JP2003100782A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 封止樹脂の幅や長さ、あるいは外形形状を変
更する場合に迅速に対応することができるとともに、製
造コストの低減、さらには生産効率の向上を図ること。 【解決手段】 リードフレーム１０において半導体チッ
プ１２をマウントしたダイパット部１１およびインナリ
ード部１３、並びにアウタリード部１４の少なくとも一
部をそれぞれモールド金型３０のキャビティ３１に配置
した後、モールド金型３０のキャビティ３１に封止樹脂
４１を充填して硬化させ、さらにリードフレーム１０の
アウタリード部１４の表層域に位置する封止樹脂４１′
を除去するようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造方法および半導体装置に関するもので、より詳細に
は、リードフレームにおいて半導体チップ、並びに半導
体チップとの接続部分を樹脂封止するようにした樹脂封
止型半導体装置の製造方法および半導体装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来より半導体装置には、リードフレー
ムに搭載した半導体チップ、並びにこの半導体チップと
リードフレームとの接続部分（以下、単にインナボンデ
ィング部分という）を樹脂封止するようにしたものがあ
る。この半導体装置では、半導体チップおよびインナボ
ンディング部分が封止樹脂によって覆われることになる
ため、これら半導体チップおよびインナボンディング部
分に対する温度、湿度、衝撃、圧力の影響を防止するこ
とが可能となる。

【０００３】図１６は、この種の半導体装置の製造方法
を順に例示したものである。この半導体装置の製造方法
では、まず、図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示すよ
うに、リードフレーム１のダイパッド部２に半導体チッ
プ３を搭載し、さらにリードフレーム１のインナリード
と半導体チップ３のボンディングパッドとの間を金線等
の導体によって接続した後（インナボンディング）、当
該リードフレーム１をモールド金型４にセットする。

【０００４】モールド金型４は、互いに開閉可能に配設
した上型４ａおよび下型４ｂを備えて構成したものであ
る。これら上型４ａおよび下型４ｂには、相互に対向す
る面にキャビティ構成部４ａ₁，４ｂ₁を設けてある。そ
れぞれのキャビティ構成部４ａ₁，４ｂ₁は、上型４ａお
よび下型４ｂを互いに閉成した場合に、上述した半導体
チップ３およびインナボンディング部分を収容するに十
分な大きさのキャビティ５を画成するように構成してあ
る。従って、図１６（ｃ）に示すように、キャビティ５
の内部にリードフレーム１において半導体チップ３を搭
載したダイパッド部２およびインナボンディング部分を
収容させる一方、アウタリードとなる部分６をキャビテ
ィ５の外部に位置させ、この状態から当該キャビティ５
に溶融状態の封止樹脂７を充填・硬化させれば、図１６
（ｄ）に示すように、所望の部位のみを封止樹脂７によ
って封止した半導体装置８を製造することが可能とな
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した製
造方法にあっては、半導体装置８の封止樹脂７が、モー
ルド金型４に設けたキャビティ５に応じた形状となる。
従って、半導体装置８において封止樹脂７の厚さが同一
であっても、その幅や長さ、あるいは外形形状を変更し
ようとした場合、モールド金型４のキャビティ形状を変
更しなければ、これに対応することができない。この結
果、モールド金型４の新たな設計・製造が必要となり、
迅速な対応が困難になるばかりか、新たなモールド金型
４の製造により、半導体装置８の製造コストも増大する
ことになる。また、封止樹脂の幅や長さ、あるいは外形
形状の異なる半導体装置を連続して製造する場合には、
それぞれの段取作業の際に都度モールド金型４の交換が
必須となり、生産効率の向上を妨げる要因となる。

【０００６】この発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、封止樹脂の幅や長さ、あるいは外形形状を変更する
場合に迅速に対応することができるとともに、製造コス
トの低減、さらには生産効率の向上を図ることのできる
半導体装置の製造方法および半導体装置を得ることを目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、リード
フレームにおいて樹脂封止すべき部分、並びにアウタリ
ードとなる部分の少なくとも一部をそれぞれ金型のキャ
ビティに配置する工程と、前記金型のキャビティに封止
樹脂を充填して硬化させる工程と、前記リードフレーム
においてアウタリードとなる部分の表層域を覆う部材を
除去する工程と、を含むことを特徴とする。

【０００８】この発明によれば、除去する部材の形状に
応じて半導体装置における封止樹脂の幅や長さ、あるい
は外形形状を変更することができる。

【０００９】また、この発明にかかる半導体装置の製造
方法は、リードフレームにおいてアウタリードとなる部
分の表裏両面にそれぞれ剥離部材を密接させる工程と、
前記剥離部材を含めて前記リードフレームの樹脂封止す
べき部分を金型のキャビティに配置する工程と、前記金
型のキャビティに封止樹脂を充填して硬化させる工程
と、前記封止樹脂の表面から前記剥離部材の縁部に達す
る溝を形成する工程と、前記溝を形成した部分を境界と
して前記アウタリードとなる部分の表層域を覆う部材を
除去する工程と、を含むことを特徴とする。

【００１０】この発明によれば、除去する部材の形状に
応じて半導体装置における封止樹脂の幅や長さ、あるい
は外形形状を変更することができる。しかも、封止樹脂
を除去する場合であっても当該除去すべき封止樹脂とア
ウタリードとなる部分との間に予め剥離部材を介在させ
るようにしているため、両者が強固に結合する事態を未
然に防止できる。

【００１１】つぎの発明にかかる半導体装置の製造方法
は、上記の発明において、前記剥離部材として、前記ア
ウタリードとなる部分に対して再剥離可能な粘着シート
を用いることを特徴とする。

【００１２】この発明によれば、金型に封止樹脂を充填
する際にはアウタリードとなる部分に対する剥離部材の
位置ずれを防止できる一方、アウタリードとなる部分を
覆う部材を除去する際にはアウタリードとなる部分から
剥離部材を容易に剥離することができる。

【００１３】つぎの発明にかかる半導体装置の製造方法
は、上記の発明において、前記剥離部材として、前記ア
ウタリードとなる部分に対して着脱可能なスペーサを用
いることを特徴とする。

【００１４】この発明によれば、スペーサが存在するこ
とにより、封止樹脂を除去する場合であってもその量を
低減することができる。

【００１５】つぎの発明にかかる半導体装置の製造方法
は、上記の発明において、前記剥離部材として、前記ア
ウタリードとなる部分との間に再剥離可能な粘着面を構
成したスペーサを用いることを特徴とする。

【００１６】この発明によれば、スペーサが存在するこ
とにより、封止樹脂を除去する場合であってもその量を
低減することができるとともに、スペーサを除去する作
業も容易となる。

【００１７】つぎの発明にかかる半導体装置の製造方法
は、上記の発明において、前記リードフレームを前記金
型のキャビティに配置した際に、当該キャビティの内壁
面に前記スペーサを当接させることを特徴とする。

【００１８】この発明によれば、金型に封止樹脂を充填
する際にリードフレームの位置ずれを確実に防止するこ
とができる。

【００１９】つぎの発明にかかる半導体装置の製造方法
は、上記の発明において、前記リードフレームにおいて
複数の半導体装置構成部分を前記金型において共通のキ
ャビティに配置することを特徴とする。

【００２０】この発明によれば、一つの金型から複数の
半導体装置を同時に製造することができる。

【００２１】つぎの発明にかかる半導体装置は、上記の
発明のいずれか一つに記載した方法により製造したこと
を特徴とする。

【００２２】この発明によれば、除去する部材の形状に
応じて封止樹脂の幅や長さ、あるいは外形形状を変更す
ることができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照して、この
発明にかかる半導体装置の製造方法および半導体装置の
好適な実施の形態を詳細に説明する。

【００２４】実施の形態１．図１〜図７は、この発明の
実施の形態１である半導体装置の製造方法を順に示した
ものである。本実施の形態１において製造する半導体装
置は、例えばＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）
等のように、リードフレームのダイパッド部にマウント
した半導体チップ、および半導体チップとリードフレー
ムとの接続部分（以下、単にインナボンディング部分と
いう）を樹脂封止する一方、リードフレームのアウタリ
ードを封止樹脂から外部に延在させるようにしたもので
ある。リードフレーム１０には、図１（ａ）に示すよう
に、複数の半導体装置を一括して構成できるように複数
のダイパッド部１１を縦横に設けてあり、それぞれの周
囲にインナリードとなる部分（以下、単にインナリード
部１３という）およびアウタリードとなる部分（以下、
単にアウタリード部１４という）を構成してある。な
お、以下においては、リードフレーム１０において１つ
の半導体装置を構成する場合に必要となる部分、つまり
ダイパッド部１１、インナリード部１３およびアウタリ
ード部１４を適宜半導体装置構成部分２０と総称する。

【００２５】図１（ａ）および図１（ｂ）に示すよう
に、本実施の形態１の製造方法では、まず、リードフレ
ーム１０において各半導体装置構成部分２０のダイパッ
ド部１１にそれぞれ半導体チップ１２をマウントし、さ
らにリードフレーム１０のインナリード部１３と各半導
体チップ１２のボンディングパッド（図示せず）との間
を金線等の導体によって接続するとともに、当該ダイパ
ッド部１１の周囲となる部分、つまりリードフレーム１
０の各半導体装置構成部分２０においてアウタリード部
１４の表裏両面にそれぞれ粘着シート１５を貼着するよ
うにしている。

【００２６】ここで適用する粘着シート１５は、基材と
なるシートに、リードフレーム１０に対して再剥離性を
有する接着剤をコーティングしたもので、アウタリード
部１４の長さと同一幅となるように帯状に構成してあ
る。基材となるシートには、後述する溶融樹脂の充填の
際に溶融、もしくは消失しない程度の耐熱性を確保して
ある。

【００２７】次いで、図２に示すように、上述したリー
ドフレーム１０をモールド金型３０のキャビティ３１に
配置させる。この場合に適用するモールド金型３０とし
ては、互いに開閉可能に配設した上型３０ａおよび下型
３０ｂを備えて構成したものを適用する。これら上型３
０ａおよび下型３０ｂには、相互に対向する面にキャビ
ティ構成部３０ａ₁，３０ｂ₁を設けてある。それぞれの
キャビティ構成部３０ａ₁，３０ｂ₁は、上型３０ａおよ
び下型３０ｂを互いに閉成した場合に、リードフレーム
１０に設けたすべての半導体装置構成部分２０において
半導体チップ１２をマウントしたダイパッド部１１、イ
ンナリード部１３、さらには粘着シート１５を貼着した
部分の少なくとも一部を収容できる幅および長さを有
し、かつ製造すべき半導体装置４０において封止樹脂４
１の厚さと合致する高さを有した唯一のキャビティ３１
を画成するように構成してある。

【００２８】次いで、上述した状態からモールド金型３
０のキャビティ３１に溶融状態の封止樹脂４１を充填
し、所定の保圧・冷却時間が経過した後に離型させる。
この状態においては、図３に示すように、リードフレー
ム１０に設けたすべての半導体装置構成部分２０が共通
の封止樹脂４１によって封止されることになる。

【００２９】次いで、図４に示すように、封止樹脂４１
の一方の面に支持テープ５０を貼着してリードフレーム
１０を固定する。さらにこの状態からダイサー等の切削
機械を適用し、高速回転するブレード６０によって封止
樹脂４１の他方の面に順次切溝４２を形成していく。こ
のとき、切削機械のブレード６０は、リードフレーム１
０に貼着した粘着シート１５の縁部に向け、かつ半導体
装置４０に構成すべき封止樹脂４１の外形形状に沿って
進行するように設定しておく。また、ブレード６０によ
る切溝４２の深さは、それぞれ粘着シート１５の表面に
は到達する一方、リードフレーム１０の表面には到達し
ないように設定しておく。

【００３０】その後、図５に示すように、リードフレー
ム１０を反転し、封止樹脂４１の一方の面の支持テープ
５０を剥離する一方、他方の面に支持テープ５０を貼着
してリードフレーム１０を固定する。さらにこの状態か
らブレード６０によって、先と同様に封止樹脂４１の一
方の面にも順次切溝４２を形成していく。

【００３１】これらの結果、封止樹脂４１の両面に形成
した切溝４２により、リードフレーム１０においてアウ
タリード部１４の表層域に位置する封止樹脂４１′が半
導体装置４０の封止樹脂４１から分離された状態とな
る。従って、封止樹脂４１の他方の面の支持テープ５０
を剥離した後、例えば図６に示すように、当該封止樹脂
４１の両面にそれぞれ除去用テープ７０を貼着し、さら
にこれら貼着した除去用テープ７０を封止樹脂４１から
剥離すれば、図７に示すように、アウタリード部１４の
表層域に位置する部材として封止樹脂４１′を粘着シー
ト１５とともに容易に除去することができる。

【００３２】次いで、隣設する半導体装置４０のアウタ
リード部１４を切り離せば、所望の幅や長さ、さらには
所望の外形形状の封止樹脂４１によって封止された半導
体装置４０を得ることができるようになる。最後に、外
装メッキおよびリード加工工程を経て半導体装置４０が
完成する。

【００３３】ここで、本実施の形態１による製造方法で
は、上述したように、封止樹脂４１が不要となるアウタ
リード部１４をも一旦封止樹脂４１によって封止し、そ
の後、アウタリード部１４の表層域に位置する封止樹脂
４１′を除去することにより、半導体装置４０における
封止樹脂４１の幅や長さ、あるいは外形形状を規定する
ようにしている。従って、これら封止樹脂４１の幅や長
さ、あるいは外形形状の異なる半導体装置４０を製造す
る場合にも、モールド金型３０としては、共通のものを
適用することが可能になる。つまり、共通のモールド金
型３０から離型させた後においても、変更後の封止樹脂
４１の幅や長さ、あるいは外形形状に沿って切溝４２を
形成し、アウタリード部１４の表層域に位置する封止樹
脂４１′を除去すれば、変更後の幅や長さ、さらには所
望の外形形状の封止樹脂４１によって封止された半導体
装置４０を得ることができるようになる。この結果、上
記製造方法によれば、封止樹脂４１の幅や長さ、あるい
は外形形状を変更する場合にも、新たにモールド金型３
０を設計・製造する必要がなく、迅速な対応が可能にな
るとともに、製造コストが増大する事態を防止すること
ができるようになる。さらには、モールド金型３０を変
更する必要がないため、封止樹脂４１の幅や長さ、ある
いは外形形状の異なる半導体装置を続けて製造する場合
にも、段取作業が不要となり、生産効率の向上を図るこ
とが可能になる。

【００３４】しかも、除去すべき封止樹脂４１′とアウ
タリード部１４との間に予め粘着シート１５を介在させ
るようにしているため、封止樹脂４１の硬化の際にアウ
タリード部１４と封止樹脂４１′とが強固に結合する事
態を未然に防止できるようになり、封止樹脂４１′の除
去作業を容易に行うことが可能になる。

【００３５】さらに、粘着シート１５として、アウタリ
ード部１４に対して再剥離性を有したものを適用してい
るため、モールド金型３０に封止樹脂４１を充填する際
にはアウタリード部１４に対する位置ずれを防止するこ
とができる一方、封止樹脂４１′を除去する際にはアウ
タリード部１４から容易に剥離することができ、封止樹
脂４１′の除去作業を煩雑化することなく、半導体装置
４０において封止樹脂４１の幅や長さ、あるいは外形形
状がばらつく事態を防止することが可能になる。

【００３６】実施の形態２．上述した実施の形態１で
は、リードフレーム１０のアウタリード部１４に粘着シ
ート１５を貼着するようにしていたが、本実施の形態２
では、粘着シート１５の代わりに、スペーサ８０を用い
るようにしている。

【００３７】図８〜図１４は、この発明の実施の形態２
である半導体装置の製造方法を順に示したものである。
本実施の形態２において製造する半導体装置は、実施の
形態１で示したものと同様に、リードフレームのダイパ
ッド部にマウントした半導体チップ、およびインナリー
ド部を樹脂封止する一方、リードフレームのアウタリー
ドを封止樹脂から外部に延在させるようにしたＴＳＯＰ
である。図８（ａ）に示すように、複数の半導体装置を
一括して構成できるように、複数のダイパッド部１１を
縦横に設け、かつそれぞれの周囲にインナリード部１３
およびアウタリード部１４を構成してあるのも、実施の
形態１と同様である。

【００３８】図８（ａ）および図８（ｂ）に示すよう
に、本実施の形態２の製造方法では、まず、リードフレ
ーム１０において各半導体装置構成部分２０のダイパッ
ド部１１にそれぞれ半導体チップ１２をマウントし、さ
らにリードフレーム１０のインナリード部１３と各半導
体チップ１２のボンディングパッド（図示せず）との間
を金線等の導体によって接続するとともに、当該ダイパ
ッド部１１の周囲となる部分、つまりリードフレーム１
０の各半導体装置構成部分２０においてアウタリード部
１４の表裏両面にそれぞれスペーサ８０を密接させるよ
うにしている。

【００３９】ここで適用するスペーサ８０は、横断面が
矩形の柱状を成すもので、後述する溶融樹脂の充填の際
に溶融、もしくは消失しない程度の耐熱性を確保した金
属や樹脂材によって構成してある。スペーサ８０の寸法
としては、アウタリード部１４の表裏両面に密接させた
場合の合計厚さが、製造すべき半導体装置４０において
封止樹脂４１の厚さと合致するように構成することが好
ましい。スペーサ８０の材質としては、その剥離性を考
慮した場合、リードフレーム１０のアウタリード部１４
に対して密着性の小さいものを選択することが好まし
い。但し、アウタリード部１４に対して密着性の大きな
材質を選択した場合であっても、当該アウタリード部１
４と接触する面に密着性を低下させる表面処理を施せ
ば、良好な剥離性を確保することが可能である。このス
ペーサ８０をリードフレーム１０に保持させる方法とし
ては、金属製のものを適用する場合、半導体装置構成部
分２０の領域外において当該リードフレーム１０に溶接
等の溶着手段によって溶着すればよく、樹脂製のものを
適用する場合、半導体装置構成部分２０の領域外におい
て当該リードフレーム１０に接着剤等の接着手段によっ
て接着すればよい。

【００４０】次いで、図９および図１０に示すように、
上述したリードフレーム１０をモールド金型３０のキャ
ビティ３１に配置させ、その後、モールド金型３０のキ
ャビティ３１に溶融状態の封止樹脂４１を充填し、所定
の保圧・冷却時間が経過した後に離型させる。この場合
に適用するモールド金型３０としては、実施の形態１で
示したものと同様の構成を有したものである。すなわ
ち、互いに対向する面にそれぞれキャビティ構成部３０
ａ₁，３０ｂ₁を有し、かつ相互に開閉可能な上型３０ａ
および下型３０ｂを備えたモールド金型３０を適用す
る。上型３０ａおよび下型３０ｂに設けたキャビティ構
成部３０ａ₁，３０ｂ₁に関しても、実施の形態１と同様
であり、互いに閉成した場合に、リードフレーム１０に
設けたすべての半導体装置構成部分２０において半導体
チップ１２をマウントしたダイパッド部１１、インナリ
ード部１３、さらには粘着シート１５を貼着した部分の
少なくとも一部を収容できる幅および長さを有し、かつ
製造すべき半導体装置４０において封止樹脂４１の厚さ
と合致する高さを有した唯一のキャビティ３１を画成す
るように構成してある。

【００４１】ここで、実施の形態２では、リードフレー
ム１０においてアウタリード部１４の表裏両面に、合計
厚さが製造すべき半導体装置４０において封止樹脂４１
の厚さと合致するスペーサ８０を密接させるようにして
いる。従って、このリードフレーム１０をモールド金型
３０のキャビティ３１に配置した状態で上型３０ａおよ
び下型３０ｂを閉成させると、図９に明示するように、
上記スペーサ８０の外表面がそれぞれキャビティ３１の
内壁面に当接し、リードフレーム１０のアウタリード部
１４を支持するようになる。この結果、モールド金型３
０のキャビティ３１に溶融状態の封止樹脂４１を充填し
た場合であっても、キャビティ３１においてアウタリー
ド部１４が上下にずれる虞れがなくなり、すべての半導
体装置構成部分２０において半導体チップ１２およびイ
ンナリード部１３をそれぞれの封止樹脂４１の共通の位
置に封止することができるようになる。

【００４２】以下、実施の形態１と同様に、封止樹脂４
１の面に交互に支持テープ５０を貼着してリードフレー
ム１０を固定し、この状態から切削機械のブレード６０
によって封止樹脂４１の両面にそれぞれ順次切溝４２を
形成していく（図１１および図１２）。このとき、切削
機械のブレード６０は、必ずしもリードフレーム１０に
密接させたスペーサ８０の縁部に沿って進行させる必要
はなく、半導体装置４０に構成すべき封止樹脂４１の外
形形状に沿って進行させ、少なくともスペーサ８０にお
いてリードフレーム１０との密接部に近接する部分にお
いてその縁部に達していればよい。ブレード６０による
切溝４２の深さが、リードフレーム１０の表面に到達し
ないように設定しておくのは実施の形態１と同様であ
る。

【００４３】これらの結果、封止樹脂４１の両面に形成
した切溝４２により、リードフレーム１０においてアウ
タリード部１４の表層域に位置する部材が半導体装置４
０の封止樹脂４１から分離された状態となる（図示の例
ではスペーサ８０のみ）。従って、例えば図１３に示す
ように、当該封止樹脂４１の両面にそれぞれ除去用テー
プ７０を貼着し、さらにこれら貼着した除去用テープ７
０を封止樹脂４１から剥離すれば、図１４に示すよう
に、アウタリード部１４の表層域に位置する部材として
スペーサ８０（あるいはスペーサ８０と封止樹脂４
１′）を除去することができ、隣設する半導体装置４０
のアウタリードを切り離せば、所望の幅や長さ、さらに
は所望の外形形状の封止樹脂４１によって封止された半
導体装置４０を得ることができるようになる。

【００４４】ここで、本実施の形態２による製造方法に
おいても、上述したように、封止樹脂４１が不要となる
アウタリード部１４をも含めて封止樹脂４１によって封
止し、その後、アウタリード部１４の表層域に位置する
スペーサ８０（あるいはスペーサ８０と封止樹脂４
１′）を除去することにより、半導体装置４０における
封止樹脂４１の幅や長さ、あるいは外形形状を規定する
ようにしている。従って、これら封止樹脂４１の幅や長
さ、あるいは外形形状の異なる半導体装置４０を製造す
る場合にも、モールド金型３０としては、共通のものを
適用することが可能になる。つまり、共通のモールド金
型３０から離型させた後においても、変更後の封止樹脂
４１の幅や長さ、あるいは外形形状に沿って切溝４２を
形成し、アウタリード部１４の表層域に位置するスペー
サ８０（あるいはスペーサ８０と封止樹脂４１′）を除
去すれば、変更後の幅や長さ、さらには所望の外形形状
の封止樹脂４１によって封止された半導体装置４０を得
ることができるようになる。この結果、上記製造方法に
よれば、封止樹脂４１の幅や長さ、あるいは外形形状を
変更する場合にも、新たにモールド金型３０を設計・製
造する必要がなく、迅速な対応が可能になるとともに、
製造コストが増大する事態を防止することができるよう
になる。さらには、モールド金型３０を変更する必要が
ないため、封止樹脂４１の幅や長さ、あるいは外形形状
の異なる半導体装置を続けて製造する場合にも、段取作
業が不要となり、生産効率の向上を図ることが可能にな
る。

【００４５】しかも、除去すべきスペーサ８０に関して
は、アウタリード部１４との間に単に密接させているだ
けであるため、その除去作業を容易に行うことが可能に
なる。図示の例では、スペーサ８０のみを除去するよう
にしているが、切溝４２の位置や角度によってはスペー
サ８０とともに封止樹脂４１′をも除去する必要があ
る。しかしながら、この場合であっても、除去すべき封
止樹脂４１′とアウタリード部１４との間に予めスペー
サ８０が介在された状態となっているため、封止樹脂４
１の硬化の際にアウタリード部１４と封止樹脂４１′と
が強固に結合する事態を未然に防止できるようになり、
スペーサ８０および封止樹脂４１′の除去作業を容易に
行うことが可能になる。この実施の形態２によれば、後
者の場合であってもスペーサ８０の存在により、除去す
べき封止樹脂４１′の量を低減することができるため
（図示の例ではゼロ）、作業効率を高めることができる
とともに、製造コストのさらなる低減を図ることが可能
になる。

【００４６】さらに、スペーサ８０として、アウタリー
ド部１４の表裏両面に密接させた場合の合計厚さが、製
造すべき半導体装置４０において封止樹脂４１の厚さと
合致するように構成し、リードフレーム１０をモールド
金型３０のキャビティ３１に配置した場合に個々の外表
面がそれぞれキャビティ３１の内壁面に当接するものを
適用しているため、モールド金型３０のキャビティ３１
に溶融状態の封止樹脂４１を充填した場合であっても、
キャビティ３１においてアウタリード部１４が上下にず
れる虞れがなくなる。この結果、すべての半導体装置構
成部分２０において半導体チップ１２およびインナリー
ド部１３をそれぞれの封止樹脂４１の共通の位置に封止
することができるようになり、耐熱性、耐湿性、耐衝撃
性、耐圧性といった半導体装置４０の諸性能を均一化す
ることができるようになる。

【００４７】実施の形態３．上述した実施の形態２で
は、リードフレーム１０のアウタリード部１４にスペー
サ８０を密接させるようにしていたが、本実施の形態３
では、リードフレーム１０のアウタリード部１４とスペ
ーサ８０との間に粘着シート１５を介在させるようにし
ている。

【００４８】図１５は、この発明の実施の形態３である
半導体装置の製造方法を順に示したものである。本実施
の形態３において製造する半導体装置は、実施の形態１
で示したものと同様に、リードフレームのダイパッド部
にマウントした半導体チップ、およびインナリード部を
樹脂封止する一方、リードフレームのアウタリードを封
止樹脂から外部に延在させるようにしたＴＳＯＰであ
る。図１５（ａ）に示すように、複数の半導体装置を一
括して構成できるように、複数のダイパッド部１１を縦
横に設け、かつそれぞれの周囲にインナリード部１３お
よびアウタリード部１４を構成してあるのも、実施の形
態１と同様である。

【００４９】図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示すよ
うに、本実施の形態３の製造方法では、まず、リードフ
レーム１０において各半導体装置構成部分２０のダイパ
ッド部１１にそれぞれ半導体チップ１２をマウントし、
さらにリードフレーム１０のインナリード部１３と各半
導体チップ１２のボンディングパッド（図示せず）との
間を金線等の導体によって接続するとともに、当該ダイ
パッド部１１の周囲となる部分、つまりリードフレーム
１０の各半導体装置構成部分２０においてアウタリード
部１４の表裏両面にそれぞれ粘着シート１５を介してス
ペーサ８０を貼着させるようにしている。

【００５０】ここで適用するスペーサ８０は、実施の形
態２で示したものと同様に、横断面が矩形の柱状を成す
もので、後述する溶融樹脂の充填の際に溶融、もしくは
消失しない程度の耐熱性を確保した金属や樹脂材によっ
て構成してある。スペーサ８０の寸法としては、後述す
る粘着シート１５を介してアウタリード部１４の表裏両
面に貼着させた場合の合計厚さが、製造すべき半導体装
置４０において封止樹脂４１の厚さと合致するように構
成することが好ましい。

【００５１】一方、粘着シート１５は、基材となるシー
トの一方面に、リードフレーム１０に対して再剥離性を
有する接着剤をコーティングする一方、基材となるシー
トの他方面に接着性に優れた接着剤をコーティングした
もので、一方面を介してリードフレーム１０に貼着させ
る一方、他方面を介してスペーサ８０に接着してある。
実施の形態１と同様に、基材となるシートには、後述す
る溶融樹脂の充填の際に溶融、もしくは消失しない程度
の耐熱性を確保してある。このスペーサ８０をリードフ
レーム１０に保持させる方法としては、金属製、もしく
は樹脂製のいずれを適用する場合であっても、粘着シー
ト１５によって貼着すればよく、実施の形態２に比べて
その作業をきわめて容易に行うことができる。

【００５２】以下、実施の形態２と同様に、上述したリ
ードフレーム１０をモールド金型３０のキャビティ３１
に配置させ、その後、モールド金型３０のキャビティ３
１に溶融状態の封止樹脂４１を充填し、所定の保圧・冷
却時間が経過した後に離型させる。この場合に適用する
モールド金型３０としては、実施の形態２で示したもの
と同様である。すなわち、互いに対向する面にそれぞれ
キャビティ構成部３０ａ₁，３０ｂ₁を有し、かつ相互に
開閉可能な上型３０ａおよび下型３０ｂを備えたモール
ド金型３０を適用する。上型３０ａおよび下型３０ｂに
設けたキャビティ構成部３０ａ₁，３０ｂ₁に関しても、
実施の形態２と同様であり、互いに閉成した場合に、リ
ードフレーム１０に設けたすべての半導体装置構成部分
２０において半導体チップ１２をマウントしたダイパッ
ド部１１、インナリード部１３、さらには粘着シート１
５を貼着した部分の少なくとも一部を収容できる幅およ
び長さを有し、かつ製造すべき半導体装置４０において
封止樹脂４１の厚さと合致する高さを有した唯一のキャ
ビティ３１を画成するように構成してある。

【００５３】ここで、実施の形態３においても、実施の
形態２と同様に、リードフレーム１０のアウタリード部
１４の表裏両面に、粘着シート１５を含めた合計厚さが
製造すべき半導体装置４０において封止樹脂４１の厚さ
と合致するスペーサ８０を貼着するようにしている。従
って、このリードフレーム１０をモールド金型３０のキ
ャビティ３１に配置した状態で上型３０ａおよび下型３
０ｂを閉成させれば、上記スペーサ８０の外表面がそれ
ぞれキャビティ３１の内壁面に当接し、リードフレーム
１０のアウタリード部１４を支持するようになる。この
結果、モールド金型３０のキャビティ３１に溶融状態の
封止樹脂４１を充填した場合であっても、キャビティ３
１においてアウタリード部１４が上下にずれる虞れがな
くなり、すべての半導体装置構成部分２０において半導
体チップ１２およびインナリード部１３をそれぞれの封
止樹脂４１の共通の位置に封止することができるように
なる。

【００５４】その後、実施の形態２と同様に、封止樹脂
４１の面に支持テープ５０を貼着してリードフレーム１
０を固定し、この状態から切削機械のブレード６０によ
って封止樹脂４１の両面にそれぞれ順次切溝４２を形成
していく。切削機械のブレード６０を、必ずしもリード
フレーム１０に密接させたスペーサ８０の縁部に沿って
進行させる必要はなく、半導体装置４０に構成すべき封
止樹脂４１の外形形状に沿って進行させ、少なくとも粘
着シート１５の縁部に達していればよい。ブレード６０
による切溝４２の深さが、リードフレーム１０の表面に
到達しないように設定しておくのも実施の形態２と同様
である。

【００５５】これらの結果、封止樹脂４１の両面に形成
した切溝４２により、リードフレーム１０においてアウ
タリード部１４の表層域に位置する部材が半導体装置４
０の封止樹脂４１から分離された状態となる（図示の例
ではスペーサ８０のみ）。従って、実施の形態２と同様
に、封止樹脂４１の両面にそれぞれ除去用テープ７０を
貼着し、さらにこれら貼着した除去用テープ７０を封止
樹脂４１から剥離すれば、アウタリード部１４の表層域
に位置する部材としてスペーサ８０（あるいはスペーサ
８０と封止樹脂４１′）を粘着シート１５とともに容易
に除去することができ、隣設する半導体装置４０のアウ
タリードを切り離せば、所望の幅や長さ、さらには所望
の外形形状の封止樹脂４１によって封止された半導体装
置４０を得ることができるようになる。

【００５６】ここで、本実施の形態３による製造方法に
おいても、上述したように、封止樹脂４１が不要となる
アウタリード部１４をも含めて封止樹脂４１によって封
止し、その後、アウタリード部１４の表層域に位置する
スペーサ８０（あるいはスペーサ８０と封止樹脂４
１′）を除去することにより、半導体装置４０における
封止樹脂４１の幅や長さ、あるいは外形形状を規定する
ようにしている。従って、これら封止樹脂４１の幅や長
さ、あるいは外形形状の異なる半導体装置４０を製造す
る場合にも、モールド金型３０としては、共通のものを
適用することが可能になる。つまり、共通のモールド金
型３０から離型させた後においても、変更後の封止樹脂
４１の幅や長さ、あるいは外形形状に沿って切溝４２を
形成し、アウタリード部１４の表層域に位置するスペー
サ８０（あるいはスペーサ８０と封止樹脂４１′）を除
去すれば、変更後の幅や長さ、さらには所望の外形形状
の封止樹脂４１によって封止された半導体装置４０を得
ることができるようになる。この結果、上記製造方法に
よれば、封止樹脂４１の幅や長さ、あるいは外形形状を
変更する場合にも、新たにモールド金型３０を設計・製
造する必要がなく、迅速な対応が可能になるとともに、
製造コストが増大する事態を防止することができるよう
になる。さらには、モールド金型３０を変更する必要が
ないため、封止樹脂４１の幅や長さ、あるいは外形形状
の異なる半導体装置を続けて製造する場合にも、段取作
業が不要となり、生産効率の向上を図ることが可能にな
る。

【００５７】しかも、除去すべきスペーサ８０に関して
は、アウタリード部１４との間に再剥離性を有した粘着
シート１５を介在させているだけであるため、その除去
作業を容易に行うことが可能になる。図示の例では、ス
ペーサ８０のみを除去するようにしているが、切溝４２
の位置や角度によってはスペーサ８０とともに封止樹脂
４１′をも除去する必要がある。しかしながら、この場
合であっても、除去すべき封止樹脂４１′とアウタリー
ド部１４との間に予めスペーサ８０および粘着シート１
５を介在された状態となっているため、封止樹脂４１の
硬化の際にアウタリード部１４と封止樹脂４１′とが強
固に結合する事態を未然に防止できるようになり、スペ
ーサ８０および封止樹脂４１′の除去作業を容易に行う
ことが可能になる。この実施の形態３においても、スペ
ーサ８０の存在によって除去すべき封止樹脂４１′の量
を低減することができるため（図示の例ではゼロ）、作
業効率を高めることができるとともに、製造コストのさ
らなる低減を図ることができる。

【００５８】さらに、粘着シート１５として、アウタリ
ード部１４に対して再剥離性を有したものを適用してい
るため、モールド金型３０に封止樹脂４１を充填する際
にはアウタリード部１４に対する位置ずれを防止するこ
とができる一方、スペーサ８０（あるいはスペーサ８０
と封止樹脂４１′）を除去する際にはアウタリード部１
４から容易に剥離することができ、スペーサ８０（ある
いはスペーサ８０と封止樹脂４１′）の除去作業を煩雑
化することなく、半導体装置４０において封止樹脂４１
の幅や長さ、あるいは外形形状がばらつく事態を防止す
ることが可能になる。

【００５９】また、スペーサ８０として、アウタリード
部１４の表裏両面に、粘着シート１５を含めた合計厚さ
が製造すべき半導体装置４０において封止樹脂４１の厚
さと合致するように構成し、リードフレーム１０をモー
ルド金型３０のキャビティ３１に配置した場合に個々の
外表面がそれぞれキャビティ３１の内壁面に当接するも
のを適用しているため、モールド金型３０のキャビティ
３１に溶融状態の封止樹脂４１を充填した場合であって
も、キャビティ３１においてアウタリード部１４が上下
にずれる虞れがなくなる。この結果、すべての半導体装
置構成部分２０において半導体チップ１２およびインナ
リード部１３をそれぞれの封止樹脂４１の共通の位置に
封止することができるようになり、耐熱性、耐湿性、耐
衝撃性、耐圧性といった半導体装置４０の諸性能を均一
化することができるようになる。

【００６０】さらにまた、アウタリード部１４との間に
粘着シート１５を介在させ、その接着力によってスペー
サ８０を貼着するようにしているため、実施の形態２の
ごとく溶接等の溶着手段や接着剤等の接着手段を別途適
用する必要がなく、作業の容易化を図ることができるよ
うになる。

【００６１】なお、上述した実施の形態１〜３において
は、いずれも複数の半導体装置を一括して構成するよう
にしているため、生産効率を向上させることが可能にな
るものの、必ずしも複数の半導体装置を一括して構成す
る必要はない。因に、複数の半導体装置を一括構成する
場合には、それぞれの封止樹脂が同一の幅や長さ、ある
いは外形形状を有している必要はない。

【００６２】また、上述した実施の形態１〜３において
は、半導体装置としてＴＳＯＰを例示しているが、封止
樹脂によって封止する部分と、封止樹脂から外部に露出
させる部分とを備えた半導体装置であれば、その他の型
式のものにも適用することが可能である。

【００６３】さらに、上述した実施の形態１〜３におい
ては、切削機械を適用して封止樹脂に切溝を形成し、こ
の切溝を境界として不要となる封止樹脂を除去するよう
にしているが、その他の方法によって封止樹脂を除去す
るようにしてもかまわない。またさらに、上述した実施
の形態２および３においては、スペーサをキャビティの
内壁面に当接させるとともに、スペーサの縁部に沿って
溝を設けるようにしているため、アウタリードとなる部
分の表層域を覆う部材を除去する工程において実際には
スペーサのみが除去されることになる。しかしながら、
本発明では必ずしもこれに限定されず、スペーサとして
キャビティの内壁面に当接しない高さのものを適用して
もよいし、スペーサの縁部に沿って溝を設ける必要もな
い。これらの場合には、アウタリードとなる部分の表層
域を覆う部材を除去する工程においてスペーサと封止樹
脂とが除去されることになる。しかしながら、封止樹脂
とアウタリードとなる部分には予めスペーサが介在され
た状態となっているため、それらの除去作業が煩雑化す
ることはない。

【００６４】なお、上述した実施の形態１〜３において
は、いずれもリードフレームにおいてアウタリードとな
る部分に剥離部材を密接するようにしているため、その
後の剥離作業を容易に行うことが可能であるが、必ずし
も剥離部材を密接させる必要はない。

【００６５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、除去する部材の形状に応じて半導体装置における封
止樹脂の幅や長さ、あるいは外形形状を変更することが
できるため、共通のキャビティを有した金型を用いて封
止樹脂の幅や長さ、あるいは外形形状の異なる半導体装
置を製造することが可能になる。この結果、新たに金型
を設計・製造する必要がなくなって迅速な対応が可能に
なるとともに、製造コストが増大する事態を防止するこ
とができるようになる。しかも、封止樹脂の幅や長さ、
あるいは外形形状の異なる半導体装置を連続して製造す
る場合において、それぞれの段取作業の際に金型の交換
が不要となり、生産効率を著しく向上させることが可能
になる。

【００６６】つぎの発明によれば、除去する部材の形状
に応じて半導体装置における封止樹脂の幅や長さ、ある
いは外形形状を変更することができるため、共通のキャ
ビティを有した金型を用いて封止樹脂の幅や長さ、ある
いは外形形状の異なる半導体装置を製造することが可能
になり、新たに金型を設計・製造する必要がなくなって
迅速な対応が可能になるとともに、製造コストが増大す
る事態を防止することができるようになる。さらに、封
止樹脂の幅や長さ、あるいは外形形状の異なる半導体装
置を連続して製造する場合において、それぞれの段取作
業の際に金型の交換が不要となり、生産効率を著しく向
上させることが可能になる。しかも、封止樹脂を除去す
る場合であっても当該除去すべき部材とアウタリードと
なる部分との間に予め剥離部材を介在させるようにして
いるため、両者が強固に結合する事態を未然に防止でき
るようになり、封止樹脂の除去作業を容易に行うことが
可能になる。

【００６７】つぎの発明によれば、金型に封止樹脂を充
填する際にはアウタリードとなる部分に対する剥離部材
の位置ずれを防止できる一方、アウタリードとなる部分
を覆う部材を除去する際にはアウタリードとなる部分か
ら剥離部材を容易に剥離することができるため、部材の
除去作業を煩雑化することなく、半導体装置において封
止樹脂の幅や長さ、あるいは外形形状がばらつく事態を
防止することが可能になる。

【００６８】つぎの発明によれば、スペーサが存在する
ことにより、封止樹脂を除去する場合であってもその量
を低減することができるため、作業効率を高めることが
できるとともに、製造コストのさらなる低減を図ること
ができる。

【００６９】つぎの発明によれば、スペーサが存在する
ことにより、封止樹脂を除去する場合であってもその量
を低減することができるとともに、スペーサを除去する
作業も容易となるため、作業効率を一層高めることがで
きる。

【００７０】つぎの発明によれば、金型に封止樹脂を充
填する際にリードフレームの位置ずれを確実に防止する
ことができるため、半導体装置において封止樹脂に封止
したリードフレームの位置がばらつく事態を防止するこ
とが可能となり、耐熱性、耐湿性、耐衝撃性、耐圧性等
々、半導体装置の諸性能も均一化することができるよう
になる。

【００７１】つぎの発明によれば、一つの金型から複数
の半導体装置を同時に製造することができるため、生産
効率を向上させることが可能になる。

【００７２】つぎの発明によれば、除去する部材の形状
に応じて封止樹脂の幅や長さ、あるいは外形形状を変更
することができるため、共通のキャビティを有した金型
を用いて封止樹脂の幅や長さ、あるいは外形形状の異な
る半導体装置を製造することが可能になる。この結果、
新たに金型を設計・製造する必要がなくなって迅速な対
応が可能になるとともに、製造コストが増大する事態を
防止することができるようになる。しかも、封止樹脂の
幅や長さ、あるいは外形形状の異なる半導体装置を連続
して製造する場合において、それぞれの段取作業の際に
金型の交換が不要となり、生産効率を著しく向上させる
ことが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１である半導体装置の
製造方法を示すもので、（ａ）はリードフレームの斜視
図、（ｂ）はその断面側面図である。

【図２】 図１に示したリードフレームをモールド金型
のキャビティに配置した状態を示す断面側面図である。

【図３】 図２に示したモールド金型に封止樹脂を充填
・硬化させた後、リードフレームを離型させた状態を示
す断面側面図である。

【図４】 図３に示したリードフレームの封止樹脂に切
溝を形成した状態を示す断面側面図である。

【図５】 図４に示したリードフレームの封止樹脂にさ
らに切溝を形成した状態を示す断面側面図である。

【図６】 図５に示したリードフレームの封止樹脂に除
去用テープを貼着した状態を示す断面側面図である。

【図７】 図６に示したリードフレームの封止樹脂から
不要部分を除去した状態を示す断面側面図である。

【図８】 この発明の実施の形態２である半導体装置の
製造方法を示すもので、（ａ）はリードフレームの斜視
図、（ｂ）はその断面側面図である。

【図９】 図８に示したリードフレームをモールド金型
のキャビティに配置した状態を示す断面側面図である。

【図１０】 図９に示したモールド金型に封止樹脂を充
填・硬化させた後、リードフレームを離型させた状態を
示す断面側面図である。

【図１１】 図１０に示したリードフレームの封止樹脂
に切溝を形成した状態を示す断面側面図である。

【図１２】 図１１に示したリードフレームの封止樹脂
にさらに切溝を形成した状態を示す断面側面図である。

【図１３】 図１２に示したリードフレームの封止樹脂
に除去用テープを貼着した状態を示す断面側面図であ
る。

【図１４】 図１３に示したリードフレームの封止樹脂
から不要部分を除去した状態を示す断面側面図である。

【図１５】 この発明の実施の形態３である半導体装置
の製造方法を示すもので、（ａ）はリードフレームの斜
視図、（ｂ）はその断面側面図である。

【図１６】 従来の半導体装置の製造方法を順に示した
もので、（ａ）はリードフレームの斜視図、（ｂ）はそ
の断面側面図、（ｃ）は（ｂ）に示したリードフレーム
をモールド金型のキャビティに配置した状態を示す断面
側面図、（ｄ）は（ｃ）に示したモールド金型に封止樹
脂を充填・硬化させた後、リードフレームを離型させた
状態を示す断面側面図である。

【符号の説明】

１０ リードフレーム、１１ ダイパッド部、１２ 半
導体チップ、１３ インナリード部、１４ アウタリー
ド部、１５ 粘着シート、２０ 半導体装置構成部分、
３０ モールド金型、３０ａ 上型、３０ａ₁，３０ｂ₁
キャビティ構成部、３０ｂ 下型、３１ キャビテ
ィ、４０ 半導体装置、４１ 封止樹脂、４１′ 除去
すべき封止樹脂、４２ 切溝、５０ 支持テープ、６０
ブレード、７０ 除去用テープ、８０ スペーサ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和泉 直生 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 山崎 暁 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F061 AA01 BA01 CA21 DD14 EA03

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リードフレームにおいて樹脂封止すべき
   部分、並びにアウタリードとなる部分の少なくとも一部
   をそれぞれ金型のキャビティに配置する工程と、 前記金型のキャビティに封止樹脂を充填して硬化させる
   工程と、 前記リードフレームにおいてアウタリードとなる部分の
   表層域を覆う部材を除去する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 リードフレームにおいてアウタリードと
   なる部分の表裏両面にそれぞれ剥離部材を密接させる工
   程と、 前記剥離部材を含めて前記リードフレームの樹脂封止す
   べき部分を金型のキャビティに配置する工程と、 前記金型のキャビティに封止樹脂を充填して硬化させる
   工程と、 前記封止樹脂の表面から前記剥離部材の縁部に達する溝
   を形成する工程と、 前記溝を形成した部分を境界として前記アウタリードと
   なる部分の表層域を覆う部材を除去する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記剥離部材として、前記アウタリード
   となる部分に対して再剥離可能な粘着シートを用いるこ
   とを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記剥離部材として、前記アウタリード
   となる部分に対して着脱可能なスペーサを用いることを
   特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記剥離部材として、前記アウタリード
   となる部分との間に再剥離可能な粘着面を構成したスペ
   ーサを用いることを特徴とする請求項２に記載の半導体
   装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記リードフレームを前記金型のキャビ
   ティに配置した際に、当該キャビティの内壁面に前記ス
   ペーサを当接させることを特徴とする請求項４または５
   に記載の半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記リードフレームにおいて複数の半導
   体装置構成部分を前記金型において共通のキャビティに
   配置することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つ
   に記載の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか一つに記載した
   製造方法を用いて製造したことを特徴とする半導体装
   置。