を微粉化して表面積を増大させる方法で
は、タンタル焼結体の細孔径が小さくなると共に、閉鎖
孔が多くなってしまうため、後工程における陰極剤の含
浸が困難になる。これらの欠点を解決する研究の１つと
して、タンタルより誘電率の大きい材料を用いた焼結体
のコンデンサが考えられる。これらの誘電率の大きい材
料としてニオブおよびニオブ合金がある。

【０００４】しかしながら、コンデンサ用ニオブ粉の製
造方法としては、特開昭５５−１５７２２６号公報に
は、凝集粉から粒径２μmあるいはそれ以下のニオブ粉
末を成型、焼結してコンデンサ用焼結素子の製造方法が
開示されているが、該広報にはコンデンサ特性について
の詳細は示されていない。

【０００５】また、米国特許４，０８４，９６５号公報
には、ニオブインゴットを水素化して粉砕して５．１μ
mのニオブ粉末を得、これを焼結して用いたコンデンサ
が開示されているが、開示されているコンデンサは漏れ
電流（以下ＬＣと略記することがある）が大きくて実用
性に乏しい。

【０００６】特開平１０−２４２００４号公報には、ニ
オブ粉の一部を窒化すること等によりＬＣ値を改善する
ことが開示されている。しかしながら、粒径の細かなニ
オブ粉を用いてニオブ焼結体から高容量なコンデンサを
作成した場合、ＬＣ値が特異的に大きなコンデンサが出
現する場合があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、コン
デンサ用ニオブ中の酸素量を少なくすることにより、単
位質量あたりの容量が大きく、漏れ電流が小さく、さら
にバラツキの少ないコンデンサを提供しうるコンデンサ
用ニオブ粉、それを用いた焼結体およびその焼結体を用
いたコンデンサの製造方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前述の課
題を鋭意検討した結果、ＬＣのばらつく原因がコンデン
サ用ニオブ粉のもつ酸素にあり、例えば、低温で水素化
ニオブまたは水素化ニオブ合金を粉砕することにより得
た、酸素含有量の低いコンデンサ用ニオブ粉を用いるこ
とにより、ＬＣ特性を改善できることを見出し本発明を
完成させた。即ち、本発明は以下から構成される。

【０００９】（１）分散媒存在下で水素化ニオブまたは
水素化ニオブ合金を粉砕する工程を含むコンデンサ用ニ
オブ粉の製造方法において、粉砕温度が、−２００〜３
０℃の温度範囲であることを特徴とするコンデンサ用ニ
オブ粉の製造方法。 （２）水素化ニオブ粉または水素化ニオブ合金粉を粉砕
後、１００〜１０００℃の温度で脱水素する工程を含む
前項１に記載のコンデンサ用ニオブ粉の製造方法。 （３）粉砕温度が、粉砕中に上昇しないことを特徴とす
る前項１または２に記載のコンデンサ用ニオブ粉の製造
方法。 （４）分散媒が、水、有機溶剤、液化気体からなる群よ
り選ばれた少なくとも１種である前項１乃至３のいずれ
か1項に記載のコンデンサ用ニオブ粉の製造方法。

【００１０】（５）前項１乃至４のいずれか1項に記載
の製造方法で得られたコンデンサ用ニオブ粉。 （６）コンデンサ用ニオブ粉の平均粒径が、０．０１〜
１０μｍである前項５に記載のコンデンサ用ニオブ粉。 （７）コンデンサ用ニオブ粉のＢＥＴ比表面積が、０．
５〜４０ｍ²／ｇである前項５または６に記載のコンデ
ンサ用ニオブ粉。 （８）コンデンサ用ニオブ粉の嵩密度が、０．５〜４ｇ
／ｍｌである前項５乃至７のいずれか１項に記載のコン
デンサ用ニオブ粉。 （９）コンデンサ用ニオブ粉の細孔径のピークが、０．
０１〜７μｍである前項５乃至８のいずれか１項に記載
のコンデンサ用ニオブ粉。 （１０）コンデンサ用ニオブ粉の酸素含有量が２．５質
量％以下である前項５乃至９のいずれか１項に記載のコ
ンデンサ用ニオブ粉。 （１１）コンデンサ用ニオブ粉が、さらにホウ素、窒
素、炭素および硫黄の元素からなる群より選ばれた少な
くとも１種の元素を含む前項５乃至１０のいずれか１項
に記載のコンデンサ用ニオブ粉。

【００１１】（１２）前項５乃至１１のいずれか１項に
記載のコンデンサ用ニオブ粉を造粒して得られる平均粒
径が１０〜５００μｍのコンデンサ用ニオブ造粒物。 （１３）コンデンサ用ニオブ造粒物のＢＥＴ比表面積
が、０．５〜４０ｍ²／ｇである前項１２に記載のコン
デンサ用ニオブ造粒物。 （１４）コンデンサ用ニオブ造粒物の細孔径のピークが
０．０１〜５００μmの範囲内にある前項１２または１
３に記載のコンデンサ用ニオブ造粒物。 （１５）コンデンサ用ニオブ造粒物の嵩密度が、０．０
５〜４ｇ／ｍｌである前項１２乃至１４のいずれか１項
に記載のコンデンサ用ニオブ造粒物。 （１６）コンデンサ用ニオブ造粒物の酸素濃度が、３質
量％以下である前項１２乃至１５のいずれか１項に記載
のコンデンサ用ニオブ造粒物。

【００１２】（１７）前項５乃至１１のいずれか１項に
記載のコンデンサ用ニオブ粉、及び／または前項１２乃
至１６のいずれか１項に記載のコンデンサ用ニオブ造粒
物を焼結して得られる焼結体。 （１８）前項１７に記載の焼結体を一方の電極とし、前
記焼結体表面上に形成された誘電体と、前記誘電体上に
設けられた他方の電極とから構成されたコンデンサ。 （１９）誘電体の主成分が酸化ニオブである前項１８に
記載のコンデンサ。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
る。

【００１４】ニオブインゴットを水素化し、適当な分散
媒の存在下、適当な粉砕機を用いて粉砕することは公知
の技術である（米国特許４，０８４，９６５号公報）。
しかしながら、これらの方法を用いてコンデンサ用のニ
オブ粉を製造した場合、ＬＣ値が高くまたバラツキが大
きく、コンデンサとしての信頼性がない。このことは、
分散媒に存在する酸素が、粉砕中の発熱により水素化ニ
オブと反応または吸着し、その後、焼結体を作製する際
に結晶化して酸化ニオブとなり、特にＬＣに悪い影響を
与えていると考えられる。したがって、水素化ニオブ粉
中の酸素量を低く抑えることが、ＬＣ特性を向上させる
ために重要である。水素化ニオブ粉中の酸素量を低く抑
えるためには、例えば、粉砕中の温度上昇を抑える方法
がある。これらのことは、水素化ニオブ合金粉について
も同様である。

【００１５】本発明では、適当な分散媒存在下−２００
〜３０℃の温度範囲で、例えば、水素化ニオブまたは水
素化ニオブ合金を粉砕することにより、酸素含有量が少
なく、ＬＣ特性の良好なコンデンサの得られる水素化ニ
オブ粉または水素化ニオブ合金粉を作製できる。上記温
度範囲の内、酸素含有量が少なく、ＬＣ値を良好にする
効果を有する温度範囲は低い程良いが、極低温での粉砕
は粉砕設備が過大となるためコスト高となる。したがっ
て、−４０〜１０℃が特に好ましい。粉砕中の温度を上
昇させないことは、粉砕物の酸素含有量の増加を防ぐた
めに好ましい。したがって、−２００〜３０℃の温度範
囲にて粉砕中の温度を一定に保つ、あるいは降下させる
ことがより好ましい。

【００１６】分散媒としては、例えば、水、有機溶媒、
または液化気体等が好適に使用でき、これらの分散媒を
使用する際には充分な脱気を行って用いることが好まし
い。有機溶媒としてはアルコール類、エーテル類、セル
ソルブ類、エステル類、脂肪族炭化水素類、またはハロ
ゲン化炭化水素類等が好適に使用できる。さらに、粉砕
温度にて固化しない分散媒が好ましい。液化気体として
は液体窒素、液体アルゴンが好ましい。

【００１７】本発明のコンデンサ用ニオブ粉の原料とし
ては、例えば、ニオブ及び／またはニオブ合金が挙げら
れる。 このニオブ合金のニオブ以外の合金成分として
は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セ
シウム、フランシウム、ベリリウム、マグネシウム、カ
ルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウム、スカ
ンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセ
オジウム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、ガ
ドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウ
ム、エルビウム、バナジウム、タンタル、クロム、モリ
ブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、ルテ
ニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウ
ム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛、
カドミウム、水銀、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、
インジウム、タリウム、炭素、珪素、ゲルマニウム、ス
ズ、鉛、リン、砒素、アンチモン、ビスマス、セレン、
テルル、ポロニウム、アスタチンからなる群より選ばれ
た少なくとも１種があげられる。

【００１８】粉砕機としては、例えば、粉砕媒体を用い
る粉砕機としてビーズミルが適当である。粉砕媒体の材
質としては、例えば、ステンレス、ジルコニア、ニオ
ブ、ＺＴＡ（アルミナ強化ジルコニア）、アルミナ等で
あり、特にジルコニア、ニオブが好ましい。

【００１９】得られた水素化ニオブ粉または水素化ニオ
ブ合金粉は、前記粉砕物を、公知の乾燥方法を用いて乾
燥することにより粉体として得ることができる。このよ
うにして得た粉体は、通常、平均粒径が０．０１〜１０
μmであり、ＢＥＴ比表面積が０．５〜４０ｍ²／ｇ、嵩
密度が０．５〜４ｇ／ｍｌ、細孔径のピークが０．０１
〜７μmの範囲にある。

【００２０】このようにして得た本発明の水素化ニオブ
粉または水素化ニオブ合金粉の酸素量は、通常５０００
０ｐｐｍ以下であるが、ＬＣ特性をさらに向上させるた
めには、２０００〜２５０００ｐｐｍの範囲にすること
が望ましい。本発明で用いる酸素量は、（株）堀場製作
所製のＥＧＭＡ−６２０Ｗを用いて測定した値であり、
スラリーを直接測定した場合は、スラリー濃度から乾燥
粉に換算した値を示す。

【００２１】本発明の水素化ニオブ粉または水素化合金
粉は、そのまま焼結して焼結体を作製してもよいし、１
００〜１０００℃の温度で脱水素を行い、ニオブ粉また
はニオブ合金粉として使用してもよい。さらに、これら
の水素化ニオブ粉、水素化合金粉、ニオブ粉またはニオ
ブ合金粉の漏れ電流値を改善するために、これらのニオ
ブ粉の一部を窒化、ホウ化、炭化、および硫化による処
理をしてもよい。窒化、ホウ化、炭化、硫化による処理
を行って得られた、窒化物、ホウ化物、炭化物、硫化
物、はいずれを含有しても良く、また、これらの２種、
３種、４種の組み合わせであってもよい。その結合量、
即ち、窒素、ホウ素、炭素、硫黄の含有量の総和は、各
粉体の粒径、形状、他方の合金成分、他方の合金成分の
存在量によって変わるが、平均粒径０．０１μｍ〜１０
μｍ程度の粉で０ｐｐｍより多く２００，０００ｐｐｍ
以下である。２００，０００ｐｐｍを越えると容量特性
が悪化し、コンデンサとして適さない。ＬＣと容量の最
適化から、５０ｐｐｍ〜１０，０００ｐｐｍが好まし
く、２００ｐｐｍ〜２０，０００ｐｐｍが特に好まし
い。

【００２２】本発明のコンデンサ用水素化ニオブ粉、水
素化合金粉、ニオブ粉またはニオブ合金粉を適当な形状
に造粒した後、使用してもよいし、造粒後に未造粒のニ
オブ粉を適量混合して使用してもよい。

【００２３】造粒の方法として、例えば、未造粒の一部
窒化処理したニオブ粉を高減圧下に放置し適当な温度に
加熱した後解砕する方法、樟脳、ポリアクリル酸、ポリ
メチルアクリル酸エステル、ポリビニルアルコールなど
の適当なバインダーとアセトン、アルコール類、酢酸エ
ステル類、水などの溶媒と未造粒、あるいは造粒した一
部窒化処理されたニオブ粉を混合した後、解砕する方法
等があげられる。この方法は、水素化ニオブ粉、ニオブ
粉、水素化ニオブ合金粉、ニオブ合金粉でも好適に使用
できる。

【００２４】このようにして造粒したニオブ造粒物やニ
オブ合金造粒物は、焼結体を製造する際の加圧成形性を
向上させる。この場合、造粒粉の平均粒径は、１０μｍ
〜５００μｍが好ましい。造粒粉の平均粒径が１０μｍ
以下では部分的にブロッキングを起こし、金型への流動
性が悪くなる。５００μｍ以上では加圧成型後の成形体
が欠けやすい。さらに、加圧成型体を焼結した後、コン
デンサを製造する際の陰極剤の含浸がし易いことから、
造粒物の平均粒径は、３０μｍ〜２５０μｍが特に好ま
しい。通常、このようにして得られる造粒物のＢＥＴ比
表面積は０．５〜４０ｍ²／ｇであり、嵩密度は０．５
〜４ｇ／ｍｌ、細孔径のピークは０．０１〜５００μ
ｍ、含有酸素量は５質量％以下である。

【００２５】本発明のコンデンサ用ニオブ焼結体あるい
はニオブ合金焼結体は、前述の紛体あるいは前述の造粒
物を焼結して製造する。焼結体の製造方法は特に限定さ
れるものではないが、たとえば、ニオブまたはタンタル
などの弁作用金属からなる、適当な形状及び長さを有す
るリードワイヤーを用意し、これを前述した粉または前
述の造粒粉の加圧成型時にリードワイヤーの一部が成形
体の内部に挿入させるように一体成形して、リードワイ
ヤーを前記焼結体の引き出しリードとなるように組み立
て設計する。前述の粉または前述の造粒物を所定の形状
に加圧成型した後に１０^-5〜１０²Ｐａで１分〜１０時
間、５００℃〜２０００℃、好ましくは９００℃〜１５
００℃、さらに好ましくは９００℃〜１３００℃の範囲
で加熱することにより、コンデンサ用ニオブ焼結体ある
いはニオブ合金焼結体が得られる。

【００２６】前述した焼結体を一方の電極とし、他方の
電極の間に介在した誘電体とからコンデンサを製造する
ことができる。ここでコンデンサの誘電体として、酸化
ニオブを主体とする誘電体が好ましく挙げられる。酸化
ニオブを主体とする誘電体は、例えば、一方の電極であ
るニオブ焼結体を電解液中で化成することによって得ら
れる。ニオブ電極を電解液中で化成するには、通常プロ
トン酸水溶液、たとえば、０．１質量％リン酸水溶液、
硫酸水溶液または１質量％の酢酸水溶液、アジピン酸水
溶液等を用いて行われる。ニオブ電極を電解液中で化成
して酸化ニオブ誘電体を得る場合、本発明のコンデンサ
は、電解コンデンサとなりニオブ電極が陽極となる。

【００２７】本発明のコンデンサにおいて、ニオブ焼結
体の他方の電極（対極）は格別限定されるものではな
く、たとえば、アルミ電解コンデンサ業界で公知である
電解液、有機半導体及び無機半導体から選ばれた少なく
とも１種の材料（化合物）が使用できる。

【００２８】電解液の具体例としては、イソブチルトリ
プロピルアンモニウムボロテトラフルオライド電解質を
５質量％溶解したジメチルホルムアミドとエチレングリ
コールの混合溶液、テトラエチルアンモニウムボロテト
ラフルオライドを７質量％溶解したプロピレンカーボネ
ートとエチレングリコールの混合溶液などが挙げられ
る。

【００２９】有機半導体の具体例としては、ベンゾピロ
リン４量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチ
オテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノ
キノジメタンを主成分とする有機半導体、あるいは下記
一般式（１）または一般式（２）で表される繰り返し単
位を含む導電性高分子が挙げられる。

【００３０】

【化１】

【００３１】式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立して水素原
子、炭素数１乃至１０の直鎖上もしくは分岐状の飽和も
しくは不飽和のアルキル基、アルコキシ基あるいはアル
キルエステル基、またはハロゲン原子、ニトロ基、シア
ノ基、１級、２級もしくは３級アミノ基、ＣＦ₃基、フ
ェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ばれた一
価基を表わす。Ｒ¹とＲ²及びＲ³とＲ⁴の炭化水素鎖は互
いに任意の位置で結合して、かかる基により置換を受け
ている炭素原子と共に少なくとも１つ以上の３〜７員環
の飽和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価
鎖を形成してもよい。前記環状結合鎖には、カルボニ
ル、エーテル、エステル、アミド、スルフィド、スルフ
ィニル、スルホニル、イミノの結合を任意の位置に含ん
でもよい。Ｘは酸素、硫黄または窒素原子を表し、Ｒ⁵
はＸが窒素原子の時のみ存在して、独立して水素または
炭素数１乃至１０の直鎖上もしくは分岐状の飽和もしく
は不飽和のアルキル基を表す。

【００３２】さらに、本発明においては前記一般式
（１）または一般式（２）のＲ¹〜Ｒ⁴は、好ましくは、
それぞれ独立して水素原子、炭素数１乃至６の直鎖上も
しくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基または
アルコキシ基を表し、Ｒ¹とＲ²及びＲ³とＲ⁴は互いに結
合して環状になっていてもよい。

【００３３】さらに、本発明においては、前記一般式
（１）で表される繰り返し単位を含む導電性高分子は、
好ましくは下記一般式（３）で示される構造単位を繰り
返し単位として含む導電性高分子が挙げられる。

【００３４】

【化２】

【００３５】式中、Ｒ⁶及びＲ⁷は、各々独立して水素原
子、炭素数１乃至６の直鎖状もしくは分岐状の飽和もし
くは不飽和のアルキル基、または該アルキル基が互いに
任意の位置で結合して、２つの酸素元素を含む少なくと
も１つ以上の５〜７員環の飽和炭化水素の環状構造を形
成する置換基を表わす。また、前記環状構造には置換さ
れていてもよいビニレン結合を有するもの、置換されて
いてもよいフェニレン構造のものが含まれる。

【００３６】このような化学構造を含む導電性高分子
は、荷電されており、ドーパントがドープされる。ドー
パントには公知のドーパントが制限なく使用できる。無
機半導体の具体例としては、二酸化鉛または二酸化マン
ガンを主成分とする無機半導体、四三酸化鉄からなる無
機半導体などが挙げられる。このような半導体は単独で
も、または二種以上組み合わせて使用してもよい。

【００３７】一般式（１）または一般式（２）で表され
る繰り返し単位を含む重合体としては、たとえば、ポリ
アニリン、ポリオキシフェニレン、ポリフェニレンサル
ファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロー
ル、ポリメチルピロール、及びこれらの置換誘導体や共
重合体などが挙げられる。中でもポリピロール、ポリチ
オフェン及びこれらの置換誘導体（例えばポリ（３，４
−エチレンジオキシチオフェン）等）が好ましい。

【００３８】上記有機半導体及び無機半導体として、電
導度１０^-2Ｓ／ｃｍ〜１０³Ｓ／ｃｍの範囲のものを使
用すると、作製したコンデンサのインピーダンス値がよ
り小さくなり高周波での容量を更に一層大きくすること
ができる。

【００３９】前記導電性高分子層を製造する方法として
は、例えばアニリン、チオフェン、フラン、ピロール、
メチルピロールまたはこれらの置換誘導体の重合性化合
物を、脱水素的２電子酸化の酸化反応を充分行わせ得る
酸化剤の作用で重合する方法が採用される。重合性化合
物（モノマー）からの重合反応は、例えばモノマーの気
相重合、溶液重合等があり、誘電体を有するニオブ焼結
体の表面に形成される。導電性高分子が溶液塗布可能な
有機溶媒可溶性のポリマーの場合には、表面に塗布して
形成する方法が採用される。

【００４０】溶液重合による好ましい製造方法の１つと
して、誘電体層を形成したニオブ焼結体を、酸化剤を含
む溶液（溶液１）に浸漬し、次いでモノマー及びドーパ
ントを含む溶液（溶液２）に浸漬して重合し、該表面に
導電性高分子層を形成得する方法が例示される。また、
前記焼結体を、溶液２に浸漬した後で溶液１に浸漬して
もよい。また、前記溶液２においては、ドーパントを含
まないモノマー溶液として前記方法に使用してもい。ま
た、ドーパントを使用する場合、酸化剤を含む溶液に共
存させて使用してもよい。このような重合工程操作を、
誘電体を有する前記ニオブ焼結体に対して１回以上、好
ましくは３〜２０回繰り返すことによって緻密で層状の
導電性高分子層を容易に形成することができる。

【００４１】本発明のコンデンサの製造方法において
は、酸化剤はコンデンサ性能に悪影響を及ぼすことな
く、その酸化剤の還元体がドーパントになって導電性高
分子の電動度を向上させ得る酸化剤であれば良く、工業
的に安価で製造上取り扱いの容易な化合物が好まれる。

【００４２】このような酸化剤としては、具体的には、
例えばＦｅＣｌ₃やＦｅＣｌＯ₄、Ｆｅ（有機酸アニオ
ン）塩等のＦｅ（III）系化合物類、または無水塩化ア
ルミニウム／塩化第一銅、アルカリ金属過硫酸塩類、過
硫酸アンモニウム塩類、過酸化物類、過マンガン酸カリ
ウム等のマンガン類、２，３−ジクロロ−５，６−ジシ
アノ−１，４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）、テトラクロロ
−１，４−ベンゾキノン、テトラシアノ−１，４−ベン
ゾキノン等のキノン類、よう素、臭素等のハロゲン類、
過酸、硫酸、発煙硫酸、三酸化硫黄、クロロ硫酸、フル
オロ硫酸、アミド硫酸等のスルホン酸、オゾン等及びこ
れら複数の酸化剤の組み合わせが挙げられる。

【００４３】これらの中で、前記Ｆｅ（有機酸アニオ
ン）塩を形成する有機酸アニオンの基本化合物として
は、有機スルホン酸または有機カルボン酸、有機リン
酸、有機ホウ酸等が挙げられる。有機スルホン酸の具体
例としては、ベンゼンスルホン酸やｐ−トルエンスルホ
ン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、α−スル
ホ−ナフタレン、β−スルホ−ナフタレン、ナフタレン
ジスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸（アルキ
ル基としてはブチル、トリイソプロピル、ジ−ｔ−ブチ
ル等）等が使用される。

【００４４】一方、有機カルボン酸の具体例としては、
酢酸、プロピオン酸、安息香酸、シュウ酸等が挙げられ
る。さらに本発明においては、ポリアクリル酸、ポリメ
タクリル酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスル
ホン酸、ポリビニル硫酸ポリ−α−メチルスルホン酸、
ポリエチレンスルホン酸、ポリリン酸等の高分子電解質
アニオンも使用される。なお、これら有機スルホン酸ま
たは有機カルボン酸の例は単なる例示であり、これらに
限定されるものではないない。また、前記アニオンの対
カチオンは、Ｈ⁺、Ｎａ⁺、Ｋ⁺等のアルカリ金属イオ
ン、または水素原子やテトラメチル基、テトラエチル
基、テトラブチル基、テトラフェニル基等で置換された
アンモニウムイオン等が例示されるが、これらに限定さ
れるものではない。前記の酸化剤のうち、特に好ましい
のは、３価のＦｅ系化合物類、または塩化第一銅系、過
硫酸アルカリ塩類、過硫酸アンモニウム塩類酸類、キノ
ン類を含む酸化剤である。

【００４５】導電性高分子の重合体組成物の製造方法に
おいて必要に応じて共存させるドーパント能を有するア
ニオン（酸化剤の還元体アニオン以外のアニオン）は、
前述の酸化剤から産生される酸化剤アニオン（酸化剤の
還元体）を対イオンに持つ電解質アニオンまたは他の電
解質アニオンを使用することができる。具体的には例え
ば、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、ＡｓＦ₆ ^-の如き５Ｂ族元素のハ
ロゲン化物アニオン、ＢＦ₄ ^-の如き３Ｂ族元素のハロゲ
ン化物アニオン、Ｉ^-（Ｉ₃ ^-）、Ｂｒ^-、Ｃｌ^-の如きハ
ロゲンアニオン、ＣｌＯ₄ ^-の如き過ハロゲン酸アニオ
ン、ＡｌＣｌ₄ ^-、ＦｅＣｌ₄ ^-、ＳｎＣｌ₅ ^-等の如きルイ
ス酸アニオン、あるいはＮＯ₃ ^-、ＳＯ₄ ^2-の如き無機酸
アニオン、またはｐ−トルエンスルホン酸やナフタレン
スルホン酸、炭素数１乃至５のアルキル置換ナフタレン
スルホン酸等のスルホン酸アニオン、ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-，Ｃ
Ｈ₃ＳＯ₃ ^-の如き有機スルホン酸アニオン、またはＣＨ₃
ＣＯＯ^-、Ｃ₆Ｈ₅ＣＯＯ^-のごときカルボン酸アニオン等
のプロトン酸アニオンを挙げることができる。

【００４６】また、同じく、ポリアクリル酸、ポリメタ
クリル酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホ
ン酸、ポリビニル硫酸、ポリ−α−メチルスルホン酸、
ポリエチレンスルホン酸、ポリリン酸等の高分子電解質
のアニオン等を挙げることができるが、これらに限定さ
れるものではない。しかしながら、好ましくは、高分子
系及び低分子系の有機スルホン酸化合物あるいはポリリ
ン酸化合物のアニオンが挙げられ、望ましくは芳香族系
のスルホン酸化合物（ドデシルベンゼンスルホン酸ナト
リウム、ナフタレンスルホン酸ナトリウム等）がアニオ
ン供出化合物として用いられる。

【００４７】また、有機スルホン酸アニオンのうち、さ
らに有効なドーパントとしては、分子内に一つ以上のス
ルホアニオン基（−ＳＯ₃−）とキノン構造を有するス
ルホキノン化合物や、アントラセンスルホン酸アニオン
が挙げられる。

【００４８】前記スルホキノン化合物のスルホキノンア
ニオンの基本骨格として、ｐ−ベンゾキノン、ｏ−ベン
ゾキノン、１，２−ナフトキノン、１，４−ナフトキノ
ン、２，６−ナフトキノン、９，１０−アントラキノ
ン、１，４−アントラキノン、１，２−アントラキノ
ン、１，４−クリセンキノン、５，６−クリセンキノ
ン、６，１２−クリセンキノン、アセナフトキノン、ア
セナフテンキノン、カンホルキノン、２，３−ボルナン
ジオン、９，１０−フェナントレンキノン、２，７−ピ
レンキノンが挙げられる。他方の電極（対極）が固体の
場合には、所望により用いられる外部引き出しリード
（例えば、リードフレームなど）との電気的接触をよく
するため、その上に導電体層を設けてもよい。

【００４９】導電体層としては、たとえば、導電ペース
トの固化、メッキ、金属蒸着、耐熱性の導電樹脂フィル
ムなどにより形成することができる。導電ペーストとし
ては、銀ペースト、銅ペースト、アルミペースト、カー
ボンペースト、ニッケルペーストなどが好ましいが、こ
れらは、１種を用いても２種以上を用いてもよい。２種
以上を用いる場合、混合してもよく、または別々の層と
して重ねてもよい。導電ペースト適用した後、空気中に
放置するか、または加熱して固化せしめる。メッキとし
ては、ニッケルメッキ、銅メッキ、銀メッキ、アルミメ
ッキなどがあげられる。また、蒸着金属としては、アル
ミニウム、ニッケル、銅、銀などがあげられる。

【００５０】具体的には、例えば第二の電極上にアルミ
ペースト、銀ペーストを順次積層し、エポキシ樹脂のよ
うな材料で封止してコンデンサが構成される。このコン
デンサは、ニオブ焼結体と一体に焼結成型された、また
は、後で溶接されたニオブまたは、タンタルリードを有
していてもよい。

【００５１】以上のような構成の本発明のコンデンサ
は、例えば、樹脂モールド、樹脂ケース、金属性の外装
ケース、樹脂のディッピング、ラミネートフィルムによ
る外装により各種用途のコンデンサ製品とすることがで
きる。

【００５２】また、他方の電極が液体の場合には、前記
両極と誘電体から構成されたコンデンサを、例えば、他
方の電極と電気的に接続した缶に収納してコンデンサが
形成される。この場合、レニウム含有ニオブ焼結体の電
極側は、前記したニオブまたはタンタルリードを介して
外部に導出すると同時に、絶縁性ゴムなどにより、缶と
の絶縁がはかられるように設計される。

【００５３】以上、説明した本発明の実施態様にしたが
って製造した水素化ニオブ粉、水素化ニオブ合金粉、ニ
オブ粉、ニオブ合金粉およびこれらの造粒物を用いてコ
ンデンサ用焼結体を作製し、該焼結体からコンデンサを
製造することにより、漏れ電流値の小さい信頼性の良好
なコンデンサを得ることができる。

【００５４】

【実施例】以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を具
体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるも
のではない。なお、各例において所望の物性をもつ前述
の粉体、造粒物から作製した焼結体（以下「ニオブ焼結
体」、「ニオブ合金焼結体」または単に「焼結体」と略
する。）の容量と漏れ電流値およびチップ加工したコン
デンサの容量と漏れ電流値は、以下の方法により測定し
た。

【００５５】（１）焼結体の容量測定 室温において、誘電体層を形成した焼結体とタンタル材
の電極とを３０質量％硫酸中に浸漬させ、それぞれをヒ
ューレットパッカード社製の測定器（プレシジョンＬＣ
ＲメーターＨＰ４２８４Ａ型）に接続して１２０Ｈｚで
の容量を測定した。焼結体質量当たりのこの測定値を焼
結体の容量（単位はμF・V/g）とした。

【００５６】（２）焼結体の漏れ電流測定 陽極として誘電体層を形成した焼結体と、陰極とを、室
温において、２０質量％リン酸水溶液中に浸漬し、直流
１４Vを３分間印加し続けた後に、電流値を測定した。
焼結体質量当たりのこの測定値を焼結体の漏れ電流値
（ＬＣ値、単位はμA/g）とした。

【００５７】（３）コンデンサの容量測定 室温において、作製したチップの端子間にヒューレット
パッカード社製ＬＣＲ測定器を接続し、１２０Ｈｚでの
容量の測定値をチップ加工したコンデンサの容量とし
た。

【００５８】（４）コンデンサの漏れ電流測定 室温において、直流電圧６．３Vを、作製したチップの
端子間に１分間印加し続けた後に測定された電流値をチ
ップに加工したコンデンサの漏れ電流値とした。

【００５９】（５）粒子径測定 マイクロトラック社製ＨＲＡ ９３２０−Ｘ１００を用
い粒度分布をレーザー回折散乱法で測定した。その累積
体積％が、５０体積％に相当する粒径値（Ｄ ₅₀；μｍ）
を平均粒子径とした。

【００６０】実施例１：ニオブインゴット１０００ｇを
ＳＵＳ３０４製の反応容器に入れ、４００℃で１０時間
水素を導入し続けた。室温まで冷却した後、アルゴン雰
囲気下、水素化されたニオブ塊を、ハンマークラッシャ
ーで粗粉砕を行い、粒径０．５mm以下の水素化ニオブ粗
粉を得た。次に粉砕媒体として粒径１mmのジルコニア製
ビーズ、分散媒として脱気したメタノールを用い、粉砕
温度１０℃から−４０℃に冷却しながら、水素化ニオブ
粗粉を６時間かけて湿式粉砕し、水素化ニオブ粉のメタ
ノールスラリーを得た。減圧下、４０℃で乾燥を行い、
水素化ニオブ粉を得た。この粉体の平均粒径は０．９μ
ｍであり、酸素濃度は１．２質量％であった。この様に
して得た水素化ニオブ粉を１×１０^-2Ｐａ、４００℃で
４時間加熱し脱水素したのち、室温まで冷却した。大気
圧下、窒素を導入し３００℃で２時間窒化した。このよ
うにして得たニオブ粉を４×１０^-3Ｐａの減圧下、１１
００℃で２時間焼結したのち、室温まで冷却した。得ら
れたニオブ塊を解砕してニオブ造粒粉を得た。この造粒
粉の平均粒径は、１１０μｍであり、酸素含有量は１．
８質量％であった。

【００６１】このようにして得たニオブ造粒粉を０．３
ｍｍφのニオブ線と共に成型し、およそ０．３ｃｍ×
０．１８ｃｍ×０．４５ｃｍの成型体（約０．１ｇ）を
作製した。次にこれらの成型体を４×１０^-3Ｐａの減圧
下、１２５０℃で３０分放置することにより焼結体を得
た。得られた焼結体を、０．１質量％リン酸水溶液中
で、８０℃の温度で６時間、２０Ｖの電圧で化成するこ
とにより、表面に誘電体層を形成した。この後、３０質
量％硫酸中での容量と、２０質量％リン酸水溶液中での
漏れ電流を各々測定した。その結果を表１に示す。

【００６２】実施例２〜５：実施例１と同様な方法で分
散媒および粉砕時の温度を変化させてニオブ粉を作製
し、続けて造粒粉を作製した。

【００６３】このようにして得られた、ニオブ造粒粉を
０．３ｍｍφのニオブ線と共に成型し、およそ０．３ｃ
ｍ×０．１８ｃｍ×０．４５ｃｍの成型体（約０．１
ｇ）を作製した。次にこれらの成型体を４×１０^-3Ｐａ
の減圧下、１２５０℃で３０分放置することにより焼結
体を得た。得られた焼結体を、０．１質量％リン酸水溶
液中で、８０℃の温度で６時間、２０Ｖの電圧で化成す
ることにより、表面に誘電体層を形成した。この後、３
０質量％硫酸中での容量と、２０質量％リン酸水溶液中
での漏れ電流を各々測定した。その結果を表１に示す。

【００６４】実施例６〜１６：各種ニオブ合金インゴッ
ト１０００ｇをＳＵＳ３０４製の反応容器に入れ、４０
０℃で１０時間水素を導入し続けた。室温まで冷却した
後、アルゴン雰囲気下、水素化されたニオブ合金塊を、
ハンマークラッシャーで粗粉砕を行い、粒径０．５ｍｍ
以下の粗粉を得た。次に粉砕媒体として粒径１mmのジル
コニア製ビーズ、分散媒として脱気したエタノールを用
い、粉砕温度１０℃から−３０℃に冷却しながら、水素
化ニオブ合金粗粉を６〜１０時間かけて湿式粉砕し、水
素化ニオブ合金粉のエタノールスラリーを得た。減圧
下、４０℃で乾燥を行い、水素化ニオブ合金粉を得た。
この様にして得た水素化ニオブ合金粉を１×１０^-2Ｐ
ａ、４００℃で４時間加熱して脱水素したのち、さら
に、４×１０^-3Ｐａの減圧下、１１００℃で２時間焼結
したのち、室温まで冷却した。得られたニオブ合金塊を
解砕してニオブ合金造粒粉を得た。

【００６５】得られた、ニオブ造粒粉を０．３ｍｍφの
ニオブ線と共に成型し、およそ０．３ｃｍ×０．１８ｃ
ｍ×０．４５ｃｍの成型体（約０．１ｇ）を作製した。
次にこれらの成型体を４×１０^-3Ｐａの減圧下、１２５
０℃で３０分放置することにより焼結体を得た。得られ
た焼結体を、０．１質量％リン酸水溶液中で、８０℃の
温度で６時間、２０Ｖの電圧で化成することにより、表
面に誘電体層を形成した。この後、３０質量％硫酸中で
の容量と、２０質量％リン酸水溶液中での漏れ電流を各
々測定した。その結果を表１に示す

【００６６】比較例１：ニオブインゴット１０００ｇを
ＳＵＳ３０４製の反応容器に入れ、４００℃で１０時間
水素を導入し続けた。室温まで冷却した後、アルゴン雰
囲気下、水素化されたニオブ塊を、ハンマークラッシャ
ーで粗粉砕を行い、粒径０．５ｍｍ以下の粗粉を得た。
次に粉砕媒体として粒径１mmのジルコニア製ビーズ、分
散媒として脱気したエタノールを用い、粉砕温度４０℃
から７０℃に昇温しながら、水素化ニオブ粗粉を６時間
かけて湿式粉砕し、水素化ニオブ粉のエタノールスラリ
ーを得た。減圧下、４０℃で乾燥を行い、水素化ニオブ
粉を得た。この粉体の平均粒径は０．９μｍであり、酸
素濃度は６．３質量％であった。この様にして得た水素
化ニオブ粉を１×１０^-2Ｐａ、４００℃で４時間加熱し
脱水素したのち、室温まで冷却した。大気圧下、窒素を
導入し３００℃で２時間窒化した。さらに、ニオブ粉を
４×１０^-3Ｐａの減圧下、１１００℃で２時間焼結した
のち、室温まで冷却した。得られたニオブ塊を解砕して
ニオブ造粒粉を得た。この造粒粉の平均粒径は、１１０
μｍであり、酸素含有量は６．８質量％であった。

【００６７】このようにして得られた、ニオブ造粒粉を
０．３ｍｍφのニオブ線と共に成型し、およそ０．３ｃ
ｍ×０．１８ｃｍ×０．４５ｃｍの成型体（約０．１
ｇ）を作製した。次にこれらの成型体を４×１０^-3Ｐａ
の減圧下、１２５０℃で３０分放置することにより焼結
体を得た。得られた焼結体を、０．１質量％リン酸水溶
液中で、８０℃の温度で６時間、２０Ｖの電圧で化成す
ることにより、表面に誘電体層を形成した。この後、３
０質量％硫酸中での容量と、２０質量％リン酸水溶液中
での漏れ電流を各々測定した。その結果を表１に示す。

【００６８】比較例２〜３：比較例２は、実施例２と同
様な方法で、粉砕する温度を４０℃に保って粉砕した。

【００６９】比較例３は、実施例６と同様な方法で、粉
砕する温度を−３０℃から１０℃に昇温して粉砕した。
以降実施例２または実施例６と同様な方法で造粒、焼結
を行い、得られた焼結体を、０．１質量％リン酸水溶液
中で、８０℃の温度で６時間、２０Ｖの電圧で化成する
ことにより、表面に誘電体層を形成した。この後、３０
質量％硫酸中での容量と、２０質量％リン酸水溶液中で
の漏れ電流を各々測定した。その結果を表１に示す。

【００７０】

【表１】

【００７１】実施例１７〜１８：実施例１７は実施例１
と、実施例１８は実施例６と、それぞれ同様な方法で得
た焼結体を各５０個用意した。これらの焼結体を２０Ｖ
の電圧で、０．１質量％リン酸水溶液を用い、２００分
間電解化成して、表面に誘電体酸化皮膜を形成した。次
に、６０質量％硝酸マンガン水溶液に浸漬後２２０℃で
３０分加熱することを繰り返して、誘電体酸化皮膜上に
他方の電極層として二酸化マンガン層を形成した。引き
続き、その上に、カーボン層、銀ペースト層を順次積層
した。次にリードフレームを載せた後、全体をエポキシ
樹脂で封止して、チップ型コンデンサを作製した。この
チップ型コンデンサの容量とＬＣ値の平均（ｎ＝各５０
個）を表２に示す。尚、ＬＣ値は室温で６．３Ｖ、１分
間印加した時の値である。

【００７２】実施例１９〜２０：実施例１９は実施例２
と、実施例２０は実施例８と、それぞれ同様な方法で得
た焼結体を各５０個用意した。これらの焼結体を２０Ｖ
の電圧で、０．１質量％リン酸水溶液を用い、２００分
間電解化成して、表面に誘電体酸化皮膜を形成した。次
に、誘電体酸化被膜の上に、過硫酸アンモニウム１０質
量％水溶液とアントラキノンスルホン酸０．５質量％水
溶液の等量混合液を接触させた後、ピロール蒸気を触れ
させる操作を少なくとも５回行うことによりポリピロー
ルからなる他方の電極（対極）を形成した。

【００７３】引き続き、その上に、カーボン層、銀ペー
スト層を順次積層した。次にリードフレームを載せた
後、全体をエポキシ樹脂で封止して、チップ型コンデン
サを作製した。このチップ型コンデンサの容量とＬＣ値
の平均（ｎ＝各５０個）を表２に示す。尚、ＬＣ値は室
温で６．３Ｖ、１分間印加した時の値である。

【００７４】実施例２１〜２２：実施例２１は実施例３
と、実施例２２は実施例１０と、同様な方法で得た焼結
体を各５０個用意した。これらの焼結体を２０Ｖの電圧
で、０．１質量％リン酸水溶液を用い、２００分間電解
化成して、表面に誘電体酸化皮膜を形成した。次に、こ
の焼結体を、過硫酸アンモニウム２５質量％を含む水溶
液（溶液１）に浸漬した後引き上げ、８０℃で３０分乾
燥させ、次いで誘電体を形成した焼結体を、３，４−エ
チレンジオキシチオフェン１８質量％を含むイソプロパ
ノール溶液（溶液２）に浸漬した後引き上げ、６０℃の
雰囲気に１０分放置することで酸化重合を行った。これ
を再び溶液１に浸漬し、さらに前記と同様に処理した。
溶液１に浸漬してから酸化重合を行うまでの操作を８回
繰り返した後、５０℃の温水で１０分洗浄を行い、１０
０℃で３０分乾燥を行うことにより、導電性のポリ
（３，４−エチレンジオキシチオフェン）からなる他方
の電極（対極）を形成した。

【００７５】引き続き、その上に、カーボン層、銀ペー
スト層を順次積層した。次にリードフレームを載せた
後、全体をエポキシ樹脂で封止して、チップ型コンデン
サを作製した。このチップ型コンデンサの容量とＬＣ値
の平均（ｎ＝各５０個）を表２に示す。尚、ＬＣ値は室
温で６．３Ｖ、１分間印加した時の値である。

【００７６】比較例４〜５：比較例４は比較例１と、比
較例５は比較例３と同様な方法で得た焼結体を各５０個
用意した。これらの焼結体を２０Ｖの電圧で、０．１質
量％リン酸水溶液を用い、２００分間電解化成して、表
面に誘電体酸化皮膜を形成した。次に、このニオブ焼結
体を、過硫酸アンモニウム２５質量％を含む水溶液（溶
液１）に浸漬した後引き上げ、８０℃で３０分乾燥さ
せ、次いで誘電体を形成した焼結体を、３，４−エチレ
ンジオキシチオフェン１８質量％を含むイソプロパノー
ル溶液（溶液２）に浸漬した後引き上げ、６０℃の雰囲
気に１０分放置することで酸化重合を行った。これを再
び溶液１に浸漬し、さらに前記と同様に処理した。溶液
１に浸漬してから酸化重合を行うまでの操作を８回繰り
返した後、５０℃の温水で１０分洗浄を行い、１００℃
で３０分乾燥を行うことにより、導電性のポリ（３，４
−エチレンジオキシチオフェン）からなる他方の電極
（対極）を形成した。

【００７７】引き続き、その上に、カーボン層、銀ペー
スト層を順次積層した。次にリードフレームを載せた
後、全体をエポキシ樹脂で封止して、チップ型コンデン
サを作製した。このチップ型コンデンサの容量とＬＣ値
の平均（ｎ＝各５０個）を表２に示す。尚、ＬＣ値は室
温で６．３Ｖ、１分間印加した時の値である。

【００７８】

【表２】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 9/00 Ｈ０１Ｇ 9/05 Ｋ 9/052 9/24 Ｃ (72)発明者 川崎 俊哉 神奈川県川崎市川崎区大川町５−１ 昭和 電工株式会社生産技術センター内 (72)発明者 内藤 一美 千葉県千葉市緑区大野台一丁目１番１号 昭和電工株式会社総合研究所内 (72)発明者 大森 和弘 千葉県千葉市緑区大野台一丁目１番１号 昭和電工株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4K017 AA03 AA04 BA07 BB13 BB15 DA08 EA03 FB02 4K018 AA40 BA20 BB04 BB10 BC01 BC10 BC11 BD10 DA00 JA09 JA12 JA16 KA39

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】分散媒存在下で水素化ニオブまたは水素化
   ニオブ合金を粉砕する工程を含むコンデンサ用ニオブ粉
   の製造方法において、粉砕温度が、−２００〜３０℃の
   温度範囲であることを特徴とするコンデンサ用ニオブ粉
   の製造方法。
2. 【請求項２】水素化ニオブ粉または水素化ニオブ合金粉
   を粉砕後、１００〜１０００℃の温度で脱水素する工程
   を含む請求項１に記載のコンデンサ用ニオブ粉の製造方
   法。
3. 【請求項３】粉砕温度が、粉砕中に上昇しないことを特
   徴とする請求項１または２に記載のコンデンサ用ニオブ
   粉の製造方法。
4. 【請求項４】分散媒が、水、有機溶剤、液化気体からな
   る群より選ばれた少なくとも１種である請求項１乃至３
   のいずれか1項に記載のコンデンサ用ニオブ粉の製造方
   法。
5. 【請求項５】請求項１乃至４のいずれか1項に記載の製
   造方法で得られたコンデンサ用ニオブ粉。
6. 【請求項６】コンデンサ用ニオブ粉の平均粒径が、０．
   ０１〜１０μｍである請求項５に記載のコンデンサ用ニ
   オブ粉。
7. 【請求項７】コンデンサ用ニオブ粉のＢＥＴ比表面積
   が、０．５〜４０ｍ²／ｇである請求項５または６に記
   載のコンデンサ用ニオブ粉。
8. 【請求項８】コンデンサ用ニオブ粉の嵩密度が、０．５
   〜４ｇ／ｍｌである請求項５乃至７のいずれか１項に記
   載のコンデンサ用ニオブ粉。
9. 【請求項９】コンデンサ用ニオブ粉の細孔径のピーク
   が、０．０１〜７μｍである請求項５乃至８のいずれか
   １項に記載のコンデンサ用ニオブ粉。
10. 【請求項１０】コンデンサ用ニオブ粉の酸素含有量が
    ２．５質量％以下である請求項５乃至９のいずれか１項
    に記載のコンデンサ用ニオブ粉。
11. 【請求項１１】コンデンサ用ニオブ粉が、さらにホウ
    素、窒素、炭素および硫黄の元素からなる群より選ばれ
    た少なくとも１種の元素を含む請求項５乃至１０のいず
    れか１項に記載のコンデンサ用ニオブ粉。
12. 【請求項１２】請求項５乃至１１のいずれか１項に記載
    のコンデンサ用ニオブ粉を造粒して得られる平均粒径が
    １０〜５００μｍのコンデンサ用ニオブ造粒物。
13. 【請求項１３】コンデンサ用ニオブ造粒物のＢＥＴ比表
    面積が、０．５〜４０ｍ ²／ｇである請求項１２に記載
    のコンデンサ用ニオブ造粒物。
14. 【請求項１４】コンデンサ用ニオブ造粒物の細孔径のピ
    ークが０．０１〜５００μmの範囲内にある請求項１２
    または１３に記載のコンデンサ用ニオブ造粒物。
15. 【請求項１５】コンデンサ用ニオブ造粒物の嵩密度が、
    ０．０５〜４ｇ／ｍｌである請求項１２乃至１４のいず
    れか１項に記載のコンデンサ用ニオブ造粒物。
16. 【請求項１６】コンデンサ用ニオブ造粒物の酸素濃度
    が、３質量％以下である請求項１２乃至１５のいずれか
    １項に記載のコンデンサ用ニオブ造粒物。
17. 【請求項１７】請求項５乃至１１のいずれか１項に記載
    のコンデンサ用ニオブ粉、及び／または請求項１２乃至
    １６のいずれか１項に記載のコンデンサ用ニオブ造粒物
    を焼結して得られる焼結体。
18. 【請求項１８】請求項１７に記載の焼結体を一方の電極
    とし、前記焼結体表面上に形成された誘電体と、前記誘
    電体上に設けられた他方の電極とから構成されたコンデ
    ンサ。
19. 【請求項１９】誘電体の主成分が酸化ニオブである請求
    項１８に記載のコンデンサ。