JP2003233190A - 混合フォト酸レイビル基を有するポリマーおよび該ポリマーを含むフォトレジスト - Google Patents
混合フォト酸レイビル基を有するポリマーおよび該ポリマーを含むフォトレジストInfo
- Publication number
- JP2003233190A JP2003233190A JP2002296340A JP2002296340A JP2003233190A JP 2003233190 A JP2003233190 A JP 2003233190A JP 2002296340 A JP2002296340 A JP 2002296340A JP 2002296340 A JP2002296340 A JP 2002296340A JP 2003233190 A JP2003233190 A JP 2003233190A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- group
- photoresist
- acetal
- units
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/115—Cationic or anionic
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリマーを含むフォトレジストのリソグラフ
ィー特性が改良される新規なポリマーの提供。 【解決手段】 光活性成分および、ｉ）フォト酸レイビ
ルアセタール単位、およびｉｉ）単位ｉ）とは異なるフ
ォト酸レイビル単位を含むポリマー、を含むフォトレジ
スト組成物。
ィー特性が改良される新規なポリマーの提供。 【解決手段】 光活性成分および、ｉ）フォト酸レイビ
ルアセタール単位、およびｉｉ）単位ｉ）とは異なるフ
ォト酸レイビル単位を含むポリマー、を含むフォトレジ
スト組成物。
Description
【０００１】本発明は２つの異なるフォト酸レイビル基
を有し、第１の基はアセタール基であり、第２の基はア
セタール基以外のもの、たとえば、アルキルアクリレー
トの重合により提供されるようなフォト酸レイビルエス
テル基である新規なポリマーに関する。本発明はさらに
そのようなポリマーを樹脂成分として含む、ポジ型フォ
トレジストに関する。
を有し、第１の基はアセタール基であり、第２の基はア
セタール基以外のもの、たとえば、アルキルアクリレー
トの重合により提供されるようなフォト酸レイビルエス
テル基である新規なポリマーに関する。本発明はさらに
そのようなポリマーを樹脂成分として含む、ポジ型フォ
トレジストに関する。
【０００２】フォトレジストは、基体への画像の転移に
使用される感光性フィルムである。フォトレジストのコ
ーティング層は基体上で形成され、それから、フォトレ
ジスト層は、フォトマスクを通して活性化放射線ソース
で露光される。そのフォトマスクは、活性化放射線に対
し非透過性の領域と活性化放射線に対し透過性の他の領
域を有する。活性化放射線での露光により、フォトレジ
ストコーティングは光誘起による化学変換を受け、それ
によりフォトマスクパターンがフォトレジストを塗布さ
れた基体へ転移される。露光に引き続き、フォトレジス
トは現像され、基体の選択的処理を許容するレリーフイ
メージが提供される。
使用される感光性フィルムである。フォトレジストのコ
ーティング層は基体上で形成され、それから、フォトレ
ジスト層は、フォトマスクを通して活性化放射線ソース
で露光される。そのフォトマスクは、活性化放射線に対
し非透過性の領域と活性化放射線に対し透過性の他の領
域を有する。活性化放射線での露光により、フォトレジ
ストコーティングは光誘起による化学変換を受け、それ
によりフォトマスクパターンがフォトレジストを塗布さ
れた基体へ転移される。露光に引き続き、フォトレジス
トは現像され、基体の選択的処理を許容するレリーフイ
メージが提供される。
【０００３】フォトレジストは、ポジ型又はネガ型のい
ずれかであり得る。大部分のネガ型フォトレジストにと
って、活性化放射線で露光されたコーティング層部分
は、光活性化合物及びフォトレジスト組成物の重合剤と
の反応において重合し又は架橋する。結果的に、その露
光されたコーティング部分は、未露光部分よりも現像溶
液に対する溶解性が減少する。ポジ型フォトレジストに
ついては、未露光領域が現像液に対する溶解性が比較的
少ないまま残るのに対し、露光部分は現像溶液に対し溶
解性が増大する。フォトレジスト組成物は、Ｄｅｆｏｒ
ｅｓｔ、Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ、ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌ
ｌ Ｂｏｏｋ Ｃｏｍｐａｎｙ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、ｃ
ｈ．２、１９７５およびＭｏｒｅａｕ、Ｓｅｍｉｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ、Ｐｒｉｎｃｉ
ｐｌｅｓ、Ｐｒａｃｔｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉ
ａｌｓ、Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒ
ｋ，ｃｈ．２および４に記載されている。
ずれかであり得る。大部分のネガ型フォトレジストにと
って、活性化放射線で露光されたコーティング層部分
は、光活性化合物及びフォトレジスト組成物の重合剤と
の反応において重合し又は架橋する。結果的に、その露
光されたコーティング部分は、未露光部分よりも現像溶
液に対する溶解性が減少する。ポジ型フォトレジストに
ついては、未露光領域が現像液に対する溶解性が比較的
少ないまま残るのに対し、露光部分は現像溶液に対し溶
解性が増大する。フォトレジスト組成物は、Ｄｅｆｏｒ
ｅｓｔ、Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ、ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌ
ｌ Ｂｏｏｋ Ｃｏｍｐａｎｙ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、ｃ
ｈ．２、１９７５およびＭｏｒｅａｕ、Ｓｅｍｉｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ、Ｐｒｉｎｃｉ
ｐｌｅｓ、Ｐｒａｃｔｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉ
ａｌｓ、Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒ
ｋ，ｃｈ．２および４に記載されている。
【０００４】より最近は、化学増幅型レジストの使用
が、特にサブミクロン画像の形成及び他の高性能用途に
おいて増加している。斯かるフォトレジストはネガ型又
はポジ型であってもよく、一般に、光生成酸の単位当た
り多くの架橋形成（ネガ型レジストの場合）又はの脱保
護反応（ｄｅｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ ｒｅａｃｔｉｏ
ｎ）（ポジ型レジストの場合）が含まれる。化学増幅さ
れたポジ型レジストの場合には、ある種のカチオン光重
合開始剤が、フォトレジストバインダーのペンダントで
ある特定の「ブロッキング」基の開裂又はフォトレジス
トバインダー骨格に含まれる特定の基の開裂を誘導する
のに使用されていた。例えば、米国特許第５、０７５、
１９９号；４、９６８、５８１号；４，８８３，７４０
号；４、８１０、６１３号；及び４、４９１、６２８及
びカナダ特許出願第２、００１、３８４号に開示があ
る。斯かるレジストのコーティング層の露光を通してブ
ロッキング基の開裂に際しては、極性官能基、例えば、
カルボキシル又はイミド基が形成されレジストコーティ
ング層の露光及び未露光領域における異なる溶解特性が
生ずる。更に、Ｒ．Ｄ．アレン等のＳＰＩＥの会報，２
７２４：３３４−３４３（１９９６）；Ｐ．Ｔｒｅｆｏ
ｎａｓ等の第１１回フォトポリマー国際学会会報（Ｓｏ
ｃ．ｏｆ Ｐｌａｓｔｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ）、
４４−５８頁（１９９７年、1０月６日）の開示を参
照。
が、特にサブミクロン画像の形成及び他の高性能用途に
おいて増加している。斯かるフォトレジストはネガ型又
はポジ型であってもよく、一般に、光生成酸の単位当た
り多くの架橋形成（ネガ型レジストの場合）又はの脱保
護反応（ｄｅｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ ｒｅａｃｔｉｏ
ｎ）（ポジ型レジストの場合）が含まれる。化学増幅さ
れたポジ型レジストの場合には、ある種のカチオン光重
合開始剤が、フォトレジストバインダーのペンダントで
ある特定の「ブロッキング」基の開裂又はフォトレジス
トバインダー骨格に含まれる特定の基の開裂を誘導する
のに使用されていた。例えば、米国特許第５、０７５、
１９９号；４、９６８、５８１号；４，８８３，７４０
号；４、８１０、６１３号；及び４、４９１、６２８及
びカナダ特許出願第２、００１、３８４号に開示があ
る。斯かるレジストのコーティング層の露光を通してブ
ロッキング基の開裂に際しては、極性官能基、例えば、
カルボキシル又はイミド基が形成されレジストコーティ
ング層の露光及び未露光領域における異なる溶解特性が
生ずる。更に、Ｒ．Ｄ．アレン等のＳＰＩＥの会報，２
７２４：３３４−３４３（１９９６）；Ｐ．Ｔｒｅｆｏ
ｎａｓ等の第１１回フォトポリマー国際学会会報（Ｓｏ
ｃ．ｏｆ Ｐｌａｓｔｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ）、
４４−５８頁（１９９７年、1０月６日）の開示を参
照。
【０００５】現在入手可能なフォトレジストは多くの用
途に適してはいるが、現在のレジストは、特に、高度に
解像した０．５ミクロン以下の及び０．２５ミクロン以
下の像の形成等を必要とする高性能用途には著しい欠陥
をも提示する。
途に適してはいるが、現在のレジストは、特に、高度に
解像した０．５ミクロン以下の及び０．２５ミクロン以
下の像の形成等を必要とする高性能用途には著しい欠陥
をも提示する。
【０００６】従って、約２５０ｎｍ以下あるいは更に約
２００ｎｍ以下、例えば、２４８ｎｍ（ＫｒＦレーザー
により提供）又は１９３ｎｍ（ＡｒＦ露光ツールにより
提供）の露光放射線をはじめとする短波長放射線でフォ
ト画像形成することができるフォトレジストに、関心が
高まってきている。ヨーロッパ公開出願ＥＰ９１５３８
２Ａ２参照。そのような短い露光波長を使用することに
よりより細かい像の形成を可能にすることができる。従
って、２４８又は１９３ｎｍ露光で充分解像された画像
を生じさせるフォトレジストは、より小さな次元の回路
パターンの恒常的な工業的要求、例えば、より大きな回
路密度及び向上したデバイス性能を提供するための著し
く小さな（例えば０．２５ミクロン以下の）像の形成を
可能にすることができた。
２００ｎｍ以下、例えば、２４８ｎｍ（ＫｒＦレーザー
により提供）又は１９３ｎｍ（ＡｒＦ露光ツールにより
提供）の露光放射線をはじめとする短波長放射線でフォ
ト画像形成することができるフォトレジストに、関心が
高まってきている。ヨーロッパ公開出願ＥＰ９１５３８
２Ａ２参照。そのような短い露光波長を使用することに
よりより細かい像の形成を可能にすることができる。従
って、２４８又は１９３ｎｍ露光で充分解像された画像
を生じさせるフォトレジストは、より小さな次元の回路
パターンの恒常的な工業的要求、例えば、より大きな回
路密度及び向上したデバイス性能を提供するための著し
く小さな（例えば０．２５ミクロン以下の）像の形成を
可能にすることができた。
【０００７】しかしながら、現在ある多くのフォトレジ
ストは、一般にＩ−ライン（３６５ｎｍ）及びＧ−ライ
ン（４３６ｎｍ）露光のような比較的長波長において画
像形成するように設計されており、一般に２００ｎｍ未
満のような短波長における画像形成には不向きである。
より短波長のレジスト、たとえば、２４８ｎｍの露光で
有効なものも、一般にたとえば、１９３ｎｍのような２
００ｎｍ未満の露光において適当ではない。たとえば、
最近のフォトレジストは１９３ｎｍ等の極めて短い露光
波長に対し、非常に非透過性になり得るので、それによ
り結果的に解像度の悪い画像を生ずる。
ストは、一般にＩ−ライン（３６５ｎｍ）及びＧ−ライ
ン（４３６ｎｍ）露光のような比較的長波長において画
像形成するように設計されており、一般に２００ｎｍ未
満のような短波長における画像形成には不向きである。
より短波長のレジスト、たとえば、２４８ｎｍの露光で
有効なものも、一般にたとえば、１９３ｎｍのような２
００ｎｍ未満の露光において適当ではない。たとえば、
最近のフォトレジストは１９３ｎｍ等の極めて短い露光
波長に対し、非常に非透過性になり得るので、それによ
り結果的に解像度の悪い画像を生ずる。
【０００８】我々は、新規なポリマー、および樹脂成分
として該ポリマーを含むフォトレジスト組成物を見いだ
した。本発明のポリマーは、２つの異なる基を１つの樹
脂中に有し、該基はフォト生成酸の存在下でデブロッキ
ング反応をすることができ、デブロッキング部位の１つ
はアセタール基である。第２のフォト酸レイビル基は適
当にはエステル基であり、特にはたとえば、ｔ−ブチル
メタアクリレートのようなアルキルアクリレート基の重
合により提供される。
として該ポリマーを含むフォトレジスト組成物を見いだ
した。本発明のポリマーは、２つの異なる基を１つの樹
脂中に有し、該基はフォト生成酸の存在下でデブロッキ
ング反応をすることができ、デブロッキング部位の１つ
はアセタール基である。第２のフォト酸レイビル基は適
当にはエステル基であり、特にはたとえば、ｔ−ブチル
メタアクリレートのようなアルキルアクリレート基の重
合により提供される。
【０００９】我々は本発明のポリマーの使用により、ポ
リマーを含むフォトレジストの顕著なリソグラフィー特
性を賦与できることを見いだした。本発明のポリマーの
アセタール基は種々の方法により提供されることができ
る。たとえば、アセタール基はあらかじめ形成されたポ
リマーの上にグラフトされることができ、または重合さ
れて本発明のポリマーを提供できるモノマーであっても
良い。たとえば、そのようなアセタール基は、ビニルエ
ーテル化合物をたとえば、ヒドロキシ、カルボキシなど
の反応性のポリマー基にグラフトさせることにより、た
とえば、フェノール含有ポリマーのフェノール性酸素の
上にグラフトさせることにより提供されることができ
る。そのようなアセタール基をを含むアクリレートモノ
マーも、好適に重合されて本発明のポリマーを提供す
る。
リマーを含むフォトレジストの顕著なリソグラフィー特
性を賦与できることを見いだした。本発明のポリマーの
アセタール基は種々の方法により提供されることができ
る。たとえば、アセタール基はあらかじめ形成されたポ
リマーの上にグラフトされることができ、または重合さ
れて本発明のポリマーを提供できるモノマーであっても
良い。たとえば、そのようなアセタール基は、ビニルエ
ーテル化合物をたとえば、ヒドロキシ、カルボキシなど
の反応性のポリマー基にグラフトさせることにより、た
とえば、フェノール含有ポリマーのフェノール性酸素の
上にグラフトさせることにより提供されることができ
る。そのようなアセタール基をを含むアクリレートモノ
マーも、好適に重合されて本発明のポリマーを提供す
る。
【００１０】他の異なるデブロッキング基も同様に提供
されることができる。すなわち、エステルのような異な
るデブロッキング基を含むモノマーが、他のモノマーと
共重合されることができる。そのような異なるデブロッ
キングも、あらかじめ形成されたポリマーの上にグラフ
トされることができ、たとえば、エステル基がフェノー
ル性基の上にグラフトされることができる。
されることができる。すなわち、エステルのような異な
るデブロッキング基を含むモノマーが、他のモノマーと
共重合されることができる。そのような異なるデブロッ
キングも、あらかじめ形成されたポリマーの上にグラフ
トされることができ、たとえば、エステル基がフェノー
ル性基の上にグラフトされることができる。
【００１１】本発明のポリマーは、上記の基に加えてさ
らに単位を含むことができる。たとえば、本発明のポリ
マーは、メタアクリロニトリルおよびアクリロニトリル
の重合により提供されるニトリル単位を含むことができ
る。さらなるコントラスト向上性基、たとえば、メタア
クリル酸、アクリル酸、およびフォト酸レイビルエステ
ルとして保護されたそのような酸、たとえば、エトキシ
エチルメタアクリレート、ｔ−ブトキシメタアクリレー
ト、ｔ−ブチルメタアクリレートなどの反応により提供
されるものも本発明のポリマー中に存在することができ
る。
らに単位を含むことができる。たとえば、本発明のポリ
マーは、メタアクリロニトリルおよびアクリロニトリル
の重合により提供されるニトリル単位を含むことができ
る。さらなるコントラスト向上性基、たとえば、メタア
クリル酸、アクリル酸、およびフォト酸レイビルエステ
ルとして保護されたそのような酸、たとえば、エトキシ
エチルメタアクリレート、ｔ−ブトキシメタアクリレー
ト、ｔ−ブチルメタアクリレートなどの反応により提供
されるものも本発明のポリマー中に存在することができ
る。
【００１２】本発明の一般に好ましいポリマーは、２、
３、４または５個の異なる繰り返し単位を含み、好まし
くはコポリマー、ターポリマー、テトラポリマー、およ
びペンタポリマーであって、本明細書に開示されたよう
な１以上のアセタール基と、異なるデブロッキング基を
有する。特に好ましい本発明のターポリマーは、フェノ
ール性基、アセタール基、たとえば、ビニルエーテルで
ブロックされたフェノール性基、および異なるデブロッ
キング基、特にはアルキルアクリレート、特にｔ−ブチ
ルメタアクリレートにより提供されるようなデブロッキ
ングエステルを有する第３の単位を含む。
３、４または５個の異なる繰り返し単位を含み、好まし
くはコポリマー、ターポリマー、テトラポリマー、およ
びペンタポリマーであって、本明細書に開示されたよう
な１以上のアセタール基と、異なるデブロッキング基を
有する。特に好ましい本発明のターポリマーは、フェノ
ール性基、アセタール基、たとえば、ビニルエーテルで
ブロックされたフェノール性基、および異なるデブロッ
キング基、特にはアルキルアクリレート、特にｔ−ブチ
ルメタアクリレートにより提供されるようなデブロッキ
ングエステルを有する第３の単位を含む。
【００１３】本発明のポリマーを含むレジストは種々の
波長でイメージ付けることができ、特にたとえば、３０
０ｎｍ未満および２００ｎｍ未満、特に２４８ｎｍおよ
び１９３ｎｍのような短波長でイメージ付けることがで
きる。２４８ｎｍでイメージ付けられるレジストについ
ては、耐エッチング性を向上させるために、ポリマーは
好ましくは芳香族単位、特にはフェノールおよび他の任
意に置換されたフェニル単位を有する。
波長でイメージ付けることができ、特にたとえば、３０
０ｎｍ未満および２００ｎｍ未満、特に２４８ｎｍおよ
び１９３ｎｍのような短波長でイメージ付けることがで
きる。２４８ｎｍでイメージ付けられるレジストについ
ては、耐エッチング性を向上させるために、ポリマーは
好ましくは芳香族単位、特にはフェノールおよび他の任
意に置換されたフェニル単位を有する。
【００１４】本発明はまた、樹脂のブレンドであって、
少なくとも１つの樹脂は１つのタイプのデブロッキング
基（たとえば、フォト酸レイビル基）を含み、ブレンド
の第２の樹脂はたとえば、アセタール基のような、第１
の樹脂のデブロッキング基とは異なるデブロッキング基
を含む樹脂のブレンドを含むフォトレジストに関する。
ブレンドの好ましい樹脂はそのようなフォト酸レイビル
を含むフェノール系ポリマーであり、フォト酸レイビル
基はフェノール基、特にはフェノール性ＯＨ基の上にグ
ラフトするか、および／または１以上のフォト酸レイビ
ル基がフォト酸レイビルエステル（たとえば、ｔ−ブチ
ルエステル）などを含むアクリレートの重合により提供
されるような非フェノール単位を含む成分である。ブレ
ンドの１つの樹脂は、たとえば、フォト酸レイビルエス
テルとフォト酸レイビルアセタール基のような異なる複
数のフォト酸レイビル基を有していても良い。そのよう
なフォトレジストは好適に１以上のフォト酸生成剤およ
び１以上の任意の添加剤、たとえば、塩基性添加剤、界
面活性剤などを含む。
少なくとも１つの樹脂は１つのタイプのデブロッキング
基（たとえば、フォト酸レイビル基）を含み、ブレンド
の第２の樹脂はたとえば、アセタール基のような、第１
の樹脂のデブロッキング基とは異なるデブロッキング基
を含む樹脂のブレンドを含むフォトレジストに関する。
ブレンドの好ましい樹脂はそのようなフォト酸レイビル
を含むフェノール系ポリマーであり、フォト酸レイビル
基はフェノール基、特にはフェノール性ＯＨ基の上にグ
ラフトするか、および／または１以上のフォト酸レイビ
ル基がフォト酸レイビルエステル（たとえば、ｔ−ブチ
ルエステル）などを含むアクリレートの重合により提供
されるような非フェノール単位を含む成分である。ブレ
ンドの１つの樹脂は、たとえば、フォト酸レイビルエス
テルとフォト酸レイビルアセタール基のような異なる複
数のフォト酸レイビル基を有していても良い。そのよう
なフォトレジストは好適に１以上のフォト酸生成剤およ
び１以上の任意の添加剤、たとえば、塩基性添加剤、界
面活性剤などを含む。
【００１５】１９３ｎｍでイメージされるフォトレジス
トにおいて使用される本発明のポリマーは、好ましくは
フェニルおよび他の芳香族基を実質的に含まない。例え
ば、好ましいポリマーは、約５モルパーセント未満の芳
香族基、より好ましくは約１又は２モルパーセント未満
の芳香族基、より好ましくは約０．１モルパーセント未
満、０．０２モルパーセント未満、０、０４モルパーセ
ント未満及び０．０８モルパーセント未満の芳香族基及
び更により好ましくは０．０１モルパーセント未満の芳
香族基を含有する。特に好ましいポリマーは、完全に芳
香族基を含まない。芳香族基は、２００ｎｍ未満の放射
線に対し高吸収性であり、従って、斯かる短波長放射線
でイメージされるフォトレジストに使用されるポリマー
には望ましくない。
トにおいて使用される本発明のポリマーは、好ましくは
フェニルおよび他の芳香族基を実質的に含まない。例え
ば、好ましいポリマーは、約５モルパーセント未満の芳
香族基、より好ましくは約１又は２モルパーセント未満
の芳香族基、より好ましくは約０．１モルパーセント未
満、０．０２モルパーセント未満、０、０４モルパーセ
ント未満及び０．０８モルパーセント未満の芳香族基及
び更により好ましくは０．０１モルパーセント未満の芳
香族基を含有する。特に好ましいポリマーは、完全に芳
香族基を含まない。芳香族基は、２００ｎｍ未満の放射
線に対し高吸収性であり、従って、斯かる短波長放射線
でイメージされるフォトレジストに使用されるポリマー
には望ましくない。
【００１６】本発明はまた、上記の樹脂および異なる樹
脂、たとえば、フェノール樹脂、特にはアルキルアクリ
レートとフェノール単位、および任意に追加の単位、た
とえば、スチレン単位を含む樹脂とのブレンドを含むフ
ォトレジストを提供する。本発明は、またレリーフイメ
ージを形成する方法を提供し、該方法は、それぞれのラ
インが本質的に垂直なサイドウォールを有し、ライン幅
が約０．４０ミクロン未満、さらには約０．２５ミクロ
ン未満、０．２０ミクロン未満、または０．１６ミクロ
ン未満であるパターンのような、高解像度のレリーフイ
メージを形成する方法を包含する。本発明は、更にその
上にコーティングされた本発明のポリマー、フォトレジ
スト及びレリーフイメージを有するマイクロエレクトロ
ニクスウェーハ、液晶ディスプレー、又はフラットパネ
ルディスプレー基体のような基体を含む製品を提供す
る。本発明の他の態様は以下に記載される。
脂、たとえば、フェノール樹脂、特にはアルキルアクリ
レートとフェノール単位、および任意に追加の単位、た
とえば、スチレン単位を含む樹脂とのブレンドを含むフ
ォトレジストを提供する。本発明は、またレリーフイメ
ージを形成する方法を提供し、該方法は、それぞれのラ
インが本質的に垂直なサイドウォールを有し、ライン幅
が約０．４０ミクロン未満、さらには約０．２５ミクロ
ン未満、０．２０ミクロン未満、または０．１６ミクロ
ン未満であるパターンのような、高解像度のレリーフイ
メージを形成する方法を包含する。本発明は、更にその
上にコーティングされた本発明のポリマー、フォトレジ
スト及びレリーフイメージを有するマイクロエレクトロ
ニクスウェーハ、液晶ディスプレー、又はフラットパネ
ルディスプレー基体のような基体を含む製品を提供す
る。本発明の他の態様は以下に記載される。
【００１７】上記のように、本発明のポリマーは２つの
異なる基（好適には１つの樹脂の繰り返し単位として）
を有し、この基はフォト生成酸の存在下でデブロッキン
グ反応を起こすことができ、デブロッキング部位の１つ
はアセタール基である。第２のフォト酸レイビル基は好
適にはエステル、特にはアルキルアクリレート基、たと
えば、ｔ−ブチルメタアクリレートのようなものの重合
により提供されるものである。より詳細には、本発明の
好ましいポリマーは以下の式Ｉのものを含む。
異なる基（好適には１つの樹脂の繰り返し単位として）
を有し、この基はフォト生成酸の存在下でデブロッキン
グ反応を起こすことができ、デブロッキング部位の１つ
はアセタール基である。第２のフォト酸レイビル基は好
適にはエステル、特にはアルキルアクリレート基、たと
えば、ｔ−ブチルメタアクリレートのようなものの重合
により提供されるものである。より詳細には、本発明の
好ましいポリマーは以下の式Ｉのものを含む。
【００１８】
【化５】
【００１９】上記の式Ｉ中、Ａｃｅｔａｌはアセタール
基、たとえば、フェノール性もしくは他のヒドロキシ基
にグラフトし、式：−Ｏ−（ＣＸＹ）−Ｏ−（ＣＸ’
Ｙ’）ｎ−Ｒ［式中、Ｘ、Ｙ、Ｘ’およびＹ’はそれぞ
れ独立に水素または非水素の置換基であるかまたは、１
以上の（ＣＸ’Ｙ’）は芳香族基、たとえばフェニルで
あり、ｎは１以上の整数であり、典型的には１ないし
６、７または８であり、Ｒはアルキル、たとえばＣ
１−８アルキル、たとえば炭素環式基のような脂肪族
環、たとえば任意に置換されたアダマンチルなどであ
る。ＤＢＧはアセタール以外のフォト酸レイビルデブロ
ッキング基、たとえばフォト酸レイビルエステル、たと
えばｔ−ブチルメタアクリレートのようなアルキルアク
リレートの重合により提供されるようなものである。Ｓ
はＡｃｅｔａｌおよびＤＢＧとは異なる他のポリマー単
位であり、フォト酸レイビル基であっても良いしフォト
酸レイビル基でなくてもよい、またビニルフェノールま
たは他の任意に置換されたフェニル、たとえばスチレン
もしくはたとえばＦ，ＣｌもしくはＢｒのようなハロゲ
ン、Ｃ１−８アルキル、Ｃ１−８アルコキシなどの１以
上により環置換されたスチレンとの重合により提供され
るものであってもよい。
基、たとえば、フェノール性もしくは他のヒドロキシ基
にグラフトし、式：−Ｏ−（ＣＸＹ）−Ｏ−（ＣＸ’
Ｙ’）ｎ−Ｒ［式中、Ｘ、Ｙ、Ｘ’およびＹ’はそれぞ
れ独立に水素または非水素の置換基であるかまたは、１
以上の（ＣＸ’Ｙ’）は芳香族基、たとえばフェニルで
あり、ｎは１以上の整数であり、典型的には１ないし
６、７または８であり、Ｒはアルキル、たとえばＣ
１−８アルキル、たとえば炭素環式基のような脂肪族
環、たとえば任意に置換されたアダマンチルなどであ
る。ＤＢＧはアセタール以外のフォト酸レイビルデブロ
ッキング基、たとえばフォト酸レイビルエステル、たと
えばｔ−ブチルメタアクリレートのようなアルキルアク
リレートの重合により提供されるようなものである。Ｓ
はＡｃｅｔａｌおよびＤＢＧとは異なる他のポリマー単
位であり、フォト酸レイビル基であっても良いしフォト
酸レイビル基でなくてもよい、またビニルフェノールま
たは他の任意に置換されたフェニル、たとえばスチレン
もしくはたとえばＦ，ＣｌもしくはＢｒのようなハロゲ
ン、Ｃ１−８アルキル、Ｃ１−８アルコキシなどの１以
上により環置換されたスチレンとの重合により提供され
るものであってもよい。
【００２０】ｘ、ｙおよびｚはポリマーの合計単位に基
づくそれぞれのポリマーのモル％であり、ｘおよびｙは
それぞれ０よりも大きく、ｚは０以上である。好適な
ｘ、ｙおよびｚは、ポリマー単位の合計に基づいて、そ
れぞれ独立に約１から５，１０，１５，２０，２５，３
０，３５，４０，４５，５０，５５，６０または７０モ
ル％である。２００ｎｍよりも大きな波長でイメージさ
れるフォトレジストにおいて使用される本発明の好適な
ポリマーは、以下の式ＩＩのものである。
づくそれぞれのポリマーのモル％であり、ｘおよびｙは
それぞれ０よりも大きく、ｚは０以上である。好適な
ｘ、ｙおよびｚは、ポリマー単位の合計に基づいて、そ
れぞれ独立に約１から５，１０，１５，２０，２５，３
０，３５，４０，４５，５０，５５，６０または７０モ
ル％である。２００ｎｍよりも大きな波長でイメージさ
れるフォトレジストにおいて使用される本発明の好適な
ポリマーは、以下の式ＩＩのものである。
【００２１】
【化６】
【００２２】上記の式ＩＩ中、各Ａｃｅｔａｌは同一ま
たは異なるアセタール基、たとえば、フェノール性のヒ
ドロキシ基にグラフトし、式：−Ｏ−（ＣＸＹ）−Ｏ−
（ＣＸ’Ｙ’）ｎ−Ｒ［式中、Ｘ、Ｙ、Ｘ’およびＹ’
はそれぞれ独立に水素または非水素の置換基であるかま
たは、１以上の（ＣＸ’Ｙ’）は芳香族基、たとえばフ
ェニルであり、ｎは１以上の整数であり、典型的には１
ないし６、７または８であり、Ｒはアルキル、たとえば
Ｃ１−８アルキル、たとえば炭素脂環式基のような脂環
式基、たとえば任意に置換されたアダマンチルなどであ
る。好ましくはそれぞれのＡｃｅｔａｌ基は−ＯＣＨ
（ＣＨ３）ＯＲ［式中Ｒは上記の通りである］の式のも
のである。ｎは１から５の整数であり、好ましくはｎは
１または２である。ＲはＣ４−２０アルキル基、好まし
くはエステル酸素に直接結合した４級炭素を有し、たと
えば、ｔ−ブチル、メチルアダマンチルなどである。Ｒ
２は水素またはＣ１−８アルキルであり、好ましくは水
素またはメチルであり、最も好ましくはメチルである。
ｘ、ｙおよびｚは上記の式Ｉで定義されたとおりであ
る。
たは異なるアセタール基、たとえば、フェノール性のヒ
ドロキシ基にグラフトし、式：−Ｏ−（ＣＸＹ）−Ｏ−
（ＣＸ’Ｙ’）ｎ−Ｒ［式中、Ｘ、Ｙ、Ｘ’およびＹ’
はそれぞれ独立に水素または非水素の置換基であるかま
たは、１以上の（ＣＸ’Ｙ’）は芳香族基、たとえばフ
ェニルであり、ｎは１以上の整数であり、典型的には１
ないし６、７または８であり、Ｒはアルキル、たとえば
Ｃ１−８アルキル、たとえば炭素脂環式基のような脂環
式基、たとえば任意に置換されたアダマンチルなどであ
る。好ましくはそれぞれのＡｃｅｔａｌ基は−ＯＣＨ
（ＣＨ３）ＯＲ［式中Ｒは上記の通りである］の式のも
のである。ｎは１から５の整数であり、好ましくはｎは
１または２である。ＲはＣ４−２０アルキル基、好まし
くはエステル酸素に直接結合した４級炭素を有し、たと
えば、ｔ−ブチル、メチルアダマンチルなどである。Ｒ
２は水素またはＣ１−８アルキルであり、好ましくは水
素またはメチルであり、最も好ましくはメチルである。
ｘ、ｙおよびｚは上記の式Ｉで定義されたとおりであ
る。
【００２３】上記の式ＩおよびＩＩにおいて、示された
構造はポリマー骨格のさらなる置換、たとえば、メチ
ル、エチルまたは、メタアクリレートのような置換ビニ
ル基の重合により提供されるような他の任意の置換され
たＣ１−８アルキル基をも包含すると理解される。
構造はポリマー骨格のさらなる置換、たとえば、メチ
ル、エチルまたは、メタアクリレートのような置換ビニ
ル基の重合により提供されるような他の任意の置換され
たＣ１−８アルキル基をも包含すると理解される。
【００２４】ｔ−ブチルアクリレート基に加えて、好ま
しくは第２のデブロッキング基としては、３級脂肪族環
炭化水素エステル部位を含むエステルが挙げられる。好
ましい３級脂肪族環炭化水素エステル部位は、多環式
基、たとえば、アダマンチル、エチルフェンシル、また
はトリシクロデカニル部位である。本明細書において
「３級脂肪族環エステル基」または他の同様の用語は、
３級脂肪族環炭素がエステル酸素に共有結合しているこ
とを示し、すなわち、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＴＲ’、式中Ｔは
脂肪族環基Ｒ’の３級環炭素であり、たとえば、以下の
ような式のものである。
しくは第２のデブロッキング基としては、３級脂肪族環
炭化水素エステル部位を含むエステルが挙げられる。好
ましい３級脂肪族環炭化水素エステル部位は、多環式
基、たとえば、アダマンチル、エチルフェンシル、また
はトリシクロデカニル部位である。本明細書において
「３級脂肪族環エステル基」または他の同様の用語は、
３級脂肪族環炭素がエステル酸素に共有結合しているこ
とを示し、すなわち、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＴＲ’、式中Ｔは
脂肪族環基Ｒ’の３級環炭素であり、たとえば、以下の
ような式のものである。
【００２５】
【化７】
【００２６】上記の式において、波線はエステル基のカ
ルボキシル酸素への結合を示し、Ｒは好適には水素また
はより好ましくは任意に置換されたアルキル、特にはメ
チル、エチルなどのＣ１−８アルキルである。
ルボキシル酸素への結合を示し、Ｒは好適には水素また
はより好ましくは任意に置換されたアルキル、特にはメ
チル、エチルなどのＣ１−８アルキルである。
【００２７】上記のように、本発明のポリマーは追加の
単位、たとえばシアノ単位、ラクトン単位、酸無水物単
位、フェノール単位、およびフェニル単位を含むことも
できる。たとえば、アクリロニトリルまたはメタアクリ
ロニトリルを重合してペンダントのシアノ基を提供する
ことができ、または無水マレイン酸を重合して縮合した
無水物単位を提供することができる。
単位、たとえばシアノ単位、ラクトン単位、酸無水物単
位、フェノール単位、およびフェニル単位を含むことも
できる。たとえば、アクリロニトリルまたはメタアクリ
ロニトリルを重合してペンダントのシアノ基を提供する
ことができ、または無水マレイン酸を重合して縮合した
無水物単位を提供することができる。
【００２８】本発明のポリマーは短波長、特には２４８
ｎｍのような３００ｎｍ以下、１９３ｎｍおよび１５７
ｎｍのような２００ｎｍ以下でイメージされるフォトレ
ジストにおいて好適に使用される。より大きな波長、た
とえば２４８ｎｍをはじめとする２００ｎｍよりも大き
なものについては、ポリマーは好適に芳香族基単位、た
とえば重合されたスチレンまたはヒドロスチレン単位を
有することができる。
ｎｍのような３００ｎｍ以下、１９３ｎｍおよび１５７
ｎｍのような２００ｎｍ以下でイメージされるフォトレ
ジストにおいて好適に使用される。より大きな波長、た
とえば２４８ｎｍをはじめとする２００ｎｍよりも大き
なものについては、ポリマーは好適に芳香族基単位、た
とえば重合されたスチレンまたはヒドロスチレン単位を
有することができる。
【００２９】上記のように、本発明のポリマーの種々の
部位が任意に置換されることができる。「置換された」
基は１またはそれ以上の可能な位置で、典型的には１、
２、または３の位置で、１またはそれ以上の適当な基、
たとえばハロゲン（特にＦ、ＣｌまたはＢｒ）；シア
ノ；Ｃ１−８アルキル；Ｃ１−８アルコキシ；Ｃ１−８
アルキルチオ；Ｃ１−８アルキルスルホニル；Ｃ２−８
アルケニル；Ｃ２−８アルキニル；ヒドロキシ；ニト
ロ；アルカノイル、たとえばＣ１−６アルカノイル、た
とえばアシルなどにより置換されていてもよい。
部位が任意に置換されることができる。「置換された」
基は１またはそれ以上の可能な位置で、典型的には１、
２、または３の位置で、１またはそれ以上の適当な基、
たとえばハロゲン（特にＦ、ＣｌまたはＢｒ）；シア
ノ；Ｃ１−８アルキル；Ｃ１−８アルコキシ；Ｃ１−８
アルキルチオ；Ｃ１−８アルキルスルホニル；Ｃ２−８
アルケニル；Ｃ２−８アルキニル；ヒドロキシ；ニト
ロ；アルカノイル、たとえばＣ１−６アルカノイル、た
とえばアシルなどにより置換されていてもよい。
【００３０】本発明のポリマーは種々の方法により調製
することができる。適当な一法は、付加反応で、これは
フリーラジカル重合を含むことができ、たとえば選択さ
れたモノマーをラジカル開始剤の存在下で不活性雰囲気
下（たとえば、Ｎ２またはアルゴン）、約７０℃または
それ以上などの昇温下で反応させることにより前記の種
々の単位が得られるが、反応温度は用いた特定の試薬の
反応性および反応溶媒の沸点（溶媒を用いる場合）によ
って変わる。適当な反応溶媒としては、たとえば、テト
ラヒドロフラン、乳酸エチルなどがあげられる。特定の
系に対して適当な反応温度を、当業者らは本発明の開示
に基づいて経験的に容易に決定することができる。種々
のフリーラジカル開始剤を用いることができる。たとえ
ば、アゾ−ビス−２，４−ジメチルペンタンニトリルな
どのアゾ化合物を用いることができる。過酸化物、過エ
ステル、過酸および過硫酸塩も用いることができる。
することができる。適当な一法は、付加反応で、これは
フリーラジカル重合を含むことができ、たとえば選択さ
れたモノマーをラジカル開始剤の存在下で不活性雰囲気
下（たとえば、Ｎ２またはアルゴン）、約７０℃または
それ以上などの昇温下で反応させることにより前記の種
々の単位が得られるが、反応温度は用いた特定の試薬の
反応性および反応溶媒の沸点（溶媒を用いる場合）によ
って変わる。適当な反応溶媒としては、たとえば、テト
ラヒドロフラン、乳酸エチルなどがあげられる。特定の
系に対して適当な反応温度を、当業者らは本発明の開示
に基づいて経験的に容易に決定することができる。種々
のフリーラジカル開始剤を用いることができる。たとえ
ば、アゾ−ビス−２，４−ジメチルペンタンニトリルな
どのアゾ化合物を用いることができる。過酸化物、過エ
ステル、過酸および過硫酸塩も用いることができる。
【００３１】反応させて本発明のポリマーを得ることが
できる他のモノマーは、当業者らにより特定することが
できる。たとえば、無水マレイン酸は縮合した無水物ポ
リマー単位を提供するのに好ましい試薬である。無水イ
タコン酸も、無水物ポリマー単位を提供するのに好まし
い試薬である。好ましくは無水イタコン酸は重合の前に
クロロホルムでの抽出などにより精製される。たとえば
α−ブチロラクトンなどのビニルラクトンもまた好まし
い試薬である。フェノールおよび他のフェニル単位は、
ビニルフェノールおよび他の置換もしくは非置換のビニ
ルフェニル基の重合により提供することができる。
できる他のモノマーは、当業者らにより特定することが
できる。たとえば、無水マレイン酸は縮合した無水物ポ
リマー単位を提供するのに好ましい試薬である。無水イ
タコン酸も、無水物ポリマー単位を提供するのに好まし
い試薬である。好ましくは無水イタコン酸は重合の前に
クロロホルムでの抽出などにより精製される。たとえば
α−ブチロラクトンなどのビニルラクトンもまた好まし
い試薬である。フェノールおよび他のフェニル単位は、
ビニルフェノールおよび他の置換もしくは非置換のビニ
ルフェニル基の重合により提供することができる。
【００３２】好ましくは、本発明のポリマーは８００な
いし１０００〜約１０００００の重量平均分子量（Ｍ
ｗ）を有するのが適当であり、より好ましくは約２００
０〜約３００００、さらにより好ましくは約２０００〜
１５０００または２００００であり、分子量分布（Ｍｗ
／Ｍｎ）は約３またはそれ以下、より好ましくは分子量
分布は約２またはそれ以下である。本発明のポリマーの
分子量（ＭｗおよびＭｎのいずれも）は適当にはゲル透
過クロマトグラフィーにより決定される。
いし１０００〜約１０００００の重量平均分子量（Ｍ
ｗ）を有するのが適当であり、より好ましくは約２００
０〜約３００００、さらにより好ましくは約２０００〜
１５０００または２００００であり、分子量分布（Ｍｗ
／Ｍｎ）は約３またはそれ以下、より好ましくは分子量
分布は約２またはそれ以下である。本発明のポリマーの
分子量（ＭｗおよびＭｎのいずれも）は適当にはゲル透
過クロマトグラフィーにより決定される。
【００３３】フォトレジスト配合物において用いられる
本発明のポリマーは所望のレジストレリーフイメージの
形成を可能にするのに充分な量の光生成された基を含ま
なければならない。たとえば、酸レイビル基の適当な量
は少なくとも全ポリマー単位の１モル％、より好ましく
は約２から５０モル％、さらにより典型的には全ポリマ
ー単位に基づいては約３から３０または４０モル％であ
る。好ましいポリマーの例については以下の実施例を参
照。前記のように、本発明のポリマーはフォトレジスト
組成物、特に化学増幅ポジ型レジスト中の樹脂成分とし
て非常に有用である。本発明のフォトレジストは一般に
光活性成分および前記ポリマーを含む樹脂成分を含む。
本発明のポリマーは所望のレジストレリーフイメージの
形成を可能にするのに充分な量の光生成された基を含ま
なければならない。たとえば、酸レイビル基の適当な量
は少なくとも全ポリマー単位の１モル％、より好ましく
は約２から５０モル％、さらにより典型的には全ポリマ
ー単位に基づいては約３から３０または４０モル％であ
る。好ましいポリマーの例については以下の実施例を参
照。前記のように、本発明のポリマーはフォトレジスト
組成物、特に化学増幅ポジ型レジスト中の樹脂成分とし
て非常に有用である。本発明のフォトレジストは一般に
光活性成分および前記ポリマーを含む樹脂成分を含む。
【００３４】樹脂成分はレジストのコーティング層が水
性アルカリ性現像液で現像できるようになる量で用い
る。本発明のレジスト組成物はさらに活性化放射線での
露光によりレジストのコーティング層中に潜像を生成す
るのに充分な量で好適に使用されるフォト酸生成物質
（すなわち、「ＰＡＧ」）を含む。１９３ｎｍおよび２
４８ｎｍでのイメージングに好ましいＰＡＧとしては、
イミドスルホネート、たとえば以下の式：
性アルカリ性現像液で現像できるようになる量で用い
る。本発明のレジスト組成物はさらに活性化放射線での
露光によりレジストのコーティング層中に潜像を生成す
るのに充分な量で好適に使用されるフォト酸生成物質
（すなわち、「ＰＡＧ」）を含む。１９３ｎｍおよび２
４８ｎｍでのイメージングに好ましいＰＡＧとしては、
イミドスルホネート、たとえば以下の式：
【００３５】
【化８】
【００３６】（式中、Ｒはカンファー、アダマンタン、
アルキル（たとえばＣ１−１２アルキル）およびペルフ
ルオロアルキル、たとえばペルフルオロ（Ｃ１−１２ア
ルキル）、特にペルフロオロオクタンスルホネート、ペ
ルフルオロノナンスルホネートなどである）の化合物が
あげられる。特に好ましいＰＡＧはＮ−［（ペルフルオ
ロオクタンスルホニル）オキシ］−５−ノルボルネン−
２，３−ジカルボキシイミドである。スルホネート化合
物、特にスルホン酸塩も適当なＰＡＧである。１９３ｎ
ｍおよび２４８ｎｍイメージングに対して適当な２つの
化学物質は以下のＰＡＧ１および２である：
アルキル（たとえばＣ１−１２アルキル）およびペルフ
ルオロアルキル、たとえばペルフルオロ（Ｃ１−１２ア
ルキル）、特にペルフロオロオクタンスルホネート、ペ
ルフルオロノナンスルホネートなどである）の化合物が
あげられる。特に好ましいＰＡＧはＮ−［（ペルフルオ
ロオクタンスルホニル）オキシ］−５−ノルボルネン−
２，３−ジカルボキシイミドである。スルホネート化合
物、特にスルホン酸塩も適当なＰＡＧである。１９３ｎ
ｍおよび２４８ｎｍイメージングに対して適当な２つの
化学物質は以下のＰＡＧ１および２である：
【００３７】
【化９】
【００３８】このようなスルホネート化合物は、前記Ｐ
ＡＧ１の合成の詳細を記載した欧州特許出願第９６１１
８１１１．２号（公開番号第０７８３１３６号）に開示
されているようにして調製することができる。さらに、
先に記載したカンファースルホネート基以外のアニオン
と錯体形成した前記の２種のヨードニウム化合物も適し
ている。特に、好ましいアニオンとしては、式ＲＳＯ３
−（式中、Ｒはアダマンタン、アルキル（たとえば、Ｃ
１−１ ２アルキル）およびペルフルオロアルキル、たと
えばペルフルオロ（Ｃ１−１２アルキル）である）、特
にペルフルオロオクタンスルホネート、ペルフルオロブ
タンスルホネートなどがあげられる。他の公知のＰＡＧ
も本発明のレジストにおいて用いることができる。特に
１９３ｎｍイメージングについては、向上された透明性
を提供するために芳香族基を含まないＰＡＧ、たとえば
上記のイミドスルホネートが一般に好ましい。
ＡＧ１の合成の詳細を記載した欧州特許出願第９６１１
８１１１．２号（公開番号第０７８３１３６号）に開示
されているようにして調製することができる。さらに、
先に記載したカンファースルホネート基以外のアニオン
と錯体形成した前記の２種のヨードニウム化合物も適し
ている。特に、好ましいアニオンとしては、式ＲＳＯ３
−（式中、Ｒはアダマンタン、アルキル（たとえば、Ｃ
１−１ ２アルキル）およびペルフルオロアルキル、たと
えばペルフルオロ（Ｃ１−１２アルキル）である）、特
にペルフルオロオクタンスルホネート、ペルフルオロブ
タンスルホネートなどがあげられる。他の公知のＰＡＧ
も本発明のレジストにおいて用いることができる。特に
１９３ｎｍイメージングについては、向上された透明性
を提供するために芳香族基を含まないＰＡＧ、たとえば
上記のイミドスルホネートが一般に好ましい。
【００３９】本発明のレジストの好ましい任意の添加剤
は付加塩基、特に水酸化テトラブチルアンモニウム（Ｔ
ＢＡＨ）、テトラブチルアンモニウムラクテートであ
り、現像されたレジストレリーフイメージの解像度を向
上することができる。１９３ｎｍでイメージングされる
レジストにおいては、好ましい付加塩基はヒンダードア
ミン、たとえばジアザビシクロウンデセンまたはジアザ
ビシクロノネンである。付加塩は全固形分に対して比較
的少量、たとえば約０．０３から５重量％で用いるのが
適当である。
は付加塩基、特に水酸化テトラブチルアンモニウム（Ｔ
ＢＡＨ）、テトラブチルアンモニウムラクテートであ
り、現像されたレジストレリーフイメージの解像度を向
上することができる。１９３ｎｍでイメージングされる
レジストにおいては、好ましい付加塩基はヒンダードア
ミン、たとえばジアザビシクロウンデセンまたはジアザ
ビシクロノネンである。付加塩は全固形分に対して比較
的少量、たとえば約０．０３から５重量％で用いるのが
適当である。
【００４０】本発明のフォトレジストはさらに他の任意
の物質を含むことができる。たとえば、他の任意の添加
剤としては、抗光条剤、可塑剤、速度向上剤などがあげ
られる。このような任意の添加剤は典型的には、比較的
高濃度、たとえばレジストの乾燥成分の全重量の約５か
ら３０重量％の量で存在することができるフィラーおよ
び染料以外はフォトレジスト組成物中に低濃度で存在す
る。
の物質を含むことができる。たとえば、他の任意の添加
剤としては、抗光条剤、可塑剤、速度向上剤などがあげ
られる。このような任意の添加剤は典型的には、比較的
高濃度、たとえばレジストの乾燥成分の全重量の約５か
ら３０重量％の量で存在することができるフィラーおよ
び染料以外はフォトレジスト組成物中に低濃度で存在す
る。
【００４１】本発明のレジストは当業者により容易に調
製することができる。たとえば、本発明のフォトレジス
ト組成物は、フォトレジストの成分を適当な溶媒、たと
えば乳酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノメチルエーテル；プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテートおよび３
−エトキシエチルプロピオネート中に溶解させることに
より調製することができる。典型的には、組成物の固形
分はフォトレジスト組成物の全重量の約５重量％から３
５重量％の間で変化する。樹脂バインダーおよび光活性
成分はフィルムコーティング層および良質な潜像および
レリーフイメージの形成を提供できる量で存在しなけれ
ばならない。レジスト成分の好ましい量の例については
以下の実施例を参照。
製することができる。たとえば、本発明のフォトレジス
ト組成物は、フォトレジストの成分を適当な溶媒、たと
えば乳酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノメチルエーテル；プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテートおよび３
−エトキシエチルプロピオネート中に溶解させることに
より調製することができる。典型的には、組成物の固形
分はフォトレジスト組成物の全重量の約５重量％から３
５重量％の間で変化する。樹脂バインダーおよび光活性
成分はフィルムコーティング層および良質な潜像および
レリーフイメージの形成を提供できる量で存在しなけれ
ばならない。レジスト成分の好ましい量の例については
以下の実施例を参照。
【００４２】本発明の組成物は一般に公知の方法に従っ
て用いられる。本発明の液体コーティング組成物はスピ
ニング、ディッピング、ローラーコーティングまたは他
の公知のコーティング技術などにより基体に施用され
る。スピンコーティングの場合には、所望のフィルム厚
を得るために、用いた具体的スピニング装置、溶液の粘
度、スピナー速度およびスピニングに許容される時間に
基づいて、コーティング溶液の固形分が調節されること
ができる。
て用いられる。本発明の液体コーティング組成物はスピ
ニング、ディッピング、ローラーコーティングまたは他
の公知のコーティング技術などにより基体に施用され
る。スピンコーティングの場合には、所望のフィルム厚
を得るために、用いた具体的スピニング装置、溶液の粘
度、スピナー速度およびスピニングに許容される時間に
基づいて、コーティング溶液の固形分が調節されること
ができる。
【００４３】本発明のレジスト組成物は適当にはフォト
レジストでのコーティングをはじめとするプロセスにお
いて通常用いられる基体に施用される。たとえば、組成
物はマイクロプロセッサの製造用シリコンウェファーま
たは二酸化珪素でコートされたシリコンウェファーおよ
び他の集積回路に適用することができる。アルミニウム
−二酸化アルミニウム、ヒ化ガリウム、セラミック、石
英、銅、ガラス基体なども適当に用いられる。
レジストでのコーティングをはじめとするプロセスにお
いて通常用いられる基体に施用される。たとえば、組成
物はマイクロプロセッサの製造用シリコンウェファーま
たは二酸化珪素でコートされたシリコンウェファーおよ
び他の集積回路に適用することができる。アルミニウム
−二酸化アルミニウム、ヒ化ガリウム、セラミック、石
英、銅、ガラス基体なども適当に用いられる。
【００４４】フォトレジストを表面上にコーティングし
た後、加熱することにより乾燥して、好ましくはフォト
レジストコーティングが不粘着性になるまで溶媒を除去
する。その後、公知の方法でマスクを介してイメージ形
成する。露光はフォトレジスト系の光活性成分を有効に
活性化して、レジストコーティング層においてパターン
形成されたイメージを得ることができるものであり、よ
り詳細には、露光エネルギーは典型的には露光ツールお
よびフォトレジスト組成物の成分に応じて約１から１０
０ｍＪ／ｃｍ２の範囲である。
た後、加熱することにより乾燥して、好ましくはフォト
レジストコーティングが不粘着性になるまで溶媒を除去
する。その後、公知の方法でマスクを介してイメージ形
成する。露光はフォトレジスト系の光活性成分を有効に
活性化して、レジストコーティング層においてパターン
形成されたイメージを得ることができるものであり、よ
り詳細には、露光エネルギーは典型的には露光ツールお
よびフォトレジスト組成物の成分に応じて約１から１０
０ｍＪ／ｃｍ２の範囲である。
【００４５】前記のように、本発明のレジスト組成物の
コーティング層は好ましくは短い露光波長、特に３００
ｎｍ以下および２００ｎｍ以下の露光波長、で光活性化
される。上記のように、２４８ｎｍおよび１９３ｎｍが
特に好ましい露光波長である。１５７ｎｍも好ましい露
光波長である。しかしながら、本発明のレジスト組成物
は高い波長でも好適なイメージが形成できる。たとえ
ば、約３６５ｎｍのより長い波長でイメージ形成される
必要のある場合には、本発明の樹脂は適当なＰＡＧおよ
び感光剤とともに配合することができる。
コーティング層は好ましくは短い露光波長、特に３００
ｎｍ以下および２００ｎｍ以下の露光波長、で光活性化
される。上記のように、２４８ｎｍおよび１９３ｎｍが
特に好ましい露光波長である。１５７ｎｍも好ましい露
光波長である。しかしながら、本発明のレジスト組成物
は高い波長でも好適なイメージが形成できる。たとえ
ば、約３６５ｎｍのより長い波長でイメージ形成される
必要のある場合には、本発明の樹脂は適当なＰＡＧおよ
び感光剤とともに配合することができる。
【００４６】露光後、組成物のフィルム層を好ましくは
約７０℃から約１６０℃の範囲の温度でベークする。そ
の後、フィルムを現像する。極性現像液、好ましくは水
性ベースの現像液、たとえば４級水酸化アンモニウム溶
液、たとえば水酸化テトラアルキルアンモニウム溶液；
種々のアミン溶液、好ましくは０．２６Ｎテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、たとえばエチルアミン、ｎ
−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピル
アミン、トリエチルアミン、またはメチルジエチルアミ
ン；アルコールアミン、たとえばジエタノールアミンま
たはトリエタノールアミン；環状アミン、たとえばピロ
ール、ピリジンなどを用いることにより、露光されたレ
ジストフィルムはポジ型に作用する。一般に、現像は当
業界で認められた方法に従う。
約７０℃から約１６０℃の範囲の温度でベークする。そ
の後、フィルムを現像する。極性現像液、好ましくは水
性ベースの現像液、たとえば４級水酸化アンモニウム溶
液、たとえば水酸化テトラアルキルアンモニウム溶液；
種々のアミン溶液、好ましくは０．２６Ｎテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、たとえばエチルアミン、ｎ
−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピル
アミン、トリエチルアミン、またはメチルジエチルアミ
ン；アルコールアミン、たとえばジエタノールアミンま
たはトリエタノールアミン；環状アミン、たとえばピロ
ール、ピリジンなどを用いることにより、露光されたレ
ジストフィルムはポジ型に作用する。一般に、現像は当
業界で認められた方法に従う。
【００４７】基体上のフォトレジストコーティングの現
像後、現像された基体を、たとえばレジストがない基体
領域を公知の方法により化学的にエッチングまたはプレ
ーティングすることによりレジストがない領域を選択的
に加工することができる。マイクロエレクトロニック基
体を製造するために、たとえば二酸化珪素ウェファーを
製造するために、適当なエッチング剤としては、たとえ
ばハロゲンプラズマエッチング剤、たとえば塩素または
フッ素ベースのエッチング剤、たとえばプラズマ流とし
て用いられるＣｌ２またはＣＦ４／ＣＨＦ３エッチング
剤のようなガスエッチング剤があげられる。このような
加工の後、レジストを公知のストリッピング法を用いて
加工された基体から除去する。本発明において記載した
すべての文書は本明細書の一部として参照される。以下
の非制限的な実施例で本発明を説明する。
像後、現像された基体を、たとえばレジストがない基体
領域を公知の方法により化学的にエッチングまたはプレ
ーティングすることによりレジストがない領域を選択的
に加工することができる。マイクロエレクトロニック基
体を製造するために、たとえば二酸化珪素ウェファーを
製造するために、適当なエッチング剤としては、たとえ
ばハロゲンプラズマエッチング剤、たとえば塩素または
フッ素ベースのエッチング剤、たとえばプラズマ流とし
て用いられるＣｌ２またはＣＦ４／ＣＨＦ３エッチング
剤のようなガスエッチング剤があげられる。このような
加工の後、レジストを公知のストリッピング法を用いて
加工された基体から除去する。本発明において記載した
すべての文書は本明細書の一部として参照される。以下
の非制限的な実施例で本発明を説明する。
【００４８】実施例１：ヒドロキシスチレン／エチルビ
ニルエーテルブロック化ヒドロキシスチレン／シクロヘ
キシルビニルエーテルブロック化ヒドロキシスチレン／
ｔ−ブチルアクリレートテトラポリマー（５９／２３／
８／１０モル％） ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレートコポリマ
ー（Ｍｗ＝１０，０００）を、フリーラジカルタイプの
重合によりアセトキシスチレンおよびｔ−ブチルアクリ
レートから調製した。１５７．８ｇのＨＳ／ｔＢＡコポ
リマーを５００ｇのＰＧＭＥＡに溶解した。ポリマー溶
液を加熱マントル、攪拌機、ショートパス蒸留カラム、
および真空ポンプを取り付けたフラスコに、加えた。ほ
ぼ１５ｇのＰＧＭＥＡ／水共沸物が、受容フラスコ中に
蒸留（５０℃、４０トル）され、反応混合物から水が除
去された。蒸留装置がはずされ、反応フラスコが窒素で
パージされ、２５℃に冷却された。０．３ｇのトリフル
オロ酢酸の、５ｇのＰＧＭＥＡ中の溶液が加えられ、１
０分間撹拌された。ついでエチルビニルエーテル（２
１．６ｇ）、シクロヘキシルビニルエーテル（１３．１
ｇ）、およびＰＧＭＥＡ（４０ｇ）の溶液が１５分間に
わたり、反応混合物に滴下された。反応混合物は２５℃
で１８時間撹拌され、ついでＩＲＡ−６７イオン交換樹
脂が反応混合物に加えられ、２時間撹拌され、酸触媒を
除去した。ＩＲＡ−６７はろ過により除去された。得ら
れたヒドロキシスチレン／エチルビニルエーテルブロッ
ク化ヒドロキシスチレン／シクロヘキシルビニルエーテ
ルブロック化ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレ
ートテトラポリマー（５９／２３／８／１０モル％）溶
液は、単離をすることなくレジストの配合に使用するこ
とができた。
ニルエーテルブロック化ヒドロキシスチレン／シクロヘ
キシルビニルエーテルブロック化ヒドロキシスチレン／
ｔ−ブチルアクリレートテトラポリマー（５９／２３／
８／１０モル％） ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレートコポリマ
ー（Ｍｗ＝１０，０００）を、フリーラジカルタイプの
重合によりアセトキシスチレンおよびｔ−ブチルアクリ
レートから調製した。１５７．８ｇのＨＳ／ｔＢＡコポ
リマーを５００ｇのＰＧＭＥＡに溶解した。ポリマー溶
液を加熱マントル、攪拌機、ショートパス蒸留カラム、
および真空ポンプを取り付けたフラスコに、加えた。ほ
ぼ１５ｇのＰＧＭＥＡ／水共沸物が、受容フラスコ中に
蒸留（５０℃、４０トル）され、反応混合物から水が除
去された。蒸留装置がはずされ、反応フラスコが窒素で
パージされ、２５℃に冷却された。０．３ｇのトリフル
オロ酢酸の、５ｇのＰＧＭＥＡ中の溶液が加えられ、１
０分間撹拌された。ついでエチルビニルエーテル（２
１．６ｇ）、シクロヘキシルビニルエーテル（１３．１
ｇ）、およびＰＧＭＥＡ（４０ｇ）の溶液が１５分間に
わたり、反応混合物に滴下された。反応混合物は２５℃
で１８時間撹拌され、ついでＩＲＡ−６７イオン交換樹
脂が反応混合物に加えられ、２時間撹拌され、酸触媒を
除去した。ＩＲＡ−６７はろ過により除去された。得ら
れたヒドロキシスチレン／エチルビニルエーテルブロッ
ク化ヒドロキシスチレン／シクロヘキシルビニルエーテ
ルブロック化ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレ
ートテトラポリマー（５９／２３／８／１０モル％）溶
液は、単離をすることなくレジストの配合に使用するこ
とができた。
【００４９】実施例２：フォトレジストの調製およびリ
ソグラフィー加工 本発明のフォトレジストが、以下の物質を混合すること
により調製された。 １）実施例１のテトラポリマー； ２）３．５０３％のトリフェニルスルホニウム カンフ
ァースルホネートＰＡＧ（ポリマーの３．５０３重量
％）； ３）テトラブチルアンモニウムヒドロキシドの塩基性添
加剤（ポリマーの０．２重量％）； ４）ＦＣ４３０界面活性剤（総固形分の０．１３重量
％） ５）６０：４０ｖ／ｖのプロピレングリコールメチルエ
ーテルアセテート：エチルラクテート混合溶剤 レジストは１６％固形分で調製され、ロールにより溶解
し、ついでマニホールド装置の上のＧｅｌｍａｎ Ｓｃ
ｉｅｎｃｅｓ Ａｃｒｏｄｉｓｃ ＰＴＦＥフィルター
カートリッジを使用して０．２ミクロンでろ過した。
ソグラフィー加工 本発明のフォトレジストが、以下の物質を混合すること
により調製された。 １）実施例１のテトラポリマー； ２）３．５０３％のトリフェニルスルホニウム カンフ
ァースルホネートＰＡＧ（ポリマーの３．５０３重量
％）； ３）テトラブチルアンモニウムヒドロキシドの塩基性添
加剤（ポリマーの０．２重量％）； ４）ＦＣ４３０界面活性剤（総固形分の０．１３重量
％） ５）６０：４０ｖ／ｖのプロピレングリコールメチルエ
ーテルアセテート：エチルラクテート混合溶剤 レジストは１６％固形分で調製され、ロールにより溶解
し、ついでマニホールド装置の上のＧｅｌｍａｎ Ｓｃ
ｉｅｎｃｅｓ Ａｃｒｏｄｉｓｃ ＰＴＦＥフィルター
カートリッジを使用して０．２ミクロンでろ過した。
【００５０】リソグラフィー試験：すべての手順は”Ｔ
ＥＬ Ｍａｒｋ ＶＩＩＩ６”ウエハートラック上で行
われた。有機反射防止コーティング組成物が下塗りのな
いシリコンウエハーに、２３５０ｒｐｍでコーティング
され、２０５℃で６０秒、ベークされ、５７０オングス
トロームの硬化された反射防止フィルムを得た。上記の
調製されたフォトレジストが、その上に、７０００オン
グストロームのレジストコーティングが得られるのに適
当なスピンスピードでコーティングされた。厚さの測定
は、Ｐｒｏｍｅｔｒｉｘ ＳＭ３００で、ウエハー１枚
当たり９点について測定され、あらかじめ測定されたＤ
ＵＶ４４とレジストについてのＣａｕｃｈｙ係数を用い
て決定された。レジストは９０℃で９０秒ソフトベーク
された。Ｅ０フォトスピードが、ＡＳＭ−Ｌ／３００デ
ィープＵＶステッパーにより、オープンフィールドマス
クを使用して、０．１−１０．０ｍＪ／ｃｍ２の照射量
範囲で、レジストでコーティングされたウエハを露光し
た（２４８．４ｎｍクリプトンフルオライドレーザー、
０．６３ＮＡ、アニュラーイルミネーション＝０．８５
インナー／０．４２５アウターパーシャルコヒーレン
ス）。露光されたフィルムは１１０℃で９０秒ポストベ
ークされ、ついでＭＦ ＣＤ−２６現像液（２．３８％
ＴＭＡＨ）でシングルパドルモードで６０秒現像され
た。ＧＯ０１０７００ＪのＥ０フォトスピードは４．７
ｍＪ／ｃｍ２であった。レジストはついで減衰されたフ
ェイズシフトコンタクトホールレティクル（ａｔｔｅｎ
ｕａｔｅｄ ｐｈａｓｅ−ｓｈｉｆｔ ｃｏｎｔａｃｔ
ｈｏｌｅ）（６％透過）を使用して、密で孤立した
（ｄｅｎｓｅ ａｎｄ ｉｓｏｌａｔｅｄ）コンタクト
ホールフィーチャーを製造してイメージング性能を評価
した。ＥＤＷｉｎ分析により、０．２２ミクロンの１：
３のコンタクトホールについては、最大ＤＯＦは０４５
−０．５１ミクロンであり、０．１８ミクロンまでは露
光不足であり、１０％の露光ラティテュードでは０．３
４−０．４１ミクロンＤＯＦであり、サイジングは３
４．４ｍＪ／ｃｍ ２であった。
ＥＬ Ｍａｒｋ ＶＩＩＩ６”ウエハートラック上で行
われた。有機反射防止コーティング組成物が下塗りのな
いシリコンウエハーに、２３５０ｒｐｍでコーティング
され、２０５℃で６０秒、ベークされ、５７０オングス
トロームの硬化された反射防止フィルムを得た。上記の
調製されたフォトレジストが、その上に、７０００オン
グストロームのレジストコーティングが得られるのに適
当なスピンスピードでコーティングされた。厚さの測定
は、Ｐｒｏｍｅｔｒｉｘ ＳＭ３００で、ウエハー１枚
当たり９点について測定され、あらかじめ測定されたＤ
ＵＶ４４とレジストについてのＣａｕｃｈｙ係数を用い
て決定された。レジストは９０℃で９０秒ソフトベーク
された。Ｅ０フォトスピードが、ＡＳＭ−Ｌ／３００デ
ィープＵＶステッパーにより、オープンフィールドマス
クを使用して、０．１−１０．０ｍＪ／ｃｍ２の照射量
範囲で、レジストでコーティングされたウエハを露光し
た（２４８．４ｎｍクリプトンフルオライドレーザー、
０．６３ＮＡ、アニュラーイルミネーション＝０．８５
インナー／０．４２５アウターパーシャルコヒーレン
ス）。露光されたフィルムは１１０℃で９０秒ポストベ
ークされ、ついでＭＦ ＣＤ−２６現像液（２．３８％
ＴＭＡＨ）でシングルパドルモードで６０秒現像され
た。ＧＯ０１０７００ＪのＥ０フォトスピードは４．７
ｍＪ／ｃｍ２であった。レジストはついで減衰されたフ
ェイズシフトコンタクトホールレティクル（ａｔｔｅｎ
ｕａｔｅｄ ｐｈａｓｅ−ｓｈｉｆｔ ｃｏｎｔａｃｔ
ｈｏｌｅ）（６％透過）を使用して、密で孤立した
（ｄｅｎｓｅ ａｎｄ ｉｓｏｌａｔｅｄ）コンタクト
ホールフィーチャーを製造してイメージング性能を評価
した。ＥＤＷｉｎ分析により、０．２２ミクロンの１：
３のコンタクトホールについては、最大ＤＯＦは０４５
−０．５１ミクロンであり、０．１８ミクロンまでは露
光不足であり、１０％の露光ラティテュードでは０．３
４−０．４１ミクロンＤＯＦであり、サイジングは３
４．４ｍＪ／ｃｍ ２であった。
【００５１】実施例３：フォトレジストおよびその加工
本発明のさらに好ましいフォトレジストは、１）ｉ）ス
チレン、ｉｉ）ヒドロキシスチレン、およびｉｉｉ）ｔ
−ブチルアクリレートの繰り返し単位を含むターポリマ
ー、２）重合されたヒドロキシスチレンを含むコポリマ
ーであって、フェノール性ヒドロキシ基の一部がエチル
ビニルエーテルでブロックされ、対応するアセタール基
を与えているコポリマー、３）第１のフォト酸生成剤で
あるトリフェニルスルホニウム ペルフルオロアルキル
スルホネート、４）第２フォト酸生成剤であるジアゾジ
スルホンジアルキル、５）塩基性添加剤であるテトラブ
チルアンモニウムヒドロキシド、６）ＦＣ４３０界面活
性剤、および７）プロピレングリコールメチルエーテル
アセテートとエチルラクテートの混合溶剤の混合物であ
る。
チレン、ｉｉ）ヒドロキシスチレン、およびｉｉｉ）ｔ
−ブチルアクリレートの繰り返し単位を含むターポリマ
ー、２）重合されたヒドロキシスチレンを含むコポリマ
ーであって、フェノール性ヒドロキシ基の一部がエチル
ビニルエーテルでブロックされ、対応するアセタール基
を与えているコポリマー、３）第１のフォト酸生成剤で
あるトリフェニルスルホニウム ペルフルオロアルキル
スルホネート、４）第２フォト酸生成剤であるジアゾジ
スルホンジアルキル、５）塩基性添加剤であるテトラブ
チルアンモニウムヒドロキシド、６）ＦＣ４３０界面活
性剤、および７）プロピレングリコールメチルエーテル
アセテートとエチルラクテートの混合溶剤の混合物であ
る。
【００５２】有機反射防止コーティング組成物が下塗り
のないシリコンウエハーに、２３５０ｒｐｍでコーティ
ングされ、２０５℃で６０秒、ベークされ、５７０オン
グストロームの硬化された反射防止フィルムを得た。上
記の調製されたフォトレジストが、その上に、７０００
オングストロームのレジストコーティングが得られるの
に適当なスピンスピードでコーティングされた。コーテ
ィングされたフォトレジストは９０℃で９０秒ソフトベ
ークされた。ソフトベークされたレジスト層はディープ
ＵＶステッパーにより、フォトマスクを使用して、イメ
ージ形成された。露光されたフィルムは１１０℃で９０
秒ポストベークされ、ついでＭＦ ＣＤ−２６現像液
（２．３８％ＴＭＡＨ）で現像された。
のないシリコンウエハーに、２３５０ｒｐｍでコーティ
ングされ、２０５℃で６０秒、ベークされ、５７０オン
グストロームの硬化された反射防止フィルムを得た。上
記の調製されたフォトレジストが、その上に、７０００
オングストロームのレジストコーティングが得られるの
に適当なスピンスピードでコーティングされた。コーテ
ィングされたフォトレジストは９０℃で９０秒ソフトベ
ークされた。ソフトベークされたレジスト層はディープ
ＵＶステッパーにより、フォトマスクを使用して、イメ
ージ形成された。露光されたフィルムは１１０℃で９０
秒ポストベークされ、ついでＭＦ ＣＤ−２６現像液
（２．３８％ＴＭＡＨ）で現像された。
【００５３】本発明の前記載事項は単に例示的であっ
て、請求項に記載した本発明の精神または範囲を逸脱す
ることなく変形または修正することができると考えられ
る。
て、請求項に記載した本発明の精神または範囲を逸脱す
ることなく変形または修正することができると考えられ
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ティモシー・ジー・アダムズ
アメリカ合衆国マサチューセッツ州01776,
サッドベリー，ダットン・ロード・137
(72)発明者 マシュー・エー・キング
アメリカ合衆国マサチューセッツ州02134,
ボストン，ヒギンズ・ストリート・26，ア
パートメント・ナンバー１
Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA03 AB16 AC04
AC08 AD01 AD03 BE00 BE10
BG00 CB14 CB16 CB17 CB41
CB45 FA17
4J100 AB02R AB07P AF15P AL03Q
AL04Q AL05Q BA13P BC07Q
BC09Q BC12Q BD11Q CA03
CA04 CA05 JA38
Claims (37)
- 【請求項１】光活性成分および、 ｉ）フォト酸レイビルアセタール単位、およびｉｉ）単
位ｉ）とは異なるフォト酸レイビル単位を含むポリマ
ー、を含むフォトレジスト組成物。 - 【請求項２】単位ｉｉ）がアセタール基以外である、請
求項１記載のフォトレジスト。 - 【請求項３】単位ｉｉ）がエステル基である、請求項１
記載のフォトレジスト。 - 【請求項４】単位ｉｉ）がアルキルアクリレート基によ
り提供される、請求項１から３のいずれか１項記載のフ
ォトレジスト。 - 【請求項５】単位ｉｉ）がメタアクリレート単位であ
る、請求項１から４のいずれか１項記載のフォトレジス
ト。 - 【請求項６】ポリマーが以下の式Ｉに対応する、請求項
１から５のいずれか１項記載のフォトレジスト； 【化１】 ［式中、Ａｃｅｔａｌはアセタール基であり、ＤＢＧは
アセタール基以外のフォト酸レイビルデブロッキング基
であり、ＳはＡｃｅｔａｌおよびＤＢＧとは異なる他の
ポリマー単位であり、ｘ、ｙおよびｚはポリマーの合計
単位に基づくそれぞれのポリマーのモル％であり、ｘお
よびｙはそれぞれ０よりも大きく、ｚは０以上であ
る。］ - 【請求項７】ポリマーが以下の式ＩＩに対応する、請求
項１から６のいずれか１項記載のフォトレジスト； 【化２】 ［式中、Ａｃｅｔａｌは同じかまたは異なるアセタール
基であり、ｎは１から５の整数であり、ＲはＣ４−２０
アルキル基であり、Ｒ２は水素またはＣ１−８アルキル
基であり、ｘ、ｙおよびｚはポリマーの合計単位に基づ
くそれぞれのポリマーのモル％であり、ｘおよびｙはそ
れぞれ０よりも大きく、ｚは０以上である。］ - 【請求項８】アセタール基が、 −Ｏ−（ＣＸＹ）−Ｏ−（ＣＸ’Ｙ’）ｎ−Ｒ ［式中、Ｘ、Ｙ、Ｘ’およびＹ’はそれぞれ独立に水素
または非水素の置換基であるかまたは、１以上の（Ｃ
Ｘ’Ｙ’）は芳香族基であり、ｎは１以上の整数であ
り、Ｒはアルキルである。］である、請求項６または７
記載のフォトレジスト。 - 【請求項９】ポリマーがｉ）フェニル環置換基としての
アセタール基、ｉｉ）アルキルアクリレートフォト酸レ
イビル基、およびｉｉｉ）フェノール性基を含む、請求
項１から８のいずれか１項記載のフォトレジスト。 - 【請求項１０】ポリマーが芳香族単位を含む、請求項１
から８のいずれか１項記載のフォトレジスト。 - 【請求項１１】ポリマーがフェニル単位を含む、請求項
１から８のいずれか１項記載のフォトレジスト。 - 【請求項１２】ポリマーが実質的に芳香族単位を含まな
い、請求項１から８のいずれか１項記載のフォトレジス
ト。 - 【請求項１３】ポリマーがさらにラクトン、酸無水物、
またはニトリル単位を含む、請求項１から１２のいずれ
か１項記載のフォトレジスト。 - 【請求項１４】ポリマーがターポリマー、テトラポリマ
ー、またはペンタポリマーである、請求項１から１３の
いずれか１項記載のフォトレジスト。 - 【請求項１５】少なくとも２つの異なるフォト酸レイビ
ル基を含むポリマー成分、および光活性成分を含むフォ
トレジスト組成物。 - 【請求項１６】ポリマー成分が、異なるフォト酸レイビ
ル基を有する複数の繰り返し単位を含む樹脂を含む、請
求項１５記載のフォトレジスト組成物。 - 【請求項１７】ポリマー成分がフォト酸レイビルエステ
ル基とアセタール基を含む、請求項１５または１６記載
のフォトレジスト組成物。 - 【請求項１８】ポリマー成分がフェノール性単位を有す
る樹脂を含む、請求項１５から１７のいずれか１項記載
のフォトレジスト組成物。 - 【請求項１９】ポジ型フォトレジストレリーフイメージ
の形成方法であって、（ａ）請求項１から１８のいずれ
か１項記載のフォトレジストのコーティング層を基体上
に適用し、（ｂ）フォトレジスト層を露光し、現像し、
レリーフイメージを得ることを含む、方法。 - 【請求項２０】フォトレジスト層が約３００ｎｍ未満の
波長の放射線で露光される、請求項１９記載の方法。 - 【請求項２１】フォトレジスト層が約２００ｎｍ未満の
波長の放射線で露光される、請求項１９記載の方法。 - 【請求項２２】フォトレジスト層が約２４８ｎｍ、１９
３ｎｍまたは１５７ｎｍの波長の放射線で露光される、
請求項１９記載の方法。 - 【請求項２３】請求項１から１８のいずれか１項記載の
フォトレジスト組成物のコーティング層をその上に有す
るマイクロエレクトロニックウエハー基体を含む、製
品。 - 【請求項２４】ｉ）フォト酸レイビルアセタール単位、
および、ｉｉ）単位ｉ）とは異なるフォト酸レイビル単
位を含む、ポリマー。 - 【請求項２５】単位ｉｉ）がアセタール基とは異なる、
請求項２４記載のポリマー。 - 【請求項２６】単位ｉｉ）がエステル基である、請求項
２４記載のポリマー。 - 【請求項２７】単位ｉｉ）がアルキルアクリレート基に
より提供される、請求項２４から２６のいずれか１項記
載のポリマー。 - 【請求項２８】単位ｉｉ）がメタアクリレート単位であ
る、請求項２４から２７のいずれか１項記載のポリマ
ー。 - 【請求項２９】ポリマーが以下の式Ｉに対応する、請求
項２４から２８のいずれか１項記載のポリマー； 【化３】 ［式中、Ａｃｅｔａｌはアセタール基であり、ＤＢＧは
アセタール以外のフォト酸レイビルデブロッキング基で
あり、ＳはＡｃｅｔａｌおよびＤＢＧとは異なる他のポ
リマー単位であり、ｘ、ｙおよびｚはポリマーの合計単
位に基づくそれぞれのポリマーのモル％であり、ｘおよ
びｙはそれぞれ０よりも大きく、ｚは０以上である。］ - 【請求項３０】ポリマーが以下の式ＩＩに対応する、請
求項２４から２９のいずれか１項記載のポリマー； 【化４】 ［式中、各Ａｃｅｔａｌは同じかまたは異なるアセター
ル基であり、ｎは１から５の整数であり、ＲはＣ
４−２０アルキル基であり、Ｒ２は水素またはＣ１− ８
アルキル基であり、ｘ、ｙおよびｚはポリマーの合計単
位に基づくそれぞれのポリマーのモル％であり、ｘおよ
びｙはそれぞれ０よりも大きく、ｚは０以上である。］ - 【請求項３１】アセタール基が、 −Ｏ−（ＣＸＹ）−Ｏ−（ＣＸ’Ｙ’）ｎ−Ｒ ［式中、Ｘ、Ｙ、Ｘ’およびＹ’はそれぞれ独立に水素
または非水素の置換基であるかまたは、１以上の（Ｃ
Ｘ’Ｙ’）は芳香族基であり、ｎは１以上の整数であ
り、Ｒはアルキルである。］である、請求項２９または
３０記載のポリマー。 - 【請求項３２】ポリマーがｉ）フェニル環置換基として
のアセタール基、ｉｉ）アルキルアクリレートフォト酸
レイビル基、およびｉｉｉ）フェノール性基を含む、請
求項２４から３１のいずれか１項記載のポリマー。 - 【請求項３３】ポリマーが芳香族単位を含む、請求項２
４から３２のいずれか１項記載のポリマー。 - 【請求項３４】ポリマーがフェニル単位を含む、請求項
２４から３３のいずれか１項記載のポリマー。 - 【請求項３５】ポリマーが実質的に芳香族単位を含まな
い、請求項２４から３２のいずれか１項記載のポリマ
ー。 - 【請求項３６】ポリマーがさらにラクトン、酸無水物、
またはニトリル単位を含む、請求項２４から３５のいず
れか１項記載のポリマー。 - 【請求項３７】ポリマーがターポリマー、テトラポリマ
ー、またはペンタポリマーである、請求項２４から３６
のいずれか１項記載のポリマー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US32798701P | 2001-10-09 | 2001-10-09 | |
| US60/327987 | 2001-10-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003233190A true JP2003233190A (ja) | 2003-08-22 |
| JP2003233190A5 JP2003233190A5 (ja) | 2005-11-24 |
Family
ID=29780457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002296340A Pending JP2003233190A (ja) | 2001-10-09 | 2002-10-09 | 混合フォト酸レイビル基を有するポリマーおよび該ポリマーを含むフォトレジスト |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6989224B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003233190A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005350609A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Daicel Chem Ind Ltd | 側鎖にアセタール構造を有する高分子化合物及びその製造法 |
| JP2007034049A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Fujifilm Corp | 化学増幅型レジスト組成物及びその製造方法 |
| WO2010123101A1 (ja) * | 2009-04-24 | 2010-10-28 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP2011138148A (ja) * | 2011-02-07 | 2011-07-14 | Fujifilm Corp | 化学増幅型レジスト組成物及びその製造方法 |
| US9005870B2 (en) | 2010-01-27 | 2015-04-14 | Fujifilm Corporation | Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern using the composition |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4694686B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2011-06-08 | 東京応化工業株式会社 | 半導体素子製造方法 |
| JP2003233190A (ja) | 2001-10-09 | 2003-08-22 | Shipley Co Llc | 混合フォト酸レイビル基を有するポリマーおよび該ポリマーを含むフォトレジスト |
| JP2003295444A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-10-15 | Shipley Co Llc | アセタール／脂環式ポリマーおよびフォトレジスト組成物 |
| JP4498690B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2010-07-07 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 新規樹脂およびそれを含有するフォトレジスト組成物 |
| JP4448705B2 (ja) * | 2004-02-05 | 2010-04-14 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
| JP2005234584A (ja) * | 2004-02-22 | 2005-09-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトレジスト組成物 |
| EP1662320A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-05-31 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Photoresist compositions |
| US20080158437A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Kazuma Arai | Method for displaying digital image data and digital color display apparatus |
| JP5124535B2 (ja) | 2009-07-03 | 2013-01-23 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP5703819B2 (ja) * | 2010-05-14 | 2015-04-22 | Jsr株式会社 | 液晶表示素子、ポジ型感放射線性組成物、液晶表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法 |
| KR20110126046A (ko) * | 2010-05-14 | 2011-11-22 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 액정 표시 소자, 포지티브형 감방사선성 조성물, 액정 표시 소자용 층간 절연막 및 그 형성 방법 |
| US10738174B2 (en) | 2012-04-23 | 2020-08-11 | International Business Machines Corporation | Aqueous soluble ferrimagnets stabilized by block copolymers |
| JP6100500B2 (ja) | 2012-10-26 | 2017-03-22 | 富士フイルム株式会社 | 感光性転写材料、パターン形成方法およびエッチング方法 |
| KR102227564B1 (ko) * | 2014-01-20 | 2021-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물 |
| US9746776B2 (en) * | 2014-11-25 | 2017-08-29 | E I Du Pont De Nemours And Company | Low surface energy photoresist composition and process |
| JP2017181895A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
| WO2020163796A1 (en) * | 2019-02-07 | 2020-08-13 | Munchkin, Inc. | Washing container |
| CN116199804A (zh) * | 2021-11-30 | 2023-06-02 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种制备厚膜光刻胶树脂的方法 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3030672B2 (ja) * | 1991-06-18 | 2000-04-10 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法 |
| JP3591672B2 (ja) | 1996-02-05 | 2004-11-24 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
| US6025355A (en) * | 1997-05-19 | 2000-02-15 | Cambridge Neuroscience, Inc. | Pharmaceutically active compounds and methods of use |
| GB9611047D0 (en) * | 1996-05-25 | 1996-07-31 | Philton Polythene Converters L | Methods of securing liners within containers |
| KR100321080B1 (ko) | 1997-12-29 | 2002-11-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트 |
| US6159653A (en) * | 1998-04-14 | 2000-12-12 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Production of acetal derivatized hydroxyl aromatic polymers and their use in radiation sensitive formulations |
| US6692888B1 (en) | 1999-10-07 | 2004-02-17 | Shipley Company, L.L.C. | Copolymers having nitrile and alicyclic leaving groups and photoresist compositions comprising same |
| US6517990B1 (en) * | 2000-01-19 | 2003-02-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photosensitive polymer including copolymer of alkyl vinyl ether and resist composition containing the same |
| US6682869B2 (en) * | 2000-03-07 | 2004-01-27 | Shin-Etu Chemical Co., Ltd. | Chemical amplification, positive resist compositions |
| DE60128283T2 (de) * | 2000-03-22 | 2008-01-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Chemisch verstärkte positiv arbeitende Resistzusammensetzung und Strukturierungsverfahren |
| EP1143300A1 (en) | 2000-04-03 | 2001-10-10 | Shipley Company LLC | Photoresist compositions and use of same |
| US6306554B1 (en) | 2000-05-09 | 2001-10-23 | Shipley Company, L.L.C. | Polymers containing oxygen and sulfur alicyclic units and photoresist compositions comprising same |
| JP4838437B2 (ja) * | 2000-06-16 | 2011-12-14 | Ｊｓｒ株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| KR100733536B1 (ko) * | 2000-07-19 | 2007-06-28 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료 |
| US20020155376A1 (en) * | 2000-09-11 | 2002-10-24 | Kazuhiko Hashimoto | Positive resist composition |
| JP4190167B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2008-12-03 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JP4034538B2 (ja) | 2000-10-31 | 2008-01-16 | 株式会社東芝 | フォトレジスト用高分子化合物、単量体化合物、感光性樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法 |
| JP2004519734A (ja) * | 2001-04-04 | 2004-07-02 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | ケイ素含有アセタール保護ポリマーおよびそのフォトレジスト組成物 |
| JP4137408B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2008-08-20 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JP2003295444A (ja) | 2001-10-09 | 2003-10-15 | Shipley Co Llc | アセタール／脂環式ポリマーおよびフォトレジスト組成物 |
| JP2003233190A (ja) | 2001-10-09 | 2003-08-22 | Shipley Co Llc | 混合フォト酸レイビル基を有するポリマーおよび該ポリマーを含むフォトレジスト |
| EP1324133A1 (en) * | 2001-12-31 | 2003-07-02 | Shipley Co. L.L.C. | Photoresist compositions for short wavelength imaging |
-
2002
- 2002-10-09 JP JP2002296340A patent/JP2003233190A/ja active Pending
- 2002-10-09 US US10/268,033 patent/US6989224B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005350609A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Daicel Chem Ind Ltd | 側鎖にアセタール構造を有する高分子化合物及びその製造法 |
| JP2007034049A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Fujifilm Corp | 化学増幅型レジスト組成物及びその製造方法 |
| WO2010123101A1 (ja) * | 2009-04-24 | 2010-10-28 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP2010271686A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-12-02 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
| US9005870B2 (en) | 2010-01-27 | 2015-04-14 | Fujifilm Corporation | Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern using the composition |
| JP2011138148A (ja) * | 2011-02-07 | 2011-07-14 | Fujifilm Corp | 化学増幅型レジスト組成物及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6989224B2 (en) | 2006-01-24 |
| US20040002017A1 (en) | 2004-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7361447B2 (en) | Photoresist polymer and photoresist composition containing the same | |
| US6989224B2 (en) | Polymers with mixed photoacid-labile groups and photoresists comprising same | |
| JP4156599B2 (ja) | フルオロスルホンアミド基を含んだポリマーを含むポジ型フォトレジスト組成物およびその使用方法 | |
| EP0930542A1 (en) | Polymers and photoresist compositions for short wavelength imaging | |
| KR19990044985A (ko) | 신규 중합체 및 감광성내식막 조성물 | |
| JP2011215647A (ja) | フェノール／脂環式コポリマーおよびフォトレジスト | |
| WO2005036261A1 (en) | Negative resist composition with fluorosulfonamide-containing polymer | |
| JP2001272783A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| CN101427181A (zh) | 可湿法显影的底部抗反射涂料组合物及其使用方法 | |
| KR20000047909A (ko) | 이타콘산 무수물 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트조성물 | |
| CN101201542B (zh) | 用于光刻蚀法的涂料组合物 | |
| KR101841454B1 (ko) | 염기-반응성 성분을 포함하는 조성물 및 포토리소그래피 방법 | |
| JP2003295444A (ja) | アセタール／脂環式ポリマーおよびフォトレジスト組成物 | |
| KR20010088327A (ko) | 가교결합된 중합체를 함유하는 포지티브 포토레지스트 | |
| JP6144005B2 (ja) | 糖成分を含む組成物およびフォトリソグラフィ方法 | |
| JP6310870B2 (ja) | ヘテロ置換された炭素環式アリール成分を含む組成物およびフォトリソグラフィー方法 | |
| JP3641748B2 (ja) | フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体、フォトレジスト重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 | |
| KR100669188B1 (ko) | 하이드록시페닐 공중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 | |
| KR101376104B1 (ko) | 포토리소그래피용 조성물 및 방법 | |
| US6749986B2 (en) | Polymers and photoresist compositions for short wavelength imaging | |
| JPH10268519A (ja) | 新規なポリマー及びそれを含有するフォトレジスト組成物 | |
| JP2000298348A (ja) | 短い波長での画像形成に特に適したフォトレジスト組成物 | |
| US20050069807A1 (en) | Photoresist composition | |
| JP2004524565A (ja) | 新規な共重合体及びフォトレジスト組成物 | |
| US20050186507A1 (en) | Photoresist composition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051007 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051007 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061017 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070306 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080724 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081216 |