JP2003028811A

JP2003028811A - 欠陥検出方法

Info

Publication number: JP2003028811A
Application number: JP2001217510A
Authority: JP
Inventors: Toshifumi Honda; 敏文本田; Narihito Okuda; 造人奥田; Yasuhiko Ozawa; 康彦小沢; Katsuhiro Kitahashi; 勝弘北橋
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2001-07-18
Filing date: 2001-07-18
Publication date: 2003-01-29
Anticipated expiration: 2021-07-18
Also published as: US20030015659A1; US7181060B2; JP3743319B2

Abstract

(57)【要約】【課題】立体的な傾きを顕在化可能な検出系により撮像
した画像は一般にS/Nが悪く、微小な欠陥を安定して検
出することができなかった。【解決手段】互いに相反する方向から立体的な傾きを顕
在化する画像同士を減算、および加算することにより、
元画像に対してS/Nが向上した画像算出し、欠陥部およ
び参照部それぞれで算出した前記S/Nを向上させた算出
画像をそれぞれ比較し、比較結果の異なる領域を欠陥と
して検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は工業製品の欠陥検出
方法に関し、特に高精度な欠陥検出を必要とする半導体
製品の欠陥領域検出方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体の設計ルールの微細化に伴い、半
導体製品の製造不良のサイズも極めて小さなものになっ
てきている。このため、半導体不良の観測には、従来か
らの光学顕微鏡以外に走査型電子顕微鏡（以下SEM）が
使われ始めるようになってきている。しかしながらSEM
で一般に検出する２次電子ではしばしばエッジが強調さ
れたような画像が撮像され、必ずしも欠陥を良好に顕在
化することができないという問題点を持っていた。

【０００３】そこで、２次電子とともに反射電子を検出
し、双方の検出信号を相補的に用いて欠陥を検出する手
法が適用され始めている。検査対象から放出される反射
電子は指向性を持っているため、電子線が照射された位
置における立体的な斜面の傾きと相関ある出力を得ら
れ、欠陥の形状を求めるにも利用可能である。

【０００４】欠陥領域を検出するにも、この反射電子を
利用する方法が有効であることが知られており、例えば
米国特許５６５９１７２号公報には、検査位置と検査位
置に対応する参照位置の各位置で複数のそれぞれ異なっ
た方向から鳥瞰画像を検出し、検査位置および参照位置
それぞれで等しい方向から検出した鳥瞰図同士を比較し
た比較マップを複数作成し、各比較マップ同士を演算す
ることにより欠陥領域を抽出する技術が開示されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来技術
では鳥瞰図同士を比較した比較マップがノイズの影響を
受けやすく、その結果微小な欠陥を安定して検出できな
いという問題があった。鳥瞰画像を検出する方法として
は、撮像対象に電子線を照射して得られた対象からある
狭角方向内に放出される電子のみを検出する手法が一般
的である。

【０００６】このため、電子の検出強度は角度を限定し
ない場合に比較して小さくなり、結果として鳥瞰画像の
S/Nは悪化する。高い倍率で欠陥位置および参照位置で
撮像した鳥瞰画像を比較するには、一般に良品部の製造
公差を許容する為に局所摂動を適用することが多い。局
所摂動では、比較を行う2枚の画像を画像１および画像
２として画像１における任意の評価画素とそれに対応す
る画像２の参照画素を比較する際に、画像２において参
照画素を中心とした製造公差に対応する領域を設定す
る。評価画素と、この設定した領域内の全画素より評価
画素ともっとも近い画素値との差を、その検査画素にお
ける画像１と画像２の差として出力する。

【０００７】このアルゴリズムは比較する画像のS/Nが
悪いと、得られる出力画像の信号成分が大きく低下して
しまうという問題点がある。この問題の為、倍率が高い
状態で微小な欠陥を見逃してしまう傾向があった。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記従来の課題は、検査
対象の外観画像と前記検査対象と同一の外観を持つよう
設計された比較対象の外観画像を少なくとも各々１枚ず
つ撮像し、前記検査対象の外観画像と前記比較対象の外
観画像で異なる外観を持つ領域を欠陥領域として検出す
る欠陥検出方法において、前記欠陥検出方法は、撮像対
象の立体的な傾きを顕在化するように相反する方向から
１枚ずつ撮像する2枚の鳥瞰画像を１画像セットとして
前記検査対象および比較対象それぞれに対して少なくと
も１セットの画像セットを撮像する第1のステップと、
前記検査対象を撮像して得た検査対象画像セットと前記
比較対象を撮像して得た比較対象画像セットそれぞれに
おいて画像セットを構成する２枚の鳥瞰画像より差画像
を算出する第２のステップと、前記検査対象の画像セッ
トより算出した差画像である検査画像セット差画像と前
記比較対象の画像セットより算出した差画像である比較
画像セット差画像とを比較して鳥瞰比較画像を算出する
第３のステップより構成されることを特徴とする欠陥検
出方法を適用することにより解決される。

【０００９】

【発明の実施の形態】図１から７を用いて本発明を説明
する。

【００１０】図１は本発明の１実施例である半導体欠陥
分析装置の全体構成図である。１０１は検査対象であ
る。１０２は電子銃であり、電子走査手段１０３を介し
て検査対象１０１に電子を打ち込む。撮像手段１０４は
無指向電子検出手段、１０５および１０６はある狭い角
度方向からの電子を検出する狭角度電子検出手段であ
る。１０５および１０６はその狭角度電子を検出する方
向がそれぞれ相異なるように設置されている。１０３は
１０２から照射される電子が２次元的に走査されるよう
に制御装置１０７によって制御される。１０８は画像メ
モリであり、それぞれ、１０４、１０５、１０６の検出
手段の出力を蓄積する。１０３によって電子が２次元的
に走査され照射されるため、１０８の画像メモリにはそ
れぞれの検出手段毎に異なる性質の欠陥画像が蓄積され
ることになる。

【００１１】狭角度電子画像の性質を図２を用いて説明
する。２０１は検査対象に付着した欠陥の断面形状を示
している。２０２は電子銃、２０３は電子走査手段、２
０４は狭角度方向からの電子検出手段である。電子検出
手段２０４は、欠陥の表面で反射した電子を検出するた
め、欠陥表面と、欠陥２０１と電子検出手段２０４との
なす角度が直交する場合に強い信号を逆に平行する場合
には弱い信号をえる。このため、１０４と１０５のよう
に相反する方向から電子を検出した場合、１０４で検出
した画像で明るく検出した斜面は１０５では暗く、逆に
１０４で暗く検出した斜面は１０５では明るく検出され
る。２０５は欠陥２０１の影の領域である。２０５は傾
斜を持たない領域であるが、隣接する欠陥が障害となり
２０３にその表面から電子が十分に到達しないため暗く
検出される。

【００１２】以上の性質のため、狭角度電子検出手段に
よって得られた信号より形成した２次元画像により検出
対象の傾きを顕在化させることが出来る。この性質よ
り、以下狭角度電子検出手段１０５、１０６より構成し
た画像を鳥瞰画像１、および鳥瞰画像２と呼ぶ。

【００１３】半導体欠陥のレビューを行うためには欠陥
領域を算出する必要がある。最も容易に欠陥を抽出する
手法はパターン比較である。すなわち、欠陥は存在する
位置と同じ設計で形成された良品の半導体パターンと比
較することにより欠陥の領域を特定することが可能にな
る。これを実現するため、画像メモリ１０８の画像メモ
リには検出器欠陥が撮像されている欠陥パターンと、欠
陥が存在しない参照パターンが保存される。欠陥パター
ン、参照パターンはそれぞれ無指向電子画像と鳥瞰画像
１および２より構成されている。以下、この３枚の画像
セットを欠陥画像セット、参照画像セットと呼ぶ。

【００１４】１０９は画像処理手段であり、画像メモリ
１０８に蓄積された欠陥画像と参照画像を比較して欠陥
領域を抽出する。図３に欠陥領域を抽出するステップを
示す。まず、１０３、１０４、１０５より得られた３枚
の画像を混合し、１枚の画像を生成する。この演算は欠
陥、参照それぞれのセットの画像に対して行い、その結
果２枚の混合画像を算出する。ここで、鳥瞰画像１と２
は差分をとることが望ましい。この理由を図４を用いて
説明する。４０１は検査対象であり、４０２と４０３は
相反する方向からの電子を検出する検出手段である。４
０４は４０２で電子を検出する際、４０１自体が障害と
なって電子を十分に検出できず影となってしまった領
域、４０５は４０３で検出する際に同様の理由で影にな
った領域である。４０２と４０３は相反する方向からの
電子を検出するため、一般に４０２で明るく検出された
領域は４０３では暗く、逆に４０２で暗く検出された領
域は４０３では明るく検出される。このような性質のた
め、同じ位置で検出した４０２と４０３の信号を２次元
ベクトルで表した際、このベクトルの異なる位置におけ
る分布を主成分解析すると、この主成分はほぼ、４０２
と４０３の差分になることがわかる。このため、画像３
枚を１枚にする際にもっとも情報の欠落を少なくするた
めには鳥瞰画像１と２の差分を計算することが有効であ
ることがわかる。

【００１５】鳥瞰画像の差分を計算し、これに無指向電
子画像を加算することにより３枚の画像より１枚の画像
を算出する。１枚の画像にすることにより、欠陥画像セ
ットと参照画像セットの位置合わせは一度で実現できる
ようになる。検査対象の外観は、鳥瞰画像で高いコント
ラストで撮像されやすい個所と、無指向電子で高いコン
トラストで撮像されやすい個所との両方が存在する。３
枚の性質の異なる画像の情報量の多い成分を１枚の画像
に合成することにより、それぞれの画像を単独に位置合
わせするよりも高い精度で位置合わせを実現することが
可能である。次に得られた欠陥画像セットと参照画像セ
ットとの位置ずれ量をもとに参照画像セットの位置合わ
せを行う。ここで位置あわせは１画素サイズ未満の精度
を実現可能なサブピクセルでの処理を行うことが望まし
い。

【００１６】続いて、欠陥画像セット、参照画像セット
それぞれにおいて、鳥瞰画像１と鳥瞰画像２との和画像
と差画像を算出し、欠陥画像セットと参照画像セット間
で和画像、差画像それぞれの差画像を局所摂動を用いて
算出する。ここで、欠陥画像セットと参照画像セットの
鳥瞰画像１と２の局所摂動差画像を直接算出せず、いっ
たん、差画像、和画像を求めた後に局所摂動差画像を算
出することの優位性を図５を用いて説明する。鳥瞰画像
を用いて欠陥領域を抽出する際の難しさは鳥瞰画像が信
号成分に対してノイズ成分が大きいことである。鳥瞰画
像の検出器は、狭角方向からの電子のみを検出している
ため、通常の無指向電子画像に比べてS/Nが低下する傾
向がある。

【００１７】一方、高倍率で欠陥を検出する場合、検査
対象のパターンの製造公差に対して画素寸法が小さくな
る傾向があり、このため局所摂動差画像算出を行う必要
が発生する。局所摂動差画像算出では図５に示すよう
に、検査画素を中心としてある一定領域の区間を局所摂
動領域として設定し、この領域内において検査画素と最
も画素値の近い参照画素を検査画素に対応するものと特
定する。このようにして検査画像と参照画像間における
画素毎の対応関係を求めた後、対応する画素値を差し引
くことによって差画像を生成する。局所摂動差画像算出
では、局所摂動領域が広くなるほど、領域内のノイズの
最大値、最小値間の振幅も大きくなり、結果的に差画像
信号、すなわち図５におけるΔA-ΔＢ、が小さくなって
しまうという問題が発生してしまう。

【００１８】この問題はS/Nを良くすることにより改善
される。鳥瞰画像１と２に重畳されたノイズはホワイト
ノイズであると考えることが可能であり、鳥瞰画像１と
鳥瞰画像２とを加算、または減算をした場合にその振幅
は一般に１．７倍になると期待される。一方、信号成分
は図４の波形４０６に示すように、減算によりその振幅
はおおむね２倍になり、逆に加算では、４０５に示すよ
うに対象の傾斜部分の画素値は０に近くなる。ノイズが
局所摂動差分に与える影響は、おおむね信号強度の低下
として表れるため、加算によって対象の傾斜が０近くに
なった場合、その信号強度が低下することによるデメリ
ットはほとんどなくなる。減算した場合には、信号強度
の増大がノイズのそれに対して大きいため、S/Ｎが向上
する。減算波形４０６に示すように、減算を行った場合
に抽出される領域は欠陥部分とその影の部分の両方を含
んでしまう。

【００１９】欠陥領域として必要なのは欠陥そのものの
領域であり、欠陥の影の部分では無いため、４０６の波
形から影の領域を差し引くことが必要になる。この課題
は４０６の波形から４０５の波形を差し引くことにより
実現する。なお、この処理をおこなわない場合には欠陥
とともに欠陥の影が検出されることになる。図3で説明
した実施例では、４０６の波形から４０５の波形を差し
引く方法を説明しているが、単に欠陥の概略位置を検出
することのみが必要である場合にはこの処理を省くこと
も可能である。欠陥の概略位置を検出することのみが必
要な処理としては、例えば高い倍率で欠陥を観察する前
処理として、まず低い倍率で欠陥を撮像し、その概略位
置を算出する処理があげられる。この処理はReview SEM
において頻繁に必要とされている。

【００２０】欠陥と参照の無指向電子画像も局所摂動を
用いて差画像を算出し得られた画像３０１と鳥瞰画像よ
り得られた欠陥と参照の差画像３０２との和を求め、こ
れを２値化して欠陥領域として抽出する。なお、和演算
を実施する前に、３０１と３０２には適切なゲインを与
えることにより、より高い欠陥抽出性能を実現できる。
検査対象によっては良品のものであってもその表面に不
規則な凹凸があるものもある。鳥瞰画像では小さな凹凸
であっても傾斜が大きければ大きな信号を発生させるた
め、前記のような凹凸のある検査対象では正常個所を欠
陥として抽出する虚報の問題を引き起こしてしまう。そ
こで、このような検査対象には３０１のゲインを３０２
に対して大きくすることにより、微小な良品個所の凹凸
の影響を受けずに欠陥のみを抽出することが可能にな
る。

【００２１】逆に微小な凹凸、例えば半導体製造工程に
おけるCMP工程後に多く発生するマイクロスクラッチを
検出する場合には３０２のゲインを３０１に比べて大き
くすればよい。図３では、２枚の鳥瞰画像を利用して欠
陥を抽出する方式を示したが、より多くの鳥瞰画像を利
用することにより欠陥領域をより安定して検出できるこ
とも可能である。例えば４枚の鳥瞰画像が存在し、それ
ぞれ２枚ずつの鳥瞰画像が相反する狭角方向の電子を検
出する場合について考える。この場合、対応する２枚ず
つの鳥瞰画像のセットが２つあると考えることが可能で
ある。よって、それぞれのセットより図３における３０
２に対応する信号を算出し、得られた信号の和を算出す
ることが考えられる。ノイズ成分は各セットにおいて無
相関と考えることが可能であるため、和を算出すること
によりS/Nを向上させることが可能になる。

【００２２】微小な凹凸に影響を受けずに鳥瞰画像によ
り良好に欠陥を抽出するもうひとつの方法としては立体
形状比較があげられる。鳥瞰画像をもとに検査対象の立
体形状を算出する手法に関しては例えば鳥瞰画像の和画
像と差画像の積が傾斜になる。立体形状は傾斜の積分と
して求めることが可能である。そこで、和画像と差画像
の積の画像に対し、２つの狭角度電子検出手段を結ぶ直
線と平行な方向に平滑化フィルタをかけたものは、その
フィルタのコンボルーションを行う区間におけるおよそ
の形状変化であるとみなせる。ここで、得られた画像を
形状画像と呼ぶ。

【００２３】欠陥画像セット、参照画像セットそれぞれ
より算出した形状画像の差を求めることにより、微小な
凹凸の影響を受けない安定した欠陥抽出を実現できる。
もちろん、形状画像の差画像を求めた後、無指向電子画
像の差画像を足し合わせることも可能である。なお、こ
こでは２枚の鳥瞰画像より形状画像を生成する手法につ
いて述べたがそれ以上の枚数の鳥瞰画像より形状画像を
構成することも可能である。例えば４枚の鳥瞰画像より
立体形状を構成する手法としては特開平１-143127号公
報に開示されているような手法などを適用することが可
能である。立体形状をもとに欠陥抽出する手法を図６に
示す。

【００２４】次に差画像の生成方法について述べる。前
述のように検査対象の寸法公差よりも画素寸法が大きい
倍率で検査対象を撮像し欠陥を抽出する場合、局所摂動
による画像の差分を求めることが必要であるが、この方
式は、本来あるはずのパターンが形成されなかった場合
などに欠陥を抽出できない場合がある、という問題点が
あった。この例を図７に示す。図７の欠陥画像波形に
は、本来あるはずの回路パターン７０１が形成されず、
欠陥画像波形は常に７０２と同じ輝度値を持っている。
局所摂動では局所摂動区間の中でもっとも検査画素値と
近い輝度をもつ画素を参照画像より求め、その輝度差を
差画像画素値として出力する。

【００２５】図７の例では、回路が形成されなかった位
置における欠陥画素と同じ画素値をもつ画素が、局所摂
動区間内にあるため、回路が形成されなかった欠陥を見
逃してしまう。

【００２６】この課題を解決するためには、欠陥を基準
にした局所摂動と参照を基準とした局所摂動を１回ずつ
行い、その出力の大きいほうを差画像値として出力すれ
ばよい。図１の実施例では、電子線を照射、検出する例
について述べたが同様の処理は光を用いることによって
も実現可能である。光より対象の立体的な傾斜を求める
手法としては例えばshape from shading(Berthold Klau
s Paul Horn: Robot Vision, MIT Press, pp243-277)が
あり、一般性を失うことなく上記で述べた手法がそのま
ま適用可能である。

【００２７】

【発明の効果】前記説明した欠陥の検出方法を適用する
ことにより、S/Nの悪い鳥瞰画像を2枚ごとに減算、加算
を行うことでS/Nのよい画像を生成し、さらにS/Nのよい
無指向性の画像も加味することにより安定した欠陥抽出
を実現することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例の基本構成図である。

【図２】本発明の1実施例における画像特徴の説明図で
ある。

【図３】本発明の欠陥抽出方法の1実施例である。

【図４】本発明の1実施例における画像特徴の説明図で
ある。

【図５】本発明の欠陥抽出処理におけるS/N向上方法の
説明図である。

【図６】本発明の欠陥抽出方法の1実施例である。

【図７】本発明の画像比較方法の1実施例である。

【符号の説明】

１０１・・・検査対象１０２・・・電子線照射手段１
０３・・・電子走査手段１０４・・・無指向電子検出手段１０５・・・狭角電子検
出手段１０６・・・狭角電子検出手段１０７・・・制御装置
１０８・・・画像メモリ１０９・・・画像処理手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０１Ｂ 15/04 Ｈ０４Ｎ 13/00 Ｈ０４Ｎ 7/18 Ｇ０１Ｂ 11/24 Ｋ 13/00 Ｎ (72)発明者小沢康彦茨城県ひたちなか市市毛882番地株式会社日立製作所計測器グループ内 (72)発明者北橋勝弘茨城県ひたちなか市市毛882番地株式会社日立製作所計測器グループ内Ｆターム(参考） 2F065 AA49 CC17 DD04 FF04 JJ03 JJ26 QQ24 QQ25 RR08 2F067 AA53 CC15 EE03 GG06 GG08 HH06 JJ05 KK04 LL16 LL18 QQ11 RR24 2G051 AA51 AB07 BB03 CA07 EA08 EA14 EA25 5C054 CA00 CC01 CE01 EA01 EA05 FC01 FC04 FC12 FC15 FD01 HA05 5C061 AA21 AB04 AB08 AB12 AB18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】検査対象の外観画像と前記検査対象と同一
の外観を持つよう設計された比較対象の外観画像を少な
くとも各々１枚ずつ撮像する欠陥撮像ステップと、前記
検査対象の外観画像と前記比較対象の外観画像を比較し
て異なる外観を持つ領域を欠陥領域として検出する欠陥
検出ステップとを有することを特徴とする欠陥検出方
法。
【請求項２】前記欠陥撮像ステップにおいて撮像対象の
立体的な傾きを顕在化するように相反する方向から１枚
ずつ撮像する2枚の鳥瞰画像を１画像セットとして前記
検査対象および前記比較対象それぞれに対して少なくと
も１セットの画像セットを撮像することと前記欠陥検出
ステップは前記検査対象を撮像して得た検査対象画像セ
ットと前記比較対象を撮像して得た比較対象画像セット
それぞれにおいて画像セットを構成する２枚の鳥瞰画像
より差画像を算出する差画像算出ステップと前記検査対
象の画像セットより算出した差画像である検査画像セッ
ト差画像と前記比較対象の画像セットより算出した差画
像である比較画像セット差画像とを比較した画像である
鳥瞰比較画像を算出する差画像比較ステップを有するこ
とを特徴とする請求項1記載の欠陥検出方法。
【請求項３】前記欠陥検出ステップは、前記差画像算出
ステップと、前記差画像比較ステップと、前記検査対象
を撮像して得た検査対象画像セットと前記比較対象を撮
像して得た比較対象画像セットそれぞれにおいて画像セ
ットを構成する２枚の鳥瞰画像より和画像を算出する和
画像算出ステップと、前記検査対象の画像セットより算
出した和画像である検査画像セット和画像と前記比較対
象の画像セットより算出した和画像である比較画像セッ
ト和画像とを減算した画像である鳥瞰補正画像を算出す
る和画像比較ステップと、差画像比較ステップで算出し
た鳥瞰比較画像より和画像比較ステップで算出した鳥瞰
補正画像を差し引いて前記鳥瞰比較画像を補正する補正
ステップとを有することを特徴とする請求項２記載の欠
陥検出方法。
【請求項４】前記欠陥撮像ステップは、撮像対象の立体
的な傾きを顕在化するように相反する方向から１枚ずつ
撮像する鳥瞰画像を１画像セットとして前記検査対象お
よび比較対象それぞれに対して少なくとも１セットの画
像セットを撮像することを含み、前記欠陥検出ステップ
は、前記検査対象を撮像して得た検査対象画像セットよ
り前記検査対象画像の一部あるいは全体の立体的な形状
を算出する検査対象立体形状算出ステップと、前記比較
対象を撮像して得た比較対象画像セットより前記比較対
象画像の一部あるいは全体の立体的な形状を算出する比
較対象立体形状算出ステップと、前記検査対象立体形状
算出ステップで算出した検査対象画像の一部あるいは全
体の立体的な形状と前記比較対象立体形状算出ステップ
で算出した比較対象画像の一部あるいは全体の立体的な
形状を比較した画像である鳥瞰比較画像を算出する立体
形状比較ステップとを含むことを特徴とする請求項1記
載の欠陥検出方法
【請求項５】前記欠陥検出方法は、前記欠陥撮像ステッ
プと、前記欠陥検出ステップと、前記画像セットの他に
前記撮像対象の真上から立体的な傾きを顕在化させない
無指向性画像を前記検査対象および前記比較対象それぞ
れに対して少なくとも1枚ずつ撮像する無指向性画像撮
像ステップと、前記検査対象より撮像した無指向性画像
と前記比較対象より撮像した無指向性画像を比較した無
指向性比較画像を算出し前記鳥瞰比較画像と前記無指向
性比較画像との和を算出してこれの大なるを欠陥領域と
する無指向性欠陥検出ステップとを含むことを特徴とす
る請求項2ないし4の何れかに記載の欠陥検出方法
【請求項６】前記無指向性画像と画像セットを構成する
鳥瞰画像を加算、または減算または積算またはこれらの
組み合わせ前記検査対象および前記比較対象それぞれに
対応する画像である位置決め画像を1枚ずつ生成するこ
とと前記位置決め画像をもとに前記検査対象に対応する
画像と前記比較対象に対応する画像の位置合わせを行う
ことを特徴とする請求項5記載の欠陥検出方法
【請求項７】前記２枚の画像を比較する方法は、前記算
出する比較画像の各画素において前記画素を中心とする
局所領域を設定する第１のステップと、前記画素ごとに
設定される局所領域内に属する２枚目の画像の画素値の
集合と前記画素の位置に対応する１枚目の画像の画素値
を比較して比較信号１を生成する第２のステップと、前
記画素ごとに設定される局所領域内に属する１枚目の画
像の画素値の集合と前記画素の位置に対応する２枚目の
画像の画素値を比較して比較信号２を生成する第３のス
テップと、前記比較信号１と前記比較信号２を比較して
前記比較画像の画素値を設定する第4のステップとを含
むことを特徴とする請求項2ないし4の何れかに記載の欠
陥検出方法。
【請求項８】前記撮像対象の鳥瞰画像を撮像すること
が、前記撮像対象に電子を照射することと、前記照射し
た電子を起因として前記撮像対象から放出された電子の
うちある設定された狭角方向に放出された電子を検出す
ることを含むことを特徴とする請求項2ないし4の何れか
に記載の欠陥検出方法
【請求項９】前記撮像対象の鳥瞰画像を撮像すること
が、前記撮像対象に光を照射することと、前記照射した
光の反射光をある設定された狭角方向より検出すること
とを含むことを特徴とする請求項2ないし4の何れかに記
載の欠陥検出方法。