JP2003142803A - 金属転写板の製造方法ならびにそれを用いた多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
金属転写板の製造方法ならびにそれを用いた多層プリント配線板の製造方法Info
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- JP2003142803A JP2003142803A JP2001340281A JP2001340281A JP2003142803A JP 2003142803 A JP2003142803 A JP 2003142803A JP 2001340281 A JP2001340281 A JP 2001340281A JP 2001340281 A JP2001340281 A JP 2001340281A JP 2003142803 A JP2003142803 A JP 2003142803A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】最後のソフトエッチング工程では銅配線パター
ンに強いダメージを与え、しかも銅配線パターン間の不
要となった下地銅層を完全に除去できず、線間絶縁信頼
性が低かったという問題を解決多層プリント配線板を提
供する。 【解決手段】凹状パターン以外の部分が絶縁層に覆われ
ている転写板の凹状パターンの中にめっき被膜を形成す
るめっきの転写工程によって銅配線パターン等を形成す
るパターン形成工程と２層目の絶縁基板の張付工程と第
２の転写工程とビア形成工程とを所要回数繰り返すこと
を特徴とする多層プリント配線板の製造方法を提供す
る。
ンに強いダメージを与え、しかも銅配線パターン間の不
要となった下地銅層を完全に除去できず、線間絶縁信頼
性が低かったという問題を解決多層プリント配線板を提
供する。 【解決手段】凹状パターン以外の部分が絶縁層に覆われ
ている転写板の凹状パターンの中にめっき被膜を形成す
るめっきの転写工程によって銅配線パターン等を形成す
るパターン形成工程と２層目の絶縁基板の張付工程と第
２の転写工程とビア形成工程とを所要回数繰り返すこと
を特徴とする多層プリント配線板の製造方法を提供す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基板上に転写
法により多層プリント配線板の製造方法に関する。
法により多層プリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロニクス分野の発展は著
しく、電子機器の小型化、高密度実装化及び高性能化
（高速化）に伴い、配線板自体の高密度化、即ち導体パ
ターンの微細化、高信頼化が求められている。
しく、電子機器の小型化、高密度実装化及び高性能化
（高速化）に伴い、配線板自体の高密度化、即ち導体パ
ターンの微細化、高信頼化が求められている。
【０００３】絶縁基板上に銅配線パターンを形成するに
は、サブトラクティブ法が一般に使用されている。しか
し、銅配線パターンが微細化になるとサブトラクティブ
法は対応できなくなる問題があった。
は、サブトラクティブ法が一般に使用されている。しか
し、銅配線パターンが微細化になるとサブトラクティブ
法は対応できなくなる問題があった。
【０００４】微細な銅配線パターンを形成する有効な手
段としては、セミアディティブ法が用いられる。先ず絶
縁性基板上に電気めっき導通用の薄い下地銅層を形成
し、次いで前記下地銅層の表面にめっき用のフォトレジ
ストマスクパターンを形成する。次に電解めっき法でマ
スクパターンの露出した部分に銅めっき被膜を形成し、
マスクパターンを剥離する。最後に、ソフトエッチング
で下地銅層の不要となった部分を除去することによって
銅配線パターンを形成する。しかし、銅配線パターンが
微細化になってくると最後の下地銅層を除去するための
ソフトエッチング工程では銅配線パターンが更に細くな
るため、断線したり、剥がれたりすることが発生してし
まい、また銅配線パターンの間の幅が狭くなると不要と
なった下地銅層を完全に除去するには困難になり、その
ため銅配線パターン間の絶縁信頼性が低下するなどの問
題があった。
段としては、セミアディティブ法が用いられる。先ず絶
縁性基板上に電気めっき導通用の薄い下地銅層を形成
し、次いで前記下地銅層の表面にめっき用のフォトレジ
ストマスクパターンを形成する。次に電解めっき法でマ
スクパターンの露出した部分に銅めっき被膜を形成し、
マスクパターンを剥離する。最後に、ソフトエッチング
で下地銅層の不要となった部分を除去することによって
銅配線パターンを形成する。しかし、銅配線パターンが
微細化になってくると最後の下地銅層を除去するための
ソフトエッチング工程では銅配線パターンが更に細くな
るため、断線したり、剥がれたりすることが発生してし
まい、また銅配線パターンの間の幅が狭くなると不要と
なった下地銅層を完全に除去するには困難になり、その
ため銅配線パターン間の絶縁信頼性が低下するなどの問
題があった。
【０００５】更に、セミアディティブ法で銅配線パター
ンを形成する時にソフトエッチング時に銅配線パターン
へのダメージを軽減するために、下地銅層を薄くする必
要がある。しかし下地銅層が薄くなると、下地銅層の厚
みのばらつきが生じると同時に抵抗が高くなるので、銅
配線パターンのばらつきが大きくなる問題もあった。
ンを形成する時にソフトエッチング時に銅配線パターン
へのダメージを軽減するために、下地銅層を薄くする必
要がある。しかし下地銅層が薄くなると、下地銅層の厚
みのばらつきが生じると同時に抵抗が高くなるので、銅
配線パターンのばらつきが大きくなる問題もあった。
【０００６】また、別の方法として、無電解めっき法を
含む工程で微細な銅配線パターンを形成することができ
る。先ず、粗化したポリイミド表面に無電解銅めっき用
の触媒を付与した後にめっき用のマスクパターンを形成
してから、無電解めっきでマスクパターンの露出した部
分に銅めっき被膜を形成する。又は先ず無電解めっきで
マスクパターンの露出した部分に１〜５ミクロンの被膜
を形成してから更に電解めっきを施して、銅めっき被膜
を形成する。最後にめっき用のマスクパターンを剥離し
て、銅配線パターンを形成することができる。しかしこ
の方法を用いると最も問題になるのは銅配線パターン間
のポリイミド表面に残っている触媒である。現在多く使
用されている触媒としてはＰｄ−Ｓｎコロイドが上げら
れる。しかし、パラジウムの耐食性が強く、通常のエッ
チング処理ではポリイミド表面に付着したパラジウムを
除去することは困難であり、結局残留のパラジウムは銅
配線パターン間の絶縁性を悪くしてしまう問題があっ
た。
含む工程で微細な銅配線パターンを形成することができ
る。先ず、粗化したポリイミド表面に無電解銅めっき用
の触媒を付与した後にめっき用のマスクパターンを形成
してから、無電解めっきでマスクパターンの露出した部
分に銅めっき被膜を形成する。又は先ず無電解めっきで
マスクパターンの露出した部分に１〜５ミクロンの被膜
を形成してから更に電解めっきを施して、銅めっき被膜
を形成する。最後にめっき用のマスクパターンを剥離し
て、銅配線パターンを形成することができる。しかしこ
の方法を用いると最も問題になるのは銅配線パターン間
のポリイミド表面に残っている触媒である。現在多く使
用されている触媒としてはＰｄ−Ｓｎコロイドが上げら
れる。しかし、パラジウムの耐食性が強く、通常のエッ
チング処理ではポリイミド表面に付着したパラジウムを
除去することは困難であり、結局残留のパラジウムは銅
配線パターン間の絶縁性を悪くしてしまう問題があっ
た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の解決しようと
する課題は、サブトラクティブ法で微細な銅配線パター
ンを形成しにくいことと、セミアディティブ法で微細な
銅配線パターンを形成することができるが、最後のソフ
トエッチング工程では銅配線パターンに強いダメージを
与え、しかも銅配線パターン間の不要となった下地銅層
を完全に除去できず、線間絶縁信頼性が低かった。これ
らの問題を解決することによって、微細且つ絶縁信頼性
の高い銅配線パターンを有する多層プリント配線板を提
供することができる。
する課題は、サブトラクティブ法で微細な銅配線パター
ンを形成しにくいことと、セミアディティブ法で微細な
銅配線パターンを形成することができるが、最後のソフ
トエッチング工程では銅配線パターンに強いダメージを
与え、しかも銅配線パターン間の不要となった下地銅層
を完全に除去できず、線間絶縁信頼性が低かった。これ
らの問題を解決することによって、微細且つ絶縁信頼性
の高い銅配線パターンを有する多層プリント配線板を提
供することができる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１として、金属板
上にフォトレジストマスクパターン形成する凹状パター
ン用レジスト形成工程と、金属板の表面にエッチングで
銅配線パターンを形成するための凹状パターンを形成す
る凹状パターン形成工程と、フォトレジストマスクパタ
ーンを剥離する凹状パターン用レジスト剥離工程と、金
属板の表面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、金属
板の表面の凹状パターン表面の絶縁層を除去するための
フォトレジストマスクパターンを形成する絶縁層用レジ
スト形成工程と、エッチングで金属板の表面の凹状パタ
ーン表面の絶縁層を除去する絶縁層除去工程と、フォト
レジストマスクパターンを剥離する絶縁層用レジスト剥
離工程とによりなる、金属板の表面に銅配線パターン及
びビアランドめっき用凹状パターンを形成することを特
徴とする金属転写板の製造方法を提供するものである。
上にフォトレジストマスクパターン形成する凹状パター
ン用レジスト形成工程と、金属板の表面にエッチングで
銅配線パターンを形成するための凹状パターンを形成す
る凹状パターン形成工程と、フォトレジストマスクパタ
ーンを剥離する凹状パターン用レジスト剥離工程と、金
属板の表面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、金属
板の表面の凹状パターン表面の絶縁層を除去するための
フォトレジストマスクパターンを形成する絶縁層用レジ
スト形成工程と、エッチングで金属板の表面の凹状パタ
ーン表面の絶縁層を除去する絶縁層除去工程と、フォト
レジストマスクパターンを剥離する絶縁層用レジスト剥
離工程とによりなる、金属板の表面に銅配線パターン及
びビアランドめっき用凹状パターンを形成することを特
徴とする金属転写板の製造方法を提供するものである。
【０００９】請求項２として、絶縁基板上に転写法によ
り銅配線パターン及びビアランドを形成する多層プリン
ト配線板の製造方法において、凹状パターン以外の部分
が絶縁層に覆われている転写板の凹状パターンの中にめ
っき被膜を形成するめっき工程と、前記めっき被膜の露
出面を粗化する粗化工程と、絶縁基板上に転写する転写
工程とによって構成される所要の銅配線パターンとビア
ランドを形成するパターン形成工程と、前記銅配線パタ
ーンとビアランドを形成された絶縁基板上に２層目の絶
縁基板を接着剤を介して張り付ける張付工程と、前記２
層目の絶縁基板上に前記転写法で銅配線パターンとビア
ランドを形成する第２の転写工程と、レーザでビアを形
成するための穴を形成するビア形成工程と、ビアめっき
用フォトレジストマスクパターンを形成するレジスト形
成工程と、めっきでビアを形成するビア形成工程と、ビ
アめっき用フォトレジストマスクパターンを剥離するレ
ジスト剥離工程を、所要回数繰り返すことを特徴とする
多層プリント配線板の製造方法を提供するものである。
り銅配線パターン及びビアランドを形成する多層プリン
ト配線板の製造方法において、凹状パターン以外の部分
が絶縁層に覆われている転写板の凹状パターンの中にめ
っき被膜を形成するめっき工程と、前記めっき被膜の露
出面を粗化する粗化工程と、絶縁基板上に転写する転写
工程とによって構成される所要の銅配線パターンとビア
ランドを形成するパターン形成工程と、前記銅配線パタ
ーンとビアランドを形成された絶縁基板上に２層目の絶
縁基板を接着剤を介して張り付ける張付工程と、前記２
層目の絶縁基板上に前記転写法で銅配線パターンとビア
ランドを形成する第２の転写工程と、レーザでビアを形
成するための穴を形成するビア形成工程と、ビアめっき
用フォトレジストマスクパターンを形成するレジスト形
成工程と、めっきでビアを形成するビア形成工程と、ビ
アめっき用フォトレジストマスクパターンを剥離するレ
ジスト剥離工程を、所要回数繰り返すことを特徴とする
多層プリント配線板の製造方法を提供するものである。
【００１０】請求項３として、絶縁基板上に転写法によ
り銅配線パターン及びビアランドを形成する多層プリン
ト配線板の製造方法において、凹状パターン以外の部分
が絶縁層に覆われている転写板の凹状パターンの中にめ
っき被膜を形成するめっき工程と、前記めっき被膜の露
出面を粗化する粗化工程と、絶縁基板上に転写する転写
工程とによって構成される所要の銅配線パターンとビア
ランドを形成するパターン形成工程と、前記銅配線パタ
ーンとビアランドを形成された絶縁基板上にビアランド
の直上に穴を有する２層目の絶縁基板を接着剤を介して
張り付ける張付工程と、前記２層目の絶縁基板上に前記
転写法で銅配線パターンと中心部に穴を有するビアラン
ドを形成する第２の転写工程と、ビアめっき用フォトレ
ジストマスクパターンを形成するレジスト形成工程と、
めっきでビアを形成するビア形成工程と、ビアめっき用
フォトレジストマスクパターンを剥離するレジスト剥離
工程を、所要回数繰り返すことを特徴とする多層プリン
ト配線板の製造方法を提供するものである。
り銅配線パターン及びビアランドを形成する多層プリン
ト配線板の製造方法において、凹状パターン以外の部分
が絶縁層に覆われている転写板の凹状パターンの中にめ
っき被膜を形成するめっき工程と、前記めっき被膜の露
出面を粗化する粗化工程と、絶縁基板上に転写する転写
工程とによって構成される所要の銅配線パターンとビア
ランドを形成するパターン形成工程と、前記銅配線パタ
ーンとビアランドを形成された絶縁基板上にビアランド
の直上に穴を有する２層目の絶縁基板を接着剤を介して
張り付ける張付工程と、前記２層目の絶縁基板上に前記
転写法で銅配線パターンと中心部に穴を有するビアラン
ドを形成する第２の転写工程と、ビアめっき用フォトレ
ジストマスクパターンを形成するレジスト形成工程と、
めっきでビアを形成するビア形成工程と、ビアめっき用
フォトレジストマスクパターンを剥離するレジスト剥離
工程を、所要回数繰り返すことを特徴とする多層プリン
ト配線板の製造方法を提供するものである。
【００１１】請求項４としては、前記絶縁基板がポリイ
ミド、液晶ポリマから選ばれたものであることを特徴と
するプリント配線板の製造方法を提供するものである。
ミド、液晶ポリマから選ばれたものであることを特徴と
するプリント配線板の製造方法を提供するものである。
【００１２】請求項５としては、前記絶縁層がＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3から選ばれたものであることを特徴とす
る請求項２〜４に記載の多層プリント配線板の製造方法
を提供するものである。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3から選ばれたものであることを特徴とす
る請求項２〜４に記載の多層プリント配線板の製造方法
を提供するものである。
【００１３】請求項６として、前記絶縁層の厚みは０．
０１以上であることを特徴とする多層プリント配線板の
製造方法を提供するものである。
０１以上であることを特徴とする多層プリント配線板の
製造方法を提供するものである。
【００１４】請求項７としては、前記めっき法で金属表
面の凹状パターンの中に形成するめっき被膜の露出面に
対して粗化処理をし、その表面粗さＲｚは１μｍ以上で
あることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法を
提供するものである。
面の凹状パターンの中に形成するめっき被膜の露出面に
対して粗化処理をし、その表面粗さＲｚは１μｍ以上で
あることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法を
提供するものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図１〜５を使い製
造工程に従って詳細に説明を行う。なお、銅配線パター
ン及びビアランドを形成するための凹状パターンを形成
する場合（図１）、および銅配線パターン及び中心部に
穴を有するビアランドを形成するための凹状パターンを
形成する場合（図２）を併せて説明する。
造工程に従って詳細に説明を行う。なお、銅配線パター
ン及びビアランドを形成するための凹状パターンを形成
する場合（図１）、および銅配線パターン及び中心部に
穴を有するビアランドを形成するための凹状パターンを
形成する場合（図２）を併せて説明する。
【００１６】本発明は、まず、金属板であるステンレス
板の表面にエッチングにより銅配線パターンとビアラン
ドを形成するための凹状パターンを形成するためのフォ
トレジストマスクパターンを形成する（図１（１）、図
２（１））。金属板は、転写の容易性、価格等の関係上
ステンレスを用いたが、他の金属材料をもちいるもので
あっても構わない。
板の表面にエッチングにより銅配線パターンとビアラン
ドを形成するための凹状パターンを形成するためのフォ
トレジストマスクパターンを形成する（図１（１）、図
２（１））。金属板は、転写の容易性、価格等の関係上
ステンレスを用いたが、他の金属材料をもちいるもので
あっても構わない。
【００１７】次に、ＦｅＣｌ3をエッチング液として用
い、エッチングでステンレス板の表面に凹状パターンを
形成してから、剥離液でフォトレジストパターンを剥離
した（図１（２）、図２（２））。エッチング液は、金
属材料に応じて適宜選択可能である。また、フォトレジ
ストも金属材料に応じて適宜選択可能であり、エッチン
グ条件もフォトレジストと金属材料に応じて適宜選択可
能であり、剥離液や剥離条件もフォトレジストと金属材
料に応じて適宜選択可能である。凹状パターンの深さは
０．１〜１００μｍで、好ましいのは１５μｍである。
また、凹状パターンの幅は０．１〜５０μｍである。
い、エッチングでステンレス板の表面に凹状パターンを
形成してから、剥離液でフォトレジストパターンを剥離
した（図１（２）、図２（２））。エッチング液は、金
属材料に応じて適宜選択可能である。また、フォトレジ
ストも金属材料に応じて適宜選択可能であり、エッチン
グ条件もフォトレジストと金属材料に応じて適宜選択可
能であり、剥離液や剥離条件もフォトレジストと金属材
料に応じて適宜選択可能である。凹状パターンの深さは
０．１〜１００μｍで、好ましいのは１５μｍである。
また、凹状パターンの幅は０．１〜５０μｍである。
【００１８】図１（２）に示すのは銅配線パターン及び
ビアランドを形成するための凹状パターンである。図２
（２）に示すのは銅配線パターン及び中心部に穴を有す
るビアランドを形成するための凹状パターンである。
ビアランドを形成するための凹状パターンである。図２
（２）に示すのは銅配線パターン及び中心部に穴を有す
るビアランドを形成するための凹状パターンである。
【００１９】次に、スパッタリング法で凹状パターンを
形成したステンレス板の表面に絶縁層を形成する（（図
１（３）、図２（３）））。絶縁層の厚みは０．０１〜
５μｍで、好ましいのは１μｍである。０．０１μｍ以
下であると、層の形成が困難という問題点が発生する。
形成したステンレス板の表面に絶縁層を形成する（（図
１（３）、図２（３）））。絶縁層の厚みは０．０１〜
５μｍで、好ましいのは１μｍである。０．０１μｍ以
下であると、層の形成が困難という問題点が発生する。
【００２０】絶縁層としては、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等が
使用できる。この絶縁層の役割は後に行われるめっきの
時に凹状パターン以外の部分にめっき被膜を形成させな
いためである。ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3以外であっても、後
に行われるめっきの時に凹状パターン以外の部分にめっ
き被膜を形成させないものであれば他の材料も可能であ
る。
使用できる。この絶縁層の役割は後に行われるめっきの
時に凹状パターン以外の部分にめっき被膜を形成させな
いためである。ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3以外であっても、後
に行われるめっきの時に凹状パターン以外の部分にめっ
き被膜を形成させないものであれば他の材料も可能であ
る。
【００２１】次に、エッチングでステンレス板の表面の
凹状パターン内の絶縁層を除去するためのレジストマス
クパターンを形成する（図１（４）、図２（４））。
凹状パターン内の絶縁層を除去するためのレジストマス
クパターンを形成する（図１（４）、図２（４））。
【００２２】次に、エッチングでステンレス板の表面の
凹状パターン内の絶縁層を除去してから、剥離液でフォ
トレジストパターンを剥離することにより、銅配線パタ
ーン及びビアランド転写用のステンレス転写板を作製す
ることができる（図１（５）、図２（５））。エッチン
グ液は、金属材料に応じて適宜選択可能である。また、
フォトレジストも金属材料に応じて適宜選択可能であ
り、エッチング条件もフォトレジストと金属材料に応じ
て適宜選択可能であり、剥離液や剥離条件もフォトレジ
ストと金属材料に応じて適宜選択可能である。
凹状パターン内の絶縁層を除去してから、剥離液でフォ
トレジストパターンを剥離することにより、銅配線パタ
ーン及びビアランド転写用のステンレス転写板を作製す
ることができる（図１（５）、図２（５））。エッチン
グ液は、金属材料に応じて適宜選択可能である。また、
フォトレジストも金属材料に応じて適宜選択可能であ
り、エッチング条件もフォトレジストと金属材料に応じ
て適宜選択可能であり、剥離液や剥離条件もフォトレジ
ストと金属材料に応じて適宜選択可能である。
【００２３】図１（５）に示すのは銅配線パターン及び
ビアランドを転写するためのステンレス転写板（第一種
転写板）である。図２（５）に示すのは銅配線パターン
及び中心部に穴を有するビアランドを転写するためのス
テンレス転写板（第二種転写板）である。
ビアランドを転写するためのステンレス転写板（第一種
転写板）である。図２（５）に示すのは銅配線パターン
及び中心部に穴を有するビアランドを転写するためのス
テンレス転写板（第二種転写板）である。
【００２４】次に、第一種転写板を用い、電解銅めっき
を行う。この時、凹状パターン以外の部分が絶縁層に覆
われているため、めっき被膜が凹状パターンにしか形成
できないことになる。めっき被膜が１〜１０μｍの高さ
でオーバーに形成される（図３（１））。好ましいのは
５μｍである。この目的は後の転写工程でめっき被膜と
絶縁基板との密着性をよくするためである。
を行う。この時、凹状パターン以外の部分が絶縁層に覆
われているため、めっき被膜が凹状パターンにしか形成
できないことになる。めっき被膜が１〜１０μｍの高さ
でオーバーに形成される（図３（１））。好ましいのは
５μｍである。この目的は後の転写工程でめっき被膜と
絶縁基板との密着性をよくするためである。
【００２５】次に、前記凹状パターン内の銅めっき被膜
のオーバー部分を粗化する（図３（２））。その表面粗
さＲｚは１μｍ以上である。１μｍ未満であると、絶縁
基板との密着力が弱いという問題点が発生するからであ
る。
のオーバー部分を粗化する（図３（２））。その表面粗
さＲｚは１μｍ以上である。１μｍ未満であると、絶縁
基板との密着力が弱いという問題点が発生するからであ
る。
【００２６】本発明における粗化用の薬液としては、三
菱ガス化学株式会社製ＣＰＥ−９００や、旭電化工業株
式会社製テックＳＯ−Ｇなどがあるが好ましいが、これ
に限らない。
菱ガス化学株式会社製ＣＰＥ−９００や、旭電化工業株
式会社製テックＳＯ−Ｇなどがあるが好ましいが、これ
に限らない。
【００２７】次に、凹状パターン内の銅めっき被膜を絶
縁基板上に転写することによって、１層目の絶縁基板上
で１層目の銅配線パターンとビアランドを形成すること
ができる（図３（３））。また、絶縁基板と接触する銅
めっき被膜部分が粗化されたため、絶縁基板との接着力
が増強され、ピール強度を向上することができる。
縁基板上に転写することによって、１層目の絶縁基板上
で１層目の銅配線パターンとビアランドを形成すること
ができる（図３（３））。また、絶縁基板と接触する銅
めっき被膜部分が粗化されたため、絶縁基板との接着力
が増強され、ピール強度を向上することができる。
【００２８】本発明における絶縁基板としては、他の材
料でも良いが、ポリイミド、液晶ポリマ等が好ましい。
料でも良いが、ポリイミド、液晶ポリマ等が好ましい。
【００２９】次に、１層目の銅配線パターンとビアラン
ドの表面を必要に応じて粗化してから、１層目の銅配線
パターンとビアランドを形成した１層目の絶縁基板上に
２層目の絶縁基板を接着剤を介して、張り付ける（図３
（４））。粗化工程は、００２５、００２６と同様であ
る。接着剤は、絶縁基板どうし、絶縁基板と銅との接着
性等を考慮して適宜選択可能である。
ドの表面を必要に応じて粗化してから、１層目の銅配線
パターンとビアランドを形成した１層目の絶縁基板上に
２層目の絶縁基板を接着剤を介して、張り付ける（図３
（４））。粗化工程は、００２５、００２６と同様であ
る。接着剤は、絶縁基板どうし、絶縁基板と銅との接着
性等を考慮して適宜選択可能である。
【００３０】前記００２４〜００２７と同様の方法で２
層目の絶縁基板上に２層目の銅配線パターンとビアラン
ドを形成することができる（図３（５））。
層目の絶縁基板上に２層目の銅配線パターンとビアラン
ドを形成することができる（図３（５））。
【００３１】次に、レーザで２層目のビアランドとその
直下の絶縁層を貫通させ、ビアを形成するための穴を形
成する（図４（６））。レーザは、ビアを形成するため
の穴を形成できるものであれば各種波長、出力のものを
用いる事が可能である。
直下の絶縁層を貫通させ、ビアを形成するための穴を形
成する（図４（６））。レーザは、ビアを形成するため
の穴を形成できるものであれば各種波長、出力のものを
用いる事が可能である。
【００３２】次に、ビアめっき用のフォトレジストマス
クパターンを形成する（図４（７））。その目的は後の
ビアめっきを行う時に他の銅配線パターンにめっき被膜
を形成させないようにするためである。従って、このマ
スクパターンは２層目のビアランドの穴部分しか開いて
いない。また、フォトレジストも絶縁基板に応じて適宜
選択可能であり、露光現像条件もフォトレジストに応じ
て適宜選択可能である。
クパターンを形成する（図４（７））。その目的は後の
ビアめっきを行う時に他の銅配線パターンにめっき被膜
を形成させないようにするためである。従って、このマ
スクパターンは２層目のビアランドの穴部分しか開いて
いない。また、フォトレジストも絶縁基板に応じて適宜
選択可能であり、露光現像条件もフォトレジストに応じ
て適宜選択可能である。
【００３３】次に、銅めっきでビアを形成し、１層目と
２層目の銅配線パターンをビアを通してつなげることが
できる（図４（８））。
２層目の銅配線パターンをビアを通してつなげることが
できる（図４（８））。
【００３４】最後に、剥離液でビアめっき用のフォトレ
ジストマスクパターンを剥離することによって、２層の
プリント配線板を形成することができる（図４
（９））。また、剥離液も、フォトレジストや絶縁基板
に応じて適宜選択可能であり、剥離条件もフォトレジス
トに応じて適宜選択可能である。
ジストマスクパターンを剥離することによって、２層の
プリント配線板を形成することができる（図４
（９））。また、剥離液も、フォトレジストや絶縁基板
に応じて適宜選択可能であり、剥離条件もフォトレジス
トに応じて適宜選択可能である。
【００３５】このように繰り返していけば、多層プリン
ト配線板を形成することができる。
ト配線板を形成することができる。
【００３６】また、以下の工程で多層プリント配線板を
形成することもできる。
形成することもできる。
【００３７】まず、前記００２４〜００２７の方法で１
層目の絶縁基板上に１層目の銅配線パターンとビアラン
ドを形成することができる（図３（３））。
層目の絶縁基板上に１層目の銅配線パターンとビアラン
ドを形成することができる（図３（３））。
【００３８】次に、１層目の銅配線パターンとビアラン
ドの表面を粗化してから、１層目の銅配線パターンとビ
アランドを形成した１層目の絶縁基板上に２層目の絶縁
基板を接着剤を介して、張り付ける。この２層目の絶縁
基板は予めパターニングされ、ビアを形成するための穴
が開いている（図５（１））。
ドの表面を粗化してから、１層目の銅配線パターンとビ
アランドを形成した１層目の絶縁基板上に２層目の絶縁
基板を接着剤を介して、張り付ける。この２層目の絶縁
基板は予めパターニングされ、ビアを形成するための穴
が開いている（図５（１））。
【００３９】次に、第二種のステンレス転写板を用い、
前記００２４〜００２７の方法で２層目の絶縁基板上に
２層目の銅配線パターンとビアランドを形成することが
できる（図５（２））。
前記００２４〜００２７の方法で２層目の絶縁基板上に
２層目の銅配線パターンとビアランドを形成することが
できる（図５（２））。
【００４０】次に、００３２〜００３５の方法で多層プ
リント配線板を形成することができる。
リント配線板を形成することができる。
【００４１】この方法は形成された２層目の絶縁基板と
ビアランドの中心部に予めビアめっき用のパターンを形
成したので、レーザで穴開けとその後の処理工程を省く
ことができる特徴がある。
ビアランドの中心部に予めビアめっき用のパターンを形
成したので、レーザで穴開けとその後の処理工程を省く
ことができる特徴がある。
【００４２】
【実施例】（実施例１）まず、厚さ１ｍｍのステンレス
板１の表面にエッチングにより銅配線パターンとビアラ
ンドを形成するための凹状パターンを形成するためのフ
ォトレジストマスクパターン２（フォトレジスト東京応
化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ Ｐ−６０００）を形成
した（図１（１）、図２（１））参照）。
板１の表面にエッチングにより銅配線パターンとビアラ
ンドを形成するための凹状パターンを形成するためのフ
ォトレジストマスクパターン２（フォトレジスト東京応
化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ Ｐ−６０００）を形成
した（図１（１）、図２（１））参照）。
【００４３】次に、ＦｅＣｌ3を用いて、エッチングで
ステンレス板の表面に深さ１５μｍの凹状パターン３、
４、５を形成してから、剥離液（東京応化株式会社製：
製品名ＰＭＥＲ剥離液ＰＳ）でフォトレジストパターン
を剥離した（図１（２）、図２（２）参照）。３、４、
５はそれぞれ銅配線パターン、ビアランドと中心部に穴
が開いたビアランドを形成する用の凹状パターンであ
る。
ステンレス板の表面に深さ１５μｍの凹状パターン３、
４、５を形成してから、剥離液（東京応化株式会社製：
製品名ＰＭＥＲ剥離液ＰＳ）でフォトレジストパターン
を剥離した（図１（２）、図２（２）参照）。３、４、
５はそれぞれ銅配線パターン、ビアランドと中心部に穴
が開いたビアランドを形成する用の凹状パターンであ
る。
【００４４】次に、スパッタリング法でステンレス板１
の表面に厚み１μｍのＳｉＯ2絶縁層６を形成した（図
１（３）、図２（３）参照）。
の表面に厚み１μｍのＳｉＯ2絶縁層６を形成した（図
１（３）、図２（３）参照）。
【００４５】次に、ステンレス板１の表面の凹状パター
ン内のＳｉＯ2絶縁層を除去するために、ＳｉＯ2絶縁層
の上にフォトレジストパターン７（フォトレジスト東京
応化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ Ｐ−６０００）を形
成した（図１（４）、図２（４）参照）。
ン内のＳｉＯ2絶縁層を除去するために、ＳｉＯ2絶縁層
の上にフォトレジストパターン７（フォトレジスト東京
応化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ Ｐ−６０００）を形
成した（図１（４）、図２（４）参照）。
【００４６】次に、ふっ酸を用いて、エッチングでステ
ンレス板の表面の凹状パターン内のＳｉＯ2絶縁層を除
去してから、剥離液（東京応化株式会社製：製品名ＰＭ
ＥＲ剥離液ＰＳ）でフォトレジストパターンを剥離する
ことによって、第一種転写板８（図１（５）参照）と第
二種転写板９（図２（５）参照）を作製することができ
る。
ンレス板の表面の凹状パターン内のＳｉＯ2絶縁層を除
去してから、剥離液（東京応化株式会社製：製品名ＰＭ
ＥＲ剥離液ＰＳ）でフォトレジストパターンを剥離する
ことによって、第一種転写板８（図１（５）参照）と第
二種転写板９（図２（５）参照）を作製することができ
る。
【００４７】（実施例２）第一種転写板を用い、電解銅
めっきを行うことにより、凹状パターン内に高さ２μｍ
をオーバーする銅配線パターン１０、１１を形成した
（図３（１）参照）。
めっきを行うことにより、凹状パターン内に高さ２μｍ
をオーバーする銅配線パターン１０、１１を形成した
（図３（１）参照）。
【００４８】次に、三菱ガス化学株式会社製ＣＰＥ−９
００で前記めっき被膜１０、１１の露出面を粗化した
（図３（２）参照）。表面粗さＲｚは１μｍ以上であっ
た。
００で前記めっき被膜１０、１１の露出面を粗化した
（図３（２）参照）。表面粗さＲｚは１μｍ以上であっ
た。
【００４９】次に、前記露出面が粗化されためっき被膜
をポリイミド基板１３上に転写することによって、１層
目のポリイミド基板１３上で１層目の銅配線パターンと
ビアランド１２を形成した（図３（３）参照）。
をポリイミド基板１３上に転写することによって、１層
目のポリイミド基板１３上で１層目の銅配線パターンと
ビアランド１２を形成した（図３（３）参照）。
【００５０】次に、三菱ガス化学株式会社製ＣＰＥ−９
００で銅配線パターンとビアランドの表面を粗化（表面
粗さＲｚは１μｍ以上）してから、１層目の銅配線パタ
ーンとビアランドを形成した１層目のポリイミド基板上
に２層目のポリイミド基板１４を接着剤１４’（エポキ
シ系接着剤：日立化成株式会社製：製品名ＡＳ２７００
厚さ２５μｍ）を介して、張り付けた（図３（４）参
照）。
００で銅配線パターンとビアランドの表面を粗化（表面
粗さＲｚは１μｍ以上）してから、１層目の銅配線パタ
ーンとビアランドを形成した１層目のポリイミド基板上
に２層目のポリイミド基板１４を接着剤１４’（エポキ
シ系接着剤：日立化成株式会社製：製品名ＡＳ２７００
厚さ２５μｍ）を介して、張り付けた（図３（４）参
照）。
【００５１】次に、００４７〜００４９の方法で２層目
のポリイミド基板１４の表面に２層目の銅配線パターン
とビアランド１５を形成した（図３（５）参照）。
のポリイミド基板１４の表面に２層目の銅配線パターン
とビアランド１５を形成した（図３（５）参照）。
【００５２】次に、レーザでビアを形成するための穴１
６を形成した（図４（６）参照）。
６を形成した（図４（６）参照）。
【００５３】次に、ビアめっき用のフォトレジストマス
クパターン１７（フォトレジスト東京応化株式会社製：
製品名ＰＭＥＲ Ｐ−６０００）を形成した（図４
（７）参照）。
クパターン１７（フォトレジスト東京応化株式会社製：
製品名ＰＭＥＲ Ｐ−６０００）を形成した（図４
（７）参照）。
【００５４】次に、銅めっきでビア１８を厚さ２５μｍ
形成した（図４（８）参照）。
形成した（図４（８）参照）。
【００５５】最後に、剥離液（東京応化株式会社製：製
品名ＰＭＥＲ剥離液ＰＳ）でビアめっき用のフォトレジ
ストマスクパターン１７を剥離することによって、２層
のプリント配線板を形成した（図４（９）参照）。
品名ＰＭＥＲ剥離液ＰＳ）でビアめっき用のフォトレジ
ストマスクパターン１７を剥離することによって、２層
のプリント配線板を形成した（図４（９）参照）。
【００５６】このように繰り返していけば、多層プリン
ト配線板を形成することができる。
ト配線板を形成することができる。
【００５７】（実施例３）００４７〜００４９の工程は
実施例１と同じである。
実施例１と同じである。
【００５８】次に、予めビアの位置にレーザ（実施例２
のレーザと同一）で穴２０を形成した２層目のポリイミ
ド基板を接着剤（実施例２の接着剤と同一）を介して、
１層目の銅配線パターンとビアランドを形成した１層目
のポリイミド基板上に張り付けた（図５（１）参照）。
のレーザと同一）で穴２０を形成した２層目のポリイミ
ド基板を接着剤（実施例２の接着剤と同一）を介して、
１層目の銅配線パターンとビアランドを形成した１層目
のポリイミド基板上に張り付けた（図５（１）参照）。
【００５９】次に、第二種転写板を用い、前記００４７
〜００４９の方法で２層目の絶縁基板上に２層目の銅配
線パターンとビアランドを形成することができる（図５
（２）参照）。その時ビアランドの真ん中に穴２１が形
成されているため、レーザで穴を開ける必要がなくな
る。
〜００４９の方法で２層目の絶縁基板上に２層目の銅配
線パターンとビアランドを形成することができる（図５
（２）参照）。その時ビアランドの真ん中に穴２１が形
成されているため、レーザで穴を開ける必要がなくな
る。
【００６０】次に、００５３〜００５６の工程で、多層
プリント配線板を形成することができる。
プリント配線板を形成することができる。
【００６１】
【発明の効果】本発明によれば、銅配線パターンがまず
金属転写板の表面の凹状パターン内で形成してからポリ
イミド基板に転写するので、高さのばらつきが少なく、
また線間の絶縁性も優れている微細な銅配線パターンを
有する多層プリント基板を形成することができる。
金属転写板の表面の凹状パターン内で形成してからポリ
イミド基板に転写するので、高さのばらつきが少なく、
また線間の絶縁性も優れている微細な銅配線パターンを
有する多層プリント基板を形成することができる。
【図１】本発明のステンレス転写板の製造工程を示す断
面図である。
面図である。
【図２】図１とは別な本発明のステンレス転写板の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図３】本発明の多層プリント配線板の製造工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の多層プリント配線板の製造工程の続き
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】図４、図５とは別な本発明の多層プリント配線
板の製造工程を示す断面図である。
板の製造工程を示す断面図である。
１ ステンレス板
２ ステンレス表面に凹状パターンを形成するためのレ
ジストマスクパターン ３ 銅配線パターンを形成するための凹状パターン ４ ビアランドを形成するための凹状パターン ５ 中心部に穴を有するビアランドを形成するための凹
状パターン ６ 絶縁層 ７ 凹状パターン内の絶縁層を除去するためのレジスト
マスクパターン ８ 第一種転写板 ９ 第二種転写板（ビアランドの中心部に穴を有する） １０ めっき被膜（銅配線パターン） １１ めっき被膜（ビアランド） １２ １層目の銅配線パターン及びビアランド １３ １層目の絶縁基板 １４ ２層目の絶縁基板 １４’接着剤 １５ ２層目の銅配線パターン及びビアランド １６ レーザで形成したビアめっき用の穴 １７ ビアめっき用のレジストマスクパターン １８ ビア １９ ２層プリント配線板 ２０ ２層目のポリイミド基板上に形成された穴パター
ン ２１ ビアめっき用の穴
ジストマスクパターン ３ 銅配線パターンを形成するための凹状パターン ４ ビアランドを形成するための凹状パターン ５ 中心部に穴を有するビアランドを形成するための凹
状パターン ６ 絶縁層 ７ 凹状パターン内の絶縁層を除去するためのレジスト
マスクパターン ８ 第一種転写板 ９ 第二種転写板（ビアランドの中心部に穴を有する） １０ めっき被膜（銅配線パターン） １１ めっき被膜（ビアランド） １２ １層目の銅配線パターン及びビアランド １３ １層目の絶縁基板 １４ ２層目の絶縁基板 １４’接着剤 １５ ２層目の銅配線パターン及びビアランド １６ レーザで形成したビアめっき用の穴 １７ ビアめっき用のレジストマスクパターン １８ ビア １９ ２層プリント配線板 ２０ ２層目のポリイミド基板上に形成された穴パター
ン ２１ ビアめっき用の穴
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｘ
Ｙ
Ｆターム(参考） 5E343 AA02 AA12 BB02 BB15 BB24
BB66 CC62 DD56 DD63 ER52
FF08 GG08 GG14
5E346 AA02 AA15 AA16 AA22 AA32
AA35 AA43 BB01 CC10 CC32
CC54 DD02 DD33 EE02 EE06
EE12 EE18 EE19 EE31 EE38
FF04 GG17 GG27 GG28 HH08
HH26
Claims (7)
- 【請求項１】金属板上にフォトレジストマスクパターン
形成する凹状パターン用レジスト形成工程と、金属板の
表面にエッチングで銅配線パターンを形成するための凹
状パターンを形成する凹状パターン形成工程と、フォト
レジストマスクパターンを剥離する凹状パターン用レジ
スト剥離工程と、金属板の表面に絶縁層を形成する絶縁
層形成工程と、金属板の表面の凹状パターン表面の絶縁
層を除去するためのフォトレジストマスクパターンを形
成する絶縁層用レジスト形成工程と、エッチングで金属
板の表面の凹状パターン表面の絶縁層を除去する絶縁層
除去工程と、フォトレジストマスクパターンを剥離する
絶縁層用レジスト剥離工程とによりなる、金属板の表面
に銅配線パターン及びビアランドめっき用凹状パターン
を形成することを特徴とする金属転写板の製造方法。 - 【請求項２】絶縁基板上に転写法により銅配線パターン
及びビアランドを形成する多層プリント配線板の製造方
法において、凹状パターン以外の部分が絶縁層に覆われ
ている転写板の凹状パターンの中にめっき被膜を形成す
るめっき工程と、前記めっき被膜の露出面を粗化する粗
化工程と、絶縁基板上に転写する転写工程とによって構
成される所要の銅配線パターンとビアランドを形成する
パターン形成工程と、前記銅配線パターンとビアランド
を形成された絶縁基板上に２層目の絶縁基板を接着剤を
介して張り付ける張付工程と、前記２層目の絶縁基板上
に前記転写法で銅配線パターンとビアランドを形成する
第２の転写工程と、レーザでビアを形成するための穴を
形成するビア形成工程と、ビアめっき用フォトレジスト
マスクパターンを形成するレジスト形成工程と、めっき
でビアを形成するビア形成工程と、ビアめっき用フォト
レジストマスクパターンを剥離するレジスト剥離工程
を、所要回数繰り返すことを特徴とする多層プリント配
線板の製造方法。 - 【請求項３】絶縁基板上に転写法により銅配線パターン
及びビアランドを形成する多層プリント配線板の製造方
法において、凹状パターン以外の部分が絶縁層に覆われ
ている転写板の凹状パターンの中にめっき被膜を形成す
るめっき工程と、前記めっき被膜の露出面を粗化する粗
化工程と、絶縁基板上に転写する転写工程とによって構
成される所要の銅配線パターンとビアランドを形成する
パターン形成工程と、前記銅配線パターンとビアランド
を形成された絶縁基板上にビアランドの直上に穴を有す
る２層目の絶縁基板を接着剤を介して張り付ける張付工
程と、前記２層目の絶縁基板上に前記転写法で銅配線パ
ターンと中心部に穴を有するビアランドを形成する第２
の転写工程と、ビアめっき用フォトレジストマスクパタ
ーンを形成するレジスト形成工程と、めっきでビアを形
成するビア形成工程と、ビアめっき用フォトレジストマ
スクパターンを剥離するレジスト剥離工程を、所要回数
繰り返すことを特徴とする多層プリント配線板の製造方
法。 - 【請求項４】前記絶縁基板がポリイミド、液晶ポリマか
ら選ばれたものであることを特徴とする請求項２または
３に記載の多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項５】前記絶縁層がＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3から選ば
れたものであることを特徴とする請求項２〜４何れかに
記載の多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項６】前記絶縁層の厚みは０．０１以上であるこ
とを特徴とする請求項２〜５何れかに記載の多層プリン
ト配線板の製造方法。 - 【請求項７】前記めっき法で金属表面の凹状パターンの
中に形成するめっき被膜の露出面に対して粗化処理し、
その表面粗さＲｚは１μｍ以上であることを特徴とする
請求項２〜６何れかに記載の多層プリント配線板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001340281A JP3941463B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001340281A JP3941463B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006330497A Division JP4415985B2 (ja) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 金属転写板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003142803A true JP2003142803A (ja) | 2003-05-16 |
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ID=19154508
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001340281A Expired - Fee Related JP3941463B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 多層プリント配線板の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3941463B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100811768B1 (ko) | 2007-04-23 | 2008-03-07 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
| JP2010147955A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Element Denshi:Kk | 空洞部を有する回路基板およびその製造方法 |
| KR101367292B1 (ko) | 2012-01-26 | 2014-02-27 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 배선 패턴의 제조 방법 |
| CN105188271A (zh) * | 2012-01-17 | 2015-12-23 | 江苏普诺威电子股份有限公司 | 加成法凸台印制板制作工艺 |
-
2001
- 2001-11-06 JP JP2001340281A patent/JP3941463B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| JP2010147955A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Element Denshi:Kk | 空洞部を有する回路基板およびその製造方法 |
| CN105188271A (zh) * | 2012-01-17 | 2015-12-23 | 江苏普诺威电子股份有限公司 | 加成法凸台印制板制作工艺 |
| CN105188271B (zh) * | 2012-01-17 | 2017-12-05 | 江苏普诺威电子股份有限公司 | 加成法凸台印制板制作工艺 |
| KR101367292B1 (ko) | 2012-01-26 | 2014-02-27 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 배선 패턴의 제조 방법 |
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| JP3941463B2 (ja) | 2007-07-04 |
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