JP2003100602A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JP2003100602A JP2003100602A JP2001291644A JP2001291644A JP2003100602A JP 2003100602 A JP2003100602 A JP 2003100602A JP 2001291644 A JP2001291644 A JP 2001291644A JP 2001291644 A JP2001291644 A JP 2001291644A JP 2003100602 A JP2003100602 A JP 2003100602A
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Abstract
トを内部に収納する筐体とを、振動を伝えることなく連
結し、密閉構造とする。 【解決手段】 露光光源1からの露光光により照明光学
系を介して原版としてのマスク8を照明し、マスク8に
形成されたパターンを投影レンズ11を介して感光基板
としてのウエハ12上に投影露光する露光装置であっ
て、露光光源1から投影レンズ11に至る露光光の光路
上に配置される光学系素子を内部に配置した複数の筐体
3,4,5,6,7と、該複数の筐体3〜7をガス置換
するガス置換手段とを有する。筐体を連結する手段とし
て弾性体からなる密閉部材26,27,28,29を用
いる。また、密閉部材26〜29の内側にはレーザ光が
直接照射されることを防止するための遮光部材41,4
2,43,44を設ける。
Description
特に半導体素子(IC・CCD等)、液晶表示素子、薄
膜磁気ヘッド等をリソグラフィ工程で使用される露光装
置に関するものである。
微細パターンから形成される半導体素子の製造工程にお
いて、縮小型投影露光装置が使用されている。半導体素
子の実装密度の向上に伴い、パターンのより一層の微細
化が要求され、レジストプロセスの発展と同時に露光装
置の微細化への対応がなされてきた。
は、露光波長をより短波長に変更していく方法と、投影
光学系の開口数(NA)を大きくしていく方法とがあ
る。一般に解像力は露光波長に比例し、NAに反比例す
ることが知られている。また、解像力を向上させる一方
で、投影光学系の焦点深度を確保するための努力もなさ
れている。一般に焦点深度は露光波長に比例し、NAの
2乗に反比例するため、解像力向上と焦点深度確保とは
相反する課題である。こうした問題を解決する方法とし
て、位相シフトレチクル法やFLEX(Focus Latitude
enhancement Exposure) 法などが提案されている。
ら最近では248nm付近の発振波長を有するKrFエ
キシマレーザが主流になっており、さらには次世代露光
光源として193nm付近の発振波長を有するArFエ
キシマレーザやF2 レーザ(発振波長157nm)の開
発が行われている。
ら、露光装置におけるより一層のスループット向上が図
られてきている。例えば、露光光源の大出力化により、
1ショット当たりの露光時間を短縮する方法、あるいは
露光面積の拡大により、1ショット当たりの素子数を増
やす方法などが挙げられる。
プサイズ拡大に対応するため、マスクパターンを順次焼
き付け及びステップ移動させるステップ・アンド・リピ
ート方式のいわゆるステッパから、マスクとウエハを同
期させながら走査露光し、次のショットに順次移動させ
るステップ・アンド・スキャン方式の露光装置へと移行
しつつある。このステップ・アンド・スキャン方式の露
光装置は、露光フィールドがスリット状であるため、投
影光学系を大型化することなく露光面積を拡大できる特
徴を持っている。
いた場合、長期にわたる装置使用の結果、光路中に配置
された光学素子の表面に硫酸アンモニウム(NH4)2 S
O4や二酸化ケイ素SiO2 などが付着し、光学特性が
著しく低下する現象が発生する。これは、周囲の環境に
含まれるアンモニアNH3 、亜硫酸SO2 、及びSi化
合物などが紫外線を照射することで化学反応を起こし生
成されるものである。従来より、こうした光学素子の劣
化を防止するために、クリーンドライエアや窒素等の不
活性ガスで光路全体をパージすることが行われている。
の波長を有するArFエキシマレーザにおいては、上記
波長付近の帯域には酸素(O2)の吸収帯が複数存在する
ことが知られている。また、酸素が上記光を吸収するこ
とによりオゾン(O3)が生成され、このオゾンが光の吸
収をより増加させ、透過率を著しく低下させることに加
え、前述のようにオゾンに起因する各種生成物が光学素
子表面に付着し、光学系の効率を低下させる。
線を光源とする投影露光装置の露光光学系の光路におい
ては、窒素等の不活性ガスによるパージ手段によって、
光路中に存在する酸素濃度を低レベルに抑える方法がと
られている。さらに、ArFよりも波長の短いF2 レー
ザを用いる場合は、酸素の吸収係数が非常に大きいた
め、空気中はもとより、酸素が含まれていると露光光は
吸収されてしまい、露光光源として使用することが出来
ない。そのため、露光装置内の空気を排除し、ヘリウム
や窒素など雰囲気ガスで充満し、酸素濃度を低く保つこ
とで露光光の吸収を防ぐ手法が用いられる。
ガスをヘリウムや窒素ガスに置換することは、雰囲気ガ
スの置換に要する時間のためにスループット低下の原因
となる。また、大量の置換ガスを必要とすることや、露
光装置チャンバの構造が複雑化することからコスト的に
も大きな問題点となっている。そのため、レーザ光の光
路上最小限の範囲をこれらの窒素ガスやヘリウムガス等
の不活性ガスに置換するのが好ましい。
は、光路上の照明光学系や投影光学系を複数の筐体内に
収納し、その内部をガス置換する方法が、特開平6−2
1600号公報にて提案されている。筐体間においても
連結するための筐体を設け内部に置換ガスを供給するた
め経路を設けることで光源からウエハまで全ての光路を
ガス置換することは可能となる。
の光路上には、2次光源上の照明領域や形状を操作する
ための照明開口絞り切り替え部や、レチクル上の照明領
域の形状を規定するための駆動可能なブラインド部が配
置されている。これらのユニットを駆動する際に発生す
る振動は、照明光学系を構成する光学素子に伝わると、
照明光の像性能が著しく劣化する危険がある。特にスキ
ャナに用いられるブラインド部は、レチクル上の照射領
域を一定に保つため、走査露光中は常に駆動する必要が
ある。そのため、これら照明光学系内部の駆動ユニット
は、光学素子が内部に収納される筐体に振動を伝えない
構造とすることが好ましい。
レチクルとウエハの相対位置を検出し、位置合わせ(ア
ライメント)をするレチクルステージが配置されてい
る。近年の露光装置ではレチクルステージにナノオーダ
の位置合わせ精度が求められるため、微小な振動であっ
ても無視できないレベルとなっている。特にスキャナに
用いられるレチクルステージの場合、振動は走査露光系
に対しては外乱として働き、走査露光時にマスクステー
ジとウエハステージとの同期走査を行う際に、安定な露
光精度を確保する露光制御系に対して制御を不安定にす
る要因になっていた。このため、レチクルステージは、
他のユニットとの連結をせず独立して支持されることが
好ましい。
に位置する駆動ユニットは、光学素子が収納される筐体
とは振動を伝えることなく連結される必要がある。その
ため、光路上の必要最低限の領域だけを密閉空間にする
ことは非常に困難な問題となっていた。
と駆動ユニットを内部に収納する筐体とを振動を伝える
ことなく連結し、密閉構造とすることができる露光装置
を提供することを目的とする。
に、本発明は、露光光源からの露光光により照明光学系
を介して原版を照明し、前記原版に形成されたパターン
を投影光学系を介して感光基板上に投影露光する露光装
置であって、前記露光光源から前記投影光学系に至る露
光光の光路上に配置される光学系素子を内部に配置した
複数の筐体と、該複数の筐体内をガス置換するガス置換
手段とを有し、前記複数の筐体間を連結し密閉する弾性
体と、該弾性体に露光光が照射されるのを防止する遮光
手段とを設けたことを特徴とする。
ッ素樹脂を用いることが望ましく、前記遮光手段とし
て、隣り合う筐体の一方に一端が固定され他方の筐体に
対し振動的に絶縁した遮光部材を有することが好まし
く、前記遮光部材として二重の鞘管を用いてもよい。
やKrFエキシマレーザ、さらには、酸素に対して吸収
特性を有する波長域を含む照明光(ArFエキシマレー
ザやF2 レーザ)を光源とし、パターンが形成されたマ
スク(以後レチクルともいう)に光源からの光を照射す
るための照明光学系と、照明されたパターンの像をウエ
ハ上に形成するための投影光学系とを有する投影露光装
置において、照明光学系及び投影光学系を、密閉構造を
した筐体内に配置し、筐体内にクリーンドライエア、ま
たは照明光の波長域に対して酸素より吸収特性の小さな
不活性ガスを供給するガス供給系を設け、筐体内の照明
光の光路中に存在する大気のほぼ全体をクリーンドライ
エア、または酸素以外の物質(窒素等の不活性ガス)で
置換するようにする。
ニットと内部に光学素子が配置される筐体とを連結する
密閉部材としてゴムや樹脂等の弾性体を用い、密閉部材
として用いる弾性体に、直接的にレーザ光が照射される
のを防止するために遮光部材を設けることが好ましい。
として弾性体を用いることで、駆動ユニットから光学素
子を収納する筐体への振動や、照明光学系や投影光学系
からレチクルステージのような位置検出装置へ微小な振
動が伝わることなく、筐体間の連結を密閉構造にするこ
とができる。さらに、本発明は、密閉部材として用いら
れる弾性体に直接的に露光光が照射されないことから、
弾性体の劣化防止をも可能としている。
を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に
設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセス
によって半導体デバイスを製造する工程とを有する半導
体デバイス製造方法にも適用される。前記製造装置群を
ローカルエリアネットワークで接続する工程と、前記ロ
ーカルエリアネットワークと前記半導体製造工場外の外
部ネットワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも
1台に関する情報をデータ通信する工程とをさらに有す
ることが望ましい。前記露光装置のベンダもしくはユー
ザが提供するデータベースに前記外部ネットワークを介
してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保
守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半
導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデ
ータ通信して生産管理を行うことが好ましい。
を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を
接続するローカルエリアネットワークと、該ローカルエ
リアネットワークから工場外の外部ネットワークにアク
セス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の
少なくとも1台に関する情報をデータ通信することを可
能にした半導体製造工場にも適用できる。
れた前記いずれかの露光装置の保守方法であって、前記
露光装置のベンダもしくはユーザが、半導体製造工場の
外部ネットワークに接続された保守データベースを提供
する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネット
ワークを介して前記保守データベースへのアクセスを許
可する工程と、前記保守データベースに蓄積される保守
情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工場側
に送信する工程とを有することを特徴としてもよい。
において、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュ
ータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュー
タネットワークを介してデータ通信することを可能にし
たことを特徴としてもよい。前記ネットワーク用ソフト
ウェアは、前記露光装置が設置された工場の外部ネット
ワークに接続され前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供する保守データベースにアクセスするためのユー
ザインタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記
外部ネットワークを介して該データベースから情報を得
ることを可能にすることが好ましい。
の第1の実施形態に係るステップ・アンド・スキャン型
露光装置を側面から見た様子を模式的に示す図である。
m付近の発振波長を有するKrFエキシマレーザまたは
193nm付近の発振波長を有するArFエキシマレー
ザもしくは157nm付近の発振波長を有するF2 レー
ザで、パルス発光を行うものである。光源1からのレー
ザビームは、架台2に載置された筐体3に収納された第
一照明光学系に導かれ、内部のミラー3aで反射され、
所定のビーム形状に成形するための成形光学系3b、ミ
ラー3cを介してオプティカルインテグレータ3dに入
射する。オプティカルインテグレータ3dの射出面近傍
には、筐体4に収納された、二次光源切り替え部4aが
配置される。
集光レンズ5aで集光され、筐体6に収納される可変ブ
ラインド6aに入射する。可変ブラインド6aは、前記
集光レンズ5aで形成される集光点を含む光軸に対し直
交方向の面の近傍に遮光板を配置し、原版としてのマス
ク8のパターン面の照明領域を任意に設定可能にしてい
る。図2にマスク8を照明している状態を示す。可変ブ
ラインド6aからの光は筐体7に収納された第2照明光
学系に入射する。第2照明光学系は、筐体7内の集光レ
ンズ7a及び7cと、ミラー7bとから構成される。
成されたパターン8aの一部をスリット状光束8bによ
ってスリット照明し、図1に示される投影光学系11に
よって基板としてのウエハ12上に上記パターン8aの
一部を縮小投影する。この時、図1に示されている矢印
のように、マスク8及びウエハ12を投影光学系11と
スリット状光束8bに対し、投影光学系11の縮小比率
と同じ速度比率で互いに逆方向にスキャン(SCAN)
させながら、光源1からのパルス発光による多パルス露
光を繰り返すことにより、マスク8全面のパターン8a
をウエハ12上の1チップ領域または複数チップ領域に
転写する。
及びこれを保持するマスクチャック9を保持しながら、
不図示の駆動系によって矢印方向にスキャン駆動する。
15はマスクステージ10に固定されたバーミラー、1
6はマスクステージ10の速度を検出するレーザ干渉計
である。マスクステージ10及びレーザ干渉計16は、
いずれも支持定盤17に載置されている。尚、支持定盤
17は、床から支柱18、及びダンパ19を介して投影
光学系11を保持する鏡筒定盤20上に固定されてい
る。
2及びこれを保持するウエハチャック13を保持しなが
ら、不図示の駆動系によって矢印方向にスキャン駆動す
る。21は、ウエハステージ14に固定されたバーミラ
ー、22はウエハステージ14の速度を検出するレーザ
干渉計であり、鏡筒定盤20に固定されている。また、
ウエハステージ14は、床からダンパ23を介してステ
ージ定盤24上に載置されている。さらに、鏡筒定盤2
0に固定されたレーザ干渉計25により、鏡筒定盤20
とステージ定盤24の図中上下方向の相対距離を測定し
ている。このように、レーザ干渉計22及び25によ
り、鏡筒定盤20とウエハステージ14との位置関係、
しいてはマスク8とウエハ12の所定の相対位置関係が
保証されている。
5,6,7は密閉構造をしており、それぞれ図示されな
い架台に支持されている。これらの各筐体3〜7間、及
びマスクステージカバー部31はフッ素ゴムよりなる密
閉部材26,27,28,29,30で連結されてい
る。各筐体3〜7の内部にはガスが通るための経路が設
けられており、所謂直列パージ構造となっている。そし
て、各密閉部材26〜30に露光光が直接に照射される
のを防止するために、遮光手段として遮光部材41,4
2,43,44,45が設けられている。
実施形態に係る遮光部材の取り付け構造の一例を示す断
面図である。この取り付け構造は、ほぼ同形の二つの隣
り合う筐体32,33の端部間に、密閉部材34及び遮
光部材35を配置して構成されている。密閉部材34
は、ほぼ一定厚さで中間に外形を大きくした膨出部を有
する管状の弾性体からなっており、一端が筐体32の外
周に、他端が筐体33の外周にそれぞれ気密に嵌着さ
れ、軸線方向に伸縮自在である。密閉部材34は、フッ
素樹脂材料の弾性ゴムからなることが好ましい。
穴Ho1より大きく内部を露光光が通る管状体と、外フラ
ンジとを一体に有し、遮光手段として、光通過穴Ho1,
Ho2を通る露光光に対し密閉部材34の内面を覆って該
密閉部材34に露光光が照射されるのを防止する。遮光
部材35の外フランジは、一方の筐体32の端板部の外
面に当接させ同心配置して固定されている。そして遮光
部材35は、その先端が、他方の筐体33の端板部に開
けられた穴Ho2に遊嵌挿入されており、筐体33に対し
振動的に絶縁されて軸線方向に変位自在である。
実施形態に係る遮光部材の取り付け構造の例を示す断面
図である。この取り付け構造は、大きさが異なる二つの
隣り合う筐体36,37の端部間に、密閉部材38と遮
光部材39以外に、この遮光部材39の外周に遊嵌合す
る管状の遮光部材40を配置して構成されている。密閉
部材38は、外フランジを一体に有し、その外フランジ
が大きい方の筐体36の端板部に気密に固定され、他端
が筐体37の外周に気密に嵌着されている。また、密閉
部材38は、軸線方向に伸縮自在であり、両筐体36,
37間を連結し密閉する。密閉部材38は、フッ素樹脂
材料の弾性ゴムからなることが好ましい。
径よりも若干大きく、外径が遮光部材40の内径よりも
小さい管状をなしている。また、遮光部材39は、密閉
部材38の内側に同心配置して外フランジが筐体36の
端板部に固定され、先端がフリーである。遮光部材40
は、内径が遮光部材39の外径及び光通過穴Ho2の直径
よりも大きく、外径が密閉部材38の内径よりも小さい
管状体である。また、遮光部材40は、基端が小さい方
の筐体37の端板面に固定されていて、先端がフリーで
ある。遮光手段を構成する二つの遮光部材39,40
は、常時重なり合う部分を有するように長さが寸法設定
され、二重の鞘管状に先端同士が遊嵌合して互いに振動
的に絶縁され、相互に軸線方向に変位自在であり、光通
過穴Ho1,Ho2を通る露光光に対し密閉部材38の内面
を覆っていて、該密閉部材38を露光光が照射するのを
防止する。
は置換ガス供給部が設けられ、マスクステージカバー部
31には置換ガス排気系が設けられており、予め設定さ
れたプログラムに従い内部のガスがヘリウム置換され
る。置換ガスは、窒素やネオン等の他の不活性ガスでも
よい。
う二つの筐体間と密閉部材とで構成される各空間に置換
ガス供給部と置換ガス排気部を設ける、所謂並列パージ
構造にしてもよい。
本発明に係る装置を用いた半導体デバイス(ICやLS
I等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘ
ッド、マイクロマシン等)の生産システムの例を説明す
る。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラ
ブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提
供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネ
ットワークを利用して行うものである。
して表現したものである。図中、101は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の事
業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査装置
等)を想定している。事業所101内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム10
8、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク(LAN)109を備える。ホスト管理システム1
08は、LAN109を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット105に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場102〜104は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場(例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等)であっても良
い。各工場102〜104内には、夫々、複数の製造装
置106と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク(LAN)111と、各
製造装置106の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム107とが設けられている。各工場1
02〜104に設けられたホスト管理システム107
は、各工場内のLAN111を工場の外部ネットワーク
であるインターネット105に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のLAN111からイ
ンターネット105を介してベンダの事業所101側の
ホスト管理システム108にアクセスが可能となり、ホ
スト管理システム108のセキュリティ機能によって限
られたユーザだけにアクセスが許可となっている。具体
的には、インターネット105を介して、各製造装置1
06の稼動状況を示すステータス情報(例えば、トラブ
ルが発生した製造装置の症状)を工場側からベンダ側に
通知する他、その通知に対応する応答情報(例えば、ト
ラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフ
トウェアやデータ)や、最新のソフトウェア、ヘルプ情
報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができ
る。各工場102〜104とベンダの事業所101との
間のデータ通信および各工場内のLAN111でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル(TCP/IP)が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク(ISDNなど)を利
用することもできる。また、ホスト管理システムはベン
ダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築
して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場か
ら該データベースへのアクセスを許可するようにしても
よい。
図5とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部
ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して
各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報を
データ通信するものであった。これに対し本例は、複数
のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置
のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネ
ットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ
通信するものである。図中、201は製造装置ユーザ
(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置202、レジスト処理装置203、
成膜処理装置204が導入されている。なお図6では製
造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数の工
場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置
はLAN206で接続されてイントラネットを構成し、
ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理がさ
れている。
理装置メーカ220、成膜装置メーカ230などベンダ
(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム21
1,221,231を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム205と、各装置のベンダの管理システム2
11,221,231とは、外部ネットワーク200で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット200を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図7に一例を示す様な画面のユーザインタフェースを
ディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理す
るオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種
401、シリアルナンバー402、トラブルの件名40
3、発生日404、緊急度405、症状406、対処法
407、経過408等の情報を画面上の入力項目に入力
する。入力された情報はインターネットを介して保守デ
ータベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保
守データベースから返信されディスプレイ上に提示され
る。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェー
スはさらに図示のごとくハイパーリンク機能410〜4
12を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報に
アクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブ
ラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウ
ェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操
作ガイド(ヘルプ情報)を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図8は半導
体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ス
テップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を
行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パタ
ーンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3
(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ
4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンデ
ィング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立
て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ
18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多
重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機
器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなさ
れているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラ
ブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比べ
て半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
密閉部材に弾性体を用いることで、照明光学系上、及び
投影光学系上に配置される駆動ユニットが存在しても振
動を伝えることなく、密閉された領域を確保することが
可能となる。
部に使用した密閉部材に遮光手段として管状の遮光部材
を設けることにより、密閉部材に直接レーザ光が照射さ
れることが防止できるため、密閉部材の劣化防止とな
り、安定したパージ性能を得ることが可能となる。
の構成を説明するための図である。
変ブラインドにより設定されるのを説明するための図で
ある。
た密閉構造とその弾性体に露光光が直接照射されないた
めの遮光部材を設けた一例を説明するための断面図であ
る。
た密閉構造とその弾性体に露光光が直接照射されないた
めの遮光部材を設けた例を説明するための断面図であ
る。
生産システムをある角度から見た概念図である。
生産システムを別の角度から見た概念図である。
図である。
成形光学系、3c:ミラー、3d:オプティカルインテ
グレータ、4:筐体、4a:二次光源切り替え部、5:
筐体、5a:集光レンズ、6:筐体、6a:可変ブライ
ンド、7:筐体、7a:集光レンズ、7b:ミラー、7
c:集光レンズ、8:マスク、8a:マスクパターン、
8b:スリット状光束、9:マスクチャック、10:マ
スクステージ、11:投影光学系、12:ウエハ、1
3:ウエハチャック、14:ウエハステージ、15:バ
ーミラー、16:レーザ干渉計、17:支持定盤、1
8:支柱、19:ダンパ、20:鏡筒定盤、21:バー
ミラー、22:レーザ干渉計、23:ダンパ、24:ス
テージ定盤、25:レーザ干渉計、26〜30:密閉部
材(弾性体)、31:マスクステージカバー部、32,
33:筐体、34:密閉部材(弾性体)、35:遮光部
材、36,37:筐体、38:密閉部材(弾性体)、3
9,40:遮光部材、41〜45:遮光部材、101:
ベンダの事業所、102,103,104:製造工場、
105:インターネット、106:製造装置、107:
工場のホスト管理システム、108:ベンダ側のホスト
管理システム、109:ベンダ側のローカルエリアネッ
トワーク(LAN)、110:操作端末コンピュータ、
111:工場のローカルエリアネットワーク(LA
N)、200:外部ネットワーク、201:製造装置ユ
ーザの製造工場、202:露光装置、203:レジスト
処理装置、204:成膜処理装置、205:工場のホス
ト管理システム、206:工場のローカルエリアネット
ワーク(LAN)、210:露光装置メーカ、211:
露光装置メーカの事業所のホスト管理システム、22
0:レジスト処理装置メーカ、221:レジスト処理装
置メーカの事業所のホスト管理システム、230:成膜
装置メーカ、231:成膜装置メーカの事業所のホスト
管理システム、401:製造装置の機種、402:シリ
アルナンバー、403:トラブルの件名、404:発生
日、405:緊急度、406:症状、407:対処法、
408:経過、410,411,412:ハイパーリン
ク機能。
Claims (11)
- 【請求項1】 露光光源からの露光光により照明光学系
を介して原版を照明し、前記原版に形成されたパターン
を投影光学系を介して感光基板上に投影露光する露光装
置であって、前記露光光源から前記投影光学系に至る露
光光の光路上に配置される光学系素子を内部に配置した
複数の筐体と、該複数の筐体内をガス置換するガス置換
手段とを有し、前記複数の筐体間を連結し密閉する弾性
体と、該弾性体に露光光が照射されるのを防止する遮光
手段とを設けたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項2】 前記弾性体として、フッ素樹脂を用いる
ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 【請求項3】 前記遮光手段として、隣り合う筐体の一
方に一端が固定され他方の筐体に対し振動的に絶縁した
遮光部材を有することを特徴とする請求項1または2に
記載の露光装置。 - 【請求項4】 前記遮光部材として二重の鞘管を用いる
ことを特徴とする請求項3に記載の露光装置。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の露光装
置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場
に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセ
スによって半導体デバイスを製造する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体デバイス製造方法。 - 【請求項6】 前記製造装置群をローカルエリアネット
ワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネットワ
ークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの間
で、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報をデ
ータ通信する工程とをさらに有することを特徴とする請
求項5に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項7】 前記露光装置のベンダもしくはユーザが
提供するデータベースに前記外部ネットワークを介して
アクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守情
報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導体
製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデータ
通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項6に記
載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項8】 請求項1〜4のいずれかに記載の露光装
置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群
を接続するローカルエリアネットワークと、該ローカル
エリアネットワークから工場外の外部ネットワークにア
クセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群
の少なくとも1台に関する情報をデータ通信することを
可能にしたことを特徴とする半導体製造工場。 - 【請求項9】 半導体製造工場に設置された請求項1〜
4のいずれかに記載の露光装置の保守方法であって、前
記露光装置のベンダもしくはユーザが、半導体製造工場
の外部ネットワークに接続された保守データベースを提
供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネッ
トワークを介して前記保守データベースへのアクセスを
許可する工程と、前記保守データベースに蓄積される保
守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工場
側に送信する工程とを有することを特徴とする露光装置
の保守方法。 - 【請求項10】 請求項1〜4のいずれかに記載の露光
装置において、ディスプレイと、ネットワークインタフ
ェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコン
ピュータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピ
ュータネットワークを介してデータ通信することを可能
にしたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項11】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることを特徴とする請求項10に記載の露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001291644A JP4677151B2 (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003100602A true JP2003100602A (ja) | 2003-04-04 |
| JP2003100602A5 JP2003100602A5 (ja) | 2008-11-06 |
| JP4677151B2 JP4677151B2 (ja) | 2011-04-27 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005010961A1 (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-03 | Nikon Corporation | 露光装置 |
| JP2011049528A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 連結ユニットとこれを含むレーザ発振装置 |
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-
2001
- 2001-09-25 JP JP2001291644A patent/JP4677151B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8761226B2 (en) | 2009-08-27 | 2014-06-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Connection unit and laser oscillating apparatus having the same |
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| JP4677151B2 (ja) | 2011-04-27 |
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