JP2003113468A

JP2003113468A - 真空蒸着方法および真空蒸着装置

Info

Publication number: JP2003113468A
Application number: JP2001294545A
Authority: JP
Inventors: Makoto Kashiwatani; 誠柏谷; Junji Nakada; 純司中田; Yasuo Iwabuchi; 康夫岩渕
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2001-07-31
Filing date: 2001-09-26
Publication date: 2003-04-18

Abstract

(57)【要約】【課題】蛍光体を含む膜を成膜するに際し、蛍光体の発
光を利用して成膜の状態を正確に把握することができ、
成膜状態に応じた成膜のコントロールを好適に行って、
均一かつ適正な厚さを有する高品位な膜を、安定して成
膜することが可能な真空蒸着方法および装置を提供す
る。【解決手段】真空蒸着によって蛍光体を含有する膜を成
膜するに際し、成膜した膜に含有される蛍光体を発光さ
せ、発光強度を測定することにより、成膜状態を知見
し、あるいはさらに成膜を制御することにより、前記課
題を解決する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は真空蒸着の技術分野
に属し、詳しくは、フィードバックによる成膜の制御を
好適に行うことができる真空蒸着方法および装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子
線、紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギ
ーの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を
受けると、蓄積されたエネルギーに応じた輝尽発光を示
す蛍光体が知られている。この蛍光体は、蓄積性蛍光体
（輝尽性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途
に利用されている。

【０００３】一例として、この蓄積性蛍光体からなる層
（以下、蛍光体層とする）を有するシート（以下、蛍光
体シートとする（放射線像変換シートとも呼ばれてい
る））を利用する、放射線画像情報記録再生システムが
知られており、例えば、ＦＣＲ（Fuji Computed Radiog
raphy)等として実用化されている。このシステムでは、
蛍光体シート（蛍光体層）に人体などの被写体の放射線
画像情報を記録し、記録後に、蛍光体シートをレーザ光
等の励起光で２次元的に走査して輝尽発光光を生ぜし
め、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を
得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴな
どの表示装置や、写真感光材料などの記録材料等に、被
写体の放射線画像として出力する。

【０００４】このような蛍光体シートは、通常、蓄積性
蛍光体の粉末をバインダ等を含む溶媒に分散してなる塗
料を調製して、この塗料をガラスや樹脂製のシート状の
支持体に塗布し、乾燥することによって、作成される。
これに対し、真空蒸着やスパッタリング等の物理蒸着法
（気相成膜法）によって、支持体に蛍光体層を形成して
なる蛍光体シートも知られている（特許第２７８９１９
４号、特開平５−２４９２９９号等の各公報参照）。蒸
着によって作製される蛍光体層は、真空中で形成される
ので不純物が少なく、また、バインダなどの蓄積性蛍光
体以外の成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが
少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという、優
れた特性を有している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、蒸着による
成膜は、蛍光体シート以外にも、光学部品のコーティン
グ、磁気記録メディアや電子ディスプレイの製造等の各
種の分野において成膜方法として利用されている。ここ
で、これらにおける蒸着による成膜では、ほとんどの場
合は、形成する膜の厚さは１μｍ以下で、厚くても３μ
ｍ程度である。これに対し、蒸着で形成される蛍光体シ
ートの蛍光体層は、５００μｍ程度、厚い場合で１００
０μｍ近い膜厚が必要になる。

【０００６】このように厚い膜を蒸着によって成膜する
際に、均一で、かつ、全域に渡って適正な厚さを有す
る、高品位な膜を形成するためには、成膜の状態を正確
に把握して、成膜を適正にコントロールする必要があ
り、すなわち、このようなフィードバック制御を好適に
行うことができる成膜装置が望ましい。

【０００７】本発明の目的は、前述の蒸着型の蛍光体シ
ートの製造など、蛍光体を含む膜を成膜するに際し、蛍
光体の発光を利用して成膜の状態を正確に把握すること
ができ、これに応じたフィードバックを行うことによ
り、成膜状態に応じた成膜のコントロールを好適に行っ
て、均一かつ適正な厚さを有する高品位な膜を、安定し
て成膜することが可能な真空蒸着方法、および、これを
利用する真空蒸着装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の真空蒸着方法は、真空蒸着によって蛍光体
を含有する膜を成膜するに際し、成膜した膜に含有され
る蛍光体を発光させ、その発光強度を測定することによ
り、成膜状態を知見することを特徴とする真空蒸着方法
を提供する。

【０００９】また、本発明の真空蒸着装置は、基板に成
膜を行う真空蒸着装置であって、真空蒸着によって成膜
した膜が含有する蛍光体を発光させる発光手段と、前記
発光手段による蛍光体の発光強度を測定する測定手段
と、前記測定手段による測定結果に応じて、成膜を制御
する制御手段とを有することを特徴とする真空蒸着装置
を提供する。

【００１０】このような本発明において、蒸着する蛍光
体が、輝尽発光する蓄積性蛍光体であって、前記発光手
段は、成膜した膜に紫外線を入射することにより、ある
いは、成膜した膜に放射線を照射した後に励起光を入射
することにより、成膜した膜が含有する蓄積性蛍光体を
発光させるのが好ましい。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の真空蒸着方法およ
び真空蒸着装置について、添付の図面に示される好適実
施例を基に、詳細に説明する。

【００１２】図１に、本発明の真空蒸着方法を実施する
本発明の真空蒸着装置の一例の概念図を示す。図１に示
される真空蒸着装置１０は、基本的に、真空チャンバ１
２と、ロード室１４と、アンロード室１６と、シースヒ
ータ１８と、基板搬送機構２０と、加熱蒸発部２２と、
隔壁２４と、膜厚測定手段２６と、蒸発制御部２８とを
有して構成される、いわゆるロードロックタイプの真空
蒸着装置である。また、真空チャンバ１２には、系内を
排気して所定の真空度にするための、図示しない真空ポ
ンプ（排気手段）が接続される。

【００１３】図示例の真空蒸着装置１０は、一例とし
て、臭化セシウム（ＣｓＢｒ）および臭化ユーロビウム
（ＥｕＢｒ_x（ｘは、通常、２〜３））を成膜材料とし
た二元の真空蒸着を行って、透明な基板（成膜基板）Ｓ
にＣｓＢｒ：Ｅｕを蓄積性蛍光体とする蛍光体層を形成
して、前述の蛍光体シートを作製する。なお、本発明の
真空蒸着装置で成膜するのは、このような蓄積性蛍光体
を含有する膜に限定はされず、各種の蛍光体を含有する
膜の成膜に好適に利用可能であり、また、蛍光体を含有
しない膜を成膜してもよいのは、もちろんである。

【００１４】真空チャンバ１２は、鉄、ステンレス、ア
ルミニウム等で形成される、真空蒸着装置で利用される
公知の真空チャンバ（ベルジャー、真空槽）である。図
示例においては、真空チャンバ１２内は、開口部２４ａ
を有する隔壁２４によって、上方の基板搬送機構２０側
と、下方の加熱蒸発部２２側とに分離される。前述のよ
うに、真空チャンバ１２には、真空ポンプが接続され
る。真空ポンプにも、特に限定はなく、必要な到達真空
度を達成できるものであれば、真空蒸着装置で利用され
ている各種のものが利用可能である。一例として、油拡
散ポンプ、クライオポンプ、ターボモレキュラポンプ等
を利用すればよく、また、補助として、クライオコイル
等を併用してもよい。なお、前述の蛍光体層を成膜する
図示例の真空蒸着装置１０においては、真空チャンバ１
２内の到達真空度は、５×１０^-5Ｔｏｒｒ以下、特に３
×１０^-6Ｔｏｒｒ以下であるのが好ましい。

【００１５】ロード室１４およびアンロード室１６は、
通常のロードロックタイプの真空蒸着装置が有するもの
と同様の、基板Ｓを装填し（ロード室１４）、成膜を終
了した基板を取り出す（アンロード室１６）部位であ
る。なお、ロード室１４に装填可能な基板Ｓの数、およ
び、アンロード室１６が収容可能な基板Ｓの数は、１つ
でも、複数でもよい。また、ロード室１４およびアンロ
ード室１６と、真空チャンバ１２との接合部には、基板
Ｓの装填や取り出し等のためにロード室１４およびアン
ロード室１６を大気開放した際に、真空チャンバ１２内
の真空度を保つためのゲートバルブ１４ａおよび１６ａ
が配置される。

【００１６】基板搬送機構２０は、基板Ｓをロード室１
４〜成膜位置（隔壁２４の開口部２４ａ）〜アンロード
室１６に搬送するものである。さらに、基板搬送機構２
０の上には、基板Ｓを裏面（非成膜面）側から加熱する
ためのシースヒータ１８が配置される。

【００１７】基板搬送機構２０は、一例として、ガイド
レール３０と、基板ホルダ３２と、図示しない搬送手段
とを有して構成される。ガイドレール３０は、ロード室
１４からアンロード室１６に至る方向に延在して、ステ
ー等を用いた公知の手段によって真空チャンバ１２内の
所定の位置に固定されている。基板ホルダ３２は、基板
Ｓを保持すると共に、基板Ｓの成膜面におけるマスクを
兼ねる枠体で、ガイドレール３０に載置され係合する車
輪３４を有している。このような基板ホルダ３２は、ガ
イドレール３０に垂下された状態で保持／案内されて、
図示しない搬送手段によって、ロード室１４からアンロ
ード室１６に移動される。基板ホルダ３２の移動手段に
は、特に限定はなく、ねじ伝動やラックアンドピニオン
等の公知の手段を利用すればよい。なお、前述のよう
に、図示例においては、基板Ｓは、ガラス基板等の透明
なものが用いられる。

【００１８】隔壁２４によって基板搬送機構２０等と隔
てられた下方には、加熱蒸発部２２が配置される。前述
のように、真空蒸着装置１０は、臭化セシウムおよび臭
化ユーロビウムを成膜材料とし、これらを個々に加熱す
る二元の真空蒸着を行うものであり、加熱蒸発部２２
は、セシウム蒸発部４０（以下、Ｃｓ蒸発部４０とす
る）と、ユーロビウム蒸発部４２（以下、Ｅｕ蒸発部４
２とする）とを有する。なお、このような加熱蒸発部２
２は、基板Ｓのサイズ（基板搬送機構２０による搬送方
向と直交方向（以下、幅方向とする）のサイズ）等に対
応して、必要に応じて、幅方向に複数有してもよく、ま
た、目的とする膜厚に応じて、前記搬送方向に複数有し
てもよい。

【００１９】図２に、加熱蒸発部２２の概念図を示す。
なお、図２において（Ａ）は上面図（図１の上方から見
た図）を、（Ｂ）は正面図（図１と同方向から見た図）
を、それぞれ示す。また、Ｃｓ蒸発部４０と、Ｅｕ蒸発
部４２とは、基本的に同様の構成を有するので、同じ部
材には同じ符号を付し、個々の説明は、異なる部位につ
いて行う。

【００２０】Ｃｓ蒸発部４０およびＥｕ蒸発部４２は、
偏向型の電子銃４４（以下、偏向銃４４とする）および
材料供給手段４６を有する。

【００２１】偏向銃４４は、各種の真空蒸着装置に利用
されているものと同様、成膜材料を蒸発するために、所
定の蒸発位置にエレクトロンビーム（ＥＢ）を入射す
る、加熱源で、図示例においては、矢印で示すように、
ＥＢを１８０°偏向して蒸発位置に入射する１８０°偏
向銃を利用している。なお、本発明において、電子銃は
１８０°偏向銃に限定はされず、２７０°偏向銃、直進
銃、９０°偏向直進銃等、各種の電子銃が利用可能であ
り、また、抵抗加熱を利用してもよい。中でも、制御性
等の点で、電子銃が好ましい。

【００２２】また、本発明において、偏向銃４４のエミ
ッション電流やＥＢの加速電圧にも限定はなく、成膜材
料や目的とする膜厚等に応じた十分なものであればよ
い。また、膜中における各成分の量比の調整は、通常の
二元の真空蒸着と同様に、各偏向銃４４の出力で行えば
よい。図示例においては、一例として、ＥＢの加速電圧
は−１ｋＶ〜−３０ｋＶ、エミッション電流は、Ｃｓ蒸
発部４０が５０ｍＡ〜２Ａ、Ｅｕ蒸発部４２が１０ｍＡ
〜５００ｍＡとするのが好ましい（後述するが、Ｃｓに
比して、Ｅｕの蒸着量は、極めて少ない）。なお、図示
例においては、両偏向銃４４の出力は、後述する蒸発制
御部２８によって制御される。

【００２３】材料供給手段４６は、所定の蒸発位置（偏
向銃４４からのＥＢの照射位置）に成膜材料、すなわち
Ｃｓ蒸発部４０においては臭化セシウムを、Ｅｕ蒸発部
４２においては臭化ユーロビウムを、それぞれ供給する
ものである。図示例において、材料供給手段４６は、シ
リンダ４８と、ピストン５０と、ケーシング５２と、昇
降手段（モータ）５４とから構成される。

【００２４】シリンダ４８は、その上端部がＥＢの照射
位置と一致するように、真空チャンバ１２の下面を貫通
して一部が外部に突出した状態で、真空チャンバ１２の
壁面に固定される円筒である。すなわち、図示例におい
ては、シリンダ４８がいわゆるハースとなっており、そ
の上端部が材料の蒸発位置Ｐ（臭化セシウムの蒸発位置
Ｐｃ、臭化ユーロビウムの蒸発位置Ｐｅ）となる。ま
た、ピストン５０は、シリンダ４８内に緩く挿嵌される
円柱状のピストンヘッド５０ａと、先端にピストンヘッ
ド５０ａを固定するピストンピン５０ｂとから構成され
る。ピストンピン５０ｂには、ピストン５０を昇降（図
中矢印ａ方向に移動）する昇降手段５４が係合する。さ
らに、シリンダ５０の開放端はケーシング５２で覆われ
て真空チャンバ１２内は気密に保たれ、かつ、ピストン
ピン５０ｂは、図示しないベアリングによって、前記昇
降方向に往復動可能にケーシング５２に気密に軸支され
る。

【００２５】成膜材料は、シリンダ５０の内径よりも若
干小径の円柱状に成形されて、ピストンヘッド５０ａに
載置された状態でシリンダ４８内に収容される。基板へ
の成膜によって、蒸発位置の成膜材料が消費されると、
それに応じて、昇降手段５４が駆動して成膜材料を上昇
する。これにより、シリンダ５０の上面すなわち蒸発位
置には、常に、成膜材料が供給される。従って、加熱蒸
発部２２を有する真空蒸着装置１０によれば、複数の成
膜材料を用いた２元の真空蒸着で、かつ、２００μｍを
超えるような厚膜の成膜にも好適に対応することがで
き、前述の蛍光体シートの蛍光体層の真空蒸着による成
膜等を好適に行うことができる。

【００２６】なお、図示例のようなＣｓＢｒ：Ｅｕを蓄
積性蛍光体とする蛍光体層では、蓄積性蛍光体における
Ｅｕ／Ｃｓの量比は、例えば、モル濃度比で０．００３
／１程度と大幅な差があり、ユーロビウムは不純物レベ
ルである。そのため、図示例においては、Ｃｓ蒸発部４
０に装填される臭化セシウムの量を、Ｅｕ蒸発部４２に
装填される臭化ユーロビウムよりも多くしている。

【００２７】膜厚測定手段２６は、成膜された蛍光体層
中に含まれる蓄積性蛍光体を発光させて、その発光強度
から、蛍光体層の膜厚を測定して、結果を蒸発制御部２
８に供給する部位で、光源６０と、光ファイバ６２と、
光学フィルタ６４と、測光／処理部６６とを有して構成
される。

【００２８】光源６０は、所定波長のレーザ光（レーザ
ビーム）Ｌを所定位置に照射することにより、基板Ｓの
裏面側から成膜された蛍光体層にレーザ光Ｌを入射す
る。これにより、蛍光体層に含まれる蓄積性蛍光体（Ｃ
ｓＢｒ：Ｅｕ）を励起して、Ｅｕ²⁺に起因する波長４４
０ｎｍの発光を生じさせる。レーザ光Ｌの波長には、特
に限定はなく、蛍光体層（生成した膜）に含まれる蛍光
体に応じて、蛍光体を発光させられる波長を、選択すれ
ばよい。なお、蛍光体によるレーザ光Ｌの吸収効率が高
過ぎると、蛍光体の発光が飽和して、膜厚と発光強度と
の間の相関が不適正になる場合も有り得る。従って、レ
ーザ光Ｌの波長は、このような点を考慮して、実験やシ
ュミレーション等を用いて、適宜、選択するのが好まし
い。図示例においては、光源６０として、波長３２５ｎ
ｍ、出力１００ｍＷのＨｅ−Ｃｄレーザを用いている。

【００２９】光ファイバ６２は、レーザ光Ｌによる蛍光
体層の発光を測光／処理部６６（光学フィルタ６４）に
伝播するもので、一方の端部は、端面（入射面）を基板
に向けて光源６０からのレーザ光Ｌの入射位置（蓄積性
蛍光体の励起位置）近傍に配置され、他方の端部の端面
（出射面）は、光学フィルタ６４に接続している。な
お、光ファイバ６２の入射面近傍には、必要に応じて、
発光光を集光するための集光ガイドを配置してもよい。

【００３０】本発明の真空蒸着装置においては、このよ
うな励起／受光システムを、幅方向に、複数配置して、
基板Ｓの全面に対応して、発光強度の測定を行うのが好
ましい。なお、励起／受光システムの設置数は、多い
程、精度の点では好ましい反面、コスト的には不利にな
る。従って、設置数は、要求精度等に応じて、適宜、決
定すればよい。図示例においては、一例として、幅方向
に基板Ｓを均等に５分割するように５つの励起／受光シ
ステムを設置している。

【００３１】光ファイバ６２によって伝播された光は、
光学フィルタ６４を介して、測光／処理部６６に入射す
る。光学フィルタ６４は、蛍光体の発光光のみを通過し
て、それ以外の余分な波長域の光をカットするフィルタ
である。図示例においては、蛍光体層が発光する波長４
４０ｎｍの光を測定するので、光学フィルタ６４として
は、例えば、ＨＯＹＡ社製のＢ−４１０を用いればよ
い。

【００３２】測光／処理部６６は、各光ファイバ６２で
伝播された光の光量を測光することで、蛍光体層の発光
強度を測定して、この発光強度から、蛍光体層の膜厚を
得て、蒸発制御部２８に供給する部位である。測光／処
理部６６には、発光強度（光ファイバ６２からの入射光
量）と蛍光体層の膜厚との関係が、予め実験的に調べら
れ、テーブル化されてルックアップテーブル（ＬＵＴ）
として記憶されている。測光／処理部６６は、伝播され
た光の光量を、例えば、光電子増倍管によって測光す
る。次いで、前記ＬＵＴを参照して、この光量から、前
述の励起／受光システムの設置位置（幅方向の５箇所）
で成膜された蛍光体層の膜厚を得、蒸発制御部２８に供
給する。なお、ＬＵＴに変えて、発光強度と蛍光体層の
膜厚との関係を示す関数を用いてもよい。

【００３３】蒸発制御部２８は、供給された膜厚の測定
結果に応じて、加熱蒸発部２２における各偏向銃４４の
出力を調整し、成膜材料（臭化セシウムおよび臭化ユー
ロビウム）の蒸発量を調整する。すなわち、膜厚が適正
範囲よりも厚い場合には、適正範囲との差分に応じて偏
向銃４４の出力を低下し、逆に、薄い場合には、同差分
に応じて出力を向上する。また、幅方向に複数の加熱蒸
発部２２が配置される場合には、各位置における膜厚の
差に応じて、それぞれの加熱蒸発部２２毎に偏向銃４４
の出力を調整してもよい。従って、本発明の真空蒸着装
置１０によれば、蛍光体の特性を利用して、成膜中に膜
厚を測定しながら、測定結果に応じたフィードバックに
よって成膜材料の蒸発を調整できる。そのため、２００
μｍを超える厚膜であっても、均一かつ適正厚さの膜を
真空蒸着によって成膜でき、前述の蛍光体シートの蛍光
体層の成膜等も、好適に行うことができる。

【００３４】図示例においては、成膜した蛍光体層に波
長３２５ｎｍの紫外線を入射して、蓄積性蛍光体を発光
させたが、本発明はこれに限定はされず、蛍光体の発光
方法は、蛍光体の種類等に応じた、各種の方法が利用可
能である。例えば、図示例のような蓄積性蛍光体を含む
膜を成膜する場合であれば、紫外線による発光以外に
も、蓄積性蛍光体の特性を利用して、蛍光体層に所定量
の放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線
等）を照射して、放射線エネルギを蓄積させ、その後、
励起光（例えば、波長６３３ｎｍのレーザ光）を照射す
ることにより、蛍光体層を輝尽発光させて、輝尽発光の
発光強度から膜厚を知見して、成膜を制御してもよい。

【００３５】このような真空蒸着装置１０によって、基
板Ｓに蛍光体層を成膜する際には、最初に、基板Ｓを基
板ホルダ３２に保持して、ロード室１４の所定位置に装
填する。なお、基板Ｓは、真空チャンバ１２内におい
て、成膜面が下方に向くようにセットされる。成膜開始
が指示され、真空チャンバ１４（ロード室１４およびア
ンロード室１６を含む）内の真空度が所定値に到達する
と、ゲートバルブ２６を開放して、基板搬送機構２０が
アンロード室１６に向けて基板ホルダ３２の搬送を開始
する。また、シースヒータ１８は、基板搬送機構２０に
よって搬送される基板Ｓを裏面から加熱する。ロード室
１４に、新たな基板を装填する場合には、基板ホルダ３
２がロード室１４から排出された時点で、ゲートバルブ
２６を閉塞する。

【００３６】基板Ｓ（その成膜領域）が隔壁２４の開口
部２４ａに対応する位置の直前に搬送されたら、加熱蒸
発部２２において、偏向銃４４が駆動を開始して蒸発位
置ＰにＥＢを照射し、成膜材料（臭化セシウムおよび臭
化ユーロビウム）が蒸発されて、基板へのＣｓＢｒ：Ｅ
ｕの蒸着すなわち蛍光体層の成膜が開始される。

【００３７】さらに、基板Ｓの搬送方向の先端部が所定
の位置に至ると、光源６０が駆動を開始して、レーザ光
Ｌを基板Ｓの裏面から成膜した蛍光体層に入射する。レ
ーザ光の照射によって生じた蛍光体層の発光光は、光フ
ァイバ６２によって伝播され、光学フィルタ６４によっ
て余分な波長領域が除去されて、測光／処理部６６に入
射する。測光／処理部６６は、入射した発光光の光量を
測定し、光量から前述のＬＵＴを参照して膜厚を得、膜
厚の測定結果として蒸発制御部２８に送る。蒸発制御部
２８は、膜厚の測定結果に応じて、偏向銃４４の出力を
調整し、成膜材料（臭化セシウムおよび臭化ユーロビウ
ム）の蒸発量を調整して、蛍光体層の膜厚を適正にす
る。

【００３８】基板ホルダ３２がさらに搬送され、基板Ｓ
の成膜領域が隔壁２４の開口部２４ａから外れると、偏
向銃４４を停止して、成膜を終了する。従って、基板ホ
ルダ３２の搬送速度（すなわち成膜時間）、偏向銃４４
の出力等は、成膜速度や成膜する膜厚に応じて、適宜、
設定すればよい。なお、本例においては、成膜速度は、
１０ｎｍ／ｓｅｃ〜５０００ｎｍ／ｓｅｃとするのが好
ましい。成膜を終了した基板を保持する基板ホルダ３２
は、さらに搬送されて、アンロード室１６に収容され
る。成膜を終了した基板を取り出す場合には、基板ホル
ダ３２がアンロード室１６に収容された時点で、ゲート
バルブ２８を閉塞する。

【００３９】図示例の真空蒸着装置１０においては、基
本的に、ロード室１４からアンロード室１６に至る一回
の基板の搬送（ワンパス）によって成膜を終了するが、
本発明はこれに限定はされず、基板搬送機構２０によっ
て基板を１回あるいは複数回往復搬送して、成膜を行っ
てもよい。

【００４０】本発明は、図示例のようなロードロックタ
イプの真空蒸着装置１０に限定はされず、各種の真空蒸
着装置の全てに利用可能である。例えば、１枚あるいは
複数枚の基板に成膜を行うバッチ式の真空蒸着装置であ
ってもよく、あるいは、１枚あるいは複数枚の基板を保
持して回転する回転ドーム（基板回転機構）等を用いる
真空蒸着装置であってもよい。また、図示例において
は、加熱蒸発部２２が材料供給手段４６を有している
が、本発明は、これに限定はされず、材料供給手段を有
さなくてもよい。さらに、図示例のような二元の真空蒸
着装置にも限定はされず、１つの成膜材料で真空蒸着を
行う一元の真空蒸着装置であってもよく、あるいは、３
種以上の成膜材料からの成膜が可能な、三元以上の真空
蒸着装置であってもよい。

【００４１】以上の例では、一例として、蛍光体層の発
光強度から膜厚を知見して、これに応じたフィードバッ
クによって、両成分の蒸発量を制御することにより、膜
厚を調整している。しかしながら、本発明はこれに限定
はされず、真空蒸着による蛍光体を含む膜の成膜におい
て、膜（蛍光体）を励起した際の発光量に相関を有する
各種の要素に対応して、成膜状態を知見し、あるいはさ
らにフィードバック制御を行うことが可能である。例え
ば、図示例のような二元の真空蒸着において、発光量と
膜中における各成分の含有量とに相関がある場合には、
これを利用して、各成膜材料の蒸発量を制御して、膜の
成分コントロールを行ってもよい。これらは、例えば、
実験やシュミレーション等によって、予め、発光量と、
膜厚、含有成分比、成分含有量等との相関関係を知見
し、また、それに応じたフィードバックを行えばよい。

【００４２】以上、本発明の真空蒸着方法および真空蒸
着装置について詳細に説明したが、本発明は、上記実施
例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲にお
いて、各種の改良や変更を行ってもよいのは、もちろん
である。例えば、図示例においては、透明な基板Ｓを用
いて裏面から蛍光体層にレーザ光Ｌを入射したが、本発
明はこれに限定はされず、成膜面に直接レーザ光を入射
して、発光強度の測定を行ってもよい。

【００４３】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、蛍光体を含む膜の真空蒸着による成膜におい
て、蛍光体の発光を利用して膜厚等を測定しつつ、この
測定結果に応じたフィードバックによって成膜をコント
ロールすることができるので、２００μｍを超えるよう
な厚膜であっても、均一かつ適正な膜厚を有する高品位
な膜の成膜を安定して行うことができ、例えば、蛍光体
シートの製造における蛍光体層の成膜を好適に行うこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の真空蒸着装置の一例の概念図であ
る。

【図２】図１の真空蒸着装置の加熱蒸発部の概念図で
あって、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は正面図である。

【符号の説明】

１０真空蒸着装置１２真空チャンバ１４ロード室１６アンロード室１８シースヒータ２０基板搬送機構２２加熱蒸発部２４隔壁２６膜厚測定手段２８蒸発制御部３０レール３２基板ホルダ３４車輪４０Ｃｓ蒸発部４２Ｅｕ蒸発部４４偏向銃（偏向型の電子銃）４６材料供給手段４８シリンダ５０ピストン５２ケーシング５４昇降手段６０光源６２光ファイバ６４光学フィルタ６６測光／処理部Ｓ基板

フロントページの続き (72)発明者岩渕康夫神奈川県足柄上郡開成町宮台798番地富士写真フイルム株式会社内Ｆターム(参考） 2F065 AA30 AA55 BB17 BB30 CC31 FF41 GG05 GG21 HH12 JJ01 LL02 RR05 4K029 BA41 CA01 EA00

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空蒸着によって蛍光体を含有する膜を成
膜するに際し、成膜した膜に含有される蛍光体を発光さ
せ、その発光強度を測定することにより、成膜状態を知
見することを特徴とする真空蒸着方法。
【請求項２】基板に成膜を行う真空蒸着装置であって、真空蒸着によって成膜した膜が含有する蛍光体を発光さ
せる発光手段と、前記発光手段による蛍光体の発光強度
を測定する測定手段と、前記測定手段による測定結果に
応じて、成膜を制御する制御手段とを有することを特徴
とする真空蒸着装置。
【請求項３】蒸着する蛍光体が、輝尽発光する蓄積性蛍
光体であって、前記発光手段は、成膜した膜に紫外線を
入射することにより、あるいは、成膜した膜に放射線を
照射した後に励起光を入射することにより、成膜した膜
が含有する蓄積性蛍光体を発光させる請求項２に記載の
真空蒸着装置。