JP2003100625A

JP2003100625A - 半導体デバイス製造におけるパターン転写方法

Info

Publication number: JP2003100625A
Application number: JP2002243369A
Authority: JP
Inventors: Hideki Matsumura; 英樹松村; Minoru Terano; 稔寺野; Kohei Nitta; 晃平新田; Kenichiro Kida; 健一郎木田
Original assignee: Ishikawa Seisakusho Ltd
Current assignee: Ishikawa Seisakusho Ltd
Priority date: 2000-08-30
Filing date: 2002-08-23
Publication date: 2003-04-04

Abstract

(57)【要約】【課題】凹凸パターンが形成された型をレジスト膜に
プレスして行うパターン転写において、プレス後のレジ
スト膜のエッチングを安価で簡便なウェットエッチング
によって実現する。【解決手段】凹凸型３をプレスした後のレジスト膜２
を紫外線照射によって選択的に変性させた後、ウェット
エッチングを行う。あるいは、プレス時の型３の過熱温
度をレジスト膜２の熱劣化温度に設定して型３をプレス
することにより、レジスト膜２を選択的に変性させた
後、ウェットエッチングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイ、フ
ィールドエミッションディスプレイ、有機ＥＬディスプ
レイ、太陽電池、半導体などの半導体デバイスの製造時
における回路パターンの転写方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】基板へのパターン転写法として、米国特
許５７７２９０５号が提案されている。この方法は、表
面に凹凸のパターンが形成された凹凸型を、基板上に形
成されたレジスト膜にプレスすることで、該レジスト膜
上に凹凸パターンを形成し、その後、そのレジスト膜を
表面からドライエッチングすることで、基板上にレジス
ト膜のパターンを形成させる方法である。この方法によ
れば、これまでのパターン転写において主流になってい
たフォトリソグラフィー法と同程度の微細なパターン転
写が可能な上、転写時間が短く、フォトリソグラフィー
法で必要とした高価な露光装置を必要としないという利
点がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の米国
特許５７７２９０５号の場合、凹凸型プレス後のレジス
ト膜のエッチングをドライエッチングで行っているた
め、プラズマ発生装置や真空機器を有する非常に高価な
ドライエッチング装置を必要とする上、真空を用いるた
めに生産性が悪いという問題がある。一方、エッチング
方法には、上述のドライエッチング法の他に、ウェット
エッチング法がある。この方法は、エッチング液に基板
を浸漬して行うだけの簡単な方法であるので、非常に安
価な方法である。しかし、凹凸パターン形成後のレジス
ト膜にウェットエッチングを適用した場合、高分子材料
であるレジスト膜を精密にエッチングすることが難し
く、プレスによって形成された凹凸パターンを精度良く
基板上に形成することが非常に難しいという問題があ
る。

【０００４】さらに、半導体デバイスの回路パターン転
写の場合、転写されるパターン部分は、基板全面積に対
して非常に小さい場合が一般的に多い。しかし、そのよ
うなパターン転写を上述の米国特許５７７２９０５号で
行う場合、凹凸型の凸部、つまり、プレスする面積が非
常に大きくなるため、レジスト膜に凹凸パターンを形成
するには、非常に大きなプレス荷重が必要となり問題が
ある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、上述
の問題点を解消したパターン転写方法を提供せんとする
もので、半導体デバイスの製造時、基板上に回路パター
ンを転写するに際し、凹凸型のプレス時、もしくは凹凸
型のプレス後、レジスト膜を選択的に可溶性または不溶
性に変性させることにより、ウェットエッチングによっ
てレジスト膜のエッチングを可能とすることを特徴とす
る。このレジスト膜の選択的な変性については、凹凸型
のプレス時あるいはプレス後のレジスト膜への波長２０
０〜４００ｎｍの紫外線照射によって行う。あるいは凹
凸型をレジスト膜の熱劣化温度に加熱してプレスするこ
とによって行う。

【０００６】レジスト膜に紫外線照射を行ない、レジス
ト膜を選択的に変性させるという点で、従来のパターン
転写技術であるフォトリソグラフィー法と似ているが、
本発明では、フォトリソグラフィー法のようにフォトマ
スクを介さず、凹凸型のプレスによって形成されたレジ
スト膜の凹凸パターンによって、レジスト膜を選択的に
変性させるという点に大きな特徴がある。すなわち、凹
凸型のプレスによって形成されたレジスト膜の凸パター
ンを紫外線のマスクとすることにより、レジスト膜凸パ
ターンの下部のみが紫外線照射の影響を受けず、非変性
部となり、それ以外の紫外線照射部は、変性部となる。
したがって、選択的に変性部と非変性部を形成できる。
さらに、凹凸型のプレスによって形成された凹凸形状の
レジスト膜では、凹凸のアスペクト比が非常に高いた
め、紫外線照射では、フォトリソグラフィー法の露光装
置のように非常に高精度の平行ビームを作り出す必要が
ない。すなわち、超高精度の光学機器を必要とせず、紫
外線ランプによる紫外線照射のみで、レジスト膜を選択
的に変性させることが可能であるため、非常に安価な方
法となる。

【０００７】紫外線照射による選択的な変性は、先述し
たように、レジスト膜を紫外線照射によって可溶化する
方法と不溶化する方法がある。

【０００８】可溶化する場合、レジスト膜に紫外線照射
によって可溶化する高分子材料を使用して、先述したよ
うに、凹凸型によって形成された凹凸形状のレジスト膜
に紫外線照射を行ない、レジスト膜の凸パターンの下部
のみを不溶性の非変性部とし、それ以外は、可溶性の変
性部にする。それをウェットエッチングして凸パターン
下部の不溶性の非変性部のみを基板上にレジストパター
ンとして形成する。この方法では、レジスト膜に、紫外
線照射によって可溶性となるポジ型フォトレジスト、Ｄ
ｅｅｐＵＶ用ポジ型レジスト、電子線レジスト、ポリス
チレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）もしくはそれらの共重合体のいずれかを使
用することが好ましい。

【０００９】逆に、不溶化する場合、レジスト膜に紫外
線照射によって不溶化する高分子材料を使用して、凹凸
型によって形成された凹凸形状のレジスト膜に紫外線照
射を行ない、レジスト膜の凸パターンの下部のみを可溶
性の非変性部とし、それ以外は、不溶性の変性部にす
る。それをウェットエッチングすると凸パターン下部の
非変性部がエッチング液に溶解するため、凸パターン部
分が基板から脱離して、不溶性に変性した凹パターンの
みが基板上にレジストパターンとして形成される。この
方法では、紫外線照射によって不溶性となるネガ型フォ
トレジスト、ＤｅｅｐＵＶ用ネガ型レジストを使用する
ことが好ましい。

【００１０】これまで記述した紫外線照射によってレジ
スト膜を選択的に変性させる方法では、例えば、コンタ
クトホールなどの穴を開けるような基板全面積に対して
小さい穴を開ける場合は、コンタクトホールパターンを
凹凸型の凸パターンとなるように形成してプレスして、
紫外線照射によって可溶化の変性を行なう方法を用い、
ＴＦＴパターンのように基板全面積に対して小さなパタ
ーンを凸パターンとして残したい場合には、ＴＦＴパタ
ーンを凹凸型の凸パターンとなるように形成してプレス
して、紫外線照射によって不溶化の変性を行なう方法を
用いるというように、パターンによって、転写方法を適
宜選択することが重要である。それは、凹凸型において
プレス部となる凸型ができるだけ小さい方が、より小さ
なプレス荷重で成形可能であるためである。

【００１１】また、以上の紫外線照射によってレジスト
膜を選択的に変性させる方法では、紫外線照射とウェッ
トエッチングを同時に行なうと、生産性を向上させるこ
とが可能である。

【００１２】パターンサイズが比較的大きいサイズの転
写においては、プレスに使用する凹凸型に、転写するパ
ターン形状の凹凸の他に、そのパターンサイズよりも小
さな凹凸が形成されたダミーパターンを形成して、プレ
スを行なうと、プレス部分の面積を小さくすることがで
き、プレス荷重を大幅に低減することが可能である。ダ
ミーパターンには、転写するパターンの１／２以下程度
の小さなパターンを用いることが好ましい。しかし、こ
のダミーパターンを用いる方法では、ダミーパターンに
よって転写精度が多少悪くなるため、数μｍオーダーの
微細なパターン転写では困難である。例えば、数１０〜
数１００μｍオーダーの比較的大きなパターン転写につ
いて有効である。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明を図面に基づいて、具体的
に説明する。紫外線照射によってレジスト膜を選択的に
変性して行なう方法について、図1から図９を用いて説
明する。図１にて、レジスト膜形成について述べる。図
1において、１は基板であるが、この基板１は、Ｓｉ基
板、ガラス基板、石英基板あるいは、これらの基板上に
シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、アモルファスシリコ
ン、多結晶シリコンなどの金属の積層膜が堆積されたも
のでもよい。２は、レジスト膜で、このレジスト膜２の
形成は、溶媒にレジスト材料を溶解させて作製したレジ
スト液を回転させた基板１に塗布して行うスピンコート
法、あるいは、レジスト材料のフィルムを基板１に直接
貼り付けるフィルム貼付法によって行うことができる。
レジスト膜２としては、本発明のパターン転写後の基板
１あるいは積層膜のエッチングで使用される酸系薬品に
耐性があり、凹凸型３の加熱プレスによって成形可能な
熱可塑性で、紫外線照射によって変性するという性質を
併せ持つ高分子材料を使用する。紫外線照射によって、
レジスト膜２を可溶化する場合は、ポジ型フォトレジス
ト、ＤｅｅｐＵＶ用ポジ型レジスト、電子線レジスト、
ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）及びそれらの共重合体のいずれかを用
いることが望ましい。また、紫外線照射によって、レジ
スト膜２を不溶化する場合は、ネガ型フォトレジスト、
ＤｅｅｐＵＶ用ネガ型レジストのいずれかを用いること
が望ましい。

【００１４】図２は、プレスに使用する凹凸型３を示
す。凹凸型３は、前記基板１と同サイズの形状をしてい
て、この片面には、転写するパターン形状が凸となって
いるパターン４が設けられている。この凹凸型３の材質
は、前記基板１と同様Ｓｉ基板、ガラス基板、あるいは
石英基板がよい。この凹凸型３は、フォトリソグラフィ
ー法によってパターン転写後、ふっ硝酸などの酸系薬品
によるウェットエッチングによって、あるいは、ドライ
エッチングによって作製することができる。パターン４
は、転写するパターンの一例であり、転写したいパター
ン形状によって適宜選択されるものとする。また、パタ
ーン４の凸部の深さは、例えば５μｍ程度とするが、こ
れもレジスト膜２の膜厚や凹凸型３のプレス条件などに
よって適宜選択されるものとする。また、凹凸型３のプ
レス工程において、レジスト膜２の凹凸型３への溶着が
問題となる場合、凹凸型３の表面にフッ素系の樹脂コー
トを行ってもよい。

【００１５】次に、レジスト膜２を形成した基板１上
に、凹凸型３をプレスし、レジスト膜２上に凹凸パター
ンを形成する工程について図３を参照に説明する。図３
では、パターン４を有する凹凸型３を、基板１に形成さ
れたレジスト膜２にプレスする状態を示している。５
は、加熱プレス装置で、上下一対のホットプレート６
ａ、６ｂを備えていて、この上下ホットプレート６ａ、
６ｂの間に試料を挟み込み、上ホットプレート６ｂを下
方に移動させて押圧するといった加熱しながらプレスす
るという機構を備えている。即ち、下ホットプレート６
ａ及び上ホットプレート６ｂは、それぞれヒーター６ｃ
を内蔵していて、そのうち下プレート６ａは固定され、
一方、上プレート６ｂは、支柱６ｄ、６ｄに、上下に昇
降自在に取付けられている。このホットプレート６ａ、
６ｂによって、凹凸型３を基板１にプレスする。ホット
プレート６ａ，６ｂは、凹凸パターンを成形しやすい温
度に適宜加熱して行なう。このように凹凸型３をレジス
ト膜２にプレスすることにより、レジスト膜２上に凹凸
パターンを形成することができる。

【００１６】図４は、プレス後のレジスト膜２の形状を
示している。プレスによって、レジスト膜２に凸パター
ン７と凹パターン８が形成される。

【００１７】このようにして、レジスト膜２上に凸パタ
ーン７と凹パターン８を形成後、レジスト膜２に対して
紫外線照射を行う。図５は、その紫外線照射工程を示
す。９は紫外線ランプを示す。先のプレスによって凹凸
パターンが形成されたレジスト膜２に紫外線を照射す
る。ここで使用される紫外線は、レジスト膜２が変性し
やすい波長である２００〜４００ｎｍであることが好ま
しい。この紫外線照射によって可溶化するレジスト膜２
を用いた場合、主鎖あるいは側鎖が分断されるなどの変
性（可溶化）が生じる。また、紫外線照射によって不溶
化するレジスト膜２を用いた場合、紫外線を吸収した部
分に変性（不溶化）が生じる。

【００１８】この紫外線照射による変性は、紫外線が照
射されたレジスト膜２表面より開始するので、紫外線照
射時間及び紫外線強度を制御することにより、レジスト
膜２に、変性部と非変性部を選択的に形成することがで
きる。即ち、図６は、紫外線照射後のレジスト膜２の変
性部１０と非変性部１１を示しており、このように、凹
パターン８は全て変性部１０となり、凸パターン７の表
面側は変性部１０となるが、凸パターン７の基板側は、
紫外線が到達しないため変性せずに非変性部１１とな
る。

【００１９】その後、図７に示すように、容器１３に入
れられたレジスト膜２のエッチング液１２に基板１を浸
漬して、ウェットエッチングを行う。紫外線照射によっ
て可溶化するレジスト膜２を用いた場合は、レジスト膜
２の変性（可溶化）部１０がエッチング液に溶解する
が、非変性部１１は、エッチング液に溶解せず、基板１
上に残る。即ち、図８に示すように、ウェットエッチン
グ後、基板１上にはレジスト膜２の非変性部１１の凸パ
ターンのみが基板１上にパターンとして残る。反対に、
紫外線照射によって不溶化するレジスト膜２を用いた場
合は、ウェットエッチングを行なうと、非変性部１１の
レジストが溶解する。非変性部１１のレジストが溶解す
るとその上のレジスト膜２も基板１から離脱する。した
がって、レジスト凹部の変性（不溶化）したレジストの
みが基板上にパターンとして残る（図９）。

【００２０】図１０に、紫外線照射とウェットエッチン
グを同時に行う方法を示す。先述のようにレジスト膜２
に凹凸型３をプレスすることによって、レジスト膜２に
凹凸パターンを形成後、エッチング液１２に基板１を浸
漬すると同時に紫外線ランプ９により紫外線照射を行な
い、レジスト膜２表面を変性させながら変性（可溶化）
した部分をエッチング液１２によって溶解させる、ある
いは、変性（不溶化）しなかった部分を溶解させる。こ
のように紫外線照射とウェットエッチングを同時に行う
と、工程を簡略化できる。

【００２１】さらに、ダミーパターンを用いての、凹凸
型のプレス荷重を低減する方法について説明する。図１
１は、ダミーパターン１７を有する凹凸型１５を示して
いる。凹凸型１５には、転写するパターン１６以外に凹
凸型１５の凸部分をうめるようにダミーパターン１７を
有している。このダミーパターン１７は、ライン形状で
もドット形状でもよいが、このパターンサイズは、パタ
ーン１６よりも微細である必要があり、好ましくはパタ
ーン１６のサイズの１／２以下であることが望ましい。

【００２２】先述したようなレジスト膜２に紫外線照射
によって変性（可溶化）するレジストを使用し、凹凸型
１５を、図３で示した凹凸型３のかわりにレジスト膜２
に対してプレスを行う。プレスにより、図１２に示すよ
うにレジスト膜２に、転写したい凸パターン７以外にダ
ミーパターン１７によって形成された微細な凸パターン
１８が形成される。このように形成されたレジスト膜２
に対して、紫外線照射を行うと、図１３に示すようにダ
ミーパターン１７によって形成された凸パターン１８
は、紫外線によって変性部１０となり、凸パターン７の
基板１側は、紫外線が到達しにくいために非変性部１１
となる。これにウェットエッチングを施すことにより、
結果として、図１４のように基板１上に、レジスト膜の
凸パターン１１を残すことができる。

【００２３】このダミーパターン１７を用いる方法は、
よりプレス荷重を小さくしたい場合に有効である。例え
ば、先に述べたように、パターンの転写部が基板全面積
に比較して、非常に小さい、あるいは、大きいといった
判別が難しいような、パターン部と非パターン部の面積
が半々の場合や、レジスト膜２が変形しにくいような大
きなサイズのパターン転写のように、プレス荷重が非常
に大きくなる場合に有効である。例えば、基板全面積に
対して、転写したパターンが半分の面積である場合、プ
レスによって、基板全面積の半分の面積をプレスする必
要がある。凹凸型３のプレスによって凹凸パターンを形
成する場合、凸パターンの形成に１００ｋｇｆ／ｃｍ²
の凹凸型のプレス圧力が必要であるとすると、１ｍ×１
ｍの基板サイズのインプリントでは、１００ｋｇｆ／ｃ
ｍ²×１００ｃｍ×１００ｃｍ×０．５＝５００，００
０ｋｇｆ＝５００ｔのプレス荷重が必要となる。しか
し、先のダミーパターン１７を凹凸型１５に形成するこ
とにより、型凸部の押し付ける面積を約半分に低減すれ
ば、押し付け荷重は、２５０ｔ程度にでき、約半分のプ
レス荷重に低減することが可能となり、プレスによる凹
凸パターン形成を容易にすることができる。

【００２４】また、紫外線照射ではなく、熱による変性
を用いる方法を説明する。図３の凹凸型３のレジスト膜
２へのプレス工程において、凹凸型３がレジスト膜２の
熱劣化温度になるようにヒーター６ｃを設定し、その凹
凸型３をレジスト膜２にプレスする。例えば、ポリスチ
レンの場合、熱劣化温度である２３０℃程度に設定する
とよい。このことにより、紫外線照射によって変性させ
る場合と同様に、図６のようなレジスト膜２に変性部１
０と非変性部１１を選択的に形成することができ、その
後、図７のようにウェットエッチングを施してパターン
転写を行うことができる。このような熱による変性を用
いる方法としては、凹凸型３のみならず、基板１がレジ
スト膜２の熱劣化温度になるようにヒーター６ｃを設定
したり、凹凸型３と基板１の両方をレジスト膜２に使用
される高分子材料の熱劣化温度に設定して、凹凸型３の
レジスト膜２へのプレスを行っても良い。ただし、この
方法の場合、レジスト膜２全てが変性しないように凹凸
型３のレジスト膜２へのプレス時間に注意が必要であ
る。

【００２５】

【実施例１】２０ｍｍ角で厚さ０．６ｍｍのＳｉ基板１
の表面にスピンコート法により、膜厚６μｍのスチレン
系樹脂のレジスト膜２を形成した。この基板１のレジス
ト膜２に前記Ｓｉ基板１と同サイズの２０ｍｍ角、厚さ
０．６ｍｍであって、片面には、パターンの最小線幅が
１０μｍである回路パターン形状で、深さ６μｍの凹パ
ターンが設けられている凹凸型３を温度２００℃、プレ
ス圧力１００ｋｇｆ／ｃｍ²でプレスした。プレス後、
レジスト膜２には、回路パターン形状の凸パターン７が
形成された。このレジスト膜２に、波長２５４ｎｍの紫
外線ランプ９により、紫外線照射を行なった。その後、
エッチング液１２をキシレンとし、そのエッチング液１
２中に基板１を浸漬して、ウェットエッチングを行なっ
た。その結果、Ｓｉ基板１上に回路パターン形状の凸パ
ターン１１のみが残っていることを確認した。さらにそ
の後、上記凸パターン１１をマスクとして、Ｓｉ基板１
のエッチングを行なった。エッチング液には、弗化水素
酸：硝酸：酢酸の体積比を２：５：２に混合したふっ硝
酸を使用した。このエッチング液に基板１を浸漬するウ
ェットエッチングによって、残っていたレジスト膜１１
以外の露出しているＳｉ基板１表面をエッチングした。
その後、レジスト膜１１を全て除去したところ、レジス
ト膜１１が残っていたＳｉ基板１表面はレジスト膜１１
がマスクとなったためエッチングされず、それ以外のＳ
ｉ基板１表面はエッチングされていた。（比較例）紫外線照射を行なわなかったこととレジスト
膜２のエッチング液１２にポリスチレンの良溶媒である
シクロヘキサンを使用したこと以外は、本発明の実施例
１と同様の条件で処理した。この場合、プレス後のレジ
スト膜２のウェットエッチングにおいて、プレスによっ
て形成された凸パターン形状がくずれてしまい、パター
ン転写は不可能であった。

【００２６】

【実施例２】２０ｍｍ角で厚さ０．６ｍｍのＳｉ基板１
の表面にスピンコート法により、膜厚２．５μｍのネガ
型フォトレジストのレジスト膜２を形成した。この基板
１のレジスト膜２に前記Ｓｉ基板１と同サイズの２０ｍ
ｍ角、厚さ０．６ｍｍであって、片面に、１ｍｍ間隔で
線幅８０μｍのラインパターンを配列した格子パターン
で、ライン部分の高さが５μｍの凸パターン４が設けら
れている凹凸型３を温度１００℃、プレス圧力１０ｋｇ
ｆ／ｃｍ²でプレスした。プレス後、レジスト膜２に
は、深さ約１μｍの格子パターンの凹パターン８が形成
された。このレジスト膜２に、波長２５４ｎｍの紫外線
ランプ９により、紫外線照射を行なった。その後、ネガ
型フォトレジストの専用現像液にてウェットエッチング
を行なった。その結果、Ｓｉ基板１上に格子パターンの
凸パターン１０のみが残っていることを確認した。さら
にその後、上記凸パターン１０をマスクとして、Ｓｉ基
板１のエッチングを行なった。エッチング液には、弗化
水素酸：硝酸：酢酸の体積比を２：５：２に混合したふ
っ硝酸を使用した。このエッチング液に基板１を浸漬す
るウェットエッチングによって、残っていたレジスト膜
１０以外の露出しているＳｉ基板１表面をエッチングし
た。その後、レジスト膜１０を全て除去したところ、レ
ジスト膜１０が残っていたＳｉ基板１表面はレジスト膜
１０がマスクとなったためエッチングされず、それ以外
のＳｉ基板１表面はエッチングされていた。

【００２７】

【発明の効果】本発明は、上述のように、基板上に回路
パターンを転写するに際し、凹凸型のレジスト膜へのプ
レスによる凹凸パターンを形成後、レジスト膜に紫外線
照射を行なうことによってレジスト膜を選択的に変性さ
せる、あるいは凹凸型のプレス時に凹凸型の加熱温度に
よってレジスト膜を選択的に変性させるという方法によ
り、これまで困難であったレジスト膜のウェットエッチ
ングを可能とすることで、極めて精度が高く、生産性の
高いパターン転写を安価で簡便に実現する。さらに、紫
外線照射によって可溶化あるいは不溶化するレジスト膜
を転写するパターンによって選択できることで、凹凸型
のプレスによるレジスト膜の凹凸パターンの成形条件を
非常に良くでき、生産性向上が見込まれる。加えて、本
発明のダミーパターンを有する凹凸型でのプレスによる
方法を用いることにより、プレス荷重を大幅に低減する
ことができ、製造条件の改善、装置コストの低減化を図
ることができる。

【００２８】

【図面の簡単な説明】

【図１】レジスト膜を基板表面に形成した段階の説明図
である。

【図２】凹凸型の形状の説明図である。

【図３】凹凸型をレジスト膜にプレスする工程の説明図
である。

【図４】凹凸型によってレジスト膜をプレスした後のレ
ジスト膜形状の説明図である。

【図５】レジスト膜への紫外線照射工程の説明図であ
る。

【図６】紫外線照射後のレジスト膜の説明図である。

【図７】ウェットエッチング工程の説明図である。

【図８】紫外線照射によって可溶化するレジスト膜を用
いた場合の、ウェットエッチング後のレジスト膜の説明
図である。

【図９】紫外線照射によって不溶化するレジスト膜を用
いた場合の、ウェットエッチング後のレジスト膜の説明
図である。

【図１０】紫外線照射とウェットエッチングを同時に行
なう方法の説明図である。

【図１１】ダミーパターンを有する凹凸型の説明図であ
る。

【図１２】ダミーパターンを有する凹凸型によってプレ
スした後のレジスト膜の説明図である。

【図１３】ダミーパターンを有する凹凸型によってプレ
スし、さらに紫外線照射した後のレジスト膜の説明図で
ある。

【図１４】ダミーパターンを有する凹凸型によってプレ
スし、紫外線照射をした後に、ウェットエッチングを行
なった後のレジスト膜の説明図である。

【符号の説明】

１基板２レジスト膜３凹凸型４凹凸型の凸部７レジスト膜の凸パターン８レジスト膜の凹パターン９紫外線ランプ１０レジスト膜の変性部１１レジスト膜の非変性部１２エッチング液１３容器１５ダミーパターンを有する凹凸型１６転写パターン１７ダミーパターン１８ダミーパターン型によって形成されたレジスト膜
のダミーパターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者新田晃平石川県金沢市高尾南１丁目221番地 (72)発明者木田健一郎石川県松任市坊丸町３番地Ｆターム(参考） 2H095 BA07 BA12 BB02 BB36 5F046 MA04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上への回路パターンの転写に際し、
基板上に形成された高分子材料のレジスト膜に凹凸を有
する凹凸型をプレスして行う半導体デバイス製造におけ
るパターン転写において、凹凸型のプレスによって形成
されたレジスト膜の凸パターン部分と凹パターン部分に
紫外線照射させて、レジスト膜に変性部と非変性部を選
択的に形成すること特徴とする半導体デバイス製造にお
けるパターン転写方法。
【請求項２】前記レジスト膜の変性部を可溶化させる
場合において、レジスト膜にポジ型フォトレジスト、Ｄ
ｅｅｐＵＶ用ポジ型レジスト、電子線用レジスト、ポリ
スチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）もしくはそれらの共重合体のいずれかを使
用することを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス
製造におけるパターン転写方法。
【請求項３】前記レジスト膜の変性部を不溶化させる
場合において、レジスト膜をネガ型フォトレジストもし
くはＤｅｅｐＵＶ用ネガ型レジストのいずれかを使用す
ることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス製造
におけるパターン転写方法。
【請求項４】凹凸型のプレスによってレジスト膜に凹
凸パターンを形成後、エッチング液に基板を浸漬すると
同時に紫外線照射を行なうことを特徴とする請求項１記
載の半導体デバイス製造におけるパターン転写方法。
【請求項５】転写するパターン形状の凹凸の他にその
パターン形状よりも小さな凹凸が形成されたダミーパタ
ーンを有する凹凸型を用いてプレスすることを特徴とす
る請求項１記載の半導体デバイス製造におけるパターン
転写方法。
【請求項６】基板上への回路パターンの転写に際し、
基板上に形成された高分子材料のレジスト膜にを凹凸を
有する凹凸型をプレスして行う半導体デバイス製造にお
けるパターン転写において、凹凸型をレジスト膜に使用
される高分子材料の熱劣化温度に設定して、凹凸型のレ
ジスト膜へのプレスを行うことにより、レジスト膜に変
性部と非変性部を選択的に形成することを特徴とする半
導体デバイス製造におけるパターン転写方法。