JP2003100648A

JP2003100648A - 半導体ウエハ熱処理用治具

Info

Publication number: JP2003100648A
Application number: JP2001289206A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Yoshikawa; 淳吉川; Yasutoshi Takamori; 康利高森; Mikiro Shimizu; 幹郎清水
Original assignee: Toshiba Ceramics Co Ltd
Current assignee: Coorstek KK
Priority date: 2001-09-21
Filing date: 2001-09-21
Publication date: 2003-04-04

Abstract

(57)【要約】【課題】熱処理時の半導体ウエハのスリップを抑制す
ることができ、かつ部分的ヘイズの発生を抑制し、外観
不良を防止した半導体ウエハ熱処理用治具を提供する。【解決手段】半導体ウエハの熱処理の際、用いられる半
導体ウエハ熱処理用治具であって、前記半導体ウエハを
上面において支持する基体本体と、前記基体本体１を貫
通する少なくとも３個の孔１ａと、前記孔１ａに嵌合す
る蓋体２とを備えている。このように前記基体本体の孔
に嵌合する蓋体が設けられているため、孔の部分も蓋体
で半導体ウエハを支持でき、基体本体全面で半導体ウエ
ハの下面全体を支持することができる。その結果、半導
体ウエハのスリップの発生を抑制することができ、また
ヘイズ（光の反射むら）の発生を抑制でき、外観を良好
なものとすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ（半
導体製造用基板）熱処理用治具に関し、特に半導体ウエ
ハの全面を支持することによって、スリップ等の発生を
抑制することができる半導体ウエハ熱処理用治具に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程には、酸化、拡
散、成膜等多数の熱処理工程があり、半導体ウエハには
種々の熱処理が施されている。これら熱処理工程にあっ
ては、複数の半導体ウエハを縦型ウエハボートに載置
し、この縦型ウエハボートを縦型熱処理炉に収納するこ
とによって、半導体ウエハを加熱し、熱処理を行ってい
る。

【０００３】この縦型ウエハボートは、半導体ウエハを
載置するための多数のスリットを有する棒形状の支持部
材を複数本、縦方向に平行に立設した構造を有し、前記
支持部材のスリットで半導体ウエハの外周部の数点を支
持する。半導体ウエハを支持した縦型ウエハボートは、
縦型熱処理炉内に収納され、所定の熱処理が行われる。

【０００４】このように熱処理の際、前記半導体ウエハ
は、支持部材のスリットでその外周部の数点が支持され
ているため、支持部（半導体ウエハと支持部材との接触
点）から自重による応力を受け、また熱処理時には半導
体ウエハの面内の温度差によって熱応力を受ける。そし
て、これら応力が重畳し、重畳した応力が半導体ウエハ
のシリコン結晶のせん断降伏応力値を越えると、半導体
ウエハにスリップが発生し、半導体ウエハの品質低下の
原因となっていた。

【０００５】また、近年、半導体デバイスの高集積化に
伴い、半導体ウエハ１枚あたりのデバイス収率を上げる
ため、半導体ウエハの大口径化が進んでおり、このウエ
ハ径の増大とともに、ウエハボートの支持部から受ける
応力が増大し、スリップが発生しやすくなり、深刻な問
題となっている。

【０００６】ところで、上記した問題を解決する方法と
して、半導体ウエハを支持する支持部を増加させ、多数
の支持部で支えることが考えられる。即ち、半導体ウエ
ハを多数の点で支えるほど、支持部（半導体ウエハと支
持部材との接触点）における荷重が分散し、１つの支持
部から受ける応力が減少し、スリップの発生を抑制でき
るからである。しかしながら、多数の支持部で支持する
ためには、各スリット（溝）を高精度に加工することが
要求され、加工コストが嵩むという新たな問題が生ず
る。一方、加工精度が悪いと半導体ウエハを多数の支持
部で支持しようとしても、実質的には３点ないし４点で
の支持となる。その結果、１つの支持部から受ける応力
を減少させることができず、スリップの発生を抑制する
ことは困難であった。

【０００７】また、上記した問題を解決する方法とし
て、半導体ウエハを支持する支持部を平板状の支持板と
し、前記支持板全面で半導体ウエハの下面全体を支持す
る方法が提案されている（特開平１０−２４２０６
７）。具体的には、支持板には、半導体ウエハの下面を
支持して昇降する支持ピンを上下に挿通されるための挿
通孔が形成され、その外縁部は縦型ウエハボートの支柱
に対して溶接により固定されている。そして、基板移載
機構の第１の基板支持アームによって半導体ウエハを支
持板上に搬送し、一方、第２の基板支持板アームを支持
板の下方から上昇させて支持ピンを前記挿通孔内に挿入
し、その先端部分を支持板の上面から突出させ、前記突
出した支持ピン上に半導体ウエハを載置する。前記第１
の基板支持アームを支持板から離脱させ、続いて第２の
基板支持板アームを下降させ、半導体ウエハを支持板上
に載置する。

【０００８】この方法によれば、支持板の全面で半導体
ウエハの下面全体を支持するため、支持部（支持面）か
ら受ける応力を小さくすることができ、スリップの発生
を抑制することができる。また、支持部が平板状の支持
板の上面であるため、比較的容易に高精度に加工するこ
とでき、安価に製造することができるという利点があ
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記したよ
うに半導体ウエハを支持する支持板には、半導体ウエハ
を載置、あるいは取り出す際に支持ピンが挿入される挿
通孔が設けられている。そのため、かかる部分において
ヘイズ（光の反射むら）が生じ、外観不良となるという
技術的課題があった。またかかる部分において半導体ウ
エハは支持されておらず、スリップが発生し易いという
技術的課題があった。

【００１０】本発明は、上述した従来技術の課題に鑑み
なされたものであり、熱処理時の半導体ウエハのスリッ
プを抑制することができ、かつ部分的ヘイズの発生を抑
制し、外観不良を防止した半導体ウエハ熱処理用治具を
提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた本発明にかかる半導体ウエハ熱処理用治具
は、半導体ウエハの熱処理の際、用いられる半導体ウエ
ハ熱処理用治具であって、前記半導体ウエハを上面にお
いて支持する基体本体と、前記基体本体を貫通する少な
くとも３個の孔と、前記孔に嵌合する蓋体とを備えてい
ることを特徴としている。

【００１２】このように、前記基体本体の孔に嵌合する
蓋体が設けられているため、孔の部分も蓋体で半導体ウ
エハを支持でき、基体本体全面で半導体ウエハの下面全
体を支持することができる。その結果、半導体ウエハの
スリップの発生を抑制することができる。また基体本体
の孔に嵌合する蓋体が設けられているため、ヘイズ（光
の反射むら）の発生を抑制でき、外観を良好なものとす
ることができる。

【００１３】ここで、前記基体本体は薄板状体からな
り、前記孔は基体本体の軸線に沿って、基体本体の上下
面方向に貫通すると共に、前記孔に嵌合する蓋体は、蓋
体の下面からの押上げ力よって、基体本体から外れるよ
うに形成されていることが望ましい。

【００１４】このように、前記孔に嵌合する蓋体は、蓋
体の下面からの押上げ力よって、基体本体から外れるよ
うに形成されているため、基体本体に半導体ウエハが支
持された状態にあっては、蓋体が基体本体の孔から脱落
することはない。一方、従来技術で述べたように、基体
本体下面から支持ピンが孔に挿通されると、蓋体は前記
支持ピンによって基体本体上面から離れ、半導体ウエハ
と共に基体本体上方に押し上げられる。したがって、蓋
体の着脱動作は支持ピンの動作によるため、支持ピンの
動作に支障をきたすこともない。

【００１５】また、前記基体本体及び蓋体の材質が、シ
リコン単結晶、シリコン多結晶、多結晶シリコン焼結
体、石英ガラス、窒化珪素、窒化珪素被覆炭素材のいず
れかからなることが望ましい。特に、基体本体及び蓋体
の材質が同一の材質であることが望ましい。このような
材質で形成されている場合には、半導体ウエハを汚染す
ることなく、適正な熱処理を行うことができる。

【００１６】更に、前記基体本体は直径φ３００ｍｍ、
厚さ０．８〜１．２ｍｍであり、かつ基体本体上面がウ
エハを支持する支持面として凹曲面に形成され、前記凹
曲面の中心が基体本体上面の外縁部より、０．１〜０．
２ｍｍ低く形成されていることが望ましい。このよう
に、前記凹曲面の中心が基体本体上面の外縁部より、
０．１〜０．２ｍｍ低く形成されているため、熱処理の
際、半導体ウエハが自重で撓み、半導体ウエハ全面を均
等に支持することができる。

【００１７】また、前記半導体ウエハを基体本体の上面
において支持し、前記半導体ウエハを支持した基体本体
を、縦型ウエハボートの支持部に載置することが望まし
い。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明にかかる半導体ウエハ熱処
理用治具の実施形態について、図１乃至図５に基づいて
説明する。図１に示すように、この半導体ウエハ熱処理
用治具Ａは、前記半導体ウエハＷを上面において支持す
る基体本体１と、前記基体本体１の上下面方向に貫通す
る３個の孔１ａと、前記孔１ａに嵌合する蓋体２とを備
えている。

【００１９】前記孔１ａは、図４に示すように、基体本
体１の上下方向の軸線に沿って、基体本体１を貫通する
と共に、前記孔１ａに嵌合する蓋体２は、蓋体２の下面
からの押上げ力よって、基体本体１から外れるように形
成されている。

【００２０】即ち、前記孔１ａは基体本体１の軸線に沿
って、基体本体１を貫通すると共に、その内面は、基体
本体１の下面から上面に行くにしたがって徐々に拡開す
る円錐状に形成されている。一方、蓋体２の外形は、蓋
体１の下部から上部に行くにしたがって徐々に拡開する
円錐状に形成され、前記孔１ａと嵌合するように形成さ
れている。したがって、前記孔１ａに嵌合した蓋体２
は、蓋体２の下面からの押上げ力よって、基体本体１か
ら外れ、また外れた蓋体２は基体本体１の上面から孔１
ａに挿入して、嵌合させることができる。

【００２１】なお、前記蓋体２の下面には支持ピン４ａ
が挿入される孔２ａが形成され、支持ピン４ａによっ
て、蓋体２は押し上げられるように形成されている。な
お、支持ピン４ａについては、後述する。

【００２２】また、前記基体本体１は、直径φ３００ｍ
ｍ、厚さ０．８〜１．２ｍｍであり、かつ基体本体１の
上面が半導体ウエハＷを支持する支持面として凹曲面に
形成され、前記凹曲面の中心が基体本体１の上面の外縁
部より、０．１〜０．２ｍｍ低く形成されている。

【００２３】前記基体本体１の厚さを０．８ｍｍ以上と
したのは、基体本体１を縦型ウエハボートのスリットに
より支持した場合にたわまないようにするためである。
基体本体１が撓むことによって基体本体１に凹凸が生
じ、半導体ウエハＷに応力集中が生ずるからである。一
方、基体本体１の厚さが１．２ｍｍ以上になると基体本
体１の熱容量が大きいために、熱処理炉への炉入れ時に
半導体ウエハ面内に熱分布が生じ、熱応力が増大するか
らである。

【００２４】また、基体本体１の上面が半導体ウエハＷ
を支持する支持面として凹曲面に形成され、前記凹曲面
の中心が基体本体１の上面の外縁部より、０．１〜０．
２ｍｍ低く形成されている。このように前記凹曲面の中
心を基体本体１の上面の外縁部より、０．１〜０．２ｍ
ｍ低く形成することによって、半導体ウエハに局所的な
応力集中を避け、半導体ウエハの全面を均等に支持する
ことができる。

【００２５】なお、基体本体の凹曲面の表面に凸部があ
るとスリップが発生することがあるため、前記凹曲面の
表面の凹凸は０．１ｍｍ以内であることが望ましい。

【００２６】また、基体本体１の材質は、高純度のシリ
コン単結晶、シリコン多結晶、多結晶シリコン焼結体、
石英ガラス、窒化珪素、あるいは窒化珪素被覆黒鉛材な
どが考えられるが、半導体ウエハと同質のシリコンがよ
り好ましい。なお、シリコン焼結体は、粒状ポリシリコ
ンを粉砕し、成形・焼結したもので、高強度、高純度で
あり、かつ金属不純物に対してゲッタリング能力を持
つ。

【００２７】また、前記蓋体２は基体本体１と同材質で
あり、基体本体１の穴１ａに組み合わせた際に、前記蓋
体２の上面が基体本体１の表面と同一面上に位置するこ
とが望ましい。しかし、図５に示すように、蓋体２の上
面が基体本体１の表面から、０．１ｍｍ以内の低さ（０
＜Ｓ＜０．１ｍｍ）であれば、問題なく使用することが
できる。前記蓋体２が基体本体１の表面よりも突出して
くると、半導体ウエハＷに局所的に応力集中が生じ、ス
リップが発生することがある。また、前記蓋体２の上面
が基体本体１の表面よりも０．１ｍｍ以上低くなってい
ると、半導体ウエハＷに熱ムラが発生し、品質が低下す
る虞がある。したがって、蓋体２の上面が基体本体１の
表面から、０．１ｍｍ以内の低さ（０＜Ｓ＜０．１ｍ
ｍ）であることが望ましい。

【００２８】また、基体本体１から半導体ウエハＷを離
脱する際に、上記蓋体２が半導体ウエハＷに付着しない
ように、半導体ウエハＷと接する蓋体２の表面は、表面
粗さ０．２μｍ〜０．４μｍであることがより好まし
い。

【００２９】次に、この半導体ウエハ熱処理用治具Ａの
使用方法について説明する。この半導体ウエハ熱処理用
治具Ａは、図１に示すように半導体ウエハＷを縦型ウエ
ハボート３の外部で重ね合わせ、重ね合わせられた半導
体ウエハ熱処理用治具Ａを縦型ウエハボート３の支柱３
ａに形成された支持部３ｂに載置する。その後、半導体
ウエハが収容された縦型ウエハボート３を熱処理炉に搬
送し、所定の熱処理がなされる。

【００３０】続いて、半導体ウエハと半導体ウエハ熱処
理用治具との重ね合わせ、また半導体ウエハ熱処理用治
具からの半導体ウエハの取り出しについて詳述する。な
お、半導体ウエハ熱処理用治具Ａを縦型ウエハボート３
の支柱３ａに形成された支持部３ｂに載置した後の工程
は、従来の場合と変わらないため、説明を省略する。

【００３１】自動移載装置（図示せず）を用いて、半導
体ウエハＷと半導体ウエハ熱処理用治具Ａを重ね合わせ
る際、図２に示すような基体本体１の孔１ａに対応する
支持ピン４ａを設けたステージ４にて行う。なお、図２
に示すように支持ピン４ａは、基体本体４の孔１ａに対
応した位置に３個形成され、前記支持ピン４ａは円錐形
状に形成されている。

【００３２】次に、半導体ウエハと半導体ウエハ熱処理
用治具Ａの重ね合わせについて説明すると、図３（ａ）
（ｂ）に示すように、まず自動移載装置の移載フォーク
にて基体本体１が収納されたカートリッジから基体本体
１を取り出し、ステージ４上に載置する。基体本体１が
ステージ４上に載置されると、前記支持ピン４ａは基体
本体１の孔１ａ挿通し、該孔１ａに嵌合していた蓋体２
を基体本体１の下面から押し上げる。そして、蓋体２は
基体本体１から外され、支持ピン４ａ上に載置された状
態となる。なお、蓋体２の下面には支持ピン４ａが挿入
する孔２ａが設けられているため、蓋体２が基体本体１
から外され、支持ピン４ａ上に載置された状態であって
も、支持ピン４から蓋体２が脱落することはない。

【００３３】その後、図３（ｃ）に示すように、半導体
ウエハＷを移載フォークにて取り出し、支持ピン４ａ上
に載置された蓋体２上に載せ、その後、図３（ｃ）に示
す隙間Ｂに移載フォークを挿入し、基体本体１及び半導
体ウエハＷを持ち上げれば、基体本体１が重なった状態
となる（図３（ｄ））。なお、蓋体２は、移載フォーク
の持ち上げ動作に伴って、再び孔１ａの内部に収納され
る。そして、半導体ウエハＷと基体本体１が重なった状
態を維持して、縦型ウエハボートに積載する。

【００３４】一方、基体本体１から半導体ウエハＷを離
脱させる際は、前記した動作と逆の動作となる。即ち、
重なり合った半導体ウエハＷと基体本体１とをステージ
４上に載置すると、蓋体２が基体本体１から外され、支
持ピン４ａ上に位置する（図３（ｃ））。その後、隙間
Ｃに移載フォークを挿入し、半導体ウエハＷを持ち上
げ、搬送する（図３（ｂ））。その後、隙間Ｂに移載フ
ォークを挿入し、基体本体１を持ち上げ、搬送する。な
お、基体本体１を持ち上げた際、蓋体２は再び孔１ａの
内部に収納される。

【００３５】

【実施例】いかに本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れに限定されるものではない。（実施例）φ３００ｍｍシリコンウエハ熱処理対応の半
導体ウエハ熱処理用治具（基体本体）を製作した。基体
本体１は，単結晶シリコンを用い、直径３００ｍｍ、厚
さ１．０ｍｍとした。さらに基体本体１には重ね合わせ
のためのφ１０ｍｍ程度の孔１ａを３箇所設けた。該孔
１ａはテーパ形状をしており、孔１ａを塞ぐための蓋体
２は単結晶シリコンを用いて該孔１ａと同じ形状で製作
した。

【００３６】基体本体１の上面を凹曲面に形成し、かつ
前記凹曲面の中心が基体本体１の上面の外縁部より、
０．２ｍｍ低くなるように形成した。また、前記凹曲面
の表面の凹凸は０．１ｍｍ以内に設定した。したがっ
て、蓋体２の上面についても、基体本体１の表面から、
０．１ｍｍ以内の低さ（０＜Ｓ＜０．１ｍｍ）に設定し
た。

【００３７】ウエハＷと接する蓋体２の表面粗さを、
０．２μｍに、また基体本体１の上面の表面粗さを０．
４μｍに設定した。

【００３８】このように構成された基体本体１と、基体
本体１を載置する縦型ウエハボート３を図１に示す。ま
た、縦型ウエハボート３はシリコン多結晶を用い、３点
支持式とし、基体本体１が載置できるように支柱３ａに
支持部３ｂが設けられている。

【００３９】そして、前記基体本体１および前記縦型ウ
エハボート３を使用して、直径３００ｍｍのシリコンウ
エハの熱処理によるスリップの発生を評価した。熱処理
は７００℃で炉入れし、１２００℃まで昇温し、１２０
０℃で２時間保持、その後７００℃まで降温し、炉から
搬出した。

【００４０】炉内の雰囲気はアルゴンガスとし、前記シ
リコンウエハ１０枚（試料Ｎｏ，１〜１０）を縦型ウエ
ハボートに積載し、このウエハの上下に５枚づつダミー
ウエハを積載した。ウエハ酸素素濃度は１．２５〜１．
３０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ （ｏｌｄＡＳＴＭ）
である。ウエハ酸素濃度によって、スリップの発生しや
すさが異なり、酵素濃度が低いほど、スリップは発生し
やすくなる。酵素濃度１．３０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ³ 以下ではかなりスリップが発生しやすい条件であ
る。

【００４１】ウエハに生じたスリップの評価は、Ｘ線ト
ポグラフ観察で行った。用いたＸ線はＭｏＫα１、加速
電圧６０ｋＶ、電流３００ｍＡとし、回折面は（２２
０）とした。またウエハに生じたスリップの平均長さを
スリップ長とした。１０枚のウエハ（試料Ｎｏ，１〜１
０）をスリップ評価した結果を表１に示す。また、前記
ウエハ裏面の観察を行ったところ、いずれのウエハにお
いてもくもりは存在しなかった。

【００４２】（比較例）本発明の実施例と比較するた
め、基体本体に蓋体を設けない点においてのみ異なる場
合（比較例１）について、実施例と同一条件で熱処理を
行った。熱処理後のウエハ裏面の観察を行ったところ、
いずれのウエハにおいても基体本体の孔に対応する位置
にくもりが確認された。

【００４３】また、基体本体を用いることなく４点支持
の縦型ウエハボートが直接半導体ウエハを支持する場合
（比較例２）について、実施例と同一条件で熱処理を行
った。また、実施例と同様な方法により、スリップ評価
し、その結果を表１に示す。

【００４４】更に、参考例として凹曲面のない基体本体
を用いた場合について、実施例と同様な方法により、ス
リップ評価した。その結果を表１に示す。

【００４５】

【表１】

【００４６】表１の結果より、本発明にかかる半導体ウ
エハ熱処理用治具を使用した場合、スリップの発生が抑
制され、大きな改善が見られた。

【００４７】上記実施形態にあっては、基体本体に形成
された孔が３個の場合について説明したが、これに限定
されることなく、支持ピンの数に対応して形成すること
ができ、３個以上の場合であっても良い。また、上記実
施形態にあっては、縦型ウエハボートに用いられる場合
について説明したが、いわゆるサセプタのような半導体
ウエハ熱処理用治具にも当然適用することができる。

【００４８】

【発明の効果】以上の説明で明らかなとおり、本発明に
よれば熱処理時の半導体ウエハのスリップを抑制するこ
とができ、かつ部分的ヘイズの発生を抑制し、外観不良
を防止した半導体ウエハ熱処理用治具を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明にかかる実施形態の概略を示す
斜視図である。

【図２】図２は、半導体ウエハと半導体ウエハ熱処理用
治具とを重ね合わせるためのステージであって、（ａ）
は平面図、（ｂ）は側面図である。

【図３】図３は、半導体ウエハと半導体ウエハ熱処理用
治具とを重ね合わせる工程を示す側面図である。

【図４】図４は、基体本体の蓋体の着脱を示す概略側面
図である。

【図５】図５は、基体本体の表面との蓋体表面との関係
を示す側面断面図である。

【符号の説明】

１基体本体１ａ孔２蓋体２ａ孔３縦型ウエハボート３ａ支柱３ｂ支持部４ステージ４ａ支持ピンＡ半導体ウエハ熱処理用治具Ｂ隙間Ｃ隙間Ｓ高低差

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者清水幹郎新潟県北蒲原郡聖籠町東港６丁目861番５号新潟東芝セラミックス株式会社内Ｆターム(参考） 5F031 CA02 FA01 FA07 GA02 HA01 HA05 HA07 HA33 HA61 MA30 PA11 PA14 PA18 5F045 DP19 EM09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体ウエハの熱処理の際、用いられる
半導体ウエハ熱処理用治具であって、前記半導体ウエハを上面において支持する基体本体と、
前記基体本体を貫通する少なくとも３個の孔と、前記孔
に嵌合する蓋体とを備えていることを特徴とする半導体
ウエハ熱処理用治具。
【請求項２】前記基体本体は薄板状体からなり、前記
孔は基体本体の軸線に沿って、基体本体の上下面方向に
貫通すると共に、前記孔に嵌合する蓋体は、蓋体の下面からの押上げ力よ
って、基体本体から外れるように形成されていることを
特徴とする請求項１に記載された半導体ウエハ熱処理用
治具。
【請求項３】前記基体本体及び蓋体の材質が、シリコ
ン単結晶、シリコン多結晶、多結晶シリコン焼結体、石
英ガラス、窒化珪素、窒化珪素被覆炭素材のいずれかか
らなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載
された半導体ウエハ熱処理用治具。
【請求項４】前記基体本体は直径φ３００ｍｍ、厚さ
０．８〜１．２ｍｍであり、かつ基体本体上面がウエハ
を支持する支持面として凹曲面に形成され、前記凹曲面の中心が基体本体上面の外縁部より、０．１
〜０．２ｍｍ低く形成されていることを特徴とする請求
項１乃至請求項３のいずれかに記載された半導体ウエハ
熱処理用治具。
【請求項５】前記半導体ウエハを基体本体の上面にお
いて支持し、前記半導体ウエハを支持した基体本体が、
縦型ウエハボートの支持部に載置されることを特徴とす
る請求項１乃至請求項４のいずれかに記載された半導体
ウエハ熱処理用治具。