JP2003138103A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
- Publication number
- JP2003138103A JP2003138103A JP2001340533A JP2001340533A JP2003138103A JP 2003138103 A JP2003138103 A JP 2003138103A JP 2001340533 A JP2001340533 A JP 2001340533A JP 2001340533 A JP2001340533 A JP 2001340533A JP 2003138103 A JP2003138103 A JP 2003138103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- compound
- flame
- inorganic filler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 下記（Ａ）〜（Ｈ）成分を必須成分とす
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）無機充填材 （Ｄ）硬化促進剤 （Ｅ）分子中に２個以上のマレイミド基を有する化合物 （Ｆ）分子中に１個以上のアルケニル基を有するフェノ
ール化合物 （Ｇ）モリブデン酸亜鉛を無機充填材に担持したモリブ
デン化合物 （Ｈ）下記式で示されるホスファゼン化合物 【化１】 【効果】 本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組
成物は、成形性に優れると共に、難燃性及び耐湿信頼性
に優れた硬化物を得ることができる。
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）無機充填材 （Ｄ）硬化促進剤 （Ｅ）分子中に２個以上のマレイミド基を有する化合物 （Ｆ）分子中に１個以上のアルケニル基を有するフェノ
ール化合物 （Ｇ）モリブデン酸亜鉛を無機充填材に担持したモリブ
デン化合物 （Ｈ）下記式で示されるホスファゼン化合物 【化１】 【効果】 本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組
成物は、成形性に優れると共に、難燃性及び耐湿信頼性
に優れた硬化物を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス転移温度
（Ｔｇ）が高く、難燃性及び耐湿信頼性に優れ、臭素化
エポキシ樹脂等の臭素化物、三酸化アンチモン等のアン
チモン化合物を含有しない硬化物を得ることができる半
導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該樹脂組成物の硬化
物で封止した半導体装置に関する。
（Ｔｇ）が高く、難燃性及び耐湿信頼性に優れ、臭素化
エポキシ樹脂等の臭素化物、三酸化アンチモン等のアン
チモン化合物を含有しない硬化物を得ることができる半
導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該樹脂組成物の硬化
物で封止した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
半導体デバイスは樹脂封止型のダイオード、トランジス
ター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流であるが、エポキ
シ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べ成形性、接着性、電気
特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、エポキシ
樹脂組成物で半導体装置を封止することが一般的であ
る。
半導体デバイスは樹脂封止型のダイオード、トランジス
ター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流であるが、エポキ
シ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べ成形性、接着性、電気
特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、エポキシ
樹脂組成物で半導体装置を封止することが一般的であ
る。
【０００３】しかしながら、これまで以上に半導体デバ
イスの作動環境も厳しくなってきている。自動車用電子
部品分野においては、エンジン周りの電子制御化、シス
テムモジュール化が検討されており、更なる高耐熱性、
耐熱衝撃性の向上が要求されている。
イスの作動環境も厳しくなってきている。自動車用電子
部品分野においては、エンジン周りの電子制御化、シス
テムモジュール化が検討されており、更なる高耐熱性、
耐熱衝撃性の向上が要求されている。
【０００４】また、通信分野においては、携帯電話情報
通信の高周波数化に伴い、低誘電化及び耐熱性向上が要
求されている。このような要求をみたすため、従来のエ
ポキシ樹脂と高耐熱樹脂の複合材料が検討されている。
例えばマレイミド化合物をアルケニル基を介してエポキ
シ樹脂組成物中に取り込んだ熱硬化性樹脂が半導体封止
用エポキシ樹脂組成物としても検討されている。
通信の高周波数化に伴い、低誘電化及び耐熱性向上が要
求されている。このような要求をみたすため、従来のエ
ポキシ樹脂と高耐熱樹脂の複合材料が検討されている。
例えばマレイミド化合物をアルケニル基を介してエポキ
シ樹脂組成物中に取り込んだ熱硬化性樹脂が半導体封止
用エポキシ樹脂組成物としても検討されている。
【０００５】更に、半導体デバイスは万が一の火災に備
えて、半導体装置には難燃性が要求されている。半導体
封止用エポキシ樹脂組成物中には、難燃性を高めるた
め、一般にハロゲン化エポキシ樹脂と三酸化アンチモン
とが配合されている。このハロゲン化エポキシ樹脂と三
酸化アンチモンとの組み合わせは、気相においてラジカ
ルトラップ、空気遮断効果が大きく、その結果、高い難
燃効果が得られるものである。
えて、半導体装置には難燃性が要求されている。半導体
封止用エポキシ樹脂組成物中には、難燃性を高めるた
め、一般にハロゲン化エポキシ樹脂と三酸化アンチモン
とが配合されている。このハロゲン化エポキシ樹脂と三
酸化アンチモンとの組み合わせは、気相においてラジカ
ルトラップ、空気遮断効果が大きく、その結果、高い難
燃効果が得られるものである。
【０００６】しかし、ハロゲン化エポキシ樹脂は燃焼時
に有毒ガスを発生するという問題があり、また三酸化ア
ンチモンにも粉体毒性があるため、人体、環境に対する
影響を考慮すると、これらの難燃剤を樹脂組成物中に全
く含まないことが好ましい。
に有毒ガスを発生するという問題があり、また三酸化ア
ンチモンにも粉体毒性があるため、人体、環境に対する
影響を考慮すると、これらの難燃剤を樹脂組成物中に全
く含まないことが好ましい。
【０００７】このような要求に対して、ハロゲン化エポ
キシ樹脂あるいは三酸化アンチモンの代替として、従来
からＡｌ（ＯＨ）3、Ｍｇ（ＯＨ）2等の水酸化物、赤リ
ン、リン酸エステル等のリン系難燃剤等の検討がなされ
てきている。しかし、Ａｌ（ＯＨ）3、Ｍｇ（ＯＨ）2等
の水酸化物は難燃効果が低いため、難燃組成とするため
には、エポキシ樹脂組成物中に水酸化物を多量に添加し
なければならず、その結果組成物の粘度が上昇し、成形
時にボイド、ワイヤー流れ等の成形不良が発生するとい
う問題がある。一方、赤リン、リン酸エステル等のリン
系難燃剤をエポキシ樹脂組成物に添加した場合、半導体
装置が高温高湿条件にさらされると、リン系難燃剤が加
水分解されてリン酸が生成し、このリン酸がアルミ配線
を腐食させ、信頼性を低下させるという大きな問題があ
った。
キシ樹脂あるいは三酸化アンチモンの代替として、従来
からＡｌ（ＯＨ）3、Ｍｇ（ＯＨ）2等の水酸化物、赤リ
ン、リン酸エステル等のリン系難燃剤等の検討がなされ
てきている。しかし、Ａｌ（ＯＨ）3、Ｍｇ（ＯＨ）2等
の水酸化物は難燃効果が低いため、難燃組成とするため
には、エポキシ樹脂組成物中に水酸化物を多量に添加し
なければならず、その結果組成物の粘度が上昇し、成形
時にボイド、ワイヤー流れ等の成形不良が発生するとい
う問題がある。一方、赤リン、リン酸エステル等のリン
系難燃剤をエポキシ樹脂組成物に添加した場合、半導体
装置が高温高湿条件にさらされると、リン系難燃剤が加
水分解されてリン酸が生成し、このリン酸がアルミ配線
を腐食させ、信頼性を低下させるという大きな問題があ
った。
【０００８】この問題を解決するため、例えば特許第２
８４３２４４号公報には、赤リンの表面にＳｉXＯY組成
からなる被覆層で被覆した化合物を難燃剤として使用し
たエポキシ樹脂組成物が提案されているが、上記の耐湿
信頼性は改善されていないのが現状である。また、例え
ば特開平１０−２５９２９２号公報には、環状ホスファ
ゼン化合物を、充填材を除く配合成分の合計量に対し
て、リン原子の量が０．２〜３．０重量％となる量を使
用したエポキシ樹脂組成物も提案されているが、難燃性
を得るためには相当量をエポキシ樹脂組成物に添加する
必要があり、その場合は硬化性の低下並びに高温環境下
での電気抵抗性低下を引き起こす等の問題点があった。
８４３２４４号公報には、赤リンの表面にＳｉXＯY組成
からなる被覆層で被覆した化合物を難燃剤として使用し
たエポキシ樹脂組成物が提案されているが、上記の耐湿
信頼性は改善されていないのが現状である。また、例え
ば特開平１０−２５９２９２号公報には、環状ホスファ
ゼン化合物を、充填材を除く配合成分の合計量に対し
て、リン原子の量が０．２〜３．０重量％となる量を使
用したエポキシ樹脂組成物も提案されているが、難燃性
を得るためには相当量をエポキシ樹脂組成物に添加する
必要があり、その場合は硬化性の低下並びに高温環境下
での電気抵抗性低下を引き起こす等の問題点があった。
【０００９】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
臭素化エポキシ樹脂等の臭素化物、三酸化アンチモン等
のアンチモン化合物を含有せず、成形性に優れると共
に、難燃性及び耐湿信頼性に優れる硬化物を得ることが
できる、半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び該
樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
臭素化エポキシ樹脂等の臭素化物、三酸化アンチモン等
のアンチモン化合物を含有せず、成形性に優れると共
に、難燃性及び耐湿信頼性に優れる硬化物を得ることが
できる、半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び該
樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結
果、 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）無機充填材 （Ｄ）硬化促進剤 （Ｅ）分子中に２個以上のマレイミド基を有する化合物 （Ｆ）分子中に１個以上のアルケニル基を有するフェノ
ール化合物 （Ｇ）モリブデン酸亜鉛を無機充填材に担持したモリブ
デン化合物 （Ｈ）下記平均組成式（１）で示されるホスファゼン化
合物 を必須成分とし、臭素化物、アンチモン化合物を実質的
に含まない半導体封止用エポキシ樹脂組成物が、成形性
に優れると共に、難燃性、耐湿信頼性に優れる硬化物を
得ることができ、また該エポキシ樹脂組成物の硬化物で
封止された半導体装置が、難燃性、耐湿信頼性に優れる
ものであることを見出し、本発明をなすに至ったもので
ある。
発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結
果、 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）無機充填材 （Ｄ）硬化促進剤 （Ｅ）分子中に２個以上のマレイミド基を有する化合物 （Ｆ）分子中に１個以上のアルケニル基を有するフェノ
ール化合物 （Ｇ）モリブデン酸亜鉛を無機充填材に担持したモリブ
デン化合物 （Ｈ）下記平均組成式（１）で示されるホスファゼン化
合物 を必須成分とし、臭素化物、アンチモン化合物を実質的
に含まない半導体封止用エポキシ樹脂組成物が、成形性
に優れると共に、難燃性、耐湿信頼性に優れる硬化物を
得ることができ、また該エポキシ樹脂組成物の硬化物で
封止された半導体装置が、難燃性、耐湿信頼性に優れる
ものであることを見出し、本発明をなすに至ったもので
ある。
【００１１】
【化２】
（但し、Ｘは単結合、又はＣＨ2，Ｃ（ＣＨ3）2，Ｓ
Ｏ2，Ｓ，Ｏ，及びＯ（ＣＯ）Ｏから選ばれる基、Ｙは
ＯＨ，ＳＨ又はＮＨ2、Ｒ1は炭素数１〜４のアルキル基
及びアルコキシ基，ＮＨ2，ＮＲ2Ｒ3並びにＳＲ2から選
ばれる基で、Ｒ2，Ｒ3は水素原子又は炭素数１〜４のア
ルキル基である。ｄ，ｅ，ｆ，ｎは、０≦ｄ≦０．２５
ｎ、０≦ｅ＜２ｎ、０≦ｆ≦２ｎ、２ｄ＋ｅ＋ｆ＝２
ｎ、３≦ｎ≦１，０００を満足する数を示す。）
Ｏ2，Ｓ，Ｏ，及びＯ（ＣＯ）Ｏから選ばれる基、Ｙは
ＯＨ，ＳＨ又はＮＨ2、Ｒ1は炭素数１〜４のアルキル基
及びアルコキシ基，ＮＨ2，ＮＲ2Ｒ3並びにＳＲ2から選
ばれる基で、Ｒ2，Ｒ3は水素原子又は炭素数１〜４のア
ルキル基である。ｄ，ｅ，ｆ，ｎは、０≦ｄ≦０．２５
ｎ、０≦ｅ＜２ｎ、０≦ｆ≦２ｎ、２ｄ＋ｅ＋ｆ＝２
ｎ、３≦ｎ≦１，０００を満足する数を示す。）
【００１２】従って、本発明は、上記（Ａ）〜（Ｈ）成
分を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物、及びこの半導体封止用エポキシ樹脂組
成物の硬化物で封止された半導体装置を提供する。
分を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物、及びこの半導体封止用エポキシ樹脂組
成物の硬化物で封止された半導体装置を提供する。
【００１３】本発明のエポキシ樹脂組成物は、このよう
に、臭素化物、アンチモン化合物を実質的に含まないも
のである。一般に、エポキシ樹脂組成物中には、難燃性
を達成するため、臭素化エポキシ樹脂と三酸化アンチモ
ンとが配合されているが、本発明のエポキシ樹脂組成物
は、この臭素化エポキシ樹脂と三酸化アンチモンとを使
用せずに、難燃規格であるＵＬ−９４、Ｖ−０を達成す
ることができるものである。
に、臭素化物、アンチモン化合物を実質的に含まないも
のである。一般に、エポキシ樹脂組成物中には、難燃性
を達成するため、臭素化エポキシ樹脂と三酸化アンチモ
ンとが配合されているが、本発明のエポキシ樹脂組成物
は、この臭素化エポキシ樹脂と三酸化アンチモンとを使
用せずに、難燃規格であるＵＬ−９４、Ｖ−０を達成す
ることができるものである。
【００１４】ここで、臭素化エポキシ樹脂あるいは三酸
化アンチモンの代替として、従来からＡｌ（ＯＨ）3、
Ｍｇ（ＯＨ）2等の水酸化物、赤リン、リン酸エステル
等のリン系難燃剤等が検討されている。しかしこれらの
公知の代替難燃剤は、特に高温において耐水性が弱く、
難燃剤自身が溶解、分解して、抽出水中の不純物イオン
を増加させるという共通の欠点があった。このため、臭
素化物、アンチモン化合物を実質的に含まない従来の難
燃性エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置を長時
間高温高湿下に放置すると、半導体装置のアルミ配線が
腐食し、耐湿信頼性が低下するという問題があった。
化アンチモンの代替として、従来からＡｌ（ＯＨ）3、
Ｍｇ（ＯＨ）2等の水酸化物、赤リン、リン酸エステル
等のリン系難燃剤等が検討されている。しかしこれらの
公知の代替難燃剤は、特に高温において耐水性が弱く、
難燃剤自身が溶解、分解して、抽出水中の不純物イオン
を増加させるという共通の欠点があった。このため、臭
素化物、アンチモン化合物を実質的に含まない従来の難
燃性エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置を長時
間高温高湿下に放置すると、半導体装置のアルミ配線が
腐食し、耐湿信頼性が低下するという問題があった。
【００１５】本発明者らは、上記不都合を解決すべく鋭
意検討を行った結果、難燃剤として、（Ｇ）モリブデン
酸亜鉛を無機充填材に担持したモリブデン化合物、及び
（Ｈ）平均組成式（１）で示されるホスファゼン化合物
の２種を併用した半導体封止用エポキシ樹脂組成物が、
前述のように抽出水中の不純物イオンを増加させること
もなく、成形性に優れ、難燃性及び耐湿信頼性に優れた
硬化物を得ることができることを見出したものである。
この場合、これら２種類の化合物は、いずれも耐水性が
高く、抽出水中の不純物イオンを増加させる作用がない
ものである。しかし、これらの化合物をそれぞれ単独で
使用した場合は、難燃効果が不十分であったり、エポキ
シ樹脂組成物の流動性が低下したり、あるいは硬化性が
低下したりする不都合があったが、本発明の難燃性エポ
キシ樹脂組成物は、難燃剤として、（Ｇ）モリブデン酸
亜鉛を無機充填材に担持したモリブデン化合物、及び
（Ｈ）平均組成式（１）で示されるホスファゼン化合物
の２種を併用したことにより、それぞれの添加量を最小
限に抑えることができるため、上述のような成形時の問
題点もなく、しかも難燃性及び耐湿信頼性に特に優れた
硬化物を得ることができるものである。
意検討を行った結果、難燃剤として、（Ｇ）モリブデン
酸亜鉛を無機充填材に担持したモリブデン化合物、及び
（Ｈ）平均組成式（１）で示されるホスファゼン化合物
の２種を併用した半導体封止用エポキシ樹脂組成物が、
前述のように抽出水中の不純物イオンを増加させること
もなく、成形性に優れ、難燃性及び耐湿信頼性に優れた
硬化物を得ることができることを見出したものである。
この場合、これら２種類の化合物は、いずれも耐水性が
高く、抽出水中の不純物イオンを増加させる作用がない
ものである。しかし、これらの化合物をそれぞれ単独で
使用した場合は、難燃効果が不十分であったり、エポキ
シ樹脂組成物の流動性が低下したり、あるいは硬化性が
低下したりする不都合があったが、本発明の難燃性エポ
キシ樹脂組成物は、難燃剤として、（Ｇ）モリブデン酸
亜鉛を無機充填材に担持したモリブデン化合物、及び
（Ｈ）平均組成式（１）で示されるホスファゼン化合物
の２種を併用したことにより、それぞれの添加量を最小
限に抑えることができるため、上述のような成形時の問
題点もなく、しかも難燃性及び耐湿信頼性に特に優れた
硬化物を得ることができるものである。
【００１６】以下、本発明について更に詳しく説明す
る。本発明のエポキシ樹脂組成物を構成する（Ａ）エポ
キシ樹脂は特に限定されない。一般的なエポキシ樹脂と
しては、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキ
シ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含
有アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹
脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、複素環型エ
ポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェ
ノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキ
シ化合物、スチルベン型エポキシ樹脂等が挙げられ、こ
れらのうち１種又は２種以上を併用することができる
が、本発明においては臭素化エポキシ樹脂は配合されな
い。
る。本発明のエポキシ樹脂組成物を構成する（Ａ）エポ
キシ樹脂は特に限定されない。一般的なエポキシ樹脂と
しては、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキ
シ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含
有アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹
脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、複素環型エ
ポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェ
ノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキ
シ化合物、スチルベン型エポキシ樹脂等が挙げられ、こ
れらのうち１種又は２種以上を併用することができる
が、本発明においては臭素化エポキシ樹脂は配合されな
い。
【００１７】上記エポキシ樹脂は、加水分解性塩素が
１，０００ｐｐｍ以下、特に５００ｐｐｍ以下であり、
ナトリウム及びカリウムはそれぞれ１０ｐｐｍ以下とす
ることが好ましい。加水分解性塩素が１，０００ｐｐｍ
を超えたり、ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍを超
える場合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置する
と、耐湿性が劣化する場合がある。
１，０００ｐｐｍ以下、特に５００ｐｐｍ以下であり、
ナトリウム及びカリウムはそれぞれ１０ｐｐｍ以下とす
ることが好ましい。加水分解性塩素が１，０００ｐｐｍ
を超えたり、ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍを超
える場合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置する
と、耐湿性が劣化する場合がある。
【００１８】本発明に用いる（Ｂ）硬化剤も特に限定さ
れるものではない。一般的な硬化剤としては、フェノー
ル樹脂が好ましく、フェノールノボラック樹脂、ナフタ
レン環含有フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹
脂、トリフェノールアルカン型フェノール樹脂、ビフェ
ニル骨格含有アラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル
型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フ
ェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、ビス
フェノールＡ、ビスフェノールＦ等が挙げられ、これら
のうち１種又は２種以上を併用することができる。
れるものではない。一般的な硬化剤としては、フェノー
ル樹脂が好ましく、フェノールノボラック樹脂、ナフタ
レン環含有フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹
脂、トリフェノールアルカン型フェノール樹脂、ビフェ
ニル骨格含有アラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル
型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フ
ェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、ビス
フェノールＡ、ビスフェノールＦ等が挙げられ、これら
のうち１種又は２種以上を併用することができる。
【００１９】上記硬化剤は、エポキシ樹脂と同様に、ナ
トリウム及びカリウムをそれぞれ１０ｐｐｍ以下とする
ことが好ましい。ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍ
を超える場合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置
すると、耐湿性が劣化する場合がある。
トリウム及びカリウムをそれぞれ１０ｐｐｍ以下とする
ことが好ましい。ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍ
を超える場合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置
すると、耐湿性が劣化する場合がある。
【００２０】ここで、エポキシ樹脂、硬化剤の配合量は
特に制限されないが、エポキシ樹脂中に含まれるエポキ
シ基１モルに対して、硬化剤中に含まれるフェノール性
水酸基のモル比が０．５〜１．５、特に０．８〜１．２
の範囲であることが好ましい。
特に制限されないが、エポキシ樹脂中に含まれるエポキ
シ基１モルに対して、硬化剤中に含まれるフェノール性
水酸基のモル比が０．５〜１．５、特に０．８〜１．２
の範囲であることが好ましい。
【００２１】本発明のエポキシ樹脂組成物中に配合され
る（Ｃ）無機充填材としては、通常エポキシ樹脂組成物
に配合されるものを使用することができる。例えば溶融
シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪
素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタ
ン、ガラス繊維等が挙げられる。
る（Ｃ）無機充填材としては、通常エポキシ樹脂組成物
に配合されるものを使用することができる。例えば溶融
シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪
素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタ
ン、ガラス繊維等が挙げられる。
【００２２】これら無機充填材の平均粒径や形状及び無
機充填材の充填量は特に限定されないが、難燃性を高め
るためには、エポキシ樹脂組成物中に、成形性を損なわ
ない範囲で可能な限り多量に充填させることが好まし
い。この場合、無機充填材の平均粒径、形状として、平
均粒径５〜３０μｍの球状の溶融シリカが特に好まし
く、また、（Ｃ）成分の無機充填材の充填量は、
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｈ）成分の総量１
００重量部に対し、４００〜１，２００重量部、特に５
００〜１，０００重量部とすることが好ましい。
機充填材の充填量は特に限定されないが、難燃性を高め
るためには、エポキシ樹脂組成物中に、成形性を損なわ
ない範囲で可能な限り多量に充填させることが好まし
い。この場合、無機充填材の平均粒径、形状として、平
均粒径５〜３０μｍの球状の溶融シリカが特に好まし
く、また、（Ｃ）成分の無機充填材の充填量は、
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｈ）成分の総量１
００重量部に対し、４００〜１，２００重量部、特に５
００〜１，０００重量部とすることが好ましい。
【００２３】なお、無機充填材は、樹脂と無機充填材と
の結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チ
タネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表
面処理したものを配合することが好ましい。このような
カップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジ
エトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、Ｎ
−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等
のアミノシラン、γ−メルカプトシラン等のメルカプト
シランなどのシランカップリング剤を用いることが好ま
しい。ここで表面処理に用いるカップリング剤の配合量
及び表面処理方法については特に制限されるものではな
い。
の結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チ
タネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表
面処理したものを配合することが好ましい。このような
カップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジ
エトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、Ｎ
−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等
のアミノシラン、γ−メルカプトシラン等のメルカプト
シランなどのシランカップリング剤を用いることが好ま
しい。ここで表面処理に用いるカップリング剤の配合量
及び表面処理方法については特に制限されるものではな
い。
【００２４】また、本発明において、エポキシ樹脂と硬
化剤との硬化反応を促進させるため、（Ｄ）硬化促進剤
を用いる。この硬化促進剤は、硬化反応を促進させるも
のであれば特に制限はなく、例えばトリフェニルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニ
ル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、
トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラ
フェニルホスフィン・テトラフェニルボレートなどのリ
ン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミ
ン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジア
ザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７などの第３級
アミン化合物、２−メチルイミダゾール、２−フェニル
イミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール
などのイミダゾール化合物等を使用することができる。
一方、後述する（Ｅ）、（Ｆ）成分のマレイミド化合物
とアルケニルフェノール化合物の硬化促進剤としては、
過酸化ベンゾイル、ジクミルパーオキサイド等の過酸化
物、アゾイソブチロニトリル等のアゾ化合物のようなラ
ジカル開始剤を用いることができる。
化剤との硬化反応を促進させるため、（Ｄ）硬化促進剤
を用いる。この硬化促進剤は、硬化反応を促進させるも
のであれば特に制限はなく、例えばトリフェニルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニ
ル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、
トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラ
フェニルホスフィン・テトラフェニルボレートなどのリ
ン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミ
ン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジア
ザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７などの第３級
アミン化合物、２−メチルイミダゾール、２−フェニル
イミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール
などのイミダゾール化合物等を使用することができる。
一方、後述する（Ｅ）、（Ｆ）成分のマレイミド化合物
とアルケニルフェノール化合物の硬化促進剤としては、
過酸化ベンゾイル、ジクミルパーオキサイド等の過酸化
物、アゾイソブチロニトリル等のアゾ化合物のようなラ
ジカル開始剤を用いることができる。
【００２５】（Ｄ）成分の硬化促進剤の配合量は有効量
であるが、上記リン化合物、第３級アミン化合物、イミ
ダゾール化合物等のエポキシ樹脂と硬化剤（フェノール
樹脂）との硬化反応促進用の硬化促進剤は、（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｈ）成分の総量１００重量
部に対し０．１〜５重量部、特に０．５〜２重量部とす
ることが好ましい。一方、ラジカル開始剤の場合は同総
量１００重量部に対し０．５〜５重量部が好ましく、特
に好ましくは０．１〜１重量部である。
であるが、上記リン化合物、第３級アミン化合物、イミ
ダゾール化合物等のエポキシ樹脂と硬化剤（フェノール
樹脂）との硬化反応促進用の硬化促進剤は、（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｈ）成分の総量１００重量
部に対し０．１〜５重量部、特に０．５〜２重量部とす
ることが好ましい。一方、ラジカル開始剤の場合は同総
量１００重量部に対し０．５〜５重量部が好ましく、特
に好ましくは０．１〜１重量部である。
【００２６】本発明に用いる（Ｅ）分子中に２個以上の
マレイミド基を有する化合物の構造としては特に限定さ
れるものではなく、Ｎ，Ｎ’−４，４’−ジフェニルメ
タンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（３，３’−ジメチル
−４，４’−ジフェニルメタン）ビスマレイミド等でよ
い。マレイミド化合物の添加量としては特に制限されな
い。エポキシ樹脂組成物中にマレイミド化合物が占める
割合が高ければ高いほどＴｇは上昇する。しかしなが
ら、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｈ）成分の合
計量１００重量％に対し、６０重量％より多くなると流
動性低下し、ワイヤー流れ等成形不良を起こす。またマ
レイミド化合物の融点が１６０℃以上であるため、溶融
混練り等も困難となるので、半導体封止材特性のバラン
ス面から３０〜６０重量％、特に５０重量％付近が好ま
しい。
マレイミド基を有する化合物の構造としては特に限定さ
れるものではなく、Ｎ，Ｎ’−４，４’−ジフェニルメ
タンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（３，３’−ジメチル
−４，４’−ジフェニルメタン）ビスマレイミド等でよ
い。マレイミド化合物の添加量としては特に制限されな
い。エポキシ樹脂組成物中にマレイミド化合物が占める
割合が高ければ高いほどＴｇは上昇する。しかしなが
ら、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｈ）成分の合
計量１００重量％に対し、６０重量％より多くなると流
動性低下し、ワイヤー流れ等成形不良を起こす。またマ
レイミド化合物の融点が１６０℃以上であるため、溶融
混練り等も困難となるので、半導体封止材特性のバラン
ス面から３０〜６０重量％、特に５０重量％付近が好ま
しい。
【００２７】（Ｆ）分子中に１個以上のアルケニル基を
有するフェノール化合物としては、ｏ，ｏ’−ジアリル
−ビスフェノールＡ、ｏ，ｏ’−ジ（１−プロペニル）
−ビスフェノールＡ、ｏ−アリルフェノールノボラック
樹脂、ｏ−（１−プロペニル）フェノールノボラック樹
脂、トリスｏ−アリルフェノールアルカン型フェノール
樹脂、トリスｏ−（１−プロペニル）フェノールアルカ
ン型フェノール樹脂等が挙げられる。マレイミド基を含
む化合物との反応性を考慮すると、ｏ，ｏ’−ジ（１−
プロペニル）−ビスフェノールＡ、ｏ−（１−プロペニ
ル）フェノールノボラック樹脂、ｏ−（１−プロペニ
ル）フェノールアルカン型フェノール樹脂等、１−プロ
ペニル基を含有することが望ましい。
有するフェノール化合物としては、ｏ，ｏ’−ジアリル
−ビスフェノールＡ、ｏ，ｏ’−ジ（１−プロペニル）
−ビスフェノールＡ、ｏ−アリルフェノールノボラック
樹脂、ｏ−（１−プロペニル）フェノールノボラック樹
脂、トリスｏ−アリルフェノールアルカン型フェノール
樹脂、トリスｏ−（１−プロペニル）フェノールアルカ
ン型フェノール樹脂等が挙げられる。マレイミド基を含
む化合物との反応性を考慮すると、ｏ，ｏ’−ジ（１−
プロペニル）−ビスフェノールＡ、ｏ−（１−プロペニ
ル）フェノールノボラック樹脂、ｏ−（１−プロペニ
ル）フェノールアルカン型フェノール樹脂等、１−プロ
ペニル基を含有することが望ましい。
【００２８】アルケニル基を有するフェノール化合物の
添加量としては特に限定されないが、マレイミド基１モ
ルに対して０．１〜１．０モル、特に好ましくは０．２
〜０．５モルが望ましい。
添加量としては特に限定されないが、マレイミド基１モ
ルに対して０．１〜１．０モル、特に好ましくは０．２
〜０．５モルが望ましい。
【００２９】本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂
組成物は、（Ｇ）モリブデン酸亜鉛を無機充填材に担持
したモリブデン化合物を使用するものである。
組成物は、（Ｇ）モリブデン酸亜鉛を無機充填材に担持
したモリブデン化合物を使用するものである。
【００３０】十分な難燃効果を得るためには、モリブデ
ン酸亜鉛をエポキシ樹脂組成物中に均一に分散させるこ
とが好ましく、分散性を向上させるためには、予めモリ
ブデン酸亜鉛をシリカ、タルク等の無機充填材に担持し
たモリブデン化合物が最適である。モリブデン酸亜鉛を
担持させる無機充填材としては、溶融シリカ、結晶性シ
リカ等のシリカ類、タルク、アルミナ、窒化珪素、窒化
アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、酸化
亜鉛、ガラス繊維等が挙げられる。この場合、無機充填
材の平均粒径としては０．１〜４０μｍ、好ましくは
０．５〜１５μｍ、比表面積は０．５〜５０ｍ2／ｇ、
好ましくは０．７〜１０ｍ2／ｇである。なお、本発明
において、平均粒径は、例えばレーザー光回折法等によ
る重量平均値（又はメディアン径）等として求めること
ができ、比表面積は、例えばＢＥＴ吸着法により求める
ことができる。
ン酸亜鉛をエポキシ樹脂組成物中に均一に分散させるこ
とが好ましく、分散性を向上させるためには、予めモリ
ブデン酸亜鉛をシリカ、タルク等の無機充填材に担持し
たモリブデン化合物が最適である。モリブデン酸亜鉛を
担持させる無機充填材としては、溶融シリカ、結晶性シ
リカ等のシリカ類、タルク、アルミナ、窒化珪素、窒化
アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、酸化
亜鉛、ガラス繊維等が挙げられる。この場合、無機充填
材の平均粒径としては０．１〜４０μｍ、好ましくは
０．５〜１５μｍ、比表面積は０．５〜５０ｍ2／ｇ、
好ましくは０．７〜１０ｍ2／ｇである。なお、本発明
において、平均粒径は、例えばレーザー光回折法等によ
る重量平均値（又はメディアン径）等として求めること
ができ、比表面積は、例えばＢＥＴ吸着法により求める
ことができる。
【００３１】また、無機充填材にモリブデン酸亜鉛を担
持させたモリブデン化合物中のモリブデン酸亜鉛の含有
量は、５〜４０重量％、特に１０〜３０重量％であるこ
とが好ましい。モリブデン酸亜鉛の含有量が少なすぎる
と十分な難燃効果が得られない場合があり、また多すぎ
ると成形時の流動性、硬化性が低下する場合がある。こ
のようなモリブデン酸亜鉛を無機充填材に担持したモリ
ブデン化合物としては、例えばＳＨＥＲＷＩＮ−ＷＩＬ
ＬＩＡＭＳ社のＫＥＭＧＡＲＤ１２６０，１２６１，９
１１Ｂ，９１１Ｃ等が挙げられる。
持させたモリブデン化合物中のモリブデン酸亜鉛の含有
量は、５〜４０重量％、特に１０〜３０重量％であるこ
とが好ましい。モリブデン酸亜鉛の含有量が少なすぎる
と十分な難燃効果が得られない場合があり、また多すぎ
ると成形時の流動性、硬化性が低下する場合がある。こ
のようなモリブデン酸亜鉛を無機充填材に担持したモリ
ブデン化合物としては、例えばＳＨＥＲＷＩＮ−ＷＩＬ
ＬＩＡＭＳ社のＫＥＭＧＡＲＤ１２６０，１２６１，９
１１Ｂ，９１１Ｃ等が挙げられる。
【００３２】（Ｇ）成分である無機充填材にモリブデン
酸亜鉛を担持させたモリブデン化合物の添加量として
は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｈ）成分の総
量１００重量部に対して３〜１００重量部、特に５〜２
０重量部が好ましい。３重量部未満では十分な難燃効果
が得られない場合があり、また１００重量部を超える
と、流動性、硬化性の低下を引き起こす場合がある。こ
の場合、モリブデン化合物中のモリブデン酸亜鉛自体の
添加量は、エポキシ樹脂と硬化剤との総量１００重量部
に対して０．１〜４０重量部、特に０．２〜１６重量部
が好ましい。０．１重量部未満では十分な難燃効果が得
られない場合があり、また４０重量部を超えると、流動
性、硬化性の低下を引き起こす場合がある。
酸亜鉛を担持させたモリブデン化合物の添加量として
は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｈ）成分の総
量１００重量部に対して３〜１００重量部、特に５〜２
０重量部が好ましい。３重量部未満では十分な難燃効果
が得られない場合があり、また１００重量部を超える
と、流動性、硬化性の低下を引き起こす場合がある。こ
の場合、モリブデン化合物中のモリブデン酸亜鉛自体の
添加量は、エポキシ樹脂と硬化剤との総量１００重量部
に対して０．１〜４０重量部、特に０．２〜１６重量部
が好ましい。０．１重量部未満では十分な難燃効果が得
られない場合があり、また４０重量部を超えると、流動
性、硬化性の低下を引き起こす場合がある。
【００３３】更に、本発明の半導体封止用難燃性エポキ
シ樹脂組成物は、（Ｈ）下記平均組成式（１）で示され
るホスファゼン化合物を使用するものである。
シ樹脂組成物は、（Ｈ）下記平均組成式（１）で示され
るホスファゼン化合物を使用するものである。
【化３】
（但し、Ｘは単結合、又はＣＨ2，Ｃ（ＣＨ3）2，Ｓ
Ｏ2，Ｓ，Ｏ，及びＯ（ＣＯ）Ｏから選ばれる基、Ｙは
ＯＨ，ＳＨ又はＮＨ2、Ｒ1は炭素数１〜４のアルキル基
及びアルコキシ基，ＮＨ2，ＮＲ2Ｒ3並びにＳＲ2から選
ばれる基で、Ｒ2，Ｒ3は水素原子又は炭素数１〜４のア
ルキル基である。ｄ，ｅ，ｆ，ｎは、０≦ｄ≦０．２５
ｎ、０≦ｅ＜２ｎ、０≦ｆ≦２ｎ、２ｄ＋ｅ＋ｆ＝２
ｎ、３≦ｎ≦１，０００を満足する数を示す。）
Ｏ2，Ｓ，Ｏ，及びＯ（ＣＯ）Ｏから選ばれる基、Ｙは
ＯＨ，ＳＨ又はＮＨ2、Ｒ1は炭素数１〜４のアルキル基
及びアルコキシ基，ＮＨ2，ＮＲ2Ｒ3並びにＳＲ2から選
ばれる基で、Ｒ2，Ｒ3は水素原子又は炭素数１〜４のア
ルキル基である。ｄ，ｅ，ｆ，ｎは、０≦ｄ≦０．２５
ｎ、０≦ｅ＜２ｎ、０≦ｆ≦２ｎ、２ｄ＋ｅ＋ｆ＝２
ｎ、３≦ｎ≦１，０００を満足する数を示す。）
【００３４】上記式（１）のホスファゼン化合物を添加
した本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物
は、赤リン、リン酸エステル等のリン系難燃剤を添加し
たエポキシ樹脂組成物と比較して、熱水抽出特性に優
れ、耐湿信頼性に特に優れる硬化物を得ることができ
る。また、上記式（１）のホスファゼン化合物をモリブ
デン化合物と併用することにより、更に高い難燃効果を
得ることができる。
した本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物
は、赤リン、リン酸エステル等のリン系難燃剤を添加し
たエポキシ樹脂組成物と比較して、熱水抽出特性に優
れ、耐湿信頼性に特に優れる硬化物を得ることができ
る。また、上記式（１）のホスファゼン化合物をモリブ
デン化合物と併用することにより、更に高い難燃効果を
得ることができる。
【００３５】式（１）において、ｎは３〜１，０００で
あるが、より好ましい範囲は３〜１０である。合成上特
に好ましくはｎ＝３である。ｄ，ｅ，ｆの比率は、０≦
ｄ≦０．２５ｎ、０≦ｅ＜２ｎ、０≦ｆ≦２ｎ、２ｄ＋
ｅ＋ｆ＝２ｎである。０．２５ｎ＜ｄでは、ホスファゼ
ン化合物の分子間架橋が多いため、軟化点が高くなり、
エポキシ樹脂中に相溶しにくく、期待される難燃効果が
得られない。ｅ，ｆの比率は、０≦ｅ＜２ｎ、０≦ｆ≦
２ｎであるが、難燃性と硬化性、高温保管時の電気抵抗
性を高いレベルで両立するためには０．６７ｎ≦ｅ≦
１．３３ｎ、０．６７ｎ≦ｆ≦１．３３ｎが望ましい。
あるが、より好ましい範囲は３〜１０である。合成上特
に好ましくはｎ＝３である。ｄ，ｅ，ｆの比率は、０≦
ｄ≦０．２５ｎ、０≦ｅ＜２ｎ、０≦ｆ≦２ｎ、２ｄ＋
ｅ＋ｆ＝２ｎである。０．２５ｎ＜ｄでは、ホスファゼ
ン化合物の分子間架橋が多いため、軟化点が高くなり、
エポキシ樹脂中に相溶しにくく、期待される難燃効果が
得られない。ｅ，ｆの比率は、０≦ｅ＜２ｎ、０≦ｆ≦
２ｎであるが、難燃性と硬化性、高温保管時の電気抵抗
性を高いレベルで両立するためには０．６７ｎ≦ｅ≦
１．３３ｎ、０．６７ｎ≦ｆ≦１．３３ｎが望ましい。
【００３６】Ｘ，Ｙ，Ｒ1は上記の通りであり、Ｒ1は電
子供与性の基である。電子供与基の置換がない場合、Ｙ
の求核性が低下するため、エポキシ基との反応性が低く
なる。そのため、式（１）のホスファゼン化合物の添加
量を増やした場合、硬化性の低下、高温時の電気抵抗性
の低下が生じる。また硬化性が低下すると熱分解され易
くなり難燃性が低下する。なお、Ｘが単結合である場
合、
子供与性の基である。電子供与基の置換がない場合、Ｙ
の求核性が低下するため、エポキシ基との反応性が低く
なる。そのため、式（１）のホスファゼン化合物の添加
量を増やした場合、硬化性の低下、高温時の電気抵抗性
の低下が生じる。また硬化性が低下すると熱分解され易
くなり難燃性が低下する。なお、Ｘが単結合である場
合、
【化４】
で表される。また、Ｒ1が炭素数５以上のアルキル基、
アルコキシ基において、炭素数が増加すると難燃性が低
下する。従って、メチル基、メトキシ基、アミノ基、ジ
メチルアミノ基が望ましい。
アルコキシ基において、炭素数が増加すると難燃性が低
下する。従って、メチル基、メトキシ基、アミノ基、ジ
メチルアミノ基が望ましい。
【００３７】上記（Ｈ）成分であるホスファゼン化合物
の添加量は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｈ）
成分の合計量１００重量％に対し、２〜２０重量％が好
ましい。添加量が２重量％未満では十分な難燃効果が得
られない場合があり、また２０重量％を超えると、流動
性の低下を引き起こす場合がある。
の添加量は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｈ）
成分の合計量１００重量％に対し、２〜２０重量％が好
ましい。添加量が２重量％未満では十分な難燃効果が得
られない場合があり、また２０重量％を超えると、流動
性の低下を引き起こす場合がある。
【００３８】本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂
組成物は、本発明の目的及び効果を発現できる範囲内に
限って、他の難燃剤、水酸化アルミニウム、水酸化マグ
ネシウム等の水酸化物、ホウ酸亜鉛、スズ酸亜鉛等の無
機化合物、シリコーン系化合物を添加することもでき
る。但し、三酸化アンチモン等のアンチモン化合物は配
合されない。
組成物は、本発明の目的及び効果を発現できる範囲内に
限って、他の難燃剤、水酸化アルミニウム、水酸化マグ
ネシウム等の水酸化物、ホウ酸亜鉛、スズ酸亜鉛等の無
機化合物、シリコーン系化合物を添加することもでき
る。但し、三酸化アンチモン等のアンチモン化合物は配
合されない。
【００３９】本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂
組成物には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合する
ことができる。例えば熱可塑性樹脂、熱可塑性エラスト
マー、有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、カル
ナバワックス、高級脂肪酸、合成ワックス等のワックス
類、カーボンブラック等の着色剤、ハロゲントラップ剤
等の添加剤を添加配合することができる。
組成物には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合する
ことができる。例えば熱可塑性樹脂、熱可塑性エラスト
マー、有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、カル
ナバワックス、高級脂肪酸、合成ワックス等のワックス
類、カーボンブラック等の着色剤、ハロゲントラップ剤
等の添加剤を添加配合することができる。
【００４０】本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂
組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、その他
の添加物を所定の組成比で配合し、これをミキサ−等に
よって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エ
クストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷
却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とするこ
とができる。
組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、その他
の添加物を所定の組成比で配合し、これをミキサ−等に
よって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エ
クストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷
却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とするこ
とができる。
【００４１】このようにして得られる本発明の半導体封
止用難燃性エポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の
封止用に有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的
な方法としては、低圧トランスファー成形法が挙げられ
る。なお、本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組
成物の成形温度は１５０〜１８０℃で３０〜１８０秒、
後硬化は１５０〜２６０℃で２〜１６時間行うことが望
ましい。
止用難燃性エポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の
封止用に有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的
な方法としては、低圧トランスファー成形法が挙げられ
る。なお、本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組
成物の成形温度は１５０〜１８０℃で３０〜１８０秒、
後硬化は１５０〜２６０℃で２〜１６時間行うことが望
ましい。
【００４２】
【発明の効果】本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹
脂組成物は、成形性に優れると共に、難燃性及び耐湿信
頼性に優れた硬化物を得ることができる。しかも、臭素
化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンをエポキシ樹脂組成
物中に含有しないので、人体、環境に対する悪影響もな
いものである。また、本発明の半導体封止用難燃性エポ
キシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、難
燃性、耐湿信頼性に優れたものであり、産業上特に有用
である。
脂組成物は、成形性に優れると共に、難燃性及び耐湿信
頼性に優れた硬化物を得ることができる。しかも、臭素
化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンをエポキシ樹脂組成
物中に含有しないので、人体、環境に対する悪影響もな
いものである。また、本発明の半導体封止用難燃性エポ
キシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、難
燃性、耐湿信頼性に優れたものであり、産業上特に有用
である。
【００４３】
【実施例】以下、ホスファゼン化合物の合成例、及びエ
ポキシ樹脂組成物の実施例と比較例を示し、本発明を具
体的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもの
ではない。なお、式中のＭｅはメチル基である。
ポキシ樹脂組成物の実施例と比較例を示し、本発明を具
体的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもの
ではない。なお、式中のＭｅはメチル基である。
【００４４】［合成例Ａ］窒素雰囲気下、０℃で水素化
ナトリウム８．６ｇ（２１４ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５０ｍ
ｌに懸濁させ、そこにフェノール１９．８ｇ（２１１ｍ
ｍｏｌ）のＴＨＦ７５ｍｌ溶液を滴下した。３０分撹拌
後、ヘキサクロロトリホスファゼン１２．０ｇ（３４．
５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ７５ｍｌ溶液を滴下し、１８時間
加熱還流を行った。溶媒を減圧留去し、メタノールを加
え、析出した結晶をメタノール、水で洗浄し、白色結晶
を２３．８ｇ得た。
ナトリウム８．６ｇ（２１４ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５０ｍ
ｌに懸濁させ、そこにフェノール１９．８ｇ（２１１ｍ
ｍｏｌ）のＴＨＦ７５ｍｌ溶液を滴下した。３０分撹拌
後、ヘキサクロロトリホスファゼン１２．０ｇ（３４．
５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ７５ｍｌ溶液を滴下し、１８時間
加熱還流を行った。溶媒を減圧留去し、メタノールを加
え、析出した結晶をメタノール、水で洗浄し、白色結晶
を２３．８ｇ得た。
【化５】
【００４５】［合成例Ｂ］窒素雰囲気下、室温にてヘキ
サクロロトリホスファゼン１３．０ｇ（３７．０ｍｍｏ
ｌ）、ヒドロキノン３６．９ｇ（３３５ｍｍｏｌ）、シ
クロヘキサン１５０ｍｌの混合物中に、ピリジン３２．
４ｇ（４１０ｍｍｏｌ）を滴下した。２２時間加熱還流
後、デカンテーションにより得られた下層の黄色シロッ
プ状物を８０％酢酸８０ｍｌに溶解し、水５００ｍｌに
移して結晶を得た。その結晶をメタノールに溶かし、水
に移して結晶を得た。この操作を水が中性になるまで繰
返し、白色結晶を１６．５ｇ得た。
サクロロトリホスファゼン１３．０ｇ（３７．０ｍｍｏ
ｌ）、ヒドロキノン３６．９ｇ（３３５ｍｍｏｌ）、シ
クロヘキサン１５０ｍｌの混合物中に、ピリジン３２．
４ｇ（４１０ｍｍｏｌ）を滴下した。２２時間加熱還流
後、デカンテーションにより得られた下層の黄色シロッ
プ状物を８０％酢酸８０ｍｌに溶解し、水５００ｍｌに
移して結晶を得た。その結晶をメタノールに溶かし、水
に移して結晶を得た。この操作を水が中性になるまで繰
返し、白色結晶を１６．５ｇ得た。
【化６】
【００４６】［合成例Ｃ］窒素雰囲気下、室温にてヘキ
サクロロトリホスファゼン２５．５ｇ（７３ｍｍｏ
ｌ）、メチルヒドロキノン１２１．８ｇ（７３３ｍｍｏ
ｌ）、シクロヘキサン９００ｍｌの混合物中に、γ−ピ
コリン６８．３ｇ（７３３ｍｍｏｌ）を滴下した。４時
間加熱還流後、デカンテーションにより得られた下層の
黄色シロップ状物を８０％酢酸１６０ｍｌに溶解し、水
５００ｍｌに移して結晶を得た。その結晶をメタノール
に溶かし、水に移して結晶を得た。この操作を水が中性
になるまで繰返し、淡茶色結晶を６８．２ｇ得た。
サクロロトリホスファゼン２５．５ｇ（７３ｍｍｏ
ｌ）、メチルヒドロキノン１２１．８ｇ（７３３ｍｍｏ
ｌ）、シクロヘキサン９００ｍｌの混合物中に、γ−ピ
コリン６８．３ｇ（７３３ｍｍｏｌ）を滴下した。４時
間加熱還流後、デカンテーションにより得られた下層の
黄色シロップ状物を８０％酢酸１６０ｍｌに溶解し、水
５００ｍｌに移して結晶を得た。その結晶をメタノール
に溶かし、水に移して結晶を得た。この操作を水が中性
になるまで繰返し、淡茶色結晶を６８．２ｇ得た。
【化７】
【００４７】［合成例Ｄ］窒素雰囲気下、室温にてヘキ
サクロロトリホスファゼン１２．０ｇ（３５．０ｍｍｏ
ｌ）、メチルヒドロキノン２５．８ｇ（１５５ｍｍｏ
ｌ）、フェノール１４．６ｇ（１５５ｍｍｏｌ）、シク
ロヘキサン１５０ｍｌの混合物中に、ピリジン３０．０
ｇ（３８０ｍｍｏｌ）を滴下した。１６時間加熱還流
後、デカンテーションにより得られた下層の黄色シロッ
プ状物を８０％酢酸８０ｍｌに溶解し、水５００ｍｌに
移して結晶を得た。その結晶をメタノールに溶かし、水
に移して結晶を得た。この操作を水が中性になるまで繰
返し、白色結晶を２２．８ｇ得た。
サクロロトリホスファゼン１２．０ｇ（３５．０ｍｍｏ
ｌ）、メチルヒドロキノン２５．８ｇ（１５５ｍｍｏ
ｌ）、フェノール１４．６ｇ（１５５ｍｍｏｌ）、シク
ロヘキサン１５０ｍｌの混合物中に、ピリジン３０．０
ｇ（３８０ｍｍｏｌ）を滴下した。１６時間加熱還流
後、デカンテーションにより得られた下層の黄色シロッ
プ状物を８０％酢酸８０ｍｌに溶解し、水５００ｍｌに
移して結晶を得た。その結晶をメタノールに溶かし、水
に移して結晶を得た。この操作を水が中性になるまで繰
返し、白色結晶を２２．８ｇ得た。
【化８】
【００４８】［合成例Ｅ］窒素雰囲気下、０℃で水素化
ナトリウム４．８ｇ（１１９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５０ｍ
ｌに懸濁させ、そこにフェノール１０．２ｇ（１０８ｍ
ｍｏｌ）、４，４’−スルホニルジフェノール０．４５
ｇ（１．８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液を滴下し
た。３０分撹拌後、ヘキサクロロトリホスファゼン１
２．５ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液を
滴下し、５時間加熱還流を行った。そこに、別途０℃で
水素化ナトリウム５．２ｇ（１３０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ
５０ｍｌに懸濁させ、そこにフェノール１１．２ｇ（１
１９ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液を滴下し、更に１
９時間加熱還流した。溶媒を減圧留去後、クロロベンゼ
ンを加えて溶解し、５％ＮａＯＨ水溶液２００ｍｌ×
２、５％硫酸水溶液２００ｍｌ×２、５％炭酸水素ナト
リウム水溶液２００ｍｌ×２、水２００ｍｌ×２で抽出
を行った。溶媒を減圧留去し、黄褐色結晶を２０．４ｇ
得た。
ナトリウム４．８ｇ（１１９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５０ｍ
ｌに懸濁させ、そこにフェノール１０．２ｇ（１０８ｍ
ｍｏｌ）、４，４’−スルホニルジフェノール０．４５
ｇ（１．８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液を滴下し
た。３０分撹拌後、ヘキサクロロトリホスファゼン１
２．５ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液を
滴下し、５時間加熱還流を行った。そこに、別途０℃で
水素化ナトリウム５．２ｇ（１３０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ
５０ｍｌに懸濁させ、そこにフェノール１１．２ｇ（１
１９ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液を滴下し、更に１
９時間加熱還流した。溶媒を減圧留去後、クロロベンゼ
ンを加えて溶解し、５％ＮａＯＨ水溶液２００ｍｌ×
２、５％硫酸水溶液２００ｍｌ×２、５％炭酸水素ナト
リウム水溶液２００ｍｌ×２、水２００ｍｌ×２で抽出
を行った。溶媒を減圧留去し、黄褐色結晶を２０．４ｇ
得た。
【化９】
【００４９】［合成例Ｆ］窒素雰囲気下、０℃で水素化
ナトリウム４．６ｇ（１１４ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５０ｍ
ｌに懸濁させ、そこにフェノール９．７ｇ（１０４ｍｍ
ｏｌ）、４，４’−スルホニルジフェノール０．４０ｇ
（１．７ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液を滴下した。
３０分撹拌後、ヘキサクロロトリホスファゼン１２．５
ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液を滴下
し、５時間加熱還流を行った。溶媒を減圧留去後、シク
ロヘキサン１５０ｍｌ、メチルヒドロキノン５７．３ｇ
（３４５ｍｍｏｌ）を加え、そこにピリジン２７．３ｇ
（３４５ｍｍｏｌ）を滴下した。１８時間加熱還流した
後、デカンテーションにより得られた下層の黄色シロッ
プ状物を８０％酢酸８０ｍｌに溶解し、水５００ｍｌに
移して結晶を得た。その結晶をメタノールに溶かし、水
に移して結晶を得た。この操作を水が中性になるまで繰
返し、茶褐色結晶を２５．８ｇ得た。
ナトリウム４．６ｇ（１１４ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５０ｍ
ｌに懸濁させ、そこにフェノール９．７ｇ（１０４ｍｍ
ｏｌ）、４，４’−スルホニルジフェノール０．４０ｇ
（１．７ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液を滴下した。
３０分撹拌後、ヘキサクロロトリホスファゼン１２．５
ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液を滴下
し、５時間加熱還流を行った。溶媒を減圧留去後、シク
ロヘキサン１５０ｍｌ、メチルヒドロキノン５７．３ｇ
（３４５ｍｍｏｌ）を加え、そこにピリジン２７．３ｇ
（３４５ｍｍｏｌ）を滴下した。１８時間加熱還流した
後、デカンテーションにより得られた下層の黄色シロッ
プ状物を８０％酢酸８０ｍｌに溶解し、水５００ｍｌに
移して結晶を得た。その結晶をメタノールに溶かし、水
に移して結晶を得た。この操作を水が中性になるまで繰
返し、茶褐色結晶を２５．８ｇ得た。
【化１０】
【００５０】［実施例１〜４、比較例１〜５］表１，２
に示す成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷
却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
これらの組成物につき、次の（ｉ）〜（ｖｉｉ）の諸特
性を測定した。結果を表１，２に示す。 （ｉ）スパイラルフロー値 ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、１７５℃，６．
９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒の条件で測定した。 （ｉｉ）ゲル化時間 組成物のゲル化時間を１７５℃熱板上で測定した。 （ｉｉｉ）ガラス転移温度 １７５℃，６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間９０秒の条件で
１０×４×５０ｍｍの棒を成形し、２６０℃，４時間ポ
ストキュアーした。その後動的粘弾性スペクトルによ
り、測定周波数５Ｈｚ時のガラス転移温度を求めた。 （ｉｖ）高温電気抵抗特性 １７５℃，６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒の条件
で７０φ×３ｍｍの円板を成形して１８０℃，４時間ポ
ストキュアーした。その後、１５０℃雰囲気下で体積抵
抗率を測定した。 （ｖ）難燃性 ＵＬ−９４規格に基づき、１／１６インチ厚の板を、成
形条件１７５℃，６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒
で成形し、１８０℃，４時間ポストキュアーしたものの
難燃性を調べた。 （ｖｉ）耐湿性 アルミニウム配線を形成した６×６ｍｍの大きさのシリ
コンチップを１４ｐｉｎ−ＤＩＰフレーム（４２アロ
イ）に接着し、更にチップ表面のアルミニウム電極とリ
ードフレームとを３０μｍφの金線でワイヤボンディン
グした後、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件１７５
℃，６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒で成形し、１
８０℃，４時間ポストキュアーした。このパッケージを
１４０℃／８５％ＲＨの雰囲気中−５Ｖの直流バイアス
電圧をかけて５００時間放置した後、アルミニウム腐食
が発生したパッケージ数を調べた。 （ｖｉｉ）高温保管信頼性 アルミニウム配線を形成した６×６ｍｍの大きさのシリ
コンチップを１４ｐｉｎ−ＤＩＰフレーム（４２アロ
イ）に接着し、更にチップ表面のアルミニウム電極とリ
ードフレームとを３０μｍφの金線でワイヤボンディン
グした後、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件１７５
℃，６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒で成形し、１
８０℃，４時間ポストキュアーした。このパッケージを
２００℃雰囲気中５００時間放置した後、発煙硝酸で溶
解、開封し、金線引張り強度を測定した。引張り強度が
初期値の７０％以下となったものを不良とした。
に示す成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷
却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
これらの組成物につき、次の（ｉ）〜（ｖｉｉ）の諸特
性を測定した。結果を表１，２に示す。 （ｉ）スパイラルフロー値 ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、１７５℃，６．
９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒の条件で測定した。 （ｉｉ）ゲル化時間 組成物のゲル化時間を１７５℃熱板上で測定した。 （ｉｉｉ）ガラス転移温度 １７５℃，６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間９０秒の条件で
１０×４×５０ｍｍの棒を成形し、２６０℃，４時間ポ
ストキュアーした。その後動的粘弾性スペクトルによ
り、測定周波数５Ｈｚ時のガラス転移温度を求めた。 （ｉｖ）高温電気抵抗特性 １７５℃，６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒の条件
で７０φ×３ｍｍの円板を成形して１８０℃，４時間ポ
ストキュアーした。その後、１５０℃雰囲気下で体積抵
抗率を測定した。 （ｖ）難燃性 ＵＬ−９４規格に基づき、１／１６インチ厚の板を、成
形条件１７５℃，６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒
で成形し、１８０℃，４時間ポストキュアーしたものの
難燃性を調べた。 （ｖｉ）耐湿性 アルミニウム配線を形成した６×６ｍｍの大きさのシリ
コンチップを１４ｐｉｎ−ＤＩＰフレーム（４２アロ
イ）に接着し、更にチップ表面のアルミニウム電極とリ
ードフレームとを３０μｍφの金線でワイヤボンディン
グした後、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件１７５
℃，６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒で成形し、１
８０℃，４時間ポストキュアーした。このパッケージを
１４０℃／８５％ＲＨの雰囲気中−５Ｖの直流バイアス
電圧をかけて５００時間放置した後、アルミニウム腐食
が発生したパッケージ数を調べた。 （ｖｉｉ）高温保管信頼性 アルミニウム配線を形成した６×６ｍｍの大きさのシリ
コンチップを１４ｐｉｎ−ＤＩＰフレーム（４２アロ
イ）に接着し、更にチップ表面のアルミニウム電極とリ
ードフレームとを３０μｍφの金線でワイヤボンディン
グした後、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件１７５
℃，６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒で成形し、１
８０℃，４時間ポストキュアーした。このパッケージを
２００℃雰囲気中５００時間放置した後、発煙硝酸で溶
解、開封し、金線引張り強度を測定した。引張り強度が
初期値の７０％以下となったものを不良とした。
【００５１】
【表１】
【００５２】
【表２】
【００５３】＊１ エポキシ樹脂
ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂：ＥＯＣＮ１
０２０−５５（日本化薬製、エポキシ当量２００） ＊２ 硬化剤 フェノールノボラック樹脂：ＤＬ−９２（明和化成製、
フェノール性水酸基当量１１０） ＊３ マレイミド基含有化合物 ビスマレイミド：ＢＭＩ−７０（ケイアイ化成製） ＊４ アルケニル基含有フェノール化合物 ｏ−（１−プロペニル）フェノールノボラック樹脂：１
ＰＰ−１（群栄化学製） ＊５ モリブデン化合物：モリブデン酸亜鉛 ＫＥＭＧＡＲＤ９１１Ｃ（ＳＨＥＲＷＩＮ−ＷＩＬＬＩ
ＡＭＳ製、モリブデン酸亜鉛含有量１８重量％、コア
材：タルク、平均粒径２．０μｍ、比表面積２．０ｍ2
／ｇ） ＊６ ホスファゼン化合物：合成例Ａ〜Ｆ ＊７ 無機充填材：球状溶融シリカ（龍森製、平均粒径
２０μｍ） ＊８ 硬化触媒：トリフェニルホスフィン（北興化学
製） ＊９ 離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダ
クツ製） ＊１０ カーボンブラック：デンカブラック（電気化学
工業製） ＊１１ シランカップリング剤：ＫＢＭ−４０３（信越
化学工業製）
０２０−５５（日本化薬製、エポキシ当量２００） ＊２ 硬化剤 フェノールノボラック樹脂：ＤＬ−９２（明和化成製、
フェノール性水酸基当量１１０） ＊３ マレイミド基含有化合物 ビスマレイミド：ＢＭＩ−７０（ケイアイ化成製） ＊４ アルケニル基含有フェノール化合物 ｏ−（１−プロペニル）フェノールノボラック樹脂：１
ＰＰ−１（群栄化学製） ＊５ モリブデン化合物：モリブデン酸亜鉛 ＫＥＭＧＡＲＤ９１１Ｃ（ＳＨＥＲＷＩＮ−ＷＩＬＬＩ
ＡＭＳ製、モリブデン酸亜鉛含有量１８重量％、コア
材：タルク、平均粒径２．０μｍ、比表面積２．０ｍ2
／ｇ） ＊６ ホスファゼン化合物：合成例Ａ〜Ｆ ＊７ 無機充填材：球状溶融シリカ（龍森製、平均粒径
２０μｍ） ＊８ 硬化触媒：トリフェニルホスフィン（北興化学
製） ＊９ 離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダ
クツ製） ＊１０ カーボンブラック：デンカブラック（電気化学
工業製） ＊１１ シランカップリング剤：ＫＢＭ−４０３（信越
化学工業製）
【００５４】表１，２の結果より、本発明の半導体封止
用難燃性エポキシ樹脂組成物は、高Ｔｇかつ難燃性、信
頼性に優れた硬化物を得ることができ、本発明のエポキ
シ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、耐熱
性、難燃性、耐湿性、高温保管信頼性に優れるものであ
る。しかもＢｒ化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンを樹
脂組成物中に含有しないので、人体・環境に対する悪影
響がないものである。
用難燃性エポキシ樹脂組成物は、高Ｔｇかつ難燃性、信
頼性に優れた硬化物を得ることができ、本発明のエポキ
シ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、耐熱
性、難燃性、耐湿性、高温保管信頼性に優れるものであ
る。しかもＢｒ化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンを樹
脂組成物中に含有しないので、人体・環境に対する悪影
響がないものである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ
23/31
(72)発明者 竹中 博之
群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10
信越化学工業株式会社シリコーン電子材料
技術研究所内
(72)発明者 下田 太郎
群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10
信越化学工業株式会社シリコーン電子材料
技術研究所内
(72)発明者 塩原 利夫
群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10
信越化学工業株式会社シリコーン電子材料
技術研究所内
Ｆターム(参考） 4J002 CD031 CD041 CD171 DE136
DE146 DE187 DF016 DJ006
DJ016 DL006 EW157 FD016
FD051 FD061 FD137 GQ05
4J036 AA01 AB11 AB13 AC02 AD07
AD08 AE05 AF03 AF06 AF08
AJ08 AK10 EA07 FA01 FA12
FB07 FB08 JA07
4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB07
EB13 EC20
Claims (2)
- 【請求項１】 下記（Ａ）〜（Ｈ）成分を必須成分とす
ることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）無機充填材 （Ｄ）硬化促進剤 （Ｅ）分子中に２個以上のマレイミド基を有する化合物 （Ｆ）分子中に１個以上のアルケニル基を有するフェノ
ール化合物 （Ｇ）モリブデン酸亜鉛を無機充填材に担持したモリブ
デン化合物 （Ｈ）下記平均組成式（１）で示されるホスファゼン化
合物 【化１】 （但し、Ｘは単結合、又はＣＨ2，Ｃ（ＣＨ3）2，Ｓ
Ｏ2，Ｓ，Ｏ，及びＯ（ＣＯ）Ｏから選ばれる基、Ｙは
ＯＨ，ＳＨ又はＮＨ2、Ｒ1は炭素数１〜４のアルキル基
及びアルコキシ基，ＮＨ2，ＮＲ2Ｒ3並びにＳＲ2から選
ばれる基で、Ｒ2，Ｒ3は水素原子又は炭素数１〜４のア
ルキル基である。ｄ，ｅ，ｆ，ｎは、０≦ｄ≦０．２５
ｎ、０≦ｅ＜２ｎ、０≦ｆ≦２ｎ、２ｄ＋ｅ＋ｆ＝２
ｎ、３≦ｎ≦１，０００を満足する数を示す。） - 【請求項２】 請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物の硬化物で封止された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001340533A JP3824065B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001340533A JP3824065B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003138103A true JP2003138103A (ja) | 2003-05-14 |
| JP3824065B2 JP3824065B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=19154713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001340533A Expired - Fee Related JP3824065B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3824065B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006299246A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2010037240A (ja) * | 2008-08-02 | 2010-02-18 | Fushimi Pharm Co Ltd | ヒドロキシ基含有環状ホスファゼン化合物およびその製造方法 |
| WO2011126070A1 (ja) * | 2010-04-08 | 2011-10-13 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグおよび積層板 |
| JP2012017422A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Nitto Denko Corp | 熱硬化性樹脂組成物硬化体の製法およびそれにより得られた硬化物 |
| EP3093329A1 (en) * | 2015-05-12 | 2016-11-16 | Guangdong Guangshan New Materials Co., Ltd. | Flame retardant compounds, hardeners and polyphenol-based epoxy resins |
| KR20200018298A (ko) | 2018-08-10 | 2020-02-19 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉용 열경화성 수지 조성물 및 반도체 장치 |
| KR20200018288A (ko) | 2018-08-09 | 2020-02-19 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉용 열경화성 수지 조성물 및 반도체 장치 |
| KR20200018299A (ko) | 2018-08-10 | 2020-02-19 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 열경화성 수지 조성물 및 반도체 장치 |
-
2001
- 2001-11-06 JP JP2001340533A patent/JP3824065B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006299246A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2010037240A (ja) * | 2008-08-02 | 2010-02-18 | Fushimi Pharm Co Ltd | ヒドロキシ基含有環状ホスファゼン化合物およびその製造方法 |
| TWI642719B (zh) * | 2010-04-08 | 2018-12-01 | 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 | Resin composition, pre-stain and laminate |
| WO2011126070A1 (ja) * | 2010-04-08 | 2011-10-13 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグおよび積層板 |
| JPWO2011126070A1 (ja) * | 2010-04-08 | 2013-07-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグおよび積層板 |
| JP2016040391A (ja) * | 2010-04-08 | 2016-03-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグおよび積層板 |
| US10212813B2 (en) | 2010-04-08 | 2019-02-19 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resin composition, prepreg, and laminated sheet |
| JP2012017422A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Nitto Denko Corp | 熱硬化性樹脂組成物硬化体の製法およびそれにより得られた硬化物 |
| EP3093329A1 (en) * | 2015-05-12 | 2016-11-16 | Guangdong Guangshan New Materials Co., Ltd. | Flame retardant compounds, hardeners and polyphenol-based epoxy resins |
| JP2016210777A (ja) * | 2015-05-12 | 2016-12-15 | 広東広山新材料有限公司 | 難燃性化合物、硬化剤及びポリフェノール系エポキシ樹脂 |
| KR20200018288A (ko) | 2018-08-09 | 2020-02-19 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉용 열경화성 수지 조성물 및 반도체 장치 |
| US10793712B2 (en) | 2018-08-09 | 2020-10-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
| KR20200018298A (ko) | 2018-08-10 | 2020-02-19 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉용 열경화성 수지 조성물 및 반도체 장치 |
| KR20200018299A (ko) | 2018-08-10 | 2020-02-19 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 열경화성 수지 조성물 및 반도체 장치 |
| US11046848B2 (en) | 2018-08-10 | 2021-06-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
| US11059973B2 (en) | 2018-08-10 | 2021-07-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable resin composition and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3824065B2 (ja) | 2006-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7999016B2 (en) | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP5692070B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物、及び半導体装置 | |
| JP3479827B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| KR100243708B1 (ko) | 반도체 캡슐화 에폭시 수지조성물 및 그것으로 캡슐화된 반도체장치(Semiconductor Encapsulating Epoxy Resin Compositions and Semiconductor Devices Encapsulated Therewith) | |
| WO2011052157A1 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置 | |
| JP2000034393A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3824065B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| US6783859B2 (en) | Semiconductor encapsulating flame retardant epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP2008266512A (ja) | 半導体封止用難燃性液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3824066B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3714399B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| US7122587B2 (en) | Semiconductor encapsulating flame retardant epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP3824064B2 (ja) | 半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003138097A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2013142136A (ja) | 半導体封止用難燃性液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003268208A (ja) | 半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3824063B2 (ja) | 半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2000345009A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003165897A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2003026764A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003327799A (ja) | 半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003327798A (ja) | 半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003160635A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003327796A (ja) | 半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2004155973A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040602 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060222 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060421 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060607 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060620 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3824065 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090707 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150707 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |