JP2003188332A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造コストの低減化を図る。 【解決手段】 タブ１ｂとこのタブ１ｂから外側に延在
する吊りリード１ｅと複数のリードとを有しており、か
つタブ下げ加工が施されたリードフレーム１を準備し、
リードフレーム１のタブ１ｂに半導体チップ２を搭載し
た後、半導体チップ２の表面電極とこれに対応する前記
リードとをワイヤによって接続し、その後、タブ１ｂの
裏面１ｄおよび前記リードの一部が封止部の裏面に露出
するように半導体チップ２を樹脂封止することにより、
タブ１ｂを下金型７に密着させた状態で樹脂モールディ
ングを行えるため、タブ１ｂを前記封止部の裏面に確実
に露出できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特に、ペリフェラル形の半導体装置の低コスト化
に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】小形化を図った樹脂封止形の半導体装置と
して、ＣＳＰ（Chip Scale Package) あるいはＱＦＮ
（Quad Flat Non-leaded Package) と呼ばれるチップサ
イズまたは半導体チップより若干大きい程度の小形半導
体パッケージが開発されている。

【０００４】ＱＦＮでは、封止部の裏面（実装側の面）
の周縁部に複数のリードがその被接続面を露出して配置
されており、このような構造の半導体パッケージは、ペ
リフェラル形と呼ばれている。

【０００５】さらに、ＱＦＮには、半導体チップを支持
するタブが封止部の裏面に露出する構造（以降、これを
タブ露出構造という）のものと、封止部内に埋め込まれ
て露出しない構造（以降、これをタブ埋め込み構造とい
う）のものとがある。

【０００６】そのうち、タブ露出構造のＱＦＮでは、そ
の組み立てにおけるタブの露出方法として、一般的に次
の２種類の方法が知られている。

【０００７】１つめの方法は、予めリードフレームの裏
面に接着テープを貼り付けておき、この状態で、ダイボ
ンディング、ワイヤボンディング、樹脂封止を行い、樹
脂モールド後、接着テープを剥がしてタブを露出させる
方法である。

【０００８】２つめの方法は、ラミネートモールディン
グと呼ばれる樹脂モールド方法であり、モールド金型内
でリードフレームの表裏面にフィルム状テープを配置し
てリードフレームをテープに食い込ませてモールディン
グを行い、これによってタブを露出させる方法である。

【０００９】なお、タブ露出構造の半導体装置について
は、例えば、特開平８−８３８７０号公報に、その構造
が記載されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記したタ
ブ露出構造の半導体装置の組み立てでは、接着テープあ
るいはフィルム状テープを用いているため、半導体装置
の製造単価が高くなることが問題である。

【００１１】本発明の目的は、製造コストの低減化を図
る半導体装置およびその製造方法を提供することにあ
る。

【００１２】また、本発明のその他の目的は、パッケー
ジ高さを変えずに半導体チップの厚さを厚くできる半導
体装置およびその製造方法を提供することにある。

【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１５】すなわち、本発明は、半導体チップが樹脂
封止する封止部と、半導体チップを支持し、前記封止部
の実装側の面に露出するタブと、前記タブと一体で前記
タブから外側に向かって延在する吊りリードと、前記封
止部の実装側の面の周縁部に一部が露出する複数のリー
ドと、前記半導体チップの表面電極と前記リードとを接
続するワイヤとを有し、前記吊りリードの実装側の面と
反対側の面に前記封止部とかみ合う凹部が形成されてい
るものである。

【００１６】また、本発明は、タブと前記タブから外側
に延在する吊りリードと複数のリードとを有し、かつ前
記タブが前記吊りリードよりその実装側の面方向に配置
されたリードフレームを準備する工程と、前記タブに前
記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの
表面電極と前記リードとをワイヤによって接続する工程
と、前記タブのチップ支持面と反対側の面および前記リ
ードの一部が封止部の実装側の面に露出するようにして
前記半導体チップを樹脂封止する工程と、前記リードを
前記リードフレームから分離する工程とを有するもので
ある。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

【００１８】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１の半導体装置（ＱＦＮ）の構造の一例を封止部を透
過して示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿って切断
した断面の構造を示す断面図、図３は図１に示すＱＦＮ
の構造を封止部を透過して示す底面図、図４は図１に示
すＱＦＮの組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロ
ー図、図５は図１に示すＱＦＮの組み立てに用いられる
リードフレームの構造の一例を示す側面図、図６、図７
および図８は図１に示すＱＦＮの組み立てのそれぞれダ
イボンディング後、樹脂モールディング時および樹脂モ
ールディング後の構造の一例を示す側面図、部分断面図
および断面図、図９は変形例のＱＦＮの組み立てに用い
られるリードフレームの構造の一例を示す側面図、図１
０、図１１および図１２は変形例のＱＦＮの組み立ての
それぞれダイボンディング後、樹脂モールディング時、
樹脂モールディング後の構造の一例を示す側面図、部分
断面図および断面図、図１２は変形例のＱＦＮの組み立
てにおける樹脂モールディング後の構造の一例を示す断
面図、図１３は変形例のリードフレームの構造を示す側
面図、図１４は変形例のリードフレームの構造を示す側
面図である。

【００１９】本実施の形態１の半導体装置は、樹脂封止
形で、かつ面実装形の小形半導体パッケージであり、こ
こでは、前記半導体装置の一例として、ＱＦＮ５を取り
上げて説明する。

【００２０】なお、ＱＦＮ５は、図３に示すように、複
数の外部端子であるリード１ａの被接続面（一部）１ｇ
が、樹脂モールディングによって形成された封止部３の
実装側の面（以降、裏面３ａという）の周縁部に並んで
露出して配置されたペリフェラル形の半導体パッケージ
であり、各リード１ａは、封止部３に埋め込まれたイン
ナリードと、封止部３の裏面３ａに露出するアウタリー
ドとの両者の機能を兼ねている。

【００２１】さらに、半導体チップ２が搭載されるタブ
１ｂが封止部３の裏面３ａに露出したタブ露出構造のも
のである。

【００２２】図１〜図３を用いて、ＱＦＮ５の詳細構成
について説明すると、半導体チップ２を支持する薄板状
のタブ１ｂと、半導体チップ２が樹脂封止されて形成さ
れた封止部３と、タブ１ｂと一体でこれを支持してタブ
１ｂから外側に向かって真っ直ぐに延在する吊りリード
１ｅと、封止部３の裏面３ａの周縁部に被接続面１ｇが
露出して配置された複数の外部端子であるリード１ａ
と、半導体チップ２のパッド（表面電極）２ａとこれに
対応するリード１ａとを接続するボンディング用のワイ
ヤ４とからなるものである。

【００２３】なお、半導体チップ２を支持するタブ１ｂ
は、そのチップ支持面１ｃが半導体チップ２の主面２ｂ
より大きく、したがって、本実施の形態１のＱＦＮ５
は、大タブ型のものであるが、タブ１ｂの大きさや平面
形状は、特に限定されるものではない。

【００２４】さらに、タブ１ｂは、その４つの角部にお
いて吊りリード１ｅによって支持されているが、吊りリ
ード１ｅの本数やその支持箇所などは特に限定されるも
のではない。

【００２５】なお、リード１ａ、吊りリード１ｅおよび
タブ１ｂは、例えば、銅などの金属材からなり、その厚
さは、例えば、0.２ｍｍ程度である。

【００２６】また、半導体チップ２は、図２に示すよう
に、タブ１ｂのチップ支持面１ｃに銀ペーストなどのダ
イボンド材によって固着されている。

【００２７】また、半導体チップ２のパッド２ａとこれ
に対応するリード１ａとを接続するボンディング用のワ
イヤ４は、例えば、金線などである。

【００２８】さらに、封止部３は、モールディング方法
による樹脂封止によって形成され、その際用いられる封
止用樹脂（モールディング用樹脂）は、例えば、熱硬化
性のエポキシ樹脂などである。

【００２９】また、封止部３の裏面３ａの周縁部に露出
する各リード１ａの被接続面１ｇには、実装基板などへ
の実装時の半田接続用の半田メッキが形成されている
が、前記半田メッキの代わりとして、パラジウム（Ｐ
ｄ）メッキなどを形成してもよい。

【００３０】次に、本実施の形態１のＱＦＮ５の製造方
法を図４に示す製造プロセスフロー図にしたがって説明
する。

【００３１】まず、半導体チップ２を搭載可能な薄板状
のタブ１ｂと、タブ１ｂと一体でこれを支持するととも
にタブ１ｂから外側に向かって真っ直ぐに延在する吊り
リード１ｅと、タブ１ｂの周囲に配置された複数のリー
ド１ａとを有する図５に示すリードフレーム１を準備す
る（ステップＳ１）。

【００３２】なお、リードフレーム１では、図６に示す
ように、タブ１ｂが吊りリード１ｅより吊りリード１ｅ
の実装側の面方向に配置されている。すなわち、タブ下
げ加工が施されたリードフレーム１である。その際のタ
ブ下げ量（Ｔ）は、リードフレーム１の板厚（例えば、
0.２ｍｍ）程度か、またはそれより僅かに少ない程度
で、組成変形可能な程度の曲げ量である。

【００３３】このタブ下げ加工は、樹脂モールディング
後に、図３に示すように、封止部３の裏面３ａに確実に
タブ１ｂの裏面１ｄを露出させるための加工である。

【００３４】一方、図２に示す主面２ｂに半導体集積回
路が形成された半導体チップ２を準備した後、半導体チ
ップ２を供給し、図６に示すように、リードフレーム１
のタブ１ｂに半導体チップ２を搭載するステップＳ２に
示すダイボンディングを行う。

【００３５】ここでは、リードフレーム１のタブ１ｂの
チップ支持面１ｃと半導体チップ２の裏面２ｃとを接合
する。すなわち、リードフレーム１のタブ１ｂのチップ
支持面１ｃにダイボンド材（例えば、銀ペーストなど）
を介して主面２ｂを上方に向けて半導体チップ２を固定
（搭載）する。

【００３６】続いて、半導体チップ２のパッド２ａとこ
れに対応するリードフレーム１のリード１ａとを金線な
どのワイヤ４によって接続するワイヤボンディングを行
う（ステップＳ３）。

【００３７】その後、ステップＳ４に示すように、モー
ルド（ここでは、トランスファーモールディング）によ
る半導体チップ２の樹脂封止を行う。

【００３８】ここでは、タブ１ｂの裏面１ｄと各リード
１ａの被接続面１ｇとが封止部３の裏面３ａに露出する
ように封止部３を形成する。

【００３９】その際、図７に示すように、モールド用の
上金型６と下金型７とによってタブ下げ加工が施された
リードフレーム１を挟んでクランプし、この状態で上金
型６のキャビティ６ａに封止用樹脂を充填してモールデ
ィングを行う。

【００４０】なお、リードフレーム１においてはタブ下
げ加工が施されているため、上金型６と下金型７による
クランプ中には、タブ１ｂに対してタブ１ｂが下金型７
に押し付けられる方向への応力が働く。

【００４１】したがって、封止用樹脂の充填中、タブ１
ｂは下金型７に確実に密着し、これによって、タブ１ｂ
と下金型７の間に封止用樹脂が入り込むことを確実に防
げる。

【００４２】封止用樹脂のキャビティ６ａへの樹脂充填
の終了後、封止用樹脂を硬化させ、その後、型開きを行
って、リードフレーム１を取り出す。

【００４３】その後、ステップＳ５に示す切断（個片
化）を行う。

【００４４】ここでは、各リード１ａと各吊りリード１
ｅをリードフレーム１から切断分離して各パッケージの
個片化を行う。

【００４５】これにより、ステップＳ６に示すＱＦＮ完
成となる。

【００４６】本実施の形態１では、タブ下げ加工が施さ
れたリードフレーム１を用いてＱＦＮ５を組み立てるこ
とにより、封止部３の裏面３ａにタブ１ｂを確実に露出
させることができる。

【００４７】その際、モールディング工程において、フ
ィルム状テープや接着テープなどのテープ材を用いずに
樹脂モールディングを行うため、テープ材が不要とな
り、ＱＦＮ５の製造コストの低減化を図ることができ
る。

【００４８】なお、ＱＦＮ５の組み立て工程としては、
タブ下げ加工が施されたリードフレーム１を用いるだけ
であり、従来の組み立て方法をそのまま用いて組み立て
を行うことができ、特殊な製造方法を必要とせずに従来
の製造方法で対応することが可能である。

【００４９】したがって、ＱＦＮ５の各部材の寸法など
の変更もないため、材料の安定供給を図ることができ
る。

【００５０】次に、実施の形態１の変形例について説明
する。

【００５１】図９は変形例のリードフレーム１であり、
ＱＦＮ５の組み立てに用いるリードフレーム１におい
て、図１０に示すようにタブ下げ加工が施されていると
ともに、タブ１ｂのチップ支持面１ｃとこれに繋がる吊
りリード１ｅの表面とが吊りリード１ｅの端部１ｈの表
面より凹んで薄く形成されているものである。

【００５２】すなわち、図９および図１０に示すよう
に、吊りリード１ｅの端部１ｈより内側領域からタブ１
ｂのチップ支持面１ｃ全体に亘る領域が吊りリード１ｅ
の端部１ｈより凹んで凹部１ｆとなっており、凹部１ｆ
の厚さが、吊りリード１ｅの端部１ｈの厚さより薄くな
っている。

【００５３】さらに、タブ下げ加工も施されている。

【００５４】なお、吊りリード１ｅの端部１ｈとは、吊
りリード１ｅの端からリード１ａの長さと同等の長さの
領域までを意味しており、吊りリード１ｅにおいてタブ
下げのための曲げ加工を行う箇所は、端部１ｈより内側
の薄くなった領域である。

【００５５】さらに、凹部１ｆの底部の薄くなった箇所
の厚さは、例えば、吊りリード１ｅの端部１ｈの厚さを
0.２ｍｍとすると、その半分程度であり、薄くする加工
方法は、例えば、エッチングであるが、前記エッチング
以外のコイニングなどのプレス加工で薄くしてもよい。

【００５６】なお、前記タブ下げを行うにあたり、吊り
リード１ｅのタブ下げのための曲げ箇所を薄くしておく
ことにより、タブ下げのための組成変形（曲げ加工）を
容易に行える。すなわち、図５に示すリードフレーム１
と図９に示すリードフレーム１とでは、タブ下げのため
の曲げ箇所におけるフレーム厚さが図９に示すリードフ
レーム１の方が薄いため、図９に示すリードフレーム１
の方が容易に組成変形させることができる。

【００５７】したがって、図５に示すリードフレーム１
と図９に示すリードフレーム１とでは、図９に示すリー
ドフレーム１の方がタブ下げ量が少なくて済む（図６と
図１０に示すタブ下げ量において、Ｔ＞Ｓとなる）。

【００５８】これにより、ワイヤボンディング後の図６
と図１０それぞれに示す構造では、図１０に示すリード
フレーム１の方がタブ下げ量が小さい分タブ１ｂの変位
量も小さいため、したがって、ワイヤ４にかかるストレ
スも小さくなり、ワイヤ４の接合部の剥離や断線も生じ
にくい。

【００５９】図９に示すリードフレーム１を準備した
後、図１０に示すようにタブ１ｂに半導体チップ２を搭
載し、さらに、ワイヤボンディングを行った後、図１１
に示すようにモールディング用の上金型６と下金型７と
を用いて樹脂モールディングを行う。

【００６０】その後、樹脂を硬化させ、さらに、リード
切断（個片化）を行って図１２に示すようなＱＦＮ５の
完了となる。

【００６１】なお、図９に示すリードフレーム１は、そ
のチップ搭載側を凹ませて薄くした構造のものである
が、図１３に示す変形例のリードフレーム１のように、
タブ１ｂの裏面１ｄ側を凹ませて薄くしてもよく、ある
いは、図１４に示す変形例のように、チップ搭載側とタ
ブ１ｂの裏面側との両面を凹ませて薄く形成してもよ
い。

【００６２】図９および図１４に示すリードフレーム１
では、タブ１ｂの少なくともチップ搭載側を凹ませてい
るため、図１２に示すように、タブ１ｂを薄くした分、
半導体チップ２の配置高さを低い位置とすることができ
る。

【００６３】これにより、半導体チップ２の厚さを変え
ずにこれを基準として考えると、ＱＦＮ５の高さ（厚
み）を低く（薄く）することができ、一方、ＱＦＮ５の
高さを変えずにこれを基準として考えると、半導体チッ
プ２の高さ（厚み）を高く（厚く）することができる。

【００６４】すなわち、パッケージ高さを変えずに半導
体チップ２の厚さを厚くすることができる。

【００６５】（実施の形態２）図１５は本発明の実施の
形態２の半導体装置（ＱＦＮ）の構造の一例を封止部を
透過して示す平面図、図１６は図１５のＢ−Ｂ線に沿っ
て切断した断面の構造を示す断面図、図１７は図１５に
示すＱＦＮの構造の一例を封止部を透過して示す底面
図、図１８は図１５のＣ−Ｃ線に沿って切断した断面の
構造を示す断面図、図１９および図２０はそれぞれ本発
明の実施の形態２の変形例のＱＦＮの構造を示す断面図
である。

【００６６】図１５〜図１７に示す本実施の形態２のＱ
ＦＮ８は、実施の形態１のＱＦＮ５と同様にタブ露出構
造のものであるが、タブ下げ加工は無く、吊りリード１
ｅの実装側の面と反対側の面、すなわち吊りリード１ｅ
のチップ搭載側の面（表面）、あるいはタブ１ｂのチッ
プ支持面１ｃの少なくとも何れかに、図１８、図１９お
よび図２０に示すような凹部１ｉが形成されているもの
である。

【００６７】すなわち、タブ１ｂのチップ支持面１ｃま
たはこのチップ支持面１ｃに繋がる吊りリード１ｅの表
面の一部のうちのいずれか一方あるいは両者に、吊りリ
ード１ｅの端部１ｈより凹んで薄く形成された凹部１ｉ
が形成されているものである。

【００６８】そこで、図１８はタブ１ｂのチップ支持面
１ｃ全体と吊りリード１ｅの表面の一部が凹んで凹部１
ｉとなったものであり、また、図１９はタブ１ｂのチッ
プ支持面１ｃ全体とこれに繋がる吊りリード１ｅの端部
１ｈより内側領域とが凹んで凹部１ｉとなったものであ
り、さらに、図２０は吊りリード１ｅの端部１ｈより内
側領域に凹部１ｉが形成された場合である。

【００６９】これらの凹部１ｉは、リードフレーム１の
圧延加工時の残留歪みを応用してタブ１ｂを含む吊りリ
ード１ｅのチップ搭載側の面を削って薄くする領域を形
成することにより、タブ１ｂが実装側の面方向に凸とな
るようにタブ１ｂおよびその吊りリード１ｅ領域を反ら
せて、タブ１ｂを封止部３の裏面３ａに確実に露出させ
るものである。

【００７０】また、図１９や図２０に示すＱＦＮ８にお
いて、吊りリード１ｅの端部１ｈの内側領域に形成され
た凹部１ｉは、封止部３とかみ合っており、凹部１ｉと
封止部３との接合面の関係が凹凸状になるため、外部か
らの水分の浸入経路を長くすることができ、その結果、
ＱＦＮ８の耐湿性の向上を図ることができる。

【００７１】したがって、例えば、図２０に示すＱＦＮ
８の場合、吊りリード１ｅに形成された凹部１ｉをさら
に細かな複数の凹部１ｉで形成することにより、水分の
浸入経路をさらに長くすることができるため、耐湿性の
向上をさらに図ることができる。

【００７２】次に、銅などの金属の薄板材における材料
加工（圧延加工）時の歪みについて説明する。

【００７３】銅板などの金属材料では、板材にその材料
加工時の歪みが残っており、板材の片側のみをハーフエ
ッチングなどで削った場合、その歪みのバランスが崩
れ、結果的に板材の厚さ方向に対して反りなどの変形が
生じる。その際、板材の一方の面側を板厚の１／２程度
の厚さを削って薄くすれば、板材の削った側と反対側の
他方面側に凸となるように板材が反ることが知られてい
る。

【００７４】このことをリードフレーム１に応用して、
例えば、ハーフエッチングなどによってリードフレーム
１のタブ１ｂや、吊りリード１ｅのチップ搭載側の面の
一部に凹部１ｉを形成して薄くすることにより、タブ１
ｂがその裏面１ｄ側に凸となるようにリードフレーム１
を反らせることができる。

【００７５】したがって、本実施の形態２のＱＦＮ８で
は、この技術を用いることにより、タブ露出構造のＱＦ
Ｎ８においてタブ１ｂを封止部３の裏面３ａに確実に露
出させることができる。

【００７６】つまり、モールディング工程の金型クラン
プ時に、タブ１ｂの裏面１ｄを図７に示す下金型７に密
着させることができるため、タブ１ｂと下金型７との間
に封止用樹脂が入り込むことを防止でき、その結果、タ
ブ１ｂを確実に露出させることができる。

【００７７】なお、図１８、図１９および図２０に示す
本実施の形態２のＱＦＮ８の組み立て方法については、
実施の形態１のＱＦＮ５と同じであり、図４に示す製造
プロセスフロー図にしたがって組み立てることが可能で
ある。

【００７８】そこで、本実施の形態２では、タブ１ｂや
吊りリード１ｅのチップ搭載側の面の一部に凹部１ｉを
形成して薄くすることにより、モールディング工程の金
型クランプ時に、タブ１ｂの裏面１ｄを下金型７に密着
させてタブ１ｂと下金型７との間に封止用樹脂が入り込
むことを防止でき、その結果、タブ１ｂの裏面１ｄを封
止部３の裏面３ａに確実に露出させることができる。

【００７９】さらに、図１８および図１９に示すＱＦＮ
８では、タブ１ｂが薄くなる分、半導体チップ２が低い
位置に配置されるため、半導体チップ２の主面上の体積
が増え、半導体チップ２の主面上に配置される封止用樹
脂の量も増える。

【００８０】これによって、樹脂モールディングにおけ
る封止用樹脂の充填時に半導体チップ２をタブ１ｂ側
（下方側）に押す力が作用する。

【００８１】したがって、樹脂充填時に、タブ１ｂの裏
面１ｄを下金型７に密着させてタブ１ｂと下金型７との
間に封止用樹脂が入り込むことを防止できるため、その
結果、タブ１ｂを確実に露出できる。

【００８２】さらに、図１９に示すＱＦＮ８では、タブ
１ｂとこれに繋がる吊りリード１ｅの端部１ｈの内側領
域までを薄くしているため、タブ１ｂに搭載される半導
体チップ２のチップサイズを大きくすることができる。

【００８３】なお、本実施の形態２のその他の効果につ
いては、実施の形態１で説明したものと同様であるた
め、その重複説明は省略する。

【００８４】また、本実施の形態２のＱＦＮ８では、図
１８、図１９および図２０に示すように、吊りリード１
ｅの実装側の面に裏面側凹部１ｊが形成されている。こ
の裏面側凹部１ｊは、ＱＦＮ８を実装基板に実装した際
に、吊りリード１ｅに隣接するリード１ａに対応した基
板側の端子と吊りリード１ｅとの接触を防ぐためのもの
であり、加えて、吊りリード１ｅをなるべく封止部３内
に埋め込んで封止部３の裏面３ａに露出する吊りリード
１ｅの面積を少なくするものである。

【００８５】これによって、ＱＦＮ８の外観品質の向上
を図ることができる。

【００８６】ただし、裏面側凹部１ｊは、必ずしも形成
されていなくてもよい。

【００８７】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。

【００８８】例えば、実施の形態１で説明した凹部１ｆ
と、実施の形態２で説明した凹部１ｉとを共通化して設
けてもよい。

【００８９】すなわち、図１０に示す構造であれば、タ
ブ下げによるタブ露出効果と、リードフレーム１の材料
の残留応力によるタブ露出効果との両者を兼ねることが
できる。

【００９０】また、前記実施の形態１，２では、タブ１
ｂのチップ支持面１ｃが半導体チップ２の主面２ｂより
大きな大タブ構造を用いた場合を説明したが、図２１の
変形例に示すように小タブ構造のＱＦＮ５であってもよ
い。

【００９１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００９２】タブ下げ加工が行われたリードフレームを
用いてタブ露出構造の半導体装置を組み立てることによ
り、タブを確実に露出させることができるとともに、フ
ィルム状テープや接着テープなどのテープ材を用いずに
組み立てることができるため、半導体装置の製造コスト
の低減化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置（ＱＦＮ）
の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って切断した断面の構造を
示す断面図である。

【図３】図１に示すＱＦＮの構造を封止部を透過して示
す底面図である。

【図４】図１に示すＱＦＮの組み立て手順の一例を示す
製造プロセスフロー図である。

【図５】図１に示すＱＦＮの組み立てに用いられるリー
ドフレームの構造の一例を示す側面図である。

【図６】図１に示すＱＦＮの組み立てにおけるダイボン
ディング後の構造の一例を示す側面図である。

【図７】図１に示すＱＦＮの組み立てにおける樹脂モー
ルディング時の構造の一例を示す部分断面図である。

【図８】図１に示すＱＦＮの組み立てにおける樹脂モー
ルディング後の構造の一例を示す断面図である。

【図９】本発明の実施の形態１の変形例のＱＦＮの組み
立てに用いられるリードフレームの構造の一例を示す側
面図である。

【図１０】本発明の実施の形態１の変形例のＱＦＮの組
み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す
側面図である。

【図１１】本発明の実施の形態１の変形例のＱＦＮの組
み立てにおける樹脂モールディング時の構造の一例を示
す部分断面図である。

【図１２】本発明の実施の形態１の変形例のＱＦＮの組
み立てにおける樹脂モールディング後の構造の一例を示
す断面図である。

【図１３】本発明の実施の形態１の変形例のリードフレ
ームの構造を示す側面図である。

【図１４】本発明の実施の形態１の変形例のリードフレ
ームの構造を示す側面図である。

【図１５】本発明の実施の形態２の半導体装置（ＱＦ
Ｎ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図であ
る。

【図１６】図１５のＢ−Ｂ線に沿って切断した断面の構
造を示す断面図である。

【図１７】図１５に示すＱＦＮの構造の一例を封止部を
透過して示す底面図である。

【図１８】図１５のＣ−Ｃ線に沿って切断した断面の構
造を示す断面図である。

【図１９】本発明の実施の形態２の変形例のＱＦＮの構
造を示す断面図である。

【図２０】本発明の実施の形態２の変形例のＱＦＮの構
造を示す断面図である。

【図２１】図１に示すＱＦＮに対する変形例のＱＦＮの
構造を封止部を透過して示す底面図である。

【符号の説明】

１ リードフレーム １ａ リード １ｂ タブ １ｃ チップ支持面 １ｄ 裏面（反対側の面） １ｅ 吊りリード １ｆ 凹部 １ｇ 被接続面（一部） １ｈ 端部 １ｉ 凹部 １ｊ 裏面側凹部 ２ 半導体チップ ２ａ パッド（表面電極） ２ｂ 主面 ２ｃ 裏面 ３ 封止部 ３ａ 裏面（実装側の面） ４ ワイヤ ５ ＱＦＮ（半導体装置） ６ 上金型 ６ａ キャビティ ７ 下金型 ８ ＱＦＮ（半導体装置）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F067 AA01 AA03 AA04 AB04 BD05 BE02 CA07 CC07 DA00 DA11 DA16

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップが樹脂封止されて成る半導
   体装置であって、 前記半導体チップが樹脂封止されて形成された封止部
   と、 前記半導体チップを支持し、前記封止部の実装側の面に
   露出するタブと、 前記タブと一体で前記タブから外側に向かって延在する
   吊りリードと、 前記封止部の実装側の面の周縁部に一部が露出して配置
   された複数のリードと、 前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記リー
   ドとを接続するワイヤとを有し、 前記吊りリードの実装側の面と反対側の面に前記封止部
   とかみ合う凹部が形成されていることを特徴とする半導
   体装置。
2. 【請求項２】 半導体チップを搭載可能なタブと、前記
   タブと一体で前記タブから外側に延在する吊りリード
   と、前記タブの周囲に配置された複数のリードとを有し
   ており、前記タブが前記吊りリードよりその実装側の面
   方向に配置されたリードフレームを準備する工程と、 前記リードフレームの前記タブに前記半導体チップを搭
   載する工程と、 前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記リー
   ドとをワイヤによって接続する工程と、 前記タブのチップ支持面と反対側の面および前記リード
   の一部が封止部の実装側の面に露出するように前記封止
   部を形成して前記半導体チップを樹脂封止する工程と、 前記リードを前記リードフレームから分離する工程とを
   有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 半導体チップを搭載可能なタブと、前記
   タブと一体で前記タブから外側に延在する吊りリード
   と、前記タブの周囲に配置された複数のリードとを有し
   ており、前記タブが前記吊りリードよりその実装側の面
   方向に配置されているとともに、前記タブのチップ支持
   面とこれに繋がる前記吊りリードの表面とが前記吊りリ
   ードの端部より凹んで薄く形成されたリードフレームを
   準備する工程と、 前記リードフレームの前記タブに前記半導体チップを搭
   載する工程と、 前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記リー
   ドとをワイヤによって接続する工程と、 前記タブのチップ支持面と反対側の面および前記リード
   の一部が封止部の実装側の面に露出するように前記封止
   部を形成して前記半導体チップを樹脂封止する工程と、 前記リードを前記リードフレームから分離する工程とを
   有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 半導体チップを搭載可能なタブと、前記
   タブと一体で前記タブから外側に延在する吊りリード
   と、前記タブの周囲に配置された複数のリードとを有し
   ており、前記タブのチップ支持面または前記チップ支持
   面に繋がる前記吊りリードの表面のうち何れか一方が前
   記吊りリードの端部より凹んで薄く形成されたリードフ
   レームを準備する工程と、 前記リードフレームの前記タブに前記半導体チップを搭
   載する工程と、 前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記リー
   ドとをワイヤによって接続する工程と、 前記タブのチップ支持面と反対側の面および前記リード
   の一部が封止部の実装側の面に露出するように前記封止
   部を形成して前記半導体チップを樹脂封止する工程と、 前記リードを前記リードフレームから分離する工程とを
   有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 半導体チップを搭載可能なタブと、前記
   タブと一体で前記タブから外側に延在する吊りリード
   と、前記タブの周囲に配置された複数のリードとを有し
   ており、前記タブのチップ支持面とこれに繋がる前記吊
   りリードの表面とが前記吊りリードの端部より凹んで薄
   く形成されたリードフレームを準備する工程と、 前記リードフレームの前記タブに前記半導体チップを搭
   載する工程と、 前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記リー
   ドとをワイヤによって接続する工程と、 前記タブのチップ支持面と反対側の面および前記リード
   の一部が封止部の実装側の面に露出するように前記封止
   部を形成して前記半導体チップを樹脂封止する工程と、 前記リードを前記リードフレームから分離する工程とを
   有することを特徴とする半導体装置の製造方法。