JP2003193132A - 磁気特性および被膜特性の優れた方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スラブ加熱温度が普通鋼なみに低い条件下で
も、一次再結晶板における粒成長を適正に制御して仕上
焼鈍後の磁気特性を改善すると共に、被膜特性の改善を
も実現するための方途について提案する。 【解決手段】 所定の成分組成に調整した鋼スラブを、
1300℃以下に加熱後、熱間圧延し、その後必要に応じて
熱延板焼鈍を施してから、１回または中間焼鈍を挟む２
回以上の冷間圧延により最終板厚とし、次いで一次再結
晶および脱炭のための焼鈍を施したのち最終仕上焼鈍を
施す、一連の工程からなる方向性電磁鋼板の製造方法に
おいて、鋼スラブの鋳造時に電磁攪拌を施すこと、一次
再結晶および脱炭のための焼鈍に関して、鋼板を600 ℃
以上1000℃以下の温度域に120 秒以内で滞在させ、かつ
この滞在期間の雰囲気を水素：30〜60 vol％および露
点：15〜40℃に制御し、しかる後、鋼板を750 ℃以上90
0 ℃以下の温度域に60秒以上滞在させ、この滞在期間の
雰囲気を水素：40〜70 vol％および露点：40〜70℃に制
御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、磁気特性および
被膜特性の優れた方向性電磁鋼板を安定して製造する方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】方向性電磁鋼板は、軟磁性体であり、変
圧器や発電機の鉄心材料として広く用いられている。近
年、省エネルギーの観点から、これら電気機器のエネル
ギーロスを小さくするニーズが高まっており、鉄心材料
として用いられている方向性電磁鋼板についても、従来
にも増して、良好な磁気特性が求められるようになって
きた。

【０００３】方向性電磁鋼板は、鉄の磁化容易軸である
〈００１〉方位が鋼板の圧延方向に高度に揃った結晶組
織を有するものであり、かような集合組織は、方向性電
磁鋼板の製造工程中、仕上焼鈍の際にいわゆるゴス方位
と称される（１１０）〔００１〕方位の結晶粒を優先的
に巨大成長させる、二次再結晶を通じて形成される。従
って、二次再結晶粒の結晶方位が磁気特性に大さな影響
を及ぼす。

【０００４】また、方向性電磁鋼板の需要家において
は、磁気特性と共に被膜特性も重要視される。なぜな
ら、方向性電磁鋼板の被膜には、トランスの鉄心におい
て絶縁性を保つ役割はもとより、ビルディングファクタ
ーを改善する役割、さらには騒音に影響する磁歪・歪み
感受性を変化させる役割があるからである。

【０００５】さて、このような方向性電磁鋼板は、4.5
mass％以下のSiを含む鋼スラブを、加熱し、熱間圧延
し、必要に応じて熱延板焼鈍を施したのち、１回あるい
は中間焼鈍を挟む２回以上の冷間圧延により最終板厚と
し、次いで湿潤水素雰囲気での連続焼鈍を施したのち、
マグネシアを主成分とする焼鈍分離剤を塗布してから、
1200℃５時間程度の仕上焼鈍を行うことにより製造され
てきた。例えば、米国特許第1965559 号明細書、特公昭
40−15644 号および同51−13469 号各公報などに、その
技術が開示されている。

【０００６】｛１１０｝＜００１＞方位に集積した二次
再結晶を効果的に促進させる技術として、従来、一次再
結晶粒の正常粒成長を抑制するインヒビターと呼ばれる
分散相を、均一かつ適正なサイズに分散させることが重
要であると言われてきた。このインヒビターの作用によ
り、最終仕上げ焼鈍時に、一次再結晶粒の成長が抑制さ
れ、最も粒成長の優位性の高い｛１１０｝＜００１＞方
位の粒だけが、他の方位を蚕食して大きく成長するので
ある。

【０００７】かかるインヒビターとして代表的なもの
は、MnＳ、MnSe、AlＮ及びＶＮのような硫化物、Se化合
物や窒化物等で、鋼中への溶解度が極めて小さいものが
用いられており、熱間圧延前のスラブ加熱時にインヒビ
ターを一旦完全に固溶させた後、その後の工程で微細に
析出させる方法がとられてきた。インヒビターを十分に
固溶させるためのスラブ加熱温度は1400℃程度であり、
普通鋼のスラブ加熱温度に比べて約200 ℃も高い。

【０００８】このため、かような高温スラブ加熱に対し
て、以下に示す問題点が指摘されるようになってきた。 １）高温加熱を行うためにエネルギー原単位が高い。 ２）溶融スケールが発生し易く、またスラブ垂れが生じ
易い。 ３）スラブ表層の過脱炭が生じる。 上記２）および３）の問題点を解決するために、方向性
珪素鋼専用の誘導加熱炉が考案されたが、依然として、
エネルギーコストが高いという問題点が残されている。

【０００９】そこで、方向性珪素鋼の低温スラブ加熱化
を図る研究がなされるようになった。しかしながら、ス
ラブ加熱温度の低下は、インヒビター成分の固溶量不足
を招くために、抑制力の低下を必然的に引き起こす。

【００１０】そこで、低温スラブ加熱に起因する抑制力
の低下を、後工程で補う技術として、途中窒化技術が開
発された。例えば、特開昭57−207114号公報には脱炭焼
鈍時に窒化する技術が、特開昭62−70521 号公報には仕
上げ焼鈍条件を特定し、仕上げ焼鈍時に途中窒化するこ
とで低温スラブ加熱を可能にする技術が、それぞれ開示
されている。また、特開昭62−40315 号公報には、Alや
Ｎがスラブ加熱時に固溶していなくても、後工程の途中
窒化によってインヒビターを適正状態に制御する方法が
開示されている。

【００１１】一方、二次再結晶発現の重要なポイントと
して、インヒビターの存在の他に、一次再結晶組織にお
ける方位差角に注目し、インヒビターに頼らなくても二
次再結晶を生じさせる技術が開発されている。すなわ
ち、方位差角が20〜45°である粒界（高エネルギー粒
界）が二次再結晶発現に重要な役割を果たしていること
が、Acta Materia1 45巻で報告され、これに基づいて、
インヒビターを使用しない方向性電磁鋼板の研究が盛ん
に行われるようになった。

【００１２】しかしながら、上記の途中窒化技術および
高エネルギー粒界に基づく技術はいずれも、二次再結晶
のための最終仕上焼鈍時の粒成長を制御する技術である
ため、その前工程での一次再結晶板においては、粒成長
の制御がうまくいかず、粒径が不ぞろい（非整粒）にな
り、製品の磁気特性がコイルの部位によって不安定にな
り易いところに問題を残していた。

【００１３】また、硫化物、Se化合物をスラブ加熱時に
完全に固溶させる必要性から、スラブ加熱温度が普通鋼
並に低い条件下では、従来の高温スラブ加熱を前提とす
る技術と比較して、ＳやSeの含有量を低減する必要があ
る。ＳやSeの含有量が少ないと、一次再結晶焼鈍の際に
形成されるサブスケールの緻密性が劣化し、デンドライ
ト状の粗なサブスケールなりやすい。このようなサブス
ケールの性状の変化は、最終仕上焼鈍時のフォルステラ
イト被膜形成に悪影響を及ぼすことも問題であった。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記した
問題を有利に解決するものであり、スラブ加熱温度が普
通鋼なみに低い条件下でも、一次再結晶板における粒成
長を適正に制御して仕上焼鈍後の磁気特性を改善すると
共に、被膜特性の改善をも実現するための方途について
提案することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】さて、発明者らは、スラ
ブ加熱温度が普通鋼なみに低い場合に、磁気特性がコイ
ルの部位によって大きくばらつく原因について、詳細な
検討を行った。その結果、(i) 脱炭焼鈍板において粒径
の小さな粒と大きな粒が混在している、(ii)また、集合
組織が測定部位によって大きくばらついている、ことが
判明した。このようなばらつきが生じる主因としては、
インヒビターの抑制力が弱いために、脱炭焼鈍中に一次
再結晶粒が粒成長し易いことが考えられる。

【００１６】インヒビターの抑制力が弱くても、高エネ
ルギー粒界が高移動度を有する性質を利用することによ
り、あるいは窒化処理によるインヒビター補強により、
引き続く仕上焼鈍において二次再結晶を生じさせること
は可能である。しかしながら、脱炭焼鈍終了時点での組
織の不均一は製品の磁気特性の不均一を引き起こしてし
まう。

【００１７】そこで、脱炭焼鈍終了段階での組織を均一
化する方法について鋭意研究を行った結果、従来は並行
して行われていた一次再結晶と脱炭とを分離して行う方
法に想い至った。すなわち、一次再結晶が完了するまで
の期間は脱炭を抑制し、一次再結晶完了後に脱炭を促進
するように制御する方法が極めて有効であることが新た
に見出されたのである。この発明は、上記の知見に立脚
するものである。

【００１８】すなわち、この発明の要旨構成は次のとお
りである。 （１）Ｃ：0.01〜0.1 mass％、Si：2.0 〜4.5 mass％お
よびMn：0.03〜2.5 mass％を含み、必要に応じてインヒ
ビター形成成分を含有する鋼スラブを、1300℃以下に加
熱後、熱間圧延し、その後必要に応じて熱延板焼鈍を施
してから、１回または中間焼鈍を挟む２回以上の冷間圧
延により最終板厚とし、次いで一次再結晶および脱炭の
ための焼鈍を施したのち最終仕上焼鈍を施す、一連の工
程からなる方向性電磁鋼板の製造方法において、鋼スラ
ブの鋳造時に電磁攪拌を施すこと、一次再結晶および脱
炭のための焼鈍に関して、鋼板を600 ℃以上1000℃以下
の温度域に120 秒以内で滞在させ、かつこの滞在期間の
雰囲気を水素：30〜60 vol％および露点：15〜40℃に制
御し、しかる後、鋼板を750 ℃以上900 ℃以下の温度域
に60秒以上滞在させ、この滞在期間の雰囲気を水素：40
〜70 vol％および露点：40〜70℃に制御することを特徴
とする磁気特性および被膜特性の優れた方向性電磁鋼板
の製造方法。

【００１９】（２）冷間圧延工程において、少なくとも
１パスを100 ℃以上の温度で行うことを特徴とする上記
（１）記載の磁気特性および被膜特性の優れた方向性電
磁鋼板の製造方法。

【００２０】（３）冷間圧延工程において、該圧延途中
の少なくとも１回のパス間おいて、150 ℃以上の温度域
で１分以上保持することを特徴とする上記（１）または
（２）記載の磁気特性および被膜特性の優れた方向性電
磁鋼板の製造方法。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、この発明を具体的に説明す
る。まず、この発明のスラブは、製鋼−連続鋳造によっ
て製造され、その連続鋳造の際に、柱状晶の成長を抑制
するために電磁攪拌を施す、必要がある。この詳細につ
いては、後述する。

【００２２】また、鋼スラブの組成は、少なくともＣ，
SiおよびMnについては、所定の範囲に制限する必要があ
るが、その他の元素については従来公知の組成いずれも
が適合する。

【００２３】鋼スラブの成分組成において、Siについて
は、2.0 mass％以上4.5 mass％以下とする。すなわち、
Siは、電気抵抗を高めて鉄損を低減する作用があり、そ
のためには 2.0mass％以上の含有を必要とするが、4.5
mass％を超えると冷間圧延性が著しく劣化するため、4.
5 mass％以下とした。

【００２４】Ｃは、組織改善のため、0.01mass％以上0.
1 mass％以下の範囲で含有させるものとした。

【００２５】Mnは、Siと同じように電気抵抗を増加さ
せ、鉄損を改善する効果があり、また製造時の熱間加工
性を向上させる上でも有用な成分である。この目的のた
めには、0.03mass％以上の含有が必要であるが、2.5 ma
ss％を超えて含有させた場合、γ変態を誘起して磁気特
性が劣化することから、Mnは0.03mass％以上2.5 mass％
以下の範囲とした。

【００２６】その他、二次再結晶を制御するために、イ
ンヒビターとなる微量のＳやSeならびに硫化物形成元
素、セレン化物形成元素（Mn，Cuなど）、さらには粒界
偏析元素（Sb，Sn，Biなど）を含有させることもでき
る。これらのインヒビター形成元素を含有させる場合の
適正量は、次のとおりである。

【００２７】Ｓ，Seはそれぞれ、硫化物やSe化合物とし
てインヒビター機能を発揮する元素であり、単独添加ま
たは複合添加いずれの場合も 0.005mass％以上 0.030ma
ss％以下の範囲で含有させることが好適である。という
のは、含有量が 0.005mass％未満ではインヒビター機能
を十分に発揮できず、一方0.030mass ％をこえるとスラ
ブ加熱時に均一固溶させることが困難となり、かえって
インヒビターとしての機能が損なわれてしまうからであ
る。

【００２８】Cuは、CuＳやCuSeを形成してインヒビター
として機能する他、被膜特性の改善にも有効に寄与す
る。この目的のためには、0.01mass％以上の含有を必要
とするが、0.50mass％を超えると表面性状が悪化するの
で、0.01mass％以上0.50mass％以下が好適である。

【００２９】Sb，SnおよびBiはいずれも、粒界に偏析し
てインヒビター機能を発揮する元素であるが、過剰に含
有させると製品のベンド特性などの機械的特性が劣化す
る。従って、Sbは 0.001mass％以上0.1 mass％以下、Sn
は 0.001mass％以上0.1mass％以下、Biは0.0005mass％
以上0.05mass％以下の範囲が好適である。

【００３０】窒化物形成元素のAlに関しては、高温スラ
ブ加熱の条件下では有効なインヒビターであるが、1300
℃以下の低温スラブ加熱を前提とする、この発明におい
ては、均一に析出させることが困難なため、一次再結晶
組織（および集合組織）を不均一たらしめる。従って、
Alの含有量は0.01mass％未満に低減することが好まし
い。

【００３１】なお、最近、これらのインヒビター元素を
特に添加しなくても二次再結晶させる技術が開示されて
いるが、この技術はこの発明においても好適に適用でき
る。

【００３２】上記の成分組成に調整したスラブを、1300
℃以下の低温でスラブ加熱し、熱間圧延を施す。次い
で、熱間圧延板に、必要に応じて熱延板焼鈍を施したの
ち、１回または中間焼鈍を挟む２回以上の冷間圧延を施
して、最終板厚とする。中間焼鈍を挟む二回以上の冷間
圧延を施して、最終板厚とする場合には、熱延板焼鈍は
行っても行わなくてもいい。冷間圧延は常温で行っても
良いが、圧延温度を 100℃以上に上げ、動的歪時効によ
って集合組織を制御する、いわゆる温間圧延方法、また
圧延のパス間に 150℃以上の温度域で１分以上保持し、
静的歪時効によって集合組織を制御する、いわゆるパス
間時効処理も、この発明において好適に適用することが
できる。

【００３３】次いで、最終冷間圧延板に、一次再結晶と
脱炭のための焼鈍を施す。この焼鈍においては、一次再
結晶完了までは脱炭を抑制し、一次再結晶完了後に脱炭
を促進することが重要であり、この発明の中心技術であ
る。具体的には、鋼板を600 ℃以上1000℃以下の温度域
に120 秒以内で滞在させ、かつこの滞在期間の雰囲気を
水素：30〜60 vol％および露点：15〜40℃に制御する、
前段焼鈍と、しかる後、鋼板を750 ℃以上900 ℃以下の
温度域に60秒以上滞在させ、この滞在期間の雰囲気を水
素：40〜70 vol％および露点：40〜70℃に制御する、後
段焼鈍と、を組み合わせることにある。なお、これら前
段焼鈍と後段焼鈍とは、連続して行ってもよいし、両者
を切り離して行ってもよい。

【００３４】ここで、一次再結晶完了まで脱炭を抑制す
る理由は、一次再結晶の進行過程での粒成長抑制力を補
強するためであり、一次再結晶後に脱炭を促進する理由
は、製品鉄損の時効劣化を防ぐためである。

【００３５】さらに、焼鈍条件は、磁気特性と被膜特性
とを両立させる観点からも、上記の条件に従うことが有
利である。すなわち、一次再結晶板における粒成長が適
正に制御されることにより、仕上焼鈍後の磁気特性が向
上することに加え、一次再結晶焼鈍時に形成される、サ
ブスケールの緻密性が増すことにより、仕上焼鈍後のフ
ォルステライト被膜の密着性を高めることができる。

【００３６】この発明に従い、炭素をある程度含有させ
た状態で一次再結晶を生じさせ、一次再結晶完了後に脱
炭を完了させることによって、組織、集合組織が均一化
される理由については、未だ明確に解明されたわけでは
ないが、発明者らは次のように考えている。すなわち、
一次再結晶完了までの期間に炭素を含有していると、炭
素によって粒成長の抑制力が補強される。再結晶初期か
ら再結晶完了までの区間は、局所的に再結晶の進行具合
が異なり、比較的早期に核生成する粒と遅れて核生成す
る粒とが混在する。この段階での抑制力は重要であり、
抑制力が弱い場合には、早期に核生成した粒が粗大化す
るため、粒径が不均一になり、そのことが集合組織の不
均一につながる。従って、一次再結晶が完了するまでの
間は、炭素によって抑制力を補強することが有効であ
る。一方、一次再結晶が鋼板全体で完了し、一次再結晶
粒どうしの粒成長が均衡した後は、抑制力の必要性は弱
まるため、脱炭を促進すればいいと考えられる。

【００３７】ここに、一次再結晶完了までの期間の脱炭
を抑制するという観点からは、前段焼鈍の雰囲気酸化性
は低い程良いが、酸化性が低すぎると、形成されるサブ
スケールの緻密性が劣化し、製品の被膜劣化につながる
という問題が生じた。発明者らは、製品の磁気特性、被
膜特性の両立という観点からさらに研究を重ねたとこ
ろ、 （ａ）スラブ鋳造時に電磁攪拌を施し、柱状晶の成長を
抑制すること （ｂ）１回の冷間圧延で最終板厚にする場合は熱延板焼
鈍を施し、２回以上の冷間圧延で最終板厚にする場合は
中間焼鈍を施すこと （ｃ）前段焼鈍の雰囲気は水素30〜60 vol％かつ露点15
〜40℃の範囲内にすること を組み合わせることが、有効であることを突き止めた。

【００３８】すなわち、スラブ段階で柱状晶が発達する
と、熱間圧延後、＜１１０＞//ＲＤに集積した未再結晶
バンドが発達しやすい。この未再結晶バンドは、引き続
く冷延工程でもそのまま方位を維持しやすく、焼鈍の際
には再結晶しにくい特徴がある。この発明では、インヒ
ビターが弱いため、このバンド組織は途中の焼鈍過程で
再結晶したり未再結晶のまま残ったりと、まちまちの形
態をとり、その結果一次再結晶組織（および集合組織）
の不均一性が助長される。従って、電磁攪拌によって柱
状晶の成長を抑制することが、一次再結晶組織（および
集合組織）の均一化という観点から必要となる。

【００３９】また、１回の冷間圧延で最終板厚にする場
合の熱延板焼鈍や、２回以上の冷間圧延で最終板厚にす
る場合の中間焼鈍も、最終冷間圧延前の段階で、組織を
均一化し、ひいては一次再結晶組織（および集合組織）
の均一化につながるため、この発明に必須の要件とな
る。

【００４０】従って、上記（ａ）および（ｂ）の技術を
併用すれば、上記（ｃ）に示す雰囲気にて、被膜劣化を
起こすことなく、磁気特性の良好な方向性電磁鋼板の製
造が可能になる。かくして、発明者らは、スラブ加熱温
度が普通鋼並みに低い条件下で、磁気特性が良好な方向
性電磁鋼板を安定して製造する方法に関する発明を完成
させるに到ったのである。

【００４１】また、集合組織を制御するに当り、圧延温
度を100 ℃以上に上げ、動的歪時効によって集合組織を
制御することおよび、圧延のパス間に150 ℃以上の温度
域で１分間以上保持し、静的歪時効によって集合組織を
制御することは、一次再結晶進行過程での抑制力の確保
に繋がるため、有利である。

【００４２】なお、炭素を抑制力の補強として利用する
技術としては、脱炭焼鈍後に30〜200ppmの炭素を含有さ
せて磁束密度を向上させることが、特開昭58−11738 号
公報に開示されているが、この技術はあくまで、仕上焼
鈍中の抑制力を補強する技術であり、この発明とは本質
的に異なる。

【００４３】さらに、特開平６−2040号公報には、最終
圧延後に、750 〜1050℃の温度域において30秒〜10分
間、少なくとも10 vol％以上の水素を含む露点15℃以下
の焼鈍雰囲気中での焼鈍を施した後に、通常の脱炭焼鈍
を施す技術が開示されているが、この技術は露点の範囲
が、この発明と異なる上、インヒビターが強い条件を前
提としており、集合組織を制御する技術ではなく、この
発明の技術とは本質的に異なるものである。

【００４４】以上の前、後段の焼鈍が完了後は、鋼板の
表面に焼鈍分離剤を塗布してから、最終仕上焼鈍を施
す。この最終仕上焼鈍には特に制限はなく、従来から周
知の方法に従って行えば良い。

【００４５】さらに、得られた仕上焼鈍板の表面に、絶
縁被膜を塗布、焼き付ける。絶縁被膜の種類は特に限定
されず、公知の絶縁被膜いずれもが適合する。例えば、
特開昭50−79442 号公報や特開昭48−39338 号公報に記
載されている、リン酸塩−クロム酸−コロイダルシリカ
を含有する塗布液を鋼板に塗布し、800 ℃程度で焼き付
ける方法が好適である。また、フラットニング焼鈍によ
り、鋼板の形状を整えることも可能であり、さらには絶
縁被膜焼き付けを兼ねたフラットニング焼鈍を行うこと
もできる。なお、最終冷間圧延後、二次再結晶開始まで
の間に、必要に応じて窒化処理を施すことも粒成長制御
手段の一つとして有効である。

【００４６】

【実施例】実施例１ Ｃ：0.05mass％、Si：3.0 mass％、Mn：0.09mass％およ
びAl：0.005 mass％を含有する鋼スラブ３本（以下、鋼
Ａ，ＢおよびＣとして区別する）を、鋼Ａは電磁攪拌を
施さずに、鋼ＢおよびＣは電磁攪拌を施して鋳造した。
これらのスラブを1200℃に加熱後、熱間圧延して板厚2.
2mm としたのち、鋼ＡおよびＣは1000℃で30秒間の熱延
板焼鈍を施し、残る鋼Ｂは熱延板焼鈍を施さなかった。
その後、鋼Ａ、ＢおよびＣはいずれも、酸洗した後、板
厚0.34mmまで１回で冷間圧延した。

【００４７】次いで、冷間圧延後のコイルの長手方向10
箇所において、それぞれ幅方向３箇所合計で30箇所から
試験片を採取した。各試験片は、脱脂処理を行ってか
ら、一次再結晶および脱炭のための焼鈍を施した。焼鈍
条件は、鋼Ａ、Ｂに対しては下記の１の条件、同Ｃに対
しては、下記の１〜８の８通りの条件を適用した。

【００４８】記 条件１： 前段（900 ℃×30秒間，水素50 vol％，露点30℃） 後段（850 ℃×120 秒間，水素50 vol％，露点60℃） 条件２： 前段（700 ℃×30秒間， 水素50 vol％，露点30℃） 後段（850 ℃×120 秒間， 水素50 vol％，露点60℃） 条件３： 前段（900 ℃×10秒間， 水素40 vol％，露点20℃） 後段（800 ℃×120 秒間， 水素60 vol％，露点55℃） 条件４： 前段（700 ℃×10秒間， 水素40 vol％，露点20℃） 後段（800 ℃×120 秒間， 水素60 vol％，露点55℃） 条件５： 前段（900 ℃×30秒間， 水素50 vol％，露点10℃） 後段（850 ℃×120 秒間， 水素50 vol％，露点60℃） 条件６： 前段（800 ℃×30秒間， 水素50 vol％，露点55℃） 後段（850 ℃×120 秒間， 水素50 vol％，露点60℃） 条件７： 前段（650 ℃×30秒間， 水素50 vol％，露点55℃） 後段（850 ℃×120 秒間， 水素50 vol％，露点60℃） 条件８： 前段（550 ℃×30秒間， 水素50 vol％，露点35℃） 後段（850 ℃×120 秒間， 水素50 vol％，露点60℃）

【００４９】上記の焼鈍終了後に、鋼板の集合組織をＸ
線回折による鋼板表面の極密度測定にて評価した。次い
で、上記の焼鈍つまり一次再結晶と脱炭のための焼鈍
後、鋼板表面に焼鈍分離剤を塗布してから、最終仕上焼
鈍を施した。焼鈍分離剤としては、MgＯを主成分とし、
副成分として Sr(OH)₂・8H₂Oを５重量部添加したものを
用いた。

【００５０】最終仕上焼鈍後、未反応の焼鈍分離剤を除
去したのち、コロイダルシリカを含有するリン酸マグネ
シウムを主成分とする絶縁コーティングを塗布し、800
℃で焼き付け、製品とした。各製品について、磁束密度
Ｂ₈ と鉄損Ｗ_17/50 を測定するともに、被膜密着性（鋼
板を丸棒に巻き付けて被膜が剥離しない最小の曲げ径を
測定）も評価した。かくして得られた結果を、表１に示
す。

【００５１】

【表１】

【００５２】表１に示したとおり、この発明に従って一
次再結晶と脱炭のための焼鈍条件を制御することによ
り、一次再結晶集合組織のばらつきが軽減され、その結
果、磁気特性が良好な方向性電磁鋼板を安定して得るこ
とができた。また、被膜密着性についても、満足する結
果が得られた。

【００５３】実施例２ Ｃ：0.07mass％、Si：3.30mass％、Mn：0.07mass％、A
l：0.005 mass％およびSb：0.025 mass％を含有する鋼
スラブ４本（以下、鋼Ｄ，Ｅ，ＦおよびＧとして区別す
る）を、鋼Ｄは電磁攪拌を施さずに、鋼Ｅ，ＦおよびＧ
は電磁攪拌を施して鋳造した。これらのスラブを1250℃
に加熱してから、熱間圧延して板厚2.5mmとしたのち、
熱延コイルを酸洗し、板厚1.5mm まで１回目の冷間圧延
を常温にて行った。次に、これらのコイルを脱脂した
後、1000℃で60秒間の中間焼鈍を施した。さらに、酸洗
した後、鋼Ｄ，Ｅのコイルには、板厚0.22mmまで常温で
冷間圧延を施し、鋼Ｆのコイルには200 ℃の圧延温度で
板厚0.22mmまで圧延を施し、鋼Ｇのコイルには250 ℃に
５時間保持した後、150 ℃の圧延温度で板厚0.22mmまで
圧延を施した。

【００５４】次いで、冷間圧延後のコイルの長手方向10
箇所において、それぞれ幅方向３箇所合計で30箇所から
試験片を採取した。各試験片は、脱脂処理を行ってか
ら、一次再結晶および脱炭のための焼鈍を施した。焼鈍
条件は、鋼Ｄに対しては実施例１で適用した上記の１，
３，５，７の４通りの条件、鋼Ｅに対しては上記の１〜
８の８通りの条件、鋼ＦおよびＧに対しては上記の１の
条件とした。

【００５５】上記の焼鈍終了後に、鋼板の集合組織をＸ
線回折による鋼板表面の極密度測定にて評価した。次い
で、上記の焼鈍つまり一次再結晶と脱炭のための焼鈍
後、鋼板表面に焼鈍分離剤を塗布してから、最終仕上焼
鈍を施した。焼鈍分離剤としては、MgＯを主成分とし、
副成分として Sr(OH)₂・8H₂Oを５重量部添加したものを
用いた。

【００５６】最終仕上焼鈍後、未反応の焼鈍分離剤を除
去したのち、コロイダルシリカを含有するリン酸マグネ
シウムを主成分とする絶縁コーティングを塗布し、800
℃で焼き付け、製品とした。各製品について、磁束密度
Ｂ₈ と鉄損Ｗ_17/50 を測定するとともに、被膜密着性も
評価した。かくして得られた結果を、表２および３に示
す。

【００５７】

【表２】

【００５８】

【表３】

【００５９】表２および３に示したとおり、この発明に
従って一次再結晶と脱炭のための焼鈍条件を制御するこ
とにより、一次再結晶集合組織のばらつきが軽減され、
その結果、磁気特性が良好な方向性電磁鋼板を安定して
得ることができた。また、被膜密着性についても、満足
する結果が得られた。

【００６０】実施例３ Ｃ：0.05mass％、Si：3.1 mass％、Mn：0.15mass％、A
l：0.005 mass％およびSn：0.02mass％を含有する鋼ス
ラブ２本（以下、鋼ＨおよびＩとして区別する）を電磁
攪拌を施して鋳造した。これらのスラブを1150℃に加熱
後、熱間圧延して板厚2.0mm とした。熱間圧延後のコイ
ルに対して、鋼Ｈの熱延コイルは酸洗した後、950 ℃で
60秒間の熱延板焼鈍を施し、鋼Ｉは熱延板焼鈍を施さな
かった。その後、酸洗した後、鋼ＨおよびＩのコイルと
もに、0.29mm厚まで常温で冷間圧延を施した。但し、鋼
ＨおよびＩともに途中板厚1.2mm の時点において、250
℃で５時間保持する時効処理を施した。

【００６１】次いで、冷間圧延後のコイルの長手方向10
箇所において、それぞれ幅方向３箇所合計で30箇所から
試験片を採取した。各試験片は、脱脂処理を行ってか
ら、一次再結晶および脱炭のための焼鈍を施した。焼鈍
条件は、鋼Ｈに対しては実施例１で適用した上記の１〜
８の８通りの条件、鋼Ｉに対しては上記の２，４，６お
よび８の４通りの条件とした。

【００６２】上記の焼鈍終了後に、鋼板の集合組織をＸ
線回折による鋼板表面の極密度測定にて評価した。次い
で、上記の焼鈍つまり一次再結晶と脱炭のための焼鈍
後、水素、窒素およびアンモニア混合ガス中にて 750
℃, 30秒の窒化焼鈍を施したのち、鋼板表面に焼鈍分離
剤を塗布してから、最終仕上焼鈍を施した。焼鈍分離剤
としては、MgＯを主成分とし、副成分としてTiO₂を５重
量部、SnO₂を２重量部添加したものを用いた。

【００６３】最終仕上焼鈍後、未反応の焼鈍分離剤を除
去したのち、コロイダルシリカを含有するリン酸マグネ
シウムを主成分とする絶縁コーティングを塗布し、800
℃で焼き付け、製品とした。各製品について、磁束密度
Ｂ₈ と鉄損Ｗ_17/50 を測定するとともに、被膜密着性を
評価した。かくして得られた結果を表４に示す。

【００６４】

【表４】

【００６５】同表に示したとおり、本発明に従って一次
再結晶と脱炭のための焼鈍条件を制御することにより、
一次再結晶集合組織のばらつきが軽減され、良好な磁気
特性の方向性電磁鋼板を安定して得ることができた。ま
た、被膜密着性についても、満足する結果が得られた。

【００６６】

【発明の効果】この発明によれば、スラブ加熱温度が普
通鋼なみに低い条件下でも、一次再結晶板における粒成
長が適正に制御されるから、仕上焼鈍後に磁気特性の優
れた方向性電磁鋼板を安定して製造することができる。
さらに、この発明によれば、一次再結晶焼鈍時に形成さ
れるサブスケールの緻密性が増すことによって、被膜の
密着性を高めることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒沢 光正 岡山県倉敷市水島川崎通１丁目（番地な し） 川崎製鉄株式会社水島製鉄所内 (72)発明者 山上 日出雄 岡山県倉敷市水島川崎通１丁目（番地な し） 川崎製鉄株式会社水島製鉄所内 (72)発明者 小松原 道郎 岡山県倉敷市水島川崎通１丁目（番地な し） 川崎製鉄株式会社水島製鉄所内 Ｆターム(参考） 4K033 AA02 FA01 FA12 HA01 HA03 JA04 JA07 MA02 MA03 RA04 SA02 SA03 5E041 AA02 CA02 HB11 HB14 NN01 NN18 5E062 AC00

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｃ：0.01〜0.1 mass％、Si：2.0 〜4.5
   mass％およびMn：0.03〜2.5 mass％を含み、必要に応じ
   てインヒビター形成成分を含有する鋼スラブを、1300℃
   以下に加熱後、熱間圧延し、その後必要に応じて熱延板
   焼鈍を施してから、１回または中間焼鈍を挟む２回以上
   の冷間圧延により最終板厚とし、次いで一次再結晶およ
   び脱炭のための焼鈍を施したのち最終仕上焼鈍を施す、
   一連の工程からなる方向性電磁鋼板の製造方法におい
   て、 鋼スラブの鋳造時に電磁攪拌を施すこと、 一次再結晶および脱炭のための焼鈍に関して、鋼板を60
   0 ℃以上1000℃以下の温度域に120 秒以内で滞在させ、
   かつこの滞在期間の雰囲気を水素：30〜60 vol％および
   露点：15〜40℃に制御し、しかる後、鋼板を750 ℃以上
   900 ℃以下の温度域に60秒以上滞在させ、この滞在期間
   の雰囲気を水素：40〜70 vol％および露点：40〜70℃に
   制御することを特徴とする磁気特性および被膜特性の優
   れた方向性電磁鋼板の製造方法。
2. 【請求項２】 冷間圧延工程において、少なくとも１パ
   スを100 ℃以上の温度で行うことを特徴とする請求項１
   記載の磁気特性および被膜特性の優れた方向性電磁鋼板
   の製造方法。
3. 【請求項３】 冷間圧延工程において、該圧延途中の少
   なくとも１回のパス間おいて、150 ℃以上の温度域で１
   分以上保持することを特徴とする請求項１または２記載
   の磁気特性および被膜特性の優れた方向性電磁鋼板の製
   造方法。