JP2003173015A - グレートーンマスクの製造方法 - Google Patents

グレートーンマスクの製造方法

Info

Publication number
JP2003173015A
JP2003173015A JP2002256531A JP2002256531A JP2003173015A JP 2003173015 A JP2003173015 A JP 2003173015A JP 2002256531 A JP2002256531 A JP 2002256531A JP 2002256531 A JP2002256531 A JP 2002256531A JP 2003173015 A JP2003173015 A JP 2003173015A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
gray tone
mask
resist
graytone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002256531A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhisa Imura
和久 井村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Priority to JP2002256531A priority Critical patent/JP2003173015A/ja
Priority to US10/255,069 priority patent/US6838215B2/en
Priority to TW091122373A priority patent/TW586149B/zh
Priority to KR10-2002-0058830A priority patent/KR100481144B1/ko
Priority to CNB021430942A priority patent/CN1220912C/zh
Publication of JP2003173015A publication Critical patent/JP2003173015A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 所定のグレートーンパターンを少なくとも一
部に有しているグレートーンマスクについて、所定のグ
レートーンパターンの寸法精度を満たすことができるグ
レートーンマスクの製造方法を提供する。 【解決手段】 グレートーンマスクの製造過程で基板に
塗布されるレジスト膜厚の面内分布を±1%以下に抑え
る。これにより、例えば図5に示す所定のグレートーン
パターン30を少なくとも一部に有しているグレートー
ンマスクについて、所定のグレートーンパターンの寸法
精度を満たすことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、遮光部と透光部と
の中間の透過量を得るためのグレートーン部を有するグ
レートーンマスクの製造方法等に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、大型LCD(液晶表示装置)用マ
スクの分野において、TFT(薄膜トランジスタ)の製
造工程においてグレートーンマスクを用いてマスク枚数
を削減する試み(省PEP化と称される)がなされてい
る(月刊FPD Intelligence,1999年5月)。ここで、
グレートーンマスクは、図8(1)に示すように、遮光
部1と、透光部2と、グレートーン部3とを有する。グ
レートーン部3は、グレートーンマスクを使用する大型
LCD用露光機の解像限界以下のパターン寸法を有する
微細遮光パターン3aを配列した領域であって、この領
域を透過する光の透過量すなわちこの領域による照射量
を一様に低減してこの領域に対応する被転写基板上のフ
ォトレジストの膜厚を他の領域に対し選択的かつ一様に
変えることを目的として形成される。遮光部1と微細遮
光パターン3aはともにCrやクロム化合物等の同じ材
料からなる同じ厚さの膜から通常形成されている。グレ
ートーンマスクを使用する大型LCD用露光機の解像限
界は、ステッパ方式の露光機で約3μm、ミラープロジ
ェクション方式の露光機で約4μmである。このため、
例えば、図8(1)でグレートーン部における微細透光
部3bのスペース幅を3μm未満、露光機の解像限界以
下のパターン寸法を有する微細遮光パターン3aのライ
ン幅を3μm未満とする。上記大型LCD用露光機で露
光した場合、グレートーン部3を通過した露光光は全体
として露光量が足りなくなるため、このグレートーン部
3を介して露光したポジ型フォトレジストは膜厚が薄く
なるだけで基板上に残る(このような現象を、グレート
ーン効果と称する)。つまり、レジストは露光量の違い
によって通常の遮光部1に対応する部分とグレートーン
部3に対応する部分で現像液に対する溶解性に差ができ
るため、現像後のレジスト形状は、図8(2)に示すよ
うに、通常の遮光部1に対応する部分11が例えば約
1.3μm、グレートーン部3に対応する部分13(薄
いレジスト領域)が例えば約0.3μm、透光部2に対
応する部分はレジストのない部分12となる。そして、
レジストのない部分12で被加工基板の第1のエッチン
グを行い、グレートーン部3に対応する薄い部分13の
レジストをアッシング等によって除去しこの部分で第2
のエッチングを行うことによって、1枚のマスクで従来
のマスク2枚分の工程を行い、マスク枚数を削減する。
【0003】上述したグレートーンマスクのようなタイ
プのグレートーンマスクは、ガラス基板上にクロムやク
ロム化合物等からなる遮光膜を形成し、その上に、最も
一般的にはスピンコート法によりレジスト膜を形成した
後、グレートーンパターンデータを含む描画データを描
画してレジスト膜を現像してレジストパターンを形成
し、前記レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッ
チングし、レジストパターンを剥離することにより製造
される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述したグレートーン
マスクにおいては、グレートーン部における光の透過量
の制御をグレートーンパターンのパターン寸法によって
制御しているため、グレートーンパターンの寸法制御が
厳しく要求される。即ち、基板面内におけるグレートー
ンパターンの線幅寸法にばらつきがでてしまうと、グレ
ートーン領域の面内における透過率のばらつきが生じて
しまう。このような、パターン寸法の面内ばらつきを防
止する方法の一つとして膜厚の面内ばらつきが低いレジ
スト膜を用いてグレートーンパターンを形成することが
考えられる。しかしながら、従来最も一般的に用いられ
ているスピンコート法によるレジストの塗布は、回転に
伴う基板周縁部のレジスト膜の盛り上がりが避けられ
ず、この周縁部の盛り上がりの影響等によりレジスト膜
厚の面内ばらつきの低減に限界があるという問題点があ
った。特に、一辺が330mm以上の大型基板を用いる
必要のある表示装置用のグレートーンマスクを製造する
場合、大面積に亘り均一なレジスト膜厚を形成するのは
困難であった。本発明は上記問題点を鑑みてなされたも
のであり、面内におけるパターン寸法のばらつきを低減
したグレートーンマスクを製造する方法を提供すること
を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記問題を
解消すべく鋭意研究開発を行った結果、所定のグレート
ーンパターンの寸法精度(面内ばらつき)を満たすため
には、レジスト膜の少なくともグレートーン部を形成す
る領域内のレジスト膜厚の面内分布を±1%未満に抑え
る必要があることを見い出した。そして、レジスト膜厚
の面内分布を±1%未満に抑えることによって、寸法精
度の面内ばらつきが20%程度改善され、グレートーン
部における透過率のばらつきを低減でき、その結果、グ
レートーンマスクを用いたパターン転写プロセスの歩留
まりの向上を著しく改善でき、グレートーンマスクを用
いたパターン転写プロセスの実用性を顕著に高めること
ができることを見い出した。なお、レジスト膜厚の面内
分布とは、1つのマスク内のレジスト膜厚を複数点測定
したときの最大膜厚をTmax、最小膜厚をTmin、平均膜
厚をTAverageとしたとき、面内分布(%)=(Tmax−
Tmin)/(TAverage×2)×100で定義される。ま
た、本発明においては、レジスト膜厚の測定エリアは、
グレートーン部が形成される領域であり、表示装置製造
用のグレートーンマスクのように、グレートーン部を含
む画素パターンを多数含むグレートーンマスクの場合
は、測定エリアは画素エリア(画素パターンが形成され
るエリア)とし、画素エリア以外の領域にもグレートー
ン部を含む場合は、その領域も含む領域とする。
【0006】本発明は以下の構成を有する。 (構成1) 遮光部と、透光部と、マスクを使用する露
光機の解像限界以下のパターン寸法を有する遮光パター
ンを形成した領域であってこの領域を透過する露光光の
透過量を低減させるグレートーン部とを有するグレート
ーンマスクの製造方法であって、グレートーンマスクの
製造過程で基板に塗布されるレジスト膜のグレートーン
部が形成される領域内のレジスト膜厚の面内分布を±1
%以下に抑えることを特徴とするグレートーンマスクの
製造方法。
【0007】(構成2) 前記レジスト膜が、下向きに
保持した基板に対し、毛管状のノズルにより毛細管現象
を用いて上昇したレジスト液をノズル先端を基板上で走
査させることによって塗布されたものであることを特徴
とする構成1記載のグレートーンマスクの製造方法。
【0008】(構成3) 構成1又は2に記載の製造方
法によって得られた表示装置製造用グレートーンマスク
マスク。
【0009】(構成4) 構成3に記載のグレートーン
マスクを用いたパターン転写方法。
【0010】
【作用】上記構成1によれば、レジスト膜厚の面内分布
を±1%以下に抑えることによって、所定のグレートー
ンパターンを少なくとも一部に有しているグレートーン
マスクについて、所定のグレートーンパターンの寸法精
度(面内ばらつき)を満たすことができ、透過率分布の
少ない所定のグレートーンパターンを少なくとも一部に
有しているグレートーンマスクを実現できる。そして、
レジスト膜厚の面内分布を±1%以下に抑えることによ
って、寸法精度の面内ばらつきが20%程度改善され、
グレートーンマスクを用いてレジスト上にパターン転写
を行った場合グレートーン部についてその領域全体にお
いてレジスト膜厚のばらつきが顕著に改善されるので、
グレートーンマスクを用いたパターン転写プロセスの歩
留まりの向上を著しく改善でき、グレートーンマスクを
用いたパターン転写プロセスの実用性を顕著に高めるこ
とができる。なお、上記レジスト膜厚の面内分布は、±
0.8%以下に抑えることがより好ましく、±0.5%
以下に抑えることがさらに好ましい。
【0011】上記構成2によれば、レジストコーターの
主流であるスピンコーターではなく、下向きに保持した
基板に対し、毛細管状のノズルにより毛細管現象を用い
て上昇したレジスト液をノズル先端を基板上で走査させ
ることによって塗布させる方式の装置を用いたことによ
り、基板の周縁部にレジスト膜の盛り上がりは形成され
ず、大型の基板であっても再現性良く高歩留まりで基板
上の広範囲におけるレジスト膜厚の両内分布を±1%未
満に抑えることができるため、寸法精度(面内ばらつ
き)が小さいグレートーン部を有するグレートーンマス
クを高歩留まりで製造することが可能である。即ち本発
明においては、CAPコーターは、毛細管現象及び表面
張力を応用利用した塗布形式を採用するものであれば、
適用可能である。CAPコーターの原理は、毛管状間隙
を備えたノズルの下部をレジストに浸すと、毛細管現象
によって毛管状間隙内をレジストが上昇し、ノズルの先
端から表面張力によってレジストが突出する。ノズルの
先端近傍で、基板の塗布面を下に向けてゆっくりと移動
させることによって、レジストが塗布される。この種の
装置を開示したものとしては、例えば、特開平6−34
3908号公報に記載された装置や、特開平8−224
528号公報に記載された装置などがある。
【0012】上記構成3、4によれば、露光機の解像限
界以下の微細パターンを形成するタイプのグレートーン
マスクは、半透過膜を使用するタイプのグレートーンマ
スク比べ、安価であるので、本発明のグレートーンマス
ク(構成3)及びパターン転写方法(構成4)は、LC
D(液晶表示装置)製造用の大型グレートーンマスク
(カラーフィルタや薄膜トランジスタ(TFT)作製用
など)やPDP(プラズマディスプレイパネル)製造用
等の表示装置製造用の大型グレートーンマスク等の安価
な製造方法を実用化する上で必要不可欠である。
【0013】
【実施例】以下、実施例について説明する。
【0014】実施例1 精密研磨されたガラス基板(サイズ390×610m
m、厚さ6mm)上に、Cr膜を1000オンク゛ストロームの
厚さで成膜し、このCr膜上にCAPコーター(ヒラノ
テクシード社製:Capコーター)を用いてレジストを
塗布した。この装置は、図7に示されるような装置であ
り、レジスト液によって満たされた液槽の内部に毛細管
状隙間を備えたノズルを沈めておき、ノズルを上昇させ
ることによって、主表面を下方に向けたフォトマスクブ
ランクの主表面近傍に位置させ、毛細管状隙間から毛細
管現象を利用してノズルの先端に上昇したレジスト液を
フォトマスクブランクの主表面に接液しながら基板を走
行させて、フォトマスクブランク主表面にレジスト膜を
塗布させるものである。基板上の画素エリア360×5
80mm内全域に均等に配した5×5=25ポイントに
おいて、レジスト膜厚を測定した結果を図1に示す。レ
ジスト膜厚の面内分布は、±1%以下であった。次に、
レジストに対してグレートーンパターンを含む画素パタ
ーンの描画(露光)を行い、レジストを現像し、Cr膜
のエッチングを行い、レジストを剥離して、LCD用
(TFT製造用)グレイトーンマスクを製造した。尚、
グレートーンパターンは、図5に示すパターンを用い
た。図5は遮光部(遮光パターン)1間のグレートーン
領域3にグレートーンパターン30を形成した場合であ
る。基板上の画素エリア360×580mm内に均等に
配した5×5=25ポイントに配置されたパターン30
の寸法(線幅)をCD測定機で測定した結果を図2に示
す。その結果、設計値寸法Dに対し、最大値Dmax−最
小値Dmin(=レンジ)は、設計値寸法Dの12%程度
であり、パターン寸法精度(CD)の面内ばらつきはレ
ンジで12%程度であった。また、図5に示すパターン
は、すべてのポイントにおいて、パターンのすべての部
分が、きれいに解像されていた。
【0015】比較例1 精密研磨されたガラス基板(サイズ390×610m
m、厚さ6mm)上に、Cr膜を1000オンク゛ストロームの
厚さで成膜し、このCr膜上にスピンコーターを用いて
レジストを塗布した。基板上の画素エリア360×58
0mm内全域に均等に配した5×5=25ポイントにお
いて、レジスト膜厚を測定した結果を図3に示す。レジ
スト膜厚の面内分布は、±2%であった。また、図3か
ら、基板の中心部の膜厚が薄く、外周部にかけて徐々に
膜厚が厚くなっていく傾向が見られた。また、回転塗布
(回転の作用)に起因して、基板の四隅のコーナー部分
の膜厚が厚くなる、フリンジと呼ばれる現象が見られ
た。次に、レジストに対して実施例1と同様のグレート
ーンパターンを含む画素パターンの描画(露光)を行
い、レジストを現像し、Cr膜のエッチングを行い、レ
ジストを剥離して、LCD用グレイトーンマスクを製造
した。基板上の画素エリア内に均等に配した5×5=2
5ポイントに配置されたパターン30の寸法(線幅)を
CD測定機で測定した結果を図4に示す。その結果、設
計値寸法Dに対し、最大値Dmax−最小値Dmin(=レン
ジ)は、設計値寸法Dの15%程度であり、パターン寸
法精度(CD)の面内ばらつきはレンジで15%程度で
あった。また、図5に示すパターンは、すべてのポイン
トにおいて、パターンのすべての部分が、きれいに解像
されていなかった。
【0016】実施例2及び比較例2 図5に示すパターンの替わりに、図8に示す微細ライン
&スペースパターンからなるグレートーンパターンを基
板上のグレートーン部が形成される領域310×510
mm内に均等に配した5×5=25ポイントに配置した
こと以外は実施例1及び比較例1と同様にして、微細ラ
イン&スペースパターンの寸法をCD測定機で測定し
た。その結果、実施例2では、比較例2に比べ、グレー
トーン部の領域全体において寸法精度の面内ばらつきが
20%程度改善され、グレートーンマスクを用いたパタ
ーン転写プロセスの歩留まりの向上を著しく改善でき、
グレートーンマスクを用いたパターン転写プロセスの実
用性を顕著に高めることができた。
【0017】なお、本発明は上述した実施の形態等に限
定されるものではない。例えば、レジストの種類、レジ
ストの膜厚、等は適宜選択できる。また、遮光膜はCr
に限定されず、公知の遮光膜材料を適宜選択使用でき
る。また、本発明で言う所定のグレートーンパターン
は、図5に示すパターンに限定されない。例えば、図5
に示すパターンの替わりに、図6に示す所定のグレート
ーンパターン30を遮光部(遮光パターン)1間に形成
する場合にも、実施例1と同様の効果が得られた。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ジスト膜厚の面内分布を±1%以下に抑えることによっ
て、所定のグレートーンパターンの寸法精度を満たすこ
とができ、所定のグレートーンパターンを少なくとも一
部に有しているグレートーンマスクを実現できる。そし
て、レジスト膜厚の面内分布を±1%以下に抑えること
によって、寸法精度の面内ばらつきが20%程度改善さ
れ、グレートーンマスクを用いてレジスト上にパターン
転写を行った場合グレートーン部についてその領域全体
においてレジスト膜厚のばらつきが顕著に改善されるの
で、グレートーンマスクを用いたパターン転写プロセス
の歩留まりの向上を著しく改善でき、グレートーンマス
クを用いたパターン転写プロセスの実用性を顕著に高め
ることができる。また、露光機の解像限界以下の微細パ
ターンを形成するタイプのグレートーンマスクは、半透
過膜を使用するタイプのグレートーンマスク比べ、安価
であるので、本発明のグレートーンマスク及びパターン
転写方法は、安価なLCD転写プロセス及び製造方法を
実用化する上で必要不可欠である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例におけるレジスト膜厚測定結
果を示す図である。
【図2】本発明の一実施例におけるグレートーンパター
ンの寸法測定結果を示す図である。
【図3】比較例におけるレジスト膜厚測定結果を示す図
である。
【図4】比較例におけるグレートーンパターンの寸法測
定結果を示す図である。
【図5】本発明の所定のグレートーンパターンの一例を
示す図である。
【図6】本発明の所定のグレートーンパターンの他の例
を示す図である。
【図7】実施例で用いたレジスト塗布装置の模式図であ
る。
【図8】グレートーンマスクを説明するための図であ
り、(1)は部分平面図、(2)は部分断面図である。
【符号の説明】
1、1’遮光部 2 透光部 3 グレートーン部 3a微細遮光パターン 3b 微細透光部 11遮光部に対応するレジストパターン 12透光部に対応するレジストのない部分 13グレートーン部に対応する薄いレジスト領域 30所定のグレートーンパターン

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 遮光部と、透光部と、マスクを使用する
    露光機の解像限界以下のパターン寸法を有する遮光パタ
    ーンを形成した領域であってこの領域を透過する露光光
    の透過量を低減させるグレートーン部とを有するグレー
    トーンマスクの製造方法であって、 グレートーンマスクの製造過程で基板に塗布されるレジ
    スト膜のグレートーン部が形成される領域内のレジスト
    膜厚の面内分布を±1%以下に抑えることを特徴とする
    グレートーンマスクの製造方法。
  2. 【請求項2】 前記レジスト膜が、下向きに保持した基
    板に対し、毛管状のノズルにより毛細管現象を用いて上
    昇したレジスト液をノズル先端を基板上で走査させるこ
    とによって塗布されたものであることを特徴とする請求
    項1記載のグレートーンマスクの製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2に記載の製造方法によっ
    て得られた表示装置製造用グレートーンマスクマスク。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載のグレートーンマスクを
    用いたパターン転写方法。
JP2002256531A 2001-09-28 2002-09-02 グレートーンマスクの製造方法 Pending JP2003173015A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002256531A JP2003173015A (ja) 2001-09-28 2002-09-02 グレートーンマスクの製造方法
US10/255,069 US6838215B2 (en) 2001-09-28 2002-09-26 Graytone mask producing method, graytone mask and pattern transfer method
TW091122373A TW586149B (en) 2001-09-28 2002-09-27 Graytone mask producing method
KR10-2002-0058830A KR100481144B1 (ko) 2001-09-28 2002-09-27 그레이톤 마스크의 제조 방법, 그레이톤 마스크 생성용 블랭크, 및 패턴 전사 방법
CNB021430942A CN1220912C (zh) 2001-09-28 2002-09-28 灰调掩模制作方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001304456 2001-09-28
JP2001-304456 2001-09-28
JP2002256531A JP2003173015A (ja) 2001-09-28 2002-09-02 グレートーンマスクの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003173015A true JP2003173015A (ja) 2003-06-20

Family

ID=26623485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002256531A Pending JP2003173015A (ja) 2001-09-28 2002-09-02 グレートーンマスクの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6838215B2 (ja)
JP (1) JP2003173015A (ja)
KR (1) KR100481144B1 (ja)
CN (1) CN1220912C (ja)
TW (1) TW586149B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005051220A (ja) * 2003-07-17 2005-02-24 Hoya Corp レジスト膜付基板の製造方法
CN100562803C (zh) * 2004-07-12 2009-11-25 Hoya株式会社 灰色调掩模和灰色调掩模的制造方法
JP2010139876A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 Hoya Corp フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び塗布装置
US8012563B2 (en) 2003-07-18 2011-09-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Large-size substrate
US12381021B2 (en) 2013-08-23 2025-08-05 Southwire Company, Llc System and method of printing indicia onto armored cable

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100612994B1 (ko) 2000-05-12 2006-08-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 기판
JP3687651B2 (ja) * 2000-06-08 2005-08-24 ジニテック インク. 薄膜形成方法
JP3586647B2 (ja) * 2000-12-26 2004-11-10 Hoya株式会社 グレートーンマスク及びその製造方法
US7118833B2 (en) * 2003-09-26 2006-10-10 Flipchip International, Llc Forming partial-depth features in polymer film
CN1308738C (zh) * 2004-04-16 2007-04-04 南昌航空工业学院 高分辨力数字化微光学灰度掩模制作系统及制作方法
US7259106B2 (en) * 2004-09-10 2007-08-21 Versatilis Llc Method of making a microelectronic and/or optoelectronic circuitry sheet
US7166680B2 (en) * 2004-10-06 2007-01-23 Advanced Cardiovascular Systems, Inc. Blends of poly(ester amide) polymers
KR101090256B1 (ko) * 2005-01-17 2011-12-06 삼성전자주식회사 광마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법
KR100800301B1 (ko) * 2005-07-05 2008-02-01 주식회사 에스앤에스텍 그레이톤 블랭크마스크 및 포토마스크 제조방법
US7450007B2 (en) * 2005-10-03 2008-11-11 Chep Technology Pty Limited RFID asset identification systems
CN101211106B (zh) * 2006-12-27 2010-06-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 敏感性光罩
CN101290468B (zh) * 2007-04-20 2011-07-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种掩模版的制造方法
TWI422961B (zh) * 2007-07-19 2014-01-11 Hoya股份有限公司 光罩及其製造方法、圖案轉印方法、以及顯示裝置之製造方法
US20090035946A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Asm International N.V. In situ deposition of different metal-containing films using cyclopentadienyl metal precursors
JP2009258693A (ja) 2008-03-27 2009-11-05 Hoya Corp 多階調フォトマスク及びそれを用いたパターン転写方法
CN108385083B (zh) * 2018-02-26 2019-12-03 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制作方法、显示面板及其封装方法、显示装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4902899A (en) * 1987-06-01 1990-02-20 International Business Machines Corporation Lithographic process having improved image quality
US5219615A (en) * 1989-02-17 1993-06-15 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Method and apparatus for forming a coating of a viscous liquid on an object
US5650196A (en) * 1993-05-05 1997-07-22 Steag Microtech Gmbh Device for coating substrates in semiconductor production
JP3351485B2 (ja) * 1993-12-10 2002-11-25 富士通株式会社 位相シフトマスクの製造方法
US5665496A (en) * 1994-06-24 1997-09-09 Nippon Oil Co., Ltd. Method for producing color filter
US6977098B2 (en) * 1994-10-27 2005-12-20 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
JP3117886B2 (ja) * 1994-12-14 2000-12-18 沖電気工業株式会社 レジストパターン形成用のマスク、レジストパターンの形成方法およびレンズの製造方法
DE4445985A1 (de) * 1994-12-22 1996-06-27 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Belackung oder Beschichtung eines Substrats
KR0161389B1 (ko) * 1995-02-16 1999-01-15 윤종용 마스크 및 이를 사용한 패턴형성방법
JP3177404B2 (ja) 1995-05-31 2001-06-18 シャープ株式会社 フォトマスクの製造方法
JP3438426B2 (ja) * 1995-08-22 2003-08-18 ソニー株式会社 位相シフト露光マスク
JPH09127707A (ja) * 1995-10-30 1997-05-16 Casio Comput Co Ltd レジストパターンの形成方法
US5900273A (en) * 1996-01-19 1999-05-04 Micron Technology, Inc. Method for coating a substrate covered with a plurality of spacer members
US5766971A (en) * 1996-12-13 1998-06-16 International Business Machines Corporation Oxide strip that improves planarity
US5838055A (en) * 1997-05-29 1998-11-17 International Business Machines Corporation Trench sidewall patterned by vapor phase etching
US6074951A (en) * 1997-05-29 2000-06-13 International Business Machines Corporation Vapor phase etching of oxide masked by resist or masking material
US5876879A (en) * 1997-05-29 1999-03-02 International Business Machines Corporation Oxide layer patterned by vapor phase etching
KR100555447B1 (ko) * 1998-02-17 2006-04-21 삼성전자주식회사 하프톤 위상반전 마스크 및 그 제조방법
JP3253590B2 (ja) 1998-08-31 2002-02-04 シャープ株式会社 ハーフトーンマスクの製造方法
US6319794B1 (en) * 1998-10-14 2001-11-20 International Business Machines Corporation Structure and method for producing low leakage isolation devices
JP2000295232A (ja) * 1999-02-01 2000-10-20 Sony Corp 仮想チャネル設定方法、セル交換機、通信方法、アドレス解決方法および端末装置
KR20010002127A (ko) * 1999-06-11 2001-01-05 김영환 하프톤형 위상반전마스크 및 그 형성방법
KR100538501B1 (ko) * 1999-08-16 2005-12-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 신규한 오늄염, 레지스트 재료용 광산발생제, 레지스트재료 및 패턴 형성 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005051220A (ja) * 2003-07-17 2005-02-24 Hoya Corp レジスト膜付基板の製造方法
US8012563B2 (en) 2003-07-18 2011-09-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Large-size substrate
CN100562803C (zh) * 2004-07-12 2009-11-25 Hoya株式会社 灰色调掩模和灰色调掩模的制造方法
JP2010139876A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 Hoya Corp フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び塗布装置
US12381021B2 (en) 2013-08-23 2025-08-05 Southwire Company, Llc System and method of printing indicia onto armored cable

Also Published As

Publication number Publication date
TW586149B (en) 2004-05-01
US6838215B2 (en) 2005-01-04
US20030077522A1 (en) 2003-04-24
KR100481144B1 (ko) 2005-04-08
KR20030027810A (ko) 2003-04-07
CN1220912C (zh) 2005-09-28
CN1410831A (zh) 2003-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003173015A (ja) グレートーンマスクの製造方法
JP5555789B2 (ja) フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法
JP5036328B2 (ja) グレートーンマスク及びパターン転写方法
KR101024477B1 (ko) 마스크 블랭크 및 포토마스크
US20070264736A1 (en) Array substrates for use in liquid crystal displays and fabrication methods thereof
JP2002055364A (ja) 薄膜トランジスタ液晶表示装置製造用フォトマスク
CN103140797B (zh) 液晶显示面板用基板的制造方法和光掩膜
CN100562803C (zh) 灰色调掩模和灰色调掩模的制造方法
JP4968709B2 (ja) グレートーンマスクの製造方法
KR20020093351A (ko) 그레이톤 마스크 및 이를 이용한 액정디스플레이 제조방법
CN102073211B (zh) 半色调掩模、用于制造它的方法及使用它的平板显示器
TW202131091A (zh) 光罩、光罩之製造方法、顯示裝置用元件之製造方法
CN115172381B (zh) 阵列基板和显示面板
CN100559270C (zh) 灰调掩模
CN101369095B (zh) 曝光制程、像素结构的制造方法及其使用的半调式光掩模
KR100735193B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조 방법 및 그에사용되는 마스크
KR100484517B1 (ko) 그레이톤 마스크 및 그 제조 방법
JP2009244523A (ja) カラーフィルタの製造方法
KR100412126B1 (ko) 액정표시소자의 지주 스페이서 형성방법
CN112180676A (zh) 半色调掩模版、显示面板的制备方法及紫外掩膜版
KR101171428B1 (ko) 다계조 포토마스크 및 패턴 전사 방법
KR100697366B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조에서 사용하는 하프 톤 마스크
KR100498575B1 (ko) 그레이톤 마스크
KR100674226B1 (ko) 반사형 액정표시장치의 반사판 형성방법
JP2004240095A (ja) パターン層形成体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040525

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040608

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040804

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041102

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041227

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050208

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050407

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20050628

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20050722

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061106