JP2003167532A - 表示装置とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板切断端縁における信号配線層の露出によ
る酸化や電蝕を防止し、信頼性を向上する。 【解決手段】 表示領域から引き出される信号配線層Ｇ
ＬＬの端部を基板の切断線ＣＴＬの内側で共通配線層
（短絡線層）に接続する接続部分ＩＪ１を設け、この接
続部分ＩＪ１をドライバＧＤＲ等の構成部材の下に配置
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置に係り、
特に携帯電話機、携帯情報端末等の画像情報や文字情報
の表示装置として用いられる薄膜トランジスタ等を画素
選択のためのスイッチング素子として用いたアクティブ
マトリクス方式又はスイッチング素子を用いない単純マ
トリクス方式の表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話機や携帯情報端末等の可搬型の
情報端末の普及に伴い、その画像情報や文字情報の表示
装置の耐久性能の向上が求められている。図２１は可搬
型の情報端末の一つである携帯電話機に実装される表示
装置の概略構造例の模式的説明図である。図２１の表示
装置は現在広く採用されている液晶表示装置をイメージ
したものであるが、他の形式の表示装置、例えば有機Ｅ
Ｌ表示装置などのアクティブマトリクス方式の表示装置
についても同様の駆動構造配置を備える。

【０００３】図２１において、この表示装置は第１の基
板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の間の表示領域ＡＲに
液晶層が挟持される。第１の基板ＳＵＢ１の表示領域Ａ
Ｒには走査信号配線ＧＬと画像信号配線ＤＬの交差部分
に単位画素が形成される。各画素はスイッチング素子
（アクティブ素子）として薄膜トランジスタがそれぞれ
設けられている。第２の基板ＳＵＢ２の内面にはカラー
表示ではカラーフィルタ層や対向電極などが形成されて
いる。

【０００４】第１の基板ＳＵＢ１は第２の基板ＳＵＢ２
より若干サイズが大きく、第２の基板ＳＵＢ２と貼り合
わせたときのはみ出し辺に外部信号源（ホストコンピュ
ータ等）から信号を受ける各種の端子パッド（以下、単
にパッドとも言う）が形成されている。図２１の表示装
置は、第１の基板ＳＵＢ１の一辺（図の下側辺）に画素
信号駆動回路チップ（以下、ドレインドライバとも言
う）ＤＤＲが搭載され、他の辺（図の左側辺）には走査
信号駆動回路チップ（以下、ゲートドライバとも言う）
ＧＤＲが搭載されている。

【０００５】ゲートドライバＧＤＲの出力側は表示領域
ＡＲの走査信号配線ＧＬに接続し、入力側は第１の基板
ＳＵＢ１の左辺縁に設けたパッドＰＡＤ１に接続されて
いる。ドレインドライバＤＤＲの出力側は表示領域ＡＲ
の画像信号配線ＤＬに接続し、入力側は第１の基板ＳＵ
Ｂ１の下辺縁に設けたパッドＰＡＤ３に接続されてい
る。

【０００６】ゲートドライバＧＤＲ側のパッドＰＡＤ１
には外部信号源と接続する第１のフレキシブルプリント
基板ＦＰＣ１のパッドＰＡＤ２が異方性導電膜などで接
続されている。同様に、ドレインドライバ側のパッドＰ
ＡＤ３には外部信号源と接続する第２のフレキシブルプ
リント基板ＦＰＣ２のパッドＰＡＤ４が異方性導電膜な
どで接続されている。尚、ゲートドライバＧＤＲ側のパ
ッドＰＡＤ１を第１の基板ＳＵＢ１の下辺縁に形成し、
第１のフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を設けず、そ
の機能を第２のフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２にま
とめたものもある。

【０００７】図２２は可搬型の情報端末の一つである携
帯電話機に実装される表示装置の他の概略構造例の模式
的説明図である。この表示装置では、ゲートドライバＧ
ＤＲとドレインドライバＤＤＲは共に第１のフレキシブ
ルプリント基板ＦＰＣ１、第２のフレキシブルプリント
基板ＦＰＣ２に搭載されている。他の構成は図２１と同
様である。なお、図２１および図２２に示した構成の他
に、ドレインドライバＤＤＲのみを第１の基板ＳＵＢ１
上に実装したもの、あるいはゲートドライバＧＤＲのみ
を第１の基板ＳＵＢ１上に実装したもの、等がある。

【０００８】上記何れの表示装置においても、そのゲー
トドライバＧＤＲ側のパッドＰＡＤ１に表示領域から引
き出される配線あるいはドレインドライバ側のパッドＰ
ＡＤ３は表示領域ＡＲから引き出された配線の端部は第
１の基板ＳＵＢ１の切断端に露出している。なお、フレ
キシブルプリント基板以外に、例えばテープキャリアパ
ッケージで信号源と接続するものについても同様であ
る。

【０００９】図２３は表示装置の表示領域に形成される
画素の構造例を模式的に説明する要部平面図である。こ
こでは、反射電極の一部に開口が形成され、反射型とし
ても透過型としても利用可能な部分透過型の表示装置の
画素構造として説明する。図中、参照符号ＤＬＬは画像
信号配線を形成する画像信号配線層、ＧＬＬは走査信号
配線を形成する走査信号配線層、ＩＴＯ１は透明導電膜
（ここでは画素電極）、ＲＥＬは反射電極層、ＳＩは半
導体層を示す。なお、以下の説明における参照符号は、
別個の機能を有しているものでも同層の材料を用いるも
のでは層を意味する「Ｌ」を付加して示す。例えばゲー
ト線ＧＬを形成するための金属層はＧＬＬとしてある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】図２４は表示装置の端
子部の構造例を模式的に説明するゲートドライバ側の要
部平面図、図２５は図２４のＡ−Ａ’線に沿った断面
図、図２６は図２４のＢ−Ｂ’線に沿った断面図、図２
７は図２４のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。図２４
は第１の基板ＳＵＢ１の母基板から当該第１の基板ＳＵ
Ｂ１を切断線ＣＴＬで切断する前段階を示す。なお、ド
レインドライバ側についても同様であるのでここではゲ
ートドライバ側についてのみ説明する。

【００１１】参照符号ＣＧＬ１は共通第１配線層、ＣＧ
Ｌ２は共通第２配線層（ここでは、透明導電膜で形
成）、ＧＬＬは走査信号配線層（ここでは、第１の走査
信号配線層、材料としてアルミニウム）、ＰＡＳは絶縁
保護膜、ＩＴＯ１は透明導電膜（ここでは、第２の走査
信号配線層）、ＤＬＬは画像信号配線層、ＡＰ２は第２
絶縁膜開口部である。

【００１２】従来の表示装置における端子部の構成は、
図２４〜図２７に示したように、絶縁保護膜ＰＡＳ／透
明導電膜ＩＴＯ１／走査信号配線層ＧＬＬの積層構造の
配線を第１の基板の切断線ＣＴＬ端部から引き出す構造
となっている。したがって、第１の基板の切断端部には
アルミニウムの走査信号配線層ＧＬＬが透明導電膜ＩＴ
Ｏ１と接触した状態で露出している。

【００１３】このため、高湿度環境に置いた場合に当該
露出した端部から内部に向かって酸化が起こり、体積が
膨張する。その結果、信号配線の断線に至る場合があ
る。このことは表示装置の信頼性向上を損なう原因とな
っており、解決すべき課題の一つとなっていた。本発明
の目的は、この様な課題を解消して信頼性を向上した表
示装置を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、金属材料からなる基板上の配線端面が当
該基板の切断面に露出しない構造とした。本発明の代表
的な手段の特徴を記述すれば次のとおりである。

【００１５】手段（１）、基板と、前記基板上に形成さ
れた第１の走査信号配線層と、前記第１の走査信号配線
層と電気的に接続された第２の走査信号配線層とを有す
る表示装置であって、前記第１の走査信号配線層は金属
で形成され、その両端が前記基板の端部よりも内側に位
置していると共に、当該両端が他の構成層または部材で
覆われており、前記第２の走査信号配線層は透明導電膜
で形成され、少なくとも一方の端部が前記基板の端部ま
で延在していることを特徴とする。

【００１６】手段（２）、手段（１）において、前記第
１の走査信号配線層の少なくとも一部の表面に、当該第
１の走査信号配線層の構成材料の酸化膜を有することを
特徴とする。

【００１７】手段（３）、手段（１）または（２）にお
いて、前記第１の走査信号配線層に接続されたスイッチ
ング素子を有することを特徴とする。

【００１８】手段（４）、手段（１）乃至（３）の何れ
かにおいて、前記第２の走査信号配線層は、前記第１の
走査信号配線層よりも上層に位置することを特徴とす
る。

【００１９】手段（５）、手段（１）乃至（４）の何れ
かにおいて、前記第１の走査信号配線層の少なくとも一
方の端部が他の構成層をマスクとして切断されているこ
とを特徴とする。

【００２０】手段（６）、手段（１）乃至（５）の何れ
かにおいて、前記基板上に実装された駆動回路を有し、
前記第１の走査信号配線層の少なくとも一方の端部が前
記駆動回路と重なる位置にあると共に、前記一方の端部
が前記駆動回路を固定または保護する部材により覆われ
ていることを特徴とする。

【００２１】手段（７）、手段（１）乃至（５）の何れ
かにおいて、前記基板上に前記第１の走査信号配線層に
駆動信号を供給するフレキシブル基板を有し、前記第１
の走査信号配線層の少なくとも一方の端部が前記フレキ
シブル基板と重なる位置にあると共に、前記一方の端部
が前記フレキシブル基板を固定または保護する部材によ
り覆われていることを特徴とする。

【００２２】手段（８）、手段（１）乃至（７）の何れ
かにおいて、前記基板に重ね合わされる対向基板を有
し、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層
とを有することを特徴とする。

【００２３】手段（９）、手段（１）乃至（７）の何れ
かにおいて、前記基板に重ね合わされる対向基板と、前
記基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材とを有
すると共に、前記第１の走査信号配線層は、少なくとも
一方の端部が前記シール材に覆われていることを特徴と
する。

【００２４】手段（１０）、基板と、対向基板と、前記
基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材と、前記
基板上に形成された第１の走査信号配線層と、前記第１
の走査信号配線層と電気的に接続された第２の走査信号
配線層とを有する表示装置であって、前記第１の走査信
号配線層は金属で形成され、その両端が前記基板の端部
よりも内側に位置し、その少なくとも一方の端部が前記
シール材に覆われており、前記第２の走査信号配線層は
透明導電膜で形成されていることを特徴とする。

【００２５】手段（１１）、手段（１０）において、前
記第２の走査信号配線層の少なくとも一方の端部が前記
基板の端部まで延在していることを特徴とする。

【００２６】以上の各構成としたことにより、高湿度環
境での使用でも信号配線の断線が回避され、信頼性が向
上する。また、上記の表示装置を製造する方法として、
次のような手段を有するものとした。

【００２７】手段（１２）、基板上に金属で形成され互
いに共通線で接続された複数の第１の走査信号配線層を
形成する工程と、前記第１の走査信号配線層と電気的に
接続されると共に透明導電膜で形成されて互いに共通線
で接続された第２の走査信号配線層を形成する工程と、
前記基板を切断し、前記第２の走査信号配線層を前記共
通線から切り離す工程と、前記基板を切断する工程より
も前に、前記基板の切断線よりも表示領域に近い側で前
記第１の走査信号配線層をエッチングにより前記共通線
から切り離す工程とを有することを特徴とする。

【００２８】なお、本発明は上記の構成および後述する
実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技術
思想を逸脱することなく種々の変更が可能であることは
言うまでもない。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、実施例の図面を参照して詳細に説明する。

【００３０】図１は本発明の表示装置の要部構成の実施
例を説明する模式図である。図中の参照符号ＳＵＢ１は
第１の基板である。ここでは切断線ＣＴＬの外側にある
基板材料（母基板）に短絡線層ＳＨＬを有した状態で示
す。表示装置の表示領域ＡＲはシール材ＳＬで封止され
ている。走査信号配線層ＧＬＬはアルミニウム材料ＡＬ
で形成され、シールＳＬの外側に延びている。第１の基
板ＳＵＢ１の表示領域ＡＲの図中の左側辺にはドライバ
（ゲートドライバ）ＧＤＲが搭載される。ドライバＧＤ
Ｒの外形線を点線で示す。

【００３１】図１の左側の構成の実施例では、走査信号
配線層ＧＬＬはシール材の外側に伸び、ドライバＧＤＲ
の下面で透明導電膜ＩＴＯ１で形成された短絡線層ＳＨ
Ｌと接続している。この接続部分ＩＪ１の構成は後述す
る。アルミニウムの走査信号配線層ＧＬＬは当該ドライ
バＧＤＲのバンプを透明導電膜ＩＴＯの端子に接続する
異方性導電膜や接着層で被覆されている。したがって、
アルミニウム材料の走査信号配線層ＧＬＬは外部雰囲気
から遮断される。この構成により、高湿度環境での使用
でも信号配線の断線が回避され、信頼性が向上する。

【００３２】図１の右側の構成は本発明の他の実施例で
あり、走査信号線層ＧＬＬがドライバ実装側と反対の基
板端まで伸びている場合を示す。アルミニウム材料の走
査信号配線層ＧＬＬはシール材の領域で透明導電膜ＩＴ
Ｏと接続される。この接続部分ＩＪ２の構成は後述す
る。透明導電膜ＩＴＯはシール材ＳＬの外側に伸びてア
ルミニウム材料で形成した短絡線層ＳＨＬと接続してい
る。切断線ＣＴＬの端縁には透明導電膜ＩＴＯが露出す
るのみで、アルミニウム材料の走査信号配線層ＧＬＬは
シール材ＳＬで覆われる。したがって、アルミニウム材
料の走査信号配線層ＧＬＬは外部雰囲気から遮断され
る。この構成により、高湿度環境での使用でも信号配線
の断線が回避され、信頼性が向上する。

【００３３】図２は本発明の表示装置の要部構成の他の
実施例を説明する模式図である。この実施例も、ドライ
バＧＤＲを第１の基板ＳＵＢ１上に実装した形式の表示
装置に本発明を適用したものである。走査信号配線層Ｇ
ＬＬはアルミニウム材料で形成されている。図２の左側
の切断線ＣＴＬの外側には図１と同様の短絡線層ＳＨＬ
が形成されている。この短絡線層ＳＨＬは透明導電膜Ｉ
ＴＯで形成されている。

【００３４】図２の左側で、上側に示した走査信号配線
層ＧＬＬはシール材ＳＬの領域で短絡線層ＳＨＬから延
びる透明導電膜ＩＴＯと接続される。この接続部分ＩＪ
３の構成は後述する。また、図２の左側で、下側に示し
た走査信号配線層ＧＬＬはシール材ＳＬよりも表示領域
ＡＲ側で短絡線層ＳＨＬから延びる透明導電膜ＩＴＯと
接続される。この接続部分ＩＪ４の構成は後述する。

【００３５】図２の右側は本発明の他の実施例であり、
走査信号線層ＧＬＬがドライバ実装側と反対の基板端ま
で伸びている場合を示す。上側に示した走査信号配線層
ＧＬＬはシール材ＳＬの領域で短絡線層ＳＨＬから延び
る透明導電膜ＩＴＯと接続される。この接続部分ＩＪ５
の構成は後述する。また、図２の右側で、下側に示した
走査信号配線層ＧＬＬはシール材ＳＬよりも表示領域Ａ
Ｒ側で短絡線層ＳＨＬから延びる透明導電膜ＩＴＯと接
続される。この接続部分ＩＪ６の構成は後述する。

【００３６】上記した図２の各構成により、アルミニウ
ム材料の走査信号配線層ＧＬＬは外部雰囲気から遮断さ
れる。この構成により、高湿度環境での使用でも信号配
線の断線が回避され、信頼性が向上する。

【００３７】図３は本発明の表示装置の要部構成の他の
実施例を説明する模式図である。この実施例は、ドライ
バＧＤＲをフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１上に搭載
した形成の表示装置に本発明を適用したものである。走
査信号配線層ＤＬＬはアルミニウム材料で形成されてい
る。図３の左側の切断線ＣＴＬの外側には図１と同様の
短絡線層ＳＨＬが形成されている。この短絡線層ＳＨＬ
は透明導電膜ＩＴＯで形成されている。

【００３８】図３の左側に示した走査信号配線層ＧＬＬ
はシール材ＳＬよりも外側で破線で示したフレキシブル
プリント基板ＦＰＣ１の端子領域内で短絡線層ＳＨＬか
ら延びる透明導電膜ＩＴＯと接続される。この接続部分
ＩＪ７の構成は後述する。また、図３の右側は本発明の
他の実施例であり、走査信号配線層ＤＬＬはシール材Ｓ
Ｌの領域で短絡線層ＳＨＬから延びる透明導電膜ＩＴＯ
と接続される。透明導電膜ＩＴＯはアルミニウム材料の
短絡線層ＳＨＬに接続される。この接続部分ＩＪ８の構
成は後述する。

【００３９】上記した図３の各構成により、アルミニウ
ム材料の走査信号配線層ＧＬＬは外部雰囲気から遮断さ
れる。この構成により、高湿度環境での使用でも信号配
線の断線が回避され、信頼性が向上する。

【００４０】図４は本発明の表示装置の要部構成の他の
実施例を説明する模式図である。この実施例も、ドライ
バＧＤＲをフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１上に搭載
した形成の表示装置に本発明を適用したものである。走
査信号配線層ＧＬＬはアルミニウム材料で形成されてい
る。図４の左側の切断線ＣＴＬの外側には透明導電膜Ｉ
ＴＯで形成した短絡線層ＳＨＬが形成されている。

【００４１】図４の左側で、上側に示した走査信号配線
層ＧＬＬはシール材ＳＬの領域で短絡線層ＳＨＬから延
びる透明導電膜ＩＴＯと接続される。この接続部分ＩＪ
９の構成は後述する。また、図４の左側で、下側に示し
た走査信号配線層ＧＬＬはシール材ＳＬよりも表示領域
ＡＲ側で短絡線層ＳＨＬから延びる透明導電膜ＩＴＯと
接続される。この接続部分ＩＪ１０の構成は後述する。

【００４２】図４の右側は本発明の他の実施例であり、
走査信号線層ＧＬＬをドライバ実装側と反対の基板端ま
で伸びている場合を示す。上側に示した走査信号配線層
ＧＬＬはシール材ＳＬの領域で短絡線層ＳＨＬから延び
る透明導電膜ＩＴＯと接続される。この接続部分ＩＪ１
１の構成は後述する。また、図４の右側で、下側に示し
た走査信号配線層ＧＬＬはシール材ＳＬよりも表示領域
ＡＲ側で短絡線層ＳＨＬから延びる透明導電膜ＩＴＯと
接続される。この接続部分ＩＪ１２の構成は後述する。

【００４３】上記した図４の各構成により、アルミニウ
ム材料の走査信号配線層ＧＬＬは外部雰囲気から遮断さ
れる。この構成により、高湿度環境での使用でも信号配
線の断線が回避され、信頼性が向上する。なお、図１乃
至図４における接続部分ＩＪ１乃至ＩＪ１２は同様の構
成であり、以下に説明する絶縁保護膜に形成する開口
（絶縁保護膜開口部）近傍の構成に対応する。

【００４４】図５は本発明の表示装置における詳細構成
の一実施例を模式的に説明する要部平面図である。ま
た、図６は図５のＡ−Ａ’線に沿った断面図、図７は図
５のＢ−Ｂ’線に沿った断面図、図８は図５のＣ−Ｃ’
線に沿った断面図、図９は図５のＤ−Ｄ’線に沿った断
面図である。図５乃至図９において、前記図１乃至図４
と同一参照符号は同一機能部分に対応し、ＣＧＬ１は共
通第１配線層、ＣＧＬ２は共通第２配線層、ＡＰ１は第
１絶縁膜開口部、ＡＰ２は第２絶縁膜開口部、ＰＡＳは
絶縁保護膜を示す。

【００４５】図５は第１の基板ＳＵＢ１の製造工程が完
了した状態での配線端子部（走査信号配線部）を示す。
図５に示したように、第１基板ＳＵＢ１の切断線ＣＴＬ
により表示装置の第１基板ＳＵＢ１の最終外形から切り
放される外側に走査信号配線層ＧＬＬを共通につなぐ共
通第１配線層ＣＧＬ１と共通第２配線層ＣＧＬ２で構成
した短絡線（図１乃至図４における参照符号ＳＨＬに相
当）がある。走査信号配線層ＧＬＬと同一材料で形成さ
れた共通第１配線層ＣＧＬ１と透明導電膜ＩＴＯ１から
なる共通第２配線層ＣＧＬ２は電気的に接続している。

【００４６】透明導電膜ＩＴＯ１からなる配線（第２の
走査信号配線層に相当する）を短絡線部から端子部（切
断線ＣＴＬよりも右側）へと配置する。金属からなる配
線（図中にＧＬＬで示す走査信号配線層）を透明導電膜
ＩＴＯ１とは別個に並行に配置する。この金属からなる
走査信号配線層ＧＬＬは、図６および図９に示されたよ
うに絶縁保護膜ＰＡＳの第１絶縁保護膜開口部ＡＰ１中
で途切れている。また、画像信号配線ＤＬを形成する材
料と同一材料の画像信号配線層ＤＬＬは透明導電膜ＩＴ
Ｏ１上に形成されており、図７および図８に示されたよ
うに、アルミニウムとクロムを積層した画像信号配線層
ＤＬＬは絶縁保護膜ＰＡＳの第２絶縁保護膜開口部ＡＰ
２中で一部が途切れている。画像信号配線層ＤＬＬは走
査信号配線層ＧＬＬの上にも形成されており、これによ
り第１の走査信号配線層ＧＬＬと第２の走査信号配線層
ＩＴＯ１を電気的に接続すると共に、抵抗を減らしてい
る。

【００４７】図１０は第１の基板上に薄膜トランジスタ
を形成する工程途中の端子部の構成を模式的に説明する
平面図である。また、図１１は図１０のＡ−Ａ’線に沿
った断面図、図１２は図１０のＤ−Ｄ’線に沿った断面
図である。薄膜トランジスタを形成する第１基板ＳＵＢ
１の製造工程途中では、図１０に示されたように、走査
信号配線層ＧＬＬは第１絶縁保護膜開口部ＡＰ１を通っ
て短絡線である共通第１配線層ＣＧＬ１と共通第２配線
層ＣＧＬ２の積層配線につながっている。透明導電膜Ｉ
ＴＯ１も共通第１配線層ＣＧＬ１と共通第２配線層ＣＧ
Ｌ２の積層配線につながっている。

【００４８】図１３および図１４は図１において第１基
板ＳＵＢ１の切断およびドライバＧＤＲを実装した時の
断面図で、図１３はＢ−Ｂ’線に沿った断面図、図１４
はＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。第１基板ＳＵＢ１
の切断線ＣＴＬは、第１絶縁保護膜開口部ＡＰ１を横切
る位置にある。図１３に示されるように、走査信号配線
層ＧＬＬに接続されている透明導電膜ＩＴＯ１は、所謂
ＣＯＧ実装されるドライバ、あるいはフレキシブルプリ
ント基板の端子やテープキャリアパッケージの端子等の
周辺部材との接続（図１３ではＣＯＧ実装されるドライ
バＧＤＲ）のため、異方性導電膜ＡＳＬを端子表面に塗
布し、上記周辺部材（図１３ではドライバＧＤＲ）を接
着する。なお、図１３における参照符号ＤＢはドライバ
ＧＤＲのバンプ、ＣＢは異方性導電膜ＡＳＬに混入され
た導電ビーズである。

【００４９】また、図１４に示されるように、第１絶縁
保護膜開口部ＡＰ１内の走査信号配線層ＧＬＬの端部露
出部は異方性導電膜ＡＳＬで覆われる。そのため、基板
の切断端にアルミニウム材料等の金属配線の端部が露出
することがない。特に、異方性導電膜ＡＳＬの上層に配
して接着する周辺部材（ここではドライバＧＤＲ）の接
着領域内に金属配線の端部を位置させることで、より効
果的な被覆が得られる。

【００５０】例えば、上記ドライバのＣＯＧ実装の場合
は、ドライバの下部に金属配線の端部を位置させること
でこの露出端を異方性導電膜ＡＳＬとドライバとで二重
に覆うことができる。したがって、金属配線の端部は外
部環境に晒されることがなく、かつ透明導電膜ＩＴＯ１
からなる上層膜と同時に外部環境から遮断され、走査信
号配線層ＧＬＬを構成する金属と第２の走査信号配線層
を構成する透明導電膜ＩＴＯ１との間の電池反応を防止
できる。

【００５１】走査信号配線層ＧＬＬに低抵抗のアルミニ
ウム系の材料を使用する場合、アルミニウムのヒロック
発生が問題となる。そのため、アルミニウムの表面を陽
極酸化して陽極酸化膜ＡＯＬで覆うことが行われてい
る。陽極酸化処理には、一旦走査信号配線層ＧＬＬが共
通第１配線層ＣＧＬ１に接続されていなければならな
い。そのため、従来は切断線ＣＴＬにアルミニウム配線
端が露呈し、これを外部環境から保護することが難し
く、所謂電蝕が起こり易かった。これに対し、本実施例
ではこのようなことが回避され、信頼性を向上すること
ができる。

【００５２】図１５は本発明による表示装置の表示セル
構造例を模式的に説明する要部断面図である。この表示
装置は液晶表示装置である。同図は図２３のＦ−Ｆ’線
に沿った断面図に相当する。端子部の第１絶縁膜開口部
ＡＰ１（図１０乃至図１２参照）に露出していた走査信
号配線層ＧＬＬは、反射電極ＲＥＬの加工時に同時に除
去され、共通第１配線層ＣＧＬ１（（図１０、図１２参
照）と分離される。そして、反射電極ＲＥＬを覆って第
１の配向膜ＯＲＩ１が塗布される。

【００５３】第１の基板ＳＵＢ２の内面にはブラックマ
トリクスＢＭで区画されたカラーフィルタＣＦが形成さ
れ、その上をオーバーコート層ＯＣが覆っている。オー
バーコート層ＯＣの上には対向電極である透明導電膜Ｉ
ＴＯ２が形成され、さらに第２の配向膜ＯＲＩ２が塗布
されている。この第２の基板ＳＵＢ２は液晶層ＬＣを介
して第１の基板ＳＵＢ１と貼り合わされる。両基板の間
の間隙（セルギャップ）はスペーサビーズＳＢで規制さ
れる。次に、本発明の表示装置を製造方法の一実施例を
説明する。

【００５４】図１６、図１７、１８は本発明の表示装置
を製造方法の一実施例を説明する工程図であり、図１
６、図１７、１８を通して“Ａ−１〜Ａ−７”列は図１
５のＦ−Ｆ’線に沿った画素内の製造工程を順に示す断
面図、“Ｂ−１〜Ｂ−７”列は図５のＤ−Ｄ’線に沿っ
た端子部の製造工程を順に示す断面図、“Ｃ−１〜Ｃ−
７”列は図５のＢ−Ｂ’線に沿った端子部の製造工程を
順に示す断面図である。以下、工程順に（１）、
（２）、・・・で説明する。

【００５５】（１）、図１６の（Ａ−１）、（Ｂ−
１）、（Ｃ−１）・・・・第１の基板ＳＵＢ１上にスパ
ッタ法によりアルミニウムを３００ｎｍの厚さに成膜す
る。次に、フォトリソグラフィー法を用いてレジストマ
スク（図示せず）を形成する。これを、燐酸、塩酸、硝
酸の混合液を用いてエッチング処理した後、レジストマ
スクを除去して走査信号配線層ＧＬＬ及び共通第１配線
層ＣＧＬ１のパターンを得る。これにより、静電気対策
ができると共に、後述する陽極酸化も行える。

【００５６】（２）、図１６の（Ａ−２）、（Ｂ−
２）、（Ｃ−２）・・・・上記のアルミニウムの走査信
号配線層ＧＬＬのパターンの端子部をレジストで被覆
し、酒石酸水溶液をアンモニア水でＰＨ７近傍に調整
し、エチレングリコール液を加えた溶液に浸し、第１の
基板ＳＵＢ１上のアルミニウムの配線層（走査信号配線
層ＧＬＬ）のパターンと、別途用意する白金電極（図示
せず）の間に１２５Ｖの電圧を印加してアルミニウムの
配線層の表面に陽極酸化膜ＡＯＬを１７５ｎｍの厚さに
形成する。その後、レジストを除去する。

【００５７】（３）、図１６の（Ａ−３）、（Ｂ−
３）、（Ｃ−３）・・・・第１の基板ＳＵＢ１上にスパ
ッタ法により透明電極膜ＩＴＯ１を１００ｎｍの厚さに
成膜する。この上にフォトリソグラフィー法でレジスト
マスクを形成し、塩酸と硝酸の混合液でエッチングを施
した後、レジストマスクを除去し、透明電極膜ＩＴＯ１
で画素電極（（Ａ−３）の中央部分参照）と端子のパッ
ド（（Ｃ−３）の図の中央部分参照）と共通第２配線層
ＣＧＬ２（（Ｂ−３）及び（Ｃ−３）の図の左端部分）
を形成する。（Ｂ−３）に示すように、端子部では、走
査信号配線層ＧＬＬの共通第１配線層ＣＧＬ１への引出
し線は透明電極膜ＩＴＯ１で覆わない。

【００５８】（４）、図１７の（Ａ−４）・・・・化学
気相成長法（以下、ＣＶＤ法）により、窒化シリコンを
２２０ｎｍの厚さに形成する。そして非晶質シリコンを
２００ｎｍの厚さに、さらに燐（Ｐ）を１％含む非晶質
シリコンを４０ｎｍの厚さに順に成膜する。これにフォ
トリソグラフィー法を用いてレジストマスクを形成し、
ドライエッチング法で弗素系ガスでエッチング処理した
後、レジストマスクを除去してゲート絶縁層ＧＩと半導
体層ＳＩのパターンを形成する。なお、図１７の（Ｂ−
４）、（Ｃ−４）には変化はない。

【００５９】（５）、図１７の（Ａ−５）、（Ｂ−
５）、（Ｃ−５）・・・・スパッタ法によりクロム（Ｃ
ｒ）を３０ｎｍの厚さに成膜し、その上にアルミニウム
を２００ｎｍの厚さに成膜する。フォトリソグラフィー
法によりレジストマスクを形成し、燐酸、塩酸、硝酸の
混合液でアルミニウム膜をエッチング処理する。次に、
硝酸セリウム第二アンモニウム溶液を用いてクロム膜を
エッチング処理した後、レジストマスクを剥離除去し、
画像信号配線層ＤＬＬ、ソース電極ＳＤ１（ＤＬＬ）、
ドレイン電極ＳＤ２（ＤＬＬ）を形成する。

【００６０】端子部では、走査信号配線層ＧＬＬを構成
するアルミニウム層と透明導電膜ＩＴＯ１は界面に形成
される自然酸化膜のため電気的に導通し難いことから、
両者とコンタクトできるクロムを下層にもつアルミニウ
ム／クロムの積層パターンで走査信号配線層ＧＬＬと透
明導電膜ＩＴＯ１とからなる端子パッドを接続する。こ
のアルミニウム／クロムの積層膜は画像信号配線層ＤＬ
Ｌの形成時に同時に形成する。

【００６１】（６）、図１８の（Ａ−６）、（Ｂ−
６）、（Ｃ−６）・・・・ＣＶＤ法により窒化シリコン
を３００ｎｍの厚さに成膜する。フォトリソグラフィー
法を用いてレジストマスクを形成し、弗素系ガスでドラ
イエッチング処理を施した後、レジストマスクを剥離除
去して絶縁保護膜ＰＡＳを形成する。このとき、表示領
域では、次工程で形成する反射電極ＲＥＬと、ソース電
極ＳＤ１（ＤＬＬ）（図１７の（Ａ−５）参照）との接
続用のコンタクトホールを形成する。

【００６２】端子部において、走査信号配線層ＧＬＬは
アルミニウムからなるパターンと透明導電膜ＩＴＯ１か
らなるパターンが分かれて同一の共通配線層（ＣＧＬ
１，ＣＧＬ２）に接続している。アルミニウムからなる
パターンが位置する場所に絶縁保護膜ＰＡＳの第１絶縁
保護膜開口部ＡＰ１を設けて上記パターンを露出させ
る。透明導電膜ＩＴＯ１からなるパターンは露出させな
い。このとき、第１絶縁保護膜開口部ＡＰ１を基板の切
断線ＣＴＬが横切るように配置すると、基板の切断時に
絶縁保護膜ＰＡＳにクラックが入る可能性を減らすこと
ができる。

【００６３】（７）、図１８の（Ａ−７）、（Ｂ−
７）、（Ｃ−７）・・・・スパッタ法によりクロムを３
０ｎｍの厚さで成膜し、その上にアルミニウムを２００
ｎｍの厚さに成膜する。フォトリソグラフィー法を用い
てレジストマスクを形成し、燐酸、塩酸、硝酸の混合液
でアルミニウム膜をエッチング処理する。次に、硝酸セ
リウム第二アンモニウム溶液を用いてクロム膜をエッチ
ング処理した後、再度燐酸、塩酸、硝酸の混合液でエッ
チング処理し、レジストマスクを剥離除去し、反射電極
ＲＥＬを形成する。

【００６４】二回目のアルミニウムのエッチング処理で
端子部のアルミニウム引出し線パターンの内、第１絶縁
保護膜開口部ＡＰ１内に露出した部分を除去する（（Ｂ
−７）参照）。これにより、共通第１配線層ＣＧＬ１と
切り離される。

【００６５】（８）その後、基板の切断線ＣＴＬにおい
て切断し、共通第２配線層ＣＧＬ２から切り離す。この
ように、基板切断の直前まで透明導電膜ＩＴＯ１を用い
て共通第２配線層ＣＧＬ２につないでおくことにより静
電気対策ができる。特に、スイッチング素子がある場合
には、静電気によるダメージを受け易いので効果が大き
い。

【００６６】この製造方法により、表示領域につながる
配線層の端部は異方性導電膜ＡＳＬとドライバＧＤＲ、
若しくはフレキシブルプリント基板、あるいはテープキ
ャリアパッケージにより二重に覆われるので、高温高湿
環境下での信頼性を向上できる。

【００６７】なお、画像信号配線層ＤＬＬの最上層をク
ロムやモリブデン等の高融点金属とし、若しくは高融点
金属の単層またはその合金の単層とし、反射電極ＲＥＬ
がアルミニウムまたはアルミニウム合金単層、若しくは
アルミニウムまたはアルミニウム合金を上層に配して、
下層にアルミニウムと一括エッチング処理が可能な高融
点金属を配した積層膜とすることにより、反射電極ＲＥ
Ｌのアルミニウムまたはアルミニウム合金のエッチング
処理時に前記第１絶縁保護膜開口部ＡＰ１内の走査信号
配線層ＧＬＬのアルミニウムのパターンを同時に除去す
ることができる。そのため、工程を増やす必要が無いと
いうメリットもある。

【００６８】本実施例では、反射電極ＲＥＬの下層の絶
縁保護膜ＰＡＳを窒化シリコンとしているが、窒化シリ
コンと有機膜の積層構造、若しくは有機膜単層としても
本発明の効果は変わらない。

【００６９】図１９は本発明の表示装置の他の実施例を
説明する走査信号配線層の端子部と逆側辺の構成を説明
する要部平面図、図２０は図１９のＧ−Ｇ’線に沿った
断面図である。前記図１〜図４で説明したように、走査
信号配線層ＧＬＬは基板の切断線ＣＴＬを超えて図示し
ない短絡線（共通配線層）につながっている。アルミニ
ウムからなる走査信号配線層ＧＬＬを第３絶縁保護膜開
口部ＡＰ３内で切断分離される。従って、第１の走査信
号配線層ＧＬＬの端部は基板の端部ではなく、基板の端
部よりも内側（表示領域ＡＲに近い側）に位置すること
になる。

【００７０】この実施例では、第２の基板ＳＵＢ２と貼
り合わせるためのシール材ＳＬの領域に第３絶縁保護膜
開口部ＡＰ３が位置し、このシール材ＳＬで第３絶縁保
護膜開口部ＡＰ３を覆う。これにより、前記実施例で説
明したドライバ、フレキシブルプリント基板、あるいは
テープキャリアパッケージで覆うものと同様に、表示領
域につながる走査信号配線層ＧＬＬの端部は回部環境か
ら隔離され、信頼性を向上することができる。尚、この
場合も切断線ＣＴＬの外側で短絡線層ＳＨＬとつないで
おいても良く、金属層による配線に限らず、透明導電膜
ＩＴＯと積層しても良い。

【００７１】なお、上記した各実施例は走査信号配線層
についての説明であるが、画像信号配線層、あるいは他
の同様の配線層についても上記の構成を採用することで
表示装置の信頼性を大幅に向上させることができる。な
お、本発明は液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置、その他
同様の配線構造をもつ表示装置等に適用できることは言
うまでもない。

【００７２】

【発明の効果】以上様々な実施例を参照して説明したよ
うに、本発明によれば、走査信号配線層の端子部あるい
は画像信号配線層の端子部、その他の基板と共に切断さ
れる配線層などの表示領域につながる配線層の端部が表
示装置を構成するドライバやフレキシブルプリント基板
あるいはテープキャリアパッケージ、若しくはシール材
等の構成部材で覆われる構成としたことで、高湿あるい
は高温高湿度の外部環境での使用で当該配線層の端部に
酸化や電蝕の発生が回避され、信頼性の高い表示装置を
提供することができる。

【００７３】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表示装置の要部構成の実施例を説明す
る模式図である。

【図２】本発明の表示装置の要部構成の他の実施例を説
明する模式図である。

【図３】本発明の表示装置の要部構成の他の実施例を説
明する模式図である。

【図４】本発明の表示装置の要部構成の他の実施例を説
明する模式図である。

【図５】本発明の表示装置における詳細構成の一実施例
を模式的に説明する要部平面図である。

【図６】図５のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。

【図７】図５のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。

【図８】図５のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。

【図９】図５のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。

【図１０】第１の基板上に薄膜トランジスタを形成する
工程途中の端子部の構成を模式的に説明する平面図であ
る。

【図１１】図１０のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。

【図１２】図１０のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。

【図１３】第１基板の切断およびドライバを実装した時
の図１０のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。

【図１４】第１基板の切断およびドライバを実装した時
の図１０のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。

【図１５】本発明による表示装置の表示セル構造例を模
式的に説明する要部断面図である。

【図１６】本発明の表示装置を製造方法の一実施例を説
明する工程図である。

【図１７】本発明の表示装置を製造方法の一実施例を説
明する図１６に続く工程図である。

【図１８】本発明の表示装置を製造方法の一実施例を説
明する図１７に続く工程図である。

【図１９】本発明の表示装置の他の実施例を説明する走
査信号配線層の端子部と逆側辺の構成を説明する要部平
面図である。

【図２０】図１９のＧ−Ｇ’線に沿った断面図である。

【図２１】可搬型の情報端末の一つである携帯電話機に
実装される表示装置の概略構造例の模式的説明図であ
る。

【図２２】可搬型の情報端末の一つである携帯電話機に
実装される表示装置の他の概略構造例の模式的説明図で
ある。

【図２３】表示装置の表示領域に形成される画素の構造
例を模式的に説明する要部平面図である。

【図２４】表示装置の端子部の構造例を模式的に説明す
るゲートドライバ側の要部平面図である。

【図２５】図２４のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。

【図２６】図２４のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。

【図２７】図２４のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。

【符号の説明】

ＳＵＢ１・・・・第１の基板、ＳＵＢ２・・・・第２の
基板、ＣＴＬ・・・・切断線、ＳＨＬ・・・・短絡線
層、ＡＲ・・・・表示領域、ＳＬ・・・・シール材、Ｇ
ＬＬ・・・・走査信号配線層層、ＧＤＲ・・・・ドライ
バ（ゲートドライバ）、ＤＤＲ・・・・ドライバ（ドレ
インドライバ）、ＩＴＯ１，ＩＴＯ２・・・・透明導電
膜、ＩＪ１〜ＩＪ１２・・・・接続部分、ＡＯＬ・・・
・陽極酸化膜、ＰＡＳ・・・・絶縁保護膜、ＲＥＬ・・
・・反射電極、ＯＲＩ１，２・・・・配向膜、ＳＢ・・
・・スペーサビーズ、ＣＢ・・・・導電ビーズ、ＤＢ・
・・・ドライババンプ、ＡＳＬ・・・・異方性導電膜、
ＡＰ１，ＡＰ２・・・・絶縁保護膜開口部、ＳＬ・・・
・シール材、ＣＧＬ１・・・・共通第１配線層、ＣＧＬ
２・・・・共通第２配線層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/00 Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４８Ｌ 9/35 9/35 (72)発明者 佐々木 亨 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 西野 知範 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 早田 浩子 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H092 HA06 HA12 HA19 JA46 JB22 KA05 KB04 MA17 NA15 NA29 NA30 PA01 5C094 AA32 AA38 AA43 AA48 BA03 BA43 CA19 DA07 DA09 DA14 DB02 EA04 EA05 EC02 FA01 FA02 FB12 FB15 GB10 5G435 AA14 AA17 BB13 CC09 HH12 HH14 HH20 KK05

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板と、前記基板上に形成された第１の走
   査信号配線層と、前記第１の走査信号配線層と電気的に
   接続された第２の走査信号配線層とを有する表示装置で
   あって、 前記第１の走査信号配線層は金属で形成され、その両端
   が前記基板の端部よりも内側に位置していると共に、当
   該両端が他の構成層または部材で覆われており、 前記第２の走査信号配線層は透明導電膜で形成され、少
   なくとも一方の端部が前記基板の端部まで延在している
   ことを特徴とする表示装置。
2. 【請求項２】前記第１の走査信号配線層の少なくとも一
   部の表面に、当該第１の走査信号配線層の構成材料の酸
   化膜を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装
   置。
3. 【請求項３】前記第１の走査信号配線層に接続されたス
   イッチング素子を有することを特徴とする請求項１また
   は２に記載の表示装置。
4. 【請求項４】前記第２の走査信号配線層は、前記第１の
   走査信号配線層よりも上層に位置することを特徴とする
   請求項１乃至３の何れかに記載の表示装置。
5. 【請求項５】前記第１の走査信号配線層の少なくとも一
   方の端部が他の構成層をマスクとして切断されているこ
   とを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の表示装
   置。
6. 【請求項６】前記基板上に実装された駆動回路を有し、 前記第１の走査信号配線層の少なくとも一方の端部が前
   記駆動回路と重なる位置にあると共に、前記一方の端部
   が前記駆動回路を固定または保護する部材により覆われ
   ていることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載
   の表示装置。
7. 【請求項７】前記基板上に前記第１の走査信号配線層に
   駆動信号を供給するフレキシブル基板を有し、 前記第１の走査信号配線層の少なくとも一方の端部が前
   記フレキシブル基板と重なる位置にあると共に、前記一
   方の端部が前記フレキシブル基板を固定または保護する
   部材により覆われていることを特徴とする請求項１乃至
   ５の何れかに記載の表示装置。
8. 【請求項８】前記基板に重ね合わされる対向基板を有
   し、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層
   とを有することを特徴とする請求項１乃至７の何れかに
   記載の表示装置。
9. 【請求項９】前記基板に重ね合わされる対向基板と、前
   記基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材とを有
   すると共に、 前記第１の走査信号配線層は、少なくとも一方の端部が
   前記シール材に覆われていることを特徴とする請求項１
   乃至７の何れかに記載の表示装置。
10. 【請求項１０】基板と、対向基板と、前記基板と前記対
    向基板とを貼り合わせるシール材と、前記基板上に形成
    された第１の走査信号配線層と、前記第１の走査信号配
    線層と電気的に接続された第２の走査信号配線層とを有
    する表示装置であって、 前記第１の走査信号配線層は金属で形成され、その両端
    が前記基板の端部よりも内側に位置し、その少なくとも
    一方の端部が前記シール材に覆われており、 前記第２の走査信号配線層は透明導電膜で形成されてい
    ることを特徴とする表示装置。
11. 【請求項１１】前記第２の走査信号配線層の少なくとも
    一方の端部が前記基板の端部まで延在していることを特
    徴とする請求項１０に記載の表示装置。
12. 【請求項１２】基板上に金属で形成され互いに共通線で
    接続された複数の第１の走査信号配線層を形成する工程
    と、 前記第１の走査信号配線層と電気的に接続されると共に
    透明導電膜で形成されて互いに共通線で接続された第２
    の走査信号配線層を形成する工程と、 前記基板を切断し、前記第２の走査信号配線層を前記共
    通線から切り離す工程と、 前記基板を切断する工程よりも前に、前記基板の切断線
    よりも表示領域に近い側で前記第１の走査信号配線層を
    エッチングにより前記共通線から切り離す工程とを有す
    ることを特徴とする表示装置の製造方法。