JP2003012394A - シリコンインゴット成長装置 - Google Patents
シリコンインゴット成長装置Info
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン成長装置の駆動軸を改良して溶融シ
リコン内の温度勾配を緩和させることにより、単結晶イ
ンゴット（シリコンインゴット）の品質を向上させるシ
リコンインゴット成長装置を提供する。 【解決手段】 石英るつぼを安着させる黒鉛るつぼと、
黒鉛るつぼの下部に結合されて黒鉛るつぼを回転させる
とともに上下に移動できるように支持する駆動軸４６
と、黒鉛るつぼを加熱するための加熱手段と、黒鉛るつ
ぼ、加熱手段、及び駆動軸の一部を外部環境と熱的に遮
断するための断熱壁とを備えたシリコンインゴット成長
装置であって、駆動軸４６が、中央に空洞２１が形成さ
れた空洞軸部２６と、この空洞軸部２６の下端に取り付
けられて熱伝達を抑制するための断熱軸部２５と、この
断熱軸部２５の下端に取り付けられた円柱軸部２７とを
含んでなる。
リコン内の温度勾配を緩和させることにより、単結晶イ
ンゴット（シリコンインゴット）の品質を向上させるシ
リコンインゴット成長装置を提供する。 【解決手段】 石英るつぼを安着させる黒鉛るつぼと、
黒鉛るつぼの下部に結合されて黒鉛るつぼを回転させる
とともに上下に移動できるように支持する駆動軸４６
と、黒鉛るつぼを加熱するための加熱手段と、黒鉛るつ
ぼ、加熱手段、及び駆動軸の一部を外部環境と熱的に遮
断するための断熱壁とを備えたシリコンインゴット成長
装置であって、駆動軸４６が、中央に空洞２１が形成さ
れた空洞軸部２６と、この空洞軸部２６の下端に取り付
けられて熱伝達を抑制するための断熱軸部２５と、この
断熱軸部２５の下端に取り付けられた円柱軸部２７とを
含んでなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンインゴット
成長装置に係り、特にシリコンインゴットを成長させる
ための装置において黒鉛るつぼの駆動軸を改良したシリ
コンインゴット成長装置に関する。
成長装置に係り、特にシリコンインゴットを成長させる
ための装置において黒鉛るつぼの駆動軸を改良したシリ
コンインゴット成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体回路素子の発達に伴って、最近は
高集積度の回路素子を生産するために欠陥のない完璧な
ウェーハが望まれている。
高集積度の回路素子を生産するために欠陥のない完璧な
ウェーハが望まれている。
【０００３】このような高品質のシリコンウェーハを生
産するためには、やはり高品質の単結晶インゴット（シ
リコンインゴット）が生産されなければならない。
産するためには、やはり高品質の単結晶インゴット（シ
リコンインゴット）が生産されなければならない。
【０００４】この単結晶インゴットを成長させる装置と
しては、チョクラルスキー成長方法を用いた装置が広く
知られている。図３は、このような従来技術に係るシリ
コンインゴット成長装置の断面図であって、インゴット
成長時の温度分布を示す図である。
しては、チョクラルスキー成長方法を用いた装置が広く
知られている。図３は、このような従来技術に係るシリ
コンインゴット成長装置の断面図であって、インゴット
成長時の温度分布を示す図である。
【０００５】図３に示すように、従来のシリコンインゴ
ット成長装置は、溶融シリコン３４を入れる石英るつぼ
（石英高温容器）３２を安着させる（設置する）黒鉛る
つぼ（黒鉛高温容器）３３と、この黒鉛るつぼ３３の下
部に結合されて黒鉛るつぼ３３を回転させるとともに上
下に移動できるように支持する駆動軸３６と、黒鉛るつ
ぼ３３を加熱するための加熱手段３５と、黒鉛るつぼ３
３、加熱手段３５、及び駆動軸３６の一部を外部環境と
熱的に遮断するための断熱壁３７と、これらを保護する
ための外函３８とを含んでなる。図３の点線は、温度分
布を表示するための等温線である。
ット成長装置は、溶融シリコン３４を入れる石英るつぼ
（石英高温容器）３２を安着させる（設置する）黒鉛る
つぼ（黒鉛高温容器）３３と、この黒鉛るつぼ３３の下
部に結合されて黒鉛るつぼ３３を回転させるとともに上
下に移動できるように支持する駆動軸３６と、黒鉛るつ
ぼ３３を加熱するための加熱手段３５と、黒鉛るつぼ３
３、加熱手段３５、及び駆動軸３６の一部を外部環境と
熱的に遮断するための断熱壁３７と、これらを保護する
ための外函３８とを含んでなる。図３の点線は、温度分
布を表示するための等温線である。
【０００６】図１は、従来技術に係るシリコンインゴッ
ト成長装置に用いる駆動軸を示す断面図である。図１に
示すように、従来の単結晶インゴット（シリコンインゴ
ット）成長装置は駆動軸１０（３５）を用いている。こ
の駆動軸１０の上部軸は黒鉛柱を加工して作製するが、
上部には空洞１１を形成して黒鉛るつぼ３３と結合され
るサポートボード１２を作っている。そして、駆動軸１
０の下部は、円柱形にして回転手段が軸回転自在に結合
され、また上下移動手段（例：シリンダー）が上下移動
可能に結合できるようになっている（図示せず）。
ト成長装置に用いる駆動軸を示す断面図である。図１に
示すように、従来の単結晶インゴット（シリコンインゴ
ット）成長装置は駆動軸１０（３５）を用いている。こ
の駆動軸１０の上部軸は黒鉛柱を加工して作製するが、
上部には空洞１１を形成して黒鉛るつぼ３３と結合され
るサポートボード１２を作っている。そして、駆動軸１
０の下部は、円柱形にして回転手段が軸回転自在に結合
され、また上下移動手段（例：シリンダー）が上下移動
可能に結合できるようになっている（図示せず）。
【０００７】従来のシリコンインゴット成長装置に用い
る駆動軸１０（３５）の役割は、溶融シリコン３４を入
れたるつぼを支持しながら回転させたり、上下に移動さ
せたりすることである。このような単純回転用としてデ
ザインされた駆動軸１０を採用した結晶成長システムで
は、駆動軸１０とチャンバー内の冷却システムとが近接
する地点で発生する速い熱伝達に従属するので、外部環
境の変化による不安定性を引き起こすという問題があ
る。また、駆動軸１０により生じる熱損失のため、駆動
軸１０が支持している溶融シリコン３４内の温度勾配が
大きくなり、結晶の品質が低下するという問題が発生す
る。
る駆動軸１０（３５）の役割は、溶融シリコン３４を入
れたるつぼを支持しながら回転させたり、上下に移動さ
せたりすることである。このような単純回転用としてデ
ザインされた駆動軸１０を採用した結晶成長システムで
は、駆動軸１０とチャンバー内の冷却システムとが近接
する地点で発生する速い熱伝達に従属するので、外部環
境の変化による不安定性を引き起こすという問題があ
る。また、駆動軸１０により生じる熱損失のため、駆動
軸１０が支持している溶融シリコン３４内の温度勾配が
大きくなり、結晶の品質が低下するという問題が発生す
る。
【０００８】図３に示したように、かかる駆動軸１０
（３５）を結合した従来の成長装置は、実際、単結晶イ
ンゴット（シリコンインゴット）３１を成長させると
き、駆動軸１０により生じる熱損失が大きいので、シリ
コン溶融炉内の温度勾配が大きくなる。この温度勾配
は、成長する単結晶インゴット３１の品質にそのまま反
映されるので、極めて重要な工程管理要素とされる。の
みならず、駆動軸１０を通して流れる熱量は、熱効率を
低下させる原因として作用する場合もある。
（３５）を結合した従来の成長装置は、実際、単結晶イ
ンゴット（シリコンインゴット）３１を成長させると
き、駆動軸１０により生じる熱損失が大きいので、シリ
コン溶融炉内の温度勾配が大きくなる。この温度勾配
は、成長する単結晶インゴット３１の品質にそのまま反
映されるので、極めて重要な工程管理要素とされる。の
みならず、駆動軸１０を通して流れる熱量は、熱効率を
低下させる原因として作用する場合もある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のシ
リコンインゴット成長装置では、駆動軸１０（３５）の
熱損失が大きいので、シリコン溶融炉内の温度勾配が大
きくなり、成長する単結晶インゴット（シリコンインゴ
ット）３１の品質にそのまま反映して極めて重要な工程
管理要素になっていたとともに、この駆動軸１０を通し
て流れる熱量は熱効率を低下させる原因として作用して
しまうという不具合があった。本発明はこのような課題
を解決し、シリコン成長装置の駆動軸を改良して溶融シ
リコン内の温度勾配を緩和させることにより、単結晶イ
ンゴット（シリコンインゴット）の品質を向上させるシ
リコンインゴット成長装置を提供することを目的とす
る。
リコンインゴット成長装置では、駆動軸１０（３５）の
熱損失が大きいので、シリコン溶融炉内の温度勾配が大
きくなり、成長する単結晶インゴット（シリコンインゴ
ット）３１の品質にそのまま反映して極めて重要な工程
管理要素になっていたとともに、この駆動軸１０を通し
て流れる熱量は熱効率を低下させる原因として作用して
しまうという不具合があった。本発明はこのような課題
を解決し、シリコン成長装置の駆動軸を改良して溶融シ
リコン内の温度勾配を緩和させることにより、単結晶イ
ンゴット（シリコンインゴット）の品質を向上させるシ
リコンインゴット成長装置を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため本発明は、石英るつぼを安着させる黒鉛るつぼと、
黒鉛るつぼの下部に結合されて黒鉛るつぼを回転させる
とともに上下に移動できるように支持する駆動軸と、黒
鉛るつぼを加熱するための加熱手段と、黒鉛るつぼ、加
熱手段、及び駆動軸の一部を外部環境と熱的に遮断する
ための断熱壁とを備えたシリコンインゴット成長装置に
おいて、駆動軸が、中央に空洞が形成された空洞軸部
と、この空洞軸部の下端に取り付けられて熱伝達を抑制
するための断熱軸部と、この断熱軸部の下端に取り付け
られた円柱軸部とを含んでなる。
ため本発明は、石英るつぼを安着させる黒鉛るつぼと、
黒鉛るつぼの下部に結合されて黒鉛るつぼを回転させる
とともに上下に移動できるように支持する駆動軸と、黒
鉛るつぼを加熱するための加熱手段と、黒鉛るつぼ、加
熱手段、及び駆動軸の一部を外部環境と熱的に遮断する
ための断熱壁とを備えたシリコンインゴット成長装置に
おいて、駆動軸が、中央に空洞が形成された空洞軸部
と、この空洞軸部の下端に取り付けられて熱伝達を抑制
するための断熱軸部と、この断熱軸部の下端に取り付け
られた円柱軸部とを含んでなる。
【００１１】ここで、断熱軸部は異方性断熱材から作ら
れ、空洞軸部と円柱軸部とは黒鉛材質から作られる。そ
して、駆動軸の上下移動時に断熱壁とほぼ対応する位置
に断熱軸部を位置させる。
れ、空洞軸部と円柱軸部とは黒鉛材質から作られる。そ
して、駆動軸の上下移動時に断熱壁とほぼ対応する位置
に断熱軸部を位置させる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、図２及び図４を参照しつ
つ、本発明によるシリコンインゴット成長装置の実施の
形態を詳細に説明する。図２は、本発明に係るシリコン
インゴット成長装置に用いる駆動軸を示す断面図であ
る。また、図４は、本発明に係るシリコンインゴット成
長装置の断面図であって、インゴット成長時の温度分布
を示す図である。本発明によるシリコンインゴット成長
装置の実施形態は、図４に示すよに、溶融シリコン４４
を入れる石英るつぼ（石英高温容器）４２を安着させる
（設置する）黒鉛るつぼ（黒鉛高温容器）４３と、この
黒鉛るつぼ４３の下部に結合されて黒鉛るつぼ３４を回
転させるとともに上下に移動できるように支持する駆動
軸４６と、黒鉛るつぼ４３を加熱するための加熱手段４
５と、黒鉛るつぼ４３、加熱手段４５、及び駆動軸４６
の一部を外部環境と熱的に遮断するための断熱壁４７と
を備えており、これらを保護するための外函４８で取り
囲まれている。図４に示した点線は温度分布を表示する
ための等温線である。
つ、本発明によるシリコンインゴット成長装置の実施の
形態を詳細に説明する。図２は、本発明に係るシリコン
インゴット成長装置に用いる駆動軸を示す断面図であ
る。また、図４は、本発明に係るシリコンインゴット成
長装置の断面図であって、インゴット成長時の温度分布
を示す図である。本発明によるシリコンインゴット成長
装置の実施形態は、図４に示すよに、溶融シリコン４４
を入れる石英るつぼ（石英高温容器）４２を安着させる
（設置する）黒鉛るつぼ（黒鉛高温容器）４３と、この
黒鉛るつぼ４３の下部に結合されて黒鉛るつぼ３４を回
転させるとともに上下に移動できるように支持する駆動
軸４６と、黒鉛るつぼ４３を加熱するための加熱手段４
５と、黒鉛るつぼ４３、加熱手段４５、及び駆動軸４６
の一部を外部環境と熱的に遮断するための断熱壁４７と
を備えており、これらを保護するための外函４８で取り
囲まれている。図４に示した点線は温度分布を表示する
ための等温線である。
【００１３】ここで、本発明によるシリコンインゴット
成長装置に用いる駆動軸４６は、図２に示すように、中
央に空洞２１が形成された空洞軸部２６と、この空洞軸
部２６の下端に取り付けられて熱伝達を抑制するための
断熱軸部２５と、この断熱軸部２５の下端に取り付けら
れた円柱軸部２７とを含んでなる。また、駆動軸４６
は、上部に黒鉛るつぼ４３と結合するサポートボド２２
を備えている。
成長装置に用いる駆動軸４６は、図２に示すように、中
央に空洞２１が形成された空洞軸部２６と、この空洞軸
部２６の下端に取り付けられて熱伝達を抑制するための
断熱軸部２５と、この断熱軸部２５の下端に取り付けら
れた円柱軸部２７とを含んでなる。また、駆動軸４６
は、上部に黒鉛るつぼ４３と結合するサポートボド２２
を備えている。
【００１４】ここで、断熱軸部２５は異方性断熱材から
作られ、空洞軸部２６と円柱軸部２７とは黒鉛材質から
作られる。
作られ、空洞軸部２６と円柱軸部２７とは黒鉛材質から
作られる。
【００１５】この断熱軸部２５は、多数の異方性断熱材
ディスクを重ねて作製したもので、断熱特性を極大化さ
せる。ディスクを重ねる時、材料の方向を交互に切り換
えてディスク間の熱伝達を最大限抑制する。異方性断熱
材をこのように重ねると、等方性断熱材に比べて熱伝導
率がほぼ１０分の１に減る。この断熱軸部２５は、駆動
軸４６の上下移動時に断熱壁４７とほぼ対応する位置に
位置させたほうが良い。
ディスクを重ねて作製したもので、断熱特性を極大化さ
せる。ディスクを重ねる時、材料の方向を交互に切り換
えてディスク間の熱伝達を最大限抑制する。異方性断熱
材をこのように重ねると、等方性断熱材に比べて熱伝導
率がほぼ１０分の１に減る。この断熱軸部２５は、駆動
軸４６の上下移動時に断熱壁４７とほぼ対応する位置に
位置させたほうが良い。
【００１６】また、空洞軸部２６は、黒鉛材質からなる
円柱に空洞２１を形成したもので、この空洞２１の直径
は空洞軸部２６の全径の３０％以上とする。好ましく
は、空洞軸部２６の全径の５０％〜７０％としたほうが
良い。空洞２１が大きくなればなるほど熱伝導部位が減
るので、下部に排出される熱を最大限抑制することによ
り、空洞軸部２６の温度勾配を下げる。従って、上部の
溶融シリコン４４の温度勾配も小さくなる。この際、空
洞２１の寸法は、機械的な安定性を害しない限度内でで
きる限り大きくしたほうが良い。
円柱に空洞２１を形成したもので、この空洞２１の直径
は空洞軸部２６の全径の３０％以上とする。好ましく
は、空洞軸部２６の全径の５０％〜７０％としたほうが
良い。空洞２１が大きくなればなるほど熱伝導部位が減
るので、下部に排出される熱を最大限抑制することによ
り、空洞軸部２６の温度勾配を下げる。従って、上部の
溶融シリコン４４の温度勾配も小さくなる。この際、空
洞２１の寸法は、機械的な安定性を害しない限度内でで
きる限り大きくしたほうが良い。
【００１７】このように構成された本発明によるシリコ
ンインゴット成長装置は、図４に示したシ単結晶インゴ
ット（シリコンインゴット）４１を成長させる工程が進
んでいるとき、加熱手段４５で発生した熱が黒鉛るつぼ
４３に加えられ、この熱は駆動軸４６にも伝達される。
そして、駆動軸４６は、断熱壁４７の内部から外部にか
けて位置しており、断熱壁４７外部の駆動手段（図示せ
ず）と結合されている。ここで、断熱壁内部の温度と断
熱壁外部の温度との差は非常に大きいので（１０００℃
以上）、万一、駆動軸４６が本実施形態のような熱絶縁
体になっていなければ、多くの熱量が駆動軸４６を通し
て断熱壁４７の外部へ移動（放熱）してしまう恐れがあ
る。本実施形態の駆動軸４６では、異方性断熱材で空洞
軸部２６と円柱軸部２７とを連結しているので、大部分
の熱の流れがこの断熱軸部２５で遮断され、熱の流れが
少なくなる。
ンインゴット成長装置は、図４に示したシ単結晶インゴ
ット（シリコンインゴット）４１を成長させる工程が進
んでいるとき、加熱手段４５で発生した熱が黒鉛るつぼ
４３に加えられ、この熱は駆動軸４６にも伝達される。
そして、駆動軸４６は、断熱壁４７の内部から外部にか
けて位置しており、断熱壁４７外部の駆動手段（図示せ
ず）と結合されている。ここで、断熱壁内部の温度と断
熱壁外部の温度との差は非常に大きいので（１０００℃
以上）、万一、駆動軸４６が本実施形態のような熱絶縁
体になっていなければ、多くの熱量が駆動軸４６を通し
て断熱壁４７の外部へ移動（放熱）してしまう恐れがあ
る。本実施形態の駆動軸４６では、異方性断熱材で空洞
軸部２６と円柱軸部２７とを連結しているので、大部分
の熱の流れがこの断熱軸部２５で遮断され、熱の流れが
少なくなる。
【００１８】従って、ホットゾーンと石英るつぼ４２内
の溶融シリコン４４の温度勾配が小さくなり、温度分布
も均一化され、図４に示した成長する単結晶インゴット
（シリコンインゴット）４１の品質が向上する。
の溶融シリコン４４の温度勾配が小さくなり、温度分布
も均一化され、図４に示した成長する単結晶インゴット
（シリコンインゴット）４１の品質が向上する。
【００１９】
【発明の効果】このように本発明によるシリコンインゴ
ット成長装置によれば、従来の成長装置より熱損失が少
ないので熱効率が高くなり、石英るつぼ内の溶融シリコ
ンの温度勾配が小さくなるとともに、温度分布が改善さ
れることにより、単結晶インゴット（シリコンインゴッ
ト）の欠陥発生率を大きく改善することができる。
ット成長装置によれば、従来の成長装置より熱損失が少
ないので熱効率が高くなり、石英るつぼ内の溶融シリコ
ンの温度勾配が小さくなるとともに、温度分布が改善さ
れることにより、単結晶インゴット（シリコンインゴッ
ト）の欠陥発生率を大きく改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術に係るシリコンインゴット成長装置に
用いる駆動軸を示す断面図。
用いる駆動軸を示す断面図。
【図２】本発明に係るシリコンインゴット成長装置に用
いる駆動軸を示す断面図。
いる駆動軸を示す断面図。
【図３】従来技術に係るシリコンインゴット成長装置の
断面図であって、インゴット成長時の温度分布を示す
図。
断面図であって、インゴット成長時の温度分布を示す
図。
【図４】本発明に係るシリコンインゴット成長装置の断
面図であって、インゴット成長時の温度分布を示す図。
面図であって、インゴット成長時の温度分布を示す図。
２１ 空洞
２２ サポートボード
２５ 断熱軸部
２６ 空洞軸部
２７ 円柱軸部
４１ 単結晶インゴット
４２ 石英るつぼ
４３ 黒鉛るつぼ
４４ 溶融シリコン
４５ 加熱手段
４６ 駆動軸
４７ 加熱壁
４８ 外函
フロントページの続き
(72)発明者 崔 ▲ジョン▼ 榮
大韓民国 キョンサンブクドー チルゴク
グン セオジェオクミョン ナミュルリ
ウーバンシンチェオンジタウン 101−507
(72)発明者 趙 鉉 鼎
大韓民国 キョンギドー ブチェオンシ
ウォンミグ サンドン ハナレウム アパ
ート 1510−9757
Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BA04 CF10 EG25 PD12
Claims (7)
- 【請求項１】 石英るつぼを安着させる黒鉛るつぼと、 前記黒鉛るつぼの下部に結合され、黒鉛るつぼを回転さ
せるとともに上下に移動できるように支持する駆動軸
と、 前記黒鉛るつぼを加熱するための加熱手段と、 前記黒鉛るつぼ、加熱手段、及び駆動軸の一部を外部環
境と熱的に遮断するための断熱壁とを備えたシリコンイ
ンゴット成長装置において、 前記駆動軸が、中央に空洞が形成された空洞軸部と、こ
の空洞軸部の下端に取り付けられて熱伝達を抑制するた
めの断熱軸部と、この断熱軸部の下端に取り付けられた
円柱軸部とを含んでなることを特徴とするシリコンイン
ゴット成長装置。 - 【請求項２】 前記断熱軸部は、異方性断熱材から作ら
れたことを特徴とする請求項１記載のシリコンインゴッ
ト成長装置。 - 【請求項３】 前記空洞軸部と円柱軸部とは黒鉛材質か
ら作られ、前記空洞軸部に形成された空洞の直径は前記
空洞軸部の全径の３０％以上であることを特徴とする請
求項１記載のシリコンインゴット成長装置。 - 【請求項４】 前記空洞軸部に形成された空洞の直径
は、前記空洞軸部の全径の５０％〜７０％であることを
特徴とする請求項３記載のシリコンインゴット成長装
置。 - 【請求項５】 前記駆動軸の上下移動時に断熱壁とほぼ
対応する位置に断熱軸部を位置させることを特徴とする
請求項１記載のシリコンインゴット成長装置。 - 【請求項６】 前記断熱軸部は、複数の異方性断熱材デ
ィスクを重ねて作製することを特徴とする請求項２記載
のシリコンインゴット成長装置。 - 【請求項７】 前記断熱軸部は、ディスクを重ねる時、
異方性断熱材材質の方向を交互に切り換えることを特徴
とする請求項３記載のシリコンインゴット成長装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010034143A KR20020096097A (ko) | 2001-06-16 | 2001-06-16 | 실리콘 잉곳 성장 장치 |
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