JP2003197976A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エネルギーの大きい紫外光等の短波長光によ
るコーティング材の劣化を防止でき、コーティング材の
劣化に起因する光度の減少や色調変化を生じることのな
いＬＥＤを実現する。 【解決手段】 ＬＥＤチップ搭載用の第１のリードフレ
ーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡
大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反
射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の
底面上に、主発光波長が４００ｎｍ以下のＬＥＤチップ
16をダイボンドにより接続固定すると共に、上記ＬＥＤ
チップ16の表面を透光性を備えた無機材料より成るコー
ティング材22で被覆・封止した。
るコーティング材の劣化を防止でき、コーティング材の
劣化に起因する光度の減少や色調変化を生じることのな
いＬＥＤを実現する。 【解決手段】 ＬＥＤチップ搭載用の第１のリードフレ
ーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡
大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反
射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の
底面上に、主発光波長が４００ｎｍ以下のＬＥＤチップ
16をダイボンドにより接続固定すると共に、上記ＬＥＤ
チップ16の表面を透光性を備えた無機材料より成るコー
ティング材22で被覆・封止した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、紫外光等の短波
長光を発光する発光ダイオードチップを備えた発光ダイ
オードに係り、特に、エネルギーの大きい短波長光によ
る発光ダイオードチップのコーティング材の劣化を防止
でき、コーティング材の劣化に起因する光度の減少、色
調変化を生じることのない発光ダイオードに関する。
長光を発光する発光ダイオードチップを備えた発光ダイ
オードに係り、特に、エネルギーの大きい短波長光によ
る発光ダイオードチップのコーティング材の劣化を防止
でき、コーティング材の劣化に起因する光度の減少、色
調変化を生じることのない発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に示すように、従来の発光ダイオー
ド（以下、ＬＥＤと称する）60は、発光ダイオードチッ
プ搭載用の第１のリードフレーム62に、その底面から上
方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を
設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ64
を形成し、該リフレクタ64の底面に、紫外光を発光する
発光ダイオードチップ（以下、ＬＥＤチップと称する）
66をダイボンドすることにより、上記第１のリードフレ
ーム62と、ＬＥＤチップ66底面の一方の電極（図示せ
ず）とを電気的に接続している。また、第２のリードフ
レーム68と、上記ＬＥＤチップ66上面の他方の電極（図
示せず）とをボンディングワイヤ70を介して電気的に接
続して成る。
ド（以下、ＬＥＤと称する）60は、発光ダイオードチッ
プ搭載用の第１のリードフレーム62に、その底面から上
方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を
設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ64
を形成し、該リフレクタ64の底面に、紫外光を発光する
発光ダイオードチップ（以下、ＬＥＤチップと称する）
66をダイボンドすることにより、上記第１のリードフレ
ーム62と、ＬＥＤチップ66底面の一方の電極（図示せ
ず）とを電気的に接続している。また、第２のリードフ
レーム68と、上記ＬＥＤチップ66上面の他方の電極（図
示せず）とをボンディングワイヤ70を介して電気的に接
続して成る。
【０００３】上記ＬＥＤチップ66の上面及び側面は、リ
フレクタ64内に充填された透光性エポキシ樹脂等のコー
ティング材72によって被覆・封止されており、また、上
記コーティング材72中には、ＬＥＤチップ66から発光さ
れた紫外光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の
蛍光体74が分散状態で混入されている。さらに、上記Ｌ
ＥＤチップ66、コーティング材72、第１のリードフレー
ム62及び第２のリードフレーム68の上端部は、透光性エ
ポキシ樹脂等より成り、先端に凸レンズ部76を有する外
装体78によって被覆・封止されている。
フレクタ64内に充填された透光性エポキシ樹脂等のコー
ティング材72によって被覆・封止されており、また、上
記コーティング材72中には、ＬＥＤチップ66から発光さ
れた紫外光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の
蛍光体74が分散状態で混入されている。さらに、上記Ｌ
ＥＤチップ66、コーティング材72、第１のリードフレー
ム62及び第２のリードフレーム68の上端部は、透光性エ
ポキシ樹脂等より成り、先端に凸レンズ部76を有する外
装体78によって被覆・封止されている。
【０００４】而して、上記第１のリードフレーム62及び
第２のリードフレーム68を介してＬＥＤチップ66に電圧
が印加されると、ＬＥＤチップ66が発光して紫外光が放
射され、該紫外光が上記コーティング材72中の蛍光体74
に照射されることにより、紫外光が所定色の可視光に波
長変換され、該可視光が外装体78の凸レンズ部76によっ
て集光されて外部へ放射されるようになっている。
第２のリードフレーム68を介してＬＥＤチップ66に電圧
が印加されると、ＬＥＤチップ66が発光して紫外光が放
射され、該紫外光が上記コーティング材72中の蛍光体74
に照射されることにより、紫外光が所定色の可視光に波
長変換され、該可視光が外装体78の凸レンズ部76によっ
て集光されて外部へ放射されるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の通り、従来のＬ
ＥＤ60にあっては、ＬＥＤチップ66を被覆・封止するコ
ーティング材72がエポキシ樹脂等の有機材料で構成され
ているが、この有機材料は、ＬＥＤチップ66から発光さ
れた紫外光の一部を吸収してしまい、その結果、エネル
ギーの大きい紫外光によってコーティング材72が劣化・
変色し、ＬＥＤ60の光度減少や色調の変化を生じさせて
いた。
ＥＤ60にあっては、ＬＥＤチップ66を被覆・封止するコ
ーティング材72がエポキシ樹脂等の有機材料で構成され
ているが、この有機材料は、ＬＥＤチップ66から発光さ
れた紫外光の一部を吸収してしまい、その結果、エネル
ギーの大きい紫外光によってコーティング材72が劣化・
変色し、ＬＥＤ60の光度減少や色調の変化を生じさせて
いた。
【０００６】この発明は、従来の上記問題点に鑑みて案
出されたものであり、その目的とするところは、エネル
ギーの大きい紫外光等の短波長光によるコーティング材
の劣化を防止でき、コーティング材の劣化に起因する光
度の減少や色調変化を生じることのないＬＥＤを実現す
ることにある。
出されたものであり、その目的とするところは、エネル
ギーの大きい紫外光等の短波長光によるコーティング材
の劣化を防止でき、コーティング材の劣化に起因する光
度の減少や色調変化を生じることのないＬＥＤを実現す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明に係る発光ダイオードは、基体の一面上に
ＬＥＤチップを配置すると共に、該ＬＥＤチップを透光
性を備えたコーティング材で被覆して成る発光ダイオー
ドにおいて、上記コーティング材を無機材料で構成した
ことを特徴とする。上記基体としては、例えば、リード
フレームが該当し、この場合、リードフレームに設けた
凹部内面を反射面と成して形成したリフレクタの底面上
に、上記ＬＥＤチップを配置すると共に、該ＬＥＤチッ
プを、上記リフレクタ内に充填した無機材料より成るコ
ーティング材で被覆すれば良い。尚、上記基体は、リー
ドフレームに限定されず、ＬＥＤチップを配置可能なあ
らゆる部材を含む。
め、この発明に係る発光ダイオードは、基体の一面上に
ＬＥＤチップを配置すると共に、該ＬＥＤチップを透光
性を備えたコーティング材で被覆して成る発光ダイオー
ドにおいて、上記コーティング材を無機材料で構成した
ことを特徴とする。上記基体としては、例えば、リード
フレームが該当し、この場合、リードフレームに設けた
凹部内面を反射面と成して形成したリフレクタの底面上
に、上記ＬＥＤチップを配置すると共に、該ＬＥＤチッ
プを、上記リフレクタ内に充填した無機材料より成るコ
ーティング材で被覆すれば良い。尚、上記基体は、リー
ドフレームに限定されず、ＬＥＤチップを配置可能なあ
らゆる部材を含む。
【０００８】本発明に係る発光ダイオードにあっては、
ＬＥＤチップを被覆するコーティング材が、短波長光を
殆ど吸収することがなく、また、短波長光を吸収したと
しても、分子結合力が強いため劣化することが殆どない
無機材料で構成したので、エネルギーの大きい短波長光
によるコーティング材の劣化・変色が防止され、コーテ
ィング材の劣化に起因したＬＥＤの光度減少や色調変化
を生じることがない。
ＬＥＤチップを被覆するコーティング材が、短波長光を
殆ど吸収することがなく、また、短波長光を吸収したと
しても、分子結合力が強いため劣化することが殆どない
無機材料で構成したので、エネルギーの大きい短波長光
によるコーティング材の劣化・変色が防止され、コーテ
ィング材の劣化に起因したＬＥＤの光度減少や色調変化
を生じることがない。
【０００９】上記無機材料としては、例えば、ガラスが
該当する。
該当する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき、本発明に係
るＬＥＤの実施形態を説明する。図１は、本発明に係る
第１のＬＥＤ10を示す断面図であり、この第１のＬＥＤ
10は、ＬＥＤチップ搭載用の第１のリードフレーム12
に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する
略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と
成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上
に、主発光波長が４００ｎｍ以下のＬＥＤチップ16をダ
イボンドにより接続固定し、以て、上記第１のリードフ
レーム12と、ＬＥＤチップ16底面の一方の電極（図示せ
ず）とを電気的に接続している。また、第２のリードフ
レーム18と、上記ＬＥＤチップ16上面の他方の電極（図
示せず）とをボンディングワイヤ20を介して電気的に接
続して成る。上記ＬＥＤチップ16は、例えば、窒化ガリ
ウム系半導体結晶で構成することができる。
るＬＥＤの実施形態を説明する。図１は、本発明に係る
第１のＬＥＤ10を示す断面図であり、この第１のＬＥＤ
10は、ＬＥＤチップ搭載用の第１のリードフレーム12
に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する
略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と
成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上
に、主発光波長が４００ｎｍ以下のＬＥＤチップ16をダ
イボンドにより接続固定し、以て、上記第１のリードフ
レーム12と、ＬＥＤチップ16底面の一方の電極（図示せ
ず）とを電気的に接続している。また、第２のリードフ
レーム18と、上記ＬＥＤチップ16上面の他方の電極（図
示せず）とをボンディングワイヤ20を介して電気的に接
続して成る。上記ＬＥＤチップ16は、例えば、窒化ガリ
ウム系半導体結晶で構成することができる。
【００１１】上記ＬＥＤチップ16の上面及び側面は、リ
フレクタ14内に充填されたコーティング材22によって被
覆・封止されており、また、該コーティング材22中に
は、上記ＬＥＤチップ16から発光された４００ｎｍ以下
の紫外光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍
光体24が分散状態で混入されている。もっとも上記蛍光
体24は、紫外光を可視光に変換するものだけに限定され
ず、要するに、ＬＥＤチップ16の発光を所定波長の光に
変換できるものであれば良い。上記蛍光体24としては、
例えば以下の組成のものを用いることができる。赤色可
視光に変換する赤色蛍光体として、例えばＹ（ＰＶ）Ｏ
4：Ｅｕ、ＹＶＯ4：Ｅｕ、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ
２・ＧｅＯ２：Ｍｇ、（ＳｒＭｇ）3（ＰＯ4）：Ｓｎ、
Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＯ３：Ｐｂ，Ｍｎ、Ｙ２Ｏ２
Ｓ：Ｅｕ等が挙げられ、これら１種若しくは２種以上の
混合物として使用される。緑色可視光に変換する緑色蛍
光体として、例えばＺｎ２ＳｉＯ4：Ｍｎ、（ＣｅＴｂ
Ｍｎ）ＭｇＡｌ１１Ｏ１９、ＬａＰＯ4：Ｃｅ，Ｔｂ、
（ＣｅＴｂ）ＭｇＡｌ１１Ｏ１９、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃ
ｅ，Ｔｂ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ：Ａｕ：
Ａｌ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ：Ａｌ、ＳｒＡｌ
２Ｏ４：Ｅｕ，Ｄｙ、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ，Ｄ
ｙ等が挙げられ、これら１種若しくは２種以上の混合物
として使用される。更に、青色可視光に変換する青色蛍
光体としては、（ＳｒＭｇ）２Ｐ２Ｏ7：Ｅｕ、Ｓｒ２
Ｐ２Ｏ7：Ｅｕ、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｓｎ、Ｓｒ５（Ｐ
Ｏ4）３Ｃｌ：Ｅｕ、（ＳｒＣａＢａ）５（ＰＯ4）３Ｃ
ｌ：Ｅｕ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ、ＣａＷＯ
4、ＣａＷＯ4：Ｐｂ青色蛍光体、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ等が挙げられ、これら１種若しくは
２種以上の混合物として使用される。これら３色の蛍光
体を適宜選択・混合して用いることで、種々の色の発色
が可能となる。
フレクタ14内に充填されたコーティング材22によって被
覆・封止されており、また、該コーティング材22中に
は、上記ＬＥＤチップ16から発光された４００ｎｍ以下
の紫外光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍
光体24が分散状態で混入されている。もっとも上記蛍光
体24は、紫外光を可視光に変換するものだけに限定され
ず、要するに、ＬＥＤチップ16の発光を所定波長の光に
変換できるものであれば良い。上記蛍光体24としては、
例えば以下の組成のものを用いることができる。赤色可
視光に変換する赤色蛍光体として、例えばＹ（ＰＶ）Ｏ
4：Ｅｕ、ＹＶＯ4：Ｅｕ、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ
２・ＧｅＯ２：Ｍｇ、（ＳｒＭｇ）3（ＰＯ4）：Ｓｎ、
Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＯ３：Ｐｂ，Ｍｎ、Ｙ２Ｏ２
Ｓ：Ｅｕ等が挙げられ、これら１種若しくは２種以上の
混合物として使用される。緑色可視光に変換する緑色蛍
光体として、例えばＺｎ２ＳｉＯ4：Ｍｎ、（ＣｅＴｂ
Ｍｎ）ＭｇＡｌ１１Ｏ１９、ＬａＰＯ4：Ｃｅ，Ｔｂ、
（ＣｅＴｂ）ＭｇＡｌ１１Ｏ１９、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃ
ｅ，Ｔｂ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ：Ａｕ：
Ａｌ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ：Ａｌ、ＳｒＡｌ
２Ｏ４：Ｅｕ，Ｄｙ、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ，Ｄ
ｙ等が挙げられ、これら１種若しくは２種以上の混合物
として使用される。更に、青色可視光に変換する青色蛍
光体としては、（ＳｒＭｇ）２Ｐ２Ｏ7：Ｅｕ、Ｓｒ２
Ｐ２Ｏ7：Ｅｕ、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｓｎ、Ｓｒ５（Ｐ
Ｏ4）３Ｃｌ：Ｅｕ、（ＳｒＣａＢａ）５（ＰＯ4）３Ｃ
ｌ：Ｅｕ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ、ＣａＷＯ
4、ＣａＷＯ4：Ｐｂ青色蛍光体、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ等が挙げられ、これら１種若しくは
２種以上の混合物として使用される。これら３色の蛍光
体を適宜選択・混合して用いることで、種々の色の発色
が可能となる。
【００１２】上記コーティング材22は、ガラス等の無機
材料で構成されている。この無機材料は、エポキシ樹脂
等の有機材料とは異なり、紫外光等のエネルギーの大き
い短波長光を殆ど吸収することがなく、また、短波長光
を吸収したとしても、分子結合力が強いため劣化するこ
とが殆どない。尚、短波長光としては、４００ｎｍ以下
の紫外光のみに限定されず、例えば４１０ｎｍの青色可
視光等、４００ｎｍ近傍の可視光も含まれる。
材料で構成されている。この無機材料は、エポキシ樹脂
等の有機材料とは異なり、紫外光等のエネルギーの大き
い短波長光を殆ど吸収することがなく、また、短波長光
を吸収したとしても、分子結合力が強いため劣化するこ
とが殆どない。尚、短波長光としては、４００ｎｍ以下
の紫外光のみに限定されず、例えば４１０ｎｍの青色可
視光等、４００ｎｍ近傍の可視光も含まれる。
【００１３】コーティング材22をガラスで構成する場合
には、比較的低温でのガラス合成が可能なゾルゲル法を
用いて作製される、いわゆるゾルゲルガラスを用いるこ
とができる。ゾルゲル法は、例えば、金属アルコキシド
や金属アセチルアセトネート、金属カルボキシレート等
の金属有機化合物の加水分解、重合反応を利用して金属
−酸素の結合からできた重合体を作るものである。例え
ば、一般式M(OR)n（M:金属元素、R:アルキル基、ｎ：金
属の酸化数）の金属有機化合物、水（加水分解のた
め）、溶媒としてメタノール、DMF（ヂメチルフォルム
アミド）、加水分解・重合反応の調整剤としてアンモニ
アなどを調合した均質な透明なゾル溶液を作り、このゾ
ル溶液を加水分解、重合反応させることにより、ゲル化
し、硬いガラス状の無機質膜形成が生じてゾルゲルガラ
スが形成される。アルキル基（Ｒ）等の組成を適宜選定
することにより、コーティング材22に適したゾルゲルガ
ラスが得られる。
には、比較的低温でのガラス合成が可能なゾルゲル法を
用いて作製される、いわゆるゾルゲルガラスを用いるこ
とができる。ゾルゲル法は、例えば、金属アルコキシド
や金属アセチルアセトネート、金属カルボキシレート等
の金属有機化合物の加水分解、重合反応を利用して金属
−酸素の結合からできた重合体を作るものである。例え
ば、一般式M(OR)n（M:金属元素、R:アルキル基、ｎ：金
属の酸化数）の金属有機化合物、水（加水分解のた
め）、溶媒としてメタノール、DMF（ヂメチルフォルム
アミド）、加水分解・重合反応の調整剤としてアンモニ
アなどを調合した均質な透明なゾル溶液を作り、このゾ
ル溶液を加水分解、重合反応させることにより、ゲル化
し、硬いガラス状の無機質膜形成が生じてゾルゲルガラ
スが形成される。アルキル基（Ｒ）等の組成を適宜選定
することにより、コーティング材22に適したゾルゲルガ
ラスが得られる。
【００１４】上記ＬＥＤチップ16、コーティング材22、
第１のリードフレーム12及び第２のリードフレーム18の
上端部は、透光性エポキシ樹脂等より成り、先端に凸レ
ンズ部26を有する外装体28によって被覆・封止されてい
る。
第１のリードフレーム12及び第２のリードフレーム18の
上端部は、透光性エポキシ樹脂等より成り、先端に凸レ
ンズ部26を有する外装体28によって被覆・封止されてい
る。
【００１５】而して、上記第１のリードフレーム12及び
第２のリードフレーム18を介してＬＥＤチップ16に電圧
が印加されると、ＬＥＤチップ16が発光して紫外光が放
射され、該紫外光が上記コーティング材22中の蛍光体24
に照射されることにより、紫外光が所定色の可視光に波
長変換され、該可視光が外装体28の凸レンズ部26によっ
て集光されて外部へ放射されるのである。
第２のリードフレーム18を介してＬＥＤチップ16に電圧
が印加されると、ＬＥＤチップ16が発光して紫外光が放
射され、該紫外光が上記コーティング材22中の蛍光体24
に照射されることにより、紫外光が所定色の可視光に波
長変換され、該可視光が外装体28の凸レンズ部26によっ
て集光されて外部へ放射されるのである。
【００１６】本発明の第１のＬＥＤ10にあっては、ＬＥ
Ｄチップ16の表面（上面及び側面）を被覆・封止するコ
ーティング材22を、無機材料で構成したことから、ＬＥ
Ｄチップ16から発光された紫外光を吸収することが殆ど
なく、また、紫外光を吸収したとしても、分子結合力が
強いため劣化することが殆どない。従って、エネルギー
の大きい紫外光によるコーティング材22の劣化・変色が
防止され、コーティング材22の劣化に起因したＬＥＤ10
の光度減少や色調変化を生じることがない。
Ｄチップ16の表面（上面及び側面）を被覆・封止するコ
ーティング材22を、無機材料で構成したことから、ＬＥ
Ｄチップ16から発光された紫外光を吸収することが殆ど
なく、また、紫外光を吸収したとしても、分子結合力が
強いため劣化することが殆どない。従って、エネルギー
の大きい紫外光によるコーティング材22の劣化・変色が
防止され、コーティング材22の劣化に起因したＬＥＤ10
の光度減少や色調変化を生じることがない。
【００１７】図２は、本発明に係る第２のＬＥＤ30を示
すものであり、この第２のＬＥＤ30は、上記第１のＬＥ
Ｄ10のように蛍光体24をコーティング材22中に混入せ
ず、ＬＥＤチップ16を被覆・封止するコーティング材22
の表面上に、ＬＥＤチップ16から発光された紫外光を所
定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体層32を被
着形成した点に特徴を有するものであり、その他の構成
は上記第１のＬＥＤ10と実質的に同一である。この第２
のＬＥＤ30にあっては、第１のリードフレーム12及び第
２のリードフレーム18を介してＬＥＤチップ16に電圧が
印加されると、ＬＥＤチップ16が発光して紫外光が放射
され、該紫外光が上記コーティング材22の表面上に被着
された蛍光体層32に照射されることにより、紫外光が所
定色の可視光に波長変換され、該可視光が外装体28の凸
レンズ部26によって集光されて外部へ放射されるのであ
る。
すものであり、この第２のＬＥＤ30は、上記第１のＬＥ
Ｄ10のように蛍光体24をコーティング材22中に混入せ
ず、ＬＥＤチップ16を被覆・封止するコーティング材22
の表面上に、ＬＥＤチップ16から発光された紫外光を所
定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体層32を被
着形成した点に特徴を有するものであり、その他の構成
は上記第１のＬＥＤ10と実質的に同一である。この第２
のＬＥＤ30にあっては、第１のリードフレーム12及び第
２のリードフレーム18を介してＬＥＤチップ16に電圧が
印加されると、ＬＥＤチップ16が発光して紫外光が放射
され、該紫外光が上記コーティング材22の表面上に被着
された蛍光体層32に照射されることにより、紫外光が所
定色の可視光に波長変換され、該可視光が外装体28の凸
レンズ部26によって集光されて外部へ放射されるのであ
る。
【００１８】上記第２のＬＥＤ30において、コーティン
グ材22の表面上に蛍光体層32を被着形成したのはＬＥＤ
の光度の向上を図るためである。すなわち、上記第１の
ＬＥＤ10のように、蛍光体24がコーティング材22中に分
散状態で混入されている場合には、ＬＥＤチップ16から
放射された紫外光の一部が蛍光体24に当たらずにコーテ
ィング材22外部へ出射してしまうことがあるため、紫外
光から可視光への変換効率が良好でないと共に、コーテ
ィング材22内部の蛍光体24に当たって紫外光から変換さ
れた可視光の一部が、コーティング材22内部を透過して
コーティング材22外部へ出射するまでの間に他の蛍光体
24に当たって吸収されてしまうことがあり、その結果、
ＬＥＤの光度が不十分となる場合がある。また、蛍光体
24に当たらずにコーティング材22外部へ出射した紫外光
によって、透光性エポキシ樹脂等の有機材料で構成され
た外装体28が劣化する恐れもある。これに対し本発明に
係る第２のＬＥＤ30にあっては、コーティング材22の表
面上に蛍光体層32を被着形成したので、ＬＥＤチップ16
から放射されてコーティング材22を透過する紫外光は、
コーティング材22表面の蛍光体層32に必ず当たるため、
紫外光から可視光への変換効率が高くなり、また、蛍光
体層32で変換された可視光は、直ちに蛍光体層32を出射
して外装体28内部へ入射するため、可視光の取出し効率
も向上する。この結果、第２のＬＥＤ30は、上記第１の
ＬＥＤ10に比べてその光度を格段に向上させることがで
きる。また、上記の通り、紫外光から可視光への変換効
率が高くなるため、可視光へ変換されない紫外光によっ
て、有機材料で構成された外装体28が劣化することも防
止できる。
グ材22の表面上に蛍光体層32を被着形成したのはＬＥＤ
の光度の向上を図るためである。すなわち、上記第１の
ＬＥＤ10のように、蛍光体24がコーティング材22中に分
散状態で混入されている場合には、ＬＥＤチップ16から
放射された紫外光の一部が蛍光体24に当たらずにコーテ
ィング材22外部へ出射してしまうことがあるため、紫外
光から可視光への変換効率が良好でないと共に、コーテ
ィング材22内部の蛍光体24に当たって紫外光から変換さ
れた可視光の一部が、コーティング材22内部を透過して
コーティング材22外部へ出射するまでの間に他の蛍光体
24に当たって吸収されてしまうことがあり、その結果、
ＬＥＤの光度が不十分となる場合がある。また、蛍光体
24に当たらずにコーティング材22外部へ出射した紫外光
によって、透光性エポキシ樹脂等の有機材料で構成され
た外装体28が劣化する恐れもある。これに対し本発明に
係る第２のＬＥＤ30にあっては、コーティング材22の表
面上に蛍光体層32を被着形成したので、ＬＥＤチップ16
から放射されてコーティング材22を透過する紫外光は、
コーティング材22表面の蛍光体層32に必ず当たるため、
紫外光から可視光への変換効率が高くなり、また、蛍光
体層32で変換された可視光は、直ちに蛍光体層32を出射
して外装体28内部へ入射するため、可視光の取出し効率
も向上する。この結果、第２のＬＥＤ30は、上記第１の
ＬＥＤ10に比べてその光度を格段に向上させることがで
きる。また、上記の通り、紫外光から可視光への変換効
率が高くなるため、可視光へ変換されない紫外光によっ
て、有機材料で構成された外装体28が劣化することも防
止できる。
【００１９】図３は、本発明に係る表面実装型の第３の
ＬＥＤ40を示すものである。この第３のＬＥＤ40は、樹
脂等より成る略直方体形状の絶縁基板42と、ＬＥＤチッ
プ搭載用の第１のリードフレーム44と、第２のリードフ
レーム46を備えており、上記第１のリードフレーム44
は、上記絶縁基板42の表面から一方の側面を通って裏面
に至るまで延設され、また、第２のリードフレーム46
は、上記絶縁基板42の表面から他方の側面を通って裏面
に至るまで延設されている。上記第１のリードフレーム
44と第２のリードフレーム46の先端間及び後端間にはそ
れぞれ所定の間隙が設けられていて相互に電気絶縁され
ている。
ＬＥＤ40を示すものである。この第３のＬＥＤ40は、樹
脂等より成る略直方体形状の絶縁基板42と、ＬＥＤチッ
プ搭載用の第１のリードフレーム44と、第２のリードフ
レーム46を備えており、上記第１のリードフレーム44
は、上記絶縁基板42の表面から一方の側面を通って裏面
に至るまで延設され、また、第２のリードフレーム46
は、上記絶縁基板42の表面から他方の側面を通って裏面
に至るまで延設されている。上記第１のリードフレーム
44と第２のリードフレーム46の先端間及び後端間にはそ
れぞれ所定の間隙が設けられていて相互に電気絶縁され
ている。
【００２０】上記第１のリードフレーム44の先端部に
は、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する
略漏斗形状の凹部内面を反射面と成して形成したリフレ
クタ48が設けられており、該リフレクタ48の底面上に、
ＬＥＤチップ16をダイボンドにより接続固定することに
より、第１のリードフレーム44と、ＬＥＤチップ16底面
の一方の電極とが電気的に接続されている。また、第２
のリードフレーム46と、上記ＬＥＤチップ16上面の他方
の電極とがボンディングワイヤ20を介して電気的に接続
されている。
は、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する
略漏斗形状の凹部内面を反射面と成して形成したリフレ
クタ48が設けられており、該リフレクタ48の底面上に、
ＬＥＤチップ16をダイボンドにより接続固定することに
より、第１のリードフレーム44と、ＬＥＤチップ16底面
の一方の電極とが電気的に接続されている。また、第２
のリードフレーム46と、上記ＬＥＤチップ16上面の他方
の電極とがボンディングワイヤ20を介して電気的に接続
されている。
【００２１】上記ＬＥＤチップ16の上面及び側面は、上
記第２のＬＥＤ30と同様に、リフレクタ48内に充填され
たコーティング材22によって被覆・封止されると共に、
該コーティング材22の表面上に、ＬＥＤチップ16から発
光された紫外光を所定波長の可視光に変換する波長変換
用の蛍光体層32が被着形成されている。さらに、上記Ｌ
ＥＤチップ16、コーティング材22、蛍光体層32、絶縁基
板42表面に配置された第１のリードフレーム44及び第２
のリードフレーム46は、透光性エポキシ樹脂等より成
り、先端に凸レンズ部50を有する外装体52によって被覆
・封止されている。
記第２のＬＥＤ30と同様に、リフレクタ48内に充填され
たコーティング材22によって被覆・封止されると共に、
該コーティング材22の表面上に、ＬＥＤチップ16から発
光された紫外光を所定波長の可視光に変換する波長変換
用の蛍光体層32が被着形成されている。さらに、上記Ｌ
ＥＤチップ16、コーティング材22、蛍光体層32、絶縁基
板42表面に配置された第１のリードフレーム44及び第２
のリードフレーム46は、透光性エポキシ樹脂等より成
り、先端に凸レンズ部50を有する外装体52によって被覆
・封止されている。
【００２２】上記第３のＬＥＤ40にあっては、第１のリ
ードフレーム44及び第２のリードフレーム46を介してＬ
ＥＤチップ16に電圧が印加されると、ＬＥＤチップ16が
発光して紫外光が放射され、該紫外光が上記コーティン
グ材22の表面上に被着された蛍光体層32に照射されるこ
とにより、紫外光が所定色の可視光に波長変換され、該
可視光が外装体52の凸レンズ部50によって集光されて外
部へ放射されるのである。また、この第３のＬＥＤ40
は、絶縁基板42の裏面が平坦面であるため、絶縁基板42
裏面に配設された第１のリードフレーム44及び第２のリ
ードフレーム46をハンダ付けすることによって、図示し
ない回路基板への表面実装が可能である。
ードフレーム44及び第２のリードフレーム46を介してＬ
ＥＤチップ16に電圧が印加されると、ＬＥＤチップ16が
発光して紫外光が放射され、該紫外光が上記コーティン
グ材22の表面上に被着された蛍光体層32に照射されるこ
とにより、紫外光が所定色の可視光に波長変換され、該
可視光が外装体52の凸レンズ部50によって集光されて外
部へ放射されるのである。また、この第３のＬＥＤ40
は、絶縁基板42の裏面が平坦面であるため、絶縁基板42
裏面に配設された第１のリードフレーム44及び第２のリ
ードフレーム46をハンダ付けすることによって、図示し
ない回路基板への表面実装が可能である。
【００２３】上記実施形態においては、ＬＥＤチップ16
の表面をコーティング材22で被覆・封止した上で、さら
に透光性エポキシ樹脂等の有機材料で構成された外装体
28，52でＬＥＤチップ16を封止している場合を例に挙げ
て説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば、上
記外装体28，52をコーティング材22と同じ無機材料で構
成しても良い。また、上記実施形態においては、リフレ
クタ14内に充填したコーティング材22の上端部が、リフ
レクタ14の上端より下方に配置されている場合を例に挙
げて説明したが、本発明はこれに限定されず、コーティ
ング材22の上端部をリフレクタ14外へ突出させ、コーテ
ィング材22の上端部を、リフレクタ14の上端より上方に
配置させても良い。
の表面をコーティング材22で被覆・封止した上で、さら
に透光性エポキシ樹脂等の有機材料で構成された外装体
28，52でＬＥＤチップ16を封止している場合を例に挙げ
て説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば、上
記外装体28，52をコーティング材22と同じ無機材料で構
成しても良い。また、上記実施形態においては、リフレ
クタ14内に充填したコーティング材22の上端部が、リフ
レクタ14の上端より下方に配置されている場合を例に挙
げて説明したが、本発明はこれに限定されず、コーティ
ング材22の上端部をリフレクタ14外へ突出させ、コーテ
ィング材22の上端部を、リフレクタ14の上端より上方に
配置させても良い。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係る発光ダイオードにあって
は、ＬＥＤチップを被覆するコーティング材を無機材料
で構成したので、該コーティング材が、ＬＥＤチップか
ら発光される紫外光等の短波長光を殆ど吸収することが
なく、また、短波長光を吸収したとしても、無機材料は
分子結合力が強いため劣化することが殆どない。従っ
て、エネルギーの大きい短波長光によるコーティング材
の劣化・変色が防止され、コーティング材の劣化に起因
したＬＥＤの光度減少や色調変化を生じることがない。
は、ＬＥＤチップを被覆するコーティング材を無機材料
で構成したので、該コーティング材が、ＬＥＤチップか
ら発光される紫外光等の短波長光を殆ど吸収することが
なく、また、短波長光を吸収したとしても、無機材料は
分子結合力が強いため劣化することが殆どない。従っ
て、エネルギーの大きい短波長光によるコーティング材
の劣化・変色が防止され、コーティング材の劣化に起因
したＬＥＤの光度減少や色調変化を生じることがない。
【図１】本発明に係る第１のＬＥＤの断面図である。
【図２】本発明に係る第２のＬＥＤの断面図である。
【図３】本発明に係る第３のＬＥＤの断面図である。
【図４】従来のＬＥＤランプの断面図である。
10 第１のＬＥＤ
12，44 第１のリードフレーム
14，48 リフレクタ
16 ＬＥＤチップ
18，46 第２のリードフレーム
22 コーティング材
24 蛍光体
28，52 外装体
30 第２のＬＥＤ
32 蛍光体層
40 第３のＬＥＤ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 加藤 陽弘
東京都世田谷区三軒茶屋２−46−３ 岡谷
電機産業株式会社東京事業所内
Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA02 DA02 EC11
GA01
5F041 AA11 AA44 CA40 DA18 DA26
DA47 DA58 DA74 DA77 DB01
DC22 EE25
Claims (3)
- 【請求項１】 基体の一面上にＬＥＤチップを配置する
と共に、該ＬＥＤチップを透光性を備えたコーティング
材で被覆して成る発光ダイオードにおいて、上記コーテ
ィング材を無機材料で構成したことを特徴とする発光ダ
イオード。 - 【請求項２】 上記基体が、リードフレームであり、該
リードフレームに設けた凹部内面を反射面と成して形成
したリフレクタの底面上に、上記ＬＥＤチップを配置す
ると共に、該ＬＥＤチップを、上記リフレクタ内に充填
した無機材料より成るコーティング材で被覆したことを
特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。 - 【請求項３】 上記無機材料が、ガラスであることを特
徴とする請求項１又は２に記載の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001396258A JP2003197976A (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001396258A JP2003197976A (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197976A true JP2003197976A (ja) | 2003-07-11 |
Family
ID=27602398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001396258A Pending JP2003197976A (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003197976A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005124878A1 (ja) * | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 白色発光ダイオード及びその製造方法 |
| WO2008023746A1 (fr) | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, LIQUIDE POUR FORMER UN ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET LIQUIDE POUR FORMER UN ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LE PROCÉ |
| JP2010003780A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| US7859006B2 (en) | 2005-02-23 | 2010-12-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light emitting device member, method for manufacturing such semiconductor light emitting device member and semiconductor light emitting device using such semiconductor light emitting device member |
| US7928457B2 (en) | 2005-09-22 | 2011-04-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Member for semiconductor light emitting device and method for manufacturing such member, and semiconductor light emitting device using such member |
| WO2013099193A1 (ja) | 2011-12-26 | 2013-07-04 | コニカミノルタ株式会社 | Ｌｅｄ装置用封止剤、ｌｅｄ装置、及びｌｅｄ装置の製造方法 |
| JP2017168620A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 豊田合成株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0178059U (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-25 | ||
| JPH11233832A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオードの形成方法 |
| JPH11298047A (ja) * | 1998-04-13 | 1999-10-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2000349340A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2000349346A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2001119067A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2001253294A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | 車両用メータの直接照明装置及びメータレンズ |
| JP2001352101A (ja) * | 2000-06-06 | 2001-12-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001396258A patent/JP2003197976A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0178059U (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-25 | ||
| JPH11233832A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオードの形成方法 |
| JPH11298047A (ja) * | 1998-04-13 | 1999-10-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2000349340A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2000349346A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2001119067A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2001253294A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | 車両用メータの直接照明装置及びメータレンズ |
| JP2001352101A (ja) * | 2000-06-06 | 2001-12-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005124878A1 (ja) * | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 白色発光ダイオード及びその製造方法 |
| US7859006B2 (en) | 2005-02-23 | 2010-12-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light emitting device member, method for manufacturing such semiconductor light emitting device member and semiconductor light emitting device using such semiconductor light emitting device member |
| US8759840B2 (en) | 2005-02-23 | 2014-06-24 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor light emitting device member, method for manufacturing such semiconductor light emitting device member and semiconductor light emitting device using such semiconductor light emitting device member |
| US7928457B2 (en) | 2005-09-22 | 2011-04-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Member for semiconductor light emitting device and method for manufacturing such member, and semiconductor light emitting device using such member |
| WO2008023746A1 (fr) | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, LIQUIDE POUR FORMER UN ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET LIQUIDE POUR FORMER UN ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LE PROCÉ |
| US8502364B2 (en) | 2006-08-22 | 2013-08-06 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor device member, production method of semiconductor-device-member formation liquid and semiconductor device member, and semiconductor-device-member formation liquid, phosphor composition, semiconductor light-emitting device, lighting system and image display system using the same |
| JP2010003780A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| WO2013099193A1 (ja) | 2011-12-26 | 2013-07-04 | コニカミノルタ株式会社 | Ｌｅｄ装置用封止剤、ｌｅｄ装置、及びｌｅｄ装置の製造方法 |
| JP2017168620A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 豊田合成株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
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