JP2003011070A - 研磨用砥石およびそれを利用した研磨方法 - Google Patents
研磨用砥石およびそれを利用した研磨方法Info
- Publication number
- JP2003011070A JP2003011070A JP2002120803A JP2002120803A JP2003011070A JP 2003011070 A JP2003011070 A JP 2003011070A JP 2002120803 A JP2002120803 A JP 2002120803A JP 2002120803 A JP2002120803 A JP 2002120803A JP 2003011070 A JP2003011070 A JP 2003011070A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- grindstone
- diamond
- fiber
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ウエハボートの溝部で代表されるような複雑な
形状を有する被加工物の該複雑な形状部分の表面を研磨
するのに好適な研磨用砥石およびそれを使用した研磨方
法を提供する。 【解決手段】砥石台金１１にダイヤモンド入り樹脂ファ
イバ１２がブラシ状に植毛されていることを特徴とする
研磨用砥石１０。
形状を有する被加工物の該複雑な形状部分の表面を研磨
するのに好適な研磨用砥石およびそれを使用した研磨方
法を提供する。 【解決手段】砥石台金１１にダイヤモンド入り樹脂ファ
イバ１２がブラシ状に植毛されていることを特徴とする
研磨用砥石１０。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハボートの溝
部に代表されるような、複雑な形状を有する被加工物の
該複雑な形状部分の表面を研磨するのに最適な研磨用砥
石およびそれを使用した研磨方法に関する。
部に代表されるような、複雑な形状を有する被加工物の
該複雑な形状部分の表面を研磨するのに最適な研磨用砥
石およびそれを使用した研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウエハボートなどに代表される半導体製
造用熱処理治具では、熱処理時のウエハのスリップ防止
が重要な課題となっている。ここでスリップ（「すべ
り」や「転位」とも称される）とは、顕微鏡で観察可能
な結晶欠陥からなる微小な段差がウエハに形成されるこ
とをいう。このようなスリップは、例えばウエハを１０
００℃程度の高温で長時間熱処理したときに、ウエハと
治具とが接触している付近に発生しやすいことから、ウ
エハの自重による内部応力やウエハの面内温度不均一に
基づく熱歪応力などが原因となり発生するものと考えら
れている。
造用熱処理治具では、熱処理時のウエハのスリップ防止
が重要な課題となっている。ここでスリップ（「すべ
り」や「転位」とも称される）とは、顕微鏡で観察可能
な結晶欠陥からなる微小な段差がウエハに形成されるこ
とをいう。このようなスリップは、例えばウエハを１０
００℃程度の高温で長時間熱処理したときに、ウエハと
治具とが接触している付近に発生しやすいことから、ウ
エハの自重による内部応力やウエハの面内温度不均一に
基づく熱歪応力などが原因となり発生するものと考えら
れている。
【０００３】スリップ発生を防止する対策（以下、スリ
ップ対策という）として、特開２０００−１１９０７９
号公報には、Ｓｉ−ＳｉＣ製の半導体熱処理部材につい
て半導体と接触する部位の表面粗さＲａを０．２μｍ以
下にすること、そのための加工工程としてダイヤモンド
ブレードを溝加工を兼ねて使用することが提案されてい
る。しかし、前記公報にはダイヤモンドブレードの種類
や溝加工条件など具体的なことは何も提案されていな
い。
ップ対策という）として、特開２０００−１１９０７９
号公報には、Ｓｉ−ＳｉＣ製の半導体熱処理部材につい
て半導体と接触する部位の表面粗さＲａを０．２μｍ以
下にすること、そのための加工工程としてダイヤモンド
ブレードを溝加工を兼ねて使用することが提案されてい
る。しかし、前記公報にはダイヤモンドブレードの種類
や溝加工条件など具体的なことは何も提案されていな
い。
【０００４】さらに、特開２０００−１２４１４３号公
報にも熱処理用ボートの保持溝表面の山頂部と谷底部と
の垂直距離（表面粗さＲｙに相当）を１０μｍ以下にす
ることが提案されているが、その手段については具体的
に記載されていない。
報にも熱処理用ボートの保持溝表面の山頂部と谷底部と
の垂直距離（表面粗さＲｙに相当）を１０μｍ以下にす
ることが提案されているが、その手段については具体的
に記載されていない。
【０００５】また、半導体製造用熱処理治具では、上記
のスリップ対策に加えて高純度化対策も重要である。こ
のような高純度化対策として、１）耐熱性、耐食性に優
れる、２）金属不純物の含有量が極めて少ない、３）基
材内部の金属等の不純物の半導体ウエハへの拡散を抑制
できる、４）緻密質である等優れた特性を有することか
ら、治具の基材表面に化学蒸着法(以下、ＣＶＤという)
で膜（以下、ＣＶＤ膜という）を形成することも行われ
ている。
のスリップ対策に加えて高純度化対策も重要である。こ
のような高純度化対策として、１）耐熱性、耐食性に優
れる、２）金属不純物の含有量が極めて少ない、３）基
材内部の金属等の不純物の半導体ウエハへの拡散を抑制
できる、４）緻密質である等優れた特性を有することか
ら、治具の基材表面に化学蒸着法(以下、ＣＶＤという)
で膜（以下、ＣＶＤ膜という）を形成することも行われ
ている。
【０００６】このようなＣＶＤ膜では、合成条件により
大きさや個数は異なるもののＣＶＤ膜表面に突起が発生
することがある。ＣＶＤ膜表面に形成される突起は、ス
リップの主要な原因と考えられており、スリップ対策と
して、突起をなくすためにＣＶＤ膜表面をなめらかにす
る方法（以下、表面を滑らかにすることを総称して研磨
という）が望まれている。
大きさや個数は異なるもののＣＶＤ膜表面に突起が発生
することがある。ＣＶＤ膜表面に形成される突起は、ス
リップの主要な原因と考えられており、スリップ対策と
して、突起をなくすためにＣＶＤ膜表面をなめらかにす
る方法（以下、表面を滑らかにすることを総称して研磨
という）が望まれている。
【０００７】ＣＶＤ膜が平板上に形成されている場合に
は、研磨も比較的容易である。しかし、ウエハボートの
溝部のような複雑な形状を有する被加工物に形成された
ＣＶＤ膜の表面を研磨する手段は知られていない。例え
ば、ウエハボートの溝部に形成されたＣＶＤ膜の研磨手
段として、従来のダイヤモンドブレードを採用すると、
溝内にブレードを入れる過程で溝を構成する櫛の歯状部
に応力がかかり、前記櫛の歯状部の付け根付近にクラッ
クが発生しやすく、また膜厚が高々１５０μｍ以下と薄
いＣＶＤ膜を剥がし所望の膜厚を確保できないおそれも
あった。
は、研磨も比較的容易である。しかし、ウエハボートの
溝部のような複雑な形状を有する被加工物に形成された
ＣＶＤ膜の表面を研磨する手段は知られていない。例え
ば、ウエハボートの溝部に形成されたＣＶＤ膜の研磨手
段として、従来のダイヤモンドブレードを採用すると、
溝内にブレードを入れる過程で溝を構成する櫛の歯状部
に応力がかかり、前記櫛の歯状部の付け根付近にクラッ
クが発生しやすく、また膜厚が高々１５０μｍ以下と薄
いＣＶＤ膜を剥がし所望の膜厚を確保できないおそれも
あった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ウエハボー
トの溝部で代表されるような複雑な形状を有する被加工
物の該複雑な形状部分の表面を研磨するのに好適な研磨
用砥石およびそれを使用した研磨方法の提供を目的とす
る。
トの溝部で代表されるような複雑な形状を有する被加工
物の該複雑な形状部分の表面を研磨するのに好適な研磨
用砥石およびそれを使用した研磨方法の提供を目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、砥石台金にダ
イヤモンド入り樹脂ファイバがブラシ状に植毛されてい
ることを特徴とする研磨用砥石とそれを使用した研磨方
法を提供する。
イヤモンド入り樹脂ファイバがブラシ状に植毛されてい
ることを特徴とする研磨用砥石とそれを使用した研磨方
法を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の研磨用砥石(以下、本砥
石という)は、砥石台金に、ダイヤモンド入り樹脂ファ
イバ（以下、単にファイバと略す）がブラシ状に植毛さ
れていることを特徴とする。本砥石において、砥石台金
の材質としては種々のものが使用できるが、金属である
と機械的強度に優れるため好ましく、ステンレス、アル
ミニウム、鋼材などが挙げられる。
石という)は、砥石台金に、ダイヤモンド入り樹脂ファ
イバ（以下、単にファイバと略す）がブラシ状に植毛さ
れていることを特徴とする。本砥石において、砥石台金
の材質としては種々のものが使用できるが、金属である
と機械的強度に優れるため好ましく、ステンレス、アル
ミニウム、鋼材などが挙げられる。
【００１１】植毛としては、円盤の片面、両面または側
面にファイバを直接植毛してブラシ状とするほかに、フ
ァイバでブラシ（例えば、試験管ブラシのブラシ部のよ
うなからまったワイヤにファイバが固定されている形
状）を構成し、それをさらに砥石台金に貼り付けるなど
の手段で固定することにより間接的に植毛してもよい。
ファイバの砥石台金への固定としては特に限定されるも
のではないが、接着、溶接、ハンダ付け、鋼線（ワイ
ヤ）による締結などが例示される。なお、本明細書にお
いて、ブラシ状に植毛とはファイバが密集した状態で植
毛されていることをいう。
面にファイバを直接植毛してブラシ状とするほかに、フ
ァイバでブラシ（例えば、試験管ブラシのブラシ部のよ
うなからまったワイヤにファイバが固定されている形
状）を構成し、それをさらに砥石台金に貼り付けるなど
の手段で固定することにより間接的に植毛してもよい。
ファイバの砥石台金への固定としては特に限定されるも
のではないが、接着、溶接、ハンダ付け、鋼線（ワイ
ヤ）による締結などが例示される。なお、本明細書にお
いて、ブラシ状に植毛とはファイバが密集した状態で植
毛されていることをいう。
【００１２】ファイバを直接植毛する場合には、１本毎
に間隔を短くして植毛してもよいが、図１に示すように
円盤状の砥石台金１１に小孔１６を多数形成し、複数本
のファイバ１２を束にして小孔１６に入れても植毛し本
砥石１０としてもよい。束ねるファイバ１２の本数とし
ては、２〜１００本程度が好ましく、５〜５０本程度で
あるとさらに好ましく、１０〜３０本であると特に好ま
しい。束ねるファイバ１２の本数が多すぎると剛性が高
くなり加工傷が発生するおそれがある。
に間隔を短くして植毛してもよいが、図１に示すように
円盤状の砥石台金１１に小孔１６を多数形成し、複数本
のファイバ１２を束にして小孔１６に入れても植毛し本
砥石１０としてもよい。束ねるファイバ１２の本数とし
ては、２〜１００本程度が好ましく、５〜５０本程度で
あるとさらに好ましく、１０〜３０本であると特に好ま
しい。束ねるファイバ１２の本数が多すぎると剛性が高
くなり加工傷が発生するおそれがある。
【００１３】束と束との間隔（以下、ピッチという）
は、束ねる本数に応じて適宜選択される。図１の場合、
ピッチは近接している２つの小孔１６間の最小距離をい
う。束ねる本数が多いときはピッチを大きくし、束ねる
本数が少ないときはピッチを小さくする。ピッチが小さ
くなると研磨時の加工負荷が大きくなる傾向があること
から５ｍｍ以上が好ましく、５〜２０ｍｍであるとさら
に好ましい。ピッチは、本砥石内で一定でもよいし、ま
たは径方向と周方向で別々にするなどしてもよい。
は、束ねる本数に応じて適宜選択される。図１の場合、
ピッチは近接している２つの小孔１６間の最小距離をい
う。束ねる本数が多いときはピッチを大きくし、束ねる
本数が少ないときはピッチを小さくする。ピッチが小さ
くなると研磨時の加工負荷が大きくなる傾向があること
から５ｍｍ以上が好ましく、５〜２０ｍｍであるとさら
に好ましい。ピッチは、本砥石内で一定でもよいし、ま
たは径方向と周方向で別々にするなどしてもよい。
【００１４】なお、束ねたファイバ１２の固定方法とし
ては、砥石台金１１に直接接着剤で貼り付けて植毛する
方法やファイバ１２を２つ以上に折り曲げてワイヤに引
っ掛け、ワイヤで締めて固定することにより植毛しても
よい。図１は、図示していないワイヤでファイバ１２を
固定した例である。ファイバ１２を束にして金属リング
で締めてこれを砥石台金１１の小孔１６に圧入したり、
金属リングを溶接等で固定してもよい。
ては、砥石台金１１に直接接着剤で貼り付けて植毛する
方法やファイバ１２を２つ以上に折り曲げてワイヤに引
っ掛け、ワイヤで締めて固定することにより植毛しても
よい。図１は、図示していないワイヤでファイバ１２を
固定した例である。ファイバ１２を束にして金属リング
で締めてこれを砥石台金１１の小孔１６に圧入したり、
金属リングを溶接等で固定してもよい。
【００１５】図２は、ファイバ２２をワイヤ２７に植毛
してブラシ２８とし、それをさらに砥石台金２１の側面
に貼り付けて本砥石２０とした例である。図３は、図２
で使用したブラシ３８を砥石台金３１の側面以外にも砥
石台金３１に形成してある溝３３にも固定して本砥石３
０とした例である。
してブラシ２８とし、それをさらに砥石台金２１の側面
に貼り付けて本砥石２０とした例である。図３は、図２
で使用したブラシ３８を砥石台金３１の側面以外にも砥
石台金３１に形成してある溝３３にも固定して本砥石３
０とした例である。
【００１６】図４は、溝４３が形成された砥石台金４１
の平面部分には小孔４６を設けてファイバ４２を図１と
同様の構成とし、側面部分には図２で使用したブラシ４
８を図３と同様の構成とし、両方の構成を複合させて本
砥石４０とした例である。
の平面部分には小孔４６を設けてファイバ４２を図１と
同様の構成とし、側面部分には図２で使用したブラシ４
８を図３と同様の構成とし、両方の構成を複合させて本
砥石４０とした例である。
【００１７】本発明において、ファイバの樹脂の種類と
しては、特に限定されるものではないが、硬度としなや
かさのバランスからナイロン樹脂などが例示される。フ
ァイバの直径も特に限定されるものではないが、直径
０．１〜１．５ｍｍであると入手しやすいため好まし
い。ファイバの直径が０．１〜１．０ｍｍであるとさら
に好ましく、０．１〜０．４ｍｍであると特に好まし
い。
しては、特に限定されるものではないが、硬度としなや
かさのバランスからナイロン樹脂などが例示される。フ
ァイバの直径も特に限定されるものではないが、直径
０．１〜１．５ｍｍであると入手しやすいため好まし
い。ファイバの直径が０．１〜１．０ｍｍであるとさら
に好ましく、０．１〜０．４ｍｍであると特に好まし
い。
【００１８】ファイバの長さも特に限定されるものでは
ないが、０．５〜１０ｍｍであると入手しやすいため好
ましい。ファイバの長さが１〜６ｍｍであると加工性な
どの点でさらに好ましい。ファイバの直径を０．１〜
０．４ｍｍとし、かつファイバの長さを１〜６ｍｍとす
るとさらに好ましい。
ないが、０．５〜１０ｍｍであると入手しやすいため好
ましい。ファイバの長さが１〜６ｍｍであると加工性な
どの点でさらに好ましい。ファイバの直径を０．１〜
０．４ｍｍとし、かつファイバの長さを１〜６ｍｍとす
るとさらに好ましい。
【００１９】（ファイバの長さ）／（ファイバの直径）
の比を１０〜３０とすると研磨量と表面性状の制御がし
やすいため特に好ましい。好ましいファイバの形状の例
として長さ３ｍｍ、直径０．１５ｍｍの場合が例示され
る。
の比を１０〜３０とすると研磨量と表面性状の制御がし
やすいため特に好ましい。好ましいファイバの形状の例
として長さ３ｍｍ、直径０．１５ｍｍの場合が例示され
る。
【００２０】本発明においてダイヤモンドの粒度として
は必要な表面粗さに応じて適宜選択されるが、ＪＩＳ
Ｒ６００１（電気抵抗試験法）で規定される♯４００〜
♯３０００であると好ましい。ダイヤモンドの粒度が♯
４００より粗いと加工面にキズが入るため好ましくな
く、またダイヤモンドの粒度を♯３０００より細かくし
ても得られる表面粗度が飽和してくることと、砥石の製
作が難しくなることから好ましくない。
は必要な表面粗さに応じて適宜選択されるが、ＪＩＳ
Ｒ６００１（電気抵抗試験法）で規定される♯４００〜
♯３０００であると好ましい。ダイヤモンドの粒度が♯
４００より粗いと加工面にキズが入るため好ましくな
く、またダイヤモンドの粒度を♯３０００より細かくし
ても得られる表面粗度が飽和してくることと、砥石の製
作が難しくなることから好ましくない。
【００２１】また、ダイヤモンドの粒度が＃８００〜＃
３０００であると、ウエハボートのような溝を形成する
歯の先端部分を形状精度を損なうことなく、曲率半径が
０．２〜３ｍｍの曲面状に面取り（以下、Ｒ面取りとい
う）しながら研磨できるためさらに好ましい。
３０００であると、ウエハボートのような溝を形成する
歯の先端部分を形状精度を損なうことなく、曲率半径が
０．２〜３ｍｍの曲面状に面取り（以下、Ｒ面取りとい
う）しながら研磨できるためさらに好ましい。
【００２２】本発明においてファイバに含有されている
ダイヤモンドの含有量としては、ファイバ中に５〜４０
質量％であると好ましい。なお、ダイヤモンドの種類と
しては、特に限定されるものではなく、合成ダイヤモン
ドや天然ダイヤモンドが適宜使用できる。
ダイヤモンドの含有量としては、ファイバ中に５〜４０
質量％であると好ましい。なお、ダイヤモンドの種類と
しては、特に限定されるものではなく、合成ダイヤモン
ドや天然ダイヤモンドが適宜使用できる。
【００２３】本砥石を使用して研磨する加工対象として
は、鏡面研摩が要求される加工面が挙げられる。複雑な
形状を有する被加工物の該複雑な形状部分の表面を本砥
石を使用して研摩すると好適である。例えば、研摩面が
ウエハボートの溝部の表面である場合、該溝部は機械的
強度が弱く、しかも複雑な形状を有するため、本砥石で
研摩すると好ましい。
は、鏡面研摩が要求される加工面が挙げられる。複雑な
形状を有する被加工物の該複雑な形状部分の表面を本砥
石を使用して研摩すると好適である。例えば、研摩面が
ウエハボートの溝部の表面である場合、該溝部は機械的
強度が弱く、しかも複雑な形状を有するため、本砥石で
研摩すると好ましい。
【００２４】さらに、複雑な形状を有する被加工物の該
複雑な形状部分の表面であって、ＣＶＤによる蒸着膜や
ＰＶＤによる蒸着膜が形成されている面を本砥石で研摩
すると、特に本砥石の使用効果が発揮できるため好まし
い。表面がＣＶＤで形成されたＳｉＣ膜で覆われている
ＳｉＣ製ウエハボートの溝部表面が例示される。
複雑な形状部分の表面であって、ＣＶＤによる蒸着膜や
ＰＶＤによる蒸着膜が形成されている面を本砥石で研摩
すると、特に本砥石の使用効果が発揮できるため好まし
い。表面がＣＶＤで形成されたＳｉＣ膜で覆われている
ＳｉＣ製ウエハボートの溝部表面が例示される。
【００２５】本砥石を使用して研磨した面の表面粗さ
は、ダイヤモンドの粒度を選定することにより制御可能
であるが、特にウエハなどと接触する面の表面粗さＲｙ
が５μｍ以下であると平滑性に優れるため好ましく、表
面粗さＲｙが２μｍ以下であるとさらに好ましい。表面
粗さＲｙが１μｍ以下で、かつ表面粗さＲａが０．１μ
ｍ以下であると、ウエハのスリップ対策として特に好ま
しい。
は、ダイヤモンドの粒度を選定することにより制御可能
であるが、特にウエハなどと接触する面の表面粗さＲｙ
が５μｍ以下であると平滑性に優れるため好ましく、表
面粗さＲｙが２μｍ以下であるとさらに好ましい。表面
粗さＲｙが１μｍ以下で、かつ表面粗さＲａが０．１μ
ｍ以下であると、ウエハのスリップ対策として特に好ま
しい。
【００２６】本砥石を使用して蒸着膜面を研磨する場合
には、研磨後の蒸着層の膜厚が２０μｍ以上であると基
材の不純物拡散を防止するなど、ＣＶＤ蒸着膜の機能を
損なわないため好ましい。
には、研磨後の蒸着層の膜厚が２０μｍ以上であると基
材の不純物拡散を防止するなど、ＣＶＤ蒸着膜の機能を
損なわないため好ましい。
【００２７】本砥石を使用して研磨する条件としては、
砥石の周速が１００〜１５００ｍ／ｍｉｎ、より好まし
くは３００〜８００ｍ／ｍｉｎ、砥石の送り速度が０．
５〜２０ｍｍ／ｍｉｎ、より好ましくは３〜１０ｍｍ／
ｍｉｎ、砥石の切り込み量が０．１〜５ｍｍ、であると
研磨面の表面粗さＲｙが１μｍ以下になりやすいので好
ましい。
砥石の周速が１００〜１５００ｍ／ｍｉｎ、より好まし
くは３００〜８００ｍ／ｍｉｎ、砥石の送り速度が０．
５〜２０ｍｍ／ｍｉｎ、より好ましくは３〜１０ｍｍ／
ｍｉｎ、砥石の切り込み量が０．１〜５ｍｍ、であると
研磨面の表面粗さＲｙが１μｍ以下になりやすいので好
ましい。
【００２８】
【実施例】評価用サンプル（以下、単にサンプルと略
す）４として、図５に示すように、溝（２０×１２×１
０ｍｍ）が、間隔１０ｍｍで４個形成されている、シリ
コン含浸−ＳｉＣ製のブロック（３０×１２×１００ｍ
ｍ）を複数個準備した。前記ブロックの一部は、ＣＶＤ
装置に入れて表面にＳｉＣのＣＶＤ膜を形成した。ＣＶ
Ｄ膜の膜厚は寸法変化から計算したところ６０μｍであ
った。またＣＶＤ膜表面の表面性状は表面粗さＲａ１．
５μｍ、表面粗さＲｙ１５μｍであった。
す）４として、図５に示すように、溝（２０×１２×１
０ｍｍ）が、間隔１０ｍｍで４個形成されている、シリ
コン含浸−ＳｉＣ製のブロック（３０×１２×１００ｍ
ｍ）を複数個準備した。前記ブロックの一部は、ＣＶＤ
装置に入れて表面にＳｉＣのＣＶＤ膜を形成した。ＣＶ
Ｄ膜の膜厚は寸法変化から計算したところ６０μｍであ
った。またＣＶＤ膜表面の表面性状は表面粗さＲａ１．
５μｍ、表面粗さＲｙ１５μｍであった。
【００２９】［例１（実施例）］直径２００ｍｍ、厚さ
３ｍｍのアルミニウム製円盤からなる砥石台金１１に直
径２．５ｍｍの小穴１６を図１に示すように開け、その
各穴には直径０．１５ｍｍ、長さ３ｍｍのナイロン樹脂
製ファイバ１２（含有しているダイヤモンド；粒度♯２
０００、含有量２５質量％）１０本が束ねて植毛されて
いる本砥石１０を準備した。なお、ファイバ１２はアル
ミニウム製円盤１１からの突出している長さが約２ｍｍ
になるように金属製ワイヤ（図示せず）で固定してあ
る。また、小穴１６と小穴１６との間隔は約１０ｍｍと
した。
３ｍｍのアルミニウム製円盤からなる砥石台金１１に直
径２．５ｍｍの小穴１６を図１に示すように開け、その
各穴には直径０．１５ｍｍ、長さ３ｍｍのナイロン樹脂
製ファイバ１２（含有しているダイヤモンド；粒度♯２
０００、含有量２５質量％）１０本が束ねて植毛されて
いる本砥石１０を準備した。なお、ファイバ１２はアル
ミニウム製円盤１１からの突出している長さが約２ｍｍ
になるように金属製ワイヤ（図示せず）で固定してあ
る。また、小穴１６と小穴１６との間隔は約１０ｍｍと
した。
【００３０】ＳｉＣのＣＶＤ膜が形成されているサンプ
ル４の溝を形成する櫛の歯状部（以下、単に櫛の歯状部
という）５を使用して表１に示す各条件で３回湿式研磨
（切り込み量：１ｍｍ）をし、その加工後の表面性状
（表面粗さＲａ、表面粗さＲｙ）を表面粗さ計（東京精
密社製、商品名：サーフコム）で測定した。また、加工
後の前記櫛の歯状部５の付け根付近を目視で観察し、ク
ラック等の欠陥がないことを確認した。
ル４の溝を形成する櫛の歯状部（以下、単に櫛の歯状部
という）５を使用して表１に示す各条件で３回湿式研磨
（切り込み量：１ｍｍ）をし、その加工後の表面性状
（表面粗さＲａ、表面粗さＲｙ）を表面粗さ計（東京精
密社製、商品名：サーフコム）で測定した。また、加工
後の前記櫛の歯状部５の付け根付近を目視で観察し、ク
ラック等の欠陥がないことを確認した。
【００３１】
【表１】
【００３２】［例２（実施例）］例１において、ＳｉＣ
のＣＶＤ膜付きのサンプル４の代わりに、ＳｉＣのＣＶ
Ｄ膜のないサンプル４（溝表面の表面性状；表面粗さＲ
ａ０．３μｍ、表面粗さＲｙ３μｍ）を使用すること以
外は例１と同様にして加工した。ただし、加工条件は表
１の条件２とした。加工後の櫛の歯状部５の表面性状を
例１と同様にして測定したところＲａ０．１μｍ、Ｒｙ
１μｍであった。
のＣＶＤ膜付きのサンプル４の代わりに、ＳｉＣのＣＶ
Ｄ膜のないサンプル４（溝表面の表面性状；表面粗さＲ
ａ０．３μｍ、表面粗さＲｙ３μｍ）を使用すること以
外は例１と同様にして加工した。ただし、加工条件は表
１の条件２とした。加工後の櫛の歯状部５の表面性状を
例１と同様にして測定したところＲａ０．１μｍ、Ｒｙ
１μｍであった。
【００３３】［例３（実施例）］本砥石３０として、図
３に示すような、直径２００ｍｍ、厚さ２ｍｍのアルミ
ニウム製円盤からなる砥石台金３１に径方向に幅５ｍ
ｍ、長さ７０ｍｍの溝３３を４箇所形成し、溝を含めた
側面に、直径０．７ｍｍのステンレス製ワイヤ３７に直
径０．２ｍｍ、長さ２ｍｍのナイロン樹脂製ファイバ３
２（含有しているダイヤモンド；粒度♯２０００、含有
量２５質量％）を多数植毛してある外径約５．５ｍｍの
ブラシ３８を貼り付けた砥石を準備した。
３に示すような、直径２００ｍｍ、厚さ２ｍｍのアルミ
ニウム製円盤からなる砥石台金３１に径方向に幅５ｍ
ｍ、長さ７０ｍｍの溝３３を４箇所形成し、溝を含めた
側面に、直径０．７ｍｍのステンレス製ワイヤ３７に直
径０．２ｍｍ、長さ２ｍｍのナイロン樹脂製ファイバ３
２（含有しているダイヤモンド；粒度♯２０００、含有
量２５質量％）を多数植毛してある外径約５．５ｍｍの
ブラシ３８を貼り付けた砥石を準備した。
【００３４】この砥石を使用して、ＣＶＤ膜を付けてあ
るサンプル４の櫛の歯状部５を表１の条件１で湿式加工
した。加工した櫛の歯状部５の表面性状を例１と同様に
して測定したところＲａ０．３μｍ、Ｒｙ１．５μｍで
あった。
るサンプル４の櫛の歯状部５を表１の条件１で湿式加工
した。加工した櫛の歯状部５の表面性状を例１と同様に
して測定したところＲａ０．３μｍ、Ｒｙ１．５μｍで
あった。
【００３５】［例４（実施例）］例１においてナイロン
樹脂ファイバ１２に含有しているダイヤモンドの粒度を
♯１０００に変更した以外は例１と同様にして研磨し
た。ただし、加工条件は表１の条件２である。加工面の
表面性状を例１と同様にして測定したところＲａ０．２
μｍ、Ｒｙ１．５μｍであった。
樹脂ファイバ１２に含有しているダイヤモンドの粒度を
♯１０００に変更した以外は例１と同様にして研磨し
た。ただし、加工条件は表１の条件２である。加工面の
表面性状を例１と同様にして測定したところＲａ０．２
μｍ、Ｒｙ１．５μｍであった。
【００３６】［例５（比較例）］例４において本砥石１
０の代わりに砥石台金にダイヤモンド砥粒をレジンボン
ドで接着したダイヤモンド砥石（♯１０００）で研磨し
た。なお、加工条件は表１の条件２である。加工面の表
面性状を観察したところ、ＣＶＤ膜の一部が剥離してい
るのが確認された。さらに櫛の歯状部５の付け根付近を
観察したところ一部に微細なクラックが入っているのが
確認された。これらの加工結果は従来の砥石では、溝の
ような複雑な形状をならいながら研磨するのが難しいこ
とを示している。
０の代わりに砥石台金にダイヤモンド砥粒をレジンボン
ドで接着したダイヤモンド砥石（♯１０００）で研磨し
た。なお、加工条件は表１の条件２である。加工面の表
面性状を観察したところ、ＣＶＤ膜の一部が剥離してい
るのが確認された。さらに櫛の歯状部５の付け根付近を
観察したところ一部に微細なクラックが入っているのが
確認された。これらの加工結果は従来の砥石では、溝の
ような複雑な形状をならいながら研磨するのが難しいこ
とを示している。
【００３７】［例６（実施例）］例２において、ナイロ
ン樹脂製ファイバ１２を直径０．１５ｍｍ、長さ３ｍ
ｍ、含有しているダイヤモンドの粒度；＃２０００、ダ
イヤモンド含有量２５質量％から直径０．６ｍｍ、長さ
３ｍｍ、含有しているダイヤモンドの粒度；＃４００、
ダイヤモンド含有量３５質量％に変更し、櫛の歯状部５
の先端部分を自動加工すること以外は例２にと同様にし
た。その結果、溝の形状精度を損なうことなく、前記先
端部分に曲率半径約１ｍｍのＲ面取りの自動加工できる
ことが確認された。
ン樹脂製ファイバ１２を直径０．１５ｍｍ、長さ３ｍ
ｍ、含有しているダイヤモンドの粒度；＃２０００、ダ
イヤモンド含有量２５質量％から直径０．６ｍｍ、長さ
３ｍｍ、含有しているダイヤモンドの粒度；＃４００、
ダイヤモンド含有量３５質量％に変更し、櫛の歯状部５
の先端部分を自動加工すること以外は例２にと同様にし
た。その結果、溝の形状精度を損なうことなく、前記先
端部分に曲率半径約１ｍｍのＲ面取りの自動加工できる
ことが確認された。
【００３８】［例７（実施例）］例６において、ナイロ
ン樹脂ファイバ１２を直径０．６ｍｍ、長さ３ｍｍ、含
有しているダイヤモンドの粒度；＃４００、ダイヤモン
ド含有量３５質量％から直径１ｍｍ、長さ３ｍｍ、含有
しているダイヤモンドの粒度；＃８００、ダイヤモンド
含有量３０質量％に変更する以外は例６と同様にした。
その結果、例６と同様に、溝の形状精度を損なうことな
く、前記先端部分に曲率半径約１ｍｍのＲ面取りの自動
加工できることが確認された。
ン樹脂ファイバ１２を直径０．６ｍｍ、長さ３ｍｍ、含
有しているダイヤモンドの粒度；＃４００、ダイヤモン
ド含有量３５質量％から直径１ｍｍ、長さ３ｍｍ、含有
しているダイヤモンドの粒度；＃８００、ダイヤモンド
含有量３０質量％に変更する以外は例６と同様にした。
その結果、例６と同様に、溝の形状精度を損なうことな
く、前記先端部分に曲率半径約１ｍｍのＲ面取りの自動
加工できることが確認された。
【００３９】［例８（実施例）］例６において、ナイロ
ン樹脂ファイバ１２を直径０．６ｍｍ、長さ３ｍｍ、含
有しているダイヤモンドの粒度；＃４００、ダイヤモン
ド含有量３５質量％から直径１ｍｍ、長さ３ｍｍ、含有
しているダイヤモンドの粒度；＃２４０、ダイヤモンド
含有量３５質量％に変更する以外は例６と同様にした。
その結果、例６と同様に前記先端部分に曲率半径約１ｍ
ｍのＲ面取りの自動加工できることが確認されたが、溝
の形状精度は例６よりやや劣っていた。
ン樹脂ファイバ１２を直径０．６ｍｍ、長さ３ｍｍ、含
有しているダイヤモンドの粒度；＃４００、ダイヤモン
ド含有量３５質量％から直径１ｍｍ、長さ３ｍｍ、含有
しているダイヤモンドの粒度；＃２４０、ダイヤモンド
含有量３５質量％に変更する以外は例６と同様にした。
その結果、例６と同様に前記先端部分に曲率半径約１ｍ
ｍのＲ面取りの自動加工できることが確認されたが、溝
の形状精度は例６よりやや劣っていた。
【００４０】
【発明の効果】本砥石を使用することにより複雑な形状
を有する被加工物の表面をならいながら鏡面に研磨でき
る。例えば、研摩面がウエハボートの溝部のような機械
的強度が低く、しかも複雑な形状部の表面であっても鏡
面に研磨できる。また、研磨時の加工負荷が小さいため
加工面へのダメージがない。さらに、本砥石を使用した
研磨方法は、ならい加工であるため研磨代が少なくてす
み、形状精度を維持しながら鏡面に研磨できる利点もあ
る。
を有する被加工物の表面をならいながら鏡面に研磨でき
る。例えば、研摩面がウエハボートの溝部のような機械
的強度が低く、しかも複雑な形状部の表面であっても鏡
面に研磨できる。また、研磨時の加工負荷が小さいため
加工面へのダメージがない。さらに、本砥石を使用した
研磨方法は、ならい加工であるため研磨代が少なくてす
み、形状精度を維持しながら鏡面に研磨できる利点もあ
る。
【００４１】研磨面がＣＶＤ蒸着面である場合であって
も、加工ダメージを与えることなく、しかも研摩代を少
なくして研摩できるため、ＣＶＤ膜厚を確保しながら鏡
面に研摩できる。その際、ＣＶＤ蒸着面に固有の問題で
ある突起を除去できるため、特に表面粗さＲｙを小さく
できる。したがって、特に、本砥石で加工したウエハボ
ートを使用することによりスリップ対策に効果がある。
も、加工ダメージを与えることなく、しかも研摩代を少
なくして研摩できるため、ＣＶＤ膜厚を確保しながら鏡
面に研摩できる。その際、ＣＶＤ蒸着面に固有の問題で
ある突起を除去できるため、特に表面粗さＲｙを小さく
できる。したがって、特に、本砥石で加工したウエハボ
ートを使用することによりスリップ対策に効果がある。
【００４２】さらに、本砥石を使用することにより溝を
形成する歯の先端部分に曲率半径０．２〜３ｍｍのＲ面
取りを自動加工で精度よくできる利点もある。
形成する歯の先端部分に曲率半径０．２〜３ｍｍのＲ面
取りを自動加工で精度よくできる利点もある。
【図１】ファイバ１２が砥石台金１１の片面に束状に直
接植毛されている本砥石１０の例。（ａ）は本砥石１０
の概略平面図。（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図。
接植毛されている本砥石１０の例。（ａ）は本砥石１０
の概略平面図。（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図。
【図２】ファイバ２２をワイヤ２７に植毛してブラシ２
８とし、該ブラシ２８を砥石台金２１の側面に固定して
ある本砥石２０の例。（ａ）は本砥石２０の概略平面
図。（ｂ）は（ａ）の断面図。
８とし、該ブラシ２８を砥石台金２１の側面に固定して
ある本砥石２０の例。（ａ）は本砥石２０の概略平面
図。（ｂ）は（ａ）の断面図。
【図３】図２と同様のブラシ３８を砥石台金３１の側面
と溝に固定してある本砥石３０の例。
と溝に固定してある本砥石３０の例。
【図４】図１の構成と図３の構成とを複合させた本砥石
４０の例。（ａ）は本砥石４０の概略平面図。（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ断面図。
４０の例。（ａ）は本砥石４０の概略平面図。（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ断面図。
【図５】実施例で使用した溝入りサンプルの概略図。
１１、２１、３１、４１：砥石台金
１２、２２、３２、４２：ファイバ
３３、４３：砥石台金に形成した溝
４：サンプル
５：櫛の歯状部
１６、４６：小孔
２７、４７：ワイヤ
２８、４８：ブラシ
１０、２０、３０、４０：本砥石
Claims (9)
- 【請求項１】砥石台金にダイヤモンド入り樹脂ファイバ
がブラシ状に植毛されていることを特徴とする研磨用砥
石。 - 【請求項２】前記ダイヤモンド入り樹脂ファイバの少く
とも一部が束状で植毛されている請求項１記載の研磨用
砥石。 - 【請求項３】前記ダイヤモンドの粒度がＪＩＳ Ｒ６０
０１で規定される＃４００〜＃３０００である請求項１
または２記載の研磨用砥石。 - 【請求項４】前記樹脂ファイバがナイロン樹脂製であ
り、かつナイロン樹脂ファイバの直径が０．１〜１．５
ｍｍである請求項３記載の研磨用砥石。 - 【請求項５】前記ナイロン樹脂ファイバの長さが０．５
〜１０ｍｍである請求項４記載の研磨用砥石。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載された研磨
用砥石を使用して研摩することを特徴とする研磨方法。 - 【請求項７】研磨面の表面粗さＲｙを５μｍ以下にする
請求項６記載の研磨方法。 - 【請求項８】請求項７記載の研磨方法でウエハボートの
溝部を研磨することを特徴とするウエハボートの研磨方
法。 - 【請求項９】請求項７記載の研磨方法でウエハボードの
溝部を形成する歯の先端部分を曲率半径０．２〜３ｍｍ
にＲ面取りしながら研磨することを特徴とするウエハボ
ードの研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002120803A JP2003011070A (ja) | 2001-04-25 | 2002-04-23 | 研磨用砥石およびそれを利用した研磨方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-127978 | 2001-04-25 | ||
| JP2001127978 | 2001-04-25 | ||
| JP2002120803A JP2003011070A (ja) | 2001-04-25 | 2002-04-23 | 研磨用砥石およびそれを利用した研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003011070A true JP2003011070A (ja) | 2003-01-15 |
Family
ID=26614208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002120803A Pending JP2003011070A (ja) | 2001-04-25 | 2002-04-23 | 研磨用砥石およびそれを利用した研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003011070A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012205864A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Minoru Muroie | 回転ブラシ及び作業機 |
| JP2018104737A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | クアーズテック株式会社 | 縦型ウエハボートの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135744U (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-05 | トヨタ自動車株式会社 | バリ取り用ブラシ |
| JPS63764U (ja) * | 1986-06-17 | 1988-01-06 | ||
| JPH091466A (ja) * | 1995-06-14 | 1997-01-07 | Nippon Unit Kk | カップ型ブラシ |
| JPH11126755A (ja) * | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体熱処理用ボートの製造方法 |
-
2002
- 2002-04-23 JP JP2002120803A patent/JP2003011070A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6135744U (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-05 | トヨタ自動車株式会社 | バリ取り用ブラシ |
| JPS63764U (ja) * | 1986-06-17 | 1988-01-06 | ||
| JPH091466A (ja) * | 1995-06-14 | 1997-01-07 | Nippon Unit Kk | カップ型ブラシ |
| JPH11126755A (ja) * | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体熱処理用ボートの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012205864A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Minoru Muroie | 回転ブラシ及び作業機 |
| JP2018104737A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | クアーズテック株式会社 | 縦型ウエハボートの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW567547B (en) | Semiconductor wafer with improved flatness, and process for producing the semiconductor wafer | |
| US11781244B2 (en) | Seed crystal for single crystal 4H—SiC growth and method for processing the same | |
| JP6912511B2 (ja) | 面取り炭化ケイ素基板および面取り方法 | |
| US6811469B2 (en) | Grinding wheel for polishing and polishing method employing it | |
| JP3494554B2 (ja) | 半導体用治具およびその製造方法 | |
| JP4900622B2 (ja) | 研磨ブラシ | |
| US20070254566A1 (en) | Contoured CMP pad dresser and associated methods | |
| EP0887152A2 (en) | Carrier for double-side polishing | |
| TWI282754B (en) | Grinding wheel | |
| US20140154956A1 (en) | Pad Conditioning and Wafer Retaining Ring and Manufacturing Method Thereof | |
| CN100344410C (zh) | 化学－机械抛光软垫的修磨器及其制造方法 | |
| JP2009066689A (ja) | 固定砥粒ワイヤーソー | |
| JP2001196334A (ja) | 多数の半導体ウェーハの製造法 | |
| TW200805474A (en) | Method of producing group 3 nitride substrate wafers and group 3 nitride substrate wafers | |
| JP2006181701A (ja) | 電着ワイヤ工具およびその製造方法 | |
| CN101767315B (zh) | 延长化学机械抛光垫修整器的使用寿命的方法 | |
| JP2011143477A (ja) | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 | |
| JPH0760643A (ja) | ダイヤモンドドレッシングギヤ | |
| JP2000152823A (ja) | ブラシ用毛材 | |
| JPH10138120A (ja) | ドレッシング用治具 | |
| JP2010209371A (ja) | 炭素膜被覆部材、炭素膜の形成方法及びｃｍｐパッドコンディショナー | |
| KR101177558B1 (ko) | Ｃｍｐ 패드 컨디셔너 및 그 제조방법 | |
| JP2003094332A (ja) | Ｃｍｐコンディショナ | |
| JP3609067B2 (ja) | Ｃｍｐ加工用パッドコンディショナー | |
| JP2004025400A (ja) | ディスク状砥石 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050421 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071225 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080222 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080805 |