JP2003145017A - 塗布処理方法および塗布処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト膜等の塗布膜を高い膜厚精度および
膜厚均一性で形成することができる塗布処理方法および
塗布処理装置を提供すること。 【解決手段】 塗布処理装置は、被処理基板Ｗを略水平
に保持する基板保持部材５１、基板保持部材５１を回転
させるモーター５２と、被処理基板Ｗの略中央に塗布液
を供給するための塗布液吐出ノズル９０と、ノズル９０
から塗布液を吐出させるためのポンプ９７と、配管９１
に設けられたバルブ９４と、バルブ９４が開かれたこと
を示す信号を検出する開検出手段９４ａと、開検出手段
９４ａの検出信号が入力され、その検出信号に基づい
て、モーター５２の駆動を開始させる制御手段１００と
を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板にレジスト等の塗布液を塗布する塗布処理方法およ
び塗布処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と記
す）の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成
し、レジスト塗布後のウエハに対して所定のパターンに
対応して露光処理を行った後に当該ウエハのレジスト膜
に形成された露光パターンを現像するという、いわゆる
フォトリソグラフィー技術により所定のパターンを形成
するためのマスクとしてレジストパターンが形成され
る。そして、上記工程のうちレジスト塗布処理において
は、ウエハ表面にレジスト液を均一に塗布するための方
法としてスピンコーティング法が多用されている。

【０００３】図１３は、このスピンコーティング法の概
要を示すものである。例えばスピンチャック１４１によ
り真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態で、図
示しない回転駆動手段によりスピンチャック１４１とと
もにウエハＷを回転させながら、ウエハＷの上方に配置
されたレジストノズル１４２からウエハＷ表面の中央に
レジスト液を滴下する。滴下されたレジスト液は、遠心
力によってウエハＷの径方向外方に向かって広がり、ウ
エハＷの表面全体にレジスト膜が形成される。その後レ
ジスト液の滴下を停止し、ウエハの回転を継続してウエ
ハＷの表面の余分なレジスト液を振り切って膜厚を整え
るとともに乾燥を行う。

【０００４】ところで、レジストパターンを高精度で形
成するためには、レジスト膜をウエハ全面に亘って均一
な所定の膜厚で形成する必要があり、そのためには、ウ
エハの回転速度や回転時間の他、レジスト液滴下時間
や、レジスト液滴下とウエハ回転とのタイミングを厳密
に制御することが重要である。

【０００５】従来は、これらを装置のソフトウエアにて
制御することにより、レジスト膜の膜厚および膜厚分布
の管理を行っている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際の
レジスト液吐出のタイミング等はソフトウエアで管理し
ているタイミングとは必ずしも同じではなく、したがっ
て、最適条件から若干ずれた制御となっている場合もあ
る。近時、半導体デバイスの微細化が益々進み、これに
ともなって、レジスト膜の膜厚精度および膜厚均一性に
対する要求も極めて高いものとなっているため、このよ
うな条件のずれにより、膜厚精度および膜厚均一性が要
求されている範囲から外れてしまうおそれがある。

【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、レジスト膜等の塗布膜を高い膜厚精度および
膜厚均一性で形成することができる塗布処理方法および
塗布処理装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１の観点では、被処理基板の略中央に塗
布液を吐出するとともに被処理基板を回転させ、塗布液
を被処理基板の径方向外方に拡げて塗布膜を形成する塗
布処理方法であって、塗布液を吐出させる際に、塗布液
吐出ノズルに塗布液を供給する配管に設けられたバルブ
が開かれたことを示す信号を検出し、その信号に基づい
て塗布処理を制御することを特徴とする塗布処理方法を
提供する。

【０００９】本発明の第２の観点では、被処理基板の略
中央に塗布液を吐出するとともに被処理基板を回転さ
せ、塗布液を被処理基板の径方向外方に拡げて塗布膜を
形成する塗布処理方法であって、塗布液吐出ノズルから
塗布液を吐出させるためのポンプに駆動信号を送り、塗
布液吐出ノズルに塗布液を供給する配管に設けられたバ
ルブに開信号を送る工程と、前記バルブが開かれたこと
を示す信号を検出する工程と、前記バルブが開かれたこ
とを示す信号に基づいて、被処理基板を回転させる工程
とを具備することを特徴とする塗布処理方法を提供す
る。

【００１０】本発明の第３の観点では、被処理基板の略
中央に塗布液を吐出するとともに被処理基板を回転さ
せ、塗布液を被処理基板の径方向外方に拡げて塗布膜を
形成する塗布処理方法であって、塗布液吐出ノズルから
塗布液を吐出させるためのポンプに駆動信号を送り、塗
布液吐出ノズルに塗布液を供給する配管に設けられたバ
ルブに開信号を送る工程と、前記バルブが開かれたこと
を示す信号を検出する工程と、前記バルブが開かれたこ
とを示す信号に基づいて、被処理基板の回転を開始させ
る工程と、前記バルブが開かれたことを示す信号に基づ
いて、塗布液の吐出終了時間を制御する工程とを具備す
ることを特徴とする塗布処理方法を提供する。

【００１１】本発明の第４の観点では、被処理基板の略
中央に塗布液を吐出するとともに被処理基板を回転さ
せ、塗布液を被処理基板の径方向外方に拡げて塗布膜を
形成する塗布処理装置であって、被処理基板を略水平に
保持する基板保持部材と、前記基板保持部材を回転させ
るモーターと、前記基板保持部材に保持された被処理基
板の略中央に塗布液を供給するための塗布液吐出ノズル
と、前記塗布液吐出ノズルから塗布液を吐出させるため
のポンプと、前記塗布液吐出ノズルに塗布液を供給する
配管に設けられたバルブと、前記バルブが開かれたこと
を示す信号を検出する開検出手段と、前記開検出手段の
検出信号が入力され、その検出信号に基づいて、前記モ
ーターの駆動を開始させる制御手段とを具備することを
特徴とする塗布処理装置を提供する。

【００１２】本発明の第５の観点では、被処理基板の略
中央に塗布液を吐出するとともに被処理基板を回転さ
せ、塗布液を被処理基板の径方向外方に拡げて塗布膜を
形成する塗布処理装置であって、被処理基板を略水平に
保持する基板保持部材と、前記基板保持部材を回転させ
るモーターと、前記基板保持部材に保持された被処理基
板の略中央に塗布液を供給するための塗布液吐出ノズル
と、前記塗布液吐出ノズルから塗布液を吐出させるため
のポンプと、前記塗布液吐出ノズルに塗布液を供給する
配管に設けられたバルブと、前記バルブが開かれたこと
を示す信号を検出する開検出手段と、前記開検出手段の
検出信号が入力され、その検出信号に基づいて、前記モ
ーターの駆動を開始させ、かつ塗布液の吐出終了時点お
よび前記モーターの駆動の停止時点を制御する制御手段
とを具備することを特徴とする塗布処理装置を提供す
る。

【００１３】本発明によれば、塗布液を吐出させる際
に、塗布液吐出ノズルに塗布液を供給する配管に設けら
れたバルブが開かれたことを示す信号を検出し、その信
号に基づいて塗布処理を制御するので、実際に塗布液が
吐出した時点を把握した上で諸条件を制御することがで
き、レジスト膜等の塗布膜を高い膜厚精度および膜厚均
一性で形成することができる。

【００１４】つまり、レジスト液等の塗布液を吐出させ
る際には、ノズルに設けられたバルブを操作するが、通
常このようなバルブとして使用されるエアオペレーショ
ンバルブは、開信号が入力された時点から実際に開状態
になるまでの時間が一定ではなく、バルブの個体差や設
置状態等によってばらつくため、ソフトウエアにより塗
布液吐出タイミングを厳密に制御しても、実際の塗布液
の吐出タイミングからずれる場合が生じる。そこで、本
発明では実際にバルブが開かれたことを示す信号を検出
することにより、塗布液吐出タイミングを高精度で制御
することができ、塗布膜を高い膜厚精度および膜厚均一
性で形成することができる。

【００１５】具体的には、上記第２の観点および第４の
観点のように、バルブが開かれたことを示す信号を検出
し、その信号に基づいて被処理基板を回転させるように
制御することにより、塗布液が吐出された時点において
被処理基板の回転速度が高すぎる等の膜厚変動要因とな
る不都合が防止される。

【００１６】また、第３の観点および第５の観点のよう
に、さらに、バルブが開かれたことを示す信号に基づい
て、塗布液の吐出終了時間を制御することにより、塗布
液の実際の吐出時間を一定にすることができ、塗布膜の
膜厚精度および膜厚均一性を一層高くすることができ
る。

【００１７】この場合に、塗布液の吐出終了時間を制御
する際に、前記バルブに開信号が送られ実際にバルブが
開かれるべき時点から前記開かれたことを示す信号を検
出した時点までの遅れ時間に基づいて前記ポンプの駆動
を停止する時点および前記バルブを閉じる時点を制御す
ることが好ましい。これにより、一層高精度の膜厚制御
を行うことができる。この際のポンプの駆動停止時点
は、その塗布液吐出レートとともに、従前の被処理基板
に塗布処理を行う際に把握した前記遅れ時間に基づいて
制御することができる。これにより、ポンプの制御を容
易に行うことができる。さらに、バルブが開かれたこと
を示す信号を検出してから予め設定された時間後に被処
理基板の回転を低減（すなわちモータの停止）するよう
に制御することもできるし、バルブが閉じられたことを
示す信号を検出し、その信号に基づいて前記被処理基板
の回転を低減するように制御することもできる。

【００１８】また、本発明において、バルブが開かれた
ことを示す信号として、従前の被処理基板に塗布処理を
行う際に検出されたものを用いることもできる。これに
より、塗布液が吐出される際の被処理基板の回転速度を
調整することが可能となる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明
の塗布処理方法を実施するためのレジスト塗布処理ユニ
ットを搭載したレジスト塗布現像処理システムを示す概
略平面図、図２はその正面図、図３はその背面図であ
る。

【００２０】このレジスト塗布現像処理システム１は、
搬送ステーションであるカセットステーション１０と、
複数の処理ユニットを有する処理ステーション１１と、
処理ステーション１１と隣接して設けられる図示しない
露光装置との間でウエハＷを受け渡すためのインターフ
ェイス部１２とを具備している。

【００２１】上記カセットステーション１０は、被処理
体としてのウエハＷを複数枚例えば２５枚単位でウエハ
カセットＣＲに搭載された状態で他のシステムからこの
システムへ搬入またはこのシステムから他のシステムへ
搬出したり、ウエハカセットＣＲと処理ステーション１
１との間でウエハＷの搬送を行うためのものである。

【００２２】このカセットステーション１０において
は、図１に示すように、カセットＣを載置する載置台２
０上に図中Ｘ方向に沿って複数（図では４個）の位置決
め突起２０ａが形成されており、この突起２０ａの位置
にウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理
ステーション１１側に向けて一列に載置可能となってい
る。ウエハカセットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向
（Ｚ方向）に配列されている。また、カセットステーシ
ョン１０は、載置台２０と処理ステーション１１との間
に位置するウエハ搬送機構２１を有している。このウエ
ハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）および
その中のウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可
能なウエハ搬送用アーム２１ａを有しており、この搬送
アーム２１ａによりいずれかのウエハカセットＣＲに対
して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ
搬送用アーム２１ａは、θ方向に回転可能に構成されて
おり、後述する処理ステーション１１側の第３の処理ユ
ニット群Ｇ_３に属するアライメントユニット（ＡＬＩ
Ｍ）およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもア
クセスできるようになっている。

【００２３】上記処理ステーション１１は、ウエハＷへ
対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するため
の複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段
に配置されており、これらによりウエハＷが一枚ずつ処
理される。この処理ステーション１１は、図１に示すよ
うに、中心部に搬送路２２ａを有し、この中に主ウエハ
搬送機構２２が設けられ、搬送路２２ａの周りに全ての
処理ユニットが配置されている。これら複数の処理ユニ
ットは、複数の処理ユニット群に分かれており、各処理
ユニット群は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って多
段に配置されている。

【００２４】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置４
６も一体的に回転可能となっている。

【００２５】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。

【００２６】また、図１に示すように、この実施の形態
においては、４個の処理ユニット群Ｇ_１，Ｇ_２，Ｇ_３，
Ｇ_４が搬送路２２ａの周囲に配置されており、処理ユニ
ット群Ｇ_５は必要に応じて配置可能となっている。

【００２７】これらのうち、第１および第２の処理ユニ
ット群Ｇ_１，Ｇ_２はシステム正面（図１において手前）
側に並列に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ_３はカセ
ットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理
ユニット群Ｇ_４はインターフェイス部１２に隣接して配
置されている。また、第５の処理ユニット群Ｇ_５は背面
部に配置可能となっている。

【００２８】第１の処理ユニット群Ｇ_１では、カップＣ
Ｐ内でウエハＷをスピンチャック（図示せず）に載置し
てウエハＷにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）および同様にカップＣＰ内でレジストの
パターンを現像する現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下か
ら順に２段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ
_２も同様に、２台のスピナ型処理ユニットとしてレジス
ト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット
（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。

【００２９】第３の処理ユニット群Ｇ_３においては、図
３に示すように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の
処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられ
ている。すなわち、レジストの定着性を高めるためのい
わゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）、ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）、冷却処理を行うクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）、露光処理前や露光処理後、さらには
現像処理後にウエハＷに対して加熱処理を行う４つのホ
ットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ね
られている。なお、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）
の代わりにクーリングユニット（ＣＯＬ）を設け、クー
リングユニット（ＣＯＬ）にアライメント機能を持たせ
てもよい。

【００３０】第４の処理ユニット群Ｇ_４も、オーブン型
の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備
えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリン
グユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および
４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８
段に重ねられている。

【００３１】主ウエハ搬送機構２２の背部側に第５の処
理ユニット群Ｇ_５を設ける場合には、案内レール２５に
沿って主ウエハ搬送機構２２から見て側方へ移動できる
ようになっている。したがって、第５の処理ユニット群
Ｇ_５を設けた場合でも、これを案内レール２５に沿って
スライドすることにより空間部が確保されるので、主ウ
エハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業を
容易に行うことができる。

【００３２】上記インターフェイス部１２は、奥行方向
（Ｘ方向）の長さが処理ステーション１１と同じであ
り、図１、図２に示すように、このインターフェイス部
１２の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲ
と定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背
面部には周辺露光装置２３が配設され、中央部には、ウ
エハ搬送機構２４が配設されている。このウエハ搬送機
構２４は、ウエハ搬送用アーム２４ａを有しており、こ
のウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、Ｚ方向に移動
して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺露光装置２３にア
クセス可能となっている。また、このウエハ搬送用アー
ム２４ａは、θ方向に回転可能であり、処理ステーショ
ン１１の第４の処理ユニット群Ｇ_４に属するエクステン
ションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装
置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセス可能
となっている。

【００３３】このように構成されるレジスト塗布現像処
理システム１においては、ウエハカセットＣＲから処理
前のウエハＷを１枚ずつウエハ搬送機構２１によって取
り出し、処理ステーション１１のアライメントユニット
（ＡＬＩＭ）へ搬入する。次いで、ここで位置決めされ
たウエハＷを主ウエハ搬送機構２２により搬出し、アド
ヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入してアドヒージョン
処理を施す。このアドヒージョン処理の終了後、ウエハ
Ｗを主ウエハ搬送機構２２により搬出し、クーリングユ
ニット（ＣＯＬ）に搬送して、ここで冷却する。次い
で、ウエハＷをレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に
搬送してレジスト塗布を行い、さらに、ホットプレート
ユニット（ＨＰ）でプリベーク処理を行って、エクステ
ンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を介し
て、インターフェイス部１２に搬送し、そこからウエハ
搬送機構２４により隣接する露光装置に搬送する。その
後、露光装置にて露光処理のなされたウエハＷを、ウエ
ハ搬送機構２４によりインターフェイス部１２、エクス
テンションユニット（ＥＸＴ）を介して処理ステーショ
ン１１に搬送する。処理ステーション１１において、主
ウエハ搬送機構２２によりウエハＷをホットプレートユ
ニット（ＨＰ）に搬送してポストエクスポージャー処理
を施し、さらに現像ユニット（ＤＥＶ）に搬送して現像
処理を施した後、ホットプレートユニット（ＨＰ）でポ
ストベーク処理を行い、クーリングユニット（ＣＯＬ）
において冷却した後、エクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）を介してカセットステーション１０に搬送する。以
上のようにして所定の処理がなされたウエハＷを、ウエ
ハ搬送機構２２がウエハカセットＣＲに収納する。

【００３４】次に、本発明の塗布処理方法を実施するた
めのレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）について図４
および図５を参照しながら説明する。このレジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）は、主ウエハ搬送機構２２の保
持部材４８が進入するための開口５０ａを有するケーシ
ング５０を有し、その中にウエハＷを収容する収容容器
であるカップＣＰが設けられ、そのカップ内にウエハＷ
を真空吸着によって水平に保持するスピンチャック５１
が設けられている。このスピンチャック５１は、カップ
ＣＰの下方に設けられたパルスモーターなどの駆動モー
タ５２によって回転可能となっており、その回転速度も
任意に制御可能となっている。カップＣＰの底部の中央
寄りの部分には排気管５３が接続され、また外側よりの
部分には排液管５４が接続されている。そして、排気管
５３からカップＣＰ内の気体が排気されるとともに、排
液管５４からは、塗布処理にともなって飛散したレジス
ト液や溶剤が排出される。なお、スピンチャック５１
は、図示しないエアシリンダー等の昇降機構により昇降
可能となっている。

【００３５】スピンチャック５１の上方には、スピンチ
ャック５１の直上位置と退避位置との間で移動可能に噴
頭６０が設けられており、この噴頭６０はアーム６１を
介して駆動機構７０に連結され、駆動機構７０により図
４および図５に示したＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向に移
動されるようになっている。なお、噴頭６０はアーム６
１に対して着脱自在となっている。

【００３６】噴頭６０は、ベース部材６２を有し、レジ
スト液が溶解可能な溶剤を供給する溶剤供給ノズル８０
と塗布液であるレジスト液を供給するレジスト液供給ノ
ズル９０とを近接させた状態でベース部材６２に取り付
けた構造を有している。レジスト液が溶解可能な溶剤
は、レジスト液の濡れ性を良くしてレジストの低消費化
を図るものであり、レジスト液の溶媒であってもよい
が、それに限らずレジスト塗布液を溶解可能なものであ
ればよく、典型的にはシンナーが用いられる。

【００３７】噴頭６０には、レジスト液供給ノズル９０
から吐出されるレジスト液の温度が一定になるように温
度調節するために温度調節流体を循環するチューブ６５
ａ，６５ｂ、および、溶剤供給ノズル８０から吐出され
る溶剤の温度が一定になるように温度調節するために温
度調節流体を循環するチューブ６６ａ，６６ｂが設けら
れている。チューブ６５ａはレジスト液供給ノズル９０
に連続する配管の周囲に設けられて往路を構成し、チュ
ーブ６５ｂは復路を構成している。また、チューブ６６
ａは溶剤供給ノズル８０に連続する配管の周囲に設けら
れて往路を構成し、チューブ６６ｂは復路を構成してい
る。

【００３８】レジスト液供給ノズル９０は、レジスト液
供給配管９１を介してレジスト液を収容するレジスト液
タンク９２に連通されている。このレジスト液供給配管
９１には、サックバックバルブ９３、エアオペレーショ
ンバルブ９４、レジスト液中の気泡を分離除去するため
の気泡除去機構９５、フィルタ９６およびベローズポン
プ９７が下流側からその順に設けられている。ベローズ
ポンプ９７は、伸縮可能な本体９７ａと、ボールネジ機
構９８と、ステッピングモータ９９とで構成され、ボー
ルネジ機構９８およびステッピングモータ９９が本体９
７ａの駆動部を構成する。ボールネジ機構９８は、一端
がベローズポンプの一端に取り付けられたネジ９８ａ
と、このネジに螺合されるナット９８ｂとからなり、ス
テッピングモータ９９によりナット９８ｂを回転させて
ネジ９８ａを直線動させることにより本体９７ａが伸縮
される。そして、上記エアオペレーションバルブ９４を
開にすると同時に、ベローズポンプ９７の本体９７ａを
収縮させることにより所定量のレジスト液がレジスト液
供給配管９１およびレジスト液供給ノズル９０を介して
ウエハＷ上に吐出される。このベローズポンプ９７によ
り極めて少量のレジスト液の供給量制御が可能となる。
エアオペレーションバルブ９４には、その開閉を検出す
る開閉検出器９４ａが設けられている。

【００３９】図５に示すように、ケーシング５０内のカ
ップＣＰの外側部分には、基本的に同一の構造を有する
４つの噴頭６０を保持可能な保持部５５が設けられてい
る。保持部５５には各ノズルのノズル口を乾燥固化させ
ないように、各ノズルのノズル口を溶剤雰囲気に置くた
めの挿入部（図示せず）が設けられている。各噴頭６０
は、取り付け部６３によりアーム６１の先端部に取り付
け可能となっており、それぞれ異なる種類のレジスト液
を供給するようになっている。そして、これらのうち選
択された一つがアーム６１に取り付けられて保持部５５
から取り出される。上述したように、アーム６１は駆動
機構７０により三次元移動、すなわちＸ、Ｙ、Ｚ方向へ
の移動が可能であり、保持部５５から取り出されてアー
ム６１に装着された噴頭６０が、処理に際してウエハＷ
の直上の所定位置まで移動される。

【００４０】なお、図５の例では、各噴頭６０ごとに溶
剤供給ノズル８０とレジスト液供給ノズル９０を取り付
けているが、これに限らず、各噴頭６０にはレジスト液
供給ノズル９０のみを取り付け、溶剤供給ノズル８０
は、これら噴頭６０のレジスト液供給ノズル９０に共通
に１つのみ設けてもよい。この場合、溶剤供給ノズル８
０のために別途駆動用のアームを設けてもよいし、溶剤
供給ノズル８０を予めアーム６１に取り付けておき、選
択された一つの噴頭６０と一体的に移動する構成として
もよい。

【００４１】レジスト液塗布に際しては、ウエハＷの回
転とレジスト液吐出とのタイミングおよびレジスト液吐
出時間が重要であるため、これらを制御すべくコントロ
ーラ１００が設けられている。このコントローラ１００
は、スピンチャック５１を回転させる駆動モータ５２、
エアオペレーションバルブ９４、およびベローズポンプ
９７を制御するようになっており、駆動モータ５２に回
転のオン・オフおよび回転速度の指令を送信し、ノーマ
ルクローズのエアオペレーションバルブ９４に開信号を
出力し、ベローズポンプ９７のステッピングモータ９９
にオン・オフおよび吐出レートの指令を送信するように
なっている。また、コントローラ１００には開閉検出器
９４ａからの信号が入力され、この信号に基づいてレジ
スト液の塗布処理が制御される。

【００４２】エアオペレーションバルブ９４は、例え
ば、図６に示すように、容器１１１とその中に昇降可能
に設けられた弁体１１２と、弁体１１２の下方の弁座１
１３と、レジスト液通流部１１４とを有している。レジ
スト液通流部１１４は、レジスト液供給配管９１に接続
されるレジスト液流路１１５を有しており、このレジス
ト液流路１１５から弁座１１３にレジスト液流入口１１
６およびレジスト液流出口１１７が開口している。そし
て、弁体１１２が弁座１１３に当接した閉状態でレジス
ト液の流れが遮断され、弁体１１２が弁座１１３から離
隔した開状態でレジスト液が流れる。容器１１１内には
その中を上下に仕切る仕切部材１１８が昇降可能に設け
られており、弁体１１２は仕切部材１１８にぶら下がる
ように一体に設けられている。そして、容器１１１の側
壁に設けられたエア導入口１１９からエア導入配管１２
０を介して容器１１１内にエアが導入されることにより
仕切部材１１８が上方に移動し、それにともなって弁体
１１２が上方へ移動することによりバルブ９４が開状態
となる。また、容器１１１にはエア排出口１２４が設け
られており、このエア排出口１２４にはエア排出配管１
２５が接続されていて、バルブ９４を閉じる際には、エ
アの供給を停止して排出側のソレノイドバルブ（図示せ
ず）を操作することにより容器１１１内のエアを排出す
る。容器１１１内の仕切部材１１８の上方部分には仕切
部材１１８を下方へ付勢するコイルスプリング１２１が
設けられており、容器１１１内にエアが導入されない場
合および上記のようにエアが排出された際にはバルブ９
４が閉状態となるノーマルクローズ構造を有している。
エア導入配管１２０にはソレノイドバルブ１２２が設け
られており、このソレノイドバルブ１２２を開くことに
より容器１１１内にエアが導入される。そして、コント
ローラ１００からのエアオペレーションバルブ９４の開
信号はソレノイドバルブ１２２に出力され、この信号に
基づいてソレノイドバルブ１２２が開かれてエアが導入
され、エアオペレーションバルブ９４が開かれる。

【００４３】開閉検出器９４ａは、容器１１１内に設け
られた発光素子９４ａ_１および受光素子９４ａ_２を有
し、弁体１１２が上昇して光が遮断されることにより、
エアオペレーションバルブ９４が開になったことを検出
する。

【００４４】なお、コントローラ１００は、実際にはサ
ックバックバルブ９３や図示しない溶剤供給系等、レジ
スト液塗布処理に関係する他の部材の制御も行うが、こ
こでは説明を省略する。また、上記サックバックバルブ
９３は、レジスト液供給ノズル９０からのレジスト液吐
出後、レジスト液供給ノズル９０先端内壁部に表面張力
によって残留しているレジスト液をレジスト液供給ノズ
ル９０内に引き戻し、これによって残留レジスト液の固
化を阻止するためのものである。

【００４５】次に、このように構成されるレジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）におけるレジスト液塗布処理の
動作および制御について図７のフローチャートを参照し
て説明する。

【００４６】主ウエハ搬送機構２２の保持部材４８によ
ってケーシング５０の開口５０ａを通ってレジスト塗布
処理ユニット（ＣＯＴ）内のカップＣＰの真上までウエ
ハＷが搬送されると、そのウエハＷは、図示しない昇降
機構によって上昇してきたスピンチャック５１によって
真空吸着される。主ウエハ搬送機構２２はウエハＷをス
ピンチャック５１に真空吸着せしめた後、保持部材４８
をレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）内から引き戻
し、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）へのウエハＷ
の受け渡しを終える（ＳＴＥＰ１）。

【００４７】次いで、スピンチャック５１はウエハＷが
カップＣＰ内の定位置になるまで下降され、まず、駆動
モータ５２によってスピンチャック５１を１０００ｒｐ
ｍ程度の回転速度で回転させ、ウエハＷの温度を均一に
する（ＳＴＥＰ２）。

【００４８】その後、スピンチャック５１の回転を停止
させ、駆動機構７０によって噴頭６０をＹ方向に沿って
ウエハＷの直上位置まで移動させ、溶剤供給ノズル８０
の吐出口がスピンチャック５１の中心（ウエハＷの中
心）上に到達したところで、レジストが溶解するシンナ
ー等の溶剤を静止しているウエハＷ表面の略中心に供給
し、好ましくは１０００ｒｐｍ以下の所定の回転速度で
ウエハＷを回転させてウエハＷ表面に供給された溶剤を
ウエハＷの全面に広げるプリウエット処理を行う（ＳＴ
ＥＰ３）。これによりレジスト液の濡れ性が向上し、ウ
エハＷに吐出するレジストの量を少なくすることができ
る。

【００４９】続いて、駆動機構７０によりレジスト液供
給ノズル９０の吐出口がスピンチャック５１の中心（ウ
エハＷの中心）上に到達するまで噴頭６０をＹ方向に移
動し、ウエハＷの回転速度を所定値まで上昇させて、レ
ジスト液供給ノズル９０の吐出口からレジスト液を回転
するウエハＷ表面の略中心に供給し、遠心力によりレジ
スト液を外方に拡散させ、ウエハＷ表面へのレジスト塗
布処理を行う（ＳＴＥＰ４）。このレジスト塗布処理に
際しては、最初に、レジスト液を広げるためにレジスト
液を吐出しながら比較的高速で回転させる。この際の回
転速度は、２００ｍｍウエハの場合には２０００〜６０
００ｒｐｍ、３００ｍｍウエハの場合には１０００〜４
０００ｒｐｍであることが好ましい。その後、レジスト
液の供給を停止して、ウエハＷの回転速度を減速する。
これにより、膜厚調整機能が発揮され、ウエハＷ面内の
膜厚均一化が促進される。このような効果を奏するの
は、ウエハＷの回転速度を減速した際には、この減速の
際の加速度により半導体ウエハＷ上のレジスト液に中心
へ向かう力が作用し、しかも、被処理基板の回転が低速
であることからレジスト液の乾燥が遅く、結果として膜
厚を整える機能が発揮されるからである。すなわち、こ
の減速によって作用する内側へ向かう力により、ウエハ
Ｗ外方へ飛散するレジスト量が抑制され、外周部にも中
央部と同様にレジストが保持されてレジスト膜の膜厚が
より均一化することとなる。この際の回転速度は５０〜
１０００ｒｐｍが好ましい。特に、５００ｒｐｍ以下で
あれば、レジストの乾燥がほとんど進行せず、膜厚調整
の自由度が高い。この際の保持時間は、例えば、３秒ま
での適宜の時間に設定される。なお、この際の回転の減
速は必須なものではなく、必要に応じて行われる。

【００５０】その後、ウエハＷの回転速度を上昇させ
て、残余のレジスト液を振り切る（ＳＴＥＰ５）。この
際の回転速度は、２００ｍｍウエハの場合には１５００
〜４０００ｒｐｍ、３００ｍｍウエハの場合には１００
０〜３０００ｒｐｍであることが好ましい。

【００５１】その後、ウエハＷの回転を継続させレジス
ト膜の乾燥を行う（ＳＴＥＰ６）。この際の回転速度
は、２００ｍｍウエハの場合には１０００〜２０００ｒ
ｐｍ、３００ｍｍウエハの場合には５００〜１５００ｒ
ｐｍであることが好ましい。この工程を所定時間行った
後、レジスト塗布工程が終了する。

【００５２】次に、レジスト塗布処理の際の制御につい
て詳細に説明する。レジスト液の塗布に際しては、レジ
スト膜を高い膜厚精度および膜厚均一性で形成するため
に、従来からソフトウエアにより駆動モータ５２の回
転、ベローズポンプ９７の操作、および開閉バルブであ
るエアオペレーションバルブ９４の操作を厳密に制御し
ている。従来の制御でレジスト液塗布を行った際のこれ
らの動作の理想的なタイミングを図８に示す。まず、コ
ントローラ１００から、駆動モータ５２へ駆動開始信
号、ベローズポンプ９７へ吐出動作開始信号、エアオペ
レーションバルブ９４へ開信号が同時に送られる。これ
によりスピンチャック５１の回転が開始され、回転数が
上昇していく。ベローズポンプ９７はコントローラ１０
０からの指令とほぼ同時にレジスト液を吐出し、エアオ
ペレーションバルブ９４は若干遅れて開かれ、レジスト
液がウエハＷ上に吐出される。このときの吐出タイミン
グは、スピンチャック５１とともに回転しているウエハ
Ｗがまだ低速で回転している時点になるように調整され
る。そして、図８に示すように信号上の吐出時間ｔ_０経
過後、コントローラ１００から、ベローズポンプ９７へ
吐出動作終了信号、エアオペレーションバルブ９４に閉
信号が同時に送られ、これらの信号が送られてから若干
遅れてエアオペレーションバルブ９４が実際に閉じら
れ、その時点でウエハＷの回転が減速するように、駆動
モータ５２へ駆動停止信号が送られる。この場合には実
吐出時間ｔ_１は信号上の吐出時間ｔ_０とほぼ一致し、な
んら問題は生じない。

【００５３】しかしながら、エアオペレーションバルブ
９４は、全てが理想的な動作をするわけではなく、製造
時の個体差、経時変化、設置条件等の相違等により、信
号を受け取ってから動作を開始するまでの時間に差が生
じる。そして、場合によっては、図９に示すように、エ
アオペレーションバルブ９４に開信号が送られ実際にバ
ルブが開かれるまでの理想的な時間からの遅れ時間Δｔ
が大きくなって、実際にバルブ９４が開かれてレジスト
液が吐出される時点では、ウエハＷの回転速度が最高速
度またはその近傍に達する場合がある。このようにウエ
ハＷの回転速度が高い状態でレジスト液を吐出すると、
レジスト膜の膜厚が設定値から大きくずれてしまう。ま
た、この場合には、レジスト液の吐出が遅れた分だけ、
レジスト液の実吐出時間ｔ_１′がｔ_１より短くなるが、
この遅れ時間Δｔが大きく吐出時間が短くなるほどウエ
ハＷの周辺の膜厚が薄くなってレジスト膜厚の均一性が
悪化する。図１０は、この遅れ時間Δｔに相当する時間
を種々変化させてレジスト吐出を行った結果であるが、
Δｔに相当する時間が長くなるほど膜厚均一性が悪化し
ていることがわかる。このような膜厚均一性の悪化は、
特にレジスト液の低消費化のために溶剤のプリウエット
処理を行う場合に顕著である。

【００５４】そこで、本実施形態では、上述のように、
エアオペレーションバルブ９４の開閉検出器９４ａを設
け、これによりエアオペレーションバルブ９４が開かれ
たことを示す信号を検出し、その信号に基づいてレジス
ト塗布処理を制御するようにする。

【００５５】具体的には、図１１に示すように、開閉検
出器９４ａが検出したエアオペレーションバルブ９４が
開かれたことを示す信号に基づいて、コントローラ１０
０が駆動モータ５２に駆動開始信号を送り、ウエハＷを
回転させる。そして、このエアオペレーションバルブ９
４が開かれたことを示す信号に基づいて、コントローラ
１００がレジスト液の吐出終了時間を制御する。つま
り、このエアオペレーションバルブ９４が開かれたこと
を示す信号から、コントローラ１００が遅れ時間Δｔを
算出し、この遅れ時間Δｔに相当する時間分、レジスト
液の吐出時間を延長し、レジスト液の実吐出時間ｔ_１″
をほぼｔ_１と同じになるようにする。

【００５６】この際の制御フローを図１２のフローチャ
ートを参照して説明する。まず、コントローラ１００か
らベローズポンプ９７へ吐出動作開始信号、エアオペレ
ーションバルブ９４へ開信号が同時に送られる（ＳＴＥ
Ｐ１１）。次いで、開閉検出器９４ａによりエアオペレ
ーションバルブ９４が開かれたことを検出し（ＳＴＥＰ
１２）、その検出信号を受け取ったコントローラ１００
から駆動モータ５２へ駆動開始信号を出力する（ＳＴＥ
Ｐ１３）。これによりウエハＷが低速回転しているとき
にレジスト液の吐出が開始される。レジスト液の吐出に
際しては、吐出時間の間、エアオペレーションバルブ９
７を制御してレジスト液吐出レートを厳密に制御する
（ＳＴＥＰ１４）。この際には、エアオペレーションバ
ルブ９４が開かれたことが検出された時点が、実際に開
かれるべき時点から遅れている場合に、吐出レートもそ
の遅れ時間に基づいて制御することにより高精度の制御
を行うことができる。ただし、現在処理しているウエハ
についてのデータに基づいて吐出レートを制御すること
はコントローラ１００に極めて高い能力が要求されるこ
とから、現在処理しているウエハの遅れ時間Δｔ_ｎでは
なく、一枚前のウエハで検出された遅れ時間Δｔ_ｎ−１
に基づいてベローズポンプ９７の吐出レートを制御す
る。エアオペレーションバルブ９４の特性は短期間では
ほとんど変動しないので、このように制御しても高い精
度が維持される。もちろんコントローラ１００の性能が
十分高い場合にはΔｔ_ｎを用いることもできる。次に、
コントローラ１００は、ＳＴＥＰ１２における検出結果
から遅れ時間Δｔ_ｎを算出し、その値に基づいて、エア
オペレーションバルブ９４へ閉信号、駆動モータ５２へ
駆動停止信号を送り、遅れ時間Δｔ_ｎ−１に基づいてベ
ローズポンプ９７へ吐出動作停止信号を送る（ＳＴＥＰ
１５）。Δｔ_ｎに基づいてベローズポンプ９７の吐出レ
ートを制御した場合には、Δｔ_ｎに基づいてベローズポ
ンプ９７へ吐出動作停止信号を送る。以上のようにして
レジスト液の吐出制御を行ってレジスト液をウエハＷ全
面に広げるまでの動作が終了する。

【００５７】その後、上述したように、必要に応じてウ
エハＷの低速回転が行われてレジスト液塗布処理（ＳＴ
ＥＰ４）が終了し、レジスト液振り切り処理（ＳＴＥＰ
５）、レジスト膜乾燥処理（ＳＴＥＰ６）が行われる。

【００５８】このように、レジスト液を吐出させる際
に、開閉検出器９４ａによりエアオペレーションバルブ
９４が開かれたことを示す信号を検出し、その信号に基
づいてレジスト液の塗布処理を制御するので、実際にレ
ジスト液が吐出した時点を把握した上で諸条件を制御す
ることができ、エアオペレーションバルブ９４が実際に
開かれるのが遅れても、レジスト膜を高い膜厚精度およ
び膜厚均一性で形成することができる。

【００５９】具体的には、開閉検出器９４ａがエアオペ
レーションバルブ９４が開かれたことを示す信号を検出
し、その信号に基づいてウエハＷを回転させるように制
御するので、レジスト液が吐出された時点においてウエ
ハＷの回転速度が高すぎてレジスト膜の膜厚が所定の厚
さにならないことが防止される。また、エアオペレーシ
ョンバルブ９４が開かれたことを示す信号を検出し、そ
の信号から遅れ時間Δｔを算出してレジスト液の吐出を
終了させるので、レジスト液の実際の吐出時間をほぼ一
定にすることができ、レジスト膜の膜厚均一性を一層高
くすることができる。

【００６０】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、実際に処理しているウエハのエアオペレーション
バルブ開の信号を検出し、それに基づいてスピンチャッ
クを回転させる駆動モータを制御する場合について示し
たが、従前のウエハ処理の際の検出データに基づいて制
御することもできる。これにより、例えばレジスト液が
吐出される際のウエハの回転速度を高精度で制御するこ
とが可能となる。また、上記実施形態では、エアオペレ
ーションバルブが開かれたことを示す信号を検出してか
ら予め設定された時間後に駆動モータの駆動を停止した
が、開閉検出器によりエアオペレーションバルブが閉じ
られたことを示す信号を検出し、その信号に基づいて駆
動モータを停止してウエハの回転を低減するように制御
することもできる。これにより、さらに高精度に膜厚制
御を行うことができる。さらに、エアオペレーションバ
ルブの開閉検出器として発光素子と受光素子とを有する
ものを用いたが、これに限らず、エアオペレーションバ
ルブの容器１１１内の圧力を検出する圧力センサーを設
け、その圧力の変化によりバルブの開閉を検出するよう
にすることもできる。さらにまた、塗布液としてレジス
ト液を用いた場合について示したが、必ずしもレジスト
液に限らず反射防止膜や層間絶縁膜等の回転塗布処理を
行って形成する膜のための塗布液等、他の塗布液であっ
てもよい。さらにまた、上記実施の形態では、被処理基
板として半導体ウエハを用いた場合について示したが、
半導体ウエハに限らず、例えばＬＣＤ基板やマスク用レ
チクル基板等他の被処理基板であってもよい。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
塗布液を吐出させる際に、塗布液吐出ノズルに塗布液を
供給する配管に設けられたバルブが開かれたことを示す
信号を検出し、その信号に基づいて塗布処理を制御する
ので、実際に塗布液が吐出した時点を把握した上で諸条
件を制御することができ、バルブが開くのが遅れてもレ
ジスト膜等の塗布膜を高い膜厚精度および膜厚均一性で
形成することができる。

【００６２】具体的には、バルブが開かれたことを示す
信号を検出し、その信号に基づいて被処理基板を回転さ
せるように制御することにより、塗布液が吐出された時
点において被処理基板の回転速度が高すぎる等の膜厚変
動要因となる不都合が防止される。

【００６３】また、さらに、バルブが開かれたことを示
す信号に基づいて、塗布液の吐出終了時間を制御するこ
とにより、塗布液の実際の吐出時間を一定にすることが
でき、塗布膜の膜厚精度および膜厚均一性を一層高くす
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を実施するためのレジスト塗布処理ユニ
ットを搭載した半導体ウエハのレジスト塗布現像処理シ
ステムの全体構成を示す平面図。

【図２】図１に示すレジスト塗布現像処理システムの正
面図。

【図３】図１に示すレジスト塗布現像処理システムの背
面図。

【図４】図１に示した塗布現像処理システムに装着した
レジスト塗布処理ユニットの全体構成を示す断面図。

【図５】図４に示したレジスト塗布処理ユニットの平面
図。

【図６】レジスト塗布処理ユニットに設けられたエアオ
ペレーションバルブおよび開閉検出器を示す断面図。

【図７】レジスト塗布処理ユニットにおける処理工程を
示す工程図。

【図８】従来の制御でレジスト液塗布を行った際の駆動
モータ、ベローズポンプ、エアオペレーションバルブの
動作の理想的なタイミングを示すグラフ。

【図９】従来の制御でレジスト液塗布を行った際に、吐
出遅れが生じた場合の駆動モータ、ベローズポンプ、エ
アオペレーションバルブの動作タイミングを示すグラ
フ。

【図１０】レジスト液吐出時間の変動にともなう膜厚均
一性の変化を示すグラフ。

【図１１】本発明の実施形態の制御でレジスト液塗布を
行った際の駆動モータ、ベローズポンプ、エアオペレー
ションバルブの動作タイミングを示すグラフ。

【図１２】本発明の実施形態の制御でレジスト液塗布を
行った際の制御フローを示すフローチャート。

【図１３】従来のレジスト塗布装置の概略構成図。

【符号の説明】

５１……スピンチャック（基板保持部材） ５２……駆動モータ ６０……噴頭 ９０……レジスト液供給ノズル ９１……レジスト液供給配管 ９４……エアオペレーションバルブ ９４ａ……開閉検出器（開検出手段） ９７……ベローズポンプ １００……コントローラ Ｗ……半導体ウエハ（被処理基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ (72)発明者 福田 喜輝 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 藤本 昭浩 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB16 EA05 4D075 AC65 AC94 CA47 DA06 DB14 DC22 EA05 EA45 4F042 AA07 BA05 BA06 CB02 CB08 CB11 CB19 EB05 EB09 EB13 EB18 EB24 EB29 5F046 JA02 JA03 JA09 JA13

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板の略中央に塗布液を吐出する
   とともに被処理基板を回転させ、塗布液を被処理基板の
   径方向外方に拡げて塗布膜を形成する塗布処理方法であ
   って、 塗布液を吐出させる際に、塗布液吐出ノズルに塗布液を
   供給する配管に設けられたバルブが開かれたことを示す
   信号を検出し、その信号に基づいて塗布処理を制御する
   ことを特徴とする塗布処理方法。
2. 【請求項２】 被処理基板の略中央に塗布液を吐出する
   とともに被処理基板を回転させ、塗布液を被処理基板の
   径方向外方に拡げて塗布膜を形成する塗布処理方法であ
   って、 塗布液吐出ノズルから塗布液を吐出させるためのポンプ
   に駆動信号を送り、塗布液吐出ノズルに塗布液を供給す
   る配管に設けられたバルブに開信号を送る工程と、 前記バルブが開かれたことを示す信号を検出する工程
   と、 前記バルブが開かれたことを示す信号に基づいて、被処
   理基板を回転させる工程とを具備することを特徴とする
   塗布処理方法。
3. 【請求項３】 被処理基板の略中央に塗布液を吐出する
   とともに被処理基板を回転させ、塗布液を被処理基板の
   径方向外方に拡げて塗布膜を形成する塗布処理方法であ
   って、 塗布液吐出ノズルから塗布液を吐出させるためのポンプ
   に駆動信号を送り、塗布液吐出ノズルに塗布液を供給す
   る配管に設けられたバルブに開信号を送る工程と、 前記バルブが開かれたことを示す信号を検出する工程
   と、 前記バルブが開かれたことを示す信号に基づいて、被処
   理基板の回転を開始させる工程と、 前記バルブが開かれたことを示す信号に基づいて、塗布
   液の吐出終了時間を制御する工程とを具備することを特
   徴とする塗布処理方法。
4. 【請求項４】 前記塗布液の吐出終了時間を制御する工
   程は、前記バルブに開信号が送られ実際にバルブが開か
   れるべき時点から前記開かれたことを示す信号を検出し
   た時点までの遅れ時間に基づいて前記ポンプの駆動を停
   止する時点および前記バルブを閉じる時点を制御するこ
   とを特徴とする請求項３に記載の塗布処理方法。
5. 【請求項５】 前記ポンプの駆動停止時点は、その塗布
   液吐出レートとともに、従前の被処理基板に塗布処理を
   行う際に把握した前記遅れ時間に基づいて制御されるこ
   とを特徴とする請求項４に記載の塗布処理方法。
6. 【請求項６】 前記バルブが開かれたことを示す信号を
   検出してから予め設定された時間後に前記被処理基板の
   回転が低減されることを特徴とする請求項３から請求項
   ５のいずれか１項に記載の塗布処理方法。
7. 【請求項７】 前記バルブが閉じられたことを示す信号
   を検出し、その信号に基づいて前記被処理基板の回転が
   低減されることを特徴とする請求項３から請求項５のい
   ずれか１項に記載の塗布処理方法。
8. 【請求項８】 塗布液吐出ノズルに設けられたバルブが
   開かれたことを示す信号は、従前の被処理基板に塗布処
   理を行う際に検出されたものであることを特徴とする請
   求項１から請求項７のいずれか１項に記載の塗布処理方
   法。
9. 【請求項９】 被処理基板の略中央に塗布液を吐出する
   とともに被処理基板を回転させ、塗布液を被処理基板の
   径方向外方に拡げて塗布膜を形成する塗布処理装置であ
   って、 被処理基板を略水平に保持する基板保持部材と、 前記基板保持部材を回転させるモーターと、 前記基板保持部材に保持された被処理基板の略中央に塗
   布液を供給するための塗布液吐出ノズルと、 前記塗布液吐出ノズルから塗布液を吐出させるためのポ
   ンプと、 前記塗布液吐出ノズルに塗布液を供給する配管に設けら
   れたバルブと、 前記バルブが開かれたことを示す信号を検出する開検出
   手段と、 前記開検出手段の検出信号が入力され、その検出信号に
   基づいて、前記モーターの駆動を開始させる制御手段と
   を具備することを特徴とする塗布処理装置。
10. 【請求項１０】 被処理基板の略中央に塗布液を吐出す
    るとともに被処理基板を回転させ、塗布液を被処理基板
    の径方向外方に拡げて塗布膜を形成する塗布処理装置で
    あって、 被処理基板を略水平に保持する基板保持部材と、 前記基板保持部材を回転させるモーターと、 前記基板保持部材に保持された被処理基板の略中央に塗
    布液を供給するための塗布液吐出ノズルと、 前記塗布液吐出ノズルから塗布液を吐出させるためのポ
    ンプと、 前記塗布液吐出ノズルに塗布液を供給する配管に設けら
    れたバルブと、 前記バルブが開かれたことを示す信号を検出する開検出
    手段と、 前記開検出手段の検出信号が入力され、その検出信号に
    基づいて、前記モーターの駆動を開始させ、かつ塗布液
    の吐出終了時点および前記モーターの駆動の停止時点を
    制御する制御手段とを具備することを特徴とする塗布処
    理装置。
11. 【請求項１１】 前記制御手段は、前記バルブに開信号
    が送られ実際にバルブが開かれるべき時点から前記開か
    れたことを示す信号を検出した時点までの遅れ時間に基
    づいて前記ポンプの駆動を停止する時点および前記バル
    ブを閉じる時点を制御することを特徴とする請求項１０
    に記載の塗布処理装置。
12. 【請求項１２】 前記制御手段は、従前の被処理基板に
    塗布処理を行う際に把握した前記遅れ時間に基づいて、
    前記ポンプの駆動停止時点を、その塗布液吐出レートと
    ともに制御することを特徴とする請求項１１に記載の塗
    布処理装置。
13. 【請求項１３】 前記制御手段は、前記開検出手段が検
    出した前記バルブが開かれたことを示す信号を受け取っ
    てから予め設定された時間後に前記モーターの駆動を停
    止させることを特徴とする請求項１０から請求項１２の
    いずれか１項に記載の塗布処理装置。
14. 【請求項１４】 前記バルブが閉じられたことを示す信
    号を検出する閉検出手段をさらに具備し、前記制御手段
    は、前記閉検出手段が検出した前記バルブが閉じられた
    ことを示す信号が入力され、その検出信号に基づいて、
    前記モーターの駆動を停止させることを特徴とする請求
    項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の塗布処理
    装置。
15. 【請求項１５】 前記開検出手段は、前記バルブの弁体
    の移動を検出することにより前記バルブが開かれたこと
    を検出することを特徴とする請求項１０から請求項１４
    のいずれか１項に記載の塗布処理装置。
16. 【請求項１６】 前記開検出手段は、前記バルブの内部
    の圧力を検出することにより前記バルブが開かれたこと
    を検出することを特徴とする請求項１０から請求項１４
    のいずれか１項に記載の塗布処理装置。
17. 【請求項１７】 前記制御手段は、従前の被処理基板に
    塗布処理を行う際に検出された、前記バルブが開かれた
    ことを示す信号に基づいて制御を行うことを特徴とする
    請求項１０から請求項１６のいずれか１項に記載の塗布
    処理装置。