JP2003100941A

JP2003100941A - 配線基板とその実装構造

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Publication number: JP2003100941A
Application number: JP2001298541A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Koriyama; 慎一郡山
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-09-27
Filing date: 2001-09-27
Publication date: 2003-04-04
Anticipated expiration: 2021-09-27
Also published as: JP4587625B2

Abstract

(57)【要約】【課題】配線ボードに対して同軸モードで信号の劣化な
く表面実装が可能な配線基板とその実装構造を提供す
る。【解決手段】誘電体基板１の表面に、高周波部品Ｂと接
続される伝送線路４と、高周波部品Ｂ用の電源線路６と
を形成し、誘電体基板１の裏面に、伝送線路４と高周波
的に接続された信号パッド７と、信号パッド７周囲に形
成したグランド導体８からなる同軸端子９と、電源パッ
ド１２とを形成してなり、誘電体基板１内部に、伝送線
路４から同軸端子９への変換部を有するとともに、電源
線路６と電源パッド１２とを接続するビアホール導体１
３とを具備してなり、且つ同軸端子９におけるグランド
導体８内周長が、空気中における信号波長より短いこと
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ミリ波領域で、
同軸端子をもつ配線ボードに表面実装可能な配線基板
と、その実装構造に関する。

【０００２】

【従来技術】近年、高度情報化時代を迎え、情報伝達
に用いられる電波は１〜３０ＧＨｚのマイクロ波領域か
ら、更に３０〜３００ＧＨｚのミリ波領域の周波数まで
活用することが検討されており、例えば、６０ＧＨｚを
用いた無線ＬＡＮや７６ＧＨｚを用いた車間レーダーの
ような応用システムも提案されるようになっている。

【０００３】このような高周波用のシステムにおいて
は、インピーダンス不整合や信号間の干渉による信号波
形の劣化が起こりやすく、それらを抑制するために配線
基板と配線ボードの接続を、同軸線路形態で行うことが
特開２０００３０７２１１号等で提案されている。

【０００４】図７は、その従来例を示す概略断面図であ
る。図７によれば、一方の配線基板６０に、信号線６
１、グランド層６２からなるマイクロストリップ線路６
３が形成されており、信号線６１先端は基板内部を貫通
するスルーホール導体６４と接続されている。

【０００５】他方の配線基板６５も同様に、信号線６
６、グランド層６７からなるマイクロストリップ線路６
８が形成されており、信号線６６先端は配線基板６５を
貫通するスルーホール導体６９に接続されている。この
例においては、配線基板６０を配線基板６５に実装する
にあたり、貫通穴７０が形成された導電性モジュールケ
ース７１を用い、配線基板６０のグランド層６２と配線
基板６５のグランド層６７をモジュールケース７１に接
合して、モジュールケース７１の貫通穴７０内壁を同軸
線路の外導体とし、一方、配線基板６０の信号線６１と
配線基板６５の信号線６６は、スルーホール導体６４、
６９を貫通して取り付けられた信号用接続部材７２によ
って電気的に接続し、これが同軸線路の内導体を形成す
るものである。

【０００６】また、他の従来例として、配線基板の裏面
に接続用半田バンプを形成したＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒ
ｉｄＡｒｒａｙ）パッケージが特開平８−２３６６５
５号にて提案されている。これを図８に概略断面図を示
した。このパッケージ７３においては、絶縁基板７４の
裏面に、形成された信号端子７５の周囲に導体リング７
６を形成し、その信号端子７５および導体リング７６の
表面に半田バンプ７７を形成したものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７
に示した構造では、配線基板６０と配線基板６５との接
続組み立て方法が非常に特殊で、安価に大量に生産する
上で問題があった。また配線基板６０のスルーホール導
体６４には貫通穴７０が存在するために、モジュール内
部を気密封止するのが難しいという問題もあった。

【０００８】これに対して、図８のＢＧＡパッケージ
は、上記図８の課題は解決されるが、配線基板の表面側
に形成されたマイクロストリップ線路などの信号線路
と、同軸端子とを接続する場合に、変換効率が低下した
り、信号波形が劣化するなどの問題があった。

【０００９】しかも、図８のＢＧＡパッケージにおいて
は、半田バンプ７７が小さいと、半田バンプ７７の配
置、接合が難しくなるため、通常、０．５ｍｍφ〜０．
７ｍｍφの半田バンプ７７が一般的に用いられる。バン
プ７７同士の間隔は、ショートが発生しないようにバン
プ直径以上にするため、これらの半田バンプ７７の配列
で同軸線路形態の接続部を構成すると、導体リング７６
の内径は少なくとも１．５ｍｍ以上は必要となる。その
結果、同軸線路においては導体リング７６内周長が信号
波長より長くなってしまい、高次モードが発生し本来の
伝送モードが減衰してしまう。即ち、導体リング内径が
１．５ｍｍの場合、空気中であれば約６４ＧＨｚで高次
モードが発生し、それ以上の周波数では使用できないこ
とになる。

【００１０】従って、本発明は、高周波用のシステムに
おいて、インピーダンス不整合や信号間の干渉による信
号波形の劣化を抑制するための、安価な配線基板と、そ
れを用いた量産に適した実装構造を提供することを目的
とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題
に鑑み検討を重ねた結果、誘電体基板の表面に、少なく
とも高周波部品搭載部と、前記高周波部品と接続される
伝送線路と、高周波部品用の電源線路とを形成し、前記
誘電体基板の裏面に、前記伝送線路と高周波的に接続さ
れた信号パッドと、該信号パッド周囲に形成したグラン
ド導体からなる同軸端子と、電源パッドとを形成してな
り、前記誘電体基板内部に、前記伝送線路から前記同軸
端子への変換部を有するとともに、前記電源線路と前記
電源パッドとを接続するビアホール導体とを具備してな
り、且つ前記同軸端子における前記グランド導体内周長
を空気中における信号波長より短くすることによって、
前記同軸端子をロウ材を介して他の同軸端子と直接接続
することができるとともに、誘電体基板の表面に形成さ
れた伝送線路と、同軸端子間の接続における信号波形の
劣化も抑制でき、さらには、高次モードの発生を抑制で
きることを見出し本発明に至った。

【００１２】また、グランド導体は、信号パッドを中心
とする導体リングによって形成されていてもよいし、ま
た、所定の隙間をおいて信号パッドを中心とするリング
状に複数配列されたグランドパッドから形成されていて
もよい。なお、グランドパッドからなる場合、その隙間
が空気中における信号波長の１／４未満となるように配
列してなることが望ましい。

【００１３】また、前記伝送線路は、誘電体基板表面に
信号線を有し、前記誘電体基板内部のグランド層ととも
にマイクロストリップ線路を形成してなるもので、その
場合、前記伝送線路の信号線の端部と、前記同軸端子の
信号パッドとをビアホール導体によって接続してなり、
また、前記グランド導体と前記グランド層とを、隙間が
誘電体基板内の信号波長の１／４未満となるように配列
された複数のビアホール導体によって電気的に接続する
ことによって、信号線路から同軸端子までの信号の劣化
を防止することができる。

【００１４】また、本発明の配線基板の実装構造は、誘
電体基板の表面に、導体層による信号パッドと、該信号
パッド周囲に形成した導体層によるグランド導体からな
る同軸端子と、電源端子とが被着形成された配線ボード
の表面に高周波部品を搭載した上記配線基板を載置し、
前記配線基板側および配線ボード側の同軸端子における
信号パッド同士、グランド導体同士および電源パッド同
士をそれぞれロウ材によって電気的に接続してなること
を特徴とするものである。

【００１５】かかる実装構造においては、前記配線基板
側の同軸端子と、前記配線ボード側の同軸端子とが、実
質的に同一形状からなることが接続信頼性を高めるため
に望ましい。

【００１６】前記配線基板における誘電体基板がセラミ
ック絶縁材料からなり、前記配線ボードにおける配線ボ
ードが有機樹脂を含有する絶縁材料からなり、その場合
の前記配線基板における誘電体基板と、配線ボードにお
ける誘電体基板との室温〜３００℃における熱膨張係数
差が、２０×１０^-6／℃以下であることによって実装信
頼性を高めることができる。

【００１７】また、本発明によれば、かかる実装構造に
おいては、配線基板の同軸端子を信号パッドと、グラン
ド導体によって形成し、ロウ材によって他の同軸端子と
接続することができるために安価で配線基板の組み立て
や実装が容易な配線基板を得ることができる。しかも、
配線基板における信号線路と同軸端子との接続部でのイ
ンピーダンス不整合や信号間の干渉による信号波形の劣
化を防止することができ、高周波用のシステムを実現す
ることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一例を説明する
図１乃至図５をもとに詳述する。

【００１９】図１は、本発明の配線基板の一例を説明す
るもので、(ａ)は概略断面図、（ｂ）は基板表面の平面
図、（ｃ）は基板内部のグランド層のパターン図、
（ｄ）は基板裏面の平面図である。

【００２０】図１によれば、配線基板Ａは、誘電体層１
ａ、１ｂ、１ｃの積層構造からなる誘電体基板１を有
し、この誘電体基板１の表面に、蓋体２を接合すること
によって気密に封止されたキャビティ３を形成してい
る。また、誘電体基板１の表面には、高周波部品Ｂを搭
載する搭載部が形成されている。また誘電体基板１表面
には、搭載される高周波部品Ｂの高周波信号を伝送する
ための信号線路４が形成されている。また、誘電体基板
１の内部には、グランド層５が形成されている。図１の
配線基板Ａにおいては、信号線路４は、グランド層５と
ともにマイクロストリップ線路を形成している。

【００２１】また、誘電体基板１の表面には、搭載され
る高周波部品Ｂに電力や制御系信号を供給するための電
源線路６が被着形成されている。

【００２２】一方、誘電体基板１の裏面には、信号パッ
ド７と、この信号パッド７周囲にグランド導体８を具備
する同軸端子９が形成されている。この配線基板Ａにお
いては、図１（ｄ）に示すように、同軸端子９のグラン
ド導体８は、信号パッド７を中心とする導体リングによ
って形成されている。また、配線基板Ａにおいては、入
力用および出力用として２つの同軸端子９が形成されて
いる。

【００２３】また、本発明の配線基板Ａによれば、同軸
端子９と配線基板Ａの表面に形成されたマイクロストリ
ップ線路の信号線路４とを結合するための変換部を具備
する。図１（ａ）によれば、グランド層５におけるマイ
クロストリップ線路の信号線路４の先端直下に導体非形
成領域５ａを設け、この導体非形成領域５ａを貫通する
ビアホール導体１０によって、信号線路４の先端と信号
パッド７とを接続した構造になっている。

【００２４】そして、この導体リング８には、誘電体基
板１の内部に形成されたグランド層５と、隙間が信号波
長の１／４未満となるように配列された複数のビアホー
ル導体１１によって電気的に接続されている。このビア
ホール導体１１によって、導体リング８はグランド層５
と接続され、ビアホール導体１０とともに疑似的な同軸
線路を形成して高周波信号を伝送するが、このビアホー
ル導体１１間の隙間ｔが信号波長の１／４以上では、マ
イクロストリップ線路から同軸端子９に変換される過程
で、信号のもれによる劣化が生じ易いことから、この隙
間ｔを１／４未満とすることによってマイクロストリッ
プ線路の信号線路４から同軸端子９までの過程での信号
の劣化を防止できる。

【００２５】さらに、本発明によれば、導体リング８の
内周長Ｌが空気中の信号波長より短くなるように設定さ
れていることが望ましい。これは、同軸端子のグランド
導体内周長Ｌが信号波長よりも長いと、高次モードが発
生し、信号の劣化が発生しやすいためであり、この内周
長Ｌを信号波長よりも短くすることにより、同軸端子９
による接続部において高周波信号の高次モードの発生を
防止するためである。

【００２６】なお、誘電体基板１の裏面には、上記同軸
端子９とともに、電源パッド１２が形成されており、誘
電体基板１表面側に形成された電源線路６とビアホール
導体１３によって接続されている。これにより、同軸端
子９と、電源パッド１２の他の回路との接続を一括して
行うことができる。

【００２７】また、本発明の配線基板においては、誘電
体基板の裏面に、同軸端子９以外に、電源パッド１２を
有し、さらに必要に応じてダミー端子を設けることによ
ってロウ材による接続の際に、セルフアライメント効果
を発揮させることができ、他の回路に対して精度よく接
続することができる。

【００２８】次に、図２には、配線基板Ａを配線ボード
Ｃに実装した時の（ａ）概略断面図、（ｂ）配線ボード
Ｃ表面の平面図を示した。この図２によれば、配線ボー
ドＣは、誘電体基板１５の表面に、図２（ｂ）に示すよ
うに、配線基板Ａと同様に、信号パッド１６とグランド
導体１７からなる同軸端子１８と、電源回路（図示せ
ず）と接続された電源パッド１９が形成されている。

【００２９】そして、この配線ボードＣの表面に、図１
の配線基板Ａを載置し、配線基板Ａ側および配線ボード
Ｃ側の同軸端子９，１８における信号パッド７，１６同
士、およびグランド導体８，１７同士をそれぞれロウ材
２０によって電気的に接続することによって、配線基板
Ａを配線ボードＣの表面に実装することができる。ま
た、同時に、配線基板Ａの電源パッドと配線ボードＣの
配線パッド１９も同時にロウ材２０によって電気的に接
続される。

【００３０】本発明によれば、上記の配線基板Ａの配線
ボードＣへの表面実装にあたって、ロウ材２０によりに
じみが発生したり、あるいは配線基板Ａと配線ボードＣ
との実装時の高さが変動すると、配線基板Ａの配線ボー
ドＣへの実装部分で信号の劣化が生じやすくなる。そこ
で、図１（ａ）に示すように、信号パッド７、グランド
導体８、電源パッド１２などのロウ付けされる部分以外
の領域に、ロウ材２０との濡れ性の低い絶縁材料からな
る被覆層２１を形成することが望ましい。この被覆層２
１によってロウ材２０による実装の際に、ロウ材のにじ
みを防止することができる。またこの被覆層２１の厚み
を調整することによって、配線基板Ａと配線ボードＣと
の実装時の高さを一定に保つことができるために、高さ
の変動による信号の劣化や伝送特性の変動の発生を防止
することができる。

【００３１】この被覆層２１は、有機系、無機系のいず
れでもよく、絶縁性の有機樹脂や、有機樹脂と無機フィ
ラーとの混合物を配線基板Ａの表面に塗布し硬化させた
り、または、ガラスペーストを塗布し焼き付けすること
もできる。

【００３２】次に、本発明の配線基板の変形例として、
他の同軸端子構造について配線基板Ｄをもとに説明す
る。図３は、配線基板Ｄの（ａ）基板裏面の平面図と、
（ｂ）同軸端子の拡大図である。なお、同一構造の部分
は図１の符号を適用した。

【００３３】図３の配線基板Ｄによれば、同軸端子９
は、信号パッド７の周囲に、複数のグランドパッド１４
が隙間Ｍをもって形成されている。この場合、隙間Ｍは
ロウ材による接続部からの信号洩れを抑制するために信
号波長の１／４未満に設定される。

【００３４】また、このグランドパッド１４は、誘電体
基板１内部に形成されたグランド層５とビアホール導体
１１によって電気的に接続されている。この場合も、ビ
アホール導体１１の隙間Ｍは、誘電体基板内の信号波長
の１／４未満に設定される。さらに、グランドパッド１
４は、信号パッド７を中心とする円形状に配列される
が、その配列における内周長さも空気中における波長よ
りも短くなるように設定される。

【００３５】かかる構造の同軸端子９においては、配線
ボードＣ側にも同様な同軸端子を設け、信号パッド同
士、各グランドパッド１４同士をロウ材によって接続す
ることによって配線基板Ｄを配線ボードＣに表面実装す
ることができる。

【００３６】次に、本発明の配線基板の他の例として、
図４に配線基板Ｅの（ａ）概略断面図、（ｂ）裏面の平
面図、（ｃ）配線ボードＣに実装した時の概略断面図を
示した。

【００３７】この配線基板Ｅは、前述の配線基板Ａ裏面
のロウ材に濡れない被覆層２１をなくし、代わりに誘電
体層１ｄを積層、焼成して一体的に作製したものであ
る。配線基板Ａと同じ部位には同じ記号を付した。誘電
体層１ｄの同軸端子９部分には貫通穴２２を設け、同軸
端子９を配線基板Ｅ裏面に露出させている。また、貫通
穴２２の側壁には側壁導体２３が形成されており、誘電
体層１ｄ下面のグランドパッド２４と同軸端子９のグラ
ンド導体８とを接続している。

【００３８】以上のように誘電体層１ｄを追加すること
により、ロウ材に濡れない被覆層２１を被覆する工程が
不要になり、配線基板を安価に提供することができる。
また誘電体基板１の厚みが厚くできるために強度が増し
て実装工程における取扱いを容易にできる。

【００３９】次に、図５に配線基板Ｅよりもさらに基板
厚さを厚くした配線基板Ｆの概略断面図を示した。この
配線基板Ｆは、前述の配線基板Ａの誘電体層１ｃを複数
の誘電体層１ｃ１、１ｃ２で構成したものである。な
お、配線基板Ａと同じ部位には同じ記号を付した。

【００４０】かかる配線基板Ｆにおいては、誘電体層１
ｃ１、１ｃ２との界面において、接続用グランド導体８
ａを設けることが望ましい。これにより、ビアホール導
体１０のグランド層５よりも下部の部分がビアホール導
体１０を中心とし、その回りにビアホール導体１１と接
続用グランド導体８ａからなる格子状の導体壁が形成さ
れることから、信号のもれの発生を防止することができ
る。

【００４１】以上のように誘電体層１ｃを複数の誘電体
層で構成し、接続用信号パッド７ａ、接続用グランド導
体８ａを介して、配線基板裏面に導出することにより、
さらに配線基板の厚さを厚くして誘電体基板強度を増す
ことができる。

【００４２】さらに、これまでの配線基板では、マイク
ロストリップ線路構造の信号線路から同軸端子に直接的
に接続されるものであったが、これは、同軸端子を信号
線路の直下に形成できる場合には有効であるが、配線基
板の設計によっては、信号線路の端部の直下に同軸端子
を形成できない場合がある。そのような場合に好適な配
線基板Ｇの概略断面図を図６に示した。なお、前記配線
基板と同じ部分には同じ符号を付けた。

【００４３】この配線基板Ｇにおける誘電体基板１は、
誘電体層１ａ〜１ｅの５層から構成され、そのうち誘電
体層１ｃ、１ｄには、上グランド層３１、下グランド層
３２およびストリップ線路３３からなるトリプレート線
路が形成されている。なお、上グランド層３１と下グラ
ンド層３２とはビアホール導体３４によって電気的に接
続されている。

【００４４】配線基板Ｇ表面には信号線路４と上グラン
ド層３１と共有されたグランド層５からなるマイクロス
トリップ線路が形成されており、搭載される高周波部品
Ｂと接続されている。そして、マイクロストリップ線路
の信号線路４の他端は、上グランド層３１と非接触で貫
通するビアホール導体３５によってトリプレート線路の
ストリップ導体３３に接続されている。そして、トリプ
レート線路におけるストリップ導体３３先端は、ビアホ
ール導体３６で下グランド層３２と同一面に形成された
接続用信号パッド３７に接続され、接続用信号パッド３
７を内導体、下グランド層３２を外導体とする同軸線路
形態に変換されている。配線基板Ｇ内部の接続用信号パ
ッド３７と下グランド層３２は、それぞれビアホール導
体３８、３９によって配線基板裏面の信号パッド７、グ
ランド導体８に接続される。かかる構造によっても、配
線基板Ｇは高周波の信号の劣化を抑制しつつ配線ボード
Ｃと同軸モードによって表面実装することができる。

【００４５】本発明において、配線基板における誘電体
基板１や配線ボードにおける誘電体基板１５を形成する
誘電体材料としては、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ム
ライトなどを主成分とするセラミック材料、ガラス、あ
るいはガラスとセラミックフィラーとの混合物を焼成し
て形成されたガラスセラミック材料、エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂、テフロン（登録商標）などのフッ素系樹
脂などを含む樹脂系材料、有機樹脂−セラミック（ガラ
ス含む）複合系材料などが用いられる。

【００４６】特に、高周波部品を搭載する配線基板の誘
電体基板１としては、誘電正接が小さいとともに、気密
封止が可能であることが好適である。特に望ましい誘電
体材料としては、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ガラスセラミック
材料の群から選ばれる少なくとも１種の無機材料が挙げ
られる。このような硬質系材料で構成すれば、搭載した
高周波部品を気密に封止することができ信頼性を高める
ために好ましい。

【００４７】また、誘電体ボードにおける誘電体基板と
しては、誘電率５以下の低誘電率材料からなることが望
ましく、特に有機樹脂を含む絶縁材料からなることが望
ましい。また、配線基板の実装信頼性を高める上で、配
線基板における誘電体基板１と配線ボードにおける誘電
体基板１５との室温〜３００℃における熱膨張係数差は
２０×１０^-6／℃以下、特に１０×１０^-6／℃以下であ
ることが望ましい。

【００４８】

【実施例】本発明の効果を確認すべく、以下の実験を行
なった。まず、配線基板Ａとして、焼成後、１０ＧＨｚ
における誘電正接が６×１０^-4、室温〜３００℃におけ
る熱膨張係数が８×１０^-6／℃のアルミナセラミックス
のグリーンシートと、タングステンメタライズインクを
用いて、通常の積層、同時焼成技術によって図１に示し
た配線基板に類似の評価基板を作製した。評価基板は、
図１の配線基板のキャビティをなくし、高周波部品を搭
載せずに、入出力用の２つのマイクロストリップ線路の
信号線路を接続したものである。焼成後、誘電体基板の
表面および裏面のメタライズ表面にニッケルおよび金に
よるめっき加工を施した。

【００４９】なお、同軸端子として、０．３ｍｍφの信
号パッドと、内周長が２．２ｍｍ、３．８ｍｍ、４．７
ｍｍの導体リングを形成し、また、導体リングは、隙間
が０．２ｍｍで配列された複数のビアホール導体によっ
て誘電体基板内部のグランド層に接続した。

【００５０】配線ボードＣとして図２に示した配線ボー
ドをフッ素系プリント板（１０ＧＨｚ誘電正接０．００
１、室温〜３００℃の熱膨張係数２１×１０^-6／℃）で
作製した。即ち、プリント板の表面に、銅箔からなる評
価用配線基板の同軸端子と全く同じ大きさの同軸端子を
形成した。またプリント基板の裏面には、測定用コプレ
ーナを取り付けた。

【００５１】そして、上記のプリント板のパッドに印刷
法でＡｇ−Ｓｎ−Ｃｕ系の半田ペーストを印刷し、上記
評価用配線基板を搭載してリフローで半田実装して配線
基板を配線ボードに表面実装した。

【００５２】評価用サンプルの配線ボード裏面に測定用
プローブを接触させ、７６ＧＨｚにおける挿入損失を測
定して配線基板内のマイクロストリップ線路から配線ボ
ードの裏面までの接続損失を見積った。

【００５３】その結果、グランド導体の内周長が４．７
ｍｍ（空気中の信号波長よりも長い）の場合では、損失
は４ｄＢと大きいものであったが、内周長が３．８ｍ
ｍ，２．２ｍｍの場合（空気中の信号波長よりも短い）
は、それぞれ１．１ｄＢ、１．０ｄＢと小さく、良好な
表面実装が可能であった。

【００５４】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、同
軸端子を有し、表面実装が可能であり、また、高次モー
ドが発生することがなく、良好な伝送特性を有する配線
基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一例である配線基板Ａの(ａ)概略断面
図、（ｂ）基板表面の平面図、（ｃ）基板内部のグラン
ド層のパターン図、（ｄ）基板裏面の平面図である。

【図２】配線基板Ａを配線ボードＣに実装した時の
（ａ）概略断面図、（ｂ）配線ボードＣ表面の平面図で
ある。

【図３】本発明の他の例である配線基板Ｄの（ａ）基板
裏面の平面図と、（ｂ）同軸端子の拡大図である。

【図４】本発明の他の例である配線基板Ｅの（ａ）概略
断面図、（ｂ）裏面の平面図、（ｃ）配線ボードＣに実
装した時の概略断面図である。

【図５】本発明のさらに他の例である配線基板Ｆの概略
断面図である。

【図６】本発明のさらに他の例である配線基板Ｇの概略
断面図である。

【図７】従来の配線基板の実装構造を説明するための概
略断面図である。

【図８】他の従来の同軸端子の接続構造を説明するため
の概略断面図である。

【符号の説明】

Ａ，Ｄ〜Ｈ配線基板Ｂ高周波部品Ｃ配線ボード１誘電体基板４信号線路５グランド層６電源線路７信号パッド８グランド導９同軸端子１２電源パッド１０、１１、１３ビアホール導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｎ 3/46 ＱＺＨ０１Ｌ 23/12 ＥＱＬＦターム(参考） 5E336 AA04 AA16 BB03 BB16 BB18 BC34 CC31 CC55 DD28 EE01 GG11 5E338 AA03 BB13 BB75 CC02 CC04 CC06 CD17 CD32 CD33 EE11 5E344 AA01 BB02 BB06 CC24 DD02 DD14 EE06 5E346 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 BB02 BB03 BB04 BB06 BB07 CC08 CC16 FF45 HH01 HH06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体基板の表面に、少なくとも高周波部
品搭載部と、前記高周波部品と接続される伝送線路と、
高周波部品用の電源線路とを形成し、前記誘電体基板の
裏面に、前記伝送線路と高周波的に接続された信号パッ
ドと、該信号パッド周囲に形成したグランド導体からな
る同軸端子と、電源パッドとを形成してなり、前記誘電
体基板内部に、前記伝送線路から前記同軸端子への変換
部を有するとともに、前記電源線路と前記電源パッドと
を接続するビアホール導体とを具備してなり、且つ前記
同軸端子における前記グランド導体内周長が、空気中に
おける信号波長より短いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】前記グランド導体が、信号パッドを中心と
する導体リングによって形成されてなることを特徴とす
る請求項１記載の配線基板。
【請求項３】前記グランド導体が、所定間隔をおいて信
号パッドを中心とするリング状に複数配列されたグラン
ドパッドからからなることを特徴とする請求項１または
請求項２記載の配線基板。
【請求項４】前記リング状に複数配列されたグランドパ
ッドを、各パッド間の隙間が空気中における信号波長の
１／４未満となるように配列してなる請求項３記載の配
線基板。
【請求項５】前記誘電体基板の内部にグランド層を形成
してなり、前記伝送線路が該グランド層とともにマイク
ロストリップ線路またはグランド付きコプレーナ線路を
形成してなることを特徴する請求項１乃至請求項４のい
ずれか記載の配線基板。
【請求項６】前記伝送線路の端部と、前記同軸端子の信
号パッドとを少なくともビアホール導体を介して接続し
てなり、且つ前記グランド導体と前記グランド層とを、
隙間が誘電体基板内の信号波長の１／４未満になるよう
に配列された複数のビアホール導体によって電気的に接
続してなることを特徴とする請求項１乃至請求項５のい
ずれか記載の配線基板。
【請求項７】前記信号パッド、前記グランド導体が、外
部回路に対して、ロウ付けされる請求項１乃至請求項６
のいずれか記載の配線基板。
【請求項８】誘電体基板の表面に、導体層による信号パ
ッドと、該信号パッド周囲に形成した導体層によるグラ
ンド導体からなる同軸端子とが被着形成された配線ボー
ドの表面に、高周波部品を搭載した請求項１乃至請求項
７のいずれか記載の配線基板を載置し、前記配線基板側
および配線ボード側の同軸端子における信号パッド同士
およびグランド導体同士、さらに電源パッド同士をそれ
ぞれロウ材によって電気的に接続してなることを特徴と
する配線基板の実装構造。
【請求項９】前記配線基板側の同軸端子と、前記配線ボ
ード側の同軸端子とが、実質的に同一形状からなること
を特徴とする請求項８記載の配線基板の実装構造。
【請求項１０】前記配線基板における誘電体基板がセラ
ミック絶縁材料からなり、前記配線ボードにおける配線
ボードが有機樹脂を含有する絶縁材料からなることを特
徴とする請求項８または請求項９記載の配線基板の実装
構造。
【請求項１１】前記配線基板における誘電体基板と、配
線ボードにおける誘電体基板との室温〜３００℃におけ
る熱膨張係数差が２０×１０^-6／℃以下であることを特
徴とする請求項８乃至請求項１０のいずれか記載の配線
基板の実装構造。