JP2003209236A - 画像撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ａ−Ｓｅを主成分とする層を含む固体検出器
を備えた画像撮像装置において、ａ−Ｓｅの特性の劣化
により生じるアーティファクトの発生や、Ｓ／Ｎの低下
を抑える。 【解決手段】 胸部撮影装置１において、筐体２内に、
固体検出器５０、読取光の走査露光により固体検出器５
０の静電記録部１０から流れ出る電流を検出する電流検
出手段３０等を配して撮影部４を構成する。電流検出手
段３０は、プリント基板３１と、このプリント基板３１
と静電記録部１０とを接続するＴＡＢフィルム３２と、
ＴＡＢフィルム３２上に載置されたチャージアンプＩＣ
３３とからなるが、このＴＡＢフィルム３２の端部と静
電記録部１０（読取用光導電層１４）の端部との離間距
離ｌを５ｍｍ以上とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は画像撮像装置に関
し、より詳細には、アモルファスセレンを主成分とする
層を含む固体検出器を備えた画像撮像装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来より、医療用Ｘ線撮影等において、
被験者の受ける被爆線量の減少、診断性能の向上等のた
めに、Ｘ線等の放射線に感応する例えばａ−Ｓｅ（アモ
ルファスセレン）から成るセレン板等の光導電体を用い
た固体検出器を使用し、この固体検出器に放射線画像情
報を担持するＸ線等の記録用の放射線（記録光）を照射
して、放射線画像情報を担持する潜像電荷を固体検出器
の蓄電部に蓄積させ、その後レーザービーム等の読取用
の電磁波（読取光）で固体検出器を走査することにより
固体検出器内に生じる電流を固体検出器両側の平板電極
或いはストライプ電極を介して検出することにより、潜
像電荷が担持する静電潜像、すなわち放射線画像情報を
読み取るシステムが知られている（例えば、特開２００
０−１０５２９７号、同２０００−２８４０５６号
等）。

【０００３】また、本願出願人は、上記固体検出器をコ
ンパクトな筐体に内蔵した可搬型の画像撮像装置を提案
している（例えば、特願２０００−１１３９４６号
等）。この装置には、ガラス基板上に、導電層、光導電
層等の複数の層を積層した固体検出器が用いられるが、
ここで用いられるガラス基板としては、固体検出器を形
成するにあたって必要とされる耐薬品性および耐熱性等
に優れ、しかも安価であるという観点から、液晶ディス
プレイ等で用いられるガラス板が主に用いられる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の画像
撮像装置において、固体検出器と、固体検出器内で発生
した電流を検出するためのプリント基板とは、一般的に
チャージアンプＩＣが載置されたＴＡＢ（Tape Automa
ted Bonding）フィルムを介して接続される。ここで、
ＴＡＢフィルムの両端は加熱ヘッドに押圧されて、それ
ぞれ固体検出器のガラス基板およびプリント基板に加熱
圧着される。

【０００５】しかしながら、上記固体検出器に用いられ
るａ−Ｓｅは、耐熱性が低く、ガラス転移温度（Ｔｇ）
が４２℃と低いため、ＴＡＢフィルムを加熱圧着する際
に固体検出器（ａ−Ｓｅ）に加熱ヘッドを近づけると、
ａ−Ｓｅの温度がガラス転移温度を超えて、ａ−Ｓｅの
特性が変化するため、この特性が変化した領域において
アーティファクトが発生したり、Ｓ／Ｎが低下する虞が
生じる。また、チャージアンプ等のＩＣを直接ガラス基
板に加熱圧着する場合でも同様の問題が生じる。

【０００６】本発明は上記事情に鑑みて、ａ−Ｓｅを主
成分とする層を含む固体検出器を備えた画像撮像装置に
おいて、ＴＡＢフィルム等の配線用基板等を加熱圧着す
ることにより生じるａ−Ｓｅの特性劣化に起因するアー
ティファクトの発生や、Ｓ／Ｎの低下を抑えた画像撮像
装置を提供することを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明による第１の画像
撮像装置は、基板上にアモルファスセレンを主成分とす
る層を含む静電記録部を備えてなり、画像情報を静電潜
像として記録し、所定の処理により静電潜像に応じた電
流を発生する固体検出器と、発生した電流を検出するた
めの配線を有する配線用基板とを備え、配線用基板が、
基板上においてアモルファスセレンを主成分とする層と
５ｍｍ以上離間して加熱圧着されていることを特徴とす
るものである。

【０００８】上記第１の画像撮像装置においては、基板
上においてアモルファスセレンを主成分とする層と配線
用基板との離間距離は５０ｍｍ以下とすることが望まし
い。

【０００９】本発明による第２の画像撮像装置は、基板
上にアモルファスセレンを主成分とする層を含む静電記
録部を備えてなり、画像情報を静電潜像として記録し、
所定の処理により静電潜像に応じた電流を発生する固体
検出器と、発生した電流を検出するＩＣとを備え、ＩＣ
が、基板上においてアモルファスセレンを主成分とする
層と５ｍｍ以上離間して加熱圧着されていることを特徴
とするものである。

【００１０】上記第２の画像撮像装置においては、基板
上においてアモルファスセレンを主成分とする層とＩＣ
との離間距離は５０ｍｍ以下とすることが望ましい。

【００１１】上記第１および第２の画像撮像装置におい
て、「固体検出器」とは、画像情報を担持する光（可視
光に限らない、放射線も含む）を照射することによっ
て、画像情報を静電潜像として記録させることができる
ものを意味し、例えば、画像情報を静電潜像として記録
し、読取用の電磁波で走査されることにより、前記静電
潜像に応じた電流を発生するものであって、上述の特開
２０００−１０５２９７号公報等に記載された静電記録
体等である。

【００１２】

【発明の効果】本発明の第１の画像撮像装置は、基板上
にアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）を主成分とする層を
含む静電記録部を備えてなり、画像情報を静電潜像とし
て記録し、所定の処理により静電潜像に応じた電流を発
生する固体検出器と、発生した電流を検出するための配
線を有する配線用基板とを備えた画像撮像装置におい
て、配線用基板を、固体検出器の基板上においてアモル
ファスセレンを主成分とする層と５ｍｍ以上離間して固
体検出器の基板に加熱圧着するようにしたので、配線用
基板を固体検出器の基板に加熱圧着する際に、加熱ヘッ
ドを配線用基板に押圧しても、加熱ヘッドの発する熱に
よってａ−Ｓｅの温度がａ−Ｓｅのガラス転移温度であ
る４２℃を超えないようになるため、ａ−Ｓｅの変質に
よりアーティファクトが発生したり、Ｓ／Ｎが低下する
のを防止することができる。

【００１３】また、本発明の第２の画像撮像装置は、基
板上にアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）を主成分とする
層を含む静電記録部を備えてなり、画像情報を静電潜像
として記録し、所定の処理により静電潜像に応じた電流
を発生する固体検出器と、発生した電流を検出するＩＣ
とを備えた画像撮像装置において、ＩＣを、固体検出器
の基板上においてアモルファスセレンを主成分とする層
と５ｍｍ以上離間して固体検出器の基板に加熱圧着する
ようにしたので、ＩＣを固体検出器の基板に加熱圧着す
る際に、加熱ヘッドをＩＣに押圧しても、加熱ヘッドの
発する熱によってａ−Ｓｅの温度がａ−Ｓｅのガラス転
移温度である４２℃を超えないようになるため、ａ−Ｓ
ｅの変質によりアーティファクトが発生したり、Ｓ／Ｎ
が低下するのを防止することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の一実
施の形態である胸部撮影装置１の概略構成を示す側断面
図である。図１に示すように、この胸部撮影装置１は、
撮影用支持柱３に撮像部４がボールネジやシリンダなど
の図示しないアクチュエータを介して昇降自在に支持さ
れてなるものである。

【００１５】撮像部４は、ガラス基板５上に撮像デバイ
スである静電記録部１０が形成された固体検出器５０
と、該固体検出器５０のガラス基板５を保持する基台６
と、静電記録部１０に記録された放射線画像情報の読取
時に使用される読取用露光光源部２０と、読取用露光光
源部２０による静電記録部１０への走査露光時に静電記
録部１０から流れ出す電流を検出して画像信号を得る電
流検出手段３０と、静電記録部１０に所定の電圧を印加
する高電圧電源部４５と、撮影開始前に静電記録部１０
に前露光光を照射する前露光光源部６０と、図示しない
被写体を透過した放射線が被写体により散乱されて発生
する散乱線を吸収する静電記録部１０の被写体に面する
側に配されたグリッド７０と、該グリッド７０、前露光
光源部６０および読取用露光光源部２０を制御する制御
手段を構成する制御用プリント基板８０とが筐体２内に
配置された構成となっている。

【００１６】また撮像部４は、電流検出手段３０からの
画像信号を支持柱３内部を通って外部の画像処理装置１
５０に出力する信号ケーブル９０と、支持柱３内部を通
って外部のＡＣ（交流）電源１５２に接続されているパ
ワーケーブル９２とを備えている。

【００１７】このように、画像記録および読取りを行う
ための各要素を一つの筐体２内に収めたことにより、撮
像部４としてコンパクトにまとまり、その移動も容易に
行うことができ実用的である。

【００１８】電流検出手段３０は、プリント基板３１、
一端がプリント基板３１と接続された比較的短いＴＡＢ
（Tape Automated Bonding）フィルム３２、および該
ＴＡＢフィルム３２上に載置されたチャージアンプＩＣ
３３からなる。ＴＡＢフィルム３２の他端は静電記録部
１０と接続されている。

【００１９】図２は固体検出器５０の一例と読取用露光
光源部２０との配置関係を示した図である。なお、図２
では後述する基台６は省略して示している。

【００２０】固体検出器５０は、ガラス基板５と、この
ガラス基板５上に形成された静電記録部１０とからな
る。静電記録部１０は、放射線画像情報を静電潜像とし
て記録し、読取用の電磁波（以下読取光という）で走査
されることにより、前記静電潜像に応じた電流を発生す
るものであり、具体的には図２に示すように、被写体を
透過したＸ線などの記録用の電磁波など（以下記録光と
いう）に対して透過性を有する第一導電層１１、記録光
の照射を受けることにより電荷を発生して導電性を呈す
る記録用光導電層１２、第一導電層１１に帯電される潜
像極性電荷（例えば負電荷）に対しては略絶縁体として
作用し、かつ、該潜像極性電荷と逆極性の輸送極性電荷
（前例においては正電荷）に対しては略導電体として作
用する電荷輸送層１３、読取光の照射を受けることによ
り電荷を発生して導電性を呈する読取用光導電層１４、
読取光に対して透過性を有する第二導電層１５をこの順
に積層してなるものである。記録用光導電層１２と電荷
輸送層１３との界面に蓄電部１９が形成される。

【００２１】第一導電層１１および第二導電層１５はそ
れぞれ電極をなすものであり、第一導電層１１の電極は
２次元状に平坦な平板電極とされ、第二導電層１５の電
極は図中斜線で示すように多数のエレメント（線状電
極）１５ａが画素ピッチでストライプ状に配されたスト
ライプ電極とされている（例えば特開２０００−１０５
２９７号公報記載の静電記録体を参照）。エレメント１
５ａの配列方向が主走査方向、エレメント１５ａの長手
方向が副走査方向に対応する。

【００２２】読取用光導電層１４としては、近紫外から
青の領域の波長（３００〜５５０ｎｍ）の電磁波に対し
て高い感度を有し、赤の領域の波長（７００ｎｍ以上）
の電磁波に対して低い感度を有するもの、具体的には、
ａ−Ｓｅを主成分とする光導電性物質が好適である。

【００２３】なお本実施形態においては、エレメント１
５ａは各幅を５０μｍとし、画素ピッチ１００μｍにて
配されており、波長５５０ｎｍ以下の光が透過するも
の、例えばＩＴＯ、もしくは薄膜Ａｌなどを用いる。ま
た、読取用光導電層１４にはａ−Ｓｅを用いる。

【００２４】図３は図１に示す撮像部４の固体検出器５
０、基台６の筐体２への取付部をより具体的に示す図で
あり、（Ａ）は静電記録部１０側からみた正面図、
（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図、Ｃ
−Ｃ線断面図を示す。基台６は図に示すように固体検出
器５０のガラス基板５を支持するものである。一般にガ
ラス基板５は厚み１．１ｍｍ以下と非常に薄いものであ
るのに比較して、基台６は図のように垂直に配してもた
わむことのない程度に十分厚いガラスからなり、ここで
は５ｍｍ以上とする。基台６は読取用光源および前露光
光源から出力された光に対して透過性を有し、ガラス基
板５と略同一の屈折率および熱膨張率を有する。また、
読取光の反射による光ロスや迷光を防止するため、読取
光入射面６ａにＡＲ（反射防止）コートが施されてい
る。なお、基台６と基板５はエポキシ樹脂やカナダバル
サムなどの接着剤により接着されている。図３に示すよ
うに、基台６はその四隅、左右および下端部で金属など
からなる取付部材７により挟みつけられて補強され筐体
２に固定されている。なお、基台６の上端部と取付部材
７との間には、静電記録部１０とプリント基板３１とを
接続する前述のＴＡＢフィルム３２を通す隙間８が設け
られている。詳細には、断面図（Ｂ）に示すように基台
６の静電記録部１０の上方に位置する部分と取付部材７
との間には隙間８が設けられており、図（Ａ）に示す基
台６の右上隅部は断面図（Ｃ）に示すように取付部材７
により挟みつけられている。

【００２５】読取用露光光源部２０としては、ＬＥＤチ
ップが一列に複数並べられて構成された光源と、該光源
から出力された光を静電記録部１０上で線状に照射させ
る光学系とからなるものを用いる。なお、光源部２０を
静電記録部１０と必要な距離を保ったまま図示しないリ
ニアモータにより、静電記録部１０のストライプ電極１
５ａ長手方向に走査することにより静電記録部１０の全
面の露光を行う。

【００２６】上述のように、読取用光導電層１４として
は近紫外から青の領域の波長（３００〜５５０ｎｍ）の
電磁波に対して高い感度を有し、赤の領域の波長（７０
０ｎｍ以上）の電磁波に対して低い感度を有するもので
あるで、光源として５５０ｎｍ以下の近紫外から青の領
域の波長の光を出力するものを利用する。

【００２７】読取用露光光源部２０の具体的な一例を図
４に示してその構成と作用を説明する。図４（Ａ）は、
図２に示す読取用露光光源部２０の詳細な構成を示し
た、Ｙ方向からみた側面図であり、図４（Ｂ）は、読取
用露光光源部２０のＸ−Ｙ断面図である。なお図４では
前述の基台６は省略して示している。

【００２８】図４に示すように、読取用露光光源部２０
は、Ｚ軸方向に線状に並べられている複数のＬＥＤチッ
プ１０１ａ、１０１ｂ、…からなる光源１０１と、該光
源１０１から出射された光の品質を向上させるための、
該光源１０１の長手方向に延びる開口１０２ａを有する
スリット１０２および該スリット１０２の開口１０２ａ
に向けて光を集束せしめる光学部材１０３であるシリン
ドリカルレンズ１０４、１０５からなる第一の光学手段
１０６と、第一の光学手段１０６を通過した光を光源１
０１の長手方向に直交する方向について画像検出器面上
に集束せしめるシリンドリカルレンズ１０７、１０８か
らなる第二の光学手段１０９とからなるものである。

【００２９】スリット１０２は、光源から出力された光
を空間的にフィルタリングしてフレア光を抑え、検出器
上でのビーム径を決定するものである。なお、スリット
は光の空間的な広がりを抑えるものであればよく、本実
施形態のような開口を有する機械的なスリットのみなら
ず、濃度分布フィルタなどの光学的な隙間であってもよ
い。

【００３０】光源１０１の各発光点すなわち各ＬＥＤチ
ップ１０１ａ、１０１ｂ、…から出力された光は、シリ
ンドリカルレンズ１０４、１０５によりスリット１０２
の開口１０２ａでその長手方向に集束されてフィルタリ
ングされ、第二の光学手段１０９のシリンドリカルレン
ズ１０７、１０８により光源の長手方向に直交する方向
に集束されて静電記録部１０上に照射される。各ＬＥＤ
チップからの光ビームは等方的に広がって拡散するもの
であり、光源の長手方向については集束されていないた
め、各チップからの光は検出器上で光源の長手方向に拡
散する。これにより光源１０１からの光は静電記録部１
０上を線状に照射することとなり、各チップからの光は
該線状に並ぶ複数の画素を同時に露光する。すなわち、
静電記録部１０上の各画素は複数のＬＥＤチップから出
力された光により同時に露光される。例えば、図４は模
式的に示したものであるが、静電記録部１０上の点Ａは
７個のＬＥＤチップにより同時に露光されている。

【００３１】より具体的には、例えば、光学系の焦点距
離を４０ｍｍ、画素サイズを１００μｍ、ＬＥＤチップ
の間隔（発光点間隔）を２００μｍ、ＬＥＤチップから
の光源長手方向のビーム広がり角を１２０°（半値）と
すると、検出器上の各画素は少なくとも７００個以上の
ＬＥＤチップからの光に同時に露光される。

【００３２】なお、上述の読取用露光光源部２０におい
て、第一の光学手段１０６のシリンドリカルレンズ１０
４、１０５のかわりにセルフォックレンズを用いてもよ
い。

【００３３】また、上述の読取用露光光源部２０の光源
１０１は、ＬＥＤチップを複数並べて構成されたもので
あるが、ＬＥＤチップの代わりにＬＤチップを複数並べ
て構成してもよい。さらに、複数の発光点が線状に並ん
で形成されたＬＥＤアレイもしくはＬＤアレイを光源と
して用いてもよい。

【００３４】なお、本実施の形態においては、読取用露
光光源部として上述のように線状に複数の発光点を有す
る光源を備えた例を挙げたが、これに限るものではな
く、例えば、特開２０００−１６２７２６号公報記載
の、微小光源が面状に配されてなる面状光源と該面状光
源を制御する光源制御手段とからなる読取用露光光源部
を利用することもできる。

【００３５】図５に読取用露光光源部１２０と静電記録
部１０との斜視図（Ａ）、Ｘ―Ｚ断面図（Ｂ）、Ｘ−Ｙ
断面図（Ｃ）を示す。なお、図５ではガラス基板５は省
略して示している。読取用露光光源部１２０は、面状光
源１３０と該光源１３０を制御する光源制御手段１４０
とを備えたものであり、面状光源１３０は、静電記録部
１０の第二導電層１５とガラス基板５との間に、静電記
録部１０と一体的に形成されている。

【００３６】より詳細には、面状光源１３０はＥＬ発光
体であって、導電層１３１と、ＥＬ層１３２と、導電層
１３３とからなる。静電記録部１０の第二導電層１５と
導電層１３１との間には絶縁層１３４が設けられる。導
電層１３１は、静電記録部１０のエレメント１５ａと交
差（本例では略直交）するように多数のエレメント（線
状電極）１３１ａが画素ピッチでストライプ状に配され
たストライプ電極とされている。これにより、エレメン
ト１３１ａ（図中斜線部）によるライン状の光源が面状
に多数配列するように構成される。各エレメント１３１
は光源制御手段１４０に接続されている。また、各エレ
メント１３１ａはＥＬ層１３２からのＥＬ光に対して透
明なもので形成されている。導電層１３３は平板電極と
なっており、ＥＬ層１３２から発せられるＥＬ光を全反
射するもので形成されている。

【００３７】光源制御手段１４０は、エレメント１３１
ａとそれに対向する導電層１３３との間に、エレメント
１３１ａ個別に、或いは複数または全てのエレメント１
３１ａを同時に、所定の電圧を印加するものであり、エ
レメント１３１ａを順次切り替えながら夫々のエレメン
ト１３１ａと導電層１３３との間に所定の直流電圧を印
加する。この直流電圧の印加によりエレメント１３１ａ
と導電層１３３とに挟まれたＥＬ層１３２からＥＬ光が
発せられる。エレメント１３１ａはライン状になってい
るから、エレメント１３１ａを透過したＥＬ光はライン
状の読取光として利用される。すなわち面状光源１３０
としては、ライン状の微小光源を面状に配列したもの等
価となり、エレメント１３１ａを順次切り替えてＥＬ発
光させることにより、読取光で静電記録部１０を電気的
に走査することになる。

【００３８】このような静電記録部１０と一体的に構成
した面状光源を読取用露光光源として利用することによ
り、光源を移動させるスペースおよび移動させるための
リニアモータなどが不要となり装置全体としてよりコン
パクトに構成することができる。

【００３９】さらに、この面状光源１３０と光源制御手
段１４０とからなる読取用露光光源部１２０は、前露光
光源部を兼ねることもできる。具体的には、複数のエレ
メント１３１ａと導電層１３３との間に所定の電圧を同
時に印加する。この際、電圧の印加によりＥＬ層１３２
から発せられる前露光用の光が静電記録部１０に略一様
に照射されればよく、エレメント１３１ａの数の大小は
問わない。例えば、所定間隔で間引いてもよいし、全て
のエレメント１３１ａとしてもよい。

【００４０】このように読取光と前露光用の光を同一の
光源を使用して発するようにすれば、特別に前露光用光
源を備える必要がないため装置をさらにコンパクト化す
ることができ、装置の部品点数を削減することができる
ため安価な装置にすることができる。

【００４１】なお、このような静電記録部１０と一体的
に形成された面状光源１３０を読取用露光光源および前
露光光源として適用する場合には、一体化された静電記
録部１０および面状光源１３０が面状光源１３０側から
基台により支持されるように構成すればよく、この際、
基台は光透過性を有する必要はない。

【００４２】図６は静電記録部１０、電流検出手段３
０、および高電圧電源部４５の接続態様の詳細を示した
図である。図示するように、静電記録部１０の各エレメ
ント１５ａがＴＡＢフィルム３２上に形成されたプリン
トパターン（不図示）を介してチャージアンプＩＣ３３
と接続され、さらにチャージアンプＩＣ３３がＴＡＢフ
ィルム３２上に形成されたプリントパターン（不図示）
を介してプリント基板３１と接続されている。なお、本
実施形態では全てのエレメント１５ａを１つのチャージ
アンプＩＣ３３に接続するのではなく、全体として数個
〜数１０個のチャージアンプＩＣ３３を設け、順次隣接
する数本〜百本程度のエレメント１５ａごとに各チャー
ジアンプＩＣ３３に接続するようにしている。

【００４３】本実施の形態における静電記録部１０と電
流検出手段３０との接続について、図面を用いてさらに
詳細に説明する。図７（Ａ）は、静電記録部１０および
電流検出手段３０の上面図、図７（Ｂ）は、静電記録部
１０および電流検出手段３０の側面図である。

【００４４】ＴＡＢフィルム３２の端部上側から加熱ヘ
ッド３８を押圧することにより、ＴＡＢフィルム３２と
ガラス基板５上の複数のエレメント１５ａとが、ＡＣＦ
（異方性導電シート：Anisotropic Conductive Film）
３５を介して加熱圧着される。

【００４５】このとき、加熱ヘッド３８の発する熱によ
り、ａ−Ｓｅからなる読取用光導電層１４が変質する虞
があるため、読取用光導電層１４の端部とＴＡＢフィル
ム３２の端部との離間距離ｌを５ｍｍ以上とすることに
より、加熱ヘッド３８の発する熱によって読取用光導電
層１４の温度がａ−Ｓｅのガラス転移温度である４２℃
を超えないようになるため、ａ−Ｓｅの変質によりアー
ティファクトが発生したり、Ｓ／Ｎが低下するのを防止
することができる。また、離間距離ｌを長くする程、加
熱ヘッド３８の発する熱が読取用光導電層１４に与える
影響を抑えることができるが、あまり離間距離ｌを長く
すると、静電記録部１０の画像領域に対して筐体２が大
きくなり商品性が低下してしまうため、離間距離ｌは５
０ｍｍ以下とすることが望ましい。なお、加熱ヘッド３
８と静電記録部１０との間に遮熱部材３９を設けること
によって、より効果的に熱の影響を抑えることができ
る。

【００４６】さらに、プリント基板３１とＴＡＢフィル
ム３２との間も、同様にＡＣＦ３４を介して加熱圧着さ
れる。

【００４７】なお、電流検出手段３０は、上述の態様に
限定されるものではなく、例えば図８に示すように、チ
ャージアンプＩＣ３３をＴＡＢフィルム３２上に形成し
ない態様としてもよい。図８（Ａ）は、静電記録部１０
および電流検出手段３０の上面図、図８（Ｂ）は、静電
記録部１０および電流検出手段３０の側面図である。

【００４８】本態様は、チャージアンプＩＣ３３を、ガ
ラス基板５上の複数のエレメント１５ａおよびチャージ
アンプＩＣ３３の出力端子からＴＡＢフィルム３２への
配線３７上に直接加熱圧着するものである。

【００４９】チャージアンプＩＣ３３の上側から加熱ヘ
ッド３８を押圧することにより、チャージアンプＩＣ３
３とガラス基板５上の複数のエレメント１５ａおよび配
線３７とが、ＡＣＦ３６を介して加熱圧着される。ま
た、ガラス基板５上の配線３７とＴＡＢフィルム３２と
の間や、プリント基板３１とＴＡＢフィルム３２との間
も、同様にＡＣＦを介して加熱圧着される。

【００５０】なお、このような態様の場合も、読取用光
導電層１４の端部とチャージアンプＩＣ３３の端部との
離間距離ｌは上述と同様の理由により５ｍｍ以上５０ｍ
ｍ以下とすることが望ましい。

【００５１】静電記録部１０の平面電極である第一導電
層１１には、画像記録領域より一部が大きめに形成され
た非画像領域１１ａが設けられている。この非画像領域
１１ａには静電記録部１０の近傍に配された高電圧電源
部４５から出力されたケーブル４６のホット側（芯線）
４６ａが直接ボンディングされ、ケーブル４６のアース
側（外被）４６ｂがプリント基板３１にネジ止め４７に
より接続されている。本実施形態ではホット側４６ａが
アース側４６ｂに対してマイナス電位となるようにす
る。プリント基板３１に接続されたアース側４６ｂは、
ＴＡＢフィルム３２を通して各チャージアンプＩＣ３３
に共通に接続されることによりチャージアンプＩＣ３３
の基準電位ともなる。

【００５２】このように上記構成の装置１は、高電圧電
源部４５を静電記録部１０やプリント基板３１の近傍に
配したので電源接続用のケーブル４６を短くすることが
でき、また特殊なケーブルとする必要もないのでケーブ
ル４６の引き回しが楽になり、さらに直接ボンディング
やネジ止めによりケーブル４６のホット側４６ａおよび
アース側４６ｂを静電記録部１０やプリント基板３１と
接続するようにしたので特別なコネクタを必要せずコス
トを抑えることができる。

【００５３】図９は筐体２内に設けられた電流検出手段
３０および高電圧電源部４５の詳細、並びにこれらと固
体検出器５０、電流検出手段３０、および装置１の外部
に配された画像処理装置１５０などとの接続態様を示し
たブロック図である。

【００５４】高電圧電源部４５は、高電圧電源４０とバ
イアス切換手段４２とが一体化された回路であり、高電
圧電源４０は、一旦、静電記録部１０へのバイアス印加
／短絡など切換えのためバイアス切換手段４５を介して
静電記録部１０に接続されている。なお、この回路は、
切換え時に流れる電流の尖頭値を制限して装置の電流が
集中する箇所の破壊を防ぐために、充放電過大電流を防
止するように設計されている。

【００５５】ＴＡＢフィルム３２上に設けられたチャー
ジアンプＩＣ３３は、静電記録部１０の各エレメント１
５ａごとに接続された多数のチャージアンプ３３ａおよ
びサンプルホールド（Ｓ／Ｈ）３３ｂ、各サンプルホー
ルド３３ｂからの信号をマルチプレクスするマルチプレ
クサ３３ｃを備えている。静電記録部１０から流れ出す
電流は各チャージアンプ３３ａにより電圧に変換され、
該電圧がサンプルホールド３３ｂにより所定のタイミン
グでサンプルホールドされ、サンプルホールドされた各
エレメント１５ａに対応する電圧がエレメント１５ａの
配列順に切り替わるようにマルチプレクサ３３ｃから順
次出力される（主走査の一部に相当する）。マルチプレ
クサ３３ｃから順次出力された信号はプリント基板３１
上に設けられたマルチプレクサ３１ｃに入力され、さら
に各エレメント１５ａに対応する電圧がエレメント１５
ａの配列順に切り替わるようにマルチプレクサ３１ｃか
ら順次出力され主走査が完了する。マルチプレクサ３１
ｃから順次出力された信号はＡ／Ｄ変換部３１ａにより
デジタル信号に変換され、デジタル信号がメモリ３１ｂ
に格納される。

【００５６】前露光光源部６０としては、短時間で発光
／消光し、残光の非常に小さい光源が必要であり、本実
施形態においては外部電極型希ガス蛍光ランプを利用す
る。詳細には前露光光源部６０は、図１に示すように、
図中紙面奥方向に延びる複数の外部電極型希ガス蛍光ラ
ンプ６１と、該蛍光ランプ６１と静電記録部１０との間
に挿入された波長選択フィルタ６２と、蛍光ランプ６１
の後方に配され、蛍光ランプ６１から出力された光を効
率よく静電記録部１０側へ反射するための反射板６３と
を備えてなる。なお、前露光光は静電記録部１０の第二
電極層１５全体に照射すればよく特に集光手段は必要な
いが、照度分布は小さい方がよい。なお、光源としては
蛍光ランプの代わりに、例えばＬＥＤチップを面的に並
べたものを利用するもことできる。さらに、基台６に波
長選択性を持たせることにより、波長選択フィルタ６２
を省くこともできる。

【００５７】静電記録部１０から静電潜像を読み取る
際、基本的には蓄積されている潜像電荷を全て読み出す
ことができるが、場合によっては潜像電荷を完全に読み
出すことができず静電記録部１０に残留電荷として読み
残すことがある。また、静電記録部１０に静電潜像を記
録するとき、記録光の照射の前に静電記録部１０に高圧
を印加するが、この印加の際に暗電流が発生し、それに
よる電荷（暗電流電荷）も静電記録部１０に蓄積され
る。さらに、これら以外の原因によっても静電記録部１
０に種々な電荷が記録光の照射の前に蓄積されることが
知られている。記録光の照射の前に蓄積されるこれら残
留電荷，暗電流電荷などの不要電荷は、記録光を照射す
ることにより蓄積される画像情報を担持する電荷に加算
されることになるから、結局静電記録部１０から静電潜
像を読み取ったとき、出力される信号には画像情報を担
持する電荷に基づく信号以外に不要電荷による信号成分
が含まれることになり、残像現象やＳ／Ｎ劣化などの問
題を生じる。

【００５８】「前露光」は、この記録光を画像検出器に
照射する前に画像検出器に蓄積されている不要電荷を消
去し、残像現象やＳ／Ｎ劣化などの問題を解消するため
のものである。

【００５９】次いで、このように構成される胸部撮影装
置１の動作について説明する。

【００６０】まず、被写体（患者）の体格に合わせて撮
影部４を昇降し位置決めする。

【００６１】次に、静電記録部１０に対して前露光光を
照射し、静電記録部１０に蓄積されている不要電荷を消
去する。

【００６２】なお、前露光処理は、静電記録部１０への
電圧印加前に行ってもよいし、該電圧印加後に行っても
よい。さらには、電圧印加前に前露光点灯し、電圧印加
後に消灯する態様であってもよい。

【００６３】撮影時には、まず、バイアス切換手段４２
により電源４０の負極を第１の導電体層１１に接続して
第一導電層１１と各エレメント１５ａとの間に直流電圧
を印加し両導電層１１，１５を帯電させる。これにより
静電記録部１０内の第一導電層１１とエレメント１５ａ
との間に、エレメント１５ａをＵ字の凹部とするＵ字状
の電界が形成される。

【００６４】その後、撮影者がタイミングを見計らって
図示しない照射ボタンを押すと、撮影部４の被写体側面
に配されているグリッド７０が揺動を開始し、このグリ
ッド７０の揺動速度が所定速度に達し、かつ上述の電圧
印加により静電記録部１０に十分な電圧が印加されたタ
イミングでＸ線が照射される。

【００６５】被写体を透過したＸ線、すなわち被写体の
放射線画像情報を担持する記録光を静電記録部１０に照
射すると、静電記録部１０の記録用光導電層１２内で正
負の電荷対が発生し、その内の負電荷が上述の電界分布
に沿ってエレメント１５ａに集中せしめられ、記録用光
導電層１２と電荷輸送層１３との界面に形成された蓄電
部１９に負電荷が蓄積される。この蓄積された負電荷す
なわち潜像極性電荷の量は被写体を透過した放射線量に
略比例するので、この潜像極性電荷が静電潜像を担持す
ることとなる。このようにして静電潜像が静電記録部１
０に記録される。一方、記録用光導電層１２内で発生す
る正電荷は第一導電層１１に引き寄せられて、高電圧電
源４０から注入された負電荷と電荷再結合し消滅する。

【００６６】Ｘ線を照射し画像記録を行った後、静電記
録部１０から静電潜像を読み取る際には、静電記録部１
０の両導電層１１、１５間はバイアス切換手段４２によ
り短絡される。

【００６７】読取用露光光源部２０が作動し、光源101
から読取光Ｌが出力されるとともにエレメント１５ａに
長手方向すなわち副走査方向に図示しないリニアモータ
により移動させ、静電記録部１０の全面を走査する。上
述の読取用露光光源部２０の動作説明の通り、該光源部
２０から出力されるライン状の読取光Ｌが基台６および
ガラス基板５を透過し、静電記録部１０の各エレメント
１５ａに照射される。

【００６８】すると、読取用光導電層１４内に正負の電
荷対が発生し、その内の正電荷が蓄電部１９に蓄積され
た負電荷（潜像極性電荷）に引きつけられるように電荷
輸送層１３内を急速に移動し、蓄電部１９で潜像極性電
荷と電荷再結合し消滅する。一方、読取用光導電層１４
に生じた負電荷は第二導電層１５に注入される正電荷と
電荷再結合し消滅する。このようにして、静電記録部１
０に蓄積されていた負電荷が電荷再結合により消滅し、
この電荷再結合の際の電荷の移動による電流が静電記録
部１０内に生じる。

【００６９】各エレメント１５ａごとに接続された電流
検出用のチャージアンプ３３ａにより、この電流を各エ
レメント１５ａごとに並列的（同時）に検出する。チャ
ージアンプ３３ａにより検出された信号は、サンプルホ
ールド３３ｂによりサンプルホールドされ、サンプルホ
ールドされた各エレメント１５ａに対応する電圧がエレ
メント１５ａの配列順に切り替わるようにマルチプレク
サ３３ｃから順次出力され、プリント基板３１上のマル
チプレクサ３１ｃによりさらに順次出力され、Ａ／Ｄ変
換部３１ａでＡ／Ｄ変換され、デジタルの画像信号とし
てメモリ３１ｂに格納される。

【００７０】読取光Ｌの走査露光に伴い静電記録部１０
内を流れる電流は潜像電荷すなわち静電潜像に応じたも
のであり、この電流を検出して得た画像信号は静電潜像
を表すので静電潜像を読取ることができる。

【００７１】なお、一旦メモリ３１ｂに格納された画像
信号は、信号ケーブル９０を介して外部の画像処理装置
１５０に送られ、この画像処理装置１５０において適当
な画像処理が施され、撮影情報と共にネットワーク１５
１にアップロードされ、サーバもしくはプリンタに送ら
れる。

【００７２】なお、上記においては本発明の実施の形態
として胸部撮影用の装置を例に挙げたが、本発明はこれ
に限るものではなく、図１０に示すように、撮影用支持
柱３’に、昇降、回転自在に、さらに斜め方向への傾き
自在に支持された可動部、ここではＵ−アーム２００に
撮影部４がさらに支持されているＸ線撮影装置２に適用
することもできる。

【００７３】Ｕ−アーム２００に支持された撮影部４と
照射部２１０とが対面位置に配され、被写体の撮影部位
および撮影角度などによってＵ−アームを昇降、回転な
どさせて位置調整をして撮影を行う。なお、撮影部４に
関しては上記実施形態のものと同等であり、撮影方法も
同様であるため詳細な説明を省略する。

【００７４】なお、本発明の放射線画像撮像装置は、Ｕ
−アームを備えた撮影用装置と同様にしてＣ−アームを
備えたＸ線撮影装置の撮像部としても利用することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態である胸部撮影装置の概略
構成を示す側断面図

【図２】上記胸部撮影装置に使用されている画像検出器
の斜視図と読取用露光光源部との配置関係を示した図

【図３】上記画像検出器を支持する基台を示す図

【図４】読取用露光光源部の詳細な構成を示す図

【図５】読取用露光光源部の他の態様を示す図

【図６】画像検出器、電流検出手段および高電圧電源部
の接続態様の詳細を示した図

【図７】画像検出器および電流検出手段の接続態様の詳
細を示した図

【図８】画像検出器および電流検出手段の接続態様の詳
細を示した図

【図９】電流検出手段および高電圧電源部の詳細および
これらと画像検出器の接続態様を示したブロック図

【図１０】本発明の画像撮像装置をＵ−アームを備えた
Ｘ線撮影装置に適用した態様を示す図

【符号の説明】

１ 胸部撮影装置 ３ 撮影用支持柱 ４ 撮影部 10 画像検出器 20 読取用露光光源部 30 電流検出手段 40 高電圧電源 45 高電圧電源部 60 前露光光源部 70 グリッド 80 制御用プリント基板 90 信号ケーブル 92 パワーケーブル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｈ０４Ｎ 1/04 Ｅ Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG21 JJ09 JJ32 4M118 AA05 AB01 BA05 BA19 CA15 CB05 DD01 DD02 GA01 GA09 GA10 GD05 GD07 HA21 HA26 HA29 5C024 AX12 AX17 DX04 JX02 5C072 AA01 BA11 BA17 EA08 FA05 VA01

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にアモルファスセレンを主成分と
   する層を含む静電記録部を備えてなり、画像情報を静電
   潜像として記録し、所定の処理により前記静電潜像に応
   じた電流を発生する固体検出器と、 発生した前記電流を検出するための配線を有する配線用
   基板とを備え、 該配線用基板が、前記基板上において前記アモルファス
   セレンを主成分とする層と５ｍｍ以上離間して前記基板
   に加熱圧着されていることを特徴とする画像撮像装置。
2. 【請求項２】 前記基板上において前記アモルファスセ
   レンを主成分とする層と前記配線用基板との離間距離が
   ５０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の画
   像撮像装置。
3. 【請求項３】 基板上にアモルファスセレンを主成分と
   する層を含む静電記録部を備えてなり、画像情報を静電
   潜像として記録し、所定の処理により前記静電潜像に応
   じた電流を発生する固体検出器と、 発生した前記電流を検出するＩＣとを備え、 該ＩＣが、前記基板上において前記アモルファスセレン
   を主成分とする層と５ｍｍ以上離間して前記基板に加熱
   圧着されていることを特徴とする画像撮像装置。
4. 【請求項４】 前記基板上において前記アモルファスセ
   レンを主成分とする層と前記ＩＣとの離間距離が５０ｍ
   ｍ以下であることを特徴とする請求項３記載の画像撮像
   装置。