JP2003178708A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＯＯの低減を図ることができ、しかも注入
処理再開時の装置の立ち上がりの速いイオン注入装置を
提供する。 【解決手段】 このイオン注入装置は、基板４８にイオ
ン注入を行っていない期間中の装置の運転状態を、
（ａ）イオン源２に供給する原料ガス６の流量およびプ
ラズマ生成用電源１４から供給する電力を、イオン源２
においてプラズマ生成を維持できる値に減少させるトワ
イライトモードと、（ｂ）トワイライトモードの状態に
加えて、エネルギー分離マグネット電源３６、走査マグ
ネット電源４０およびビーム平行化マグネット電源４４
の出力を停止するマグネットオフモードと、（ｃ）原料
ガス６の供給を停止し、かつ電源１４、１６、２８、３
２、３６、４０および４４の出力を停止するシャットダ
ウンモードとの内から選択される任意のモードの状態に
制御する制御装置５８を備えている。
処理再開時の装置の立ち上がりの速いイオン注入装置を
提供する。 【解決手段】 このイオン注入装置は、基板４８にイオ
ン注入を行っていない期間中の装置の運転状態を、
（ａ）イオン源２に供給する原料ガス６の流量およびプ
ラズマ生成用電源１４から供給する電力を、イオン源２
においてプラズマ生成を維持できる値に減少させるトワ
イライトモードと、（ｂ）トワイライトモードの状態に
加えて、エネルギー分離マグネット電源３６、走査マグ
ネット電源４０およびビーム平行化マグネット電源４４
の出力を停止するマグネットオフモードと、（ｃ）原料
ガス６の供給を停止し、かつ電源１４、１６、２８、３
２、３６、４０および４４の出力を停止するシャットダ
ウンモードとの内から選択される任意のモードの状態に
制御する制御装置５８を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板（例えば半
導体基板。以下同じ）にイオンビームを照射してイオン
注入を行うイオン注入装置に関し、より具体的には、当
該イオン注入装置運転の省エネルギー化を実現する手段
に関する。
導体基板。以下同じ）にイオンビームを照射してイオン
注入を行うイオン注入装置に関し、より具体的には、当
該イオン注入装置運転の省エネルギー化を実現する手段
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のイオン注入装置では、基板に対し
てイオン注入を行っていない期間中は、例えば一つのロ
ットの注入処理完了後で次のロットの注入処理開始まで
の間は、装置の運転状態は、（イ）目的とするイオン種
のイオンビームを発生させたままで、当該イオンビーム
が基板に照射されないことを除いては、注入処理中と同
じ状態を保つか、あるいは、（ロ）イオン注入装置を構
成する機器の殆ど全てを停止させるかのいずれかであっ
た。
てイオン注入を行っていない期間中は、例えば一つのロ
ットの注入処理完了後で次のロットの注入処理開始まで
の間は、装置の運転状態は、（イ）目的とするイオン種
のイオンビームを発生させたままで、当該イオンビーム
が基板に照射されないことを除いては、注入処理中と同
じ状態を保つか、あるいは、（ロ）イオン注入装置を構
成する機器の殆ど全てを停止させるかのいずれかであっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、イオン注入装置
においても、環境対策の一環として、電力消費の低減を
含む省エネルギー化が求められている。より広く言え
ば、電力消費のみならず、原料ガス消費、機器の消耗、
メインテナンス費用等を含めたＣＯＯ（Cost of Owners
hip ：装置の運転および維持に係わる総合的な維持費
用）の低減が求められている。
においても、環境対策の一環として、電力消費の低減を
含む省エネルギー化が求められている。より広く言え
ば、電力消費のみならず、原料ガス消費、機器の消耗、
メインテナンス費用等を含めたＣＯＯ（Cost of Owners
hip ：装置の運転および維持に係わる総合的な維持費
用）の低減が求められている。
【０００４】ところが、上記（イ）に示す方法では、目
的とするイオン種のイオンビームを発生し続けているの
で、無駄な電力やイオン源用の原料ガスを消費するだけ
でなく、イオン源や、排気ガス中に含まれる有害物質を
除去するガス除害装置、その他の機器の消耗・劣化等を
速めて寿命を短くするので、ＣＯＯの低減を図ることは
できない。
的とするイオン種のイオンビームを発生し続けているの
で、無駄な電力やイオン源用の原料ガスを消費するだけ
でなく、イオン源や、排気ガス中に含まれる有害物質を
除去するガス除害装置、その他の機器の消耗・劣化等を
速めて寿命を短くするので、ＣＯＯの低減を図ることは
できない。
【０００５】一方、上記（ロ）に示す方法では、ＣＯＯ
の低減を図ることはできるものの、殆ど全ての機器を停
止させているので、注入処理を再開するときのイオン注
入装置の立ち上がりが非常に遅いという課題がある。
の低減を図ることはできるものの、殆ど全ての機器を停
止させているので、注入処理を再開するときのイオン注
入装置の立ち上がりが非常に遅いという課題がある。
【０００６】そこでこの発明は、ＣＯＯの低減を図るこ
とができ、しかも注入処理再開時の装置の立ち上がりの
速いイオン注入装置を提供することを主たる目的とす
る。
とができ、しかも注入処理再開時の装置の立ち上がりの
速いイオン注入装置を提供することを主たる目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る第１のイ
オン注入装置は、原料ガスを電離させてプラズマを生成
して当該プラズマからイオンビームを引き出すイオン源
と、このイオン源に前記原料ガスを供給するガス供給装
置と、前記イオン源にプラズマ生成用の電力を供給する
プラズマ生成用電源と、前記イオン源にイオンビーム引
き出し用の電圧を印加するイオンビーム引出し用電源
と、前記イオン源から引き出されたイオンビームから特
定の質量数および価数のイオンを選別して導出する質量
分離マグネットと、この質量分離マグネットに質量分離
用の電力を供給する質量分離マグネット電源と、前記質
量分離マグネットから導出されたイオンビームを加速ま
たは減速する加速管と、この加速管に加速または減速用
の電圧を印加する加速電源と、前記加速管から導出され
たイオンビームから特定のエネルギーのイオンを選別し
て導出するエネルギー分離マグネットと、このエネルギ
ー分離マグネットにエネルギー分離用の電力を供給する
エネルギー分離マグネット電源と、前記エネルギー分離
マグネットから導出されたイオンビームを走査する走査
マグネットと、この走査マグネットに走査用の電力を供
給する走査マグネット電源と、前記走査マグネットから
導出されたイオンビームを基準軸に対して平行になるよ
うに曲げるビーム平行化マグネットと、このビーム平行
化マグネットにビーム平行化用の電力を供給するビーム
平行化マグネット電源と、前記ビーム平行化マグネット
から導出されたイオンビームを基板に照射して当該基板
にイオン注入を行う注入室とを備えるイオン注入装置に
おいて、前記基板に対してイオン注入を行っていない期
間中の当該イオン注入装置の運転状態を、（ａ）前記イ
オン源に前記ガス供給装置から供給する原料ガス流量お
よび前記プラズマ生成用電源から供給する電力を、前記
基板にイオン注入を行うときの値より小さくしかも前記
イオン源においてプラズマ生成を維持することのできる
値に減少させるトワイライトモードと、（ｂ）前記イオ
ン源に前記ガス供給装置から供給する原料ガス流量およ
び前記プラズマ生成用電源から供給する電力を、前記基
板にイオン注入を行うときの値より小さくしかも前記イ
オン源においてプラズマ生成を維持することのできる値
に減少させ、かつ前記エネルギー分離マグネット電源、
前記走査マグネット電源および前記ビーム平行化マグネ
ット電源の出力を停止するマグネットオフモードと、
（ｃ）前記ガス供給装置からの原料ガスの供給を停止
し、かつ前記全ての電源の出力を停止するシャットダウ
ンモードとの内から選択される任意のモードの状態に制
御する制御装置を備えていることを特徴としている（請
求項１）。
オン注入装置は、原料ガスを電離させてプラズマを生成
して当該プラズマからイオンビームを引き出すイオン源
と、このイオン源に前記原料ガスを供給するガス供給装
置と、前記イオン源にプラズマ生成用の電力を供給する
プラズマ生成用電源と、前記イオン源にイオンビーム引
き出し用の電圧を印加するイオンビーム引出し用電源
と、前記イオン源から引き出されたイオンビームから特
定の質量数および価数のイオンを選別して導出する質量
分離マグネットと、この質量分離マグネットに質量分離
用の電力を供給する質量分離マグネット電源と、前記質
量分離マグネットから導出されたイオンビームを加速ま
たは減速する加速管と、この加速管に加速または減速用
の電圧を印加する加速電源と、前記加速管から導出され
たイオンビームから特定のエネルギーのイオンを選別し
て導出するエネルギー分離マグネットと、このエネルギ
ー分離マグネットにエネルギー分離用の電力を供給する
エネルギー分離マグネット電源と、前記エネルギー分離
マグネットから導出されたイオンビームを走査する走査
マグネットと、この走査マグネットに走査用の電力を供
給する走査マグネット電源と、前記走査マグネットから
導出されたイオンビームを基準軸に対して平行になるよ
うに曲げるビーム平行化マグネットと、このビーム平行
化マグネットにビーム平行化用の電力を供給するビーム
平行化マグネット電源と、前記ビーム平行化マグネット
から導出されたイオンビームを基板に照射して当該基板
にイオン注入を行う注入室とを備えるイオン注入装置に
おいて、前記基板に対してイオン注入を行っていない期
間中の当該イオン注入装置の運転状態を、（ａ）前記イ
オン源に前記ガス供給装置から供給する原料ガス流量お
よび前記プラズマ生成用電源から供給する電力を、前記
基板にイオン注入を行うときの値より小さくしかも前記
イオン源においてプラズマ生成を維持することのできる
値に減少させるトワイライトモードと、（ｂ）前記イオ
ン源に前記ガス供給装置から供給する原料ガス流量およ
び前記プラズマ生成用電源から供給する電力を、前記基
板にイオン注入を行うときの値より小さくしかも前記イ
オン源においてプラズマ生成を維持することのできる値
に減少させ、かつ前記エネルギー分離マグネット電源、
前記走査マグネット電源および前記ビーム平行化マグネ
ット電源の出力を停止するマグネットオフモードと、
（ｃ）前記ガス供給装置からの原料ガスの供給を停止
し、かつ前記全ての電源の出力を停止するシャットダウ
ンモードとの内から選択される任意のモードの状態に制
御する制御装置を備えていることを特徴としている（請
求項１）。
【０００８】上記構成によれば、基板に対してイオン注
入を行っていない期間中のイオン注入装置の運転状態
を、（ａ）トワイライトモード、（ｂ）マグネットオフ
モードおよび（ｃ）シャットダウンモードの内から選択
される任意のモードの状態に制御することができる。
入を行っていない期間中のイオン注入装置の運転状態
を、（ａ）トワイライトモード、（ｂ）マグネットオフ
モードおよび（ｃ）シャットダウンモードの内から選択
される任意のモードの状態に制御することができる。
【０００９】トワイライトモードは、三つのモードの内
でＣＯＯの低減量は一番少ないけれども、それでも少な
くとも原料ガスおよびプラズマ生成用電源の電力の消費
に関するＣＯＯを低減することができる。しかも、イオ
ン源においてプラズマ生成状態を維持することができる
ので、注入処理再開時の装置の立ち上がりは一番速い。
でＣＯＯの低減量は一番少ないけれども、それでも少な
くとも原料ガスおよびプラズマ生成用電源の電力の消費
に関するＣＯＯを低減することができる。しかも、イオ
ン源においてプラズマ生成状態を維持することができる
ので、注入処理再開時の装置の立ち上がりは一番速い。
【００１０】シャットダウンモードは、原料ガス供給お
よび主要な電源の殆ど全てを停止させるので、三つのモ
ードの内で注入処理再開時の装置の立ち上がりは一番遅
いけれども、ＣＯＯの低減量は一番大きい。
よび主要な電源の殆ど全てを停止させるので、三つのモ
ードの内で注入処理再開時の装置の立ち上がりは一番遅
いけれども、ＣＯＯの低減量は一番大きい。
【００１１】マグネットオフモードは、トワイライトモ
ードとシャットダウンモードとの中間のモードであり、
ＣＯＯの低減量と装置の立ち上がり速度は、共に両モー
ドの中間となる。
ードとシャットダウンモードとの中間のモードであり、
ＣＯＯの低減量と装置の立ち上がり速度は、共に両モー
ドの中間となる。
【００１２】このようにこのイオン注入装置によれば、
基板に対してイオン注入を行っていない期間中の当該イ
オン注入装置の運転状態を、ユーザの要求等に応じて、
上記三つのモードの内から選択される任意のモードの状
態に制御することができるので、ＣＯＯの低減を図るこ
とができ、しかも注入処理再開時の装置の立ち上がりを
速くすることができる。
基板に対してイオン注入を行っていない期間中の当該イ
オン注入装置の運転状態を、ユーザの要求等に応じて、
上記三つのモードの内から選択される任意のモードの状
態に制御することができるので、ＣＯＯの低減を図るこ
とができ、しかも注入処理再開時の装置の立ち上がりを
速くすることができる。
【００１３】この発明に係る第２のイオン注入装置は、
原料ガスを電離させてプラズマを生成して当該プラズマ
からイオンビームを引き出すイオン源と、このイオン源
に前記原料ガスを供給するガス供給装置と、前記イオン
源に接続されていて中をイオンビームが通るビームライ
ン真空容器内を真空排気する主ポンプおよび粗引きポン
プと、前記イオン源から引き出されたイオンビームから
特定の質量数および価数のイオンを選別して導出する質
量分離マグネットと、この質量分離マグネットから導出
されたイオンビームを基板に照射して当該基板にイオン
注入を行う注入室と、この注入室とその外の大気中との
間で基板を出し入れするための真空予備室と、この真空
予備室内を真空排気する真空予備室ポンプとを備えるイ
オン注入装置において、（ａ）前記ビームライン真空容
器内が所定の高真空状態にあり、かつ前記ガス供給装置
からイオン源に原料ガスを供給していない状態のとき
に、前記粗引きポンプの回転数を定常回転数よりも下げ
て運転する制御を行う粗引きポンプ低速モードと、
（ｂ）前記真空予備室内が所定の真空度に達している状
態のときに、外部からの指令に応答して、前記真空予備
室ポンプの回転数を定常回転数よりも下げて運転する制
御を行う真空予備室ポンプ低速モードとの少なくとも一
方を行う制御装置を備えていることを特徴としている
（請求項２）。
原料ガスを電離させてプラズマを生成して当該プラズマ
からイオンビームを引き出すイオン源と、このイオン源
に前記原料ガスを供給するガス供給装置と、前記イオン
源に接続されていて中をイオンビームが通るビームライ
ン真空容器内を真空排気する主ポンプおよび粗引きポン
プと、前記イオン源から引き出されたイオンビームから
特定の質量数および価数のイオンを選別して導出する質
量分離マグネットと、この質量分離マグネットから導出
されたイオンビームを基板に照射して当該基板にイオン
注入を行う注入室と、この注入室とその外の大気中との
間で基板を出し入れするための真空予備室と、この真空
予備室内を真空排気する真空予備室ポンプとを備えるイ
オン注入装置において、（ａ）前記ビームライン真空容
器内が所定の高真空状態にあり、かつ前記ガス供給装置
からイオン源に原料ガスを供給していない状態のとき
に、前記粗引きポンプの回転数を定常回転数よりも下げ
て運転する制御を行う粗引きポンプ低速モードと、
（ｂ）前記真空予備室内が所定の真空度に達している状
態のときに、外部からの指令に応答して、前記真空予備
室ポンプの回転数を定常回転数よりも下げて運転する制
御を行う真空予備室ポンプ低速モードとの少なくとも一
方を行う制御装置を備えていることを特徴としている
（請求項２）。
【００１４】このイオン注入装置のように、所定の条件
のときに粗引きポンプおよび真空予備室ポンプの少なく
とも一方の回転数を定常回転数よりも下げて運転するこ
とによって、当該真空ポンプ運転用の電力消費を主体と
するＣＯＯの低減を図ることができる。しかも、上記真
空ポンプは停止させる訳ではないので、必要時の復帰は
速い。従って、注入処理再開時の装置の立ち上がりを速
くすることができる。
のときに粗引きポンプおよび真空予備室ポンプの少なく
とも一方の回転数を定常回転数よりも下げて運転するこ
とによって、当該真空ポンプ運転用の電力消費を主体と
するＣＯＯの低減を図ることができる。しかも、上記真
空ポンプは停止させる訳ではないので、必要時の復帰は
速い。従って、注入処理再開時の装置の立ち上がりを速
くすることができる。
【００１５】上記第１のイオン注入装置の上記のような
制御機能と、第２のイオン注入装置の上記のような制御
機能の両方の機能を有する制御装置を設けても良い。
制御機能と、第２のイオン注入装置の上記のような制御
機能の両方の機能を有する制御装置を設けても良い。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係るイオン注
入装置の一例を示す平面図である。この種のイオン注入
装置は、制御装置５８によって以下に述べる省エネルギ
ー運転モードの制御を行うことを除いて、例えば特開平
８−１１５７０１号公報、特開２００１−１４３６５１
号公報に記載されている。
入装置の一例を示す平面図である。この種のイオン注入
装置は、制御装置５８によって以下に述べる省エネルギ
ー運転モードの制御を行うことを除いて、例えば特開平
８−１１５７０１号公報、特開２００１−１４３６５１
号公報に記載されている。
【００１７】図１に示すイオン注入装置は、イオン源２
から引き出されたイオンビーム４を電界または磁界によ
ってＸ方向（例えば水平方向。以下同じ）に往復走査す
ると共に、注入対象物である基板４８をＸ方向と実質的
に直交するＹ方向（例えば垂直方向。以下同じ）に機械
的に往復走査する、いわゆるハイブリッドスキャン方式
の場合の例である。より具体的には、イオンビーム４を
基準軸４３に沿って平行走査する、ハイブリッドパラレ
ルスキャン方式の場合の例である。
から引き出されたイオンビーム４を電界または磁界によ
ってＸ方向（例えば水平方向。以下同じ）に往復走査す
ると共に、注入対象物である基板４８をＸ方向と実質的
に直交するＹ方向（例えば垂直方向。以下同じ）に機械
的に往復走査する、いわゆるハイブリッドスキャン方式
の場合の例である。より具体的には、イオンビーム４を
基準軸４３に沿って平行走査する、ハイブリッドパラレ
ルスキャン方式の場合の例である。
【００１８】このイオン注入装置は、原料ガス６を電離
させてプラズマ７２（図２参照）を生成して当該プラズ
マ７２からイオンビーム４を引き出すイオン源２と、こ
のイオン源２に原料ガス６を供給するガス供給装置１２
と、イオン源２にプラズマ生成用の電力を供給するプラ
ズマ生成用電源１４と、イオン源２にイオンビーム４の
引き出し用の電圧を印加するイオンビーム引出し用電源
１６とを備えている。
させてプラズマ７２（図２参照）を生成して当該プラズ
マ７２からイオンビーム４を引き出すイオン源２と、こ
のイオン源２に原料ガス６を供給するガス供給装置１２
と、イオン源２にプラズマ生成用の電力を供給するプラ
ズマ生成用電源１４と、イオン源２にイオンビーム４の
引き出し用の電圧を印加するイオンビーム引出し用電源
１６とを備えている。
【００１９】ガス供給装置１２は、この例では、原料ガ
ス６を供給するガス源１０と、この原料ガス６の流量を
調節する流量調節器８とを備えている。このガス供給装
置１２は、固体物質を気化させてその蒸気を原料ガス６
として供給する方式のものでも良い。
ス６を供給するガス源１０と、この原料ガス６の流量を
調節する流量調節器８とを備えている。このガス供給装
置１２は、固体物質を気化させてその蒸気を原料ガス６
として供給する方式のものでも良い。
【００２０】イオン源２およびそれ用の電源の詳細例を
図２に示す。このイオン源２は、例えば特開平９−３５
６４８号公報に記載されているのと同様のバーナス型イ
オン源であり、イオン引出し孔６７を有するプラズマ生
成容器６６を備えている。
図２に示す。このイオン源２は、例えば特開平９−３５
６４８号公報に記載されているのと同様のバーナス型イ
オン源であり、イオン引出し孔６７を有するプラズマ生
成容器６６を備えている。
【００２１】プラズマ生成容器６６内には、熱電子を放
出してプラズマ生成容器６６との間でアーク放電を生じ
させて、導入された原料ガス６を電離させてプラズマ７
２を生成するフィラメント６８と、このフィラメント６
８から放出された電子を反射させる反射電極７０とが相
対向して設けられている。このプラズマ生成容器６６内
には、その外部のソースマグネット７４によって、フィ
ラメント６８と反射電極７０とを結ぶ線に沿う方向の磁
界７５が印加される。この磁界７５および反射電極７０
は、原料ガス６の電離効率を高めて密度の高いプラズマ
７２を生成する働きをする。
出してプラズマ生成容器６６との間でアーク放電を生じ
させて、導入された原料ガス６を電離させてプラズマ７
２を生成するフィラメント６８と、このフィラメント６
８から放出された電子を反射させる反射電極７０とが相
対向して設けられている。このプラズマ生成容器６６内
には、その外部のソースマグネット７４によって、フィ
ラメント６８と反射電極７０とを結ぶ線に沿う方向の磁
界７５が印加される。この磁界７５および反射電極７０
は、原料ガス６の電離効率を高めて密度の高いプラズマ
７２を生成する働きをする。
【００２２】上記フィラメント６８を加熱するフィラメ
ント電源８０、上記アーク放電を生じさせるアーク電源
８２および上記ソースマグネット７４を励磁するソース
マグネット電源８４が、この例では上記プラズマ生成用
電源１４を構成している。
ント電源８０、上記アーク放電を生じさせるアーク電源
８２および上記ソースマグネット７４を励磁するソース
マグネット電源８４が、この例では上記プラズマ生成用
電源１４を構成している。
【００２３】プラズマ生成容器６６内のプラズマ７２か
ら、この例では引出し電極７６および接地電極７８を通
して、電界の作用によってイオンビーム４が引き出され
る。そのために、プラズマ生成容器６６には引出し電源
８６から正の高電圧（例えば数十ｋＶ程度）が印加され
る。引出し電極７６には、下流側からの逆流電子抑制用
に抑制電源８８から負の電圧（例えば数ｋＶ程度）が印
加される。接地電極７８は接地されている。この引出し
電源８６および抑制電源８８が、この例では上記イオン
ビーム引出し用電源１６を構成している。
ら、この例では引出し電極７６および接地電極７８を通
して、電界の作用によってイオンビーム４が引き出され
る。そのために、プラズマ生成容器６６には引出し電源
８６から正の高電圧（例えば数十ｋＶ程度）が印加され
る。引出し電極７６には、下流側からの逆流電子抑制用
に抑制電源８８から負の電圧（例えば数ｋＶ程度）が印
加される。接地電極７８は接地されている。この引出し
電源８６および抑制電源８８が、この例では上記イオン
ビーム引出し用電源１６を構成している。
【００２４】再び図１を参照して、このイオン注入装置
は、更に、イオン源２から引き出されたイオンビーム４
から特定の質量数および価数のイオンを選別して導出す
る質量分離マグネット２６と、それに質量分離用の電力
を供給する質量分離マグネット電源２８と、質量分離マ
グネット２６から導出されたイオンビーム４を加速（加
速モードの場合）または減速（減速モードの場合）する
加速管３０と、それに加速または減速用の高電圧（例え
ば数十ｋＶ〜百ｋＶ程度）を印加する加速電源３２と、
加速管３０から導出されたイオンビーム４から特定のエ
ネルギーのイオンを選別して導出するエネルギー分離マ
グネット３４と、それにエネルギー分離用の電力を供給
するエネルギー分離マグネット電源３６と、エネルギー
分離マグネット３４から導出されたイオンビーム４を磁
界によって前記Ｘ方向を含む平面内で往復走査する走査
マグネット３８と、それに走査用の電力を供給する走査
マグネット電源４０と、走査マグネット３８から導出さ
れたイオンビーム４を基準軸４３に対して平行になるよ
うに曲げ戻して走査マグネット３８と協働してイオンビ
ーム４の平行走査を行うビーム平行化マグネット４２
と、それにビーム平行化用の電力を供給するビーム平行
化マグネット電源４４と、ビーム平行化マグネット４２
から導出されたイオンビーム４を基板４８に照射して当
該基板４８にイオン注入を行う注入室４６とを備えてい
る。
は、更に、イオン源２から引き出されたイオンビーム４
から特定の質量数および価数のイオンを選別して導出す
る質量分離マグネット２６と、それに質量分離用の電力
を供給する質量分離マグネット電源２８と、質量分離マ
グネット２６から導出されたイオンビーム４を加速（加
速モードの場合）または減速（減速モードの場合）する
加速管３０と、それに加速または減速用の高電圧（例え
ば数十ｋＶ〜百ｋＶ程度）を印加する加速電源３２と、
加速管３０から導出されたイオンビーム４から特定のエ
ネルギーのイオンを選別して導出するエネルギー分離マ
グネット３４と、それにエネルギー分離用の電力を供給
するエネルギー分離マグネット電源３６と、エネルギー
分離マグネット３４から導出されたイオンビーム４を磁
界によって前記Ｘ方向を含む平面内で往復走査する走査
マグネット３８と、それに走査用の電力を供給する走査
マグネット電源４０と、走査マグネット３８から導出さ
れたイオンビーム４を基準軸４３に対して平行になるよ
うに曲げ戻して走査マグネット３８と協働してイオンビ
ーム４の平行走査を行うビーム平行化マグネット４２
と、それにビーム平行化用の電力を供給するビーム平行
化マグネット電源４４と、ビーム平行化マグネット４２
から導出されたイオンビーム４を基板４８に照射して当
該基板４８にイオン注入を行う注入室４６とを備えてい
る。
【００２５】更に、注入室４６内において、イオンビー
ム４の照射領域内で基板４８を前記Ｙ方向に機械的に往
復走査する走査機構５２を備えている。基板４８は、こ
の走査機構５２のホルダ５０に保持される。
ム４の照射領域内で基板４８を前記Ｙ方向に機械的に往
復走査する走査機構５２を備えている。基板４８は、こ
の走査機構５２のホルダ５０に保持される。
【００２６】注入室４６内は、図示しない真空ポンプに
よって高真空（例えば１０-3Ｐａ〜１０-4Ｐａ程度）に
真空排気される。この注入室４６には、当該注入室４６
とその外の大気中との間で基板４８を出し入れするため
の真空予備室（エアロック室とも呼ばれる）５４が、図
示しない真空弁を介して隣接されている。真空予備室５
４はこの例ではスループット向上のために二つ設けてい
るけれども、一つでも良い。上記のような走査機構５２
および真空予備室５４の例が、例えば特公平７−７０２
９８号公報に記載されている。
よって高真空（例えば１０-3Ｐａ〜１０-4Ｐａ程度）に
真空排気される。この注入室４６には、当該注入室４６
とその外の大気中との間で基板４８を出し入れするため
の真空予備室（エアロック室とも呼ばれる）５４が、図
示しない真空弁を介して隣接されている。真空予備室５
４はこの例ではスループット向上のために二つ設けてい
るけれども、一つでも良い。上記のような走査機構５２
および真空予備室５４の例が、例えば特公平７−７０２
９８号公報に記載されている。
【００２７】各真空予備室５４には、その内部を注入室
４６よりも低真空（例えば１Ｐａ〜１０-1Ｐａ程度）に
真空排気（これを粗引きと呼ぶ場合もある）する真空予
備室ポンプ５６がそれぞれ接続されている。この真空予
備室ポンプ５６は、例えばドライポンプである。
４６よりも低真空（例えば１Ｐａ〜１０-1Ｐａ程度）に
真空排気（これを粗引きと呼ぶ場合もある）する真空予
備室ポンプ５６がそれぞれ接続されている。この真空予
備室ポンプ５６は、例えばドライポンプである。
【００２８】また、イオン源２の出口側には、中をイオ
ンビーム４が通るビームライン真空容器１８が接続され
ている。このビームライン真空容器１８およびそれに接
続されたイオン源２内は、ビームライン真空容器１８に
接続された主ポンプ２０および粗引きポンプ２２によっ
て、所定の高真空に排気される。例えば、原料ガス６の
導入前の状態で、１０-3Ｐａ〜１０-4Ｐａ程度の高真空
に排気される。主ポンプ２０は例えばターボ分子ポンプ
であり、粗引きポンプ２２は例えば、この主ポンプ２０
の排気口側を排気するドライポンプである。
ンビーム４が通るビームライン真空容器１８が接続され
ている。このビームライン真空容器１８およびそれに接
続されたイオン源２内は、ビームライン真空容器１８に
接続された主ポンプ２０および粗引きポンプ２２によっ
て、所定の高真空に排気される。例えば、原料ガス６の
導入前の状態で、１０-3Ｐａ〜１０-4Ｐａ程度の高真空
に排気される。主ポンプ２０は例えばターボ分子ポンプ
であり、粗引きポンプ２２は例えば、この主ポンプ２０
の排気口側を排気するドライポンプである。
【００２９】粗引きポンプ２２からの排気ガスは、イオ
ン源２に導入された原料ガス６が含まれているので、例
えば特開２００１−２１６９３０号公報にも記載されて
いるように、排気ガス中に含まれる有害物質を除去する
ガス除害装置２４を通して排出される。例えば、後述す
る排気ダクト６４に排出される。
ン源２に導入された原料ガス６が含まれているので、例
えば特開２００１−２１６９３０号公報にも記載されて
いるように、排気ガス中に含まれる有害物質を除去する
ガス除害装置２４を通して排出される。例えば、後述す
る排気ダクト６４に排出される。
【００３０】上記各機器は、キャビネット６０内に収納
されている。上記各機器および次に述べる排気弁６２を
制御して、後述するような省エネルギー運転モードの制
御も含めて、このイオン注入装置の制御を行う制御装置
５８も、キャビネット６０内に収納されている。
されている。上記各機器および次に述べる排気弁６２を
制御して、後述するような省エネルギー運転モードの制
御も含めて、このイオン注入装置の制御を行う制御装置
５８も、キャビネット６０内に収納されている。
【００３１】キャビネット６０（例えばその上部）に
は、排気弁６２を介して、排気ダクト６４が接続され
る。この排気ダクト６４の先には、図示しない排気ファ
ンが接続されている。キャビネット６０内で発生した熱
は、排気ダクト６４を通して排出される。
は、排気弁６２を介して、排気ダクト６４が接続され
る。この排気ダクト６４の先には、図示しない排気ファ
ンが接続されている。キャビネット６０内で発生した熱
は、排気ダクト６４を通して排出される。
【００３２】制御装置５８は、この例では、省エネルギ
ー運転モードとして、（１）ビーム発生に関するモー
ド、（２）真空ポンプ運転に関するモード、および、
（３）熱排気に関するモードの各モードを実行する機能
を有している。以下に各モードを詳述する。
ー運転モードとして、（１）ビーム発生に関するモー
ド、（２）真空ポンプ運転に関するモード、および、
（３）熱排気に関するモードの各モードを実行する機能
を有している。以下に各モードを詳述する。
【００３３】（１）ビーム発生に関するモード制御装置
５８は、当該イオン注入装置を、所望のイオン種（質量
数および価数）のイオンビーム４を発生させる状態に立
ち上げた後であって、基板４８に対してイオン注入を行
っていない期間中の当該イオン注入装置の運転状態を、
次の（ａ）〜（ｃ）のモードの内から選択される任意の
モードの状態に制御する機能を有している。各モードの
状態を表１にまとめて示し、その説明を以下に述べる。
５８は、当該イオン注入装置を、所望のイオン種（質量
数および価数）のイオンビーム４を発生させる状態に立
ち上げた後であって、基板４８に対してイオン注入を行
っていない期間中の当該イオン注入装置の運転状態を、
次の（ａ）〜（ｃ）のモードの内から選択される任意の
モードの状態に制御する機能を有している。各モードの
状態を表１にまとめて示し、その説明を以下に述べる。
【００３４】
【表１】
【００３５】（ａ）トワイライトモード
このモードは、イオン源２にガス供給装置１２から供給
する原料ガス６の流量およびプラズマ生成用電源１４か
ら供給（出力）する電力を、基板４８にイオン注入を行
うときの値より小さく、しかもイオン源２においてプラ
ズマ生成を維持することのできる値に、より具体的には
プラズマ７２が消えない程度の小さい値に減少させるモ
ードである。
する原料ガス６の流量およびプラズマ生成用電源１４か
ら供給（出力）する電力を、基板４８にイオン注入を行
うときの値より小さく、しかもイオン源２においてプラ
ズマ生成を維持することのできる値に、より具体的には
プラズマ７２が消えない程度の小さい値に減少させるモ
ードである。
【００３６】プラズマ生成用電源１４から出力する電力
を減少させるということは、より具体的には、図２に示
したフィラメント電源８０からフィラメント６８に流す
フィラメント電流を減少させて、アーク電源８２から出
力されるアーク電流を減少させると共に、ソースマグネ
ット電源８４から出力するソースマグネット電流を減少
させることである。
を減少させるということは、より具体的には、図２に示
したフィラメント電源８０からフィラメント６８に流す
フィラメント電流を減少させて、アーク電源８２から出
力されるアーク電流を減少させると共に、ソースマグネ
ット電源８４から出力するソースマグネット電流を減少
させることである。
【００３７】上記以外の各電源１６、２８、３２、３
６、４０および４４は、基板４８にイオン注入を行うと
きの状態（これを「注入状態」と呼ぶ）を維持してお
く。
６、４０および４４は、基板４８にイオン注入を行うと
きの状態（これを「注入状態」と呼ぶ）を維持してお
く。
【００３８】このトワイライトモードは、機器の出力を
停止させる訳ではないので三つのモードの内でＣＯＯの
低減量は一番少ないけれども、それでも少なくとも原料
ガス６およびプラズマ生成用電源１４の電力の消費に関
するＣＯＯを低減することができる。しかも、イオン源
２においてプラズマ生成状態を維持することができるの
で、注入処理再開時の装置の立ち上がりは一番速い。原
料ガス６の流量およびプラズマ生成用電源１４の出力を
規定量に立ち上げるだけで良いからである。
停止させる訳ではないので三つのモードの内でＣＯＯの
低減量は一番少ないけれども、それでも少なくとも原料
ガス６およびプラズマ生成用電源１４の電力の消費に関
するＣＯＯを低減することができる。しかも、イオン源
２においてプラズマ生成状態を維持することができるの
で、注入処理再開時の装置の立ち上がりは一番速い。原
料ガス６の流量およびプラズマ生成用電源１４の出力を
規定量に立ち上げるだけで良いからである。
【００３９】（ｂ）マグネットオフモード
このモードは、イオン源２にガス供給装置１２から供給
する原料ガス６の流量およびプラズマ生成用電源１４か
ら供給する電力を、基板４８にイオン注入を行うときの
値より小さく、しかもイオン源２においてプラズマ生成
を維持することのできる値に、より具体的にはプラズマ
７２が消えない程度の小さい値に減少させ、かつエネル
ギー分離マグネット電源３６、走査マグネット電源４０
およびビーム平行化マグネット電源４８の出力を停止す
るモードである。
する原料ガス６の流量およびプラズマ生成用電源１４か
ら供給する電力を、基板４８にイオン注入を行うときの
値より小さく、しかもイオン源２においてプラズマ生成
を維持することのできる値に、より具体的にはプラズマ
７２が消えない程度の小さい値に減少させ、かつエネル
ギー分離マグネット電源３６、走査マグネット電源４０
およびビーム平行化マグネット電源４８の出力を停止す
るモードである。
【００４０】上記以外の各電源１６、２８および３２
は、基板４８にイオン注入を行うときの状態（注入状
態）を維持しておく。
は、基板４８にイオン注入を行うときの状態（注入状
態）を維持しておく。
【００４１】なお、このモードでイオンビーム引出し用
電源１６および質量分離マグネット電源２８の出力を停
止しないのは、質量分離マグネット２６で所望のイオン
種を質量分離するのに必要な電流に調整するのに比較的
長時間を要するので、このモードではイオンビーム引出
し用電源１６は停止させず、かつ質量分離マグネット２
６への電流は変えずにおいて、装置の立ち上がりを速く
するためである。
電源１６および質量分離マグネット電源２８の出力を停
止しないのは、質量分離マグネット２６で所望のイオン
種を質量分離するのに必要な電流に調整するのに比較的
長時間を要するので、このモードではイオンビーム引出
し用電源１６は停止させず、かつ質量分離マグネット２
６への電流は変えずにおいて、装置の立ち上がりを速く
するためである。
【００４２】加速電源３２の出力を停止しないのは、原
料ガス６の流量およびプラズマ生成用電源１４の出力
を、イオン源２においてプラズマ生成を維持することの
できる程度に小さく絞れば、イオン源２からイオンビー
ム４は殆ど引き出されなくなり、そのような状態では加
速電源３２に負荷は殆どかからないので、敢えてその出
力を停止させる必要がないからである。但し、加速電源
３２の出力を停止させるようにしても良い。
料ガス６の流量およびプラズマ生成用電源１４の出力
を、イオン源２においてプラズマ生成を維持することの
できる程度に小さく絞れば、イオン源２からイオンビー
ム４は殆ど引き出されなくなり、そのような状態では加
速電源３２に負荷は殆どかからないので、敢えてその出
力を停止させる必要がないからである。但し、加速電源
３２の出力を停止させるようにしても良い。
【００４３】このマグネットオフモードは、トワイライ
トモードとシャットダウンモードとの中間のモードであ
り、ＣＯＯの低減量と装置の立ち上がり速度は、共に両
モードの中間となる。
トモードとシャットダウンモードとの中間のモードであ
り、ＣＯＯの低減量と装置の立ち上がり速度は、共に両
モードの中間となる。
【００４４】（ｃ）シャットダウンモード
このモードは、ガス供給装置１２からの原料ガス６の供
給を停止し、かつプラズマ生成用電源１４、イオンビー
ム引出し用電源１６、質量分離マグネット電源２８、加
速電源３２、エネルギー分離マグネット電源３６、走査
マグネット電源４０およびビーム平行化マグネット電源
４４の全ての電源の出力を停止するモードである。
給を停止し、かつプラズマ生成用電源１４、イオンビー
ム引出し用電源１６、質量分離マグネット電源２８、加
速電源３２、エネルギー分離マグネット電源３６、走査
マグネット電源４０およびビーム平行化マグネット電源
４４の全ての電源の出力を停止するモードである。
【００４５】このシャットダウンモードは、原料ガス供
給および主要な電源の殆ど全てを停止させるので、三つ
のモードの内で注入処理再開時の装置の立ち上がりは一
番遅いけれども、殆ど全ての機器を停止させるので原料
ガス消費、電力消費等を含めたＣＯＯの低減量は一番大
きい。
給および主要な電源の殆ど全てを停止させるので、三つ
のモードの内で注入処理再開時の装置の立ち上がりは一
番遅いけれども、殆ど全ての機器を停止させるので原料
ガス消費、電力消費等を含めたＣＯＯの低減量は一番大
きい。
【００４６】なお、上記（ａ）〜（ｃ）の各モードから
の復帰は、基板４８に対してイオン注入を再開するとき
に（例えば注入再開直前に）、例えば制御装置５８によ
る自動制御によって、または手動操作等によって行われ
る。
の復帰は、基板４８に対してイオン注入を再開するとき
に（例えば注入再開直前に）、例えば制御装置５８によ
る自動制御によって、または手動操作等によって行われ
る。
【００４７】（２）真空ポンプ運転に関するモード
上記制御装置５８は、この例では更に、真空ポンプ運転
に関するモードとして、次の（ｄ）および（ｅ）に示す
運転モードを実行する機能を有している。
に関するモードとして、次の（ｄ）および（ｅ）に示す
運転モードを実行する機能を有している。
【００４８】（ｄ）粗引きポンプ低速モード
このモードは、（Ａ）ビームライン真空容器１８内が前
述したような所定の高真空状態にあり、かつ、（Ｂ）ガ
ス供給装置１２からイオン源２に原料ガス６を供給して
いない状態のときに、粗引きポンプ２２の回転数を定常
回転数よりも下げて運転する制御を行うモードである。
これは、上記（Ａ）および（Ｂ）の条件のときは、粗引
きポンプ２２を敢えて定常回転数で運転する必要はない
からである。
述したような所定の高真空状態にあり、かつ、（Ｂ）ガ
ス供給装置１２からイオン源２に原料ガス６を供給して
いない状態のときに、粗引きポンプ２２の回転数を定常
回転数よりも下げて運転する制御を行うモードである。
これは、上記（Ａ）および（Ｂ）の条件のときは、粗引
きポンプ２２を敢えて定常回転数で運転する必要はない
からである。
【００４９】このとき、粗引きポンプ２２が、化学装置
用のドライポンプのように、運転中に希釈用の窒素ガス
を導入するタイプのポンプであるときは、その窒素ガス
の導入を停止しても良く、この実施例では停止させる。
このときは、イオン源２には原料ガス６が導入されない
ので、原料ガス６の排気を考慮する必要がないからであ
る。
用のドライポンプのように、運転中に希釈用の窒素ガス
を導入するタイプのポンプであるときは、その窒素ガス
の導入を停止しても良く、この実施例では停止させる。
このときは、イオン源２には原料ガス６が導入されない
ので、原料ガス６の排気を考慮する必要がないからであ
る。
【００５０】このモードからの復帰は、例えば、上記
（Ａ）および（Ｂ）の条件の内のいずれか一方が成立し
なくなったときに、自動的に行われる。
（Ａ）および（Ｂ）の条件の内のいずれか一方が成立し
なくなったときに、自動的に行われる。
【００５１】この運転モードを採用することによって、
粗引きポンプ２２の運転用の電力消費を主体とするＣＯ
Ｏの低減を図ることができる。上記希釈用窒素ガス導入
を停止する場合は、窒素ガス使用量の低減も可能にな
る。しかも、粗引きポンプ２２は停止させる訳ではない
ので、必要時の復帰は速い。
粗引きポンプ２２の運転用の電力消費を主体とするＣＯ
Ｏの低減を図ることができる。上記希釈用窒素ガス導入
を停止する場合は、窒素ガス使用量の低減も可能にな
る。しかも、粗引きポンプ２２は停止させる訳ではない
ので、必要時の復帰は速い。
【００５２】（ｅ）真空予備室ポンプ低速モード
このモードは、真空予備室５４内が前述したような所定
の真空度に達している状態のときに、オペレータ等によ
る外部からの指令に応答して、真空予備室ポンプ５６の
回転数を定常回転数よりも下げて運転する制御を行うモ
ードである。これは、真空予備室５４を閉じたままで基
板４８を通過させない期間が長く続くときは、真空予備
室ポンプ５６を敢えて定常回転数で運転する必要はない
からである。
の真空度に達している状態のときに、オペレータ等によ
る外部からの指令に応答して、真空予備室ポンプ５６の
回転数を定常回転数よりも下げて運転する制御を行うモ
ードである。これは、真空予備室５４を閉じたままで基
板４８を通過させない期間が長く続くときは、真空予備
室ポンプ５６を敢えて定常回転数で運転する必要はない
からである。
【００５３】このモードからの復帰は、例えば、注入室
４６と真空予備室５４との間の前述した真空バルブ（図
示省略）を開ける直前に自動的に行う。より具体的に
は、注入室４６内において基板４８に所定のドーズ量の
イオン注入を行うときに基板４８をＹ方向に複数回走査
する場合、規定回数の走査動作が終了する直前（例えば
２回走査前）に真空予備室ポンプ５６を定常回転数に復
帰させる。２回走査前に復帰させるのは、若干の時間的
な余裕を持たせて復帰させるためである。
４６と真空予備室５４との間の前述した真空バルブ（図
示省略）を開ける直前に自動的に行う。より具体的に
は、注入室４６内において基板４８に所定のドーズ量の
イオン注入を行うときに基板４８をＹ方向に複数回走査
する場合、規定回数の走査動作が終了する直前（例えば
２回走査前）に真空予備室ポンプ５６を定常回転数に復
帰させる。２回走査前に復帰させるのは、若干の時間的
な余裕を持たせて復帰させるためである。
【００５４】この運転モードを採用することによって、
真空予備室ポンプ５６の運転用の電力消費を主体とする
ＣＯＯの低減を図ることができる。しかも、真空予備室
ポンプ５６は停止させる訳ではないので、必要時の復帰
は速い。
真空予備室ポンプ５６の運転用の電力消費を主体とする
ＣＯＯの低減を図ることができる。しかも、真空予備室
ポンプ５６は停止させる訳ではないので、必要時の復帰
は速い。
【００５５】このイオン注入装置では、制御装置５８に
よって、上記（ｄ）および（ｅ）の両方のモードの運転
を選択して両モードを実行することができるようにして
いるけれども、少なくとも一方のモードの運転を実行可
能にするだけでも良く、それでもＣＯＯ低減が可能であ
ることは上記説明から明らかである。
よって、上記（ｄ）および（ｅ）の両方のモードの運転
を選択して両モードを実行することができるようにして
いるけれども、少なくとも一方のモードの運転を実行可
能にするだけでも良く、それでもＣＯＯ低減が可能であ
ることは上記説明から明らかである。
【００５６】（３）熱排気に関するモード
上記制御装置５８は、この例では更に、熱排気に関する
モードを実行する機能を有している。このモードは、排
気弁６２を、（Ａ）ビームライン真空容器１８内が前述
したような所定の高真空状態では半開にし、（Ｂ）イオ
ンビーム４を発生させて注入室４６に導入している状態
では全開にする制御を行うモードである。（Ｂ）の状態
の判断は、例えば、エネルギー分離マグネット３４、走
査マグネット３８およびビーム平行化マグネット４２の
マグネット電流値がいずれも規定値以上であるアンド条
件で行う。
モードを実行する機能を有している。このモードは、排
気弁６２を、（Ａ）ビームライン真空容器１８内が前述
したような所定の高真空状態では半開にし、（Ｂ）イオ
ンビーム４を発生させて注入室４６に導入している状態
では全開にする制御を行うモードである。（Ｂ）の状態
の判断は、例えば、エネルギー分離マグネット３４、走
査マグネット３８およびビーム平行化マグネット４２の
マグネット電流値がいずれも規定値以上であるアンド条
件で行う。
【００５７】上記（Ａ）の状態でのキャビネット６０内
での発熱量は少なく、上記（Ｂ）の状態での発熱量は最
大近くになる。従って、排気弁６２を上記のように制御
し、その情報を排気ダクト６４の先に設けられている排
気ファン（図示省略）の回転数制御に利用することによ
って、排気ファンの回転数を、イオン注入装置の運転状
況に応じて下げて運転することができる。その結果、排
気ファン運転用の電力消費を主体とするＣＯＯを低減す
ることができる。
での発熱量は少なく、上記（Ｂ）の状態での発熱量は最
大近くになる。従って、排気弁６２を上記のように制御
し、その情報を排気ダクト６４の先に設けられている排
気ファン（図示省略）の回転数制御に利用することによ
って、排気ファンの回転数を、イオン注入装置の運転状
況に応じて下げて運転することができる。その結果、排
気ファン運転用の電力消費を主体とするＣＯＯを低減す
ることができる。
【００５８】上記（１）のビーム発生に関するモード、
（２）の真空ポンプ運転に関するモード、（３）の熱排
気に関するモードをそれぞれ実行するか否か、更には
（１）のビーム発生に関するモードの内の上記（ａ）〜
（ｃ）の三つのモードの内のどれを選択するか、あるい
は（２）の真空ポンプ運転に関するモードの内の上記
（ｄ）および（ｅ）のモードの一方を実行するのか両方
を実行するのか、等のモードの選択ないし切り換えは、
例えば、（イ）制御装置５８に対するホスト（上位）制
御装置からの指令、（ロ）制御装置（より具体的にはそ
のディスプレイ）上でのオペレータによる指令、（ハ）
制御装置５８（より具体的にはそのディスプレイ）上で
のオペレータによって設定されたタイマーの時間経過に
よる指令、の内の一つまたは複数併用によって行うこと
ができる。
（２）の真空ポンプ運転に関するモード、（３）の熱排
気に関するモードをそれぞれ実行するか否か、更には
（１）のビーム発生に関するモードの内の上記（ａ）〜
（ｃ）の三つのモードの内のどれを選択するか、あるい
は（２）の真空ポンプ運転に関するモードの内の上記
（ｄ）および（ｅ）のモードの一方を実行するのか両方
を実行するのか、等のモードの選択ないし切り換えは、
例えば、（イ）制御装置５８に対するホスト（上位）制
御装置からの指令、（ロ）制御装置（より具体的にはそ
のディスプレイ）上でのオペレータによる指令、（ハ）
制御装置５８（より具体的にはそのディスプレイ）上で
のオペレータによって設定されたタイマーの時間経過に
よる指令、の内の一つまたは複数併用によって行うこと
ができる。
【００５９】上記（１）のビーム発生に関するモード、
（２）の真空ポンプ運転に関するモード、（３）の熱排
気に関するモードの各運転モードは、それぞれ個別に単
独で実行しても良いし、任意の組み合わせで実行しても
良いし、全てを実行しても良い。この実施例の制御装置
５８では、これらのいずれの実行形態をも採り得るよう
にしている。多く実行するほど、ＣＯＯの低減効果は大
きくなる。
（２）の真空ポンプ運転に関するモード、（３）の熱排
気に関するモードの各運転モードは、それぞれ個別に単
独で実行しても良いし、任意の組み合わせで実行しても
良いし、全てを実行しても良い。この実施例の制御装置
５８では、これらのいずれの実行形態をも採り得るよう
にしている。多く実行するほど、ＣＯＯの低減効果は大
きくなる。
【００６０】また、上記（１）のビーム発生に関するモ
ードの内の（ａ）トワイライトモード、（ｂ）マグネッ
トオフモードおよび（ｃ）シャットダウンモードは、上
記指令等に応じて当該（ａ）〜（ｃ）の内の所望のモー
ドにいきなり入るようにしても良いし、例えばタイマー
の時間経過に応じて（ａ）のモード→（ｂ）のモード→
（ｃ）のモードへと順に入るようにしても良い。
ードの内の（ａ）トワイライトモード、（ｂ）マグネッ
トオフモードおよび（ｃ）シャットダウンモードは、上
記指令等に応じて当該（ａ）〜（ｃ）の内の所望のモー
ドにいきなり入るようにしても良いし、例えばタイマー
の時間経過に応じて（ａ）のモード→（ｂ）のモード→
（ｃ）のモードへと順に入るようにしても良い。
【００６１】なお、図２に示したイオン源２、それ用の
電源１４および１６の構成、更には図１に示したイオン
注入装置全体の構成は、あくまでも一例であり、上に説
明した以外のものでも良い。
電源１４および１６の構成、更には図１に示したイオン
注入装置全体の構成は、あくまでも一例であり、上に説
明した以外のものでも良い。
【００６２】
【発明の効果】この発明は、上記のとおり構成されてい
るので、次のような効果を奏する。
るので、次のような効果を奏する。
【００６３】請求項１記載の発明によれば、基板に対し
てイオン注入を行っていない期間中の当該イオン注入装
置の運転状態を、ユーザの要求等に応じて、上記（ａ）
トワイライトモード、（ｂ）マグネットオフモードおよ
び（ｃ）シャットダウンモードの内から選択される任意
のモードの状態に制御することができるので、ＣＯＯの
低減を図ることができ、しかも注入処理再開時の装置の
立ち上がりを速くすることができる。
てイオン注入を行っていない期間中の当該イオン注入装
置の運転状態を、ユーザの要求等に応じて、上記（ａ）
トワイライトモード、（ｂ）マグネットオフモードおよ
び（ｃ）シャットダウンモードの内から選択される任意
のモードの状態に制御することができるので、ＣＯＯの
低減を図ることができ、しかも注入処理再開時の装置の
立ち上がりを速くすることができる。
【００６４】請求項２記載の発明によれば、上記粗引き
ポンプおよび真空予備室ポンプの少なくとも一方の回転
数を定常回転数よりも下げて運転することができるの
で、当該真空ポンプ運転用の電力消費を主体とするＣＯ
Ｏの低減を図ることができる。しかも、上記真空ポンプ
は停止させる訳ではないので、必要時の復帰は速い。従
って、注入処理再開時の装置の立ち上がりを速くするこ
とができる。
ポンプおよび真空予備室ポンプの少なくとも一方の回転
数を定常回転数よりも下げて運転することができるの
で、当該真空ポンプ運転用の電力消費を主体とするＣＯ
Ｏの低減を図ることができる。しかも、上記真空ポンプ
は停止させる訳ではないので、必要時の復帰は速い。従
って、注入処理再開時の装置の立ち上がりを速くするこ
とができる。
【図１】この発明に係るイオン注入装置の一例を示す平
面図である。
面図である。
【図２】図１中のイオン源およびそれ用の電源の詳細例
を示す図である。
を示す図である。
２ イオン源
４ イオンビーム
６ 原料ガス
１２ ガス供給装置
１４ プラズマ生成用電源
１６ イオンビーム引出し用電源
１８ ビームライン真空容器
２０ 主ポンプ
２２ 粗引きポンプ
２６ 質量分離マグネット
２８ 質量分離マグネット電源
３０ 加速管
３２ 加速電源
３４ エネルギー分離マグネット
３６ エネルギー分離マグネット電源
３８ 走査マグネット
４０ 走査マグネット電源
４２ ビーム平行化マグネット
４４ ビーム平行化マグネット電源
４６ 注入室
４８ 基板
５２ 走査機構
５４ 真空予備室
５６ 真空予備室ポンプ
５８ 制御装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 中尾 和浩
京都府京都市南区久世殿城町575番地 日
新イオン機器株式会社内
(72)発明者 中村 光則
京都府京都市南区久世殿城町575番地 日
新イオン機器株式会社内
Ｆターム(参考） 4K029 DA02 DE02 EA03 EA09
5C034 CD01
Claims (2)
- 【請求項１】 原料ガスを電離させてプラズマを生成し
て当該プラズマからイオンビームを引き出すイオン源
と、このイオン源に前記原料ガスを供給するガス供給装
置と、前記イオン源にプラズマ生成用の電力を供給する
プラズマ生成用電源と、前記イオン源にイオンビーム引
き出し用の電圧を印加するイオンビーム引出し用電源
と、前記イオン源から引き出されたイオンビームから特
定の質量数および価数のイオンを選別して導出する質量
分離マグネットと、この質量分離マグネットに質量分離
用の電力を供給する質量分離マグネット電源と、前記質
量分離マグネットから導出されたイオンビームを加速ま
たは減速する加速管と、この加速管に加速または減速用
の電圧を印加する加速電源と、前記加速管から導出され
たイオンビームから特定のエネルギーのイオンを選別し
て導出するエネルギー分離マグネットと、このエネルギ
ー分離マグネットにエネルギー分離用の電力を供給する
エネルギー分離マグネット電源と、前記エネルギー分離
マグネットから導出されたイオンビームを走査する走査
マグネットと、この走査マグネットに走査用の電力を供
給する走査マグネット電源と、前記走査マグネットから
導出されたイオンビームを基準軸に対して平行になるよ
うに曲げるビーム平行化マグネットと、このビーム平行
化マグネットにビーム平行化用の電力を供給するビーム
平行化マグネット電源と、前記ビーム平行化マグネット
から導出されたイオンビームを基板に照射して当該基板
にイオン注入を行う注入室とを備えるイオン注入装置に
おいて、 前記基板に対してイオン注入を行っていない期間中の当
該イオン注入装置の運転状態を、（ａ）前記イオン源に
前記ガス供給装置から供給する原料ガス流量および前記
プラズマ生成用電源から供給する電力を、前記基板にイ
オン注入を行うときの値より小さくしかも前記イオン源
においてプラズマ生成を維持することのできる値に減少
させるトワイライトモードと、（ｂ）前記イオン源に前
記ガス供給装置から供給する原料ガス流量および前記プ
ラズマ生成用電源から供給する電力を、前記基板にイオ
ン注入を行うときの値より小さくしかも前記イオン源に
おいてプラズマ生成を維持することのできる値に減少さ
せ、かつ前記エネルギー分離マグネット電源、前記走査
マグネット電源および前記ビーム平行化マグネット電源
の出力を停止するマグネットオフモードと、（ｃ）前記
ガス供給装置からの原料ガスの供給を停止し、かつ前記
全ての電源の出力を停止するシャットダウンモードとの
内から選択される任意のモードの状態に制御する制御装
置を備えていることを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】 原料ガスを電離させてプラズマを生成し
て当該プラズマからイオンビームを引き出すイオン源
と、このイオン源に前記原料ガスを供給するガス供給装
置と、前記イオン源に接続されていて中をイオンビーム
が通るビームライン真空容器内を真空排気する主ポンプ
および粗引きポンプと、前記イオン源から引き出された
イオンビームから特定の質量数および価数のイオンを選
別して導出する質量分離マグネットと、この質量分離マ
グネットから導出されたイオンビームを基板に照射して
当該基板にイオン注入を行う注入室と、この注入室とそ
の外の大気中との間で基板を出し入れするための真空予
備室と、この真空予備室内を真空排気する真空予備室ポ
ンプとを備えるイオン注入装置において、 （ａ）前記ビームライン真空容器内が所定の高真空状態
にあり、かつ前記ガス供給装置からイオン源に原料ガス
を供給していない状態のときに、前記粗引きポンプの回
転数を定常回転数よりも下げて運転する制御を行う粗引
きポンプ低速モードと、（ｂ）前記真空予備室内が所定
の真空度に達している状態のときに、外部からの指令に
応答して、前記真空予備室ポンプの回転数を定常回転数
よりも下げて運転する制御を行う真空予備室ポンプ低速
モードとの少なくとも一方を行う制御装置を備えている
ことを特徴とするイオン注入装置。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009119655A1 (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | 株式会社フェローテック | プラズマ生成装置及びプラズマ処理装置 |
| JP2012219810A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | クライオポンプ及び真空排気方法 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7318856B2 (en) | 1998-11-05 | 2008-01-15 | Sharper Image Corporation | Air treatment apparatus having an electrode extending along an axis which is substantially perpendicular to an air flow path |
| US6176977B1 (en) | 1998-11-05 | 2001-01-23 | Sharper Image Corporation | Electro-kinetic air transporter-conditioner |
| US6544485B1 (en) | 2001-01-29 | 2003-04-08 | Sharper Image Corporation | Electro-kinetic device with enhanced anti-microorganism capability |
| US7695690B2 (en) | 1998-11-05 | 2010-04-13 | Tessera, Inc. | Air treatment apparatus having multiple downstream electrodes |
| US20050210902A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-09-29 | Sharper Image Corporation | Electro-kinetic air transporter and/or conditioner devices with features for cleaning emitter electrodes |
| US20030206837A1 (en) | 1998-11-05 | 2003-11-06 | Taylor Charles E. | Electro-kinetic air transporter and conditioner device with enhanced maintenance features and enhanced anti-microorganism capability |
| US7220295B2 (en) | 2003-05-14 | 2007-05-22 | Sharper Image Corporation | Electrode self-cleaning mechanisms with anti-arc guard for electro-kinetic air transporter-conditioner devices |
| US7405672B2 (en) | 2003-04-09 | 2008-07-29 | Sharper Image Corp. | Air treatment device having a sensor |
| US7724492B2 (en) | 2003-09-05 | 2010-05-25 | Tessera, Inc. | Emitter electrode having a strip shape |
| US7906080B1 (en) | 2003-09-05 | 2011-03-15 | Sharper Image Acquisition Llc | Air treatment apparatus having a liquid holder and a bipolar ionization device |
| US20050051420A1 (en) | 2003-09-05 | 2005-03-10 | Sharper Image Corporation | Electro-kinetic air transporter and conditioner devices with insulated driver electrodes |
| US7077890B2 (en) | 2003-09-05 | 2006-07-18 | Sharper Image Corporation | Electrostatic precipitators with insulated driver electrodes |
| US7517503B2 (en) | 2004-03-02 | 2009-04-14 | Sharper Image Acquisition Llc | Electro-kinetic air transporter and conditioner devices including pin-ring electrode configurations with driver electrode |
| US7767169B2 (en) | 2003-12-11 | 2010-08-03 | Sharper Image Acquisition Llc | Electro-kinetic air transporter-conditioner system and method to oxidize volatile organic compounds |
| US7638104B2 (en) | 2004-03-02 | 2009-12-29 | Sharper Image Acquisition Llc | Air conditioner device including pin-ring electrode configurations with driver electrode |
| US7078710B2 (en) * | 2004-06-15 | 2006-07-18 | International Business Machines Corporation | Ion beam system |
| US7285155B2 (en) | 2004-07-23 | 2007-10-23 | Taylor Charles E | Air conditioner device with enhanced ion output production features |
| US20060016333A1 (en) | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Sharper Image Corporation | Air conditioner device with removable driver electrodes |
| US7311762B2 (en) | 2004-07-23 | 2007-12-25 | Sharper Image Corporation | Air conditioner device with a removable driver electrode |
| JP4452848B2 (ja) * | 2004-12-13 | 2010-04-21 | 独立行政法人放射線医学総合研究所 | 荷電粒子線照射装置および回転ガントリ |
| US7833322B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-11-16 | Sharper Image Acquisition Llc | Air treatment apparatus having a voltage control device responsive to current sensing |
| JP4240109B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2009-03-18 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置 |
| US7655928B2 (en) * | 2007-03-29 | 2010-02-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion acceleration column connection mechanism with integrated shielding electrode and related methods |
| JP5289721B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2013-09-11 | 株式会社Ｓｅｎ | イオン注入装置 |
| JP5242937B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2013-07-24 | 株式会社Ｓｅｎ | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
| SG174927A1 (en) | 2009-04-13 | 2011-12-29 | Applied Materials Inc | Modification of magnetic properties of films using ion and neutral beam implantation |
| TW201133537A (en) * | 2010-03-16 | 2011-10-01 | Kingstone Semiconductor Co Ltd | Ion injection apparatus and method |
| CN102637572A (zh) * | 2011-02-15 | 2012-08-15 | 上海凯世通半导体有限公司 | 离子注入设备 |
| CN103187231A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种离子注入机自动建立束线与靶室高真空的方法 |
| CN104593744A (zh) * | 2013-11-01 | 2015-05-06 | 韦学运 | 一种等离子体处理盾构刀具的自动化设备 |
| CN104051211A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-09-17 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种高温高能离子注入机离子光学系统 |
| CN105551922B (zh) * | 2015-12-11 | 2018-07-24 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种SiC高温高能铝离子注入机 |
| JP6816260B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2021-01-20 | 株式会社Ｆｕｊｉ | プラズマ発生装置 |
| CN110418489B (zh) * | 2019-07-17 | 2021-11-23 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种离子源束流稳定性控制系统及方法 |
| WO2024037843A2 (de) * | 2022-08-16 | 2024-02-22 | Ph-Instruments GmbH | Ionenquelle |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266755A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-11-02 | Nec Corp | イオン注入装置 |
| JPH0257551U (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-25 | ||
| JPH05231381A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-07 | Hitachi Ltd | ドライ真空ポンプの真空排気容量制御方法とその装置並びにドライ真空ポンプおよび半導体製造用真空処理装置 |
| JPH07105901A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-04-21 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
| JPH08115701A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置における注入条件異常検出方法 |
| JP2000184585A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電源制御システム |
| JP2001216930A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置およびその運転方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4016421A (en) * | 1975-02-13 | 1977-04-05 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Analytical apparatus with variable energy ion beam source |
| JPH0451516A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-20 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入方法 |
| JP3355869B2 (ja) * | 1995-04-28 | 2002-12-09 | 日新電機株式会社 | イオン源制御装置 |
| KR100532364B1 (ko) * | 1998-09-08 | 2006-02-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 이온주입기의 가속에너지 실시간 감시장치 |
| KR100567051B1 (ko) * | 1999-11-26 | 2006-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압검출을 이용한 이온주입장치 |
-
2001
- 2001-12-10 JP JP2001375806A patent/JP3900917B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266755A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-11-02 | Nec Corp | イオン注入装置 |
| JPH0257551U (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-25 | ||
| JPH05231381A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-07 | Hitachi Ltd | ドライ真空ポンプの真空排気容量制御方法とその装置並びにドライ真空ポンプおよび半導体製造用真空処理装置 |
| JPH07105901A (ja) * | 1993-10-08 | 1995-04-21 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
| JPH08115701A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置における注入条件異常検出方法 |
| JP2000184585A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電源制御システム |
| JP2001216930A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置およびその運転方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009119655A1 (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | 株式会社フェローテック | プラズマ生成装置及びプラズマ処理装置 |
| US8562800B2 (en) | 2008-03-27 | 2013-10-22 | Ferrotec Corporation | Plasma generating apparatus and plasma processing apparatus |
| JP2012219810A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | クライオポンプ及び真空排気方法 |
| US8875523B2 (en) | 2011-04-14 | 2014-11-04 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Cryopump and evacuation method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1225004C (zh) | 2005-10-26 |
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