JP2003017252A - 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子の製造方法 - Google Patents
有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JP2003017252A JP2003017252A JP2001198051A JP2001198051A JP2003017252A JP 2003017252 A JP2003017252 A JP 2003017252A JP 2001198051 A JP2001198051 A JP 2001198051A JP 2001198051 A JP2001198051 A JP 2001198051A JP 2003017252 A JP2003017252 A JP 2003017252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting layer
- display element
- manufacturing
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示性能が良く、歩留りが高い高精細フルカ
ラーの有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子を安価
に製造することを可能にする。 【解決手段】 発光能を有する発光層１２が第１および
第２電極４，１４間に挟持された有機エレクトロ・ルミ
ネッセンス表示素子の製造方法において、発光層１２の
材料液を塗布し乾燥させて発光層を形成する際に、超音
波振動を与える。
ラーの有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子を安価
に製造することを可能にする。 【解決手段】 発光能を有する発光層１２が第１および
第２電極４，１４間に挟持された有機エレクトロ・ルミ
ネッセンス表示素子の製造方法において、発光層１２の
材料液を塗布し乾燥させて発光層を形成する際に、超音
波振動を与える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロ・
ルミネッセンス表示素子の製造方法に関する。
ルミネッセンス表示素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、一般的に用いられているフラット
パネル表示素子としては液晶表示素子が主流である。し
かし、液晶表示素子は、以下の点で問題を残す。 （１）視角が狭い。
パネル表示素子としては液晶表示素子が主流である。し
かし、液晶表示素子は、以下の点で問題を残す。 （１）視角が狭い。
【０００３】（２）バックライトを必要とするため表示
装置としての消費電力が大きい。
装置としての消費電力が大きい。
【０００４】（３）非常にかさばる。
【０００５】（４）応答速度が遅い。
【０００６】これらの問題点に関しては様々な試みが提
案されている。視角に関しては画素分割法式による高視
角化がなされているが工程数が増えることからコスト増
に繋がり得策とはいえない。また、視角補償板を表示面
側に貼ることも出来るが十分な視角は得られない。視角
と応答速度双方を解決する手段としてＭＶＡ型の表示方
式が提案されているが、焼き付き等の信頼性で問題を残
す。消費電力に関しては、低電圧駆動の液晶材料または
駆動回路双方からのアプローチが進められているが、限
界がある。
案されている。視角に関しては画素分割法式による高視
角化がなされているが工程数が増えることからコスト増
に繋がり得策とはいえない。また、視角補償板を表示面
側に貼ることも出来るが十分な視角は得られない。視角
と応答速度双方を解決する手段としてＭＶＡ型の表示方
式が提案されているが、焼き付き等の信頼性で問題を残
す。消費電力に関しては、低電圧駆動の液晶材料または
駆動回路双方からのアプローチが進められているが、限
界がある。
【０００７】これに対し、近年では、有機エレクトロ・
ルミネッセンス表示素子（以下、有機ＥＬ表示素子とも
いう）が上記問題を全て解決出来る表示素子として注目
されている。
ルミネッセンス表示素子（以下、有機ＥＬ表示素子とも
いう）が上記問題を全て解決出来る表示素子として注目
されている。
【０００８】この表示素子は自発光性素子であるため、
視角が広くかつ、自発光素子のためバックライトを必要
とせず薄型化が可能であるとともに応答速度が速いとい
う特徴がある。
視角が広くかつ、自発光素子のためバックライトを必要
とせず薄型化が可能であるとともに応答速度が速いとい
う特徴がある。
【０００９】有機ＥＬ表示素子には低分子材料を用いた
素子構成と、高分子材料を用いた素子構成とがある。何
れの場合も、隣接画素間の色分け（画素間の絶縁）を行
なうため、画素間に隔壁（バンク）を設けなければなら
ない。
素子構成と、高分子材料を用いた素子構成とがある。何
れの場合も、隣接画素間の色分け（画素間の絶縁）を行
なうため、画素間に隔壁（バンク）を設けなければなら
ない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、画素を取り囲
むようにバンクを設けると、その中に成膜される発光層
は画素中心部で膜厚が薄く、画素周辺部で膜厚が厚くな
る膜厚の不均一化現象が生じる。このような状態では、
乾燥の不均一化が発生し発光効率が悪くなる。
むようにバンクを設けると、その中に成膜される発光層
は画素中心部で膜厚が薄く、画素周辺部で膜厚が厚くな
る膜厚の不均一化現象が生じる。このような状態では、
乾燥の不均一化が発生し発光効率が悪くなる。
【００１１】他方で、シャドウマスクを用いた低分子材
料蒸着プロセスでは、高精細のシャドウマスク作製が困
難なため、液晶のような高精細表示素子としての製造が
難しく、エリアカラーにならざるをえない。
料蒸着プロセスでは、高精細のシャドウマスク作製が困
難なため、液晶のような高精細表示素子としての製造が
難しく、エリアカラーにならざるをえない。
【００１２】本発明は、上記問題を解決しようとするも
のであり、表示性能が良く、歩留りが高い高精細フルカ
ラーの有機ＥＬ表示素子を安価に製造することのできる
有機ＥＬ表示素子の製造方法を提供することを目的とす
る。
のであり、表示性能が良く、歩留りが高い高精細フルカ
ラーの有機ＥＬ表示素子を安価に製造することのできる
有機ＥＬ表示素子の製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明による有機ＥＬ表
示素子の製造方法は、発光能を有する発光層が第１およ
び第２電極間に挟持された有機ＥＬ表示素子の製造方法
において、前記発光層の材料液を塗布し乾燥させて前記
発光層を形成する際に、超音波振動を与えることを特徴
とする。
示素子の製造方法は、発光能を有する発光層が第１およ
び第２電極間に挟持された有機ＥＬ表示素子の製造方法
において、前記発光層の材料液を塗布し乾燥させて前記
発光層を形成する際に、超音波振動を与えることを特徴
とする。
【００１４】なお、超音波振動を与えながら２００℃以
下の熱を加えるも良い。
下の熱を加えるも良い。
【００１５】なお、１．０×１０−８以上１０パスカル
以下の圧力条件下において追加乾燥させるように構成し
ても良い。
以下の圧力条件下において追加乾燥させるように構成し
ても良い。
【００１６】なお、前記発光層の材料液はインクジェッ
ト方式またはスピンコート方式により塗布されるように
構成しても良い。
ト方式またはスピンコート方式により塗布されるように
構成しても良い。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明による有機ＥＬ表示
素子の製造方法の一実施形態を、図面を参照して説明す
る。図１は本実施形態の製造法の製造工程を示すフロー
チャート、図２は本実施形態によって製造される有機Ｅ
Ｌ表示素子の製造工程断面図である。
素子の製造方法の一実施形態を、図面を参照して説明す
る。図１は本実施形態の製造法の製造工程を示すフロー
チャート、図２は本実施形態によって製造される有機Ｅ
Ｌ表示素子の製造工程断面図である。
【００１８】まず、図２に示すように、震動板５０上に
載置された基板２上に、薄膜トランジスタ（図示せず）
および電極配線（図示せず）を、周知のプロセスを用い
て、形成する（図１のステップＦ１参照）。薄膜トラン
ジスタは各絵素毎に形成され、基板２上には、例えば縦
４８０絵素、横６４０×３(R,G,B)絵素、合計９２万個
の絵素が形成される。なお、図２においては、一個の絵
素の断面を示す。
載置された基板２上に、薄膜トランジスタ（図示せず）
および電極配線（図示せず）を、周知のプロセスを用い
て、形成する（図１のステップＦ１参照）。薄膜トラン
ジスタは各絵素毎に形成され、基板２上には、例えば縦
４８０絵素、横６４０×３(R,G,B)絵素、合計９２万個
の絵素が形成される。なお、図２においては、一個の絵
素の断面を示す。
【００１９】その後、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e)からなる透明電極４（陽極４）を各絵素に対応するよ
うに形成する（図１のステップＦ２参照）。なお、陽極
４は対応する絵素の薄膜トランジスタのソースまたはド
レインの一方に接続される。この透明電極４の形成につ
いては、一般的なフォトプロセスで形成しても、マスク
スパッタ法で形成しても差し支えない。続いて、各絵素
の発光部に対応する個所に薄膜トランジスタと導通のと
れるコンタクトホール（図示せず）が開口された、例え
ばアクリル樹脂からなる隔壁６を、透明電極４を囲むよ
うに形成する（図１のステップＦ３参照）。
e)からなる透明電極４（陽極４）を各絵素に対応するよ
うに形成する（図１のステップＦ２参照）。なお、陽極
４は対応する絵素の薄膜トランジスタのソースまたはド
レインの一方に接続される。この透明電極４の形成につ
いては、一般的なフォトプロセスで形成しても、マスク
スパッタ法で形成しても差し支えない。続いて、各絵素
の発光部に対応する個所に薄膜トランジスタと導通のと
れるコンタクトホール（図示せず）が開口された、例え
ばアクリル樹脂からなる隔壁６を、透明電極４を囲むよ
うに形成する（図１のステップＦ３参照）。
【００２０】次に、図１のステップＦ４に示すように、
透明電極４上にキャリア輸送能を有するバッファ層８を
形成する。
透明電極４上にキャリア輸送能を有するバッファ層８を
形成する。
【００２１】続いて、図１のステップＦ５に示すよう
に、インクジェット装置を用いて、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色を発
光する発光材料液をＲ、Ｇ、Ｂ各絵素に対応する隔壁６
内のバッファ層８上に滴下し、その後、直ちに基板２に
超音波振動を加える。この実施形態においては、超音波
振動処理は、１００ｋＨｚの周波数で３０秒間行った。
なお、振動板５０は極めて平坦であることが好ましい。
この超音波振動処理を行うことにより、膜厚が均一の発
光層１２を得ることができた。なお、超音波振動に用い
られる周波数は３０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであっても良
い。また、超音波振動を加えながら基板２に熱を与える
ようにしても良い。この場合、熱を基板２に与えること
により、発光層１２の表面の乾燥を促し、超音波振動を
与えた後も、膜厚が元のように不均一化することもな
い。なお、基板２に加える熱は２００℃以下であること
が望ましい。また、発光材料液はスピンコート方式によ
り塗布しても良い。
に、インクジェット装置を用いて、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色を発
光する発光材料液をＲ、Ｇ、Ｂ各絵素に対応する隔壁６
内のバッファ層８上に滴下し、その後、直ちに基板２に
超音波振動を加える。この実施形態においては、超音波
振動処理は、１００ｋＨｚの周波数で３０秒間行った。
なお、振動板５０は極めて平坦であることが好ましい。
この超音波振動処理を行うことにより、膜厚が均一の発
光層１２を得ることができた。なお、超音波振動に用い
られる周波数は３０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであっても良
い。また、超音波振動を加えながら基板２に熱を与える
ようにしても良い。この場合、熱を基板２に与えること
により、発光層１２の表面の乾燥を促し、超音波振動を
与えた後も、膜厚が元のように不均一化することもな
い。なお、基板２に加える熱は２００℃以下であること
が望ましい。また、発光材料液はスピンコート方式によ
り塗布しても良い。
【００２２】次に、真空炉中に基板２を入れ、１．０×
１０−５パスカルの圧力条件下で２時間の乾燥を行う
（図１のステップＦ６参照）。なお、真空乾燥を行うこ
とにより、均一な乾燥を行うことができ、各画素間の乾
燥斑から引き起こされる表示不良の発生も生じないこと
を見出した。また、圧力条件は、１．０×１０−８パス
カル以上１０パスカル以下であることが好ましい。
１０−５パスカルの圧力条件下で２時間の乾燥を行う
（図１のステップＦ６参照）。なお、真空乾燥を行うこ
とにより、均一な乾燥を行うことができ、各画素間の乾
燥斑から引き起こされる表示不良の発生も生じないこと
を見出した。また、圧力条件は、１．０×１０−８パス
カル以上１０パスカル以下であることが好ましい。
【００２３】次に、図１のステップＦ７に示すように、
発光層１２を覆うように陰極１４を形成する。この陰極
１４の材料としては、電子注入の機能を果たす物であれ
ばいかなる物でもかまわない。例えば、バリウム、カル
シウム、イッテルビウムなどを用いることができる。
発光層１２を覆うように陰極１４を形成する。この陰極
１４の材料としては、電子注入の機能を果たす物であれ
ばいかなる物でもかまわない。例えば、バリウム、カル
シウム、イッテルビウムなどを用いることができる。
【００２４】その後、図１のステップＦ８に示すよう
に、陰極１４上に例えば銀からなるカバーメタル１６を
形成する。なお、陰極１４およびカバーメタル１６は真
空中で蒸着により形成する。続いて、乾燥剤１９が表面
に貼付されたカバーガラス２０を、基板２の周囲に塗布
された、例えばエポキシ樹脂からなるシール材１８によ
って基板２に貼り合わせる（図１のステップＦ９参
照）。この貼りあわせの工程は、シール材として紫外線
硬化樹脂を用い、Ｎ２またはＡｒガスの存在下で、貼り
合わせ後、紫外線を当ててシール材を硬化させることに
より行う。これにより、図３に示す有機ＥＬ表示素子が
完成する。
に、陰極１４上に例えば銀からなるカバーメタル１６を
形成する。なお、陰極１４およびカバーメタル１６は真
空中で蒸着により形成する。続いて、乾燥剤１９が表面
に貼付されたカバーガラス２０を、基板２の周囲に塗布
された、例えばエポキシ樹脂からなるシール材１８によ
って基板２に貼り合わせる（図１のステップＦ９参
照）。この貼りあわせの工程は、シール材として紫外線
硬化樹脂を用い、Ｎ２またはＡｒガスの存在下で、貼り
合わせ後、紫外線を当ててシール材を硬化させることに
より行う。これにより、図３に示す有機ＥＬ表示素子が
完成する。
【００２５】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、発光層の膜厚を均一に形成することが可能となり、
表示性能が良く、歩留りが高い高精細フルカラーの有機
ＥＬ表示素子を安価に製造することができる。
ば、発光層の膜厚を均一に形成することが可能となり、
表示性能が良く、歩留りが高い高精細フルカラーの有機
ＥＬ表示素子を安価に製造することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
発光層の膜厚を均一に形成することが可能となり、表示
性能が良く、歩留りが高い高精細フルカラーの有機エレ
クトロ・ルミネッセンス表示素子を安価に製造すること
ができる。
発光層の膜厚を均一に形成することが可能となり、表示
性能が良く、歩留りが高い高精細フルカラーの有機エレ
クトロ・ルミネッセンス表示素子を安価に製造すること
ができる。
【図１】本発明による有機ＥＬ表示素子の一実施形態の
製造工程を示すフローチャート。
製造工程を示すフローチャート。
【図２】本発明による有機ＥＬ表示素子の一実施形態の
製造工程を示す断面図。
製造工程を示す断面図。
【図３】本発明によって製造された有機ＥＬ表示素子の
構成を示す断面図。
構成を示す断面図。
２ 基板
４ 透明電極
６ 隔壁
８ バッファ層
１２ 発光層
１４ 陰極
１６ カバーメタル
１８ シール材
１９ 乾燥剤
２０ カバーガラス
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB11 AB17 AB18 BA06
BB01 BB05 CB01 DA01 DB03
EB00 FA01
Claims (4)
- 【請求項１】発光能を有する発光層が第１および第２電
極間に挟持された有機ＥＬ表示素子の製造方法におい
て、前記発光層の材料液を塗布し乾燥させて前記発光層
を形成する際に、超音波振動を与えることを特徴とする
有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子の製造方法。 - 【請求項２】超音波振動を与えながら２００℃以下の熱
を加えることを特徴とする請求項１記載の有機エレクト
ロ・ルミネッセンス表示素子の製造方法。 - 【請求項３】１．０×１０−８パスカル以上１０パスカ
ル以下の圧力条件下において追加乾燥させることを特徴
とする請求項１または２記載の有機エレクトロ・ルミネ
ッセンス表示素子の製造方法。 - 【請求項４】前記発光層の材料液はインクジェット方式
またはスピンコート方式により塗布されることを特徴と
する請求項１乃至３のいずれかに記載の有機エレクトロ
・ルミネッセンス表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001198051A JP2003017252A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001198051A JP2003017252A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003017252A true JP2003017252A (ja) | 2003-01-17 |
Family
ID=19035560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001198051A Withdrawn JP2003017252A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003017252A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004103496A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、成膜装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器 |
| JP2008153185A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-07-03 | Toyama Univ | 有機ｅｌ材料薄膜の形成および装置 |
| CN106654056A (zh) * | 2016-10-13 | 2017-05-10 | 纳晶科技股份有限公司 | 湿膜处理装置、系统和方法 |
| TWI800534B (zh) * | 2017-09-29 | 2023-05-01 | 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 | 用於封裝有機電子元件之方法 |
-
2001
- 2001-06-29 JP JP2001198051A patent/JP2003017252A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004103496A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、成膜装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器 |
| JP2008153185A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-07-03 | Toyama Univ | 有機ｅｌ材料薄膜の形成および装置 |
| CN106654056A (zh) * | 2016-10-13 | 2017-05-10 | 纳晶科技股份有限公司 | 湿膜处理装置、系统和方法 |
| TWI800534B (zh) * | 2017-09-29 | 2023-05-01 | 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 | 用於封裝有機電子元件之方法 |
| US12096648B2 (en) | 2017-09-29 | 2024-09-17 | Lg Chem, Ltd. | Method for encapsulating organic electronic element |
| EP3683854B1 (en) * | 2017-09-29 | 2024-11-27 | LG Chem, Ltd. | Method for encapsulating organic electronic element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100471354C (zh) | 有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
| WO2018113006A1 (zh) | 柔性oled显示面板的制作方法 | |
| CN101740561A (zh) | 有机电致发光显示器件及其制造方法和制造设备 | |
| KR100681022B1 (ko) | 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법 | |
| CN104576697A (zh) | 双面oled显示装置及其制作方法 | |
| WO2019061752A1 (zh) | Oled显示器的制作方法及oled显示器 | |
| KR20190071795A (ko) | Oled 기판 및 그 제조 방법 | |
| CN108258019A (zh) | 一种柔性可控oled显示装置及制作方法、显示设备 | |
| CN106848099A (zh) | Oled封装方法与oled封装结构 | |
| CN106505038B (zh) | Oled显示装置的制作方法 | |
| JP2003017252A (ja) | 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子の製造方法 | |
| JP2006253097A (ja) | 自発光パネルおよび自発光パネルの製造方法 | |
| KR20030073578A (ko) | 패시브 매트릭스형 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100736578B1 (ko) | 일렉트로 루미네센스 패널 및 그의 제조방법 | |
| KR100961954B1 (ko) | 유기발광디스플레이 제조방법 | |
| CN103560211B (zh) | 有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件 | |
| KR100611754B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR20100000208A (ko) | 유기 발광 표시장치 및 그의 제조 방법 | |
| JP2008171804A (ja) | 有機発光装置及びその製造方法 | |
| JP2003229247A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
| KR101121998B1 (ko) | 평판 표시소자의 제조장치 및 제조방법 | |
| KR20060065123A (ko) | 유기 전계발광표시패널의 제조방법 | |
| KR100606417B1 (ko) | 유기 전계발광 표시소자의 제조장치 | |
| JP2002270378A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR101157227B1 (ko) | 상부발광 방식의 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070427 |
|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080902 |