JP2003163379A

JP2003163379A - Ｌｅｄ発光装置

Info

Publication number: JP2003163379A
Application number: JP2001361582A
Authority: JP
Inventors: Kazunari Kuzuhara; 一功葛原
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2001-11-27
Filing date: 2001-11-27
Publication date: 2003-06-06
Anticipated expiration: 2021-11-27
Also published as: JP3965981B2

Abstract

(57)【要約】【課題】凹所を有する支持基体の該凹所内に形成して
いる接続端子にフリップチップ方式で実装しているＬＥ
Ｄの電極形成面から発した光を効率良く、凹所３の開口
側に取り出せるＬＥＤ発光装置を提供する。【解決手段】ＬＥＤ５の電極形成面１２と、支持基体
２の凹所３の底部４間に、その外周部１７が開放してい
る間隙１８を形成すると共に、間隙１８の開放している
外周部１７の底位置１９より高い位置にその上面１５が
位置するように支持基体２の凹所３内に形成した支持台
１６の上面に接続端子７を形成していて、ＬＥＤ５の電
極形成面１２から放射され、電極形成面１２と対向して
いる凹所３の底部４で反射した光を間隙１８の開放して
いる外周部１７を通過させて、凹所３の開口１４側に取
り出すようにしていることを特徴とするＬＥＤ発光装
置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一方の面側にのみ
電極を形成しているＬＥＤ（Light Emittinng Diode：
発光ダイオード）を、凹所を有する支持基体の該凹所内
に形成している接続端子にフリップチップ方式で実装し
ているＬＥＤ発光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一方の面側にのみ電極を形成しているＬ
ＥＤからの光を特定の方向に取り出せるように実装する
手段として、例えば図１２〔（ａ）は概略平面図、
（ｂ）は概略断面図〕に示すように、支持基体２に凹所
３を形成し、その凹所３の底部４にＬＥＤ５をダイボン
ドし、ＬＥＤ５の電極６、６と、支持基体２上の接続端
子７、７とを金ワイヤ８、８により接続した後、凹所３
を透明樹脂９で封止する方法が行われている。なお、接
続端子７は支持基体２に形成している回路パターン１０
の一部でもある。

【０００３】このようなＬＥＤ発光装置１に使用される
ＬＥＤ５には、表裏面及び側面から光を放射するものが
ある。そして、ＬＥＤ５の側面から放射される光を効率
良く凹所３の開口１４側に取り出す手段として、凹所３
の内面を反射面とする方法がある。しかし、ＬＥＤ５を
ダイボンドしている面から出る光はダイボンド樹脂に吸
収されるため、ＬＥＤ５からの光取り出し効率が不十分
であるという問題がある。

【０００４】光取り出し効率を改善する手段として、図
１３〔（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図〕に示
すように、ＬＥＤ５の電極６、６にそれぞれ金属突起１
１、１１を形成し、電極形成面１２を下方にしたＬＥＤ
５を、凹所３の底部４に形成している接続端子７、７に
フリップチップ方式で実装することにより、凹所３の底
部４側に位置するＬＥＤ５の電極形成面１２からの光
を、電極形成面１２と対向している凹所３の底部４で反
射し、反射した光をＬＥＤ５内を通して凹所３の開口１
４側に取り出すことが検討されている。しかし、反射し
た光をＬＥＤ５内を通過させるようにして取り出す場
合、光がＬＥＤ５内で吸収されたり、反射されたりし
て、光を効率よく取り出せないため、電極形成面１２か
らの光の取り出しについて、改善する方策が求められて
いる。

【０００５】なお、ここでいうフリップチップ方式と
は、ＬＥＤ５の半導体素子が形成された面（電極形成面
１２）を支持基体２と向かい合せる（フェースダウン）
ようにして、ＬＥＤ５の電極６、６と支持基体２上の接
続端子７、７とを電気的に接続する方式のことを表して
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
鑑みて成されたもので、その目的とする所は、凹所を有
する支持基体の該凹所内に形成している接続端子にフリ
ップチップ方式で実装しているＬＥＤの電極形成面から
発した光を効率良く、凹所３の開口側に取り出せるＬＥ
Ｄ発光装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明のＬ
ＥＤ発光装置は、一方の面側にのみ電極を形成している
ＬＥＤを、凹所を有する支持基体の該凹所内に形成して
いる接続端子にフリップチップ方式で実装していて、Ｌ
ＥＤの電極形成面から放射される光を、この電極形成面
と対向している凹所の底部で反射させて凹所の開口側に
取り出すようにしたＬＥＤ発光装置であって、ＬＥＤの
電極形成面と、この電極形成面と対向している支持基体
の凹所の底部間に、その外周部が開放している間隙を形
成すると共に、この間隙の開放している外周部の底位置
より高い位置にその上面が位置するように支持基体の凹
所内に形成した支持台の上面に前記接続端子を形成して
いて、ＬＥＤの電極形成面から放射され、電極形成面と
対向している凹所の底部で反射した光を前記間隙の開放
している外周部を通過させて、凹所の開口側に取り出す
ようにしていることを特徴とするＬＥＤ発光装置であ
る。

【０００８】請求項２に係る発明のＬＥＤ発光装置は、
前記間隙を形成している凹所の底部を凹面状に形成して
いることを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ発光装置で
ある。

【０００９】請求項３に係る発明のＬＥＤ発光装置は、
凹所を有する支持基体を、表面を反射面としている掘り
込み部を備えるプリント基板と、この掘り込み部を包囲
し、その内側面を反射面としている枠部材とで形成する
と共に、プリント基板の掘り込み部に近接する掘り込み
近接部を前記支持台としていて、この支持台上面に前記
接続端子を形成していることを特徴とする請求項１又は
請求項２記載のＬＥＤ発光装置である。

【００１０】請求項４に係る発明のＬＥＤ発光装置は、
支持台が、支持基体の凹所の底部より立ち上がるように
突出させて支持基体と一体に形成されていることを特徴
とする請求項１又は請求項２の何れかに記載のＬＥＤ発
光装置である。

【００１１】請求項５に係る発明のＬＥＤ発光装置は、
ＬＥＤの電極形成面と対向している支持基体の凹所の底
部に、ＬＥＤの電極形成面からの発光を前記間隙の開放
している外周部方向へと反射させる凸部を形成している
ことを特徴とする請求項１〜請求項４の何れかに記載の
ＬＥＤ発光装置である。

【００１２】請求項６に係る発明のＬＥＤ発光装置は、
凸部がドーム状又は円錐状であることを特徴とする請求
項５記載のＬＥＤ発光装置である。

【００１３】請求項７に係る発明のＬＥＤ発光装置は、
凸部が前記間隙の開放している外周部方向に向いた反射
面からなる多面体であることを特徴とする請求項５記載
のＬＥＤ発光装置である。

【００１４】請求項８に係る発明のＬＥＤ発光装置は、
凸部が、その頂部が凹所底部の中央から外向き放射状に
延びる十字形状の稜線を形成している凸部であることを
特徴とする請求項５記載のＬＥＤ発光装置である。

【００１５】請求項９に係る発明のＬＥＤ発光装置は、
支持台が柱状であることを特徴とする請求項１、請求項
２及び請求項４〜請求項８の何れかに記載のＬＥＤ発光
装置である。

【００１６】請求項１０に係る発明のＬＥＤ発光装置
は、支持台が、凹所底部を横切るように立ち上がってい
て、且つその側面は下向きに広がる反射面をなしている
凸条部であることを特徴とする請求項１、請求項２及び
請求項４の何れかに記載のＬＥＤ発光装置である。

【００１７】請求項１１に係る発明のＬＥＤ発光装置
は、支持台が、前記凸条部であって、その頂上面が凹所
底部の中央から外向き放射状に延びる十字形状を形成し
ている凸条部であることを特徴とする請求項１０記載の
ＬＥＤ発光装置である。

【００１８】請求項１２に係る発明のＬＥＤ発光装置
は、支持台が、角錐台状又は円錐台状であって、且つそ
の側面が反射面であることを特徴とする請求項１〜請求
項４の何れかに記載のＬＥＤ発光装置である。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。

【００２０】図１は、本発明の第１実施形態を示してい
て、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
第１実施形態のＬＥＤ発光装置１では、成形によって作
製した合成樹脂製の支持基体２を使用している。支持基
体２には凹所３を形成していて、その凹所３の底部４に
は、その上面１５の高さが周囲より一段高くなっている
柱状の支持台１６、１６を形成している。この柱状の支
持台１６、１６は凹所３の底部４より立ち上がるように
形成している。また、この柱状の支持台１６、１６は、
成形によって支持基体２を作製する際に、同時に合成樹
脂の成形によって支持基体２と一体に形成している。そ
して、支持台１６、１６上から凹所３の外部に延びる回
路パターン１０、１０をめっきによって形成していて、
支持台１６、１６の上面１５に接続端子７、７を回路パ
ターン１０、１０の一部として形成している。回路パタ
ーン１０は、例えば、合成樹脂製の支持基体２に銅めっ
きを施して５〜１０μｍ程度の厚みの銅膜を形成した
後、ニッケルめっきを施して５〜１０μｍ程度の厚みの
ニッケル膜を銅膜上に形成し、さらに金めっきを施して
０．３〜０．５μｍ程度の厚みの金膜を表面に形成して
作製することができる。

【００２１】この第１実施形態のＬＥＤ発光装置１で
は、ＬＥＤ５の電極形成面１２と、この電極形成面１２
と対向している支持基体２の凹所３の底部４間に、その
外周部１７が開放している間隙１８を形成すると共に、
この間隙１８の開放している外周部１７の底位置１９よ
り高い位置にその上面１５が位置するように支持基体２
の凹所３内に支持台１６を形成している。そして、凹所
３の内面は柱状の支持台１６及び凹所３内に形成してい
る回路パターン１０を除いて反射面となるように形成し
ている。反射面とする具体的手段については特に限定は
ないが、例えば、凹所３の内面にアルミニウム等の金属
膜を蒸着する等の手段で形成すればよい。なお、金属膜
等の導電物質を用いて反射面を形成する場合には、反射
面を形成する金属膜と、回路パターン１０とが電気的に
絶縁されている状態になるように金属膜は形成する。

【００２２】そして、ＬＥＤ５の電極形成面１２にある
電極６、６上に金属突起１１、１１を形成しておき、こ
の金属突起１１、１１と接続端子７、７を接合して、Ｌ
ＥＤ５をフリップチップ方式で支持基体２に実装する。
金属突起１１、１１は、例えば金ワイヤを電極６、６上
にワイヤボンドし、その後ワイヤを引きちぎる方法等に
よって形成することができ、フリップチップ方式による
実装は、加圧、加熱、超音波印加等の手段により、ＬＥ
Ｄ５の電極６、６上に形成した金属突起１１、１１と、
支持台１６上の接続端子７、７を接合し、合金層を形成
することで行うことができる。さらに、ＬＥＤ５をフリ
ップチップ方式で支持基体２に実装した後、凹所３内を
透明樹脂９で埋めてＬＥＤ５及び接合部を封止するよう
にしている。

【００２３】上記の第１実施形態のＬＥＤ発光装置１で
は、ＬＥＤ５の電極形成面１２と、この電極形成面１２
と対向している支持基体２の凹所３の底部４間に、その
外周部１７が開放している間隙１８を形成しているの
で、ＬＥＤ５の電極形成面１２から放射され、この電極
形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４
で反射した光は間隙１８の開放されている外周部１７を
通って、凹所３の開口１４側に取り出すことができる。
なお、その場合開放されている外周部１７を通った光は
再度凹所３の内面で反射してから凹所３の開口１４側に
取り出される場合もある。このように、第１実施形態の
ＬＥＤ発光装置１では、その上面１５の高さを周囲より
一段高く形成している柱状の支持台１６上に接続端子７
を形成するようにしているので、このような支持台を形
成することなく、凹所３の底部４に接続端子７を形成し
ている、図１３に示す従来のＬＥＤ発光装置１に比べ、
ＬＥＤ５の電極形成面１２と、この電極形成面１２と対
向している支持基体２の凹所３の底部４間に形成する間
隙１８の高さを高く確保することができる。従って、第
１実施形態のＬＥＤ発光装置１では、ＬＥＤ５の電極形
成面１２より発し、凹所３の底部４で反射する光につい
て、ＬＥＤ５の電極形成面１２に向かって反射させず
に、ＬＥＤ５の電極形成面１２と支持基体２の凹所３の
底部４間に形成した間隙１８の開放されている外周部１
７を通過させる割合を、より大きくすることができる。
そのため、第１実施形態のＬＥＤ発光装置１は、ＬＥＤ
５の電極形成面１２より発した光を取り出す効率が向上
しているＬＥＤ発光装置となる。

【００２４】次に、図２は、本発明の第２実施形態を示
していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図で
ある。第２実施形態のＬＥＤ発光装置１は、上記の第１
実施形態のＬＥＤ発光装置１における、ＬＥＤ５の電極
形成面１２と、この電極形成面１２と対向している支持
基体２の凹所３の底部４間に、その外周部１７が開放す
るように形成している間隙１８に関して、間隙１８を形
成する凹所３の底部４を凹面状に形成するようにしてい
る。そして、それ以外は第１実施形態のＬＥＤ発光装置
１と同じ構造にしている。

【００２５】この第２実施形態のＬＥＤ発光装置１で
は、電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３
の底部４を凹面状に形成しているので、ＬＥＤ５の電極
形成面１２より発し、凹所３の底部４で反射する光につ
いて、ＬＥＤ５の電極形成面１２に向かって反射させず
に、ＬＥＤ５の電極形成面１２と支持基体２の凹所３の
底部４間に形成した間隙１８の開放されている外周部１
７を通過させる割合を、より大きくすることができる。
そのため、第２実施形態のＬＥＤ発光装置１は、ＬＥＤ
５の電極形成面１２より発した光を取り出す効率がより
向上しているＬＥＤ発光装置となる。

【００２６】次に、図３は、本発明の第３実施形態を示
していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図で
ある。第３実施形態のＬＥＤ発光装置１は、図３に示す
ように、凹所３を有する支持基体２を、表面を反射面と
している掘り込み部２０を備えるプリント基板２１と、
この掘り込み部２０及び実装されたＬＥＤ５を包囲し、
その内側面２２を反射面としている枠部材２３とで形成
すると共に、プリント基板２１の掘り込み部２０に近接
する掘り込み近接部２４を支持台１６として、この支持
台１６の上面１５に接続端子７を形成するようにしてい
る。掘り込み部２０は、実装されたＬＥＤ５の電極形成
面１２の下方を通って、実装されたＬＥＤ５より外方に
延びるようにプリント基板２１に形成している。また、
枠部材２３の内側面２２は、内方に向けて傾斜する傾斜
面に形成している。第３実施形態の枠部材２３は外形を
矩形状にしているが、多角形状や円形状とすることもで
きる。枠部材２３の材質は合成樹脂、金属、セラミック
等各種の材質を使用することができる。そして、プリン
ト基板２１と枠部材２３とは、例えば、接着剤等を用い
て固着して、一体化する。また、掘り込み部２０の表面
及び枠部材２３の内側面２２を反射面とする手段につい
ては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム等の金
属膜を蒸着する等の手段で形成すればよい。なお、金属
膜等の導電物質を用いて反射面を形成する場合には、反
射面を形成する金属膜と、プリント基板２１に形成する
回路パターン１０とが電気的に絶縁されている状態にな
るように金属膜は形成する。

【００２７】第３実施形態のＬＥＤ発光装置１では、こ
のように、凹所３を有する支持基体２を、掘り込み部２
０を備えるプリント基板２１と、枠部材２３とで形成す
ると共に、プリント基板２１の掘り込み部２０に近接す
る掘り込み近接部２４を支持台１６として、この支持台
１６の上面１５に接続端子７を形成している。そして、
支持台１６、１６上から実装されたＬＥＤ５の外方に延
びるように回路パターン１０、１０をプリント基板２１
に形成している。なお、支持台１６、１６上に形成する
接続端子７、７はこの回路パターン１０、１０の一部と
して形成されている。

【００２８】回路パターン１０は、例えばプリント基板
２１を作製する際に、材料の銅張り積層板の銅箔（厚み
１２〜３５μｍ程度）にエッチング加工を施してパター
ン形成し、次いでニッケルめっきを施して５〜１０μｍ
程度の厚みのニッケル膜を銅膜（銅箔）上に形成し、さ
らに金めっきを施して０．３〜０．５μｍ程度の厚みの
金膜を表面に形成して作製することができる。また、回
路パターン１０と外部との電気的接続は、例えばプリン
ト基板２１に回路パターン１０と導通するスルーホール
部を形成してプリント基板２１の裏面で外部と接続する
ようにする等の方法で行うことができる。

【００２９】なお、この第３実施形態のＬＥＤ発光装置
１では、ＬＥＤ５の電極形成面１２と、この電極形成面
１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４間に、
その外周部１７が開放している間隙１８を、プリント基
板２１の掘り込み部２０で形成するようにしている。そ
して、プリント基板２１の掘り込み部２０に近接する掘
り込み近接部２４が、間隙１８の外周部１７の底位置１
９より高い位置にその上面１５が位置するようになって
いて、この掘り込み近接部２４を接続端子７が形成され
る支持台１６としている。

【００３０】そして、ＬＥＤ５の電極形成面１２にある
電極６、６上に金属突起１１、１１を形成しておき、こ
の金属突起１１、１１と接続端子７、７を接合して、Ｌ
ＥＤ５をフリップチップ方式で支持基体２に実装する。
金属突起１１、１１は、例えば金ワイヤを電極６、７上
にワイヤボンドし、その後ワイヤを引きちぎる方法等に
よって形成することができ、フリップチップ方式による
実装は、加圧、加熱、超音波印加等の手段により、ＬＥ
Ｄ５の電極６、６上に形成した金属突起１１、１１と、
支持台１６上の接続端子７、７を接合し、合金層を形成
することで行うことができる。さらに、ＬＥＤ５をフリ
ップチップ方式で支持基体２に実装した後、凹所３内を
透明樹脂９で埋めてＬＥＤ５及び接合部を封止するよう
にしている。

【００３１】上記の第３実施形態のＬＥＤ発光装置１で
は、ＬＥＤ５の電極形成面１２と、この電極形成面１２
と対向している支持基体２の凹所３の底部４間に、その
外周部１７が開放している間隙１８を形成しているの
で、ＬＥＤ５の電極形成面１２から放射され、この電極
形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４
である掘り込み部２０で反射した光は、間隙１８の開放
されている外周部１７を通って、凹所３の開口１４側に
取り出すことができる。なお、その場合外周部１７を通
った光は再度凹所３の内面（枠部材２３の内側面２２）
で反射してから凹所３の開口１４側に取り出される場合
もある。このように、第３実施形態のＬＥＤ発光装置１
では、その上面１５を、間隙１８の外周部１７の底位置
１９より高い位置となるにようにしている支持台１６
（掘り込み近接部２４）上に接続端子７を形成するよう
にしているので、このような支持台を形成することな
く、凹所３の底部４に接続端子７を形成している、図１
３に示す従来のＬＥＤ発光装置１に比べ、ＬＥＤ５の電
極形成面１２と、この電極形成面１２と対向している支
持基体２の凹所３の底部４間に形成する間隙１８の高さ
を高く確保することができる。従って、第３実施形態の
ＬＥＤ発光装置１では、ＬＥＤ５の電極形成面１２より
発し、凹所３の底部４で反射する光について、ＬＥＤ５
の電極形成面１２に向かって反射させずに、ＬＥＤ５の
電極形成面１２と支持基体２の凹所３の底部４間に形成
した間隙１８の開放されている外周部１７を通過させる
光の割合を、より大きくすることができる。そのため、
第３実施形態のＬＥＤ発光装置１は、光を取り出す効率
が向上しているＬＥＤ発光装置となる。

【００３２】次に、図４は、本発明の第４実施形態を示
していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図で
ある。第４実施形態のＬＥＤ発光装置１では、上記の第
１実施形態のＬＥＤ発光装置１に、さらに、ＬＥＤ５の
電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底
部４に、ＬＥＤ５の電極形成面１２からの発光を、ＬＥ
Ｄ５の電極形成面１２と、この電極形成面１２と対向し
ている支持基体２の凹所３の底部４間に形成している間
隙１８の外周部１７方向へと反射させる凸部２８を追加
して備えるようにしている。この凸部２８は、成形によ
って支持基体２を作製する際に、同時に合成樹脂の成形
によって支持基体２と一体になるように形成していて、
その表面を反射面に形成している。また、第４実施形態
では、凸部２８は、断面が略三角形の屋根状であり、実
装されたＬＥＤ５の電極形成面１２の下方にあって、実
装されたＬＥＤ５の端縁部に至るように支持基体２に形
成している。そして、それ以外は第１実施形態のＬＥＤ
発光装置１と同じ構造にしている。

【００３３】この第４実施形態のＬＥＤ発光装置１で
は、ＬＥＤ５の電極形成面１２からの発光を、ＬＥＤ５
の電極形成面１２と、この電極形成面１２と対向してい
る支持基体２の凹所３の底部４間に形成している間隙１
８の開放されている外周部１７方向へと反射させる凸部
２８を備えているので、ＬＥＤ５の電極形成面１２より
発し、凹所３の底部４で反射する光について、ＬＥＤ５
の電極形成面１２に向かって反射させずに、ＬＥＤ５の
電極形成面１２と支持基体２の凹所３の底部４間に形成
した間隙１８の開放されている外周部１７を通過させる
割合を、より大きくすることができる。そのため、第４
実施形態のＬＥＤ発光装置１は、ＬＥＤ５の電極形成面
１２からの光を取り出す効率がより向上しているＬＥＤ
発光装置となる。

【００３４】次に、図５は、本発明の第５実施形態を示
していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図で
ある。第５実施形態のＬＥＤ発光装置１では、上記の第
４実施形態のＬＥＤ発光装置１における、実装されたＬ
ＥＤ５の電極形成面１２の下方にある、支持基体２に形
成している凸部２８について、図５に示すように、その
形状をドーム状にしている。そして、それ以外は第４実
施形態のＬＥＤ発光装置１と同じ構造にしている。その
ため、第５実施形態のＬＥＤ発光装置１は、第４実施形
態のＬＥＤ発光装置１と同様に、光を取り出す効率がよ
り向上しているＬＥＤ発光装置となる。

【００３５】次に、図６は、本発明の第６実施形態を示
していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図で
ある。第６実施形態のＬＥＤ発光装置１では、上記の第
４実施形態のＬＥＤ発光装置１における、実装されたＬ
ＥＤ５の電極形成面１２の下方にある、支持基体２に形
成している凸部２８について、図６に示すように、その
形状を円錐状にしている。そして、それ以外は第４実施
形態のＬＥＤ発光装置１と同じ構造にしている。そのた
め、第６実施形態のＬＥＤ発光装置１は、第４実施形態
のＬＥＤ発光装置１と同様に、光を取り出す効率がより
向上しているＬＥＤ発光装置となる。

【００３６】次に、図７は、本発明の第７実施形態を示
していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ線を断面とする概略断面図である。第７実施形態のＬ
ＥＤ発光装置１では、上記の第４実施形態のＬＥＤ発光
装置１における、実装されたＬＥＤ５の電極形成面１２
の下方にある、支持基体２に形成している凸部２８につ
いて、図７に示すように、その形状を四角錐状にしてい
て、凸部２８が、電極形成面１２と対向している支持基
体２の凹所３の底部４間に形成している間隙１８の開放
されている外周部１７方向に向いた反射面を備えるよう
にしている。また、第７実施形態では、ＬＥＤ５が電極
６を４個備えていて、それぞれの電極６に対応するよう
に４個の柱状の支持台１６及び４個の接続端子７を形成
し、さらに各接続端子７に接続している４本の回路パタ
ーン１０を形成するようにしている。そして、その他の
構造については、第４実施形態のＬＥＤ発光装置１と略
同じ構造にしている。なお、第７実施形態では凸部２８
を四角錐状としているが、間隙１８の開放している外周
部１７方向に向いた反射面を備えるようにさえ凸部２８
を形成すれば、光を取り出す効率をより向上させること
ができるので、凸部２８を各種の多面体とすることも可
能である。

【００３７】このように、第７実施形態は、間隙１８の
開放している外周部１７方向に向いた反射面を備える凸
部２８を有するので、このような凸部を備えないものに
比べ、ＬＥＤ５の電極形成面１２からの光を取り出す効
率がより向上しているＬＥＤ発光装置となる。

【００３８】次に、図８は、本発明の第８実施形態を示
していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−
Ｂ線を断面とした場合の概略端面図である。第８実施形
態のＬＥＤ発光装置１では、上記の第７実施形態のＬＥ
Ｄ発光装置１における、実装されたＬＥＤ５の電極形成
面１２の下方にある、支持基体２に形成している、ＬＥ
Ｄ５の電極形成面１２からの発光を間隙１８の開放して
いる外周部１７方向へと反射させる凸部２８について、
図８（ａ）に示すように、その頂部２９が凹所３の底部
４の中央から外向き放射状に延びる十字形状の稜線を形
成するようにしている。そして凸部２８の凹所３の底部
４からの立ち上がり面は傾斜している反射面に形成して
いる。そして、その他の構造については、第７実施形態
のＬＥＤ発光装置１と同じ構造にしている。

【００３９】このように、第８実施形態は、間隙１８の
開放している外周部１７方向へと反射させる凸部２８を
有するので、このような凸部を備えないものに比べ、Ｌ
ＥＤ５の電極形成面１２からの光を取り出す効率がより
向上しているＬＥＤ発光装置となる。

【００４０】次に、図９は、本発明の第９実施形態を示
していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−
Ｃ線を断面とする概略断面図である。第９実施形態のＬ
ＥＤ発光装置１では、上記の第１実施形態のＬＥＤ発光
装置１における、柱状の支持台１６に代えて、支持台１
６は、凹所３の底部４を横切るように立ち上がってい
て、且つ、その側面は下向きに広がる反射面をなしてい
る突条部としている。そして、この突条部としている支
持台１６の頂上面は略平坦面に形成していて、この頂上
面に接続端子７及び回路パターン１０を形成するように
している。そして、その他の構造については、第１実施
形態のＬＥＤ発光装置１と同じ構造にしている。

【００４１】このように、第９実施形態では、支持台１
６を、前記のような突条部として形成しているので、柱
状の支持台を形成するより、その作製が容易となり、且
つ。第１実施形態のＬＥＤ発光装置と同様にＬＥＤ５の
電極形成面１２からの光を取り出す効率が向上している
ＬＥＤ発光装置となる。

【００４２】次に、図１０は、本発明の第１０実施形態
を示していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｄ−Ｄ線を断面とした場合の概略端面図である。第１０
実施形態のＬＥＤ発光装置１では、上記の第９実施形態
のＬＥＤ発光装置１における、凹所３の底部４を横切る
ように立ち上がっていて、且つその側面は下向きに広が
る反射面をなしている突条部で形成している支持台１６
について、さらに、その頂上面が凹所３の底部４の中央
から外向き放射状に延びる十字形状を形成している凸条
部となるようにしている。また、第１０実施形態では、
ＬＥＤ５が電極６を４個備えていて、それぞれの電極６
に対応するように支持台１６上に４個の接続端子７を形
成し、さらに各接続端子７に接続している４本の回路パ
ターン１０を形成するようにしている。

【００４３】このように、第１０実施形態では、支持台
１６を、前記のような突条部として形成しているので、
電極６を４個備えるＬＥＤ５に対応できて、且つ、柱状
の支持台を形成する場合よりも支持台１６の作製が容易
となると共に、第１実施形態のＬＥＤ発光装置と同様に
ＬＥＤ５の電極形成面１２からの光を取り出す効率が向
上しているＬＥＤ発光装置となる。

【００４４】次に、図１１は、本発明の第１１実施形態
を示していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面
図である。第１１実施形態のＬＥＤ発光装置１では、上
記の第４実施形態のＬＥＤ発光装置１における、支持基
体２に形成している柱状の支持台１６について、図１１
に示すように、その形状を四角錐台にしている。そし
て、それ以外は第４実施形態のＬＥＤ発光装置１と同じ
構造にしている。そのため、第１１実施形態のＬＥＤ発
光装置１は、第４実施形態のＬＥＤ発光装置１と同様
に、光を取り出す効率がより向上しているＬＥＤ発光装
置となる。なお、この第１１実施形態では、支持台１６
の形状を四角錐台としているが、円錐台或いは各種角錐
台の形状に形成しても、同様の効果を奏することができ
る。

【００４５】

【発明の効果】請求項１〜請求項１２に係る発明のＬＥ
Ｄ発光装置では、ＬＥＤの電極形成面と、この電極形成
面と対向している支持基体の凹所の底部間に、その外周
部が開放している間隙を形成すると共に、この間隙の開
放している外周部の底位置より高い位置にその上面が位
置するように支持基体の凹所内に形成した支持台の上面
に接続端子を形成していて、ＬＥＤの電極形成面から放
射され、電極形成面と対向している凹所の底部で反射し
た光を前記間隙の開放している外周部を通過させて、凹
所の開口側に取り出すようにしているので、ＬＥＤの電
極形成面から発した光を、支持基体の凹所の開口側に取
り出す効率が向上しているＬＥＤ発光装置となる。

【００４６】請求項２、請求項５、請求項６、請求項
７、請求項８、請求項１０、請求項１１及び請求項１２
に係る発明のＬＥＤ発光装置では、上記の効果に加え
て、ＬＥＤの電極形成面から発した光を、支持基体の凹
所の開口側に取り出す効率がより向上するという効果を
奏する。

【００４７】請求項３に係る発明のＬＥＤ発光装置で
は、上記の請求項１〜請求項１２に係る発明の効果に加
えて、プリント基板を用いて支持基体を形成するので、
複雑な成形金型を準備して支持基体を成形で形成する場
合に比べて、容易に支持基体を作製できるという効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の構成を説明する図であ
って、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図であ
る。

【図２】本発明の第２実施形態の構成を説明する図であ
って、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図であ
る。

【図３】本発明の第３実施形態の構成を説明する図であ
って、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図であ
る。

【図４】本発明の第４実施形態の構成を説明する図であ
って、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図であ
る。

【図５】本発明の第５実施形態の構成を説明する図であ
って、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図であ
る。

【図６】本発明の第６実施形態の構成を説明する図であ
って、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図であ
る。

【図７】本発明の第７実施形態の構成を説明する図であ
って、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図であ
る。

【図８】本発明の第８実施形態の構成を説明する図であ
って、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略端面図であ
る。

【図９】本発明の第９実施形態の構成を説明する図であ
って、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図であ
る。

【図１０】本発明の第１０実施形態の構成を説明する図
であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略端面図で
ある。

【図１１】本発明の第１１実施形態の構成を説明する図
であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図で
ある。

【図１２】従来のＬＥＤ発光装置の一例を説明する図で
あって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図であ
る。

【図１３】従来のＬＥＤ発光装置の他の例を説明する図
であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図で
ある。

【符号の説明】

１ＬＥＤ発光装置２支持基体３凹所４底部５ＬＥＤ６電極７接続端子９透明樹脂１０回路パターン１１金属突起１２電極形成面１４開口１５上面１６支持台１７外周部１８間隙１９開放している外周部の底位置２０掘り込み部２１プリント基板２２内側面２３枠部材２４掘り込み近接部２８凸部２９頂部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一方の面側にのみ電極を形成しているＬ
ＥＤを、凹所を有する支持基体の該凹所内に形成してい
る接続端子にフリップチップ方式で実装していて、ＬＥ
Ｄの電極形成面から放射される光を、この電極形成面と
対向している凹所の底部で反射させて凹所の開口側に取
り出すようにしたＬＥＤ発光装置であって、ＬＥＤの電
極形成面と、この電極形成面と対向している支持基体の
凹所の底部間に、その外周部が開放している間隙を形成
すると共に、この間隙の開放している外周部の底位置よ
り高い位置にその上面が位置するように支持基体の凹所
内に形成した支持台の上面に前記接続端子を形成してい
て、ＬＥＤの電極形成面から放射され、電極形成面と対
向している凹所の底部で反射した光を前記間隙の開放し
ている外周部を通過させて、凹所の開口側に取り出すよ
うにしていることを特徴とするＬＥＤ発光装置。
【請求項２】前記間隙を形成している凹所の底部を凹
面状に形成していることを特徴とする請求項１記載のＬ
ＥＤ発光装置。
【請求項３】凹所を有する支持基体を、表面を反射面
としている掘り込み部を備えるプリント基板と、この掘
り込み部を包囲し、その内側面を反射面としている枠部
材とで形成すると共に、プリント基板の掘り込み部に近
接する掘り込み近接部を前記支持台としていて、この支
持台上面に前記接続端子を形成していることを特徴とす
る請求項１又は請求項２記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項４】支持台が、支持基体の凹所の底部より立
ち上がるように突出させて支持基体と一体に形成されて
いることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＬＥ
Ｄ発光装置。
【請求項５】ＬＥＤの電極形成面と対向している支持
基体の凹所の底部に、ＬＥＤの電極形成面から放射され
た光を前記間隙の開放している外周部方向へと反射させ
る凸部を形成していることを特徴とする請求項１〜請求
項４の何れかに記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項６】凸部がドーム状又は円錐状であることを
特徴とする請求項５記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項７】凸部が前記間隙の開放している外周部方
向に向いた反射面からなる多面体であることを特徴とす
る請求項５記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項８】凸部が、その頂部が凹所底部の中央から
外向き放射状に延びる十字形状の稜線を形成している凸
部であることを特徴とする請求項５記載のＬＥＤ発光装
置。
【請求項９】支持台が柱状であることを特徴とする請
求項１、請求項２及び請求項４〜請求項８の何れかに記
載のＬＥＤ発光装置。
【請求項１０】支持台が、凹所底部を横切るように立
ち上がっていて、且つその側面は下向きに広がる反射面
をなしている凸条部であることを特徴とする請求項１、
請求項２及び請求項４の何れかに記載のＬＥＤ発光装
置。
【請求項１１】支持台が、前記凸条部であって、その
頂上面が凹所底部の中央から外向き放射状に延びる十字
形状を形成している凸条部であることを特徴とする請求
項１０記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項１２】支持台が、角錐台状又は円錐台状であ
って、且つその側面が反射面であることを特徴とする請
求項１、請求項２及び請求項４の何れかに記載のＬＥＤ
発光装置。