JP2003100452A - マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents
マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器Info
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精細なマスク及びその製造方法、ＥＬ装置
及びその製造方法並びに電子機器を提供することにあ
る。 【解決手段】 マスクは、表裏面がミラー指数の｛１１
０｝面からなる単結晶基板１０を有する。単結晶基板１
０には、複数の貫通穴１８が形成されている。それぞれ
の貫通穴１８の開口形状は、各辺が、｛１１１｝で表さ
れるグループの面のうちいずれかの面に平行に位置する
多角形である。それぞれの貫通穴１８の壁面は、｛１１
１｝面である。マスクの製造方法は、上記貫通穴１８の
形状に対応して、耐エッチング膜に開口を形成して、単
結晶基板１０をエッチングする。
及びその製造方法並びに電子機器を提供することにあ
る。 【解決手段】 マスクは、表裏面がミラー指数の｛１１
０｝面からなる単結晶基板１０を有する。単結晶基板１
０には、複数の貫通穴１８が形成されている。それぞれ
の貫通穴１８の開口形状は、各辺が、｛１１１｝で表さ
れるグループの面のうちいずれかの面に平行に位置する
多角形である。それぞれの貫通穴１８の壁面は、｛１１
１｝面である。マスクの製造方法は、上記貫通穴１８の
形状に対応して、耐エッチング膜に開口を形成して、単
結晶基板１０をエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスク及びその製
造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方
法並びに電子機器に関する。
造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方
法並びに電子機器に関する。
【０００２】
【背景技術】高精細なマスクが要求されている。例え
ば、カラーの有機エレクトロルミネッセンス（以下、
「ＥＬ」という）装置の製造プロセスで、各色の有機材
料を、マスクを使用した蒸着により形成することが知ら
れている。マスクの製造方法として、基材をエッチング
する方法が知られているが、従来の方法では、高精細な
マスクを製造することが困難であった。
ば、カラーの有機エレクトロルミネッセンス（以下、
「ＥＬ」という）装置の製造プロセスで、各色の有機材
料を、マスクを使用した蒸着により形成することが知ら
れている。マスクの製造方法として、基材をエッチング
する方法が知られているが、従来の方法では、高精細な
マスクを製造することが困難であった。
【０００３】本発明は、従来の問題点を解決するもの
で、その目的は、高精細なマスク及びその製造方法、Ｅ
Ｌ装置及びその製造方法並びに電子機器を提供すること
にある。
で、その目的は、高精細なマスク及びその製造方法、Ｅ
Ｌ装置及びその製造方法並びに電子機器を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係るマス
クの製造方法は、単結晶基板においてミラー指数の｛１
１０｝で表される表面に、各辺が｛１１１｝で表される
グループの面のうちいずれかの面に平行に位置する多角
形をなす複数の開口が形成された耐エッチング膜を形成
し、エッチングによって、前記開口内において、前記単
結晶基板に複数の貫通穴を形成することを含み、前記エ
ッチングは、｛１１１｝面に対するエッチング速度が、
｛１００｝面及び｛１１０｝面に対するエッチング速度
よりも遅いという結晶の面方位依存性がある。
クの製造方法は、単結晶基板においてミラー指数の｛１
１０｝で表される表面に、各辺が｛１１１｝で表される
グループの面のうちいずれかの面に平行に位置する多角
形をなす複数の開口が形成された耐エッチング膜を形成
し、エッチングによって、前記開口内において、前記単
結晶基板に複数の貫通穴を形成することを含み、前記エ
ッチングは、｛１１１｝面に対するエッチング速度が、
｛１００｝面及び｛１１０｝面に対するエッチング速度
よりも遅いという結晶の面方位依存性がある。
【０００５】本発明によれば、耐エッチング膜に形成さ
れた開口の各辺が、｛１１１｝で表されるグループの面
のうちいずれかの面に平行に位置する。そして、結晶の
面方位依存性があるエッチングを行って、開口の内側
で、単結晶基板の｛１１０｝で表される面から直角にエ
ッチングを進行させることができる。こうして、単結晶
基板の表面に垂直な貫通穴を形成することができるの
で、高精細なマスクを製造することができる。
れた開口の各辺が、｛１１１｝で表されるグループの面
のうちいずれかの面に平行に位置する。そして、結晶の
面方位依存性があるエッチングを行って、開口の内側
で、単結晶基板の｛１１０｝で表される面から直角にエ
ッチングを進行させることができる。こうして、単結晶
基板の表面に垂直な貫通穴を形成することができるの
で、高精細なマスクを製造することができる。
【０００６】（２）このマスクの製造方法において、前
記単結晶基板の両面が、｛１１０｝面であり、前記複数
の開口が形成された前記耐エッチング膜を、前記両面の
それぞれに形成し、前記単結晶基板の前記両面から前記
エッチングを進行させ、エッチングによって形成された
凹部を貫通させて、それぞれの前記貫通穴を形成しても
よい。
記単結晶基板の両面が、｛１１０｝面であり、前記複数
の開口が形成された前記耐エッチング膜を、前記両面の
それぞれに形成し、前記単結晶基板の前記両面から前記
エッチングを進行させ、エッチングによって形成された
凹部を貫通させて、それぞれの前記貫通穴を形成しても
よい。
【０００７】（３）このマスクの製造方法において、前
記単結晶基板の前記両面のそれぞれに形成された前記耐
エッチング膜には、一方の面の側における第１の前記開
口と、他方の面の側における第２の前記開口と、を対応
させて形成してもよい。
記単結晶基板の前記両面のそれぞれに形成された前記耐
エッチング膜には、一方の面の側における第１の前記開
口と、他方の面の側における第２の前記開口と、を対応
させて形成してもよい。
【０００８】（４）このマスクの製造方法において、前
記第２の開口を、前記第１の開口よりも小さく、かつ、
前記第１の開口の投射領域の内側に形成してもよい。
記第２の開口を、前記第１の開口よりも小さく、かつ、
前記第１の開口の投射領域の内側に形成してもよい。
【０００９】こうすることで、第１及び第２の開口の位
置合わせが容易になる。
置合わせが容易になる。
【００１０】（５）このマスクの製造方法において、そ
れぞれの前記開口の形状は、平行四辺形であってもよ
い。
れぞれの前記開口の形状は、平行四辺形であってもよ
い。
【００１１】（６）このマスクの製造方法において、前
記単結晶基板の厚みＷと、前記平行四辺形の長辺の長さ
Ｌとは、√３×Ｗ＜Ｌの関係を有してもよい。
記単結晶基板の厚みＷと、前記平行四辺形の長辺の長さ
Ｌとは、√３×Ｗ＜Ｌの関係を有してもよい。
【００１２】（７）このマスクの製造方法において、前
記単結晶基板にエネルギービームによって小貫通孔を形
成した後に、前記小貫通孔を前記エッチングによって拡
大して、前記貫通穴を形成してもよい。
記単結晶基板にエネルギービームによって小貫通孔を形
成した後に、前記小貫通孔を前記エッチングによって拡
大して、前記貫通穴を形成してもよい。
【００１３】こうすることで、厚い単結晶基板にも貫通
穴を形成することができる。
穴を形成することができる。
【００１４】（８）このマスクの製造方法において、前
記単結晶基板の｛１１０｝で表される前記面は、鏡面研
磨されていてもよい。
記単結晶基板の｛１１０｝で表される前記面は、鏡面研
磨されていてもよい。
【００１５】（９）このマスクの製造方法において、前
記単結晶基板は、単結晶シリコン基板であってもよい。
記単結晶基板は、単結晶シリコン基板であってもよい。
【００１６】（１０）このマスクの製造方法において、
前記耐エッチング膜は、酸化シリコン及び窒化シリコン
のうちのいずれかであってもよい。
前記耐エッチング膜は、酸化シリコン及び窒化シリコン
のうちのいずれかであってもよい。
【００１７】（１１）このマスクの製造方法において、
エッチング液として、有機アミン系アルカリ水溶液及び
無機アルカリ水溶液を使用してもよい。
エッチング液として、有機アミン系アルカリ水溶液及び
無機アルカリ水溶液を使用してもよい。
【００１８】（１２）このマスクの製造方法において、
前記貫通穴を形成した後に、前記単結晶基板に磁性体膜
を形成することをさらに含んでもよい。
前記貫通穴を形成した後に、前記単結晶基板に磁性体膜
を形成することをさらに含んでもよい。
【００１９】こうすることで、磁力で吸着できるマスク
を製造することができる。
を製造することができる。
【００２０】（１３）このマスクの製造方法において、
前記単結晶基板における前記貫通穴を形成する領域に、
薄肉部を形成することをさらに含んでもよい。
前記単結晶基板における前記貫通穴を形成する領域に、
薄肉部を形成することをさらに含んでもよい。
【００２１】こうすることで、貫通穴の開口の大きさ
（例えば幅）に対して、貫通穴の軸方向の長さを短くす
ることができる。また、単結晶基板において貫通穴を形
成する領域以外の部分を、厚肉に残しておけば、強度を
保持することができる。
（例えば幅）に対して、貫通穴の軸方向の長さを短くす
ることができる。また、単結晶基板において貫通穴を形
成する領域以外の部分を、厚肉に残しておけば、強度を
保持することができる。
【００２２】（１４）このマスクの製造方法において、
前記薄肉部を、前記単結晶基板の端部を避けて形成して
もよい。
前記薄肉部を、前記単結晶基板の端部を避けて形成して
もよい。
【００２３】こうすることで、単結晶基板の端部が厚肉
となり強度を保持することができる。
となり強度を保持することができる。
【００２４】（１５）このマスクの製造方法において、
前記耐エッチング膜を、前記薄肉部を形成しようとする
領域を避けた第１の部分と、前記薄肉部を形成しようと
する領域に配置されて前記第１の領域よりも薄い第２の
部分と、を有し、前記第２の部分に前記開口を有するよ
うに形成し、前記耐エッチング膜の厚みを減らして、前
記第２の部分を第１の部分より先に除去し、前記単結晶
基板における前記第１の部分からの露出面をエッチング
することで、前記薄肉部を形成してもよい。
前記耐エッチング膜を、前記薄肉部を形成しようとする
領域を避けた第１の部分と、前記薄肉部を形成しようと
する領域に配置されて前記第１の領域よりも薄い第２の
部分と、を有し、前記第２の部分に前記開口を有するよ
うに形成し、前記耐エッチング膜の厚みを減らして、前
記第２の部分を第１の部分より先に除去し、前記単結晶
基板における前記第１の部分からの露出面をエッチング
することで、前記薄肉部を形成してもよい。
【００２５】こうすることで、耐エッチング膜を１度形
成するだけで、薄肉部及び貫通穴の形成を行うことがで
きる。
成するだけで、薄肉部及び貫通穴の形成を行うことがで
きる。
【００２６】（１６）このマスクの製造方法において、
前記貫通穴を形成した後に、前記薄肉部を形成してもよ
い。
前記貫通穴を形成した後に、前記薄肉部を形成してもよ
い。
【００２７】（１７）このマスクの製造方法において、
前記薄肉部を、結晶の面方位依存性がないエッチングに
よって形成してもよい。
前記薄肉部を、結晶の面方位依存性がないエッチングに
よって形成してもよい。
【００２８】これによれば、結晶の面方位にかかわら
ず、薄肉部を所望の形状に形成することができる。
ず、薄肉部を所望の形状に形成することができる。
【００２９】（１８）このマスクの製造方法において、
前記単結晶基板に複数の前記薄肉部を形成し、１グルー
プの前記貫通穴が形成された領域ごとに、それぞれの前
記薄肉部を形成してもよい。
前記単結晶基板に複数の前記薄肉部を形成し、１グルー
プの前記貫通穴が形成された領域ごとに、それぞれの前
記薄肉部を形成してもよい。
【００３０】（１９）本発明に係るマスクは、表裏面が
ミラー指数の｛１１０｝面からなる単結晶基板を有し、
前記単結晶基板には、複数の貫通穴が形成され、それぞ
れの前記貫通穴の開口形状は、各辺が、｛１１１｝で表
されるグループの面のうちいずれかの面に平行に位置す
る多角形であり、それぞれの前記貫通穴の壁面は、｛１
１１｝面である。
ミラー指数の｛１１０｝面からなる単結晶基板を有し、
前記単結晶基板には、複数の貫通穴が形成され、それぞ
れの前記貫通穴の開口形状は、各辺が、｛１１１｝で表
されるグループの面のうちいずれかの面に平行に位置す
る多角形であり、それぞれの前記貫通穴の壁面は、｛１
１１｝面である。
【００３１】本発明によれば、貫通穴が単結晶基板の表
裏面に垂直に形成されているので、マスクパターンが高
精細になっている。
裏面に垂直に形成されているので、マスクパターンが高
精細になっている。
【００３２】（２０）このマスクにおいて、それぞれの
前記開口の形状は、平行四辺形であってもよい。
前記開口の形状は、平行四辺形であってもよい。
【００３３】（２１）このマスクにおいて、前記単結晶
基板の厚みＷと、前記平行四辺形の長辺の長さＬとは、 √３×Ｗ＜Ｌ の関係を有してもよい。
基板の厚みＷと、前記平行四辺形の長辺の長さＬとは、 √３×Ｗ＜Ｌ の関係を有してもよい。
【００３４】（２２）このマスクにおいて、前記単結晶
基板は、単結晶シリコン基板であってもよい。
基板は、単結晶シリコン基板であってもよい。
【００３５】（２３）このマスクにおいて、前記単結晶
基板に形成された磁性体膜をさらに有してもよい。
基板に形成された磁性体膜をさらに有してもよい。
【００３６】こうすることで、マスクを磁力で吸着する
ことができる。
ことができる。
【００３７】（２４）このマスクにおいて、前記単結晶
基板における前記貫通穴が形成された領域に、薄肉部が
形成されていてもよい。
基板における前記貫通穴が形成された領域に、薄肉部が
形成されていてもよい。
【００３８】これによれば、貫通穴の開口の大きさ（例
えば幅）に対して、貫通穴の軸方向の長さを短くするこ
とができる。また、単結晶基板において貫通穴を形成す
る領域以外の部分を、厚肉に残しておけば、強度を保持
することができる。
えば幅）に対して、貫通穴の軸方向の長さを短くするこ
とができる。また、単結晶基板において貫通穴を形成す
る領域以外の部分を、厚肉に残しておけば、強度を保持
することができる。
【００３９】（２５）このマスクにおいて、前記薄肉部
は、前記単結晶基板の端部を避けて形成されていてもよ
い。
は、前記単結晶基板の端部を避けて形成されていてもよ
い。
【００４０】こうすることで、単結晶基板の端部が厚肉
となり強度を保持することができる。
となり強度を保持することができる。
【００４１】（２６）このマスクにおいて、前記単結晶
基板には、複数の前記薄肉部が形成され、１グループの
前記貫通穴が形成された領域ごとに、それぞれの前記薄
肉部が形成されていてもよい。
基板には、複数の前記薄肉部が形成され、１グループの
前記貫通穴が形成された領域ごとに、それぞれの前記薄
肉部が形成されていてもよい。
【００４２】（２７）本発明に係るＥＬ装置の製造方法
は、上記マスクを使用して、発光材料を成膜することを
含む。
は、上記マスクを使用して、発光材料を成膜することを
含む。
【００４３】（２８）本発明に係るＥＬ装置は、上記方
法により製造されてなる。
法により製造されてなる。
【００４４】（２９）本発明に係るＥＬ装置は、複数の
発光層を有し、それぞれの前記発光層の上面は、矩形を
除く多角形をなし、前記多角形のそれぞれの角の角度
は、ミラー指数の｛１１１｝で表されるグループの面の
うち２つの面の交差角度にほぼ等しい。
発光層を有し、それぞれの前記発光層の上面は、矩形を
除く多角形をなし、前記多角形のそれぞれの角の角度
は、ミラー指数の｛１１１｝で表されるグループの面の
うち２つの面の交差角度にほぼ等しい。
【００４５】（３０）このＥＬ装置において、前記多角
形は、平行四辺形であってもよい。
形は、平行四辺形であってもよい。
【００４６】（３１）本発明に係る電子機器は、ＥＬ装
置を有する。
置を有する。
【００４７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。
について図面を参照して説明する。
【００４８】（第１の実施の形態）図１（Ａ）〜図１
（Ｃ）は、本発明の実施の形態に係るマスクを説明する
図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示すＩＢ−ＩＢ
線断面図であり、図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）の一部拡大
図である。マスクは、単結晶基板１０を有する（あるい
は単結晶基板１０のみからなる）。単結晶基板１０は、
例えば単結晶シリコン基板であり、シリコンウエハであ
ってもよい。単結晶基板１０は、ミラー指数の｛１１
０｝で表される表面を有する。例えば、単結晶基板１０
の表裏面（両面）が｛１１０｝面である。なお、｛１１
０｝面は、（１１０）面と等価な複数の面を含む。立方
格子においては、｛１１０｝面に垂直な方向が＜１１０
＞方位である。
（Ｃ）は、本発明の実施の形態に係るマスクを説明する
図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示すＩＢ−ＩＢ
線断面図であり、図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）の一部拡大
図である。マスクは、単結晶基板１０を有する（あるい
は単結晶基板１０のみからなる）。単結晶基板１０は、
例えば単結晶シリコン基板であり、シリコンウエハであ
ってもよい。単結晶基板１０は、ミラー指数の｛１１
０｝で表される表面を有する。例えば、単結晶基板１０
の表裏面（両面）が｛１１０｝面である。なお、｛１１
０｝面は、（１１０）面と等価な複数の面を含む。立方
格子においては、｛１１０｝面に垂直な方向が＜１１０
＞方位である。
【００４９】単結晶基板１０には、少なくとも１つ（例
えば複数）の薄肉部１２が形成されている。複数の薄肉
部１２は、マトリクス状に配列してもよい。単結晶基板
１０における薄肉部１２以外の部分は、厚肉部１６であ
る。厚肉部１６によって単結晶基板１０の強度が保たれ
ている。薄肉部１２は、単結晶基板１０の端部を避けて
形成されている。すなわち、単結晶基板１０の端部が、
厚肉部１６である。厚肉部１６によって薄肉部１２が囲
まれているので、薄肉部１２が変形しにくくなってい
る。
えば複数）の薄肉部１２が形成されている。複数の薄肉
部１２は、マトリクス状に配列してもよい。単結晶基板
１０における薄肉部１２以外の部分は、厚肉部１６であ
る。厚肉部１６によって単結晶基板１０の強度が保たれ
ている。薄肉部１２は、単結晶基板１０の端部を避けて
形成されている。すなわち、単結晶基板１０の端部が、
厚肉部１６である。厚肉部１６によって薄肉部１２が囲
まれているので、薄肉部１２が変形しにくくなってい
る。
【００５０】薄肉部１２は、単結晶基板１０の厚み方向
において、一方の面に偏った位置にある。すなわち、薄
肉部１２は、単結晶基板１０の１つの面（表裏面のうち
一方）に形成された凹部１４の底部である。この場合、
単結晶基板１０において、薄肉部１２とそれ以外の部分
（厚肉部１６）とは、凹部１４が形成された面とは反対
側の面において面一である。変形例として、単結晶基板
１０の両面（表裏面）において対応する位置に凹部を形
成してもよい。その場合、薄肉部は、単結晶基板１０の
厚み方向において中央部に位置する。
において、一方の面に偏った位置にある。すなわち、薄
肉部１２は、単結晶基板１０の１つの面（表裏面のうち
一方）に形成された凹部１４の底部である。この場合、
単結晶基板１０において、薄肉部１２とそれ以外の部分
（厚肉部１６）とは、凹部１４が形成された面とは反対
側の面において面一である。変形例として、単結晶基板
１０の両面（表裏面）において対応する位置に凹部を形
成してもよい。その場合、薄肉部は、単結晶基板１０の
厚み方向において中央部に位置する。
【００５１】単結晶基板１０には、図１（Ｃ）に示すよ
うに、複数の貫通穴１８が形成されている。貫通穴１８
が形成された領域が薄肉部１２になっている。１グルー
プの貫通穴１８が、１つの薄肉部１２に形成されてい
る。
うに、複数の貫通穴１８が形成されている。貫通穴１８
が形成された領域が薄肉部１２になっている。１グルー
プの貫通穴１８が、１つの薄肉部１２に形成されてい
る。
【００５２】図２（Ａ）は、貫通穴を説明する平面図で
あり、図２（Ｂ）は、貫通穴を説明する斜視図である。
上述したように、単結晶基板１０の表面は、｛１１０｝
面である。貫通穴１８の開口形状は、矩形以外の多角形
である。図２（Ａ）に示す貫通穴１８の開口形状は、平
行四辺形であり、その長辺の長さＬと単結晶基板１０
（詳しくは厚肉部１６）の厚みＷ1（図１（Ｃ）参照）
とは、 √３×Ｗ1＜Ｌ の関係を有する。変形例として、平行四辺形の長辺の長
さＬと単結晶基板１０の薄肉部１２の厚みＷ2（図１
（Ｃ）参照）とが、 √３×Ｗ2＜Ｌ の関係を有していてもよい。
あり、図２（Ｂ）は、貫通穴を説明する斜視図である。
上述したように、単結晶基板１０の表面は、｛１１０｝
面である。貫通穴１８の開口形状は、矩形以外の多角形
である。図２（Ａ）に示す貫通穴１８の開口形状は、平
行四辺形であり、その長辺の長さＬと単結晶基板１０
（詳しくは厚肉部１６）の厚みＷ1（図１（Ｃ）参照）
とは、 √３×Ｗ1＜Ｌ の関係を有する。変形例として、平行四辺形の長辺の長
さＬと単結晶基板１０の薄肉部１２の厚みＷ2（図１
（Ｃ）参照）とが、 √３×Ｗ2＜Ｌ の関係を有していてもよい。
【００５３】貫通穴１８の開口の各辺は、｛１１１｝で
表されるグループの面（具体例は図２（Ａ）及び図２
（Ｂ）に記載してある。）のうち、いずれかの面に平行
に位置する。なお、立方格子においては、｛１１１｝面
に垂直な方向が＜１１１＞方位である。
表されるグループの面（具体例は図２（Ａ）及び図２
（Ｂ）に記載してある。）のうち、いずれかの面に平行
に位置する。なお、立方格子においては、｛１１１｝面
に垂直な方向が＜１１１＞方位である。
【００５４】図２（Ｃ）は、ミラー指数を使用して結晶
面を説明する図である。図２（Ｃ）から理解できるよう
に、｛１１０｝面と｛１１１｝面とは垂直に交差する。
貫通穴１８の壁面は、｛１１１｝で表されるグループの
面（具体例は図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に記載してあ
る。）のうちいずれかの面である。したがって、貫通穴
１８は、単結晶基板１０の表面（｛１１０｝面）に対し
て、垂直に形成されている。貫通穴１８が単結晶基板１
０の表裏面に垂直に形成されているので、マスクパター
ンが高精細になっている。
面を説明する図である。図２（Ｃ）から理解できるよう
に、｛１１０｝面と｛１１１｝面とは垂直に交差する。
貫通穴１８の壁面は、｛１１１｝で表されるグループの
面（具体例は図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に記載してあ
る。）のうちいずれかの面である。したがって、貫通穴
１８は、単結晶基板１０の表面（｛１１０｝面）に対し
て、垂直に形成されている。貫通穴１８が単結晶基板１
０の表裏面に垂直に形成されているので、マスクパター
ンが高精細になっている。
【００５５】図３（Ａ）〜図３（Ｆ）は、本発明の実施
の形態に係るマスクの製造方法を説明する図である。本
実施の形態では、単結晶基板１０を、上述した貫通穴１
８等が形成される前の状態で用意する。単結晶基板１０
は、例えば単結晶シリコン基板であり、シリコンウエハ
であってもよい。単結晶基板１０は、ミラー指数の｛１
１０｝で表される表面を有する。例えば、単結晶基板１
０の表裏面（両面）が｛１１０｝面である。単結晶基板
１０の少なくとも表面（あるいは表裏面）は、鏡面研磨
しておいてもよい。
の形態に係るマスクの製造方法を説明する図である。本
実施の形態では、単結晶基板１０を、上述した貫通穴１
８等が形成される前の状態で用意する。単結晶基板１０
は、例えば単結晶シリコン基板であり、シリコンウエハ
であってもよい。単結晶基板１０は、ミラー指数の｛１
１０｝で表される表面を有する。例えば、単結晶基板１
０の表裏面（両面）が｛１１０｝面である。単結晶基板
１０の少なくとも表面（あるいは表裏面）は、鏡面研磨
しておいてもよい。
【００５６】図３（Ａ）に示すように、単結晶基板１０
に耐エッチング膜２０（例えば１μｍ程度の厚み）を形
成する。耐エッチング膜２０は、単結晶基板１０の表裏
面（両面）のそれぞれに設ける。耐エッチング膜２０
は、単結晶基板１０の全面を連続的に覆うように設けて
もよい。耐エッチング膜２０を、熱酸化処理による酸化
シリコンや、窒化シリコンによって形成してもよい。
に耐エッチング膜２０（例えば１μｍ程度の厚み）を形
成する。耐エッチング膜２０は、単結晶基板１０の表裏
面（両面）のそれぞれに設ける。耐エッチング膜２０
は、単結晶基板１０の全面を連続的に覆うように設けて
もよい。耐エッチング膜２０を、熱酸化処理による酸化
シリコンや、窒化シリコンによって形成してもよい。
【００５７】図３（Ｂ）に示すように、耐エッチング膜
２０に複数の開口２２を形成する。単結晶基板１０の表
裏面（両面）において、一対の開口２２を対向するよう
に形成する。各開口２２は、上述した貫通穴１８を形成
する位置に、貫通穴１８と同じ形状を有するように形成
する。開口２２は、多角形（例えば平行四辺形）をなし
ている。開口２２の各辺は、｛１１１｝で表されるグル
ープの面のうち、いずれかの面に平行に位置する。開口
２２の形状についてのその他の詳細は、上述した貫通穴
１８と同じである。開口２２の形成には、フォトリソグ
ラフィを適用することができる。
２０に複数の開口２２を形成する。単結晶基板１０の表
裏面（両面）において、一対の開口２２を対向するよう
に形成する。各開口２２は、上述した貫通穴１８を形成
する位置に、貫通穴１８と同じ形状を有するように形成
する。開口２２は、多角形（例えば平行四辺形）をなし
ている。開口２２の各辺は、｛１１１｝で表されるグル
ープの面のうち、いずれかの面に平行に位置する。開口
２２の形状についてのその他の詳細は、上述した貫通穴
１８と同じである。開口２２の形成には、フォトリソグ
ラフィを適用することができる。
【００５８】図３（Ｃ）に示すように、耐エッチング膜
２０を、薄肉部１２を形成しようとする領域を避けた第
１の部分２４と、薄肉部１２を形成しようとする領域に
配置されて第１の領域２４よりも薄い第２の部分２６
と、を有するようにパターニングする。このパターニン
グには、フォトリソグラフィを適用してもよい。パター
ニングが終わると、第２の部分２６に開口２２が位置す
ることになる。第１及び第２の部分２４，２６の外形
（平面形状）は、それぞれ、厚肉部１６及び薄肉部１２
の外形（平面形状）と同じである。
２０を、薄肉部１２を形成しようとする領域を避けた第
１の部分２４と、薄肉部１２を形成しようとする領域に
配置されて第１の領域２４よりも薄い第２の部分２６
と、を有するようにパターニングする。このパターニン
グには、フォトリソグラフィを適用してもよい。パター
ニングが終わると、第２の部分２６に開口２２が位置す
ることになる。第１及び第２の部分２４，２６の外形
（平面形状）は、それぞれ、厚肉部１６及び薄肉部１２
の外形（平面形状）と同じである。
【００５９】そして、第１及び第２の部分２４，２６を
有する耐エッチング膜２０をマスクとして、単結晶基板
１０をエッチングする。ここで適用されるエッチング
は、異方性エッチングであって、｛１１１｝面に対する
エッチング速度が、｛１００｝面及び｛１１０｝面に対
するエッチング速度よりも遅い（例えば１０倍以上、好
ましくは１００倍以上遅い）という結晶の面方位依存性
がある。なお、エッチング液として、１５％の水酸化カ
リウム溶液を８０℃程度に加熱して使用してもよい。カ
リウムを避けたい場合には、エッチング液として、有機
アミン系アルカリ水溶液、例えば、テトラメチル水酸化
アンモニウムの１０〜２０重量％水溶液を用いても良
い。又は水酸化カリウム水溶液以外の無機アルカリ水溶
液、例えば、アンモニア水を使用してもよい。本実施の
形態では、単結晶基板１０の両面に、開口２２からの露
出面があるので、両側からエッチングが進む。
有する耐エッチング膜２０をマスクとして、単結晶基板
１０をエッチングする。ここで適用されるエッチング
は、異方性エッチングであって、｛１１１｝面に対する
エッチング速度が、｛１００｝面及び｛１１０｝面に対
するエッチング速度よりも遅い（例えば１０倍以上、好
ましくは１００倍以上遅い）という結晶の面方位依存性
がある。なお、エッチング液として、１５％の水酸化カ
リウム溶液を８０℃程度に加熱して使用してもよい。カ
リウムを避けたい場合には、エッチング液として、有機
アミン系アルカリ水溶液、例えば、テトラメチル水酸化
アンモニウムの１０〜２０重量％水溶液を用いても良
い。又は水酸化カリウム水溶液以外の無機アルカリ水溶
液、例えば、アンモニア水を使用してもよい。本実施の
形態では、単結晶基板１０の両面に、開口２２からの露
出面があるので、両側からエッチングが進む。
【００６０】図３（Ｄ）に示すように、耐エッチング膜
２０の開口２２内において貫通穴１８を形成する。な
お、単結晶基板１０の厚みＷ1（図１（Ｃ）参照）と、
開口２２の平行四辺形の長辺の長さＬ（図２（Ａ）に示
す貫通穴１８の平行四辺形の長辺の長さＬと同じ）と
は、√３×Ｗ1＜Ｌの関係を有する。したがって、両側
からのエッチングが途中で止まらずに、エッチングによ
って形成された凹部を貫通させることができる。
２０の開口２２内において貫通穴１８を形成する。な
お、単結晶基板１０の厚みＷ1（図１（Ｃ）参照）と、
開口２２の平行四辺形の長辺の長さＬ（図２（Ａ）に示
す貫通穴１８の平行四辺形の長辺の長さＬと同じ）と
は、√３×Ｗ1＜Ｌの関係を有する。したがって、両側
からのエッチングが途中で止まらずに、エッチングによ
って形成された凹部を貫通させることができる。
【００６１】図３（Ｅ）に示すように、耐エッチング膜
２０の厚みを減らして、第２の部分２６を第１の部分２
４より先に除去する。この工程は、エッチングによって
行ってもよい。こうして、貫通穴１８が形成された単結
晶基板１０は、耐エッチング膜２０のうち第１の部分２
４によって覆われる。単結晶基板１０において、第２の
部分２６が除去されて露出した面は、薄肉部１２を形成
する領域である。
２０の厚みを減らして、第２の部分２６を第１の部分２
４より先に除去する。この工程は、エッチングによって
行ってもよい。こうして、貫通穴１８が形成された単結
晶基板１０は、耐エッチング膜２０のうち第１の部分２
４によって覆われる。単結晶基板１０において、第２の
部分２６が除去されて露出した面は、薄肉部１２を形成
する領域である。
【００６２】図３（Ｆ）に示すように、単結晶基板１０
における第１の部分２４からの露出面をエッチングし
て、薄肉部１２を形成することができる。このエッチン
グに、結晶の面方位依存性がないエッチングを適用すれ
ば、所望の形状の薄肉部１２を形成することができる。
本実施の形態では、貫通穴１８を形成した後に、薄肉部
１２を形成する。薄肉部１２の詳細は、上述したので説
明を省略する。そして、耐エッチング膜２０（詳しくは
第１の部分２４）を除去して、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）
に示すマスクを製造することができる。
における第１の部分２４からの露出面をエッチングし
て、薄肉部１２を形成することができる。このエッチン
グに、結晶の面方位依存性がないエッチングを適用すれ
ば、所望の形状の薄肉部１２を形成することができる。
本実施の形態では、貫通穴１８を形成した後に、薄肉部
１２を形成する。薄肉部１２の詳細は、上述したので説
明を省略する。そして、耐エッチング膜２０（詳しくは
第１の部分２４）を除去して、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）
に示すマスクを製造することができる。
【００６３】本実施の形態によれば、耐エッチング膜２
０に形成された開口２２の各辺が、｛１１１｝で表され
るグループの面のうちいずれかの面に平行に位置する。
そして、結晶の面方位依存性があるエッチングを行っ
て、開口２２の内側で、単結晶基板１０の｛１１０｝で
表される面から直角にエッチングを進行させることがで
きる。こうして、単結晶基板１０の表面に垂直な貫通穴
１８を形成することができるので、高精細なマスクを製
造することができる。
０に形成された開口２２の各辺が、｛１１１｝で表され
るグループの面のうちいずれかの面に平行に位置する。
そして、結晶の面方位依存性があるエッチングを行っ
て、開口２２の内側で、単結晶基板１０の｛１１０｝で
表される面から直角にエッチングを進行させることがで
きる。こうして、単結晶基板１０の表面に垂直な貫通穴
１８を形成することができるので、高精細なマスクを製
造することができる。
【００６４】なお、本実施の形態では薄肉部１２を形成
したが、本発明は薄肉部１２を形成しない例を含む。薄
肉部１２を形成しない場合には、図３（Ｃ）に示す第２
の部分２６を形成する工程や、図３（Ｅ）以降の工程は
不要である。
したが、本発明は薄肉部１２を形成しない例を含む。薄
肉部１２を形成しない場合には、図３（Ｃ）に示す第２
の部分２６を形成する工程や、図３（Ｅ）以降の工程は
不要である。
【００６５】（第２の実施の形態）図４（Ａ）〜図４
（Ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係るマスクの製
造方法を説明する図である。第１の実施の形態では、単
結晶基板１０の両面において、耐エッチング膜２０に開
口２２を形成した。その場合、両側の開口２２の位置合
わせが難しいので、その位置合わせを簡単に行う方法を
中心に以下説明する。
（Ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係るマスクの製
造方法を説明する図である。第１の実施の形態では、単
結晶基板１０の両面において、耐エッチング膜２０に開
口２２を形成した。その場合、両側の開口２２の位置合
わせが難しいので、その位置合わせを簡単に行う方法を
中心に以下説明する。
【００６６】図４（Ａ）に示すように、単結晶基板１０
の一方の面に形成された耐エッチング膜３０には第１の
開口３４を形成し、他方の面に形成された耐エッチング
膜３２には第２の開口３６を形成する。ここで、第１及
び第２の開口３４，３６の幅Ａ，Ｂは、 Ｂ＜Ａ の関係を有する。したがって、第２の開口３６を、第１
の開口３２の投射領域の内側に形成すればよい。その位
置決めは、同じ大きさの開口を合わせるより簡単であ
る。こうして、単結晶基板１０の両面のそれぞれに形成
された記耐エッチング膜３０，３２に、一方の面の側に
おける第１の開口３４と、他方の面の側における第２の
開口３６とを対応させて形成する。そして、図４（Ｂ）
に示すようにエッチングを進行させて、図４（Ｃ）に示
すように貫通穴３８を形成する。図４（Ｃ）に示すよう
に、大きさの小さい第２の開口３６が形成された耐エッ
チング膜３２は、その端部が、貫通穴３８の内側に突出
するが、耐エッチング膜３２は除去すればよい。本実施
の形態で説明した内容は、第１の実施の形態に適用する
ことができる。
の一方の面に形成された耐エッチング膜３０には第１の
開口３４を形成し、他方の面に形成された耐エッチング
膜３２には第２の開口３６を形成する。ここで、第１及
び第２の開口３４，３６の幅Ａ，Ｂは、 Ｂ＜Ａ の関係を有する。したがって、第２の開口３６を、第１
の開口３２の投射領域の内側に形成すればよい。その位
置決めは、同じ大きさの開口を合わせるより簡単であ
る。こうして、単結晶基板１０の両面のそれぞれに形成
された記耐エッチング膜３０，３２に、一方の面の側に
おける第１の開口３４と、他方の面の側における第２の
開口３６とを対応させて形成する。そして、図４（Ｂ）
に示すようにエッチングを進行させて、図４（Ｃ）に示
すように貫通穴３８を形成する。図４（Ｃ）に示すよう
に、大きさの小さい第２の開口３６が形成された耐エッ
チング膜３２は、その端部が、貫通穴３８の内側に突出
するが、耐エッチング膜３２は除去すればよい。本実施
の形態で説明した内容は、第１の実施の形態に適用する
ことができる。
【００６７】（第３の実施の形態）図５は、本発明の第
３の実施の形態に係るマスクの製造方法を説明する図で
ある。第１の実施の形態では、単結晶基板の厚みＷ
1（図１（Ｃ）参照）と、耐エッチング膜２０の開口２
２の平行四辺形の長辺の長さＬ（図２（Ａ）に示す貫通
穴１８の平行四辺形の長辺の長さＬと同じ）とは、 √３×Ｗ1＜Ｌ の関係を有していた。このような比較的薄い単結晶基板
であれば貫通穴の形成が可能であるが、これ以上厚い単
結晶基板には、エッチングが途中で止まってしまい、貫
通穴を形成できない。
３の実施の形態に係るマスクの製造方法を説明する図で
ある。第１の実施の形態では、単結晶基板の厚みＷ
1（図１（Ｃ）参照）と、耐エッチング膜２０の開口２
２の平行四辺形の長辺の長さＬ（図２（Ａ）に示す貫通
穴１８の平行四辺形の長辺の長さＬと同じ）とは、 √３×Ｗ1＜Ｌ の関係を有していた。このような比較的薄い単結晶基板
であれば貫通穴の形成が可能であるが、これ以上厚い単
結晶基板には、エッチングが途中で止まってしまい、貫
通穴を形成できない。
【００６８】本実施の形態では、
√３×Ｗ1≧Ｌ
の関係が成り立つ場合（単結晶基板が厚い場合）の貫通
穴の形成方法を説明する。
穴の形成方法を説明する。
【００６９】図５に示すように、単結晶基板１０におけ
る貫通穴を形成する領域（パターニングされた耐エッチ
ング膜４０からの露出面）に、エッチング前に小貫通孔
（貫通穴よりも小さい孔）４２を形成しておく。小貫通
孔４２は、エネルギービーム（例えばＹＡＧレーザ）に
よって形成する。こうしておくことで、小貫通孔４２の
開口部に角部が形成されるので、エッチングの進行が止
まることなく、貫通穴を形成することができる。本実施
の形態で説明した内容は、第１の実施の形態に適用する
ことができる。
る貫通穴を形成する領域（パターニングされた耐エッチ
ング膜４０からの露出面）に、エッチング前に小貫通孔
（貫通穴よりも小さい孔）４２を形成しておく。小貫通
孔４２は、エネルギービーム（例えばＹＡＧレーザ）に
よって形成する。こうしておくことで、小貫通孔４２の
開口部に角部が形成されるので、エッチングの進行が止
まることなく、貫通穴を形成することができる。本実施
の形態で説明した内容は、第１の実施の形態に適用する
ことができる。
【００７０】（第４の実施の形態）図６は、本発明の第
３の実施の形態に係るマスク及びＥＬ装置の製造方法を
説明する図である。図６に示すマスク１０には、磁性体
膜５２が形成されている。磁性体膜５２は、鉄、コバル
ト、ニッケル等の強磁性材料で形成することができる。
あるいは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅや、Ｆｅ成分を含むステン
レス合金等の磁性金属材料や、磁性金属材料と非磁性金
属材料との結合により、磁性体膜５２を形成してもよ
い。マスク１０のその他の詳細は、第１の実施の形態で
説明した。
３の実施の形態に係るマスク及びＥＬ装置の製造方法を
説明する図である。図６に示すマスク１０には、磁性体
膜５２が形成されている。磁性体膜５２は、鉄、コバル
ト、ニッケル等の強磁性材料で形成することができる。
あるいは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅや、Ｆｅ成分を含むステン
レス合金等の磁性金属材料や、磁性金属材料と非磁性金
属材料との結合により、磁性体膜５２を形成してもよ
い。マスク１０のその他の詳細は、第１の実施の形態で
説明した。
【００７１】本実施の形態では、マスク１０を使用して
基板５４に発光材料を成膜する。基板５４は、ＥＬ装置
（例えば有機ＥＬ装置）のためのもので、ガラス基板等
の透明基板である。基板５４には、図７（Ａ）に示すよ
うに、電極（例えばＩＴＯ等からなる透明電極）５６や
正孔輸送層５８が形成されている。なお、電子輸送層を
形成してもよい。基板５４とは反対側に凹部１４を向け
て、マスク１０が配置されている。すなわち、マスク１
０の平らな面が基板５４側に向けられている。基板５４
の背後には、磁石５０が配置されており、マスク１０に
形成された磁性体膜５２を引き寄せるようになってい
る。これにより、マスク１０に反りが生じていても、こ
れを矯正することができる。
基板５４に発光材料を成膜する。基板５４は、ＥＬ装置
（例えば有機ＥＬ装置）のためのもので、ガラス基板等
の透明基板である。基板５４には、図７（Ａ）に示すよ
うに、電極（例えばＩＴＯ等からなる透明電極）５６や
正孔輸送層５８が形成されている。なお、電子輸送層を
形成してもよい。基板５４とは反対側に凹部１４を向け
て、マスク１０が配置されている。すなわち、マスク１
０の平らな面が基板５４側に向けられている。基板５４
の背後には、磁石５０が配置されており、マスク１０に
形成された磁性体膜５２を引き寄せるようになってい
る。これにより、マスク１０に反りが生じていても、こ
れを矯正することができる。
【００７２】図７（Ａ）〜図７（Ｃ）は、発光材料の成
膜方法を説明する図である。発光材料は、例えば有機材
料であり、低分子の有機材料としてアルミキノリノール
錯体（Ａｌｑ3）があり、高分子の有機材料としてポリ
パラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）がある。発光材料の
成膜は、蒸着によって行うことができる。例えば、図７
（Ａ）に示すように、マスク１０を介して赤色の発光材
料をパターニングしながら成膜し、赤色の発光層６０を
形成する。そして、図７（Ｂ）に示すように、マスク１
０をずらして、緑色の発光材料をパターニングしながら
成膜し、緑色の発光層６２を形成する。そして、図７
（Ｃ）に示すように、マスク１０を再びずらして、青色
の発光材料をパターニングしながら成膜し、青色の発光
層６２を形成する。
膜方法を説明する図である。発光材料は、例えば有機材
料であり、低分子の有機材料としてアルミキノリノール
錯体（Ａｌｑ3）があり、高分子の有機材料としてポリ
パラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）がある。発光材料の
成膜は、蒸着によって行うことができる。例えば、図７
（Ａ）に示すように、マスク１０を介して赤色の発光材
料をパターニングしながら成膜し、赤色の発光層６０を
形成する。そして、図７（Ｂ）に示すように、マスク１
０をずらして、緑色の発光材料をパターニングしながら
成膜し、緑色の発光層６２を形成する。そして、図７
（Ｃ）に示すように、マスク１０を再びずらして、青色
の発光材料をパターニングしながら成膜し、青色の発光
層６２を形成する。
【００７３】図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、上述した発
光材料の成膜方法を経て製造されたＥＬ装置を示す図で
ある。ＥＬ装置（例えば有機ＥＬ装置）は、基板５４、
電極５６、正孔輸送層５８、発光層６０，６２，６４等
を有する。図８（Ｂ）に示すように、発光層６０，６
２，６４のそれぞれの上面は、矩形を除く多角形（例え
ば平行四辺形）をなしている。この形状は、マスク１０
の貫通穴１８の形状に対応している。詳しくは、第１の
実施の形態で説明した。さらに、発光層６０，６２，６
４上に、電極６６が形成されている。電極６６は例えば
陰極電極である。ＥＬ装置（ＥＬパネル）は、表示装置
（ディスプレイ）となる。
光材料の成膜方法を経て製造されたＥＬ装置を示す図で
ある。ＥＬ装置（例えば有機ＥＬ装置）は、基板５４、
電極５６、正孔輸送層５８、発光層６０，６２，６４等
を有する。図８（Ｂ）に示すように、発光層６０，６
２，６４のそれぞれの上面は、矩形を除く多角形（例え
ば平行四辺形）をなしている。この形状は、マスク１０
の貫通穴１８の形状に対応している。詳しくは、第１の
実施の形態で説明した。さらに、発光層６０，６２，６
４上に、電極６６が形成されている。電極６６は例えば
陰極電極である。ＥＬ装置（ＥＬパネル）は、表示装置
（ディスプレイ）となる。
【００７４】本発明の実施の形態に係るＥＬ装置を有す
る電子機器として、図９にはノート型パーソナルコンピ
ュータ１０００が示され、図１０には携帯電話２０００
が示されている。
る電子機器として、図９にはノート型パーソナルコンピ
ュータ１０００が示され、図１０には携帯電話２０００
が示されている。
【００７５】本発明は、上述した実施の形態に限定され
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明の実施の形
態に係るマスクを説明する図である。
態に係るマスクを説明する図である。
【図２】図２（Ａ）は、貫通穴を説明する平面図であ
り、図２（Ｂ）は、貫通穴を説明する斜視図であり、図
２（Ｃ）は、ミラー指数を使用して結晶面を説明する図
である。
り、図２（Ｂ）は、貫通穴を説明する斜視図であり、図
２（Ｃ）は、ミラー指数を使用して結晶面を説明する図
である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｆ）は、本発明の実施の形
態に係るマスクの製造方法を説明する図である。
態に係るマスクの製造方法を説明する図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、本発明の第２の実
施の形態に係るマスクの製造方法を説明する図である。
施の形態に係るマスクの製造方法を説明する図である。
【図５】図５は、本発明の第３の実施の形態に係るマス
クの製造方法を説明する図である。
クの製造方法を説明する図である。
【図６】図６は、本発明の第４の実施の形態に係るマス
ク及びＥＬ装置の製造方法を説明する図である。
ク及びＥＬ装置の製造方法を説明する図である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｃ）は、発光材料の成膜方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
【図８】図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、本発明を適用し
た発光材料の成膜方法を経て製造されたＥＬ装置を示す
図である。
た発光材料の成膜方法を経て製造されたＥＬ装置を示す
図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態に係る電子機器を
示す図である。
示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る電子機
器を示す図である。
器を示す図である。
１０ 単結晶基板
１２ 薄肉部
１８ 貫通穴
２０ 耐エッチング膜
２２ 開口
２４ 第１の部分
２６ 第２の部分
３０ 耐エッチング膜
３２ 耐エッチング膜
３４ 第１の開口
３６ 第２の開口
３８ 貫通穴
４０ 耐エッチング膜
４２ 小貫通孔
５２ 磁性体膜
６０ 発光層
６２ 発光層
６４ 発光層
Claims (31)
- 【請求項１】 単結晶基板においてミラー指数の｛１１
０｝で表される表面に、各辺が｛１１１｝で表されるグ
ループの面のうちいずれかの面に平行に位置する多角形
をなす複数の開口が形成された耐エッチング膜を形成
し、 エッチングによって、前記開口内において、前記単結晶
基板に複数の貫通穴を形成することを含み、 前記エッチングは、｛１１１｝面に対するエッチング速
度が、｛１００｝面及び｛１１０｝面に対するエッチン
グ速度よりも遅いという結晶の面方位依存性があるマス
クの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のマスクの製造方法におい
て、 前記単結晶基板の両面が、｛１１０｝面であり、 前記複数の開口が形成された前記耐エッチング膜を、前
記両面のそれぞれに形成し、 前記単結晶基板の前記両面から前記エッチングを進行さ
せ、エッチングによって形成された凹部を貫通させて、
それぞれの前記貫通穴を形成するマスクの製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のマスクの製造方法におい
て、 前記単結晶基板の前記両面のそれぞれに形成された前記
耐エッチング膜には、一方の面の側における第１の前記
開口と、他方の面の側における第２の前記開口と、を対
応させて形成するマスクの製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載のマスクの製造方法におい
て、 前記第２の開口を、前記第１の開口よりも小さく、か
つ、前記第１の開口の投射領域の内側に形成するマスク
の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
のマスクの製造方法において、 それぞれの前記開口の形状は、平行四辺形であるマスク
の製造方法。 - 【請求項６】 請求項２を引用する請求項５記載のマス
クの製造方法において、 前記単結晶基板の厚みＷと、前記平行四辺形の長辺の長
さＬとは、 √３×Ｗ＜Ｌ の関係を有するマスクの製造方法。 - 【請求項７】 請求項１から請求項６のいずれかに記載
のマスクの製造方法において、 前記単結晶基板にエネルギービームによって小貫通孔を
形成した後に、前記小貫通孔を前記エッチングによって
拡大して、前記貫通穴を形成するマスクの製造方法。 - 【請求項８】 請求項１から請求項７のいずれかに記載
のマスクの製造方法において、 前記単結晶基板の｛１１０｝で表される前記面は、鏡面
研磨されてなるマスクの製造方法。 - 【請求項９】 請求項１から請求項８のいずれかに記載
のマスクの製造方法において、 前記単結晶基板は、単結晶シリコン基板であるマスクの
製造方法。 - 【請求項１０】 請求項１から請求項９のいずれかに記
載のマスクの製造方法において、 前記耐エッチング膜は、酸化シリコン及び窒化シリコン
のうちのいずれかであるマスクの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１から請求項１０のいずれかに
記載のマスクの製造方法において、 エッチング液として、有機アミン系アルカリ水溶液及び
無機アルカリ水溶液を使用するマスクの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１から請求項１１のいずれかに
記載のマスクの製造方法において、 前記貫通穴を形成した後に、前記単結晶基板に磁性体膜
を形成することをさらに含むマスクの製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１から請求項１２のいずれかに
記載のマスクの製造方法において、 前記単結晶基板における前記貫通穴を形成する領域に、
薄肉部を形成することをさらに含むマスクの製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１３記載のマスクの製造方法に
おいて、 前記薄肉部を、前記単結晶基板の端部を避けて形成する
マスクの製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１３又は請求項１４記載のマス
クの製造方法において、 前記耐エッチング膜を、前記薄肉部を形成しようとする
領域を避けた第１の部分と、前記薄肉部を形成しようと
する領域に配置されて前記第１の領域よりも薄い第２の
部分と、を有し、前記第２の部分に前記開口を有するよ
うに形成し、 前記耐エッチング膜の厚みを減らして、前記第２の部分
を第１の部分より先に除去し、前記単結晶基板における
前記第１の部分からの露出面をエッチングすることで、
前記薄肉部を形成するマスクの製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１３から請求項１５のいずれか
に記載のマスクの製造方法において、 前記貫通穴を形成した後に、前記薄肉部を形成するマス
クの製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１３から請求項１６のいずれか
に記載のマスクの製造方法において、 前記薄肉部を、結晶の面方位依存性がないエッチングに
よって形成するマスクの製造方法。 - 【請求項１８】 請求項１から請求項１７のいずれかに
記載のマスクの製造方法において、 前記単結晶基板に複数の前記薄肉部を形成し、 １グループの前記貫通穴が形成された領域ごとに、それ
ぞれの前記薄肉部を形成するマスクの製造方法。 - 【請求項１９】 表裏面がミラー指数の｛１１０｝面か
らなる単結晶基板を有し、 前記単結晶基板には、複数の貫通穴が形成され、 それぞれの前記貫通穴の開口形状は、各辺が、｛１１
１｝で表されるグループの面のうちいずれかの面に平行
に位置する多角形であり、 それぞれの前記貫通穴の壁面は、｛１１１｝面であるマ
スク。 - 【請求項２０】 請求項１９記載のマスクにおいて、 それぞれの前記開口の形状は、平行四辺形であるマス
ク。 - 【請求項２１】 請求項２０記載のマスクにおいて、 前記単結晶基板の厚みＷと、前記平行四辺形の長辺の長
さＬとは、 √３×Ｗ＜Ｌ の関係を有するマスク。 - 【請求項２２】 請求項１９から請求項２１のいずれか
に記載のマスクにおいて、 前記単結晶基板は、単結晶シリコン基板であるマスク。 - 【請求項２３】 請求項１９から請求項２２のいずれか
に記載のマスクにおいて、 前記単結晶基板に形成された磁性体膜をさらに有するマ
スク。 - 【請求項２４】 請求項１９から請求項２３のいずれか
に記載のマスクにおいて、 前記単結晶基板における前記貫通穴が形成された領域
に、薄肉部が形成されてなるマスク。 - 【請求項２５】 請求項２４記載のマスクにおいて、 前記薄肉部は、前記単結晶基板の端部を避けて形成され
てなるマスク。 - 【請求項２６】 請求項２４又は請求項２５記載のマス
クにおいて、 前記単結晶基板には、複数の前記薄肉部が形成され、 １グループの前記貫通穴が形成された領域ごとに、それ
ぞれの前記薄肉部が形成されてなるマスク。 - 【請求項２７】 請求項１９から請求項２６のいずれか
に記載のマスクを使用して、発光材料を成膜することを
含むエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 【請求項２８】 請求項２７記載の方法により製造され
てなるエレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項２９】 複数の発光層を有し、それぞれの前記
発光層の上面は、矩形を除く多角形をなし、 前記多角形のそれぞれの角の角度は、ミラー指数の｛１
１１｝で表されるグループの面のうち２つの面の交差角
度にほぼ等しいエレクトロルミネッセンス装置。 - 【請求項３０】 請求項２９記載のエレクトロルミネッ
センス装置において、 前記多角形は、平行四辺形であるエレクトロルミネッセ
ンス装置。 - 【請求項３１】 請求項２８から請求項３０のいずれか
に記載のエレクトロルミネッセンス装置を有する電子機
器。
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| JP2001287019A JP3775493B2 (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | マスクの製造方法 |
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| US10/246,731 US6893575B2 (en) | 2001-09-20 | 2002-09-19 | Mask and method of manufacturing the same, electro-luminescence device and method of manufacturing the same, and electronic instrument |
| CNB021424985A CN1214697C (zh) | 2001-09-20 | 2002-09-20 | 掩模及其制造方法和电致发光装置及其制造方法 |
| US10/939,381 US20050051516A1 (en) | 2001-09-20 | 2004-09-14 | Mask and method of manufacturing the same, electro-luminescence device and method of manufacturing the same, and electronic instrument |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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