JP2003149646A - 不揮発性記録媒体およびその製造方法、ならびにそれを用いた情報の記録および読み出し方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 環境安定性およびメモリ保存性に優れ、低コ
ストで製造できる不揮発性記録媒体およびその製造方
法、ならびにそれを用いた情報の記録および読み出し方
法を提供する。 【解決手段】 互いに対向する一対の基板１０および２
０と、一対の基板１０および２０の間に設けられたネマ
チック相を呈する液晶層３０と、一対の基板１０および
２０の液晶層３０側に設けられた一対の電極層１２およ
び２２と、液晶層３０の両側に設けられた一対の配向膜
１６および２６とを有する不揮発性記録媒体である。一
対の配向膜１６および２６は、液晶層３０の液晶分子３
１にプレチルト角を与える配向規制力が付与された第１
配向規制領域Ｒ１および第２配向規制領域Ｒ２を有す
る。第２配向規制領域Ｒ２における液晶分子３１のプレ
チルト角は、第１配向規制領域Ｒ１における液晶分子３
１のプレチルト角よりも大きい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、不揮発性記録媒体
およびその製造方法、ならびにそれを用いた情報の記録
および読み出し方法に関し、特に、液晶層を備えた不揮
発性記録媒体およびその製造方法、ならびにそれを用い
た情報の記録および読み出し方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、書き換え可能な高密度の不揮発性
記録媒体として、相転移現象を利用するものや、光磁気
現象を利用するもの、あるいはスメクチック液晶材料の
電場配向を用いるもの、さらには熱的記録方式によって
高分子液晶材料の液晶状態と等方性状態との間の光学特
性の差を利用するもの等が知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、相転移
現象を利用する方式（例えば特開平６−８２８１４号公
報に開示されている）は、材料の環境安定性に欠けると
いう問題を有しており、光磁気現象を利用する方式は、
微小な偏光面の回転を検出することが必要であることか
ら、記録再生装置が複雑かつ高価となってしまうという
問題を有している。

【０００４】また、スメクチック液晶材料の電場配向を
用いる方式は、良好なメモリ保存性を示さないという問
題がある。さらに、高分子液晶材料を用いる方式は、環
境安定性およびメモリ保存性は良好であるものの、情報
を記録する際に印加する電圧として、数十Ｖから数百Ｖ
の大きさの電圧を必要とするので、記録装置の耐圧を考
慮する必要があり、製造コストが高くなるという問題が
ある。

【０００５】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、環境安定性およびメモリ保存性
に優れ、低コストで製造できる不揮発性記録媒体および
その製造方法、ならびにそれを用いた情報の記録および
読み出し方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明による不揮発性記
録媒体は、互いに対向する一対の基板と、前記一対の基
板間に設けられたネマチック相を呈する液晶層と、前記
一対の基板の前記液晶層側に設けられた一対の電極層
と、前記液晶層の両側に設けられた一対の配向膜とを有
し、前記一対の配向膜は、前記液晶層の液晶分子にプレ
チルト角を与える配向規制力が付与された第１配向規制
領域および第２配向規制領域を有し、前記第２配向規制
領域における前記液晶分子のプレチルト角は、前記第１
配向規制領域における前記液晶分子のプレチルト角より
も大きい構成を有しており、そのことによって上記目的
が達成される。

【０００７】前記第２配向規制領域は、前記第１配向規
制領域を包囲するように構成されていることが好まし
い。

【０００８】前記液晶層の前記液晶分子は、電圧無印加
時に、前記第１配向規制領域においてスプレイ配向し、
前記第２配向規制領域においてベンド配向するように構
成されていることが好ましい。

【０００９】前記第１配向規制領域における前記液晶分
子のプレチルト角は、１°〜３０°の範囲内にあり、前
記第２配向規制領域における前記液晶分子のプレチルト
角は、６０°〜８９°の範囲内にあることが好ましい。

【００１０】前記一対の電極層の少なくとも一方上に形
成された光導電層をさらに有する構成としてもよい。

【００１１】前記光導電層の厚さは、１００ｎｍ〜１０
００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。

【００１２】前記光導電層は透明な光導電層であっても
よい。

【００１３】前記光導電層は不透明な光導電層であって
もよい。

【００１４】前記光導電層は、前記一対の電極層の一方
上に形成されている構成としてもよい。

【００１５】前記一対の基板の外側に設けられた少なく
とも１つの偏光層をさらに有していてもよい。

【００１６】本発明による不揮発性記録媒体の製造方法
は、上記構成を有する不揮発性記録媒体の製造方法であ
って、前記一対の配向膜を形成する工程は、前記一対の
基板上に配向膜材料を塗布する工程と、前記塗布された
配向膜材料にフォトマスクを介して波長が３００ｎｍ以
下の光を照射する工程とを包含し、そのことによって上
記目的が達成される。

【００１７】本発明による他の不揮発性記録媒体の製造
方法は、上記構成を有する不揮発性記録媒体の製造方法
であって、前記一対の配向膜を形成する工程は、前記一
対の基板上に、凹凸状の表面を有する下地層を形成する
工程と、前記下地層が形成された前記一対の基板上に配
向膜材料を塗布する工程とを包含し、そのことによって
上記目的が達成される。

【００１８】本発明による情報の記録および読み出し方
法は、前記光導電層が透明な光導電層である不揮発性記
録媒体を用いた情報の記録および読み出し方法であっ
て、前記一対の電極層間に所定の電圧を印加するととも
に、前記不揮発性記録媒体に波長が３８０ｎｍ未満の光
を照射することによって情報の記録を行い、前記不揮発
性記録媒体に波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内の
光を照射することによって情報の読み出しを行うことを
特徴としており、そのことによって上記目的が達成され
る。

【００１９】本発明による他の情報の記録および読み出
し方法は、前記光導電層が不透明な光導電層である不揮
発性記録媒体を用いた情報の記録および読み出し方法で
あって、前記一対の電極層間に所定の電圧を印加すると
ともに、前記不揮発性記録媒体に波長が３８０ｎｍ〜７
８０ｎｍの範囲内の光を、前記一対の電極層のうちのそ
の上に前記光導電層が形成されている電極層側から照射
することによって情報の記録を行い、前記不揮発性記録
媒体に波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内の光を、
前記一対の電極層のうちのその上に前記光導電層が形成
されていない電極層側から照射することによって情報の
読み出しを行うことを特徴としており、そのことによっ
て上記目的が達成される。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
による実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施
形態に限定されるものではない。

【００２１】（実施形態１）まず、本発明による実施形
態１の不揮発性記録媒体１００の構造を図１および図２
を参照しながら説明する。図１は、不揮発性記録媒体１
００を模式的に示す断面図であり、図２は、不揮発性記
録媒体１００の一部を模式的に示す上面図である。

【００２２】不揮発性記録媒体１００は、図１に示すよ
うに、互いに対向するように設けられた第１基板１０お
よび第２基板２０と、第１基板１０および第２基板２０
の間に設けられたネマチック相を呈する液晶層３０とを
有している。

【００２３】第１基板１０および第２基板２０の液晶層
３０側には、それぞれ電極層１２および２２が設けられ
ており、第１基板１０の液晶層３０側に設けられた電極
層１２上に光導電層１４が形成されている。

【００２４】液晶層３０の両側に、一対の配向膜１６お
よび２６が設けられている。本実施形態では、第１基板
１０側に設けられた配向膜１６は光導電層１４上に形成
されており、第２基板２０側に設けられた配向膜２６は
電極層２２上に形成されている。

【００２５】配向膜１６および２６は、図２に示すよう
に、液晶層３０の液晶分子にプレチルト角を与える配向
規制力が付与された第１配向規制領域Ｒ１および第２配
向規制領域Ｒ２を有しており、第２配向規制領域Ｒ２に
おける液晶分子のプレチルト角が、第１配向規制領域Ｒ
１における液晶分子のプレチルト角よりも大きくなるよ
うに構成されている。より具体的には、配向膜１６およ
び２６には、図３に示すように、電圧が印加されていな
い状態において、第１配向規制領域の液晶分子３１がス
プレイ配向し、第２配向規制領域の液晶分子３１がベン
ド配向するように配向規制力が付与されている。

【００２６】また、本実施形態では、図２に示したよう
に、第２配向規制領域Ｒ２が、第１配向規制領域Ｒ１を
包囲するように設けられている。典型的には、配向膜１
６および２６は、格子状の第２配向規制領域Ｒ２と、こ
の第２配向規制領域Ｒ２によって分割された（２次元的
に実質的に包囲された）複数の第１配向規制領域Ｒ１と
を有しており、複数の第１配向規制領域Ｒ１が不揮発性
記録媒体１００において情報記録部として機能する。

【００２７】本実施形態の不揮発性記録媒体１００は、
さらに、第１基板１０および第２基板２０の外側（液晶
層３０とは反対側）に設けられた一対の偏光板（ここで
は不図示）を有している。これらの偏光板は、クロスニ
コル状態に配置されており、一方の偏光板の偏光軸が、
配向膜１６および２６の配向規制力の方位角方向（典型
的にはラビング方向）と一致するように配置されてい
る。

【００２８】なお、本実施形態においては、図１に示し
たような構成を有する不揮発性記録媒体１００を例示し
たが、勿論これに限定されず、図４に示す不揮発性記録
媒体１００’のように、光導電層１４と配向膜１６との
間に反射層１８をさらに備えた構成としてもよい。図１
に示した不揮発性記録媒体１００は、後述するように透
過光を用いて情報の読み出しが行われる透過型の不揮発
性記録媒体であるのに対し、図４に示した不揮発性記録
媒体１００’は、反射光を用いて情報の読み出しが行わ
れる反射型の不揮発性記録媒体である。

【００２９】次に、上述の不揮発性記録媒体１００を用
いた、本発明による情報の記録および読み出し方法を説
明する。

【００３０】本発明による情報の記録および読み出し方
法においては、一対の電極層１６および２６の間に所定
の電圧を印加した状態で、不揮発性記録媒体１００に所
定のパターン（強度分布）の光を照射することによっ
て、情報記録部として機能する第１配向規制領域Ｒ１の
液晶層３０のうち、所定の領域の液晶層３０の配向状態
を選択的に変化させ、情報の記録を行う。図５（ａ）〜
（ｃ）を参照しながら、情報の記録を行う際の液晶層３
０の配向状態の変化を説明する。

【００３１】液晶層３０に電圧が印加されていない状態
においては、図５（ａ）に示すように、第１配向規制領
域Ｒ１の液晶分子３１は、比較的プレチルト角が小さい
ためにスプレイ配向しており、第２配向規制領域の液晶
分子３１は、比較的プレチルト角が大きいためにベンド
配向している。

【００３２】不揮発性記録媒体１００の電極層１６およ
び２６の間に所定の電圧を印加するとともに、不揮発性
記録媒体１００に所定のパターンの光を照射すると、第
１配向規制領域Ｒ１の液晶層３０のうち、光が照射され
た領域の液晶層３０の配向状態が、図５（ｂ）に示すよ
うにベンド配向状態となる。光の照射により液晶層３０
の配向状態が変化する理由を以下に説明する。

【００３３】図６に示す等価回路で表される不揮発性記
録媒体１００の電極層１６および２６の間に所定の電圧
Ｖ_appを印加したとき、この電圧Ｖ_appと、液晶層３０に
印加される電圧Ｖ_LCおよび光導電層１４に印加される電
圧Ｖ_PCとには、下式で表される関係が成立する。

【００３４】 Ｖ_app＝Ｉ×（Ｒ_LC＋Ｒ_PC）＝Ｖ_LC＋Ｖ_PC なお、ここで、Ｉは電流、Ｒ_LCは液晶層３０の抵抗、Ｒ
_PCは光導電層１４の抵抗である。

【００３５】一対の電極層１６および２６の間に所定の
電圧Ｖ_appが印加された状態で、不揮発性記録媒体１０
０に所定のパターンの光を照射すると、光が照射された
領域の光導電層１４が励起され、その抵抗Ｒ_PCが小さく
なるので、光導電層１４に印加される電圧Ｖ_PCが小さく
なる。そのため、光が照射された領域の液晶層３０に印
加される電圧Ｖ_LCが大きくなる。

【００３６】光が照射されることによって、液晶層３０
に印加される電圧Ｖ_LCがスプレイ−ベンド転移電圧Ｖ_CR
（典型的には約１Ｖ〜約３Ｖの範囲内）を超えると、図
７に示すようにスプレイ配向状態よりもベンド配向状態
の方がエネルギー的に安定であるので、光が照射された
領域の液晶層３０は、スプレイ配向状態からベンド配向
状態に転移する。このとき、第１配向規制領域Ｒ１（情
報記録部）の外周部に位置する第２配向規制領域Ｒ２
が、第１配向規制領域Ｒ１の液晶層３０のスプレイ配向
状態からベンド配向状態への転移を助長する。

【００３７】その後、電極層１６および２６の間に印加
された電圧Ｖ_appを除去すると、図５（ｃ）に示すよう
に、液晶層３０の配向状態は、ベンド状態から１８０°
ツイスト配向状態に変化する。電圧無印加時には、図７
に示したように、ベンド配向状態よりもスプレイ配向状
態の方がエネルギー的には安定であるものの、図８に示
すように、ベンド配向状態からスプレイ配向状態への転
移にはエネルギー障壁が存在するので、ベンド配向状態
に転移した液晶層３０は、電圧Ｖ_appが除去されてもス
プレイ配向状態とはならず、１８０°ツイスト配向状態
に転移する。１８０°ツイスト配向状態は、ベンド配向
状態と配向的に連続であり、ベンド配向状態から１８０
°ツイスト配向状態への転移にはエネルギー障壁が存在
しないからである。

【００３８】１８０°ツイスト配向状態に転移した第１
配向規制領域Ｒ１の液晶層３０は、ベンド配向状態の液
晶層３０（第２配向規制領域Ｒ２の液晶層３０）に包囲
されており、スプレイ配向状態に戻るための核が存在し
ない。従って、第１配向規制領域Ｒ１の液晶層３０は、
エネルギー障壁を超えることができないので、１８０°
ツイスト配向状態のままである。

【００３９】このように、本発明による情報の記録およ
び読み出し方法においては、情報記録部として機能する
第１配向規制領域Ｒ１の一部の液晶層３０の配向を、光
を照射することによって選択的に変化（スプレイ配向状
態からベンド配向状態を経て１８０°ツイスト配向状態
に変化）させ、情報の記録を行う。

【００４０】また、本発明による情報の記録および読み
出し方法においては、上述のようにして情報の記録が行
われた不揮発性記録媒体１００に光を照射することによ
って情報の読み出しを行う。図９を参照しながらより詳
しく説明する。

【００４１】情報記録部として機能する第１配向規制領
域Ｒ１のうち、液晶層３０がスプレイ配向状態のままの
領域（情報記録時に光が照射されなかった領域）におい
ては、液晶分子３１の長軸がラビング方向に平行である
ため、クロスニコル下で一方の偏光軸にラビング方向が
一致していると、一方の偏光板側から入射した偏光は、
複屈折効果を受けずに直線偏光のまま液晶層３０を通過
し、他方の偏光板で吸収されて出射しない。そのため、
図９（ａ）に示すように、不揮発性記録媒体１００に一
対の偏光板の一方側（例えば第１基板１０側）から光を
入射させると、液晶層３０がスプレイ配向状態の領域に
おいては、他方側（例えば第２基板２０側）から光がほ
とんど出射しない。

【００４２】これに対して、液晶層３０が１８０°ツイ
スト配向状態の領域（情報記録時に光が照射された領
域）においては、液晶層３０は複屈折性を示すので、一
方の偏光板側から入射した偏光は、複屈折効果を受けて
偏光状態が変化し、他方の偏光板側から出射する。その
ため、図９（ｂ）に示すように、一対の偏光板の一方側
から光を入射させると、液晶層３０が１８０°ツイスト
配向状態の領域においては、他方側から透過光が得られ
る。なお、上述のようにして透過光が得られるのは、モ
ーガン条件が成立しないとき、すなわち、液晶層３０が
旋光性を示さないときである。モーガン条件が成立する
ときには液晶層３０は旋光性を示すので、一方の偏光板
から入射した偏光は、他方の偏光板で吸収されて出射し
ない。ここで、モーガン条件とは、液晶層が、そのツイ
ストピッチｐと光の波長λとがｐ＞＞λの関係を満たす
ときに旋光性を示すというものであり、この関係を満た
さないときには、液晶層は旋光性を示さない。例えば、
ＴＮモード（旋光性を利用）の液晶表示装置では、一般
に、セル厚が約４μｍ〜５μｍで、ツイストピッチが約
１６μｍ〜２０μｍであるのに対して、ＳＴＮモード
（複屈折性を利用）の液晶表示装置では、一般に、セル
厚が約７μｍ〜９μｍで、ツイストピッチが約９μｍ〜
１２μｍである。このことから、旋光性を利用するため
には、光の波長の約４０倍程度のピッチが必要であるこ
とが示唆される。

【００４３】従って、不揮発性記録媒体１００に例えば
可視光を入射させると、液晶層３０がスプレイ配向状態
の領域は暗く視認され、液晶層３０が１８０°ツイスト
配向状態の領域は明るく視認される。そのため、情報の
記録の際に、所定の画像パターンの光を照射することに
よって画像パターンを記録すれば、情報の読み出しの際
にその画像パターンを視認することができる。

【００４４】不揮発性記録媒体１００に記録された情報
を消去するには、液晶層３０を一旦アイソトロピックに
すればよい。液晶層３０をアイソトロピックにすること
によって、配向状態をエネルギー的に準安定な１８０°
ツイスト配向状態から最も安定なスプレイ配向状態に戻
すことができ、記録された情報を消去することができ
る。具体的には、例えば、液晶層３０を、等方性液体へ
の転移温度（透明点）以上に加熱することによって、情
報の消去を行うことができる。

【００４５】上述したように、本発明による情報の記録
および読み出し方法においては、光を不揮発性記録媒体
１００に照射することにより、情報の記録および読み出
しを行う。情報の記録の際に用いる光としては、光導電
層１４を励起することができる光を用いることができ、
例えば、可視光（波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲
内にある光）や紫外光（波長が３８０ｎｍ未満の光）を
用いることができる。また、情報の読み出しの際に用い
る光としては、例えば可視光を用いることができる。

【００４６】不揮発性記録媒体として、図１に示した透
過型の不揮発性記録媒体１００を用いる場合には、例え
ば、図１０（ａ）に示すように、紫外光（ＵＶ光）を第
１基板１０側から照射することによって情報の記録を行
い、可視光を第１基板１０側から照射することによって
情報の読み出しを行うことができる。勿論、第２基板２
０側から紫外光を照射して情報の記録を行ってもよい
し、第２基板２０側から可視光を照射して情報の読み出
しを行ってもよい。

【００４７】また、不揮発性記録媒体として、図４に示
した反射型の不揮発性記録媒体１００’を用いる場合に
は、例えば、図１０（ｂ）に示すように、可視光を光導
電層１４が形成された電極層１２側、つまり、第１基板
１０側から照射することによって情報の記録を行い、可
視光を光導電層１４が形成されていない電極層２２側、
つまり、第２基板２０側から照射することによって情報
の読み出しを行うことができる。

【００４８】次に、本実施形態の不揮発性記録媒体１０
０の製造方法を説明する。

【００４９】まず、第１基板１０と第２基板２０とを用
意する。第１基板１０および第２基板２０としては、例
えばガラス基板やプラスチック基板を用いることができ
る。プラスチック基板を用いると、軽量化を図ることが
できる。本発明による情報の記録および読み出し方法に
おいては、上述したように光を用いて情報の記録および
情報の読み出しを行うので、第１基板１０および第２基
板２０の少なくとも一方が透明性を有していることが好
ましい。

【００５０】次に、第１基板１０および第２基板２０の
それぞれ上に電極層１２および２２を形成する。電極層
１２および２２の材料としては、透明な導電材料（例え
ばＩＴＯ）を用いることが好ましい。電極層１２および
２２は、例えば、平板状のべた電極であってよい。

【００５１】続いて、第１基板１０上に形成された電極
層１２上に、光導電層１４を形成する。光導電層１４の
材料としては、光導電性を有する公知の材料を用いるこ
とができる。本実施形態においては、透明な光導電材料
であるＺｎＯやＧａＮなどを用いる。これらの材料は、
可視光（波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）の透過率が８
０〜９５％で、紫外光（波長が３８０ｎｍ未満）の透過
率が０．１％以下であり、紫外光を吸収することによっ
て電子正孔対が励起され、電導度が高くなる。なお、図
４に示した反射型の不揮発性記録媒体２００のように反
射層１８を備える構成においては、光導電層１４の材料
として、上述したような透明な材料に加え、不透明な材
料、すなわち可視光領域に吸収域を有する材料であるａ
−Ｓｉ、ａ−Ｓｅおよび有機半導体などを用いることが
できる。光導電層１４の厚さは、１００ｎｍ〜１０００
ｎｍの範囲内であることが好ましい。光導電層１４の厚
さが１００ｎｍ未満であると、光吸収効率が悪くなるこ
とがある。また、光導電層１４の厚さが１０００ｎｍを
超えると、光導電層１４の深い位置（光が入射する層面
から遠い部分）には光が届かず、導電度が十分高くなら
ないことがある。

【００５２】次に、光導電層１４が形成された第１基板
１０上と、第２基板２０上とに、第１配向規制領域Ｒ１
および第２配向規制領域Ｒ２を有する配向膜１６および
２６を形成する。配向膜１６および２６は、第１配向規
制領域Ｒ１における液晶分子３１のプレチルト角が１°
〜３０°の範囲内であり、第２配向規制領域Ｒ２におけ
る液晶分子３１のプレチルト角が６０°〜８９°の範囲
内であるように形成することが好ましい。配向膜１６お
よび２６のプレチルト角を上記範囲内に設定すると、液
晶層３０として一般的なネマチック液晶材料から形成さ
れたものを用いて上述の配向状態を容易に実現すること
ができる。

【００５３】具体的には、例えば、以下のようにして配
向膜１６および２６を形成する。

【００５４】まず、第１基板１０および第２基板２０の
それぞれ上に、側鎖に垂直配向成分を有する垂直配向膜
材料を塗布する。次に、塗布された垂直配向膜材料にフ
ォトマスクを介して波長が３００ｎｍ以下の光を照射す
ることによって、垂直配向膜材料の第１配向規制領域Ｒ
１となる領域の側鎖を切断する。ここで用いるフォトマ
スクは、第１配向規制領域Ｒ１となる領域に光を照射す
る（露光する）ためのパターンを有している。垂直配向
膜材料の側鎖を切断された領域は、水平配向性の表面と
して機能するので、上述のようにして露光を行うこと
で、配向膜１６および２６の第１配向規制領域Ｒ１が液
晶分子３１に与えるプレチルト角を、第２配向規制領域
Ｒ２が液晶分子３１に与えるプレチルト角よりも小さく
することができる。

【００５５】また、以下のようにして配向膜１６および
２６を形成してもよい。

【００５６】まず、第１基板１０および第２基板２０上
に、凹凸状の表面を有する下地層を形成する。次に、下
地層が形成された第１基板１０および第２基板２０上に
水平配向膜材料を塗布することによって、配向膜１６お
よび２６を形成する。凹凸状の表面を有する下地層上に
形成された配向膜１６および２６は、第１基板１０およ
び第２基板２０の基板面に対して傾斜した表面を有して
おり、液晶層３０の液晶分子３１は、この傾斜面に対し
てほぼ水平（配向膜表面に対して若干のチルト角を有す
ることもある）に配向するので、このようにして配向膜
１６および２６を形成することによって、プレチルト角
を局所的に変化させることができ、配向膜１６および２
６の第１配向規制領域Ｒ１が与えるプレチルト角を、第
２配向規制領域Ｒ２が与えるプレチルト角よりも大きく
することができる。

【００５７】あるいは、配向膜材料として、異なるプレ
チルト角を与える２つの配向膜材料の混合物を用いて、
以下のようにして配向膜１６および２６を形成してもよ
い。

【００５８】まず、第１基板１０および第２基板２０上
に、上述の混合物に含まれる２つの配向膜材料のいずれ
かとほぼ同じ表面張力を有する材料からなる下地層を形
成し、この下地層をパターニングする。次に、下地層が
形成された第１基板１０および第２基板２０上に、上述
の混合物を塗布することによって配向膜１６および２６
を形成すると、下地層が存在する部分に一方の配向膜材
料（下地層とほぼ同じ表面張力を有する配向膜材料）が
多く分布する。従って、下地層が存在する領域の液晶分
子３１のプレチルト角が、下地層が存在しない領域の液
晶分子３１のプレチルト角よりも大きくなるので、配向
膜１６および２６の第１配向規制領域Ｒ１が与えるプレ
チルト角を、第２配向規制領域Ｒ２が与えるプレチルト
角よりも大きくすることができる。

【００５９】続いて、配向膜１６および２６に必要に応
じてラビング処理などの配向処理を行った後、第１基板
１０および第２基板２０を貼り合わせる。このとき、配
向膜１６および２６が液晶分子３１に与える配向規制力
の方位角方向が一致するように貼り合わせる。

【００６０】次に、貼り合わされた第１基板１０および
第２基板２０の間隙に液晶材料を注入し、液晶層３０を
形成する。液晶層３０としては、ネマチック相を呈する
液晶層を用いることができ、典型的には、液晶層３０
は、一般的なネマチック液晶材料を用いて形成されたネ
マチック液晶層である。

【００６１】その後、第１基板１０および第２基板２０
の外側（液晶層３０とは反対側）に、クロスニコル状態
に配置された一対の偏光板を設ける。このとき、一対の
偏光板の一方の偏光軸が、配向膜１６および２６の配向
規制力の方位角方向（典型的にはラビング方向）と一致
するように配置する。このようにして、本実施形態の不
揮発性記録媒体１００が得られる。

【００６２】本発明による不揮発性記録媒体１００は、
常温の広い範囲で安定なネマチック相を呈する一般的な
ネマチック材料を用いることができるので、環境安定性
に優れている。これに対して、室温でスメクチック相を
示す液晶材料を用い、その相転移現象を利用する記録媒
体は、環境温度により容易に相転移を引き起こしてしま
って使用できなくなるので、環境安定性に劣る。

【００６３】また、不揮発性記録媒体１００が有する配
向膜１６および２６は、第１配向規制領域Ｒ１と、第１
配向規制領域Ｒ１よりも大きなプレチルト角を与える第
２配向規制領域Ｒ２とを有しており、このことによっ
て、記録された情報が保存されるので、本発明による不
揮発性記録媒体１００は、メモリ保存性に優れている。

【００６４】さらに、不揮発性記録媒体１００が有する
液晶層３０は、一般的なネマチック液晶材料から形成す
ることができ、比較的低電圧で配向状態を変化させるこ
とができるので、本発明による不揮発性記録媒体１００
は、装置の耐圧を考慮する必要がなく、低コストで製造
することができる。

【００６５】このように、本発明による不揮発性記録媒
体１００は、環境安定性およびメモリ保存性に優れ、低
コストで製造することができる。

【００６６】なお、上述の説明においては、説明の簡単
さのために、第１基板１０上に配向膜１６を形成する工
程と、第２基板２０上に配向膜２６を形成する工程とを
併せて説明したが、これらの工程は別個に行われてもよ
いことはいうまでもない。電極層１２および２２を形成
する工程についても同様である。

【００６７】また、図４に示した反射型の不揮発性記録
媒体１００’は、上述した不揮発性記録媒体１００の製
造方法において、光導電層１４上に高反射率金属などを
用いて反射層１８を形成することによって得られる。な
お、反射層１８をアルミニウムなどの導電性材料を用い
て形成する場合には、図４に示したように、反射層１８
を所定の形状にパターニングすることが好ましい。具体
的には、図２に示した第１配向規制領域Ｒ１と同じ形状
にパターニングすることが好ましい。情報記録の際に所
定のパターンの光が照射されると、光が照射された領域
の光導電層１４が励起されて液晶層３０への印加電圧が
大きくなるが、このとき、反射層１８が光導電層１４上
の全面に形成されていると、印加電圧の増分が全域の液
晶層３０にわたって平均化されて印加されることとな
る。これに対して、反射層１８を図４に示したようにパ
ターニングし、ある第１配向規制領域Ｒ１の反射層１８
が、隣接する第１配向規制領域Ｒ１の反射層１８と導通
しないようにすると、情報の記録を好適に行うことがで
きる。勿論、反射層１８を、誘電体ミラー（例えばＴｉ
Ｏ₂とＳｉＯ₂の多層積層板）のような絶縁体で形成する
場合には、反射層１８をパターニングせず、全面に形成
してもよい。

【００６８】さらに、本実施形態においては、一対の電
極層１２および２２のうちの一方の電極層１２上にのみ
光導電層１４が形成されている場合について説明した
が、勿論、他方の電極層２２上にさらなる光導電層が形
成されていてもよい。

【００６９】（実施形態２）図１１（ａ）および（ｂ）
に本発明による実施形態２の不揮発性記録媒体２００を
模式的に示す。図１１（ａ）は、不揮発性記録媒体２０
０を模式的に示す断面図であり、図１１（ｂ）は、不揮
発性記録媒体１００を模式的に示す斜視図である。実施
形態２の不揮発性記録媒体２００は、光導電層を有して
いない点において、実施形態１の不揮発性記録媒体１０
０と異なる。以下の説明においては、実施形態１の不揮
発性記録媒体１００と異なる点を中心に説明する。

【００７０】図１１（ａ）に示したように、不揮発性記
録媒体２００は、第１基板１０および第２基板２０の液
晶層３０側に設けられた電極層１２’および２２’上に
光導電層を有していない。

【００７１】第１基板１０上に設けられた電極層１２’
は、図１１（ａ）および（ｂ）に示したように、互いに
平行なストライプ状の複数の電極から構成されており、
第２基板２０上に設けられた電極層２２’も、互いに平
行なストライプ状の複数の電極から構成されている。第
２基板２０上の電極層２２’を構成する複数の電極は、
第１基板１０上の電極層１２’を構成する複数の電極が
延びる方向と直交する方向に延びている。

【００７２】不揮発性記録媒体２００が備える配向膜１
６および２６は、典型的には、電極層１２’を構成する
電極と電極層２２’を構成する電極とが交差する領域内
に、第１配向規制領域Ｒ１を有している。

【００７３】実施形態２の不揮発性記録媒体２００を用
いて情報の記録を行う場合には、実施形態１の不揮発性
記録媒体１００を用いる場合とは異なり、光を照射する
必要はなく、第１配向規制領域Ｒ１の液晶層３０のう
ち、所定の領域の液晶層３０にスプレイ−ベンド転移電
圧以上の電圧を選択的に印加して、液晶層３０の配向状
態を変化させる。

【００７４】具体的には、例えば、一方の電極層を構成
するストライプ状の複数の電極を走査電極とし、他方の
電極層を構成するストライプ状の複数の電極を信号電極
として機能させ、走査電極と信号電極との任意の交点に
選択的に電圧印加を行うことによって、所定の領域の液
晶層３０の配向状態を変化させることができる。

【００７５】本実施形態の不揮発性記録媒体２００は、
実施形態１の不揮発性記録媒体１００の製造方法におい
て、電極層を形成する工程において電極層１２’および
２２’をストライプ状に形成し、光導電層を形成する工
程を省略することによって製造することができる。

【００７６】

【実施例】以下、具体的な実施例と比較例とを用いて本
発明による不揮発性記録媒体を説明する。

【００７７】（実施例１）実施例１では、図１に示した
不揮発性記録媒体１００を作成した。

【００７８】第１基板１０としてガラス基板を用意し、
この第１基板１０上にＩＴＯを用いて透明な電極層１２
を形成した。次に、電極層１２上に、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）を用いてスパッタ法により厚さ約５００ｎｍの光導
電層１４を形成した。続いて、光導電層１４上に、配向
膜材料（ＪＳＲ社製ＪＡＬＳ−２０４）をスピンコータ
ーを用いて塗布し、１８０°で焼成した後、図１２に示
すような、格子状（ピッチが約４０μｍ）の遮光部７２
で分割された複数の透光部７４を有する石英フォトマス
ク７０を用いて、ｄｅｅｐＵＶ光（２４５ｎｍ、７ｍＪ
／ｃｍ２）を１７分間照射した。その後、ラビング布を
用いてラビング処理を行い、配向膜１６を得た。配向膜
１６のＵＶ光が照射された領域と照射されなかった領域
のプレチルト角を測定すると、それぞれ５°、８５°で
あった。

【００７９】次に、第２基板２０としてガラス基板を用
意し、同様にして電極層２２および配向膜２６を形成し
た。

【００８０】続いて、第１基板１０上に平均粒径が約
５．０μｍのプラスチックビーズ（積水ファインケミカ
ル社製ミクロパールＳＰ２０５０）を散布し、第１基板
１０と第２基板２０とを、配向膜１６および２６のラビ
ング方向が互いに平行になるように、シール剤（三井東
圧化学社製ストラクトボンドＸＮ−２１Ｓ）を用いて貼
り合わせた。貼り合わされた第１基板１０と第２基板２
０との間隙に、ネマチック液晶材料（メルク・ジャパン
株式会社製ＺＬＩ４８０１−１００）を注入した後、封
止し、第１基板１０と第２基板２０との間に液晶層３０
が挟持された液晶セルを得た。

【００８１】この液晶セルを、クロスニコル状態に配置
された一対の偏光板の間にいれて観察すると、配向膜１
６および２６のラビング方向と、一対の偏光板の一方の
偏光軸とを一致させた場合には、透過光（漏れ光）は観
察されないが、配向膜１６および２６のラビング方向が
一対の偏光板のいずれの偏光軸とも一致しない場合に
は、第１配向規制領域Ｒ１から透過光（漏れ光）が観察
された。このことから、第１配向規制領域Ｒ１の液晶層
３０の液晶分子３１は、ほぼ一様に所定の方位角方向
（すなわちラビング方向）に沿って配向していると考え
られる。一方、第２配向規制領域Ｒ２からは、ラビング
方向と透過軸とが一致しているか否かにかかわらず、透
過光（漏れ光）はほとんど観察されなかった。これらの
結果から、ｄｅｅｐＵＶ光の照射により、プレチルト角
を領域ごとに変化させることができることがわかった。

【００８２】その後、液晶セルの両側に、一対の偏光板
を、一方の偏光軸が配向膜１６および２６のラビング方
向と一致するようにクロスニコル状態で貼付した。

【００８３】このようにして作成された実施例１の不揮
発性記録媒体の電極層１２および２２の間に、５Ｖｒｍ
ｓ（６０Ｈｚ）の交流電圧を印加しながら、高圧水銀灯
（波長３６５ｎｍ）を用いて所定の画像パターンを照射
（像露光）した結果、露光された領域における可視光領
域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）の透過光量の増加が目視
により観察された。

【００８４】図１３に、情報記録前および情報記録後
の、情報記録部（第１配向規制領域Ｒ１）における透過
率（任意単位）と印加電圧（Ｖ）との関係を示す。図１
３に示したように、情報記録後に電極層１２および２２
間の印加電圧を除去しても画像は保持されており、実施
例１の不揮発性記録媒体がメモリ保存性を有しているこ
とが確認された。分解能は５００ｐｐｉ程度であった。

【００８５】情報が記録された実施例１の不揮発性記録
媒体を約１００℃で約５分間保持すると、記録された情
報（画像情報）は消去され、不揮発性記録媒体は元の状
態（情報が記録されていない状態）に戻った。また、別
の画像パターンを照射（像露光）すると、その画像パタ
ーンが記録されることが確認された。

【００８６】（実施例２）実施例２では、図４に示した
不揮発性記録媒体１００’を作成した。

【００８７】第１基板１０としてガラス基板を用意し、
この第１基板１０上にＩＴＯを用いて透明な電極層１２
を形成した。次に、電極層１２上に、アモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）をスパッタ法により堆積し、厚さ約４
００ｎｍの光導電層１４を形成した。続いて、光導電層
１４上にアルミニウムを堆積し、厚さが約１００ｎｍの
反射層１８を形成した。続いて、反射層１８上に、実施
例１と同様にして、配向膜１６を形成した。

【００８８】その後、実施例１と同様の工程により実施
例２の不揮発性記録媒体を作成した。

【００８９】実施例２の不揮発性記録媒体に、ハロゲン
ランプを用いて可視光を第１基板１０側、つまり光導電
層１４が形成されている基板側から照射し、像露光をお
こなった。その結果、露光された領域の液晶層３０の配
向状態が変化し、第２基板２０側、つまり光導電層１４
が形成されていない基板側からの可視光を用いて観察す
ることにより、画像が記録されていることが確認でき
た。

【００９０】（実施例３）実施例３では、図１に示した
不揮発性記録媒体１００を作成した。

【００９１】第１基板１０としてガラス基板を用意し、
この第１基板１０上にＩＴＯを用いて透明な電極層１２
を形成した。次に、電極層１２上に、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）を用いてスパッタ法により厚さ約３００ｎｍの光導
電層１４を形成した。

【００９２】続いて、図１４（ａ）に示すように、光導
電層１４が形成された第１基板１０上に、ポジ型レジス
ト（東京応化社製ＴＦＲ−Ｂ３）１９’を厚さが約２μ
ｍとなるようにスピンナーで塗布した。次に、図１４
（ｂ）に示すように、図１２に示したフォトマスクを介
して波長が３６５ｎｍの紫外光を照射し、現像液を用い
て現像した。続いて、２４０℃に加熱することによっ
て、図１４（ｃ）および（ｄ）に示すように、ポジ型レ
ジスト１９’を軟化させてスムージングし、第１基板１
０上に凹凸状の表面を有する下地層１９を形成した。そ
の後、同様にしてリブをパターニングすることによりレ
ジストスペーサーを情報記録部の外周に配置した。

【００９３】次いで、下地層１９が形成された第１基板
１０上に、水平配向膜材料（ＪＳＲ社製ＡＬ１Ｔ１０４
８）を塗布し、１８０℃で焼成した後、ラビング処理を
行って配向膜１６を得た。

【００９４】その後、実施例１と同様にして不揮発性記
録媒体を作成した。

【００９５】このようにして作成された実施例３の不揮
発性記録媒体の電極層１２および２２の間に、４Ｖの交
流電圧を印加しながら、高圧水銀灯（波長３６５ｎｍ）
を用いて所定の画像パターンを照射（像露光）した結
果、画像パターンが記録されていることが確認された。
１ヶ月以上放置した後に再度可視光にて観察したとこ
ろ、ほぼ同じ状態で画像パターンが維持されていること
が確認された。

【００９６】情報が記録された実施例３の不揮発性記録
媒体を約１１０℃のオーブンに入れ、約３０分間放置し
た後に取り出し、室温に冷却して観察したところ、記録
された情報（画像パターン）が消去されていることが確
認された。

【００９７】（実施例４）実施例４では、図１１に示し
た実施形態２の不揮発性記録媒体２００を作成した。

【００９８】電極層１２’および２２’をストライプ状
に形成する点と、光導電層を形成しない点以外は、実施
例１と同様にして、不揮発性記録媒体を作成した。電極
層１２’を構成するストライプ状の電極が延びる方向
と、電極層２２’を構成するストライプ状の電極が延び
る方向とが直交するように第１基板１０と第２基板２０
とを貼り合わせた。

【００９９】このようにして作成した実施例４の不揮発
性記録媒体の電極層１２’および２２’の間に３Ｖの交
流電圧を３秒間印加した。このとき、所望の領域の液晶
層３０にのみ選択的に電圧を印加した。電圧を印加され
た領域の透過率が変化していることが確認された。

【０１００】上述したように、光導電層を有しない構成
であっても情報の記録を行うことができることが確認さ
れた。

【０１０１】（比較例）比較例として、液晶層の両側の
配向膜が液晶分子に対して一様なプレチルト角を与える
ように構成された記録媒体を作成した。

【０１０２】ガラス基板を用意し、ガラス基板上にＩＴ
Ｏを用いて透明な電極層を形成した。次に、電極層上
に、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いてスパッタ法により
厚さ約２００ｎｍの光導電層を形成した。続いて、光導
電層１４上に、プレチルト角が４°となるような配向規
制力を与える配向膜材料（ＪＳＲ社製ＡＬ４４５２）を
塗布し、２１０°で焼成した後、ラビング処理を行っ
た。その後、実施例１と同様にして比較例の記録媒体を
作成した。

【０１０３】このようにして作成された比較例の記録媒
体の電極層間に５Ｖの交流電圧を印加しながら、高圧水
銀灯（波長３６５ｎｍ）を用いて所定の画像パターンを
照射（像露光）した。電圧を印加している間に、偏光板
の偏光軸を回転させることによって露光された領域の液
晶層の配向状態が変化していることが確認できたが、電
圧を除去すると、露光された領域の液晶層は、すぐにス
プレイ配向状態にもどってしまった。このことからわか
るように、比較例の記録媒体は、メモリ保存性を有して
いない。

【０１０４】

【発明の効果】本発明によると、環境安定性およびメモ
リ保存性に優れ、低コストで製造できる不揮発性記録媒
体が提供される。また、本発明によると、このような不
揮発性記録媒体を効率よく製造できる方法が提供され
る。さらに、本発明によると、このような不揮発性記録
媒体を用いた情報の記録および読み出し方法が提供され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による実施形態１の不揮発性記録媒体１
００を模式的に示す断面図である。

【図２】本発明による実施形態１の不揮発性記録媒体１
００の一部を模式的に示す上面図である。

【図３】電圧無印加状態における液晶分子の配向状態を
模式的に示す図である。

【図４】本発明による実施形態１の他の不揮発性記録媒
体１００’を模式的に示す断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、情報の記録を行う際の液晶
層３０の配向状態の変化を説明するための図であり、
（ａ）は電圧無印加状態を示し、（ｂ）は液晶層にスプ
レイ−ベンド転移電圧以上の電圧が印加された状態を示
し、（ｃ）は印加電圧が除去された状態を示す図であ
る。

【図６】本発明による実施形態１の不揮発性記録媒体１
００の等価回路を示す図である。

【図７】液晶層３０への印加電圧（Ｖ）と、ギブスの自
由エネルギー（μＪ／ｍｍ²）との関係を示すグラフで
ある。

【図８】ベンド配向状態、１８０°ツイスト配向状態お
よびスプレイ配向状態における配向の自由エネルギー値
を示す図である。

【図９】（ａ）および（ｂ）は、情報の読み出しを行う
際の液晶層３０の配向状態と透過光量との関係を説明す
るための図である。

【図１０】（ａ）および（ｂ）は、情報の記録および情
報の読み出しの際の光の照射の仕方の例を示す図であ
り、（ａ）は本発明による実施形態１の不揮発性記録媒
体１００を用いる場合を示し、（ｂ）は本発明による実
施形態１の他の不揮発性記録媒体１００’を用いる場合
を示す図である。

【図１１】（ａ）は、本発明による実施形態２の不揮発
性記録媒体２００を模式的に示す断面図であり、（ｂ）
は、不揮発性記録媒体２００を模式的に示す斜視図であ
る。

【図１２】実施例の不揮発性記録媒体を作成する際に用
いるフォトマスク７０を模式的に示す上面図である。

【図１３】実施例１の不揮発性記録媒体における、情報
記録部の透過率（任意単位）と、印加電圧（Ｖ）の関係
を示すグラフである。

【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、第１基板１０上に凹凸状
の表面を有する下地層１９を形成する工程を模式的に示
す断面図である。

【符号の説明】

１０ 第１基板 １２ 電極層 １４ 光導電層 １６ 配向膜 １８ 反射層 ２０ 第２基板 ２２ 電極層 ２６ 配向膜 ３０ 液晶層 ３１ 液晶分子 ７０ フォトマスク ７２ 遮光部 ７４ 透光部 １００、１００’、２００ 不揮発性記録媒体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/004 Ｇ１１Ｂ 7/004 Ｚ ５Ｄ０９０ 7/24 ５０１ 7/24 ５０１Ｂ ５Ｄ１２１ 7/26 ５３１ 7/26 ５３１ Ｆターム(参考） 2H088 EA62 GA02 HA09 HA18 HA21 HA29 JA03 KA04 KA11 KA14 LA02 MA20 2H090 HA02 HC05 HC16 KA04 LA05 MA05 MA12 MB01 MB14 2H092 GA05 HA03 KA07 LA02 LA06 LA08 LA12 LA14 NA25 PA13 2H093 NA11 NA74 NC02 NC42 NC73 ND60 NE05 NF04 NF21 NF25 NG16 5D029 HA02 5D090 BB09 CC01 CC04 KK06 5D121 AA01 EE21 GG02

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向する一対の基板と、 前記一対の基板間に設けられたネマチック相を呈する液
   晶層と、 前記一対の基板の前記液晶層側に設けられた一対の電極
   層と、 前記液晶層の両側に設けられた一対の配向膜とを有し、 前記一対の配向膜は、前記液晶層の液晶分子にプレチル
   ト角を与える配向規制力が付与された第１配向規制領域
   および第２配向規制領域を有し、前記第２配向規制領域
   における前記液晶分子のプレチルト角は、前記第１配向
   規制領域における前記液晶分子のプレチルト角よりも大
   きい、不揮発性記録媒体。
2. 【請求項２】 前記第２配向規制領域は、前記第１配向
   規制領域を包囲するように構成されている、請求項１に
   記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記液晶層の前記液晶分子は、電圧無印
   加時に、前記第１配向規制領域においてスプレイ配向
   し、前記第２配向規制領域においてベンド配向する、請
   求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記第１配向規制領域における前記液晶
   分子のプレチルト角は、１°〜３０°の範囲内にあり、
   前記第２配向規制領域における前記液晶分子のプレチル
   ト角は、６０°〜８９°の範囲内にある、請求項１から
   ３のいずれかに記載の不揮発性記録媒体。
5. 【請求項５】 前記一対の電極層の少なくとも一方上に
   形成された光導電層をさらに有する、請求項１から４の
   いずれかに記載の不揮発性記録媒体。
6. 【請求項６】 前記光導電層の厚さは、１００ｎｍ〜１
   ０００ｎｍの範囲内にある、請求項５に記載の不揮発性
   記録媒体。
7. 【請求項７】 前記光導電層は透明な光導電層である、
   請求項５または６に記載の不揮発性記録媒体。
8. 【請求項８】 前記光導電層は不透明な光導電層であ
   る、請求項５または６に記載の不揮発性記録媒体。
9. 【請求項９】 前記光導電層は、前記一対の電極層の一
   方上に形成されている、請求項８に記載の不揮発性記録
   媒体。
10. 【請求項１０】 前記一対の基板の外側に設けられた少
    なくとも１つの偏光層をさらに有する、請求項１から９
    のいずれかに記載の不揮発性記録媒体。
11. 【請求項１１】 請求項１から１０のいずれかに記載の
    不揮発性記録媒体の製造方法であって、 前記一対の配向膜を形成する工程は、 前記一対の基板上に配向膜材料を塗布する工程と、 前記塗布された配向膜材料にフォトマスクを介して波長
    が３００ｎｍ以下の光を照射する工程とを包含する、不
    揮発性記録媒体の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項１から１０のいずれかに記載の
    不揮発性記録媒体の製造方法であって、 前記一対の配向膜を形成する工程は、 前記一対の基板上に、凹凸状の表面を有する下地層を形
    成する工程と、 前記下地層が形成された前記一対の基板上に配向膜材料
    を塗布する工程とを包含する、不揮発性記録媒体の製造
    方法。
13. 【請求項１３】 請求項７に記載の不揮発性記録媒体を
    用いた情報の記録および読み出し方法であって、 前記一対の電極層間に所定の電圧を印加するとともに、
    前記不揮発性記録媒体に波長が３８０ｎｍ未満の光を照
    射することによって情報の記録を行い、 前記不揮発性記録媒体に波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ
    の範囲内の光を照射することによって情報の読み出しを
    行う、情報の記録および読み出し方法。
14. 【請求項１４】 請求項９に記載の不揮発性記録媒体を
    用いた情報の記録および読み出し方法であって、 前記一対の電極層間に所定の電圧を印加するとともに、
    前記不揮発性記録媒体に波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ
    の範囲内の光を、前記一対の電極層のうちのその上に前
    記光導電層が形成されている電極層側から照射すること
    によって情報の記録を行い、 前記不揮発性記録媒体に波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ
    の範囲内の光を、前記一対の電極層のうちのその上に前
    記光導電層が形成されていない電極層側から照射するこ
    とによって情報の読み出しを行う、情報の記録および読
    み出し方法。