JP2003012890A - 封止用樹脂組成物および電子部品封止装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物および電子部品封止装置Info
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Abstract
化アンチモンを含有しない、リン−窒素化合物の純度の
調整により、難燃性、成形性、連続生産性、信頼性のよ
い封止用樹脂組成物および電子部品封止装置を提供す
る。 【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹
脂、(C)95℃、24時間抽出したときの塩素イオン
濃度が50ppm以下のホスファゼン化合物および
(D)無機充填剤を必須成分とし、樹脂組成物全体に対
して、前記(C)のホスファゼン化合物をリン含有率で
0.05〜1重量%、また前記(D)無機充填剤を60
〜95重量%の割合で、それぞれ含有してなることを特
徴とする封止用樹脂組成物である。また、この封止用樹
脂組成物の硬化物によって電子部品を封止してなる電子
部品封止装置である。
Description
(塩素原子または臭素原子を含む化合物)および金属酸
化物(三酸化アンチモンなど)を添加することなしに、
優れた難燃性を有し、また、成形性、信頼性に優れた、
封止用樹脂組成物および電子部品封止装置に関する。
性をもたせることが一般的であり、難燃化の処方とし
て、ハロゲン化合物および金属酸化物を単独もしくは併
用することで難燃効果を現している。具体的には、臭素
化エポキシ樹脂と三酸化アンチモンの組合せが一般的で
ある。しかし、封止用樹脂組成物の難燃効果を現すため
に添加されるハロゲン化合物、特に臭素化エポキシ樹
脂、およびその難燃効果を助けるために添加されている
金属酸化物、特に三酸化アンチモンは、いずれも電子部
品装置の信頼性を低下させるという欠点があった。それ
ばかりか、最近では環境への悪影響も指摘されている。
ゲン化合物および金属酸化物を含有しない封止用樹脂組
成物の開発が強く要望されており、その代替材として、
リン系難燃剤および金属水和物などの検討が広く進めら
れている。しかし、リン系難燃剤の多くはリン酸エステ
ル系のもので、難燃効果が得られても、加水分解により
発生するリン酸が、電子部品封止装置の耐湿信頼性を低
下させる原因となってしまい、十分な信頼性を確保する
ことができない。また、金属水和物についても十分な成
形性が確保できないばかりか、それによる吸湿特性の劣
化は、半導体封止装置の信頼性を大きく低下させてしま
う欠点があった。
物を含有しない封止用樹脂組成物であって、しかも成形
性、耐湿性および信頼性に優れたものの開発が強く要望
されてきた。
解消し、上記要望に応えるためになされたもので、ハロ
ゲン(塩素、臭素)化合物および三酸化アンチモンを含
有せず、原料に塩化リンを使用しているホスファゼン化
合物(リン−窒素系難燃剤)中の塩素濃度に着眼し、9
5℃で24時間抽出したときの塩素イオン濃度が50p
pm以下であるホスファゼン化合物の使用により、十分
な難燃性を付与しつつ、成形性、連続生産性および信頼
性のよい、封止用樹脂組成物および電子部品封止装置を
提供しようとするものである。
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物に、
ホスファゼン化合物を配合することにより、十分な難燃
性を確保し、ホスファゼン化合物が含有する不純物イオ
ンの量、特にホスファゼン化合物中の塩素イオン濃度を
95℃で24時間抽出したときに50ppm以下に調整
することで、十分な難燃性、成形性、連続生産性および
信頼性が向上し、上記目的が達成されることを見いだ
し、本発明を完成させたものである。
(B)フェノール樹脂、(C)95℃で24時間抽出し
たときのホスファゼン化合物中塩素イオン濃度が50p
pm以下であるホスファゼン化合物および(D)無機充
填剤を必須成分とし、前記(C)のホスファゼン化合物
を、樹脂組成物全体に対するリン含有率が0.05〜1
重量%となる量で、また前記(D)無機充填剤を、樹脂
組成物全体に対して60〜95重量%の割合で、それぞ
れ含有してなることを特徴とする封止用樹脂組成物であ
る。また、この封止用樹脂組成物の硬化物によって、電
子部品を封止してなることを特徴とする電子部品封止装
置である。
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも2個有する化
合物である限り、分子構造および分子量など特に制限な
く、一般に封止用材料として使用されるものを広く包含
することができる。例えば、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビ
フェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型等の芳香
族系、ジシクロペンタジエン誘導体等の脂肪族系の化合
物が挙げられ、これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは
2種類以上混合して用いることができる。
ては、前記(A)のエポキシ樹脂と反応し得るフェノー
ル性水酸基を2個以上有する化合物であれば、特に制限
なく、一般に封止用材料として使用されるものを広く包
含することができる。好ましくは、ノボラック型もしく
は芳香族変性型のフェノール樹脂等が挙げられる。具体
的には例えば、次の各一般式に示されるフェノール樹脂
が挙げられる。
らのフェノール樹脂は、単独もしくは2種類以上混合し
て用いることができる。
したエポキシ樹脂のエポキシ基(a)とフェノール樹脂
のフェノール性水酸基(b)との当量比(a)/(b)
の値が0.5〜2.0の範囲内であることが望ましい。
当量比が0.5未満あるいは2.0を超えると、耐湿
性、耐熱性、成形作業性および硬化物の電気特性が悪く
なり、いずれの場合も好ましくない。従って上記の範囲
内に限定するのがよい。
物としては、例えば次の一般式に示されるもので、環状
であっても鎖状であってもよい。
よく、水素原子、メチル基等のアルキル基、メトキシ基
等のアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基などを、
nは3〜25の整数を、それぞれ表す) 上記ホスファゼン化合物の不純物は、その原料の塩化リ
ンに起因するが、環状ホスファゼンと鎖状ホスファゼン
のうち、不純物の除去の観点から環状のフェノキシタイ
プが好ましく、耐熱性も良好である。
物の不純物調整方法としては、純水洗浄する方法の他、
有機溶剤中の結晶化、沈殿させ純水洗浄する等の方法で
調整することができる。(C)のホスファゼン化合物
は、95℃で24時間抽出したときホスファゼン化合物
中の塩素イオン濃度が50ppm以下であることが必要
である。この塩素イオン濃度の測定は、次のようになさ
れる。5gのホスファゼン化合物を50mlの純水で9
5℃、24時間の条件で抽出し、濾過後の抽出液をイオ
ンクロマトアナライザー:IC7000S(横川電気社
製)の標準操作により測定する。
ホスファゼン化合物の含有リンに基づく樹脂組成物中の
リン含有率が、0.05〜1重量%、好ましくは0.1
〜0.5重量%の割合で含有するように、調整すること
が望ましい。その割合が0.05重量%未満では、十分
な難燃性の効果が得られず、また1重量%を超えると成
形性、耐湿性が悪くなり実用に適さない。
は、シリカ粉末、アルミナ粉末、窒化ケイ素粉末、窒化
アルミ粉末、酸化チタン、ガラス繊維、ウィスカー等が
挙げられ、これらは、単独もしくは2種類以上混合して
用いることができる。これらのなかでも、溶融性シリカ
粉末や結晶性シリカ粉末を使用することが好ましい。
脂組成物に対して60〜95重量%の割合で含有するこ
とが望ましい。その割合が60重量%未満では、耐熱
性、信頼性が悪くなり、また、95重量%を超えると、
かさばりが大きくなり成形性に劣り実用に適さない。
(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)ホ
スファゼン化合物および(D)無機充填剤を必須成分と
するが、本発明の目的に反しない限度において、また必
要に応じて例えば、天然ワックス類、合成ワックス類、
エステル類等の離型剤、エラストマー等の低応力化成
分、カーボンブラック等の着色剤、シランカップリング
剤等の無機充填剤の処理剤、また、エポキシ樹脂とフェ
ノール樹脂の硬化反応を促進する種々の硬化促進剤など
を適宜、添加配合することができる。
て調製する場合の一般的な方法としては、前述したエポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ホスファゼン化合物、無機
充填剤およびその他の成分を配合し、ミキサー等によっ
て十分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混
合処理、またはニーダ等による混合処理を行い、次いで
冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とする
ことができる。こうして得られた成形材料は、半導体装
置をはじめとする電子部品あるいは電気部品の封止、被
覆、絶縁等に適用すれば、優れた特性と信頼性を付与さ
せることができる。
にして得られた封止用樹脂を用いて、電子部品を封止す
ることにより容易に製造することができる。封止の最も
一般的な方法としては、低圧トランスファー成形方があ
るが、射出成形、圧縮成形および注型などによる封止も
可能である。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬
化させ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止さ
れた電子部品封止装置が得られる。加熱による硬化は、
150℃以上に加熱して硬化させることが望ましい。封
止を行う電子部品としては、例えば、集積回路、大規模
集積回路、トランジスタ、サイリスタおよびダイオード
等で特に限定されるものではない。
装置は、前述したホスファゼン化合物の純度を調整する
ことにより、目的とする特性が得られるものである。即
ち、樹脂成分とホスファゼン化合物とが予備反応した樹
脂組成物は、十分な成形性を保ちながら、成形品に優れ
た難燃性を付与し、その化合物の安定性から電子部品封
止装置において耐湿性、信頼性を向上させることができ
る。
体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限
定されるものではない。以下の実施例および比較例にお
いて「%」とは「重量%」を意味する。
5XL(住友化学社製商品名、エポキシ当量198)1
2.6%に、ノボラック型フェノール樹脂のBRG−5
56(昭和高分子社製商品名、フェノール当量105)
6.7%、3、4核体のみを結晶化させ、95℃、24
時間で抽出される塩素イオン濃度を5ppm以下に調整
した、次式に示すフェノキシシクロホスファゼン4.7
%、
ェニルホスフィン等1.0%を配合し、常温で混合し、
さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕して成形
材料を製造した。
にトランスファー注入し、硬化させて成形品(封止品)
を成形した。この成形品について燃焼性、信頼性の試験
を行った。その結果を表1に示す。
5XL(住友化学社製商品名、エポキシ当量198)
9.8%に、ノボラック型フェノール樹脂のBRG−5
56(昭和高分子社製商品名、フェノール当量105)
5.2%、実施例1で用いたフェノキシシクロホスファ
ゼン4%、結晶シリカ粉末80%およびカルナバワック
ス、トリフェニルホスフィン等1.0%を配合し、常温
で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉
砕して成形材料を製造した。
にトランスファー注入し、硬化させて成形品(封止品)
を成形した。この成形品について燃焼性、信頼性の試験
を行った。その結果を表1に示す。
5XL(住友化学社製商品名、エポキシ当量198)1
2.6%に、ノボラック型フェノール樹脂のBRG−5
56(昭和高分子社製商品名、フェノール当量105)
6.7%、95℃、24時間で抽出される塩素イオン濃
度が55ppmの未調整の前記化4構造式フェノキシシ
クロホスファゼン4.7%、溶融シリカ粉末75%およ
びカルナバワックス、トリフェニルホスフィン等1.0
%を配合し、常温で混合し、さらに90〜95℃で混練
してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。
にトランスファー注入し、硬化させて成形品(封止品)
を成形した。この成形品について燃焼性、信頼性の試験
を行った。その結果を表1に示す。
5XL(住友化学社製商品名、エポキシ当量198)1
0%、臭素化エポキシ樹脂BREN−S(日本化薬社製
商品名、エポキシ当量270)2%、ノボラック型フェ
ノール樹脂のBRG−556(昭和高分子社製商品名、
フェノール当量105)6%、結晶シリカ粉末80%、
三酸化アンチモン1%およびカルナバワックス、トリフ
ェニルホスフィン等1.0%を配合し、常温で混合し、
さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕して成形
材料を製造した。
にトランスファー注入し、硬化させて成形品(封止品)
を成形した。この成形品について燃焼性、信頼性の試験
を行った。その結果を表1に示す。
8mmの成形品をつくり、175℃、8時間の後硬化の
後、UL−94V耐炎性試験規格に基づき燃焼性の試験
を行った。
を有するシリコン製チップ(テスト素子)を銅フレーム
に接着し、175℃で2分間トランスファー成形して、
DIP−14pinの成形品をつくり、175℃におい
て4時間後硬化させた後、200℃のオーブン中で高温
放置試験を行い、断線による通電不良の個数をカウント
して不良数とした。
を有するシリコン製チップ(テスト素子)を銅フレーム
に接着し、175℃で2分間トランスファー成形して、
DIP−14pinの成形品をつくり、175℃におい
て4時間後硬化させた後、127℃、2.5気圧の飽和
水蒸気中においてPCTを行い、断線による通電不良の
個数をカウントし不良数とした。
うに、本発明の封止用樹脂組成物および電子部品封止装
置は、耐燃焼性、信頼性に優れ、その結果、電極の断線
不良を著しく低減することができ、長期にわたる信頼性
を保証することができた。
Claims (4)
- 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール
樹脂、(C)95℃で24時間抽出したときホスファゼ
ン化合物中の塩素イオン濃度が50ppm以下であるホ
スファゼン化合物および(D)無機充填剤を必須成分と
し、前記(C)のホスファゼン化合物を、樹脂組成物全
体に対するリン含有率が0.05〜1重量%となる量
で、また前記(D)無機充填剤を、樹脂組成物全体に対
して60〜95重量%の割合で、それぞれ含有してなる
ことを特徴とする封止用樹脂組成物。 - 【請求項2】 (D)無機充填剤が、溶融性シリカ粉末
である請求項1記載の封止用樹脂組成物。 - 【請求項3】 (D)無機充填剤が、結晶性シリカ粉末
である請求項1記載の封止用樹脂組成物。 - 【請求項4】 請求項1〜3いずれか1項記載の封止用
樹脂組成物の硬化物によって、電子部品を封止してなる
ことを特徴とする電子部品封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201550A JP2003012890A (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | 封止用樹脂組成物および電子部品封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201550A JP2003012890A (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | 封止用樹脂組成物および電子部品封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003012890A true JP2003012890A (ja) | 2003-01-15 |
Family
ID=19038488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001201550A Pending JP2003012890A (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | 封止用樹脂組成物および電子部品封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003012890A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160086736A (ko) | 2015-01-12 | 2016-07-20 | 주식회사 엘지화학 | 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR20160087331A (ko) | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 주식회사 엘지화학 | 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR20160092903A (ko) | 2015-01-28 | 2016-08-05 | 주식회사 엘지화학 | 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR20160110257A (ko) | 2015-03-11 | 2016-09-21 | 주식회사 엘지화학 | 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR20160120609A (ko) | 2015-04-08 | 2016-10-18 | 주식회사 엘지화학 | 화합물을 포함하는 유기 전자 소자 |
| KR20160127693A (ko) | 2015-04-27 | 2016-11-04 | 주식회사 엘지화학 | 이중스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR20160127692A (ko) | 2015-04-27 | 2016-11-04 | 주식회사 엘지화학 | 이중스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR20160143558A (ko) | 2015-06-05 | 2016-12-14 | 주식회사 엘지화학 | 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자 |
| KR20170036602A (ko) | 2015-09-24 | 2017-04-03 | 주식회사 엘지화학 | 화합물 및 이를 포함하는 유기전자소자 |
| KR20170049440A (ko) | 2015-10-27 | 2017-05-10 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 |
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| JPH11100492A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
| JP2001151867A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
-
2001
- 2001-07-03 JP JP2001201550A patent/JP2003012890A/ja active Pending
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| KR20160092903A (ko) | 2015-01-28 | 2016-08-05 | 주식회사 엘지화학 | 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR20160110257A (ko) | 2015-03-11 | 2016-09-21 | 주식회사 엘지화학 | 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR20160120609A (ko) | 2015-04-08 | 2016-10-18 | 주식회사 엘지화학 | 화합물을 포함하는 유기 전자 소자 |
| KR20160127693A (ko) | 2015-04-27 | 2016-11-04 | 주식회사 엘지화학 | 이중스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
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