JP2003197861A - 電力用半導体サブモジュール及び電力用半導体モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 より高いブロッキング電圧を有すとともに物
理的高さが本質的に同じである電力用半導体サブモジュ
ール及び電力用半導体モジュールを提供する。 【解決手段】 電力用半導体サブモジュール（１）は、
少なくとも２つの半導体チップ（２１、２２）を有し、
該半導体チップは、２つの主接続部（６、７）間に２つ
の主電極（３、４）を有し、コンタクトダイ（８）によ
って一方の主電極（３）に接触力が加えられ、従って該
半導体チップ（２１、２２）の他方の主電極（４）がベ
ースプレート（５）に圧接される。これら２つの半導体
チップ（２１、２２）は、電力用半導体サブモジュール
の２つの主接続部（６、７）の間で電気的に直列接続さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パワーエレクトロ
ニクスの分野に関する。詳細には、本発明は、特許請求
の範囲の請求項１に記載されているような、電力用半導
体サブモジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】高電力用途のために、電力用半導体モジ
ュールは、プレスパックモジュール技術を用いて製造さ
れている。このプレスパックモジュールは、１０００ｋ
Ｖにも達する高電圧範囲における最大数千アンペアまで
の電流のための高電力スイッチとして使用されている。
今日、プレスパックモジュールで使用されている絶縁ゲ
ートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）は、２、３千
ボルト程度の電圧にしか耐えることができず、高電圧ス
イッチのために、少なくとも１つの積層体中に複数のプ
レスパックモジュールが直列に接続されている。最大で
数ダースのプレスパックモジュールを備えた積層体は、
１００ｋＮ程度の力で圧縮されている。

【０００３】欧州特許第７６２，４９６号に記載された
ようなプレスパックモジュールは、通常複数の半導体チ
ップを有し、これらの半導体チップは、互いに並べて配
置され、それらの第１の主電極がベースプレート上に取
付けられている。それらの半導体チップの第２の主電極
は、複数のコンタクトダイにより接触する。ベースプレ
ートは第１の主接続部に接続されており、コンタクトダ
イは第２の主接続部に接続されている。これらの主接続
部は、ディスクの形態とすることができ、フランジによ
って相互接続されることができる。従って、圧力接触
は、個々の半導体チップに圧接する銅製ダイの形態であ
る。

【０００４】プレスパックモジュール内の個々の半導体
チップは、現あのところ幾つかの群に分けて形成され、
それらの群が結合されて１つの装置、即ち、「サブモジ
ュール」が組み立てられることができる。この場合、半
導体チップは、例えば複数のＩＧＢＴとダイオードチッ
プが１つのサブモジュール内で一緒の状態で、互いに並
列に接続されている。プレスパックモジュールの積層体
は、数メートルの長さを超えて伸びる。上述の圧力をこ
のような長さにわたって加えるためには、複雑な予防措
置を必要とする。従って所定の電圧に対してより少ない
プレスパックモジュールで取扱うためには、積層体の単
位長当りの最大ブロッキング電圧を増大させることが望
ましい。

【０００５】積層体の高さ、従ってそれに関連したコス
トは、個々のプレスパックモジュールのブロッキング電
圧を増大させることによって低減できるであろう。残念
ながら現あの技術をもってしては、電力用半導体チップ
の上述のような最大ブロッキング電圧を上げる見込みは
殆どない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、より高いブロッキング電圧を有すとともに、それら
の物理的高さが本質的に同じである上述のようなタイプ
の電力用半導体サブモジュール及び電力用半導体モジュ
ールを提供することである。本発明によれば、この目的
は、請求項１に記載された特徴を有する電力用半導体サ
ブモジュールと、請求項１３に記載された特徴を有する
電力用半導体モジュールとによって達成される。

【０００７】本発明による電力用半導体サブモジュール
は、少なくとも２つの半導体チップを有し、これらの半
導体チップは、２つの主接続部間に２つの主電極を有
し、コンタクトダイによって一方の主電極に接触力が加
えられ、従ってその半導体チップの他方の主電極がベー
スプレートに圧接される。これら２つの半導体チップ
は、電力用半導体サブモジュールの２つの主接続部の間
で電気的に直列接続される。従来のプレスパックモジュ
ールと同様に、２つの半導体チップは、ベースプレート
上に互いに並べて配置されるので、本発明による電力用
半導体サブモジュールの物理的高さは増大しない。他
方、この電気的な直列接続によって、電力用半導体サブ
モジュールの最大ブロッキング電圧が増大する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】第１の実施形態におい
て、絶縁層が、１つの半導体チップとベースプレートと
の間、及び他の半導体チップと、対応するコンタクトダ
イとの間に配置される。この２つの半導体チップは、こ
のような方法で絶縁された電極で接続リードに導電的に
接続される。これにより単純な直列回路が得られること
になり、電流は一方の主接続部から、第１のコンタクト
ダイ及び一方の半導体チップを経て、接続リード及び他
方の半導体チップを通って、ベースプレートへ流れ、更
に該ベースプレートに接続された他方の主接続部へと流
れる。

【０００９】第１の実施形態の第１の有利な変形例にお
いて、接続リードは、２つの導電性プレートを有し、こ
れらの導電性プレートが、それらの間に置かれた接続層
を介して電気的に接続される。この２つのプレートは、
本質的に平坦である。２つの半導体チップの各主電極が
異なる高さにあることに起因する２つのプレート間の高
さの差は、導電性の接続層によって橋絡される。

【００１０】第１の実施形態の第２の有利な変形例にお
いては、ベースプレートは、該プレートから絶縁された
半導体チップの領域においてより厚くなっており、その
結果、２つの半導体チップの各主電極（これらは接続リ
ードを介して接続される）は、本質的に１つの平面内に
ある。従ってこの場合も又、接続リードは本質的に平坦
にすることができる。

【００１１】第２の実施形態においては、一方の半導体
チップとベースプレートとの間の１つの絶縁層は、同様
にベースプレートから絶縁された他方の半導体チップま
で延伸される。更に、この半導体チップは、第１の実施
形態と比べて反転して配置され（フリップチップ）、そ
の結果、絶縁層上に配置された接続リードは、２つの半
導体チップの直列に接続された電極を接続する。絶縁層
によって対応するコンタクトダイから絶縁された、反転
して配置された半導体チップの第２の電極からベースプ
レートへ別の接続リードが接続される。接続リードとし
ては、例えば銅ボンディング接続を使用することができ
る。銅ボンディング接続は取付けが簡単であり、容易に
入手できる。更に、金属ワイヤメッシュ、金属ワイヤ、
又は金属箔は、特に１０００アンペアよりも大きい大電
流に対して使用することができる。

【００１２】第３の実施形態において、電気絶縁層がこ
の場合も又、一方の半導体チップの１つの主電極とベー
スプレートとの間に配置される。更に、第２の電気絶縁
層も又、１つの主接続部と、他方の半導体チップの１つ
の主電極に接触するコンタクトダイとの間に配置され
る。一方の半導体の１つの絶縁された電極は、この場合
も又接続リードを介して他方の半導体の絶縁されたコン
タクトダイに接続される。

【００１３】第３の実施形態の１つの有利な変形例にお
いて、接続リードは、２つの導電性プレートを有し、該
導電性プレートは、主電極と絶縁層との間、及び／又は
コンタクトダイと絶縁層との間に配置され、１つの追加
的なコンタクトダイが、２つのプレートを導電的に接続
する。

【００１４】接続リードは、丈夫な金属部品のみから作
られる。直列接続は、単純な直線的金属部品と絶縁部品
によって可能となる。このことは組立時おいて有利とな
る。例えば２つの直列接続されたダイオードを備えたＩ
ＧＢＴで形成された並列回路のような単純な回路が、本
発明による電力用半導体サブモジュール及び／又は本発
明による電力用半導体モジュールにおいて使用すること
ができる。更なる例示的な実施形態は、対応する従属請
求項で見出すことができる。

【００１５】添付図面と関連付けて、例示的な実施形態
を参照しながら以下の記述で本発明を一層詳細に説明す
る。添付図面中に使用されている参照符号及びそれらの
意味は、符号の説明に要約した形で表示されている。原
則的には、各図面において同一部品には同じ参照符号が
付与されている。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１は、本発明による電力用半導
体サブモジュールの第１の実施形態を示す。符号１は、
第１及び第２の主接続部７、６を有する電力用半導体サ
ブモジュールをである。主接続部６、７は、図面に象徴
的にのみ示しており、第２の主接続部は少なくとも導電
性プレートの形態で表している。この導電性プレート
は、例示として中実の銅ブロックで構成することができ
る。ベースプレート５は、第１の主接続部７に接続され
ている。ベースプレートは、例示としてモリブデン板又
はその他の適切な材料で作られた板とすることができ、
このベースプレートは、ハンダ層によって第１の主接続
部上に取付けられる。ベースプレートは、円形または多
角形の外形を有することができる。

【００１７】複数の半導体チップ、一般には少なくとも
２つの半導体チップが、ベースプレート５にハンダ付け
される。半導体チップは、ＩＧＢＴチップ、ダイオード
チップ、又はこれらのタイプのチップの組合せであるこ
とが好ましい。しかしながら、原則的にチップは、例え
ば対応する主接続部６、７に接触させた少なくとも２つ
の主電極３、４を有する。また、ＩＧＢＴチップの場合
には、第３の電極、即ち制御用電極が更に設けられ、こ
の制御用電極は、接続用ワイヤ（図示せず）を介して制
御用接続部に接続されている。この場合の接続ワイヤ
は、例えば対応するチップの制御用電極に結合されてい
る。半導体チップは、例えばハンダ層、又は欧州特許第
９８９，６１１号に詳記されているように、短絡応答
（短絡故障モード、ＳＣＦＭ）を改善するための層のよ
うな複数の層を含む積層体の一部である。それぞれの場
合において、図面は、単に象徴的に半導体チップと直接
その上に配置された１つのＳＣＦＭ層１６のみを示して
いる。

【００１８】図の実施例において、電力用半導体モジュ
ール１は、３つの半導体チップ、ＩＧＢＴ２、更にＩＧ
ＢＴと並列に接続された、２つの直列接続したダイオー
ド２１、２２を有する。一方の、第１の主電極４は、チ
ップ２、２１、２２の下面によって形成されている。他
方の、第２の主電極３は、対応する方法で、各チップの
上面によって形成されている。ＩＧＢＴ２の第１の主電
極４は、ベースプレート５上に置かれて、ベースプレー
トを介して第１の主接続部７に導電的に接続されてい
る。ＩＧＢＴ２の第２の主電極３は、コンタクトダイ８
を介して第２の主接続部６に導電的に接続される。

【００１９】コンタクトダイ８の正確な構成及び効果
は、本発明にとって重要ではない。コンタクトダイの位
置は、半導体チップと、コンタクトダイを保持する主接
続部との間の距離に応じて、個々に調節可能であるとみ
なすことができる。この場合コンタクトダイは、例えば
スプリング要素によって各ダイに圧力が加わるようにす
ることもでき、あるいはハンダ層で固定されることもで
きる。

【００２０】２つのダイオードの内、第１のダイオード
２１の第１の主電極４は、同様にベースプレート５上に
置かれている。第２のダイオード２２の第１の主電極４
は、同様にベースプレート５上に置かれているが、第１
の電気絶縁層１０によってベースプレートから電気的に
絶縁されている。この第２のダイオード２２の第２の主
電極３は、コンタクトダイ８を介して主接続部６に導電
的に接続されていると同時に、第２の電気絶縁層１１
は、第１のダイオード２１の第２の主電極３と該電極上
に置かれたコンタクトダイ８との間に配置されている。
この２つの電気的に絶縁された主電極は、接続リード９
を介して互いに導電的に接続されている。この結果、２
つのダイオード２１及び２２は、２つの主接続部７、６
の間で直列に接続されることになる。接続リードに対す
る接続部６５は、ＩＧＢＴの制御接続部と同様の方法
で、外部接触のために、サブモジュールのハウジング
（図示せず）の外へ通すことができる。接続リード９
は、例えば金属ボンディング接続、又は金属ケーブル、
金属ワイヤメッシュ、又は金属箔から製造することがで
きる。例示として、特に好適な１つの金属は銅である。

【００２１】図２は、本発明による電力用半導体サブモ
ジュールの第１の実施形態の第１の好ましい変形例を示
す。この図面は、直列接続された２つのダイオードのみ
を示しているが、上述の実施形態と同様、更に半導体チ
ップを並列に接続できることは言うまでもない。直接的
な接続リードに替えて、第２のダイオード２２の第１の
主電極４と第１の絶縁層１０との間、及び第１のダイオ
ード２１の第２の主電極３と第２の絶縁層１１との間
に、導電性接続プレート９３、９４が配置されている。
これらの接続プレート９３、９４は、本質的に互いに並
列に配置され、２つのダイオード間の領域において重な
り合う。２つの接続プレートを導電的に接続するため
に、好ましくは銅又はその他の高導電性材料で作られた
接続層９５が、重なり合う領域において、２つの接続プ
レートの間に配置される。

【００２２】接続プレート９３、９４と接続層９５の接
触を改善するために、これらは互いにハンダ付けする
か、低温ボンディング（ＬＴＢ）により接続するか、或
いは図２に示すように、コンタクトダイ８１により、該
プレートに増大された接触力を加えることができる。こ
の場合、製造及び組立のために有利であることが見出さ
れているため、コンタクトダイ８、８１の全てが同一の
長さであることが特に有利である。平坦で直線的なプレ
ートを備えた接続リードは、より容易に製造し取付ける
ことができ、又湾曲した実質的にＳ字状の接続リードよ
りも低いインダクタンスを有する。更に、この平坦な接
続リードは、湾曲した接続リードより容易に電気的に絶
縁できる。

【００２３】図３は、本発明による電力用半導体サブモ
ジュールの第１の実施形態の第２の好ましい変形例を示
す。最初の２つの図に示した変形例と対比して、ベース
プレート５は、１つの半導体チップ、この場合第１のダ
イオード２１、が他の半導体チップとは異なり、より深
い高さに置かれるような構造を有する。ベースプレート
は、低い方の段に配置されるダイオードとその上の第２
の主電極３及び該電極の上に配置された層１６とを重ね
た高さが、第１の絶縁層１０上にある第２のダイオード
２２の第１の主電極４と同一平面内にあるような段を有
する。これにより、２つのダイオードを単一の直線的な
接続リード９によって直列に接続することができる。

【００２４】図４は、本発明による電力用半導体サブモ
ジュールの第２の実施形態を示す。この場合も又、直列
接続された２つのダイオードが、ＩＧＢＴ２と並列に接
続されている。第２のダイオード２２も又、第１の絶縁
層１０上に配置されているが、この第１の絶縁層１０
は、ここでは第１のダイオード２１も絶縁層の上に置く
ように、延伸されている。しかしながら、第１のダイオ
ード２１は、第２のダイオードに対して逆方向にされ、
即ち第１のダイオードは反転ダイオード（フリップチッ
プ）である。２つのダイオード、より正確に言うと、第
１のダイオード２１の第２の主電極３及び第２のダイオ
ード２２の第１の主電極４は、絶縁層１０上に配置され
た第１の接続リード９１に導電的に接続されている。第
２の接続リード９２は、第１のダイオード２１の第１の
主電極４からベースプレートに接続されており、この第
１のダイオードは、第２の絶縁層１１によって（第１の
主電極４の上方に置かれる）コンタクトダイ８から電気
的に絶縁されている。この第２の接続リードが、更に他
のダイオード、又は別の半導体チップに接続できること
は当然であり、又同様に２つのダイオードに直列接続で
きる。

【００２５】本発明による電力用半導体サブモジュール
の第３の実施形態が、図５及び図６に示されている。こ
れは２つの半導体チップ２１、２２によって形成された
単純な直列回路である。更に、この場合も当然半導体チ
ップは並列に接続することができる。図２に示したよう
な本発明による電力用半導体サブモジュールの第１の実
施形態の変形例と同様にして、接続リードとして平坦な
平面の接続プレート９３、９４が使用されている。

【００２６】図５に示した第１の変形例においては、第
１の接続プレート９３は、第１の絶縁層１０と、第２の
ダイオード２２の第１の主電極４との間に配置され、２
つのダイオードの間の領域の側に延伸されている。これ
とは対照的に、第１のダイオード２１から見た場合、第
２の接続プレート９４は、第２の主接続部６の領域内に
おいて、コンタクトダイ８の後に配置されている。第２
の電気絶縁層１１は、第２の接続プレート９４と第２の
主接続部６との間に配置されるので、第２の接続プレー
ト９４は、第２の主接続部６から電気的に絶縁されてい
る。第２の接続プレート９４は第１の接続プレートと同
様に、２つのダイオード間の領域の側に延伸されてい
る。２つの接続プレート９３、９４は、コンタクトダイ
８１によって導電的に接続される。

【００２７】図６に示した第２の変形例において、図５
の２つの半導体チップが背中合せで直列に接続されてお
り、即ち直列回路内の第２のダイオード２２が反転した
極性を有している。これは第２のダイオード２２の第１
の主電極４は、図５と同様に第１の接続プレート９３上
にあるが、この第１の接続プレート９３が第１のダイオ
ードの方向ではなく、反対方向の側へ延伸して、コンタ
クトダイ８１を介して第２の主接続部６へ導電的に直接
接続されることにより達成される。第２のダイオード２
２の第２の主電極３は、コンタクトダイ８を介して第２
の接続プレート９４に導電的に接続されている。

【００２８】この実施形態は、電流が流れる部品が、互
いにできるだけ離れて置かれるという利点を有する。更
に、サブモジュールの上縁部に置かれた第２の接続プレ
ート９４の領域において、２つのダイオード間に外部接
点を容易に作ることができる。１つのサブモジュール内
における複数の半導体チップの直列接続によって、１つ
のサブモジュール内に単純な回路、例えば直列接続され
たダイオードを備えたＩＧＢＴによって形成される並列
回路を作ることができる。従来のサブモジュールを使用
して、単に２倍の高さでこのような回路を作ることがで
きる。

【００２９】図７は、上述した電力用半導体サブモジュ
ールを３つ備えた、本発明による電力用半導体モジュー
ルを示す。電力用半導体モジュール１は、導電性保護パ
ネル１３と導電性ベースプレート１２との間に圧入され
る。保護パネル及びベースプレートは、電気絶縁ハウジ
ング１４に取り付けられている。特に、このハウジング
はどのような過剰な接触圧力にも耐えるので、サブモジ
ュール内の半導体に過度に圧力が加わることはない。主
接続部６、７は、保護パネル及びベースプレートを介し
てサブモジュールに接続されている。例えばＩＧＢＴの
制御接続部又は直列接続された２つのダイオードの中心
点接続部６５などの、更なる接続部は、電力用半導体モ
ジュールの側面でハウジングから外へ貫通している。こ
のようなモジュールは、積層体への適用に特に適してい
る。上述したように、個々のサブモジュール内の半導体
チップが直列接続された結果、このモジュールを適用す
ることにより、積層体の高さが低減される。

【００３０】本発明の目的のために、直列回路という一
般的用語は、直列接続された逆極性の２つの構成要素を
も含むものとする（背中合せの直列回路）。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による電力用半導体サブモジュールの第
１の実施形態の断面図である。

【図２】図１に示すような電力用半導体サブモジュール
の第１の有利な変形例である。

【図３】図１に示すような電力用半導体サブモジュール
の第２の有利な変形例である。

【図４】本発明による電力用半導体サブモジュールの第
２の実施形態の断面図である。

【図５】本発明による電力用半導体サブモジュールの第
３の実施形態の第１の変形例の断面図である。

【図６】本発明による電力用半導体サブモジュールの第
３の実施形態の第２の変形例の断面図である。

【図７】本発明による電力用半導体モジュールの断面図
である。

【符号の説明】 １ 電力用半導体サブモジュール ２、２１、２２ 半導体チップ ３、４ 主電極 ５ ベースプレート ６、７ 主接続部 ８、８１ コンタクトダイ ９、９１、９２、９３、９４、９５ 接続リード、接続
プレート １０、１１ 絶縁層 １２、１３ ベースプレート、保護パネル １４ 絶縁ハウジング １５ 電力用半導体モジュール １６ 短絡故障モード（ＳＣＦＭ）層 ６５ 接続リード接続部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アミナ アミディ スイス ツェーハー−5400 バーデン チ ューリッヒャーシュトラーセ 20 (72)発明者 ルク メイセンク スイス ツェーハー−5405 バーデン−デ ットヴィル ツェルクヴェッヒ 20 (72)発明者 シュテファン カウフマン スイス ツェーハー−5000 アーラウ ヴ ィーセンシュトラーセ ６ ベー (72)発明者 パトリック エルネ スイス ツェーハー−8352 エルサウ イ ム ゲレン ５

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも２つの電極、即ち第１（４）
   及び第２の主電極（３）を有し、前記主電極に作用する
   コンタクトダイ（８）が、一方の主電極（４，３）と共
   にベースプレート（５）上に載置していることにより二
   つの主電極の他方（３，４）に加えられる接触力を備え
   た複数の半導体チップ（２，２１，２２）と、 前記ベースプレート（５）と電気的に相互作用し、かつ
   少なくとも１つの第１の半導体チップ（２１）の第１の
   主電極（４）に電気的に接続されている第１の主接続部
   （７）と、 前記第１の主電極（４）と共に前記ベースプレート
   （５）上に載置している少なくとも１つの第２の半導体
   チップ（２２）の第２の主電極（３）に電気的に接続さ
   れている、対応する前記コンタクトダイ（８）と電気的
   に相互作用する第２の主接続部（６）と、を有し、 前記第１の半導体チップ（２１）及び前記第２の半導体
   チップ（２２）が、前記第１の主接続部（７）と前記第
   ２の主接続部（６）との間で電気的に直列に接続されて
   いることを特徴とする、電力用半導体サブモジュール。
2. 【請求項２】 第１の電気絶縁層（１０）が、前記第２
   の半導体チップ（２２）の第１の主電極（４）と前記ベ
   ースプレート（５）との間に配置され、第２の電気絶縁
   層（１１）が、前記第１の半導体チップ（２１）の第２
   の主電極（３）と、対応する前記コンタクトダイ（８）
   との間に配置され、 前記第２の半導体チップ（２２）の第１の主電極（４）
   と、前記第１の半導体チップ（２１）の第２の主電極
   （３）とが、接続リード（９、９１、・・・、９５）を
   介して導電的に接続されていることを特徴とする、請求
   項１に記載の電力用半導体サブモジュール。
3. 【請求項３】 本質的に平坦な前記ベースプレート
   （５）が、前記半導体チップ（２１、２２）の領域にお
   いて異なる厚さを有し、 その結果、前記第１及び第２の半導体チップの各第１の
   主電極（４）が、前記ベースプレート（５）と平行な別
   個の平面内にあることを特徴とする、請求項２に記載の
   電力用半導体サブモジュール。
4. 【請求項４】 前記第２の半導体チップ（２２）の第１
   の主電極（４）及び前記第１の半導体チップ（２１）の
   第２の主電極（３）が、本質的に前記ベースプレート
   （５）と平行な平面内にあり、 前記接続リード（９）が、本質的に平坦で、且つ該平面
   内で伸びていることを特徴とする、請求項２に記載の電
   力用半導体サブモジュール。
5. 【請求項５】 本質的に平坦な前記ベースプレート
   （５）が、前記半導体チップ（２１、２２）の領域内で
   異なる厚さを有し、 その結果、前記第１及び第２の半導体チップの各第１の
   主電極（４）が、前記ベースプレート（５）と平行な別
   個の平面内にあることを特徴とする、請求項４に記載の
   電力用半導体サブモジュール。
6. 【請求項６】 前記第１の半導体チップ（２１）が、前
   記第２の主電極（３）と共に前記ベースプレート（５）
   上に載置しており、 第１の電気絶縁層（１０）が、前記第２の半導体チップ
   （２２）の第１の主電極（４）と前記ベースプレート
   （５）との間、及び前記第１の半導体チップ（２１）の
   第２の主電極（３）と前記ベースプレート（５）との間
   に、ベースプレート（５）上に配置され、 第２の電気絶縁層（１１）が、前記第１の半導体チップ
   （２１）の第１の主電極（４）と、対応する前記コンタ
   クトダイ（８）との間に配置され、 前記第２の半導体チップ（２２）の第１の主電極（４）
   と前記第１の半導体チップ（２１）の第２の主電極
   （３）とが、第１の接続リード（９１）を介して導電的
   に接続され、 前記第１の半導体チップ（２１）の第１の主電極（４）
   が、第２の接続リード（９２）を介して前記ベースプレ
   ート（５）に導電的に接続されていることを特徴とす
   る、請求項１に記載の電力用半導体サブモジュール。
7. 【請求項７】 前記接続リード（９、９１、９２）が、
   銅ボンディング接続（直接銅接合）及び／又は金属ケー
   ブル及び／又は金属ワイヤメッシュ及び／又は金属箔を
   含むことを特徴とする、請求項２に記載の電力用半導体
   サブモジュール。
8. 【請求項８】 前記接続リードが、 前記第２の半導体チップ（２２）の第１の主電極（４）
   と前記第１の絶縁層（１０）との間に配置されている第
   １の導電性接続プレート（９３）と、前記第１の半導体
   チップ（２１）の第２の主電極（３）と前記第２の絶縁
   層（１１）との間に配置された第２の導電性接続プレー
   ト（９４）と、 並びに、第１と第２の接続プレート（９３、９４）を導
   電的に接続し、且つ第１と第２のプレート（９３、９
   ４）の間に配置された接続層（９５）とを有することを
   特徴とする、請求項２に記載の電力用半導体サブモジュ
   ール。
9. 【請求項９】 前記第２の接続プレート（９４）、前記
   接続層（９５）、並びに前記第１の接続プレート（９
   ３）は、コンタクトダイ（８１）によって加えられる接
   触力を有することを特徴とする、請求項８に記載の電力
   用半導体サブモジュール。
10. 【請求項１０】 第１の電気絶縁層（１０）が、前記第
    ２の半導体チップ（２２）の第１の主電極（４）と前記
    ベースプレート（５）との間に配置され、 第２の電気絶縁層（１１）が、前記第２の主接続部
    （６）と、前記第１の半導体チップ（２１）の第２の主
    電極（３）に接触した前記コンタクトダイ（８）との間
    に配置され、 前記第２の半導体チップ（２２）の第１の主電極（４）
    又は第２の主電極（３）と、前記第１の半導体チップ
    （２１）の第２の主電極（３）に接触する前記コンタク
    トダイ（８）とが、接続リード（９３、９４）を介して
    導電的に接続されていることを特徴とする、請求項１に
    記載の電力用半導体サブモジュール。
11. 【請求項１１】 前記接続リードが、前記第２の半導体
    チップ（２２）の第１の主電極（４）と前記第１の絶縁
    層（１０）との間に配置された第１の導電性接続プレー
    ト（９３）と、 前記第１の半導体チップ（２１）の第２の主電極（３）
    に接触する前記コンタクトダイ（８）と、前記第２の絶
    縁層（１１）との間に配置された第２の導電性接続プレ
    ート（９４）と、 並びに、前記第１及び第２の接続プレート（９３、９
    ４）を導電的に接続するコンタクトダイ（８１）と、を
    有することを特徴とする、請求項１０に記載の電力用半
    導体サブモジュール。
12. 【請求項１２】 コンタクトダイ（８１）が、前記第２
    の半導体チップ（２２）の第１の主電極（４）と前記第
    １の絶縁層（１０）との間に配置された第１の導電性接
    続プレート（９３）を、前記第２の主接続部（６）に導
    電的に接続し、 前記接続リードが、 前記第１の半導体チップ（２１）の第２の主電極（３）
    に接触する前記コンタクトダイ（８）と、前記第２の絶
    縁層（１１）との間に配置された第２の導電性接続プレ
    ート（９４）と、 前記第２の半導体チップ（２２）の第２の主電極（３）
    と前記第２の接続プレート（９４）を導電的に接続する
    コンタクトダイ（８）とを有することを特徴とする、請
    求項１０に記載の電力用半導体サブモジュール。
13. 【請求項１３】 導電性ベースプレート（１２）及び導
    電性保護パネル（１３）と、 前記ベースプレートと前記保護パネルとの間に配置され
    た耐圧絶縁ハウジング（１４）と、 互いに並べて配置され、及び／又は並列に接続されてい
    る、請求項１から１２までのいずれか一項で請求された
    １つまたはそれ以上の電力用半導体サブモジュールと、
    を有し、 前記ベースプレート（１２）が、前記電力用半導体サブ
    モジュールの第１の主接続部（７）に導電的に接続され
    ており、前記保護パネル（１３）が、前記電力用半導体
    サブモジュールの第２の主接続部（６）に導電的に接続
    されていることを特徴とする、電力用半導体モジュール
    （１５）。