JP2003158301A - 発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
耐温度サイクル性あるいは耐湿度性等の信頼性を向上さ
せる。 【解決手段】 発光ダイオード素子が凹部を有するパッ
ケージの該凹部の底部に実装され、封止されている表面
実装型発光ダイオードにおいて、前記パッケージは導電
パターン11を有するMID基板2からなり、前記凹部
4は開口部に透明封止板3と内壁部に光反射面9を備
え、かつ前記凹部4内の光の媒質が空気であると共に、
前記凹部4に前記発光ダイオード素子10をフリップチ
ップ実装し、更に発光ダイオード素子10は、バンプ面
を含む少なくとも一面以上が、アンダーフイル樹脂8に
より覆うようにした。
Description
イオードに関するものである。
電、自動販売機用等の表示素子として、広く使われてい
る。このような従来の表面実装型発光ダイオードの構造
について、図面を用いて説明する。
を示す断面図である。図4において、発光ダイオード1
5は、発光ダイオード素子16が、リードフレーム17
と、このリードフレーム上に形成された成形樹脂18と
で作られる凹部19の底部に固着され、リード線20
は、ワイヤーボンデイングにより、リードフレーム17
と接続されている。凹部19には,透明樹脂21が充填
され、発光ダイオード素子16が封止されている。光反
射面22は、発光ダイオード素子の光を反射させ、外部
へ放射させるためのものである。
ような従来の表面実装型発光ダイオードにおいては、発
光ダイオード素子16の封止が、透明樹脂21を凹部1
9に充填することにより行われていた.このため、透明
樹脂21が予め吸湿してしまうとリフローはんだ付け時
の熱により、パッケージにクラックが発生することがあ
った。また、周囲温度の変化により透明樹脂21が収縮
し、これを繰り返すことにより、リード線20が断線す
る等、信頼性に問題があった。
するもので、従来の表面実装型発光ダイオードに比べ、
信頼性がアップされた発光ダイオードを提供することに
ある。
の本発明の構成は、以下に記した特徴を有する。
ードは、発光ダイオード素子が凹部を有するパッケージ
の該凹部の底部に実装され、封止されている発光ダイオ
ードにおいて、前記パッケージは射出成形プリント回路
部品からなり、前記凹部は開口部に透明封止板と内壁部
に光反射面を備え、かつ前記凹部内の光の媒質が空気で
あると共に、前記凹部に前記発光ダイオード素子がフリ
ップチップ実装若しくはワイヤーボンド接続されている
ことを特徴とするものである。
ードの発光ダイオード素子は、バンプ面を含む少なくと
も一面以上が、樹脂により覆われていることを特徴とす
るものである。
ードの透明封止板は、透明ガラス又は透明樹脂材料から
形成されていることを特徴とするものである。
ードの透明封止板は、シート状又は平板状であることを
特徴とするものである。
ードの透明封止板は、凸レンズ、凹レンズ、フレネルレ
ンズ、セルフォックレンズ又はホログラムレンズの何れ
かであることを特徴とするものである。
ードの光反射面は、球面の一部であることを特徴とする
ものである。
ードの光反射面は、放物面の一部であることを特徴とす
るもである。
ードの光反射面は、非球面であることを特徴とするもの
である。
ードの光反射面は、円錐状平面であることを特徴とする
ものである。
オードの光反射面は、メッキ又は蒸着等によって光反射
効率を高めるための表面処理がなされていることを特徴
とするものである。
面に基づいて説明する。図1,図2及び図3は本発明の実
施の形態例を示す表面実装型発光ダイオードで、図1は
発光ダイオードの第一実施例を示す断面図であり、図2
は発光ダイオードの第二実施例を示す断面図であり、図
3は発光ダイオードの第三実施例を示す断面図である。
ダイオード素子10が導電パターン11を有する射出成
形プリント回路部品(Molded Interconnection Device
以下MIDと記す。)である基板2及び透明封止板3
からなるパッケージの凹部4の底部5に実装された構造
である。
し、これに導電回路を付与したものである。成形材料に
は液晶ポリマーやスーパーエンジニアリングプラスチッ
クが用いられる。液晶ポリマーは耐熱性に優れ、線膨張
係数が小さいため、これを用いたパッケージは、リフロ
ーはんだ付け時の熱の影響の低減化あるいは温度サイク
ル性の改善ができる。
バンプ6,7により、MID基板2の導電パターン11
にフリップチップ実装される。
少なくとも一面以上は、アンダーフイル樹脂8により覆
われている。このため、発光ダイオードの耐湿度性、耐
衝撃性、耐振動性等を向上させることができる。尚、こ
の樹脂の屈折率は、1.5程度である。
や放物面の一部の形状あるいは非球面や円錐状平面に作
られ、銀メッキ又は蒸着等がなされている。これによ
り、光反射面9の光の反射効率を高めることができる。
の透明材料が用いられ、その形状は、シート状や平板状
である。これにより、発光ダイオード素子10を保護す
るとともに、光の透過性を確保することができる。
施例で、発光ダイオード素子10は、底部5に固着さ
れ、リード線12は、金線を用いワイヤーボンド接続さ
れたものである。封止は、充填材を使用しないで透明封
止板3により行われる。従ってリード線12の断線やパ
ッケージのクラックが無くなった。尚、リード線12を
覆う樹脂13は、リード線を保護するためのものであ
る。
施例で、透明封止板14は、凸レンズ状として、発光ダ
イオードの外部への光の集光性を高めたものである。
尚、透明封止板14は、凹レンズ、フレネルレンズ、セ
ルフォックレンズ、ホログラムレンズ等を用いても良
い。
ダイオード素子が凹部を有するパッケージの該凹部の底
部に実装され、封止されている発光ダイオードにおい
て、前記パッケージはMIDからなり、前記凹部は開口
部に透明封止板と内壁部に光反射面を備え、かつ凹部内
の光の媒質が空気であると共に、前記凹部に前記発光ダ
イオード素子がフリップチップ実装若しくはワイヤボン
ド接続されていることにより、耐リフロー性や耐温度サ
イクル性を向上させることができる。又、アンダーフイ
ル樹脂により、発光ダイオード素子のバンプ面を含む少
なくとも一面以上を覆うことにより、耐湿度性や耐振動
性、耐衝撃性等も向上させることができる。更に、発光
ダイオード素子が、透明ガラスや透明樹脂材料から形成
される平板状やレンズ状の透明封止板により、凹部内の
光の媒質を空気として、封止されるため、発光ダイオー
ド素子の保護と、光の透過性を確保できると共に、光反
射面を球面や放物面の一部の形状あるいは非球面や円錐
状平面にし、メッキ又は蒸着等がなされているため、光
の反射効率を高めることができる等、本発明の効果は極
めて大きい。
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
である。
Claims (10)
- 【請求項1】 発光ダイオード素子が凹部を有するパッ
ケージの該凹部の底部に実装され、封止されている発光
ダイオードにおいて、前記パッケージは射出成形プリン
ト回路部品からなり、前記凹部は開口部に透明封止板と
内壁部に光反射面を備え、かつ前記凹部内の光の媒質が
空気であると共に、前記凹部に前記発光ダイオード素子
がフリップチップ実装若しくはワイヤーボンド接続され
ていることを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項2】 前記発光ダイオード素子は、バンプ面を
含む少なくとも一面以上が、樹脂により覆われているこ
とを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。 - 【請求項3】 前記透明封止板は、透明ガラス又は透明
樹脂材料から形成されていることを特徴とする請求項1
記載の発光ダイオード。 - 【請求項4】 前記透明封止板は、シート状又は平板状
であることを特徴とする請求項1又は3記載の発光ダイ
オード。 - 【請求項5】 前記透明封止板は、凸レンズ、凹レン
ズ、フレネルレンズ、セルフォックレンズ又はホログラ
ムレンズの何れかであることを特徴とする請求項1又は
3記載の発光ダイオード。 - 【請求項6】 前記光反射面は,球面の一部であること
を特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。 - 【請求項7】 前記光反射面は、放物面の一部であるこ
とを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。 - 【請求項8】 前記光反射面は、非球面であることを特
徴とする請求項1記載の発光ダイオード。 - 【請求項9】 前記光反射面は、円錐状平面であること
を特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。 - 【請求項10】 前記光反射面は、メッキ又は蒸着等に
よって光反射効率を高めるための表面処理がなされてい
ることを特徴とする請求項1又は6乃至9記載の発光ダ
イオード。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001358460A JP2003158301A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 発光ダイオード |
| US10/298,683 US6858880B2 (en) | 2001-11-22 | 2002-11-19 | Light emitting diode device |
| CN02152636.2A CN1263171C (zh) | 2001-11-22 | 2002-11-22 | 发光二极管器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001358460A JP2003158301A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 発光ダイオード |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006161686A Division JP2006303526A (ja) | 2006-06-09 | 2006-06-09 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003158301A true JP2003158301A (ja) | 2003-05-30 |
Family
ID=19169634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001358460A Pending JP2003158301A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | 発光ダイオード |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6858880B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003158301A (ja) |
| CN (1) | CN1263171C (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030094622A1 (en) | 2003-05-22 |
| CN1424774A (zh) | 2003-06-18 |
| CN1263171C (zh) | 2006-07-05 |
| US6858880B2 (en) | 2005-02-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050920 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A711 | Notification of change in applicant |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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