JP2003243716A

JP2003243716A - 光源部品

Info

Publication number: JP2003243716A
Application number: JP2002035024A
Authority: JP
Inventors: Shinichiro Iura; 慎一郎井浦; Seiji Imai; 清司今井; Takashi Kamei; 隆亀井; Kiyohiko Gondo; 清彦権藤; Chiku Fujita; 築藤田
Original assignee: Omron Corp; Omron Tateisi Electronics Co
Current assignee: Omron Corp
Priority date: 2002-02-13
Filing date: 2002-02-13
Publication date: 2003-08-29

Abstract

(57)【要約】【課題】取り付けスペースの狭小化並びにその取り付
け構造の簡略化を図った光源部品を提供する。【解決手段】光源となる発光ダイオードチップ（２）
と、発光ダイオードチップから出射される光の光量モニ
タとなるフォトダイオードチップ（３）とを同一ステム
（１０）上で一体的に保持する。発光ダイオードチップ
（２）は、主光を出射するチップ正面と副光を出射する
チップ側面とを有するものとし、フォトダイオードチッ
プは入射光に感応する受光面を有するものとし、かつ、
両ダイオードチップ（２，３）を、発光ダイオードチッ
プ（２）のチップ側面から出射される副光の少なくとも
一部がフォトダイオードチップ（３）の受光面に入射さ
れるように位置決めする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、投光パ
ワーの自動調整を行うようにしたファイバ型光電センサ
等への適用に好適な光源部品に係り、特に、投光パワー
モニタ用のフォトダイオードチップを発光ダイオードチ
ップと一体的に設けた光源部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】投光パワーの自動調整（ＡＰＣ：Automa
tic Power Control)を行うようにしたファイバ型光電セ
ンサの内部構造の一例が図１２の一部破断斜視図に示さ
れている。尚、同図において、符号ａはファイバ型光電
センサ、符号ｂは光源部品である発光ダイオード素子、
符号ｃはモニタ用部品であるモニタ用フォトダイオード
素子、符号ｄはセンサハウジング、符号ｅは発光ダイオ
ード素子ｂの電極端子、符号ｆはモニタ用フォトダイオ
ード素子ｃの電極端子、符号ｇは回路基板、符号ｈは受
光部品である受光用フォトダイオード素子、符号ｉは発
光ダイオード素子ｂの前方に位置する投光用ファイバ挿
通孔、符号ｊは受光用フォトダイオード素子ｈの前方に
位置する受光用ファイバ挿通孔をそれぞれ示している。

【０００３】同図に示されるように、この種の光電セン
サａのハウジングｄ内には、光源部品である発光ダイオ
ード素子ｂと、その投光パワーを測定（モニタ）するた
めのモニタ用部品であるモニタ用フォトダイオード素子
ｃとの２つの光学部品が投光用部品として内蔵されてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来のセ
ンサａにあっては、光源部品（発光ダイオード素子ｂ）
の他にモニタ用部品（モニタ用フォトダイオード素子
ｃ）のための取り付けスペースを確保せねばならず、セ
ンサ本体（センサハウジングｄ）の小型化の妨げとなっ
ていた。

【０００５】加えて、より正確な投光パワーモニタを行
うには、発光ダイオード素子ｂとモニタ用フォトダイオ
ード素子ｃとの精度の良い位置決め機構（取り付け構
造）が必要となるため、それに伴いセンサハウジングｄ
の内部構造が複雑化してしまうという問題点もあった。

【０００６】この発明は、上述の問題点に着目してなさ
れたものであり、その目的とするところは、その取り付
けスペースの狭小化並びにその取り付け構造の簡略化を
図った光源部品を提供するところにある。

【０００７】この発明の他の目的とするところは、モニ
タ用フォトダイオードチップ一体型の光源部品であっ
て、戻り光等の外来光による投光パワーモニタへの干渉
を未然に防止した光源部品を提供するところにある。

【０００８】この発明のさらに他の目的乃至作用効果に
ついては、以下の明細書の記載を参照することにより、
当業者であれば容易に理解されるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光源部品は、光源となる発光ダイオード
チップと、発光ダイオードチップから出射される光の光
量モニタとなるフォトダイオードチップとが一体的に保
持され、発光ダイオードチップは、主光を出射するチッ
プ正面と副光を出射するチップ側面とを有すると共に、
フォトダイオードチップは入射光に感応する受光面を有
し、かつ、発光ダイオードチップとフォトダイオードチ
ップとは、発光ダイオードチップのチップ側面から出射
される副光の少なくとも一部がフォトダイオードチップ
の受光面に入射されるように位置決めされている。

【００１０】ここで、『発光ダイオードチップ』、『フ
ォトダイオードチップ』とあるが、ここでいう「チッ
プ」は、Ｐ型とＮ型の両半導体により構成されるダイオ
ードとしての最小構成単位を示すものであり、電源端子
やワイヤ等を含む‘ダイオード素子’よりも狭義の意味
に解されたい。

【００１１】また、『位置決めされている』とあるが、
当該位置決めには、ステム等のベース部材を使用するの
が一般的かと思われる。しかしながら、ここで言う「位
置決め」はそのような態様によるものに限定されず、例
えば樹脂モールド加工のみでベース部材を要さずに行わ
れているものをも広く含むものである。

【００１２】本発明によれば、従来、光源部品とは別に
取り付ける必要のあったモニタ用部品が不要となり、取
り付けスペースの狭小化並びに取り付け構造の簡略化が
達成される。

【００１３】また、本発明の光源部品は、発光ダイオー
ドチップの側面から出射される副光を利用して投光パワ
ーモニタを行おうとするものであるから、例えば、フォ
トダイオードチップを発光ダイオードチップの側方に近
接配置することにより、副光によるモニタを確実に行う
一方で、発光ダイオードチップの主光出射領域（正面
側）は十分に確保することができる。

【００１４】本発明において、好ましくは、フォトダイ
オードチップの受光面は、チップ正面とチップ側面とを
含み、発光ダイオードチップとフォトダイオードチップ
とは、発光ダイオードチップの正面とフォトダイオード
チップの正面とが同一方向に向くようにして位置決めさ
れ、さらに、フォトダイオードチップの正面は遮光部材
で覆われる。

【００１５】尚、ここで、『発光ダイオードチップ』、
『フォトダイオードチップ』はいずれも‘正面’と‘側
面’を有するものとしているが、これには、正面がＰＮ
接合面と平行であり、かつ、側面がＰＮ接合面と垂直で
ある一般形状のものが含まれることは言うまでもない。

【００１６】このような態様によれば、フォトダイオー
ドチップの側面で発光ダイオードチップの副光を受光で
きる一方で、自身の投光の“戻り光”等、正面側から到
来する外来光（発光ダイオードチップから直射される光
以外のノイズ光（蛍光灯の光や太陽光））の受光を未然
に防ぐことができる。すなわち、当該外来光による投光
パワーモニタへの干渉が防止される。尚、光源部品の正
面に光ファイバが設置されるような例えばファイバ型光
電センサに本発明が適用される場合には、発光ダイオー
ドチップからの投光が、ファイバ端面に反射されてフォ
トダイオードチップに照射されるような場合も想定され
るが、このような態様によれば、当該反射光の受光も未
然に防ぐことができる。

【００１７】尚、ここで、主として‘正面側から到来す
る外来光’に着目しているのは、この種の光源部品は、
一般に、外部への投光口（外来光の入り口ともなり得
る）が正面前方に位置するようにして例えばセンサハウ
ジング等の所定空間内に設置されるためである。したが
って、フォトダイオードチップの側面への外来光の入射
が更に想定されるような設置環境であれば、発光ダイオ
ードチップの副光受光を妨げない範囲内において、その
側面を更に遮光部材等で覆うようしてもよいであろう。

【００１８】上述の『遮光部材』として、好ましくは、
蒸着または塗布により被着されるコート層や、貼付等に
て付着されるフィルム等が採用される。このような遮光
部材であれば、フォトダイオードチップの製造工程に、
当該蒸着、塗布、貼付等に係る一製造工程を追加するだ
けでフォトダイオードチップ正面を簡易かつ確実に遮光
することができる。

【００１９】尚、『遮光部材』は、フォトダイオードチ
ップ正面に接触するものに限定されず、例えば、フォト
ダイオードチップの正面前方に非接触で配置され、それ
によりチップ正面への戻り光等の入光を遮るもの（例え
ばキャップ等）を使用することもできる。

【００２０】本発明において好ましくは、発光ダイオー
ドチップのチップ正面前方にはチップ正面からの主光を
外部へと導く導光部材が配置され、該導光部材には戻り
光等の外来光の出射角を所定角度以内に制限して、戻り
光がフォトダイオードチップの受光面に入射しないよう
にするための光学特性が付与される。

【００２１】ここで、『導光部材』とあるが、これは、
予め光源部品に一体的に取り付けられているものであっ
てもよいし、光源部品とは別個独立に設けられるもので
あってもよい。

【００２２】『導光部材』の具体的一例としては、発光
ダイオードチップの正面前方に投光口を臨ませる投光用
トンネル（ピンホール等）が形成された例えばセンサハ
ウジング等を挙げることができる。この場合には、該投
光用トンネルを介して到来する戻り光等の外来光の出射
角は、投光用トンネルの内壁面の光吸収率に起因して所
定角度以内に制限されるようにする。

【００２３】すなわち、所定角度以上の入射角で投光用
トンネルに入射した戻り光等の外来光は、該入射角度の
大きさに応じてトンネル内での反射回数が多くなり、こ
の反射回数と、トンネル内壁面の光吸収率等に基づき、
所定の割合で吸収されると考えられる。したがって、ト
ンネル内壁面（或いは導光部材）の材料にこの‘光吸収
率’が比較的大きなものを用いれば、所定角度以上の入
射角を持つ外来光が光源部品へと向けて出射されるのを
防ぐことができる。このため、フォトダイオードチップ
を当該入射角（出射角）に基づく外来光の予想直射領域
外に予め設けておけば、当該外来光による投光パワーモ
ニタへの影響を防ぐことができる。

【００２４】また、『導光部材』の他の具体的一例とし
ては、その一端部を発光ダイオードチップのチップ正面
前方に臨ませる光ファイバと、該ファイバの周囲を覆う
被覆部材とを使用したものを挙げることができる。この
ような構成を持つものとしては、ファイバ型光電センサ
が挙げられる。この場合には、該光ファイバを介して到
来する戻り光等の外来光の出射角は、ファイバの光屈折
率（コアとクラッドの屈折率差）並びに被覆部材の光吸
収率に起因して所定角度以内に制限されるようにする。

【００２５】すなわち、所定角度以上の入射角でファイ
バに入射された戻り光等の外来光は、ファイバを突き抜
けてその外部の被覆部材に吸収率に応じて吸収されると
考えられる。このため、フォトダイオードチップを当該
入射角に基づく外来光の予想直射領域外に予め設けてお
けば、当該外来光による投光パワーモニタへの影響を防
ぐことができる。

【００２６】尚、上記態様において、より好ましくは、
前記投光用トンネルの投光口付近又は前記外来光出射口
となる光ファイバ端面の前方には、更に、外来光の出射
角を制限するための光学レンズが配置される。

【００２７】尚、ここでいう『光学レンズ』について
も、予め光源部品に一体的に取り付けられているもので
あってもよいし、光源部品とは別個独立に設けられるも
のであってもよい。そして、このような態様によれば、
更に正確な出射角制御を行うことも可能となる。

【００２８】また、本発明において、好ましくは、発光
ダイオードチップ並びにフォトダイオードチップは、パ
ラボラ状の窪みが形成された基台に保持され、発光ダイ
オードチップは該窪み内に配置される。

【００２９】ここで、『基台』とあるが、具体的一例と
しては、金属製の‘ステム基台’が挙げられる。尚、
『パラボラ状の窪み』とあるが、これは、発光ダイオー
ドチップから放射された光をパラボラ面を介して一定方
向（例えば正面前方）に投射する集光機能を確保するた
めのものであり、いかなる形状を「パラボラ状」と称す
るかについては、当該集光機能等に基づき判断されるべ
きである。

【００３０】ここで、より好ましくは、フォトダイオー
ドチップは、発光ダイオードチップに近接する窪みの外
に配置される。このような態様によれば、例えば、フォ
トダイオードチップを窪み内に配置することにより、発
光ダイオードチップからの投光の一部がフォトダイオー
ドチップにより遮られるといった不具合が解消されるか
ら、パラボラ状の窪みによる集光機能を最大限に活用す
ることができる。尚、『近接する』としたのは、窪みの
外であっても、発光ダイオードチップの副光がフォトダ
イオードチップに必要十分に入射されるようにするため
の配慮であり、具体的な距離を限定するものではない。

【００３１】また、本発明において好ましくは、正・負
両極を構成する２個１組の電極端子が２組設けられ、発
光ダイオードチップ並びにフォトダイオードチップのア
ノード電極並びにカソード電極は、対応する組の対応す
る電極端子にそれぞれ導通される。

【００３２】本発明のように、発光ダイオードチップと
フォトダイオードチップとを一体的に保持する場合に
は、構造簡略化等のために、例えば、両者のグランドラ
インには共通の端子を使用することも考えられる。しか
しながら、そのような場合には、投光時に発光ダイオー
ドチップ側で発生するノイズ電流がフォトダイオードチ
ップ側に乗ることによる投光モニタの誤計測も想定され
る。上述のような態様であれば、発光ダイオードチップ
並びにフォトダイオードチップにはそれぞれ独立した電
源供給ラインが提供されるから、そのような不具合も未
然に防ぐことができる。また、これにより、グランドラ
インを共有するものに比してより一層微妙な電流差に基
づく投光パワー計測も可能となる。

【００３３】ここで、より好ましくは、発光ダイオード
チップ並びにフォトダイオードチップは導電性の基台に
保持され、該基台には、該基台に導通された第１の電極
端子と、基台と非導通の第２乃至第４の電極端子とが保
持される。そして、発光ダイオードチップは、Ｐ型、Ｎ
型何れか一方の半導体が露出されたチップ背面を基台表
面に接触させた状態で保持され、チップ正面に露出され
た他方の型の半導体には第２の電極端子と導通させるワ
イヤが接続される。一方、フォトダイオードチップは、
チップ正面にＰ・Ｎ型両半導体が露出されるとともに、
チップ背面には絶縁加工が施されており、かつ、チップ
背面を基台表面に接触させた状態で保持されると共に、
チップ正面の両半導体には、第２、第３の電極端子と各
々導通させるワイヤがそれぞれ接続される。

【００３４】このような態様によれば、発光ダイオード
チップ並びにフォトダイオードチップには、それぞれ独
立した電源供給ラインが提供され、かつ、そのための必
要作業は、発光ダイオードチップにあっては、その背面
を基台に搭載し、また、第２の電極端子と正面半導体と
をワイヤ接続するというものであり、フォトダイオード
チップにあっては、正面に露出された両半導体と第２、
第３の電極端子とをそれぞれワイヤで接続するという至
って簡易なものであるから、製造が容易である。尚、フ
ォトダイオードチップ背面の絶縁加工についてもフォト
ダイオードの製造工程に一製造工程を加えるだけで、簡
易に実現することができる。

【００３５】次に、本発明の第２実施形態による光源部
品は、光源となる発光ダイオードチップと、発光ダイオ
ードチップから出射される光の光量モニタとなるフォト
ダイオードチップとが一体的に保持され、発光ダイオー
ドチップは、主光を出射するチップ正面と副光を出射す
るチップ側面とを有すると共に、フォトダイオードチッ
プは、主要受光面となるチップ正面と副受光面となるチ
ップ側面とを有し、発光ダイオードチップとフォトダイ
オードチップとは、発光ダイオードチップのチップ正面
から出射される主光の少なくとも一部がフォトダイオー
ドチップのチップ正面に入射されるように位置決めさ
れ、かつ、それら発光ダイオードチップ前方には、発光
ダイオードからの投光を通過させる投光口を有するキャ
ップが設けられ、更に、フォトダイオードチップは、前
記キャップの投光口を経て入射される戻り光等の外来光
の直射を受けないよう位置決め固定されている。

【００３６】本発明の第２実施形態によっても、従来、
光源部品とは別に取り付ける必要のあったモニタ用部品
が不要となり、取り付けスペースの狭小化並びに取り付
け構造の簡略化が達成される。加えて、投光口を経て内
部入射される自身の投光の“戻り光”等の外来光のフォ
トダイオードチップ側面への入射は、キャップにより未
然に防ぐことができる。すなわち、当該外来光による投
光パワーモニタへの干渉が防止される。

【００３７】次に、本発明の第３実施形態による光源部
品は、光源となる発光ダイオードチップと、発光ダイオ
ードチップから出射される光の光量モニタとなるフォト
ダイオードチップとが一体的に保持され、発光ダイオー
ドチップは、主光を出射するチップ正面と副光を出射す
るチップ背面とを有すると共に、フォトダイオードチッ
プは入射光に感応する受光面を有し、かつ、フォトダイ
オードチップは、発光ダイオードチップのチップ背面か
ら出射される副光がフォトダイオードチップの受光面に
直射されるように、発光ダイオードの背後に位置決め配
置されている。

【００３８】本発明の第３実施形態によっても、従来、
光源部品とは別に取り付ける必要のあったモニタ用部品
が不要となり、取り付けスペースの狭小化並びに取り付
け構造の簡略化が達成される。加えて、自身の投光の
“戻り光”等、正面側から到来する外来光のフォトダイ
オードチップへの入射は、発光ダイオードチップにより
遮られるから、当該外来光による投光パワーモニタへの
干渉が防止される。

【００３９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る光源部品の
好適な実施の一形態を添付図面を参照しつつ詳細に説明
する。

【００４０】最初に、本発明の光源部品１の光電センサ
（ファイバ型光電センサ５００）への実装の一例を図１
に示す。同図において、符号１は光源部品、符号５００
はファイバ型光電センサ、符号５２０はセンサハウジン
グ、符号５３０は回路基板、符号５４０は受光部品であ
る受光用フォトダイオード素子、符号５１１は光源部品
１の前方に位置する投光用ファイバ挿通孔、符号５１２
は受光用フォトダイオード素子５４０の前方に位置する
受光用ファイバ挿通孔をそれぞれ示している。尚、同図
は、光ファイバをファイバ挿通孔５１１，５１２に挿通
する前の状態を示している。

【００４１】同図に示されるように、本実施形態の光源
部品１は、投光用ファイバ挿通孔５１１に正面を向けて
センサ本体内部に設けられる。そして、図１２（従来
例）との比較からも分かるように、本発明が適用される
光電センサ５００にあっては、モニタ用フォトダイオー
ド素子ｃのための取り付けスペースは設けられておら
ず、その分、センサハウジングの小型化並びに内部構造
の簡略化が実現されている。

【００４２】光源部品１の構成を図２の外観斜視図並び
に図３の断面図に基づき詳細に説明する。尚、図３は、
図２に示す切断線２−２による縦断面図である。

【００４３】図２、図３に示されるように、本実施形態
における光源部品１は、光源となる発光ダイオードチッ
プ２と、発光ダイオードチップから出射される光の光量
モニタとなるフォトダイオードチップ３と、それらダイ
オードチップ２，３が搭載されるステム１０と、ステム
１０に装着乃至挿通される棒状の２組の電極端子１１，
１２、１３，１４とを有してなる。尚、ステム１０の上
面（上方）は、樹脂ポッティング加工により形成された
樹脂キャップ４で覆われている（図２においてはその図
示が省略されている）。この樹脂キャップ４により、本
実施形態では、ステム１０上面に露出される各要素（チ
ップ２，３、端子１１〜１４、ワイヤＷ１〜Ｗ３等）が
保護されている。

【００４４】ステム１０は、コバール（鉄―ニッケル―
コバルト合金）、鉄―ニッケル合金、軟鋼等の導電性物
質で構成され、この例では、上面１０ａを有する台部１
０００と、台部１０００の下部周縁に設けられた鍔状周
縁部１１００とを有する円盤状に形成されている。尚、
鍔状周縁部１１００が有する突起片１０１は、光源部品
１をセンサ等へ取り付けるときに利用される取り付け片
１０１を示している。

【００４５】ステム１０の上面１０ａの中央部には、パ
ラボラ状の窪み１００が形成されており、このパラボラ
状の窪み１００には、発光ダイオードチップ２が配置さ
れる。尚、パラボラ状の窪み１００は、湾曲されたパラ
ボラ面１００ａと、発光ダイオードチップ２を配置する
ための平らなチップ載置面１００ｂとを有してなる。

【００４６】また、パラボラ状の窪み１００の周囲（窪
みの外、上面１０ａ上）には、フォトダイオードチップ
３が発光ダイオードチップ２に近接して配置されてい
る。加えて、パラボラ状の窪み１００の周囲からは、ス
テム１０に挿通された電極端子１２，１３，１４の上端
部が突出されており、ステム上面２ａと平行に設けられ
たワイヤ接続面（上端面１２ａ，１３ａ，１４ａ）をそ
れぞれ露出させている。

【００４７】発光ダイオードチップ２には、この例で
は、ＰＮ接合面（図５中符号２０で示される）と平行で
あり主光を出射するチップ正面と、チップ正面と対向す
る側のチップ背面と、ＰＮ接合面と垂直であり副光を出
射する４つのチップ側面とを有する直方体形状の汎用の
発光ダイオードチップが使用されている。また、チップ
正面にはアノード電極部Ａが、チップ背面にはカソード
電極部（図示せず）がそれぞれ形成されている。

【００４８】この例では、発光ダイオードチップ２は、
チップ正面（上面）がステム上面１０ａと平行となるよ
うにして、かつ、パラボラ状の窪み１００のチップ載置
面１００ｂにチップ背面（カソード電極部）を接触させ
てステム１０に載置（一体化）される。

【００４９】フォトダイオードチップ３には、ＰＮ接合
面と平行なチップ正面と、チップ正面と対向する側のチ
ップ背面と、ＰＮ接合面と垂直な４つのチップ側面とを
有する直方体形状の汎用のフォトダイオードチップが使
用されている。この例では、チップ正面には、カソード
電極部Ｋとアノード電極部Ａとの両電極部が形成されて
いる。また、図示は省略されているが、チップ背面には
セラミック等の絶縁材が被覆されており、これによりス
テム１０とフォトダイオードチップ３との絶縁状態が維
持される。そして、フォトダイオードチップ３は、チッ
プ正面がステム上面１０ａと平行となるように（発光ダ
イオードチップ２のチップ正面と同一方向を向けて）、
かつ、チップ背面の絶縁部材をステム１０の上面に接触
させた状態でステム１０に載置（一体化）される。

【００５０】また、フォトダイオードチップ３のチップ
正面は、戻り光受光防止のため、電極部Ａ，Ｋを除く受
光面を金属製の遮光部材（コート層）３ａで覆われてい
る。尚、この遮光部材は、この例では、チタン−金等の
合金薄膜をチップ正面に蒸着乃至塗布することで形成さ
れている。

【００５１】電極端子１１〜１４とステム１０との装着
乃至挿通構造を図３に基づき説明する。尚、同図では、
発光ダイオードチップ２の背後に表れる電極端子１４の
先端部、並びにワイヤＷ１〜Ｗ３等はその図示が省略さ
れている。

【００５２】電極端子１１は、発光ダイオードチップ２
のカソード電極に導通されるべき負極端子とされ、ステ
ム１０の裏面に設けられた挿入溝１１０にその先端部を
挿入した状態でステム１０に固着される。これにより、
電極端子１１は、ステム１０を介して発光ダイオードチ
ップ２のカソード電極部と電気的に接続されることとな
る。

【００５３】電極端子１２は、発光ダイオードチップ２
のアノード電極に導通されるべき正極端子とされ、ステ
ム１０の所定箇所に設けられた貫通孔１２０に挿通され
る。より詳細には、貫通孔１２０は、電極端子１２の短
手方向幅（直径）よりも大きい内径を有する孔であり、
この貫通孔１２０に電極端子１２を非接触で挿通した状
態で、電極端子１２と貫通孔１２０との隙間に硬質ガラ
スを封入することにより、電極端子１２はステム１０と
絶縁状態で一体化される。

【００５４】そして、電極端子１２は、図２に示される
ように、ワイヤＷ１により、発光ダイオードチップ２の
アノード電極部とワイヤ接続面１２ａを介して電気的に
接続される。尚、ワイヤＷ１は、ワイヤボンディング加
工により付設されるものであり、後述するワイヤＷ２，
Ｗ３についても同様である。

【００５５】電極端子１３は、フォトダイオードチップ
３のアノード電極に導通されるべき負極端子（逆電圧）
とされる。尚、図３は図２に示す２−２線による断面図
であり、電極端子１３は同図には表されていないが、ス
テム１０との挿通構造は電極端子１２と同一である。す
なわち、電極端子１３は、ステム１０の所定箇所に設け
られた貫通孔１３０に非接触で挿通された状態で、電極
端子１３と貫通孔１３０との隙間に硬質ガラスが封入さ
れる。これにより、電極端子１３は、ステム１０と絶縁
状態で一体化される。

【００５６】そして、電極端子１３は、図２に示される
ように、ワイヤＷ２により、フォトダイオードチップ３
正面のアノード電極部Ａとワイヤ接続面１３ａを介して
電気的に接続される。

【００５７】電極端子１４は、フォトダイオードチップ
３のカソード電極に導通されるべき正極端子とされ、こ
の例では、電極端子１２，１３と同様に、ステム１０の
所定箇所に設けられた貫通孔１４０に非接触で挿通され
た状態で、電極端子１４と貫通孔１４０との隙間に硬質
ガラスが封入される。これにより、電極端子１４は、ス
テム１０と絶縁状態で一体化される。

【００５８】そして、電極端子１４は、図２に示される
ように、ワイヤＷ３により、フォトダイオードチップ３
正面のカソード電極部Ｋとワイヤ接続面１４ａを介して
電気的に接続される。

【００５９】尚、上記した電極端子１１〜１４と、発光
ダイオードチップ２並びにフォトダイオードチップ３と
の電気的接続状態を図４に模式的に示す。一部上述の説
明が重複するが、同図に示されるように、発光ダイオー
ドチップ２のアノード電極部Ａ（チップ正面）には、正
極端子１２とを結ぶワイヤＷ１が接続され、一方、カソ
ード電極部（チップ背面）には、ワイヤではなくステム
１０を介して負極端子１１が電気的に接続されている。
また、フォトダイオードチップ３のアノード電極部に
は、負極端子１３とを結ぶワイヤＷ２が接続され、一
方、カソード電極部には、正極端子１４とを結ぶワイヤ
Ｗ３が接続されている。

【００６０】次に、本実施形態の光源部品１における発
光ダイオードチップ２からの投光の様子並びにフォトダ
イオードチップ３によるモニタ受光の様子を図５の模式
図に基づき説明する。尚、同図において、符号２０は発
光ダイオードチップ２のＰＮ接合面を示している。ま
た、符号Ｌｍは発光ダイオードチップ２正面から出射さ
れる主光を、符号Ｌｓ１，Ｌｓ２は発光ダイオードチッ
プ２の側面から出射されフォトダイオードチップ３で受
光される副光を、符号Ｌｓ３〜Ｌｓ６は発光ダイオード
チップ２の側面から出射されてパラボラ面１００ａで反
射される副光をそれぞれ模式的に示している。

【００６１】同図に示されるように、発光ダイオードチ
ップ２の正面からは、主光Ｌｍがランバートに放射され
る。これとは別に、発光ダイオードチップ２の側面（特
にＰＮ接合面２０が露出される部分）からは、副光Ｌｓ
が出射されることが知られている。本実施形態では、こ
の副光を投光およびモニタ受光に有効利用している。

【００６２】第１に、本実施形態では、発光ダイオード
チップ２をパラボラ状の窪み１００内に配置すること
で、同図中Ｌｓ３〜Ｌｓ６に示されるように、副光（無
論、主光が含まれていてもよい）をパラボラ面１００ａ
で正面方向に反射させ、これにより指向性の強い投光性
能を確保するようにしている。

【００６３】第２に、本実施形態では、同図中Ｌｓ１，
Ｌｓ２で示されるように、発光ダイオードチップ２から
フォトダイオードチップ３の側面に直射される副光に基
づき投光パワーモニタを行うようにしている。尚、副光
Ｌｓは、一般的には、主光Ｌｍと比べると発光パワーは
小さいものの、投光パワーモニタを行うには十分な光量
が得られることが確認されている。もっとも、副光Ｌｓ
が全くフォトダイオードチップ３に入射されないような
状態であれば当然ながらにモニタは不可能であるから、
発光ダイオードチップとフォトダイオードチップ３との
位置関係（位置決め）については、チップ２、３の形
状、大きさ、投受光パワー、並びにパラボラ状の窪み１
００の深さやパラボラ面の傾斜角等のモニタ受光環境と
の関連を考慮する必要がある。もっとも、これらは、当
業者であれば、本発明に基づき適宜なし得る設計事項に
過ぎないであろうからこれ以上の説明は省略する。

【００６４】本実施形態の光源部品１は、上述のような
構成とされ、例えばファイバ型光電センサに適用され
る。

【００６５】図６は、本実施形態の光源部品１をファイ
バ型光電センサに適用した場合に想定される戻り光の発
生の様子（同図中（ａ））と、その戻り光のフォトダイ
オードチップ３への入射が遮蔽される様子（同図中
（ｂ））をそれぞれ模式的に示した図である。尚、同図
において、符号５は投光用ファイバ、符号６は受光用フ
ァイバ、符号２００はセンサハウジング、符号３００は
検知用受光素子、符号４００は検出対象物体、符号Ｌｓ
は発光ダイオードチップ２からの投光、符号Ｌｒは検出
対象物体４００による反射光、符号Ｌｎは投光用ファイ
バ５を経てセンサハウジング２００内部に侵入する戻り
光（外来光）をそれぞれ示している。

【００６６】同図中（ａ）に示されるように、光源部品
１から出射された投光Ｌｓは、投光用ファイバ５を経て
例えば検出対象物体４００により反射される。この反射
光Ｌｒが再度投光用ファイバ５内部に入射すると、これ
が戻り光となってセンサハウジング２００内部まで到達
するといった不具合が発生する。

【００６７】この戻り光Ｌｎが光源部品１に搭載された
モニタ用フォトダイオードチップ３に到達（入射）すれ
ば、発光ダイオードチップ２の正確な投光パワーモニタ
の実行を妨げることとなる。そこで、本実施形態の光源
部品１にあっては、上述したように、フォトダイオード
チップ３のチップ正面に、金属製の遮光部材３ａが設け
られている。これにより、図６中（ｂ）に示すように、
投光用ファイバ５を経てセンサハウジング２００内部に
侵入する戻り光Ｌｎが発生しても、当該戻り光Ｌｎがフ
ォトダイオードチップ２の受光面（正面）に入射するの
を未然に防ぐことができる。したがって、本実施形態の
光源部品によれば、より安定した正確なモニタリングが
可能となる。

【００６８】尚、上述のように、本実施形態の光源部品
をファイバ型光電センサに適用するような場合には、導
光部材としての光ファイバ５の光学特性を利用して、戻
り光の出射角を所定角度以内に制限することにより、戻
り光Ｌｎがフォトダイオードチップ３に入射しないよう
にすることもできる。図７はそのようなファイバによる
出射各制御の一例を概念的に示したものである。

【００６９】通常、光ファイバ５は、それぞれ屈折率の
異なるコア５０（中心部）とクラッド５１（周縁部）と
から構成され、その表面は被覆部材５２（例えば光吸収
率の高い黒色のポリエチレンまたはポリビニル等）で覆
われている。このため、ファイバ５の端部（この例では
発光ダイオードチップ２の正面に配置される）から出射
される戻り光の出射角θは例えば３０度以下等と制限さ
れる。この原理を詳細に説明すると、例えば、同図中
（ａ）に示されるように、ファイバ５への入射角が所定
角度（この例では３０度）を超える戻り光Ｌｃは、ファ
イバ５内で反射されることなくクラッド５１を突き抜け
て被覆部材５２により吸収される。このため、結果とし
て、光源部品１に到達する戻り光は、同図中符号Ｌｂ，
Ｌｃで示される出射角θ以下の戻り光に制限されること
となる。

【００７０】すなわち、ファイバ５の光学特性に基づく
出射角θを予め把握しておけば、ファイバ５を経て侵入
する戻り光の到達範囲（戻り光の直射領域（図７中符号
Ｓ１で示される））も大凡予測可能となる。したがっ
て、この直射領域Ｓ１の外にフォトダイオードチップ３
が位置するようにファイバ５と光源部品１とを位置決め
すれば、仮に遮光部材３ａがなくとも、戻り光がフォト
ダイオードチップ３に入射しないようにすることも可能
である。

【００７１】尚、図７中（ｂ）に示されるように、戻り
光出射口となる光ファイバ端部（端面）と光源部品１と
の間に、更に、出射角を制限するための光学レンズ（こ
の例では凸レンズ）７を配置することにより、戻り光の
直射領域Ｓをより一層狭める（Ｓ１＞Ｓ２）ことも可能
である。

【００７２】戻り光の出射角制御は、光ファイバ以外の
導光部材を用いても行うことができる。戻り光の出射角
制御の他の一例を図８に示す。

【００７３】同図に示されるように、この例では、例え
ばセンサハウジング２００（ファイバ型光電センサに限
定されない）に形成される投光用トンネル８の内壁面８
ａの光吸収率を利用して、戻り光の出射角を所定角度以
内に制限し、戻り光がフォトダイオードチップ３に入射
しないようにする。

【００７４】すなわち、この例では、所定角度θ以上
（例えば３０度以上）の入射角で投光用トンネル８に入
射した戻り光Ｌａは、該入射角度の大きさに応じてトン
ネル内での反射回数が多くなり、この反射回数と、トン
ネル壁面８ａの光吸収率に基づき、所定の割合で吸収さ
れると考えられる。したがって、この‘光吸収率’が比
較的大きな素材でセンサハウジング２００或いはトンネ
ル内壁面８ａを形成すれば、所定角度θ以上の入射角を
持つ戻り光はほとんどがトンネル内壁面８ａに吸収され
ることとなる。結果として、光源部品１に到達する戻り
光は、同図中符号Ｌｂ，Ｌｃで示される出射角θ以下の
戻り光に制限されることとなる。

【００７５】尚、図８中（ｂ）に示されるように、この
例においても、投光用トンネル８の投光口付近に、更
に、戻り光の出射角を制限するための光学レンズを配置
することにより、戻り光の直射領域Ｓをより一層狭める
（Ｓ１＞Ｓ２）ことも可能である。

【００７６】このように、本実施形態による光源部品に
よれば、従来別途取り付けられていたモニタ用部品が不
要となるから、例えばセンサハウジング等における光学
部品の取付用スペースの狭小化並びに取り付け構造の簡
略化が図られる。加えて、本実施形態による光学部品１
にあっては、戻り光等の外来光がモニタ受光されるのを
未然に防止できるから、より正確な投光パワーモニタが
可能となる。

【００７７】尚、上記実施形態では、戻り光受光の防止
のため、フォトダイオードチップ３のチップ正面にコー
ト層としての遮光部材３ａを設けたが、『遮光部材』
は、そのようにフォトダイオードチップ正面に接触する
ものに限定されず、例えば、フォトダイオードチップ３
の正面前方に非接触で配置され、それによりチップ正面
への戻り光等の入光を遮るものを使用することもでき
る。

【００７８】遮光部材として‘金属製キャップ’を使用
した光源部品の一例を図９に示す。尚、同図には金属製
キャップを使用した光源部品の断面図が描かれており、
上述した光源部品１と同一箇所には同一符号を付してそ
の説明を省略する。

【００７９】同図に示されるように、この例では、ステ
ム１０の上面１０ａ前方（上方）は、樹脂ポッティング
による樹脂キャップ４に代わり、非投光性素材である金
属製キャップ９で覆われている。この金属製キャップ９
の中央には、発光ダイオードチップ２の真上に位置する
投光窓９ａ（投光口）が設けられており、投光窓９ａを
介して発光ダイオードチップ２からの投光が光ファイバ
５へと入射される。

【００８０】一方、投光窓９ａは、戻り光の出射角制御
部材としての役割も兼務している。すなわち、同図に示
されるように、光ファイバ５を経て到来する戻り光Ｌｎ
の直射領域は、投光窓９ａにより、直射領域Ｓ３（同図
においてはパラボラ状の窪み１００程度の大きさ）に制
限される。このため、フォトダイオードチップ３には戻
り光Ｌｎは入射されず、この例によっても、外来光に影
響されないより正確な投光パワーモニタが可能となって
いる。尚、同図には示されていないか、フォトダイオー
ドチップ３のチップ正面に上述したコート層としての遮
光部材３ａを同時に設けることにより、より確実に戻り
光遮光を行うようにしてもよいであろう。

【００８１】次に、上述の実施形態を第１実施形態とし
て、‘発光ダイオードチップ２とフォトダイオードチッ
プ３との一体化’、並びに‘フォトダイオードチップ３
への戻り光遮光’を同時に実現した本発明の第２実施形
態を図１０に示す。尚、同図において、第１実施形態と
同一の機能を有する部材には同一符号を付してその説明
を省略する。もっとも、同一機能の部材といっても第１
実施形態のものとは多少なりともその構成が異なるが、
当業者であれば同図並びに以下の説明に基づきその構成
が容易に認識される筈であるから、ここでの詳細説明は
省略する。

【００８２】同図に示されるように、第２実施形態にお
いては、フォトダイオードチップ３は、発光ダイオード
チップ２の主光Ｌｍをその正面および側面で同時受光可
能なように、チップ支持柱を兼務する正極電極端子１４
の上部に取り付けられている。そして、ステム１０の正
面前方（上方）は、投光窓９ａを有する金属製キャップ
９で覆われており、この投光窓９ａにより、光ファイバ
５を経て到来する戻り光Ｌｎの直射領域は、直射領域Ｓ
４（フォトダイオードチップ３の設置領域と重なり合わ
ない領域）に制限される。このため、フォトダイオード
チップ３には、戻り光Ｌｎは入射されず、この例によっ
ても、外来光に影響されないより正確な投光パワーモニ
タが可能となっている。

【００８３】次に、‘発光ダイオードチップ２とフォト
ダイオードチップ３との一体化’、並びに‘フォトダイ
オードチップ３への戻り光遮光’を同時に実現した本発
明の第３実施形態を図１１に示す。尚、同図において
も、第１実施形態と同一の機能を有する部材（当業者が
その構成を認識可能な範囲での構成差異は存する）には
同一符号を付してその説明を省略する。また、同図にお
いてＷ４，Ｗ５は、ステム１０とチップ２，３とをそれ
ぞれ導通させるためのボンディングワイヤを示してい
る。

【００８４】同図に示されるように、この例では、ステ
ム１０を上段ステム１０Ａと下段ステム１０Ｂとで構成
し、上段ステム１０Ａと下段ステム１０Ｂとの間にフォ
トダイオードチップ３の収容室３０００を形成してい
る。フォトダイオードチップ３は、そのチップ正面を上
段ステム側に向けた状態で収容室３０００の中央に配置
される。フォトダイオードチップ３の真上に位置する上
段ステム１０Ａの中央部（パラボラ状の窪み１００のチ
ップ載置面１００ｂの中央部）には、モニタ用窓１００
ｃが設けられており、発光ダイオードチップ２は、その
チップ背面をこのモニタ用窓１００ｃから覗かせるよう
にしてチップ載置面１００ｂに配置される。

【００８５】同図に示されるように、発光ダイオードチ
ップ２は、その背面からも副光（Ｌｓ２）を出射するこ
とが知られている。第３実施形態では、この副光Ｌｓ２
をモニタ受光に利用している。すなわち、発光ダイオー
ドチップ２のチップ背面から出射された副光Ｌｓ２は、
収容室３０００に設けられたモニタ用窓１００ｃを経て
フォトダイオードチップ３のチップ正面に入射される。
ここで、この例では、収容室３０００は、仮にモニタ用
窓１００ｃを塞げば完全密室となるように構成されてい
るため、フォトダイオードチップ３には、発光ダイオー
ドチップ３の副光以外は入射されず、これにより、戻り
光に影響されることのないより一層安定した投光パワー
モニタが可能となる。

【００８６】尚、上記実施の形態１〜３では、センサハ
ウジング内部に侵入する外来光（ノイズ光）として自身
の投光の戻り光を主として示したが、本実施形態の光源
部品によれば、この他にも、投光用ファイバ等を経て内
部に侵入する各種外来ノイズ光（蛍光灯の光、自然光、
隣接センサからの投光等）のフォトダイオードチップ３
への入光遮光が可能である。

【００８７】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、従来、光源部品とは別体であったモニタ用部品
が不要となり、センサ等の側の光学部品の取り付けスペ
ースの狭小化並びにその取り付け構造の簡略化が図られ
る

【００８８】更に、本発明によれば、モニタ用フォトダ
イオードチップ一体型の光源部品であって、戻り光等の
外来光による発光量モニタリングへの干渉を未然に防止
した光源部品が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光源部品をファイバ型光電センサへ実
装した様子を示す図である。

【図２】本発明の光源部品の全体構成を示す外観斜視図
である。

【図３】本発明の光源部品の断面図である。

【図４】電極端子とダイオードチップとの電気的接続関
係を示す図である。

【図５】本発明の光源部品における投光原理及びモニタ
受光原理を説明するための図である。

【図６】戻り光の発生原理とその遮光原理とを説明する
ための図である。

【図７】戻り光の出射角制御の詳細を説明するための図
（その１）である。

【図８】戻り光の出射角制御の詳細を説明するための図
（その２）である。

【図９】金属製キャップを使用した本発明光源部品の詳
細を示す図である。

【図１０】本発明の第２実施形態による光源部品を示す
図である。

【図１１】本発明の第３実施形態による光源部品を示す
図である。

【図１２】投光パワーの自動制御（ＡＰＣ）を行うよう
にしたファイバ型光電センサの内部構造の一例を示す一
部破断斜視図である。

【符号の説明】

１光源部品２発光ダイオードチップ３フォトダイオードチップ３ａ遮光部材（コート層）４樹脂キャップ５投光用光ファイバ６受光用光ファイバ７光学レンズ８投光用トンネル８ａトンネル内壁面９金属製キャップ９ａ投光窓１０ステム１０Ａ上段ステム１０Ｂ下段ステム１０ａステム上面１１，１２，１３，１４電極端子１２ａ，１３ａ，１４ａワイヤ接続面２０ＰＮ接合面５０コア５１クラッド５２被覆部材Ｗ１〜Ｗ５ボンディングワイヤ１００パラボラ状の窪み１００ａパラボラ面１００ｂチップ載置面１００ｃモニタ用窓１０１突起片１１０電極端子挿入溝１２０，１３０，１４０電極端子貫通孔２００センサハウジング３００検知用受光素子４００検出対象物体５００ファイバ型光電センサ５１１投光用ファイバ挿通孔５１２受光用ファイバ挿通孔５２０センサハウジング５３０回路基板５４０受光用フォトダイオード素子Ａアノード電極部Ｋカソード電極部Ｌｍ主光Ｌｓ副光Ｌｎ戻り光Ｌｒ反射光Ｓ戻り光の直射光領域１０００台部１１００鍔状周縁部３０００フォトダイオードチップ収容室

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者亀井隆京都市下京区塩小路通堀川東入南不動堂町 801番地オムロン株式会社内 (72)発明者権藤清彦京都市下京区塩小路通堀川東入南不動堂町 801番地オムロン株式会社内 (72)発明者藤田築京都市下京区塩小路通堀川東入南不動堂町 801番地オムロン株式会社内Ｆターム(参考） 5F041 AA47 DA19 DA35 DA44 DA83 EE01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光源となる発光ダイオードチップと、発
光ダイオードチップから出射される光の光量モニタとな
るフォトダイオードチップとが一体的に保持され、発光ダイオードチップは、主光を出射するチップ正面と
副光を出射するチップ側面とを有すると共に、フォトダ
イオードチップは入射光に感応する受光面を有し、かつ
発光ダイオードチップとフォトダイオードチップとは、
発光ダイオードチップのチップ側面から出射される副光
の少なくとも一部がフォトダイオードチップの受光面に
入射されるように位置決めされている、ことを特徴とす
る光源部品。
【請求項２】フォトダイオードチップの受光面は、チ
ップ正面とチップ側面とを含み、発光ダイオードチップとフォトダイオードチップとは、
発光ダイオードチップの正面とフォトダイオードチップ
の正面とが同一方向に向くようにして位置決めされ、さらに、フォトダイオードチップの正面は遮光部材で覆
われている、請求項１に記載の光源部品。
【請求項３】発光ダイオードチップ並びにフォトダイ
オードチップの正面はＰＮ接合面と平行であり、かつ、
それら各ダイオードチップの側面はＰＮ接合面と垂直で
ある、ことを特徴とする請求項２に記載の光源部品。
【請求項４】遮光部材が、蒸着または塗布により被着
されたコート層である、請求項２に記載の光源部品。
【請求項５】遮光部材が、貼付等にて付着されたフィ
ルムである、ことを特徴とする請求項２に記載の光源部
品。
【請求項６】フォトダイオードチップの受光面は、チ
ップ正面とチップ側面とを含み、発光ダイオードチップとフォトダイオードチップとは、
発光ダイオードチップの正面とフォトダイオードチップ
の正面とが同一方向に向くようにして位置決めされ、さらに、フォトダイオードチップの正面前方には、チッ
プ正面への戻り光等の入光を遮る遮光部材が配置されて
いる、請求項１に記載の光源部品。
【請求項７】発光ダイオードチップのチップ正面前方
にはチップ正面からの主光を外部へと導く導光部材が配
置され、該導光部材には戻り光等の外来光の出射角を所
定角度以内に制限して、外来光がフォトダイオードチッ
プの受光面に入射しないようにするための光学特性が付
与されている、請求項１乃至６の何れかに記載の光源部
品。
【請求項８】導光部材には、発光ダイオードチップの
正面前方に投光口を臨ませる投光用トンネルが形成され
ており、該投光用トンネルを介して到来する戻り光等の外来光の
出射角は、投光用トンネルの内壁面の光吸収率に起因し
て所定角度以内に制限される、ことを特徴とする請求項
７に記載に光源部品。
【請求項９】投光用トンネルの投光口付近には、更
に、外来光の出射角を制限するための光学レンズが配置
されている、ことを特徴とする請求項８に記載の光源部
品。
【請求項１０】導光部材は、その一端部を発光ダイオ
ードチップのチップ正面前方に臨ませる光ファイバと、
該ファイバの周囲を覆う被覆部材とを含み、該光ファイ
バを介して到来する戻り光等の外来光の出射角は、ファ
イバの光屈折率並びに被覆部材の光吸収率に起因して所
定角度以内に制限される、ことを特徴とする請求項７に
記載の光源部品。
【請求項１１】外来光の出射口となる光ファイバ端面
の前方には、更に、外来光の出射角を制限するための光
学レンズが配置されている、ことを特徴とする請求項１
０に記載の光源部品。
【請求項１２】発光ダイオードチップ並びにフォトダ
イオードチップは、パラボラ状の窪みが形成された基台
に保持され、更に、発光ダイオードチップは該窪み内に
配置されていることを特徴とする請求項１乃至１１の何
れかに記載の光源部品。
【請求項１３】フォトダイオードチップは、発光ダイ
オードチップに近接する窪みの外に配置されている、請
求項１２に記載の光源部品
【請求項１４】正・負両極を構成する２個１組の電極
端子を２組有し、発光ダイオードチップ並びにフォトダ
イオードチップのアノード電極並びにカソード電極は、
対応する組の対応する電極端子にそれぞれ導通される、
ことを特徴とする請求項１乃至１３の何れかに記載の光
源部品。
【請求項１５】発光ダイオードチップ並びにフォトダ
イオードチップは導電性の基台に保持され、該基台に
は、該基台に導通された第１の電極端子と、基台と非導
通の第２乃至第４の電極端子とが保持されており、発光ダイオードチップは、Ｐ型、Ｎ型何れか一方の半導
体が露出されたチップ背面を基台表面に接触させた状態
で保持されるとともに、チップ正面に露出された他方の
型の半導体には第２の電極端子と導通させるワイヤが接
続され、フォトダイオードチップは、チップ正面にＰ・Ｎ型両半
導体が露出されるとともに、チップ背面には絶縁加工が
施されており、かつ、絶縁されたチップ背面を基台表面
に接触させた状態で保持されると共に、チップ正面の両
半導体には、第３、第４の電極端子と各々導通させるワ
イヤがそれぞれ接続されている、ことを特徴とする請求項１４に記載の光源部品。
【請求項１６】光源となる発光ダイオードチップと、
発光ダイオードチップから出射される光の光量モニタと
なるフォトダイオードチップとが一体的に保持され、発光ダイオードチップは、主光を出射するチップ正面と
副光を出射するチップ側面とを有すると共に、フォトダイオードチップは、主要受光面となるチップ正
面と副受光面となるチップ側面とを有し、発光ダイオードチップとフォトダイオードチップとは、
発光ダイオードチップのチップ正面から出射される主光
の少なくとも一部がフォトダイオードチップのチップ正
面に入射されるように位置決めされ、かつ、それら発光ダイオードチップ前方には、発光ダイオード
からの投光を通過させる投光口を有するキャップが設け
られ、更に、フォトダイオードチップは、前記キャップの投光口を経
て入射される戻り光等の外来光の直射を受けないよう位
置決め固定されている、ことを特徴とする光源部品。
【請求項１７】光源となる発光ダイオードチップと、
発光ダイオードチップから出射される光の光量モニタと
なるフォトダイオードチップとが一体的に保持され、発光ダイオードチップは、主光を出射するチップ正面と
副光を出射するチップ背面とを有すると共に、フォトダ
イオードチップは入射光に感応する受光面を有し、かつ
フォトダイオードチップは、発光ダイオードチップのチ
ップ背面から出射される副光がフォトダイオードチップ
の受光面に直射されるように、発光ダイオードの背後に
位置決め配置されている、ことを特徴とする光源部品。
【請求項１８】請求項１乃至１７の何れかに記載の光
源部品が搭載された光電センサ。
【請求項１９】光源となる発光ダイオードチップと、発
光ダイオードチップから出射される光の光量モニタとな
るフォトダイオードチップとを有し、自身の投光量の自
動調整を行うようにした光電センサにおいて、発光ダイオードチップと、モニタとなるフォトダイオー
ドチップとを一体的に保持し、前記発光ダイオードチップは、主光を出射するチップ正
面と副光を出射するチップ側面とを有しており、フォトダイオードチップは、入射光に感応する受光面と
してのチップ正面とチップ側面とを有しており、発光ダイオードチップとフォトダイオードチップとは、
発光ダイオードチップの正面とフォトダイオードチップ
の正面とを同一方向に向けた状態で、発光ダイオードチ
ップのチップ側面から出射される副光の少なくとも一部
がフォトダイオードチップの受光面に入射されるように
位置決めされており、さらに、フォトダイオードチップの正面が遮光部材で覆
われている、ことを特徴とする光電センサ。