JP2003207306A - 指紋センサー用容量性ピクセル - Google Patents
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- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 改良した指紋検知装置を提供する。
【解決手段】 電気的にフロートしたコンデンサプレー
トがその上側に指紋検知表面を具備する検知用コンデン
サを画定している。基準電圧パルスが電荷積分器の入力
ノードへ容量的に結合されているフローティングプレー
トへ容量的に結合されているピクセル入力ノードへ選択
的に印加される。検知動作期間中、電荷積分器が検知用
コンデンサの可変容量の関数であるピクセル出力信号を
発生し、それはフローティングプレートの直上に表われ
る指紋の山又は谷の特性に対応している。
トがその上側に指紋検知表面を具備する検知用コンデン
サを画定している。基準電圧パルスが電荷積分器の入力
ノードへ容量的に結合されているフローティングプレー
トへ容量的に結合されているピクセル入力ノードへ選択
的に印加される。検知動作期間中、電荷積分器が検知用
コンデンサの可変容量の関数であるピクセル出力信号を
発生し、それはフローティングプレートの直上に表われ
る指紋の山又は谷の特性に対応している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大略、半導体指紋
検知器に関するものであって、更に詳細には、検知表面
に押圧されている指の指紋パターンを検知するために使
用される容量性要素における改良に関するものである。
検知器に関するものであって、更に詳細には、検知表面
に押圧されている指の指紋パターンを検知するために使
用される容量性要素における改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】容量性距離センサーが本出願人に譲渡さ
れている発明者がＴａｒｔａｇｎｉｅｔ ａｌ．の米国
特許第６，１１４，８６２号において開示されており、
その特許の開示内容を引用によって本明細書に取込む。
該Ｔａｒｔａｇｎｉ ｅｔａｌ．特許は、フリンジ容量
性検知技術を開示しており、その場合に、センサーセル
即ち「ピクセル」セルからなる二次元アレイにおける多
数のセル位置の各々における検知表面のすぐ下側に２個
の並置したコンデンサプレートが配設されている。各ピ
クセルセルの並置したコンデンサプレートは検知表面に
近い皮膚の存在によって変調される実効フィードバック
容量を有しているフィードバック回路の一部を形成す
る。
れている発明者がＴａｒｔａｇｎｉｅｔ ａｌ．の米国
特許第６，１１４，８６２号において開示されており、
その特許の開示内容を引用によって本明細書に取込む。
該Ｔａｒｔａｇｎｉ ｅｔａｌ．特許は、フリンジ容量
性検知技術を開示しており、その場合に、センサーセル
即ち「ピクセル」セルからなる二次元アレイにおける多
数のセル位置の各々における検知表面のすぐ下側に２個
の並置したコンデンサプレートが配設されている。各ピ
クセルセルの並置したコンデンサプレートは検知表面に
近い皮膚の存在によって変調される実効フィードバック
容量を有しているフィードバック回路の一部を形成す
る。
【０００３】Ｔａｒｔａｇｎｉ ｅｔ ａｌ．特許にお
いて開示されている技術はアクティブ即ち能動検知技術
であって、各ピクセルセルからの信号の検知及び出力信
号の発生を助けるために各ピクセル位置においてトラン
ジスタ回路が使用されている。受動容量性センサーセル
も従来公知であり、例えば、米国特許第４，３５３，０
５６号に開示されている。
いて開示されている技術はアクティブ即ち能動検知技術
であって、各ピクセルセルからの信号の検知及び出力信
号の発生を助けるために各ピクセル位置においてトラン
ジスタ回路が使用されている。受動容量性センサーセル
も従来公知であり、例えば、米国特許第４，３５３，０
５６号に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点に
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し改良した指紋検知技術を提供することを目的
とする。
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し改良した指紋検知技術を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、指紋検知装置
用の改良した容量性ピクセルを提供している。ソリッド
ステートピクセル構成体においてアクティブ即ち能動的
検知技術を使用しており、それは検知表面に押し当てた
ユーザの指の指紋の電界電位を直接的に検知する。検知
表面の下側にフローティングコンデンサプレートが配設
されており、ユーザの指の皮膚と共に検知用コンデンサ
を画定する。該検知用コンデンサの容量は検知表面に対
する皮膚の近接度と共に変化し、従って指紋の山は指紋
の谷よりもより高い容量を発生する。第一及び第二カッ
プリングコンデンサプレートがフローティングコンデン
サプレートの下側に配設されており、第一及び第二カッ
プリングコンデンサを画定する。これらのカップリング
コンデンサは基準電圧供給源と電荷積分器への入力との
間に直列接続されている。基準電圧信号がピクセルへ印
加されると、電荷積分器が検知用コンデンサの容量の関
数である出力信号を発生する。
用の改良した容量性ピクセルを提供している。ソリッド
ステートピクセル構成体においてアクティブ即ち能動的
検知技術を使用しており、それは検知表面に押し当てた
ユーザの指の指紋の電界電位を直接的に検知する。検知
表面の下側にフローティングコンデンサプレートが配設
されており、ユーザの指の皮膚と共に検知用コンデンサ
を画定する。該検知用コンデンサの容量は検知表面に対
する皮膚の近接度と共に変化し、従って指紋の山は指紋
の谷よりもより高い容量を発生する。第一及び第二カッ
プリングコンデンサプレートがフローティングコンデン
サプレートの下側に配設されており、第一及び第二カッ
プリングコンデンサを画定する。これらのカップリング
コンデンサは基準電圧供給源と電荷積分器への入力との
間に直列接続されている。基準電圧信号がピクセルへ印
加されると、電荷積分器が検知用コンデンサの容量の関
数である出力信号を発生する。
【０００６】従って、高い分解能の指紋画像をキャプチ
ャ即ち捕獲することを可能とするためにピクセルからな
るアレイ内にコンパクトなピクセル構成体を設けること
が可能である。該構成体は高い信号対雑音レベル応答を
与え且つ寄生容量効果に対して比較的影響されない。
ャ即ち捕獲することを可能とするためにピクセルからな
るアレイ内にコンパクトなピクセル構成体を設けること
が可能である。該構成体は高い信号対雑音レベル応答を
与え且つ寄生容量効果に対して比較的影響されない。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１を参照すると、直接フィール
ドアクティブ容量性ピクセルの好適実施例が示されてお
り且つ大略１０で示してある。ピクセル１０は入力ノー
ド１２と出力ノード１４とを有している。例えばＮＭＯ
Ｓトランジスタ等のスイッチ１６が入力ノード１２を基
準電圧供給源Ｖrへ選択的に接続させるために設けられ
ている。出力ノード１４が周期的にピクセル１０からの
出力信号を検知する出力回路１８へ接続している。各ピ
クセル１０は、典型的に、ソリッドステート指紋検知装
置の基本的なコンポーネントである半導体チップ上に形
成されている二次元アレイ内に配設されている多数の同
一のピクセルのうちの１つである。各ピクセル１０は以
下に説明する直接的容量性検知技術に従って人間の指紋
の一部を検知する可変コンデンサＣsを有している。
ドアクティブ容量性ピクセルの好適実施例が示されてお
り且つ大略１０で示してある。ピクセル１０は入力ノー
ド１２と出力ノード１４とを有している。例えばＮＭＯ
Ｓトランジスタ等のスイッチ１６が入力ノード１２を基
準電圧供給源Ｖrへ選択的に接続させるために設けられ
ている。出力ノード１４が周期的にピクセル１０からの
出力信号を検知する出力回路１８へ接続している。各ピ
クセル１０は、典型的に、ソリッドステート指紋検知装
置の基本的なコンポーネントである半導体チップ上に形
成されている二次元アレイ内に配設されている多数の同
一のピクセルのうちの１つである。各ピクセル１０は以
下に説明する直接的容量性検知技術に従って人間の指紋
の一部を検知する可変コンデンサＣsを有している。
【０００８】ピクセル１０の出力は電荷積分器Ｉによっ
て発生され、それは以下に説明する異なるフィードバッ
ク構成を具備する米国特許第６，１１４，８６２号の反
転増幅器と類似している。電荷積分器Ｉがその負 (−)
入力に表われる電荷を積分し且つ対応する増幅したアナ
ログ出力を発生する。直列接続されているコンデンサＣ
1及びＣ2がピクセルの入力ノード１２を電荷積分器の負
(−)入力に対応するノード２０と相互接続している。
電荷積分器の正 (＋)入力は接地等の電圧供給源へ接続
している。コンデンサＣ１及びＣ２の間の接続は電気的
にフローティングしたノード２２を画定しており、それ
は、又、コンデンサＣs及びＣpの間の接続点を画定して
いる。コンデンサＣpはフローティングノード２２と接
地ノードとの間に存在する寄生容量を表わしている。図
１における接地記号は指紋検知装置の実際の接地端子を
表わすか又はチップ内部の仮想接地バスを表わすことが
可能である。
て発生され、それは以下に説明する異なるフィードバッ
ク構成を具備する米国特許第６，１１４，８６２号の反
転増幅器と類似している。電荷積分器Ｉがその負 (−)
入力に表われる電荷を積分し且つ対応する増幅したアナ
ログ出力を発生する。直列接続されているコンデンサＣ
1及びＣ2がピクセルの入力ノード１２を電荷積分器の負
(−)入力に対応するノード２０と相互接続している。
電荷積分器の正 (＋)入力は接地等の電圧供給源へ接続
している。コンデンサＣ１及びＣ２の間の接続は電気的
にフローティングしたノード２２を画定しており、それ
は、又、コンデンサＣs及びＣpの間の接続点を画定して
いる。コンデンサＣpはフローティングノード２２と接
地ノードとの間に存在する寄生容量を表わしている。図
１における接地記号は指紋検知装置の実際の接地端子を
表わすか又はチップ内部の仮想接地バスを表わすことが
可能である。
【０００９】コンデンサＣsはピクセルの検知用コンデ
ンサであって、それは指紋検知表面２４のすぐ下側に配
設されている１つのプレートを有している。コンデンサ
Ｃsの他方のプレートは、事実上、検知動作期間中に検
知表面と接触（又は、検知表面のすぐ上方に配置され
る）ユーザの指の皮膚と共に検知表面それ自身である。
理解されるように、検知動作期間中、指紋の山が検知表
面と接触し且つ指紋の谷は検知表面のすぐ上方に配置さ
れる。検知動作のすぐ前に、リセットスイッチ２６が開
かれて検知動作期間中に電荷積分器Ｉが正確な出力信号
を発生するための準備がなされる。リセットスイッチ２
６は例えばＮＭＯＳトランジスタ等の従来のトランジス
タとすることが可能であり、且つ電荷積分器の入力ノー
ド２０と出力ノード１４とを相互接続する。
ンサであって、それは指紋検知表面２４のすぐ下側に配
設されている１つのプレートを有している。コンデンサ
Ｃsの他方のプレートは、事実上、検知動作期間中に検
知表面と接触（又は、検知表面のすぐ上方に配置され
る）ユーザの指の皮膚と共に検知表面それ自身である。
理解されるように、検知動作期間中、指紋の山が検知表
面と接触し且つ指紋の谷は検知表面のすぐ上方に配置さ
れる。検知動作のすぐ前に、リセットスイッチ２６が開
かれて検知動作期間中に電荷積分器Ｉが正確な出力信号
を発生するための準備がなされる。リセットスイッチ２
６は例えばＮＭＯＳトランジスタ等の従来のトランジス
タとすることが可能であり、且つ電荷積分器の入力ノー
ド２０と出力ノード１４とを相互接続する。
【００１０】フィードバックコンデンサＣfbが該回路内
に設けられており且つ電荷積分器の出力ノード１４をそ
の入力ノード２０へ結合している。装置の設計者は電荷
積分器Ｉの利得を所定の所望のレベルへ同調させるため
にフィードバックコンデンサＣfbの容量値を選択するこ
とが可能である。更に、コンデンサＣinが電荷積分器の
入力ノード２０と接地との間に接続されており、且つコ
ンデンサＣoutが電荷積分器の出力ノード１４と接地と
の間に接続されている。これら２つの付加的なコンデン
サは寄生容量を表わしているが、それが該回路内に存在
することは以下に説明するように電荷積分器Ｉの利得に
影響を与えるものではない。
に設けられており且つ電荷積分器の出力ノード１４をそ
の入力ノード２０へ結合している。装置の設計者は電荷
積分器Ｉの利得を所定の所望のレベルへ同調させるため
にフィードバックコンデンサＣfbの容量値を選択するこ
とが可能である。更に、コンデンサＣinが電荷積分器の
入力ノード２０と接地との間に接続されており、且つコ
ンデンサＣoutが電荷積分器の出力ノード１４と接地と
の間に接続されている。これら２つの付加的なコンデン
サは寄生容量を表わしているが、それが該回路内に存在
することは以下に説明するように電荷積分器Ｉの利得に
影響を与えるものではない。
【００１１】図１のピクセル１０は２つのステージを有
しているものと考えることが可能であり、即ち、コンデ
ンサＣs，Ｃ1，Ｃ2，Ｃpからなる容量性検知ステージ
と、電荷積分器Ｉ、フィードバックコンデンサＣfb、リ
セットトランジスタスイッチ２６、寄生コンデンサ
Ｃin，Ｃoutからなるアクティブ電荷積分器ステージで
ある。該アレイの各ピクセル２０は、又、専用の選択ト
ランジスタを有しており、それは図１においてはスイッ
チ１６として示してある。基準電圧供給源Ｖr及び出力
回路１８が指紋センサーアレイの種々のピクセルによっ
て共用されている。ここでは二次元センサーアレイとし
て説明しているが、本発明の一次元適用例とすることも
可能であり、その場合には単一の行のピクセルが使用さ
れる。
しているものと考えることが可能であり、即ち、コンデ
ンサＣs，Ｃ1，Ｃ2，Ｃpからなる容量性検知ステージ
と、電荷積分器Ｉ、フィードバックコンデンサＣfb、リ
セットトランジスタスイッチ２６、寄生コンデンサ
Ｃin，Ｃoutからなるアクティブ電荷積分器ステージで
ある。該アレイの各ピクセル２０は、又、専用の選択ト
ランジスタを有しており、それは図１においてはスイッ
チ１６として示してある。基準電圧供給源Ｖr及び出力
回路１８が指紋センサーアレイの種々のピクセルによっ
て共用されている。ここでは二次元センサーアレイとし
て説明しているが、本発明の一次元適用例とすることも
可能であり、その場合には単一の行のピクセルが使用さ
れる。
【００１２】動作について説明すると、これらのピクセ
ルからなるアレイ全体における各ピクセルを個別的にチ
ェックするシーケンスにおいてピクセル１０は周期的に
検査され即ち「読取」が行なわれる。該アレイは行デコ
ーダと列デコーダとを使用してランダムアクセスメモリ
チップがアドレスされるのと同様の態様でアドレス動作
させることが可能である。アドレスデコーダ回路 (不図
示)は所定のシーケンスで一度に１つの検査を行うため
に個別的なピクセルを選択することが可能である。ピク
セル１０は、スイッチ１６が閉じる場合 (即ち、トラン
ジスタ１６がターンオンされる場合)にアドレス処理シ
ーケンスにおいてその順番が来ることになる。選択トラ
ンジスタ１６がターンオンする直後に、基準電圧供給源
Ｖrによって入力パルス信号ΔＶを発生する。パルスΔ
Ｖが直列接続されているコンデンサＣ1及びＣ2を介して
ノード２０へ伝播し、そこで電荷における過渡的な増加
として表われ、それは電荷積分器Ｉへ入力される。電荷
積分器のノード１４における出力信号はピクセルの出力
Ｖpixoutとして画定され、そのアナログ値は基準電圧入
力パルスΔＶと電荷積分器Ｉの利得Ｇpixとの積であ
り、次式で表わされる。
ルからなるアレイ全体における各ピクセルを個別的にチ
ェックするシーケンスにおいてピクセル１０は周期的に
検査され即ち「読取」が行なわれる。該アレイは行デコ
ーダと列デコーダとを使用してランダムアクセスメモリ
チップがアドレスされるのと同様の態様でアドレス動作
させることが可能である。アドレスデコーダ回路 (不図
示)は所定のシーケンスで一度に１つの検査を行うため
に個別的なピクセルを選択することが可能である。ピク
セル１０は、スイッチ１６が閉じる場合 (即ち、トラン
ジスタ１６がターンオンされる場合)にアドレス処理シ
ーケンスにおいてその順番が来ることになる。選択トラ
ンジスタ１６がターンオンする直後に、基準電圧供給源
Ｖrによって入力パルス信号ΔＶを発生する。パルスΔ
Ｖが直列接続されているコンデンサＣ1及びＣ2を介して
ノード２０へ伝播し、そこで電荷における過渡的な増加
として表われ、それは電荷積分器Ｉへ入力される。電荷
積分器のノード１４における出力信号はピクセルの出力
Ｖpixoutとして画定され、そのアナログ値は基準電圧入
力パルスΔＶと電荷積分器Ｉの利得Ｇpixとの積であ
り、次式で表わされる。
【００１３】
【数１】
【００１４】ノード１４におけるピクセル１０の出力が
アレイ検査シーケンス期間中に出力回路１８によって検
知されると、出力回路１８はアナログ出力Ｖpixoutのデ
ジタル化した値を形成する。理解されるように、出力回
路１８はシステムプロセッサ又はコンピュータによる処
理のためにチップ外部へ出力するためにアナログピクセ
ル出力をデジタル信号へ変換するためのアナログ・デジ
タル変換器 (不図示)を有している。
アレイ検査シーケンス期間中に出力回路１８によって検
知されると、出力回路１８はアナログ出力Ｖpixoutのデ
ジタル化した値を形成する。理解されるように、出力回
路１８はシステムプロセッサ又はコンピュータによる処
理のためにチップ外部へ出力するためにアナログピクセ
ル出力をデジタル信号へ変換するためのアナログ・デジ
タル変換器 (不図示)を有している。
【００１５】該検知アレイの各個別的なピクセルは約５
０μｍ×５０μｍの面積を占有する。典型的な指紋セン
サーにおいては、表面２４がその一部である全体的な検
知表面は矩形状であり且つ１２．８ｍｍ×１８．０ｍｍ
の寸法を有している。従って、典型的な指紋センサーに
おいては９０，０００個を超える数のピクセルが存在す
る場合があり、そのことはデジタル化した指紋画像の非
常に高い分解能を達成することを可能とする。個別的な
ピクセルをアドレスすることが可能であり且つその出力
はマイクロ秒未満で読取ることが可能であるので、全体
的な指紋画像は１秒の１０分の１未満でキャプチャ即ち
捕獲することが可能である。ピクセル出力のデジタル化
した値の各々はメモリ内に格納するか又はメモリ内にお
ける前に格納した指紋データと比較することが可能であ
る。検知したか又は前に格納した指紋のグレイスケール
画像を視覚的な検査のために所望される場合にディスプ
レイスクリーンへ出力させることが可能である。
０μｍ×５０μｍの面積を占有する。典型的な指紋セン
サーにおいては、表面２４がその一部である全体的な検
知表面は矩形状であり且つ１２．８ｍｍ×１８．０ｍｍ
の寸法を有している。従って、典型的な指紋センサーに
おいては９０，０００個を超える数のピクセルが存在す
る場合があり、そのことはデジタル化した指紋画像の非
常に高い分解能を達成することを可能とする。個別的な
ピクセルをアドレスすることが可能であり且つその出力
はマイクロ秒未満で読取ることが可能であるので、全体
的な指紋画像は１秒の１０分の１未満でキャプチャ即ち
捕獲することが可能である。ピクセル出力のデジタル化
した値の各々はメモリ内に格納するか又はメモリ内にお
ける前に格納した指紋データと比較することが可能であ
る。検知したか又は前に格納した指紋のグレイスケール
画像を視覚的な検査のために所望される場合にディスプ
レイスクリーンへ出力させることが可能である。
【００１６】図１の回路においては、電荷積分器Ｉの利
得Ｇpixはピクセルのコンデンサに対して以下の関係を
有している。
得Ｇpixはピクセルのコンデンサに対して以下の関係を
有している。
【００１７】
【数２】
【００１８】理解されるように、Ｃsは可変コンデンサ
であり且つＣ1，Ｃ2，Ｃfb，Ｃpは固定値コンデンサで
ある。装置の設計限界内において、Ｃ1，Ｃ2，Ｃfb，Ｃ
pの値は指紋センサーの各ピクセルの応答を最適化する
ために設計者によって選択することが可能である。寄生
コンデンサＣpは、フローティングノード２２と接地と
の間の誘電体の厚さを充分に大きなものとすることによ
り比較的に小さなものとさせることが可能である。コン
デンサＣsは最大値 (指紋の山が特定のピクセル位置直
上のセンサー表面２４に対して押付けられる場合)から
最小値 (指紋の谷が特定のピクセル位置直上のセンサー
表面２４の近くにある場合)ヘ変化する。好適には、Ｃ1
及びＣ2の容量値は互いに等しく且つ基本的にＣsの最大
値と基本的に同じであるように設計される。
であり且つＣ1，Ｃ2，Ｃfb，Ｃpは固定値コンデンサで
ある。装置の設計限界内において、Ｃ1，Ｃ2，Ｃfb，Ｃ
pの値は指紋センサーの各ピクセルの応答を最適化する
ために設計者によって選択することが可能である。寄生
コンデンサＣpは、フローティングノード２２と接地と
の間の誘電体の厚さを充分に大きなものとすることによ
り比較的に小さなものとさせることが可能である。コン
デンサＣsは最大値 (指紋の山が特定のピクセル位置直
上のセンサー表面２４に対して押付けられる場合)から
最小値 (指紋の谷が特定のピクセル位置直上のセンサー
表面２４の近くにある場合)ヘ変化する。好適には、Ｃ1
及びＣ2の容量値は互いに等しく且つ基本的にＣsの最大
値と基本的に同じであるように設計される。
【００１９】前述したことから理解されるように、指紋
の山を検知する場合の値から指紋の谷を検知する場合の
値へのＶpixoutの値における変化は基準電圧供給源Ｖr
によって発生される入力パルスΔＶの振幅と比較して実
質的即ちかなりなものである。更に、上に示したＧpix
に対する式が示すように、寄生容量Ｃin及びＣoutはＶ
pixout信号値に影響を与えるものではない。寄生容量Ｃ
pはピクセルの利得Ｇpixに影響を与えるものではない
が、以下に説明する技術はこの寄生効果を最小とするた
めに使用することが可能である。
の山を検知する場合の値から指紋の谷を検知する場合の
値へのＶpixoutの値における変化は基準電圧供給源Ｖr
によって発生される入力パルスΔＶの振幅と比較して実
質的即ちかなりなものである。更に、上に示したＧpix
に対する式が示すように、寄生容量Ｃin及びＣoutはＶ
pixout信号値に影響を与えるものではない。寄生容量Ｃ
pはピクセルの利得Ｇpixに影響を与えるものではない
が、以下に説明する技術はこの寄生効果を最小とするた
めに使用することが可能である。
【００２０】次に、図２を参照して、容量性検知ステー
ジレイアウトをその基本的な形態について説明するが、
前述したものと同様の構成要素には同様の参照番号を付
してある。理解されるように、ピクセル１０は特別の半
導体集積回路チップとして製造されるより大きな指紋セ
ンサーの小さな一部である。開始物質は半導体基板であ
り、それは究極的にウエハを複数のチップへスライスす
ることによって分離される多数の同一の指紋センサーを
包含するのに充分に大きな単結晶シリコンウエハであ
る。個別的なチップ基板部分は図２においては参照番号
３０で示してある。基板３０の上側には複合誘電体ボデ
ィ３２が配設されており、それは最終的な装置における
検知表面２４を画定する。
ジレイアウトをその基本的な形態について説明するが、
前述したものと同様の構成要素には同様の参照番号を付
してある。理解されるように、ピクセル１０は特別の半
導体集積回路チップとして製造されるより大きな指紋セ
ンサーの小さな一部である。開始物質は半導体基板であ
り、それは究極的にウエハを複数のチップへスライスす
ることによって分離される多数の同一の指紋センサーを
包含するのに充分に大きな単結晶シリコンウエハであ
る。個別的なチップ基板部分は図２においては参照番号
３０で示してある。基板３０の上側には複合誘電体ボデ
ィ３２が配設されており、それは最終的な装置における
検知表面２４を画定する。
【００２１】複合誘電体ボディ３２は誘電体又は絶縁性
物質からなる複数個の層を有しているが、それらは別々
には示していない。これらの誘電体層は半導体装置の製
造分野における当業者にとって公知の従来の酸化物層及
び窒化物層を包含している。複合誘電体ボディ３２内に
は導電層からなる幾つかのレベルが設けられており、そ
れらは付着形成され且つ別々の導体へパターン形成され
る。図２においてはこのような３個の導体がピクセル１
０の一部として示されており且つ上側プレート、下側プ
レートＡ、下側プレートＢとして示してある。上側プレ
ートは誘電体ボディ３２内に埋設されている最も上側の
導電層からパターン形成されたものであり、好適には、
基本的にアルミニウムから構成されている。公知の技術
に従ってこの最も上側の導電層を形成するためにアルミ
ニウムのＣＶＤ付着を使用することが可能である。公知
のフォトリソグラフィパターン形成技術を使用すること
も可能である。下側プレートＡ及び下側プレートＢは並
置されており、それらの間に狭いギャップ (例えば２乃
至３μｍ)が形成されており、これらのプレートは最も
上側の導電層の下側に存在する導電層からパターン形成
されている。下側プレートＡ及び下側プレートＢも付着
形成したアルミニウムから形成することが可能であり、
又は従来のシリサイド化ポリシリコン等の導電性ポリシ
リコンを有することが可能である。複合誘電体層３２の
破断した右側端部において隣接するピクセルの同様に形
成されているプレート３４及び３６が部分的に示されて
いる。
物質からなる複数個の層を有しているが、それらは別々
には示していない。これらの誘電体層は半導体装置の製
造分野における当業者にとって公知の従来の酸化物層及
び窒化物層を包含している。複合誘電体ボディ３２内に
は導電層からなる幾つかのレベルが設けられており、そ
れらは付着形成され且つ別々の導体へパターン形成され
る。図２においてはこのような３個の導体がピクセル１
０の一部として示されており且つ上側プレート、下側プ
レートＡ、下側プレートＢとして示してある。上側プレ
ートは誘電体ボディ３２内に埋設されている最も上側の
導電層からパターン形成されたものであり、好適には、
基本的にアルミニウムから構成されている。公知の技術
に従ってこの最も上側の導電層を形成するためにアルミ
ニウムのＣＶＤ付着を使用することが可能である。公知
のフォトリソグラフィパターン形成技術を使用すること
も可能である。下側プレートＡ及び下側プレートＢは並
置されており、それらの間に狭いギャップ (例えば２乃
至３μｍ)が形成されており、これらのプレートは最も
上側の導電層の下側に存在する導電層からパターン形成
されている。下側プレートＡ及び下側プレートＢも付着
形成したアルミニウムから形成することが可能であり、
又は従来のシリサイド化ポリシリコン等の導電性ポリシ
リコンを有することが可能である。複合誘電体層３２の
破断した右側端部において隣接するピクセルの同様に形
成されているプレート３４及び３６が部分的に示されて
いる。
【００２２】点線３８は複合誘電体ボディ３２からその
下側の基板３０への遷移を模式的に表わしている。然し
ながら、理解されるように、その構成は図示したものよ
りも著しく複雑なものである。基板３０は上側エピタキ
シャル層を有するものであって、その中において、酸化
物分離壁によって画定されるアクティブ (活性)区域内
にトランジスタ領域が形成されている。このことは公知
である。該トランジスタは、典型的に、ＰＭＯＳトラン
ジスタとＮＭＯＳトランジスタの両方を包含するＭＯＳ
ＦＥＴであって、且つバイポーラトランジスタを包含す
ることも可能であり、それらの全ては従来のＢｉＣＭＯ
Ｓ技術を使用して製造することが可能である。
下側の基板３０への遷移を模式的に表わしている。然し
ながら、理解されるように、その構成は図示したものよ
りも著しく複雑なものである。基板３０は上側エピタキ
シャル層を有するものであって、その中において、酸化
物分離壁によって画定されるアクティブ (活性)区域内
にトランジスタ領域が形成されている。このことは公知
である。該トランジスタは、典型的に、ＰＭＯＳトラン
ジスタとＮＭＯＳトランジスタの両方を包含するＭＯＳ
ＦＥＴであって、且つバイポーラトランジスタを包含す
ることも可能であり、それらの全ては従来のＢｉＣＭＯ
Ｓ技術を使用して製造することが可能である。
【００２３】図２は、互いに且つ指紋検知表面２４に対
して並置された関係においてコンデンサＣs，Ｃ1，Ｃ2
を画定する複合誘電体ボディ３２内のコンデンサプレー
トのみを示していることが理解される。図２におけるＣ
S，Ｃ1，Ｃ2で示される回路要素は、単に図１の回路図
に従って表面２４と、上側プレートと、下側プレートＡ
と、下側プレートＢとがどのようにして電気的に相互作
用を行うかを示すものに過ぎず、それらは別個の構造的
要素ではない。同様に、図２におけるコンデンサＣPは
寄生的なものであり且つ別個の構造的要素ではない。然
しながら、コンデンサＣfpは製造トリランス内において
特定の容量値を有するように設計された別個の構造的要
素である。コンデンサＣfpは任意の適宜の態様で形成す
ることが可能であり、且つ、例えば、２つの異なるレベ
ルにおける金属プレートか、導電性ポリシリコン層の上
に配設した金属プレートか、又は基板３０における高度
にドープした表面領域上に配設した導電性ポリシリコン
層を有することが可能である。どの形態においても、コ
ンデンサＣfpのコンデンサプレートは精密に画定した寸
法を有するべきであり且つＣfpの容量値が厳しいトリラ
ンス内に位置された所定値であるように精密に制御され
た厚さの誘電体層によって分離されるべきである。前述
したように、コンデンサＣfpは電荷積分器Ｉの利得Ｇ
pixを確立する上で重要な役割を担う。
して並置された関係においてコンデンサＣs，Ｃ1，Ｃ2
を画定する複合誘電体ボディ３２内のコンデンサプレー
トのみを示していることが理解される。図２におけるＣ
S，Ｃ1，Ｃ2で示される回路要素は、単に図１の回路図
に従って表面２４と、上側プレートと、下側プレートＡ
と、下側プレートＢとがどのようにして電気的に相互作
用を行うかを示すものに過ぎず、それらは別個の構造的
要素ではない。同様に、図２におけるコンデンサＣPは
寄生的なものであり且つ別個の構造的要素ではない。然
しながら、コンデンサＣfpは製造トリランス内において
特定の容量値を有するように設計された別個の構造的要
素である。コンデンサＣfpは任意の適宜の態様で形成す
ることが可能であり、且つ、例えば、２つの異なるレベ
ルにおける金属プレートか、導電性ポリシリコン層の上
に配設した金属プレートか、又は基板３０における高度
にドープした表面領域上に配設した導電性ポリシリコン
層を有することが可能である。どの形態においても、コ
ンデンサＣfpのコンデンサプレートは精密に画定した寸
法を有するべきであり且つＣfpの容量値が厳しいトリラ
ンス内に位置された所定値であるように精密に制御され
た厚さの誘電体層によって分離されるべきである。前述
したように、コンデンサＣfpは電荷積分器Ｉの利得Ｇ
pixを確立する上で重要な役割を担う。
【００２４】理解されるように、検知表面２４の耐久性
は重要な設計考慮事項である。このような耐久性のある
検知表面を提供するために適切な物質は炭化珪素であ
る。実際において、上側プレートと検知表面２４との間
の誘電体物質は互いに積層されておりピクセルのアレイ
全体を被覆する幾つかの非常に薄い層から構成すること
が可能である。例えば、積層させた層はＰＳＧ層の上に
配設されている窒化珪素層の上に配設した炭化珪素層か
ら構成することが可能である。このような層を製造する
技術は当該技術分野において公知である。３つの積層し
た全ての層に対する結合厚さは典型的に約１．０μｍで
ある。上側プレートは、例えば約０．２乃至０．３μｍ
の厚さを有する二酸化シリコン等の適宜の誘電体層によ
って下側プレートＡ及び下側プレートＢから分離されて
いる。
は重要な設計考慮事項である。このような耐久性のある
検知表面を提供するために適切な物質は炭化珪素であ
る。実際において、上側プレートと検知表面２４との間
の誘電体物質は互いに積層されておりピクセルのアレイ
全体を被覆する幾つかの非常に薄い層から構成すること
が可能である。例えば、積層させた層はＰＳＧ層の上に
配設されている窒化珪素層の上に配設した炭化珪素層か
ら構成することが可能である。このような層を製造する
技術は当該技術分野において公知である。３つの積層し
た全ての層に対する結合厚さは典型的に約１．０μｍで
ある。上側プレートは、例えば約０．２乃至０．３μｍ
の厚さを有する二酸化シリコン等の適宜の誘電体層によ
って下側プレートＡ及び下側プレートＢから分離されて
いる。
【００２５】トランジスタ１６及び２６及び電荷積分器
Ｉを構成するトランジスタを包含する本装置のトランジ
スタ要素は該基板の上表面に形成されており、且つ、典
型的に、基板３０のすぐ上の複合誘電体ボディ３２内に
配設されているポリシリコンゲート電極を有している。
これらの従来のトランジスタ要素は公知であるので、そ
れらの詳細な説明については割愛するが、基板３０の断
面上に重畳させた回路図によって概略的に示してある。
理解すべきことであるが、寄生容量Ｃin及びＣ outは基
板３０と複合誘電体ボディ３２の両方において存在する
構成から発生している。
Ｉを構成するトランジスタを包含する本装置のトランジ
スタ要素は該基板の上表面に形成されており、且つ、典
型的に、基板３０のすぐ上の複合誘電体ボディ３２内に
配設されているポリシリコンゲート電極を有している。
これらの従来のトランジスタ要素は公知であるので、そ
れらの詳細な説明については割愛するが、基板３０の断
面上に重畳させた回路図によって概略的に示してある。
理解すべきことであるが、寄生容量Ｃin及びＣ outは基
板３０と複合誘電体ボディ３２の両方において存在する
構成から発生している。
【００２６】図２は、又、ユーザの指４０の一部を著し
く拡大して概略的に示してある。指４０は典型的な人の
指紋を構成する可変皮膚輪郭４２を有しており、それ
は、この拡大部分図においては、山４４と谷４６とを有
している。指紋の山４４は検知表面２４に接触して示さ
れており、且つその谷４６はその箇所において検知表面
２４から僅かに離れた皮膚４２を与えている。
く拡大して概略的に示してある。指４０は典型的な人の
指紋を構成する可変皮膚輪郭４２を有しており、それ
は、この拡大部分図においては、山４４と谷４６とを有
している。指紋の山４４は検知表面２４に接触して示さ
れており、且つその谷４６はその箇所において検知表面
２４から僅かに離れた皮膚４２を与えている。
【００２７】上側プレート上方の検知表面２４と接触し
ている指紋の山が存在することは検知用コンデンサＣs
の値を増加させる。上側プレートの上方に谷が存在する
場合にはコンデンサＣsはより低い値を示す。図１に関
連して前に説明したように、特定のピクセルが読取られ
る場合に、パルスΔＶが基準電圧供給源Ｖrによって発
生される。このパルスは図２における矢印４８によって
示したようにピクセル１０に到達し、且つピクセルが読
取られる場合には閉じられるスイッチ１６を介してピク
セルへ印加される。パルスΔＶが容量性検知ステージの
コンデンサＣ1及びＣ2を介して伝播し且つ電荷積分器ス
テージの入力２０に表われる。ピクセル１０の読取り前
に、スイッチ２６が開かれる。電荷積分器Ｉがその出力
ノード１４においてＶpixout信号を発生し、そこから矢
印５０で示したように出力回路１８ (図１に示してあ
る)へ向かって伝播する。
ている指紋の山が存在することは検知用コンデンサＣs
の値を増加させる。上側プレートの上方に谷が存在する
場合にはコンデンサＣsはより低い値を示す。図１に関
連して前に説明したように、特定のピクセルが読取られ
る場合に、パルスΔＶが基準電圧供給源Ｖrによって発
生される。このパルスは図２における矢印４８によって
示したようにピクセル１０に到達し、且つピクセルが読
取られる場合には閉じられるスイッチ１６を介してピク
セルへ印加される。パルスΔＶが容量性検知ステージの
コンデンサＣ1及びＣ2を介して伝播し且つ電荷積分器ス
テージの入力２０に表われる。ピクセル１０の読取り前
に、スイッチ２６が開かれる。電荷積分器Ｉがその出力
ノード１４においてＶpixout信号を発生し、そこから矢
印５０で示したように出力回路１８ (図１に示してあ
る)へ向かって伝播する。
【００２８】図２の構成によって提供される直接的容量
検知技術は非常に高速のピクセル応答時間を与え、非常
に迅速に全体的な指紋画像を検知することを可能とす
る。この構成は非常にコンパクトであり且つピクセル１
０のレイアウトにおける寄生要素に対して高いレベルの
不感受性を有している。又、アクティブな電荷積分器ス
テージはフィードバックコンデンサＣfbの容量値を選択
することによって制御することが可能な高い利得を達成
する。これらは本発明の主要な利点のうちの幾つかであ
る。
検知技術は非常に高速のピクセル応答時間を与え、非常
に迅速に全体的な指紋画像を検知することを可能とす
る。この構成は非常にコンパクトであり且つピクセル１
０のレイアウトにおける寄生要素に対して高いレベルの
不感受性を有している。又、アクティブな電荷積分器ス
テージはフィードバックコンデンサＣfbの容量値を選択
することによって制御することが可能な高い利得を達成
する。これらは本発明の主要な利点のうちの幾つかであ
る。
【００２９】次に、図３を参照して、本発明の埋込型コ
ンデンサプレートの別の実施例に付いて説明する。この
実施例のピクセルは、図２に示したピクセル１０と区別
するために参照番号６０を付してある。図３は、又、複
合誘電体ボディ３２のみを示しており、説明の便宜上基
板及びその中に設けられる回路要素を取除いている。然
しながら、理解されるように、図２に示したトランジス
タ１６及び２６、電荷積分器Ｉ、コンデンサＣin及びＣ
outを図３の下側プレートＡ、下側プレートＢ、コンデ
ンサＣfbに対して図２に示したのと同一の態様で接続さ
せることが可能である。
ンデンサプレートの別の実施例に付いて説明する。この
実施例のピクセルは、図２に示したピクセル１０と区別
するために参照番号６０を付してある。図３は、又、複
合誘電体ボディ３２のみを示しており、説明の便宜上基
板及びその中に設けられる回路要素を取除いている。然
しながら、理解されるように、図２に示したトランジス
タ１６及び２６、電荷積分器Ｉ、コンデンサＣin及びＣ
outを図３の下側プレートＡ、下側プレートＢ、コンデ
ンサＣfbに対して図２に示したのと同一の態様で接続さ
せることが可能である。
【００３０】図２と３とを比較すると、唯一の違いは下
側プレートＡとＢとの間で且つそれと同一面状に横方向
に配設させた下側プレートＣを設けた点であることが理
解される。下側プレートＣは導体６２によって接地へ接
続されている。容量性検知ステージ内に下側プレートＣ
を設けることの効果は寄生容量Ｃpの値を実際的に最小
値へ減少させることである。図１の構成と比較した場合
のトレードオフ即ち利益衡量として、図３の構成は実際
上実現する場合に僅かにより多くのチップ面積を必要と
する場合がある。図３の構成の更なる利点は下側プレー
トＡと下側プレートＢとの間のエッジ結合効果における
減少であり、それは容量性検知ステージの感度を僅かに
増加させる場合がある。
側プレートＡとＢとの間で且つそれと同一面状に横方向
に配設させた下側プレートＣを設けた点であることが理
解される。下側プレートＣは導体６２によって接地へ接
続されている。容量性検知ステージ内に下側プレートＣ
を設けることの効果は寄生容量Ｃpの値を実際的に最小
値へ減少させることである。図１の構成と比較した場合
のトレードオフ即ち利益衡量として、図３の構成は実際
上実現する場合に僅かにより多くのチップ面積を必要と
する場合がある。図３の構成の更なる利点は下側プレー
トＡと下側プレートＢとの間のエッジ結合効果における
減少であり、それは容量性検知ステージの感度を僅かに
増加させる場合がある。
【００３１】次に、図４を参照して、埋込型コンデンサ
プレートの別の実施例について説明するが、この場合の
ピクセルは参照番号７０で示してある。図３と４とを比
較することにより、唯一の違いは、下側プレートＣが導
体７２によって上側プレートへ接続されている点であ
り、一方図３における下側プレートＣは接地へ接続され
ている。従って、図４における下側プレートＣは上側プ
レートを電気的にフロートさせる。導体７２は金属層の
間の従来の金属ビアとして形成することが可能である。
この変形実施例は、又、寄生容量Ｃpに対する最小の容
量値を達成し且つ下側プレートＡと下側プレートＢとの
エッジ結合効果を減少させる。図３及び４の両方の変形
実施例はコンデンサＣ1及びＣ2に対する実際上最大値を
与える。
プレートの別の実施例について説明するが、この場合の
ピクセルは参照番号７０で示してある。図３と４とを比
較することにより、唯一の違いは、下側プレートＣが導
体７２によって上側プレートへ接続されている点であ
り、一方図３における下側プレートＣは接地へ接続され
ている。従って、図４における下側プレートＣは上側プ
レートを電気的にフロートさせる。導体７２は金属層の
間の従来の金属ビアとして形成することが可能である。
この変形実施例は、又、寄生容量Ｃpに対する最小の容
量値を達成し且つ下側プレートＡと下側プレートＢとの
エッジ結合効果を減少させる。図３及び４の両方の変形
実施例はコンデンサＣ1及びＣ2に対する実際上最大値を
与える。
【００３２】次に、図５を参照して、種々のピクセル１
０，６０，７０のいずれにも使用することが可能な付加
的な特徴について説明する。図５は一例として図２のピ
クセル１０を使用している。図５において、コンタクト
８０が上表面２４に設けられている。コンタクト８０は
ピクセルアレイ内における種々の点において位置されて
いる多数の同様のコンタクトのうちの１つとすることが
可能であり、又はアレイにわたって走行するライン又は
グリッドを表わすことが可能である。選択された特定の
レイアウトにおいて、コンタクト８０は指の皮膚４２と
の直接的な接触を可能とさせ、そのことは前述した各読
取動作パルスΔＶと同期しているが必ずしも同相ではな
く印加されるパルス信号ΔＶxによって電気的に駆動さ
せることが可能である。図５はパルス供給源Ｖxを示し
ており、その出力は導体８２によってΔＶxパルスを印
加するために表面コンタクト８０へ接続している。図２
の構成と比較することにより、図５の構成は、指の皮膚
を同期パルスΔＶxで駆動する能力を有しているので、
電荷積分器ＩのＶpixout出力スウイング (振れ)を約２
倍にさせる。この技術は指紋センサーの感度を改善し、
従って、より正確な指紋画像を提供することが可能であ
るが、それは構造を複雑なものとさせ、そのことは装置
設計者によって考慮されねばならない。
０，６０，７０のいずれにも使用することが可能な付加
的な特徴について説明する。図５は一例として図２のピ
クセル１０を使用している。図５において、コンタクト
８０が上表面２４に設けられている。コンタクト８０は
ピクセルアレイ内における種々の点において位置されて
いる多数の同様のコンタクトのうちの１つとすることが
可能であり、又はアレイにわたって走行するライン又は
グリッドを表わすことが可能である。選択された特定の
レイアウトにおいて、コンタクト８０は指の皮膚４２と
の直接的な接触を可能とさせ、そのことは前述した各読
取動作パルスΔＶと同期しているが必ずしも同相ではな
く印加されるパルス信号ΔＶxによって電気的に駆動さ
せることが可能である。図５はパルス供給源Ｖxを示し
ており、その出力は導体８２によってΔＶxパルスを印
加するために表面コンタクト８０へ接続している。図２
の構成と比較することにより、図５の構成は、指の皮膚
を同期パルスΔＶxで駆動する能力を有しているので、
電荷積分器ＩのＶpixout出力スウイング (振れ)を約２
倍にさせる。この技術は指紋センサーの感度を改善し、
従って、より正確な指紋画像を提供することが可能であ
るが、それは構造を複雑なものとさせ、そのことは装置
設計者によって考慮されねばならない。
【００３３】理解されるように、種々のコンデンサプレ
ートを異なるパターンでレイアウトさせることが可能で
ある。図２に示した最も簡単な形態においては、上側プ
レートは正方形とすることが可能であり且つ下側プレー
トＡ及びＢは矩形状とすることが可能であり、それらの
長尺端部がそれらを分離する狭いギャップを横断して互
いに対面し、それらの外側の端部がほぼ上側プレートの
正方形の形状に合致する。このようなレイアウトは寄生
容量Ｃpの値を最小とさせるのに効果的である。何故な
らば、下側プレートＡ及びＢは上側プレートを接地から
著しく遮蔽させるからである。本発明を実現するための
その他の多くのレイアウトとすることが可能であること
は勿論である。
ートを異なるパターンでレイアウトさせることが可能で
ある。図２に示した最も簡単な形態においては、上側プ
レートは正方形とすることが可能であり且つ下側プレー
トＡ及びＢは矩形状とすることが可能であり、それらの
長尺端部がそれらを分離する狭いギャップを横断して互
いに対面し、それらの外側の端部がほぼ上側プレートの
正方形の形状に合致する。このようなレイアウトは寄生
容量Ｃpの値を最小とさせるのに効果的である。何故な
らば、下側プレートＡ及びＢは上側プレートを接地から
著しく遮蔽させるからである。本発明を実現するための
その他の多くのレイアウトとすることが可能であること
は勿論である。
【００３４】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ制限
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ制限
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図１】 本発明の１実施例に基づく指紋検知装置を示
した概略図。
した概略図。
【図２】 本発明の１実施例に基づいて構成された半導
体装置の一部及び回路要素とその相互接続状態及び埋設
されているコンデンサプレートに対する関係を示した概
略断面図。
体装置の一部及び回路要素とその相互接続状態及び埋設
されているコンデンサプレートに対する関係を示した概
略断面図。
【図３】 本発明の埋込型コンデンサプレートの別の実
施例であって図２の上側部分と同様の半導体装置の上側
部分を示した概略断面図。
施例であって図２の上側部分と同様の半導体装置の上側
部分を示した概略断面図。
【図４】 本発明の更に別の実施例を示した図３と同様
な概略断面図。
な概略断面図。
【図５】 本発明の種々の実施例において使用すること
が可能な付加的な特徴を示した図２と同様の概略断面
図。
が可能な付加的な特徴を示した図２と同様の概略断面
図。
１０ ピクセル
１２ 入力ノード
１４ 出力ノード
１６ スイッチ
１８ 出力回路
２４ 指紋検知表面
２６ リセットスイッチ
３０ 基板
３２ 複合誘電体ボディ
３４，３６ プレート
フロントページの続き
(72)発明者 ジオバッニ ゴッツィーニ
アメリカ合衆国， カリフォルニア
94704， バークレー， マーティン ル
ーサー キング ジュニア ウェイ 1508
Ｆターム(参考） 2F063 AA43 BA29 BB02 BD11 CA08
CA29 DA02 DA05 DD07 HA01
HA04 NA07
4C038 FF01 FF05 FG00
5B047 AA25 AB02 BA02 BB10 BC01
BC23 CA05 CB15
Claims (20)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成されており且つユー
ザの指の皮膚と接触する検知表面を有している指紋検知
装置用ピクセルにおいて、 入力信号を受取るためのピクセル入力ノード、 出力信号を発生するためのピクセル出力ノード、 前記ピクセル入力ノードへ接続されており、前記検知表
面に近接し且つすぐその下側に配設されている上側プレ
ートと前記上側プレートに近接し且つそのすぐ下側に配
設されている第一及び第二下側プレートとを有してお
り、前記第一下側プレートが前記ピクセル入力ノードへ
接続しており、前記上側プレートは検知動作期間中に前
記検知表面と接触しているか又はすぐその上方にあるユ
ーザの指の皮膚の一部及び前記検知表面と共に検知用コ
ンデンサを画定し、前記上側プレートは、更に、前記第
一下側プレートと第一コンデンサを画定し、前記第二下
側プレートと第二コンデンサを画定し、且つ接地ノード
と寄生コンデンサを画定している容量性検知ステージ、 電荷積分器及びフィードバックコンデンサを具備してい
る電荷積分器ステージであって、前記電荷積分器が入力
ノードを具備すると共に前記ピクセル出力ノードに対応
する出力ノードを具備しており、前記フィードバックコ
ンデンサは前記電荷積分器の入力ノード及び出力ノード
を結合させ、前記電荷積分器入力ノードが前記第二下側
プレートへ接続している電荷積分器ステージ、を有して
おり、前記電荷積分器が検知動作期間中に前記検知表面
と接触しているか又はすぐその上方にある指紋の山又は
谷の存在に従って変化する前記検知用コンデンサの容量
の関数である出力信号を発生する、ことを特徴とするピ
クセル。 - 【請求項２】 請求項１において、更に、前記電荷積分
器の入力と出力とを横断してリセットトランジスタが接
続されており、前記リセットトランジスタは各検知動作
前にターンオン及び次いでターンオフされて各検知動作
期間中に正確な出力信号を発生させるために前記電荷積
分器を準備させることを特徴とするピクセル。 - 【請求項３】 請求項１において、前記第一下側プレー
ト及び第二下側プレートが並置されてそれらの隣接する
端部がその間に狭いギャップを画定しており、前記第一
及び第二下側プレートは前記上側プレートのレイアウト
の形状に実質的に適合する外側端部を具備しており、そ
れにより前記寄生コンデンサの値が最小とされているこ
とを特徴とするピクセル。 - 【請求項４】 請求項１において、更に、前記第一及び
第二プレートの間に横方向に配設して第三下側プレート
が設けられており、前記第三下側プレートは前記接地ノ
ードへ接続していることを特徴とするピクセル。 - 【請求項５】 請求項４において、前記上側プレート
は、基本的に、アルミニウムから構成されており、且つ
前記検知表面が前記上側プレートの上に存在する薄い誘
電体層によって形成されていることを特徴とするピクセ
ル。 - 【請求項６】 請求項１において、更に、前記第一及び
第二下側プレートの間に横方向に配設して第三下側プレ
ートが設けられており、前記第三下側プレートは前記上
側プレートへ接続していることを特徴とするピクセル。 - 【請求項７】 請求項６において、前記上側プレート
は、基本的に、アルミニウムから構成されており、且つ
前記検知表面が前記上側プレートの上に存在する薄い誘
電体層によって形成されていることを特徴とするピクセ
ル。 - 【請求項８】 指紋検知装置において、 半導体基板、 前記基板の上に配設されており且つユーザの指の指紋が
存在する皮膚によって接触するための平坦な検知表面を
画定している上側表面を具備している複合誘電体ボデ
ィ、 入力信号を発生するために少なくとも部分的に前記基板
内に形成されている基準電圧供給源、 複数個のピクセル、を有しており、各ピクセルが、 前記検知表面の下側で且つそれと平行に前記複合誘電体
ボディ内に配設されている上側プレート、 入力信号を前記第一下側プレートへ選択的に印加させる
ために前記第一下側プレートへ接続しているトランジス
タ、 少なくとも部分的に前記基板内に形成されており前記第
二下側プレートへ接続しており、前記第一下側プレート
への前記入力信号の印加に応答して増幅した出力信号を
発生する手段、を有しており、前記出力信号は前記第一
下側プレートと前記上側プレートとによって定義される
容量、前記上側プレートと前記検知表面及びそれと接触
している指紋部分とによって画定される容量及び前記上
側プレートと前記第二下側プレートとによって画定され
る容量の関数であることを特徴とする指紋検知装置。 - 【請求項９】 請求項８において、前記出力信号発生手
段が、 入力ノードと出力ノードとを具備しており、前記出力ノ
ードが前記出力信号を供給し、前記入力ノードが前記第
二下側プレートへ接続している電荷積分器、 前記電荷積分器の入力ノードと出力ノードとの間に接続
しているフィードバックコンデンサ、 前記電荷積分器を検知動作のために準備させるために前
記電荷積分器の入力ノードと出力ノードとの間に接続し
ているリセットトランジスタスイッチ、を有しているこ
とを特徴とする指紋検知装置。 - 【請求項１０】 請求項９において、更に、前記出力信
号のデジタル化した値を作成するために前記電荷積分器
の出力ノードへ接続している出力回路を有していること
を特徴とする指紋検知装置。 - 【請求項１１】 請求項８において、前記上側プレー
ト、第一プレート及び第二プレートが基本的にアルミニ
ウムから構成されていることを特徴とする指紋検知装
置。 - 【請求項１２】 請求項８において、前記上側プレート
が金属を有しており、且つ前記第一及び第二下側プレー
トが導電性ポリシリコンを有していることを特徴とする
指紋検知装置。 - 【請求項１３】 請求項８において、更に、前記出力信
号発生手段の出力ノードと前記第二下側プレートとの間
に接続されているフィードバックコンデンサを有してお
り、前記出力信号は、検査動作期間中に指により接触さ
れる検知表面と前記上側プレートとの間の容量を包含す
る容量値の算術和によって乗算されたフィードバックコ
ンデンサの容量に逆比例することを特徴とする指紋検知
装置。 - 【請求項１４】 請求項８において、更に、前記複合誘
電体ボディの上に配設されており且つ指紋検知動作期間
中にユーザの指の皮膚と接触すべく配設されている表面
コンタクト、前記入力信号の前記ピクセルへの印加に同
期して前記表面コンタクトへパルス信号を印加するパル
ス供給源を有していることを特徴とする指紋検知装置。 - 【請求項１５】 半導体及び誘電体物質内に形成されて
いる複数個のピクセルを具備しており、前記誘電体物質
は前記半導体物質の上側に配設されており且つ指紋を容
量的に検知するために人間の指と接触する検知表面を画
定する上表面を具備している指紋検知装置において、各
ピクセルが、 前記検知表面の下側で且つそれに近接して前記誘電体物
質内に配設されており電気的にフローティング状態にと
どまる上側プレート、 前記上側プレートと平行であり且つその下側に配設され
ている第一及び第二下側プレート、 前記第一下側プレートへ入力パルスを選択的に印加させ
る手段、 ピクセル出力信号を発生するために前記第二下側プレー
トへ接続している電荷積分器、を有しており、可変容量
を有する検知用コンデンサが前記上側プレートと前記検
知表面に適用されるユーザの指によって形成され、且つ
第一及び第二コンデンサが前記上側プレートと夫々の第
一及び第二下側プレートとの間に形成され、且つ前記電
荷積分器によって発生される出力信号が前記検知用コン
デンサの容量値と共に変化して前記入力パルスが前記下
側プレートへ印加された場合に前記検知用表面に対する
ユーザの指の皮膚の近接度を表わすことを特徴とする指
紋検知装置。 - 【請求項１６】 請求項１５において、更に、前記電荷
積分器を横断してフィードバックコンデンサが接続され
ており、前記フィードバックコンデンサの容量値は前記
電荷積分器の利得を同調すべく選択されていることを特
徴とする指紋検知装置。 - 【請求項１７】 請求項１６において、更に、前記第一
及び第二プレートの間で且つそれと同一面上に位置して
第三下側プレートが設けられており、前記第三下側プレ
ートが接地へ接続されていることを特徴とする指紋検知
装置。 - 【請求項１８】 請求項１６において、更に、前記第一
及び第二下側プレートの間で且つそれと同一面上に第三
下側プレートが設けられており、前記第三下側プレート
が前記上側プレートへ接続しており且つ前記上側プレー
トと共に電気的にフロートすることを特徴とする指紋検
知装置。 - 【請求項１９】 請求項１５において、前記パルス印加
手段がＮＭＯＳトランジスタから構成されていることを
特徴とする指紋検知装置。 - 【請求項２０】 請求項１５において、更に、個別的な
ピクセル検知動作のシーケンスにおいて各ピクセルの下
側プレートへの入力パルスの選択的印加に同期されたパ
ルスで前記検知表面と接触している指の皮膚を電気的に
駆動する手段を有していることを特徴とする指紋検知装
置。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008502989A (ja) * | 2004-06-18 | 2008-01-31 | フィンガープリント カーズ アーベー | 指紋センサ素子 |
| JP2021531048A (ja) * | 2018-07-20 | 2021-11-18 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co., Ltd. | アレイ基板及びその製造方法、並びに表示装置 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6927581B2 (en) * | 2001-11-27 | 2005-08-09 | Upek, Inc. | Sensing element arrangement for a fingerprint sensor |
| TW583592B (en) * | 2002-04-03 | 2004-04-11 | Lightuning Tech Inc | Capacitive fingerprint sensor |
| US20040190761A1 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Ju-Hyeon Lee | Apparatus for fingerprint analysis using current detection |
| US6906529B2 (en) * | 2003-06-10 | 2005-06-14 | Stmicroelectronics, Inc. | Capacitive sensor device with electrically configurable pixels |
| JP4481806B2 (ja) * | 2004-12-03 | 2010-06-16 | アルプス電気株式会社 | 容量検出型センサ |
| CN100423019C (zh) * | 2005-08-05 | 2008-10-01 | 奇景光电股份有限公司 | 一种指纹感测装置及其方法 |
| US7738681B1 (en) | 2005-11-01 | 2010-06-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fingerprint and physical attribute detection |
| US8421890B2 (en) * | 2010-01-15 | 2013-04-16 | Picofield Technologies, Inc. | Electronic imager using an impedance sensor grid array and method of making |
| US8866347B2 (en) | 2010-01-15 | 2014-10-21 | Idex Asa | Biometric image sensing |
| US8378508B2 (en) | 2010-03-05 | 2013-02-19 | Authentec, Inc. | Integrally molded die and bezel structure for fingerprint sensors and the like |
| KR101503183B1 (ko) | 2010-06-18 | 2015-03-16 | 오쎈테크, 인코포레이티드 | 감지 영역 위에 캡슐화 층을 포함하는 핑거 센서 및 관련 방법 |
| US20130279769A1 (en) | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Picofield Technologies Inc. | Biometric Sensing |
| NO20131423A1 (no) | 2013-02-22 | 2014-08-25 | Idex Asa | Integrert fingeravtrykksensor |
| ITMI20130482A1 (it) * | 2013-03-29 | 2014-09-30 | St Microelectronics Srl | Dispositivo elettronico integrato per il monitoraggio di pressione all'interno di una struttura solida |
| PL3087349T3 (pl) | 2013-12-27 | 2025-10-20 | Byd Semiconductor Company Limited | Pojemnościowe urządzenie wykrywające do identyfikacji odcisków palców oraz urządzenie do identyfikacji odcisków palców zawierające wspomniane urządzenie |
| CN104748770B (zh) * | 2013-12-27 | 2017-04-12 | 比亚迪股份有限公司 | 用于指纹识别的电容检测装置和具有其的指纹识别装置 |
| EP3090383A4 (en) | 2013-12-30 | 2017-07-26 | BYD Company Limited | Sensor for detecting fingerprint and fingerprint identification apparatus and controlling method of sensor for detecting fingerprint |
| KR102001631B1 (ko) * | 2014-01-14 | 2019-07-18 | 포컬테크 일렉트로닉스 리미티드 | 전계형 지문 인식 장치 그리고 이것의 상태 제어 방법 및 보철 인식 방법 |
| US10095906B2 (en) | 2014-02-21 | 2018-10-09 | Idex Asa | Sensor employing overlapping grid lines and conductive probes for extending a sensing surface from the grid lines |
| CN107704852A (zh) * | 2014-03-20 | 2018-02-16 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 电容指纹感应电路和感应器 |
| US9152841B1 (en) * | 2014-03-24 | 2015-10-06 | Fingerprint Cards Ab | Capacitive fingerprint sensor with improved sensing element |
| CN105320918B (zh) * | 2014-07-04 | 2019-01-22 | 映智科技股份有限公司 | 指纹传感器 |
| US9818018B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-11-14 | Nanotek Instruments, Inc. | Flexible fingerprint sensor materials and processes |
| CN111881877B (zh) * | 2014-10-13 | 2022-03-29 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 用于指纹识别的传感器像素电路 |
| US10354113B2 (en) * | 2014-10-16 | 2019-07-16 | Crucialtec Co., Ltd. | Fingerprint detecting apparatus canceling offset and control method thereof |
| US9733281B2 (en) * | 2014-12-29 | 2017-08-15 | Eaton Corporation | Voltage sensor system |
| US9600705B2 (en) * | 2015-02-11 | 2017-03-21 | Fingerprint Cards Ab | Capacitive fingerprint sensing device with current readout from sensing elements |
| CN107239723B (zh) * | 2016-03-28 | 2021-01-22 | 奇景光电股份有限公司 | 指纹识别装置 |
| KR20170111805A (ko) | 2016-03-29 | 2017-10-12 | 삼성전자주식회사 | 지문 센서의 단위 픽셀, 및 이를 포함하는 지문 센서 |
| TWI758283B (zh) * | 2016-05-30 | 2022-03-21 | 瑞典商指紋卡阿娜卡敦Ｉｐ有限公司 | 具有可控制的解析度的指紋感測器 |
| CN106462309B (zh) | 2016-09-27 | 2019-12-17 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 电容感测电路 |
| EP3324331B1 (en) | 2016-09-27 | 2020-11-25 | Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. | Capacitive sensing circuit |
| US9946920B1 (en) * | 2016-11-23 | 2018-04-17 | Image Match Design Inc. | Sensing element and fingerprint sensor comprising the sensing elements |
| US10002280B1 (en) * | 2016-12-21 | 2018-06-19 | Fingerprint Cards Ab | System and method for controlling a signal in a fingerprint sensing device |
| US10146986B1 (en) * | 2017-07-28 | 2018-12-04 | Sunasic Technologies, Inc. | Capacitive image sensor and method for operating the same |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4290052A (en) * | 1979-10-26 | 1981-09-15 | General Electric Company | Capacitive touch entry apparatus having high degree of personal safety |
| US4353056A (en) | 1980-06-05 | 1982-10-05 | Siemens Corporation | Capacitive fingerprint sensor |
| US6049620A (en) * | 1995-12-15 | 2000-04-11 | Veridicom, Inc. | Capacitive fingerprint sensor with adjustable gain |
| US6114862A (en) | 1996-02-14 | 2000-09-05 | Stmicroelectronics, Inc. | Capacitive distance sensor |
| US6483931B2 (en) * | 1997-09-11 | 2002-11-19 | Stmicroelectronics, Inc. | Electrostatic discharge protection of a capacitve type fingerprint sensing array |
| US6317508B1 (en) | 1998-01-13 | 2001-11-13 | Stmicroelectronics, Inc. | Scanning capacitive semiconductor fingerprint detector |
| DE69933339T8 (de) * | 1998-07-02 | 2007-09-13 | Nippon Telegraph And Telephone Corp. | Nachweisvorrichtung für kleine Kapazitätsänderungen |
| US6512381B2 (en) * | 1999-12-30 | 2003-01-28 | Stmicroelectronics, Inc. | Enhanced fingerprint detection |
| US6525547B2 (en) * | 2001-04-17 | 2003-02-25 | Sentronics Corporation | Capacitive two dimensional sensor |
| WO2002089038A2 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Atrua Technologies, Inc. | Capacitive sensor system with improved capacitance measuring sensitivity |
| US6515488B1 (en) * | 2001-05-07 | 2003-02-04 | Stmicroelectronics, Inc. | Fingerprint detector with scratch resistant surface and embedded ESD protection grid |
-
2001
- 2001-11-02 US US10/052,869 patent/US6636053B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-10-25 DE DE60234567T patent/DE60234567D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-25 EP EP02257454A patent/EP1308878B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-05 JP JP2002320918A patent/JP4382342B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008502989A (ja) * | 2004-06-18 | 2008-01-31 | フィンガープリント カーズ アーベー | 指紋センサ素子 |
| US7864992B2 (en) | 2004-06-18 | 2011-01-04 | Fingerprint Cards Ab | Fingerprint sensor element |
| JP2021531048A (ja) * | 2018-07-20 | 2021-11-18 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co., Ltd. | アレイ基板及びその製造方法、並びに表示装置 |
| JP7323521B2 (ja) | 2018-07-20 | 2023-08-08 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | アレイ基板及びその製造方法、並びに表示装置 |
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| DE60234567D1 (de) | 2010-01-14 |
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