JP2003138228A - 半導体ウエハ保護用粘着シート - Google Patents
半導体ウエハ保護用粘着シートInfo
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- JP2003138228A JP2003138228A JP2001337872A JP2001337872A JP2003138228A JP 2003138228 A JP2003138228 A JP 2003138228A JP 2001337872 A JP2001337872 A JP 2001337872A JP 2001337872 A JP2001337872 A JP 2001337872A JP 2003138228 A JP2003138228 A JP 2003138228A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハに貼り付けた状態で、100〜
200℃程度の加熱環境下におかれた場合にも、半導体
ウエハの反りを防止することができる半導体ウエハ保護
用粘着シートを提供すること。 【解決手段】 基材フィルム上に粘着剤層が設けられた
半導体ウエハ保護用粘着シートであって、前記基材フィ
ルムは、200℃の条件下に2時間置いた場合の加熱収
縮率が0.5%以下であることを特徴とする半導体ウエ
ハ保護用粘着シート。
200℃程度の加熱環境下におかれた場合にも、半導体
ウエハの反りを防止することができる半導体ウエハ保護
用粘着シートを提供すること。 【解決手段】 基材フィルム上に粘着剤層が設けられた
半導体ウエハ保護用粘着シートであって、前記基材フィ
ルムは、200℃の条件下に2時間置いた場合の加熱収
縮率が0.5%以下であることを特徴とする半導体ウエ
ハ保護用粘着シート。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ保護
用粘着シートに関する。本発明の半導体ウエハ保護用粘
着シートは、各種半導体を製造する工程において半導体
ウエハを保護するために用いられる。たとえば、半導体
ウエハの裏面研削工程において、半導体ウエハ表面を保
護するために用いる保護シートや、半導体ウエハを接着
固定下に形成素子を小片に切断・分割し、該素子小片を
ピックアップ方式で自動回収するダイシング工程におい
て半導体ウエハの裏面に貼付するダイシング用粘着シー
トなどとして有用である。特に、本発明の半導体ウエハ
保護用粘着シートは、半導体ウエハに貼り付けた状態で
加熱環境下におかれるような状態での使用態様において
有用である。
用粘着シートに関する。本発明の半導体ウエハ保護用粘
着シートは、各種半導体を製造する工程において半導体
ウエハを保護するために用いられる。たとえば、半導体
ウエハの裏面研削工程において、半導体ウエハ表面を保
護するために用いる保護シートや、半導体ウエハを接着
固定下に形成素子を小片に切断・分割し、該素子小片を
ピックアップ方式で自動回収するダイシング工程におい
て半導体ウエハの裏面に貼付するダイシング用粘着シー
トなどとして有用である。特に、本発明の半導体ウエハ
保護用粘着シートは、半導体ウエハに貼り付けた状態で
加熱環境下におかれるような状態での使用態様において
有用である。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体ウエハの大型化、またIC
カード用途などでのウエハの薄型化が進んでいる。半導
体ウエハの薄型化は、通常、半導体ウエハ表面に保護シ
ートを貼り付けて裏面を研削することにより行われる。
また半導体ウエハを薄型に加工した後には、半導体ウエ
ハに保護シートを貼り付けた状態で、各種処理が施され
る場合がある。しかし、大型化、薄型化した半導体ウエ
ハは、加熱環境下において熱により反りが生じ、破損し
易い。また、反りの生じた半導体ウエハは搬送中や保護
シートの剥離中に割れる問題がある。
カード用途などでのウエハの薄型化が進んでいる。半導
体ウエハの薄型化は、通常、半導体ウエハ表面に保護シ
ートを貼り付けて裏面を研削することにより行われる。
また半導体ウエハを薄型に加工した後には、半導体ウエ
ハに保護シートを貼り付けた状態で、各種処理が施され
る場合がある。しかし、大型化、薄型化した半導体ウエ
ハは、加熱環境下において熱により反りが生じ、破損し
易い。また、反りの生じた半導体ウエハは搬送中や保護
シートの剥離中に割れる問題がある。
【0003】上記問題に対して、特開平11−3457
90号公報には、半導体ウエハ表面保護用粘着テープと
して、95℃で60秒間加熱したときの熱収縮率が5%
以下の基材フィルムと前記熱収縮率が10%以下の補助
フィルムの積層物を用いたものが開示されている。しか
し、半導体ウエハを薄型に加工した後には、半導体ウエ
ハの裏面にエッチング処理やスパッタ・蒸着処理などが
施される場合や、ダイボンドフィルムを貼り付ける場合
があり、半導体ウエハに保護シートを貼り付けた状態
で、100〜200℃程度の熱がかかる。このような場
合には、前記公報に記載の粘着テープでは、大型化、薄
型化した半導体ウエハの前記加熱環境下における反りを
十分に防止できず、かかる熱処理中に破損が生じたり、
半導体ウエハの搬送中に割れが生じる。
90号公報には、半導体ウエハ表面保護用粘着テープと
して、95℃で60秒間加熱したときの熱収縮率が5%
以下の基材フィルムと前記熱収縮率が10%以下の補助
フィルムの積層物を用いたものが開示されている。しか
し、半導体ウエハを薄型に加工した後には、半導体ウエ
ハの裏面にエッチング処理やスパッタ・蒸着処理などが
施される場合や、ダイボンドフィルムを貼り付ける場合
があり、半導体ウエハに保護シートを貼り付けた状態
で、100〜200℃程度の熱がかかる。このような場
合には、前記公報に記載の粘着テープでは、大型化、薄
型化した半導体ウエハの前記加熱環境下における反りを
十分に防止できず、かかる熱処理中に破損が生じたり、
半導体ウエハの搬送中に割れが生じる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、基材フィル
ム上に粘着剤層が設けられた半導体ウエハ保護用粘着シ
ートであって、半導体ウエハに貼り付けた状態で、10
0〜200℃程度の加熱環境下におかれた場合にも、半
導体ウエハの反りを防止することができる半導体ウエハ
保護用粘着シートを提供することを目的とする。
ム上に粘着剤層が設けられた半導体ウエハ保護用粘着シ
ートであって、半導体ウエハに貼り付けた状態で、10
0〜200℃程度の加熱環境下におかれた場合にも、半
導体ウエハの反りを防止することができる半導体ウエハ
保護用粘着シートを提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、以下に示す半導体ウエ
ハ保護用粘着シートにより、上記目的を達成できること
を見出し、本発明を完成するに至った。
を解決すべく鋭意検討した結果、以下に示す半導体ウエ
ハ保護用粘着シートにより、上記目的を達成できること
を見出し、本発明を完成するに至った。
【0006】すなわち本発明は、基材フィルム上に粘着
剤層が設けられた半導体ウエハ保護用粘着シートであっ
て、前記基材フィルムは、200℃の条件下に2時間置
いた場合の加熱収縮率が0.5%以下であることを特徴
とする半導体ウエハ保護用粘着シート、に関する。
剤層が設けられた半導体ウエハ保護用粘着シートであっ
て、前記基材フィルムは、200℃の条件下に2時間置
いた場合の加熱収縮率が0.5%以下であることを特徴
とする半導体ウエハ保護用粘着シート、に関する。
【0007】本発明の半導体ウエハ保護用粘着シートに
は、前記過酷な加熱条件下においても、加熱収縮率が
0.5%以下の基材フィルムを用いている。そのため本
発明の半導体ウエハ保護用粘着シートは過酷な加熱条件
下でも寸法変化が非常に小さいく、当該粘着シートを半
導体ウエハに貼り付けた状態のまま、たとえば、100
〜200℃程度の熱処理環境下におかれた場合には、半
導体ウエハの反りを防止することができる。その結果、
半導体ウエハの熱処理工程、搬送工程、剥離工程におい
て、半導体ウエハの破損を防止することができる。基材
フィルムの加熱収縮率は、MD方向、TD方向のいずれ
についても加熱収縮率が0.5%以下である。また、か
かる加熱収縮率は小さいほど好ましく、いずれも0.2
%以下とするのが好ましい。
は、前記過酷な加熱条件下においても、加熱収縮率が
0.5%以下の基材フィルムを用いている。そのため本
発明の半導体ウエハ保護用粘着シートは過酷な加熱条件
下でも寸法変化が非常に小さいく、当該粘着シートを半
導体ウエハに貼り付けた状態のまま、たとえば、100
〜200℃程度の熱処理環境下におかれた場合には、半
導体ウエハの反りを防止することができる。その結果、
半導体ウエハの熱処理工程、搬送工程、剥離工程におい
て、半導体ウエハの破損を防止することができる。基材
フィルムの加熱収縮率は、MD方向、TD方向のいずれ
についても加熱収縮率が0.5%以下である。また、か
かる加熱収縮率は小さいほど好ましく、いずれも0.2
%以下とするのが好ましい。
【0008】前記半導体ウエハ保護用粘着シートにおい
て、粘着剤層が放射線硬化型粘着剤により形成されてい
ることが好ましい。放射線硬化型粘着剤により形成され
る粘着剤層は、紫外線照射によって粘着剤層を硬化さ
せ、被着体に対する粘着力を低下させることができ粘着
シートの剥離が容易である。この粘着剤層の硬化は、粘
着剤層の体積収縮を伴うが、本発明の半導体ウエハ保護
用粘着シートによれば、上記基材フィルムによって、放
射線硬化型粘着剤の体積収縮による半導体ウエハに及ぼ
す反りも抑えることができる。
て、粘着剤層が放射線硬化型粘着剤により形成されてい
ることが好ましい。放射線硬化型粘着剤により形成され
る粘着剤層は、紫外線照射によって粘着剤層を硬化さ
せ、被着体に対する粘着力を低下させることができ粘着
シートの剥離が容易である。この粘着剤層の硬化は、粘
着剤層の体積収縮を伴うが、本発明の半導体ウエハ保護
用粘着シートによれば、上記基材フィルムによって、放
射線硬化型粘着剤の体積収縮による半導体ウエハに及ぼ
す反りも抑えることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体ウエハ保護
用粘着シート1を、図1を参照しつつ詳細に説明する。
図1に示すように、本発明の半導体ウエハ保護用粘着シ
ートは、基材フィルム11に、粘着剤層12が設けられ
ている。また必要に応じて粘着剤層12上にはセパレー
タ13を有する。図1では、基材フィルムの片面に粘着
層を有するが、基材フィルムの両面に粘着剤層を形成す
ることもできる。半導体ウエハ保護用粘着シートは、シ
ートを巻いてテープ状とすることもできる。
用粘着シート1を、図1を参照しつつ詳細に説明する。
図1に示すように、本発明の半導体ウエハ保護用粘着シ
ートは、基材フィルム11に、粘着剤層12が設けられ
ている。また必要に応じて粘着剤層12上にはセパレー
タ13を有する。図1では、基材フィルムの片面に粘着
層を有するが、基材フィルムの両面に粘着剤層を形成す
ることもできる。半導体ウエハ保護用粘着シートは、シ
ートを巻いてテープ状とすることもできる。
【0010】基材フィルム11は、上記の通り、200
℃の条件下に2時間放置した際の加熱収縮率が0.5%
以下のものであれば特に制限されるものではない。その
代表例としては、例えば、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レートなどのポリエステル系材料、ポリイミド、ポリエ
ーテルイミド、ポリエーテルエステルイミドなどのポリ
イミド系材料、ポリフェニレンサルファイド等、さらに
はそれらの架橋体等のプラスチックフィルムがあげられ
る。また、アルミニウム、ニッケル等の金属系フィルム
があげられる。なお、粘着剤層に放射線硬化型粘着剤を
用いる場合には、X線、紫外線、電子線等の放射線を少
なくとも一部透過するプラスチックフィルムが好まし
い。これら基材フィルムのなかでもポリイミド系材料を
用いた基材フィルムが好適である。
℃の条件下に2時間放置した際の加熱収縮率が0.5%
以下のものであれば特に制限されるものではない。その
代表例としては、例えば、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レートなどのポリエステル系材料、ポリイミド、ポリエ
ーテルイミド、ポリエーテルエステルイミドなどのポリ
イミド系材料、ポリフェニレンサルファイド等、さらに
はそれらの架橋体等のプラスチックフィルムがあげられ
る。また、アルミニウム、ニッケル等の金属系フィルム
があげられる。なお、粘着剤層に放射線硬化型粘着剤を
用いる場合には、X線、紫外線、電子線等の放射線を少
なくとも一部透過するプラスチックフィルムが好まし
い。これら基材フィルムのなかでもポリイミド系材料を
用いた基材フィルムが好適である。
【0011】基材フィルムの厚みは、通常10〜300
μm、好ましくは30〜200μm程度である。なお、
基材フィルムは、単層フィルム又は多層フィルムのいず
れであってもよく、前記2種以上の材料をドライブレン
ドしたブレンド基材であってもよい。多層フィルムは、
前記樹脂などを用いて、共押出し法、ドライラミネート
法等の慣用のフィルム積層法により製造できる。また、
基材フィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて
一軸又は二軸の延伸処理を施してもよい。このようにし
て製膜された基材フィルムの表面には、必要に応じてマ
ット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、架橋処理
などの慣用の物理的または化学的処理を施すことができ
る。
μm、好ましくは30〜200μm程度である。なお、
基材フィルムは、単層フィルム又は多層フィルムのいず
れであってもよく、前記2種以上の材料をドライブレン
ドしたブレンド基材であってもよい。多層フィルムは、
前記樹脂などを用いて、共押出し法、ドライラミネート
法等の慣用のフィルム積層法により製造できる。また、
基材フィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて
一軸又は二軸の延伸処理を施してもよい。このようにし
て製膜された基材フィルムの表面には、必要に応じてマ
ット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、架橋処理
などの慣用の物理的または化学的処理を施すことができ
る。
【0012】粘着剤層12の形成には公知乃至慣用の粘
着剤を適宜に選択して使用できる。粘着剤は何ら制限さ
れるものではないが、例えばゴム系、アクリル系、シリ
コーン系、ポリビニルエーテル系等の各種の粘着剤が用
いられる。なかでも、半導体ウエハヘの接着性、剥離後
の半導体ウエハの超純水やアルコール等の有機溶媒によ
る清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベー
スポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
着剤を適宜に選択して使用できる。粘着剤は何ら制限さ
れるものではないが、例えばゴム系、アクリル系、シリ
コーン系、ポリビニルエーテル系等の各種の粘着剤が用
いられる。なかでも、半導体ウエハヘの接着性、剥離後
の半導体ウエハの超純水やアルコール等の有機溶媒によ
る清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベー
スポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【0013】前記アクリル系ポリマーとしては、例え
ば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、メ
チルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イ
ソプロピルエステル、n−ブチルエステル、t−ブチル
エステル、イソブチルエステル、s−ブチルエステル、
t−ブチルエステル、ペンチルエステル、アミルエステ
ル、イソアミルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチル
エステル、2−エチルヘキシルエステル、オクチルエス
テル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、イソノ
ニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、
ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエ
ステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステ
ル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル、ラウ
リルエステル、ステアリルエステル、などのアルキル基
の炭素数1〜30、特に炭素数4〜18の直鎖状又は分
岐鎖状のアルキルエステルなど)及び(メタ)アクリル
酸シクロアルキルエステル(例えば、シクロペンチルエ
ステル、シクロヘキシルエステルなど)の1種又は2種
以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなど
があげられる。なお、(メタ)アクリル酸エステルとは
アクリル酸エステルおよび/またはメタクリル酸エステ
ルをいい、本発明の(メタ)とは全て同様の意味であ
る。
ば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、メ
チルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イ
ソプロピルエステル、n−ブチルエステル、t−ブチル
エステル、イソブチルエステル、s−ブチルエステル、
t−ブチルエステル、ペンチルエステル、アミルエステ
ル、イソアミルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチル
エステル、2−エチルヘキシルエステル、オクチルエス
テル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、イソノ
ニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、
ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエ
ステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステ
ル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル、ラウ
リルエステル、ステアリルエステル、などのアルキル基
の炭素数1〜30、特に炭素数4〜18の直鎖状又は分
岐鎖状のアルキルエステルなど)及び(メタ)アクリル
酸シクロアルキルエステル(例えば、シクロペンチルエ
ステル、シクロヘキシルエステルなど)の1種又は2種
以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなど
があげられる。なお、(メタ)アクリル酸エステルとは
アクリル酸エステルおよび/またはメタクリル酸エステ
ルをいい、本発明の(メタ)とは全て同様の意味であ
る。
【0014】前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱
性などの改質を目的として、必要に応じ、前記(メタ)
アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステ
ルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含
んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例え
ば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メ
タ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリ
レート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン
酸などのカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン
酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー;(メタ)
アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸
2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒド
ロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキ
シル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、
(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)
アクリル酸12−ヒドロキシラウリル、(4−ヒドロキ
シメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレート
などのヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン
酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−
2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミ
ドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリ
レート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホ
ン酸などのスルホン酸基含有モノマー;2−ヒドロキシ
エチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モ
ノマー;アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげ
られる。これら共重合可能なモノマー成分は、1種又は
2種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使
用量は、全モノマー成分の50重量%以下が好ましい。
性などの改質を目的として、必要に応じ、前記(メタ)
アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステ
ルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含
んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例え
ば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メ
タ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリ
レート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン
酸などのカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン
酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー;(メタ)
アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸
2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒド
ロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキ
シル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、
(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)
アクリル酸12−ヒドロキシラウリル、(4−ヒドロキ
シメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレート
などのヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン
酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−
2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミ
ドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリ
レート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホ
ン酸などのスルホン酸基含有モノマー;2−ヒドロキシ
エチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モ
ノマー;アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげ
られる。これら共重合可能なモノマー成分は、1種又は
2種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使
用量は、全モノマー成分の50重量%以下が好ましい。
【0015】さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋
させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共
重合用モノマー成分として含むことができる。このよう
な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオール
ジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコール
ジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコー
ルジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ
(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メ
タ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メ
タ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)
アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)
アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエ
ステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリ
レートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも
1種又は2種以上用いることができる。多官能性モノマ
ーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の
30重量%以下が好ましい。
させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共
重合用モノマー成分として含むことができる。このよう
な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオール
ジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコール
ジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコー
ルジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ
(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メ
タ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メ
タ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)
アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)
アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエ
ステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリ
レートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも
1種又は2種以上用いることができる。多官能性モノマ
ーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の
30重量%以下が好ましい。
【0016】前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー
又は2種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより
得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸
濁重合等の何れの方式で行うこともできる。アクリル系
ポリマーは前記被着体への汚染防止等の点から、低分子
量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、ア
クリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは30万
以上、さらに好ましくは40万〜300万程度である。
又は2種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより
得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸
濁重合等の何れの方式で行うこともできる。アクリル系
ポリマーは前記被着体への汚染防止等の点から、低分子
量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、ア
クリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは30万
以上、さらに好ましくは40万〜300万程度である。
【0017】前記粘着剤には、ベースポリマーであるア
クリル系ポリマー等の分子量を高めるため、架橋剤を適
宜に加えることもできる。架橋剤としては、ポリイソシ
アネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、
メラミン樹脂、尿素樹脂、無水化合物、ポリアミン、カ
ルボキシル基含有ポリマー、過酸化物などがあげられ
る。架橋剤を使用する場合、その使用量は引き剥がし粘
着力が下がり過ぎないことを考慮し、一般的には、上記
ベースポリマー100重量部に対して、0.01〜5重
量部程度配合するのが好ましい。また粘着剤層を形成す
る粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公
知の各種の粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、老化防止
剤、着色剤等の慣用の添加剤を含有させることができ
る。
クリル系ポリマー等の分子量を高めるため、架橋剤を適
宜に加えることもできる。架橋剤としては、ポリイソシ
アネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、
メラミン樹脂、尿素樹脂、無水化合物、ポリアミン、カ
ルボキシル基含有ポリマー、過酸化物などがあげられ
る。架橋剤を使用する場合、その使用量は引き剥がし粘
着力が下がり過ぎないことを考慮し、一般的には、上記
ベースポリマー100重量部に対して、0.01〜5重
量部程度配合するのが好ましい。また粘着剤層を形成す
る粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公
知の各種の粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、老化防止
剤、着色剤等の慣用の添加剤を含有させることができ
る。
【0018】粘着剤は、剥離性を向上させるため、紫外
線、電子線等により硬化する放射線硬化型粘着剤とする
ことが好ましい。なお、粘着剤として放射線硬化型粘着
剤を用いる場合には、粘着剤層に放射線が照射されるた
め、前記基材フィルムは十分な放射線透過性を有するも
のが好ましい。
線、電子線等により硬化する放射線硬化型粘着剤とする
ことが好ましい。なお、粘着剤として放射線硬化型粘着
剤を用いる場合には、粘着剤層に放射線が照射されるた
め、前記基材フィルムは十分な放射線透過性を有するも
のが好ましい。
【0019】放射線硬化型粘着剤としては、炭素−炭素
二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性
を示すものを特に制限なく使用することができる。放射
線硬化型粘着剤としては、例えば、前述のアクリル系ポ
リマーに、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成
分を配合した放射線硬化性粘着剤を例示できる。
二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性
を示すものを特に制限なく使用することができる。放射
線硬化型粘着剤としては、例えば、前述のアクリル系ポ
リマーに、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成
分を配合した放射線硬化性粘着剤を例示できる。
【0020】アクリル系ポリマー等のベースポリマーに
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、たとえ
ば、ウレタンオリゴマー、ウレタン(メタ)アクリレー
ト、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、
ペンタエリストールテトラ(メタ)アクリレート、ジペ
ンタエリストールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリ
レート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリ
レート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレー
トなどがあげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成
分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポ
リカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴ
マーがあげられ、その分子量が100〜30000程度
の範囲のものが適当である。
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、たとえ
ば、ウレタンオリゴマー、ウレタン(メタ)アクリレー
ト、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、
ペンタエリストールテトラ(メタ)アクリレート、ジペ
ンタエリストールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリ
レート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリ
レート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレー
トなどがあげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成
分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポ
リカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴ
マーがあげられ、その分子量が100〜30000程度
の範囲のものが適当である。
【0021】放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー
成分の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー
等のベースポリマー100重量部に対して、例えば5〜
500重量部程度、好ましくは70〜150重量部程度
である。
成分の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー
等のベースポリマー100重量部に対して、例えば5〜
500重量部程度、好ましくは70〜150重量部程度
である。
【0022】また、放射線硬化型粘着剤としては、上記
説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベース
ポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖ま
たは主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在
型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線
硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を
含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時
的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することな
く、安定した層構造の粘着剤層を形成することができ
る。
説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベース
ポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖ま
たは主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在
型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線
硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を
含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時
的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することな
く、安定した層構造の粘着剤層を形成することができ
る。
【0023】前記炭素−炭素二重結合を有するベースポ
リマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有
するものを特に制限なく使用できる。このようなベース
ポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とす
るものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格とし
ては、前記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。
リマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有
するものを特に制限なく使用できる。このようなベース
ポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とす
るものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格とし
ては、前記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。
【0024】前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二
重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用で
きるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入する
のが分子設計が容易である。たとえば、予め、アクリル
系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、
この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結
合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化
性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげ
られる。
重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用で
きるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入する
のが分子設計が容易である。たとえば、予め、アクリル
系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、
この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結
合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化
性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげ
られる。
【0025】これら官能基の組合せの例としては、カル
ボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、
ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。
これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さか
ら、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好
適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上
記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生
成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリ
マーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記
の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒド
ロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有
する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合
を有するイソシアネート化合物としては、たとえば、メ
タクリロイルイソシアネート、2−メタクリロイルオキ
シエチルイソシアネート、m−イソプロペニル−α,α
−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。
また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロ
キシ基含有モノマーや2−ヒドロキシエチルビニルエー
テル、4−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレ
ングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物な
どを共重合したものが用いられる。ベースポリマー中の
炭素−炭素二重結合の量は、粘着剤の保存性を考慮する
と、JIS K−0070によるヨウ素価で30以下、
さらにはヨウ素価0.5〜20とするのが好ましい。
ボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、
ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。
これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さか
ら、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好
適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上
記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生
成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリ
マーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記
の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒド
ロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有
する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合
を有するイソシアネート化合物としては、たとえば、メ
タクリロイルイソシアネート、2−メタクリロイルオキ
シエチルイソシアネート、m−イソプロペニル−α,α
−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。
また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロ
キシ基含有モノマーや2−ヒドロキシエチルビニルエー
テル、4−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレ
ングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物な
どを共重合したものが用いられる。ベースポリマー中の
炭素−炭素二重結合の量は、粘着剤の保存性を考慮する
と、JIS K−0070によるヨウ素価で30以下、
さらにはヨウ素価0.5〜20とするのが好ましい。
【0026】前記内在型の放射線硬化性粘着剤は、前記
炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー(特にアク
リル系ポリマー)を単独で使用することができるが、特
性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成
分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬
化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー100
重量部に対して30重量部の範囲内であり、好ましくは
0〜10重量部の範囲である。
炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー(特にアク
リル系ポリマー)を単独で使用することができるが、特
性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成
分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬
化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー100
重量部に対して30重量部の範囲内であり、好ましくは
0〜10重量部の範囲である。
【0027】前記放射線硬化型粘着剤には、粘着剤層を
紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有
させる。光重合開始剤としては、例えば、4−(2−ヒ
ドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プ
ロピル)ケトン、α−ヒドロキシ−α,α´−ジメチル
アセトフェノン、2−メチル−2−ヒドロキシプロピオ
フェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケト
ンなどのα−ケトール系化合物;メトキシアセトフェノ
ン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフエノ
ン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−
1−[4−(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリ
ノプロパン−1などのアセトフェノン系化合物;べンゾ
インエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテ
ル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテ
ル系化合物;ベンジルジメチルケタールなどのケタール
系化合物;2−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳
香族スルホニルクロリド系化合物;1−フェノン−1,
1―プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)
オキシムなどの光活性オキシム系化合物;ベンゾフェノ
ン、ベンゾイル安息香酸、3,3′−ジメチル−4−メ
トキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物;
チオキサンソン、2−クロロチオキサンソン、2−メチ
ルチオキサンソン、2,4−ジメチルチオキサンソン、
イソプロピルチオキサンソン、2,4−ジクロロチオキ
サンソン、2,4−ジエチルチオキサンソン、2,4−
ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系
化合物;カンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシル
ホスフィノキシド;アシルホスフォナートなどがあげら
れる。
紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有
させる。光重合開始剤としては、例えば、4−(2−ヒ
ドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プ
ロピル)ケトン、α−ヒドロキシ−α,α´−ジメチル
アセトフェノン、2−メチル−2−ヒドロキシプロピオ
フェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケト
ンなどのα−ケトール系化合物;メトキシアセトフェノ
ン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフエノ
ン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−
1−[4−(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリ
ノプロパン−1などのアセトフェノン系化合物;べンゾ
インエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテ
ル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテ
ル系化合物;ベンジルジメチルケタールなどのケタール
系化合物;2−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳
香族スルホニルクロリド系化合物;1−フェノン−1,
1―プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)
オキシムなどの光活性オキシム系化合物;ベンゾフェノ
ン、ベンゾイル安息香酸、3,3′−ジメチル−4−メ
トキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物;
チオキサンソン、2−クロロチオキサンソン、2−メチ
ルチオキサンソン、2,4−ジメチルチオキサンソン、
イソプロピルチオキサンソン、2,4−ジクロロチオキ
サンソン、2,4−ジエチルチオキサンソン、2,4−
ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系
化合物;カンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシル
ホスフィノキシド;アシルホスフォナートなどがあげら
れる。
【0028】光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成す
るアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部
に対して、反応性を考慮すると0.1重量部以上、さら
には0.5重量部以上とするのが好ましい。また、多く
なると粘着剤の保存性が低下する傾向があるため、15
重量部以下、さらには5重量部以下とするのが好まし
い。
るアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部
に対して、反応性を考慮すると0.1重量部以上、さら
には0.5重量部以上とするのが好ましい。また、多く
なると粘着剤の保存性が低下する傾向があるため、15
重量部以下、さらには5重量部以下とするのが好まし
い。
【0029】本発明の半導体ウエハ保護用粘着シート
は、例えば、基材フィルム11の表面に、粘着剤溶液を
塗布し、乾燥させて(必要に応じて加熱架橋させて)粘
着剤層12を形成し、必要に応じてこの粘着剤層12の
表面にセパレータ13を貼り合わせることにより製造で
きる。また、別途、剥離ライナー13に粘着剤層12を
形成した後、それらを基材フィルム11に貼り合せる方
法、等を採用することができる。
は、例えば、基材フィルム11の表面に、粘着剤溶液を
塗布し、乾燥させて(必要に応じて加熱架橋させて)粘
着剤層12を形成し、必要に応じてこの粘着剤層12の
表面にセパレータ13を貼り合わせることにより製造で
きる。また、別途、剥離ライナー13に粘着剤層12を
形成した後、それらを基材フィルム11に貼り合せる方
法、等を採用することができる。
【0030】粘着剤層12の乾燥後の厚みは、適宜に選
定することができるが、通常1〜300μm程度、好ま
しくは5〜200μm、さらに好ましくは5〜100μ
mである。
定することができるが、通常1〜300μm程度、好ま
しくは5〜200μm、さらに好ましくは5〜100μ
mである。
【0031】セパレータ13は、ラベル加工のためまた
は粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設け
られる。セパレータの構成材料としては、紙、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等
の合成樹脂フィルム等が挙げられる。セパレータの表面
には粘着剤層からの剥離性を高めるため、必要に応じて
シリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥
離処理が施されていてもよい。また、必要に応じて、粘
着シートが環境紫外線によって反応してしまわぬよう
に、紫外線透過防止処理等が施されていてもよい。セパ
レータの厚みは、通常10〜200μm、好ましくは2
5〜100μm程度である。
は粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設け
られる。セパレータの構成材料としては、紙、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等
の合成樹脂フィルム等が挙げられる。セパレータの表面
には粘着剤層からの剥離性を高めるため、必要に応じて
シリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥
離処理が施されていてもよい。また、必要に応じて、粘
着シートが環境紫外線によって反応してしまわぬよう
に、紫外線透過防止処理等が施されていてもよい。セパ
レータの厚みは、通常10〜200μm、好ましくは2
5〜100μm程度である。
【0032】本発明の半導体ウエハ保護用粘着シート
は、半導体ウエハへ貼り付けられるが、その粘着力は、
半導体ウエハの固定保持力や形成したチップの回収性な
どの点より適宜に決定される。たとえば、粘着剤層のシ
リコンウエハに対する常温(23℃)での粘着力(18
0度ピール値、剥離速度300mm/分)に基づいて、
20N/20mm以下、好ましくは0.001〜10N
/20mm、さらに好ましくは0.01〜8N/20m
mである。
は、半導体ウエハへ貼り付けられるが、その粘着力は、
半導体ウエハの固定保持力や形成したチップの回収性な
どの点より適宜に決定される。たとえば、粘着剤層のシ
リコンウエハに対する常温(23℃)での粘着力(18
0度ピール値、剥離速度300mm/分)に基づいて、
20N/20mm以下、好ましくは0.001〜10N
/20mm、さらに好ましくは0.01〜8N/20m
mである。
【0033】本発明の半導体ウエハ保護用粘着シートの
形状は、用途に応じた形状のものを使用できる。たとえ
ば、半導体ウエハの研削用途に用いる場合には、予め半
導体ウエハと同形状に切断されたものが好適に用いられ
る。
形状は、用途に応じた形状のものを使用できる。たとえ
ば、半導体ウエハの研削用途に用いる場合には、予め半
導体ウエハと同形状に切断されたものが好適に用いられ
る。
【0034】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。
【0035】実施例1
(基材フィルム)基材フィルムとして、厚み50μmの
ポリイミドフィルム(アピカル50HP,鐘淵化学工業
(株)製;加熱収縮率 MD:0.06%,TD:0.
02%;熱膨張係数 MD:11ppm/℃,TD:1
1ppm/℃)を使用した。
ポリイミドフィルム(アピカル50HP,鐘淵化学工業
(株)製;加熱収縮率 MD:0.06%,TD:0.
02%;熱膨張係数 MD:11ppm/℃,TD:1
1ppm/℃)を使用した。
【0036】なお、加熱収縮率は、20mm×150m
mの大きさのフィルム(加熱処理前の寸法)を、200
℃のオーブン中に、2時間置いて加熱処理した後、常温
(23℃)で放置して常温になったフィルム(加熱処理
後の寸法)から、下記式により求めた値である。測定
は、MD測定では、MD150mm/TD20mm、T
D測定では、MD20mm/TD150mmとし、測定
方向を長くして測定した。加熱収縮率(%)={(加熱
処理前の寸法−加熱処理後の寸法)/加熱処理前の寸
法}×100により求められた値である。
mの大きさのフィルム(加熱処理前の寸法)を、200
℃のオーブン中に、2時間置いて加熱処理した後、常温
(23℃)で放置して常温になったフィルム(加熱処理
後の寸法)から、下記式により求めた値である。測定
は、MD測定では、MD150mm/TD20mm、T
D測定では、MD20mm/TD150mmとし、測定
方向を長くして測定した。加熱収縮率(%)={(加熱
処理前の寸法−加熱処理後の寸法)/加熱処理前の寸
法}×100により求められた値である。
【0037】また、熱膨張係数は、幅3mmの短冊状に
切断したフィルムをTMA(熱機器分析)により測定し
た値である。荷重:19.6mN(2g)、昇温速度:
5℃/min、測定方法:引張り法。
切断したフィルムをTMA(熱機器分析)により測定し
た値である。荷重:19.6mN(2g)、昇温速度:
5℃/min、測定方法:引張り法。
【0038】(粘着剤の調製)酢酸エチル中で、メチル
アクリレート(70部)、2−エチルヘキシルアクリレ
ート(30部)、アクリル酸(10部)を重合して、2
5重量%濃度のアクリル酸エステル共重合体(ベースポ
リマー)を調製した。この溶液100部(固形分)に対
し、ウレタンアクリレート(日本合成化学(株)製,商
品名UV−1700B)100部、イソソシアネート系
架橋剤(日本ポリウレタン工業(株)製,商品名コロネ
ートL)1部および光重合開始剤(チバスペシャルティ
ケミカルズ(株)製,イルガキュア184)1部を配合
し、粘着剤溶液を調製した。
アクリレート(70部)、2−エチルヘキシルアクリレ
ート(30部)、アクリル酸(10部)を重合して、2
5重量%濃度のアクリル酸エステル共重合体(ベースポ
リマー)を調製した。この溶液100部(固形分)に対
し、ウレタンアクリレート(日本合成化学(株)製,商
品名UV−1700B)100部、イソソシアネート系
架橋剤(日本ポリウレタン工業(株)製,商品名コロネ
ートL)1部および光重合開始剤(チバスペシャルティ
ケミカルズ(株)製,イルガキュア184)1部を配合
し、粘着剤溶液を調製した。
【0039】(粘着シートの作製)上記で調整した粘着
剤溶液を、離型処理されたフィルム上に塗布し、80℃
で10分間加熱架橋して、厚さ30μmの放射線硬化型
粘着剤層を形成した。これを基材フィルムに転写して、
半導体ウエハ保護用粘着シートを作製した。
剤溶液を、離型処理されたフィルム上に塗布し、80℃
で10分間加熱架橋して、厚さ30μmの放射線硬化型
粘着剤層を形成した。これを基材フィルムに転写して、
半導体ウエハ保護用粘着シートを作製した。
【0040】実施例2
実施例1において、基材フィルムとして、厚み50μm
のポリイミドフィルム(カプトン200EN,東レ・デ
ュポン(株)製;加熱収縮率 MD:0.02%,T
D:0.01%; 熱膨張係数 MD:16ppm/℃,
TD:15ppm/℃)を使用したこと以外は、実施例
1と同様にして半導体ウエハ保護用粘着シートを作製し
た。
のポリイミドフィルム(カプトン200EN,東レ・デ
ュポン(株)製;加熱収縮率 MD:0.02%,T
D:0.01%; 熱膨張係数 MD:16ppm/℃,
TD:15ppm/℃)を使用したこと以外は、実施例
1と同様にして半導体ウエハ保護用粘着シートを作製し
た。
【0041】実施例3
実施例1において、基材フィルムとして、厚み100μ
mのポリエーテルイミドフィルム(スペルオ,三菱樹脂
(株)製;加熱収縮率 MD:0.20%,TD:0.
20%; 熱膨張係数 MD:40ppm/℃,TD:4
0ppm/℃)を使用したこと以外は、実施例1と同様
にして半導体ウエハ保護用粘着シートを作製した。
mのポリエーテルイミドフィルム(スペルオ,三菱樹脂
(株)製;加熱収縮率 MD:0.20%,TD:0.
20%; 熱膨張係数 MD:40ppm/℃,TD:4
0ppm/℃)を使用したこと以外は、実施例1と同様
にして半導体ウエハ保護用粘着シートを作製した。
【0042】実施例4
実施例1において、基材フィルムとして、厚み75μm
のポリイミドフィルム(ユーピレックス75S,宇部興
産(株)製;加熱収縮率 MD:0.01%,TD:
0.01%; 熱膨張係数 MD:20ppm/℃,T
D:20ppm/℃)を使用したこと以外は、実施例1
と同様にして半導体ウエハ保護用粘着シートを作製し
た。
のポリイミドフィルム(ユーピレックス75S,宇部興
産(株)製;加熱収縮率 MD:0.01%,TD:
0.01%; 熱膨張係数 MD:20ppm/℃,T
D:20ppm/℃)を使用したこと以外は、実施例1
と同様にして半導体ウエハ保護用粘着シートを作製し
た。
【0043】比較例1
実施例1において、基材フィルムとして、厚み50μm
のポリエチレンテレフタレートフィルム(ルミラー,東
レ(株)製;加熱収縮率 MD:2.0%,TD:2.
0%; 熱膨張係数 MD:15ppm/℃,TD:15
ppm/℃)を使用したこと以外は、実施例1と同様に
して半導体ウエハ保護用粘着シートを作製した。
のポリエチレンテレフタレートフィルム(ルミラー,東
レ(株)製;加熱収縮率 MD:2.0%,TD:2.
0%; 熱膨張係数 MD:15ppm/℃,TD:15
ppm/℃)を使用したこと以外は、実施例1と同様に
して半導体ウエハ保護用粘着シートを作製した。
【0044】比較例2
実施例1において、基材フィルムとして、厚み50μm
のポリエチレンナフタレートフィルム(テオネックスQ
83,帝人(株)製;加熱収縮率 MD:2.0%,T
D:1.0%; 熱膨張係数 MD:13ppm/℃,T
D:13ppm/℃)を使用したこと以外は、実施例1
と同様にして半導体ウエハ保護用粘着シートを作製し
た。
のポリエチレンナフタレートフィルム(テオネックスQ
83,帝人(株)製;加熱収縮率 MD:2.0%,T
D:1.0%; 熱膨張係数 MD:13ppm/℃,T
D:13ppm/℃)を使用したこと以外は、実施例1
と同様にして半導体ウエハ保護用粘着シートを作製し
た。
【0045】比較例3
実施例1において、基材フィルムとして、厚み75μm
の二軸延伸ポリフェニレンサルファイドフィルム(トレ
リナ3030,東レ(株)製;加熱収縮率 MD:1.
8%,TD:1.7%; 熱膨張係数 MD:30ppm
/℃,TD:31ppm/℃)を使用したこと以外は、
実施例1と同様にして半導体ウエハ保護用粘着シートを
作製した。
の二軸延伸ポリフェニレンサルファイドフィルム(トレ
リナ3030,東レ(株)製;加熱収縮率 MD:1.
8%,TD:1.7%; 熱膨張係数 MD:30ppm
/℃,TD:31ppm/℃)を使用したこと以外は、
実施例1と同様にして半導体ウエハ保護用粘着シートを
作製した。
【0046】実施例および比較例で得られた半導体ウエ
ハ保護用粘着シートを以下の評価試験に供した。
ハ保護用粘着シートを以下の評価試験に供した。
【0047】(半導体ウエハの研削)半導体ウエハ保護
用粘着シートを、半導体ウエハ(8インチ,750μ
m)の表面に、ウエハの貼り合せ装置:日東精機(株)
製DR−8500IIにて貼付した後、バックグラインド
装置:(株)ディスコ製DFG−840へ供給し、10
0μmになるまで研削した。
用粘着シートを、半導体ウエハ(8インチ,750μ
m)の表面に、ウエハの貼り合せ装置:日東精機(株)
製DR−8500IIにて貼付した後、バックグラインド
装置:(株)ディスコ製DFG−840へ供給し、10
0μmになるまで研削した。
【0048】(半導体ウエハの反り)上記研削され、か
つ保護用粘着シートが貼付されている半導体ウエハを、
保護用粘着シート側を下にした状態で、200℃のホッ
トプレート上に1分間保持した。その後、これを、図2
のように平板上に、保護用粘着シート側を上にした状態
で置き、平板と半導体ウエハが変形した高さ(反り:m
m)をマイクロスコープにより計測した。結果を表1に
示す。
つ保護用粘着シートが貼付されている半導体ウエハを、
保護用粘着シート側を下にした状態で、200℃のホッ
トプレート上に1分間保持した。その後、これを、図2
のように平板上に、保護用粘着シート側を上にした状態
で置き、平板と半導体ウエハが変形した高さ(反り:m
m)をマイクロスコープにより計測した。結果を表1に
示す。
【0049】(各工程での破損確認)上記研削され、か
つ保護用粘着シートが貼付されている半導体ウエハ(5
0枚)について、各種の熱処理工程を施す代わりに、こ
れらをカセットに収納した状態で、200℃の乾燥機内
に投入し、約10分間放置した。このときの半導体ウエ
ハの破損数を加熱中の破損数とした。半導体ウエハの剥
離装置:日東精機(株)製HRー8500IIにて、半導
体ウエハから保護用粘着シートを剥離した。このときに
半導体ウエハの破損数を剥離中の破損数とした。また、
上記工程内の装置などでの半導体ウエハの受け渡し時の
ウエハの破損数を搬送中の破損数とした。結果を表1に
示す。
つ保護用粘着シートが貼付されている半導体ウエハ(5
0枚)について、各種の熱処理工程を施す代わりに、こ
れらをカセットに収納した状態で、200℃の乾燥機内
に投入し、約10分間放置した。このときの半導体ウエ
ハの破損数を加熱中の破損数とした。半導体ウエハの剥
離装置:日東精機(株)製HRー8500IIにて、半導
体ウエハから保護用粘着シートを剥離した。このときに
半導体ウエハの破損数を剥離中の破損数とした。また、
上記工程内の装置などでの半導体ウエハの受け渡し時の
ウエハの破損数を搬送中の破損数とした。結果を表1に
示す。
【0050】
【表1】
【図1】半導体ウエハ保護用粘着シートの断面図であ
る。
る。
【図2】半導体ウエハの反りを示す概念図である。
【符号の説明】
1 半導体ウエハ保護用粘着シート
11 基材フィルム
12 粘着剤層
13 セパレータ
2 半導体ウエハ
フロントページの続き
Fターム(参考) 4J004 AA01 AA05 AA08 AA10 AA11
AB01 AB06 CA06 CA08 CC02
DA02 DA04 DA05 DB02 EA01
EA06 FA04 FA05
4J040 CA001 DD051 DF031 EB102
EB122 EC002 EF282 EK001
FA131 FA231 FA271 FA281
FA291 GA05 GA07 GA25
GA26 HB18 HB22 HB41 HC01
HC16 HC20 HD19 HD21 JA09
JB07 JB09 KA13 KA16 LA06
LA08 MA04 MA10 MB03 NA20
PA20 PA23 PA32 PA33
Claims (2)
- 【請求項1】 基材フィルム上に粘着剤層が設けられた
半導体ウエハ保護用粘着シートであって、前記基材フィ
ルムは、200℃の条件下に2時間置いた場合の加熱収
縮率が0.5%以下であることを特徴とする半導体ウエ
ハ保護用粘着シート。 - 【請求項2】 粘着剤層が放射線硬化型粘着剤により形
成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体ウ
エハ保護用粘着シート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001337872A JP2003138228A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 半導体ウエハ保護用粘着シート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001337872A JP2003138228A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 半導体ウエハ保護用粘着シート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003138228A true JP2003138228A (ja) | 2003-05-14 |
Family
ID=19152446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001337872A Pending JP2003138228A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 半導体ウエハ保護用粘着シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003138228A (ja) |
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- 2001-11-02 JP JP2001337872A patent/JP2003138228A/ja active Pending
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060302 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060711 |