JP2003249441A - 基板評価システム及び基板評価方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 現像処理時におけるレジストパターンのパタ
ーン倒れの存否の確認を簡易かつ迅速に行うことができ
る基板評価システム及び基板評価方法を提供すること。 【解決手段】 アスペクト比４．０のレジストパターン
において有機溶剤を供給した場合であって、フォーカス
値−０．２におけるパターン倒れが１０％以下（実験結
果では９．５％）であれば、これより露光条件の良好な
ベスト値±０で露光した場合には、ウェハを検査しなく
てもパターン倒れが生じていないものとみなすことがで
きる。すなわち、通常より悪条件で露光した場合にパタ
ーン倒れが発生していないか、又は、パターン倒れが所
定数以下であれば、それより良好な条件で露光した場合
のレジストパターンについて検査しなくても、それがパ
ターン倒れないものと認定でき、パターン倒れの存否を
簡易かつ迅速に行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造において、フォトリソグラフィ工程により得られた
レジストパターンの評価を行う基板評価システム及び基
板評価方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス製造のフォトリソグラフ
ィ工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とい
う。）の表面にフォトレジストを塗布し、レジスト上に
マスクパターンを露光し、これを現像してウェハ表面に
レジストパターンを形成している。

【０００３】このようなフォトリソグラフィ工程におい
て、現像処理は、例えばパドル式やディップ式等の方法
により行っている。例えば、パドル式はウェハに現像液
を供給し、一方、ディップ式は現像液中にウェハを浸漬
させて現像処理を進行させ、その後はそれぞれ、純水等
を用いた洗浄液としてのリンス液をウェハ上に供給して
現像液を洗い流している。そして最後に、ウェハからリ
ンス液を除去するために、エアブローやウェハの回転等
を行うことにより乾燥処理を行っている。

【０００４】ところで、近年における半導体デバイスの
微細化はより一層進行しており、微細かつ高アスペクト
比のレジストパターンが出現している。このようなレジ
ストパターンの微細化及び高アスペクト比化のため、例
えば、上記乾燥処理においてリンス液が各パターン間か
ら抜け出る際に、当該リンス液の表面張力によりパター
ン間に引力が生じることによる、いわゆる「パターン倒
れ」の問題が発生している（例えば、特許文献１参
照。）。

【０００５】このようなパターン倒れに関する検査方法
として、現状においては、例えば検査用ウェハを用いて
実際に所定のリソグラフィ工程を行い、予め作成された
正常パターン形状の多数のライブラリと実際に形成され
たパターンとを照合する、いわゆるパターンマッチング
法がある。

【０００６】

【特許文献１】特開平５−２９９３３６号公報（段落
[０００５]、図６）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パター
ンマッチング法による検査方法では、パターンの線幅、
高さ、あるいはパターンに対するゴミの付着等、あらゆ
る欠陥の有無を検査しているため、パターンが倒れてい
るか否かのみの判断を行うには長時間を要し、かつ無駄
が多い。また、例えば、実際にはパターンのラインアン
ドスペース（直線状のパターンの幅、つまり線幅をここ
ではライン幅という。またこのラインが等間隔で並んで
いる場合の当該ラインとラインの間の間隔をスペースと
いい、ラインの幅とスペースの幅とが等しい状態にある
パターン像をラインアンドスペースという。）における
１ラインのうちの一部分にパターン倒れが生じており、
他の部分に倒れが生じていない場合、パターンマッチン
グ法では、パターン倒れ発生の存否を確認することが困
難である。

【０００８】以上のような事情に鑑み、本発明の目的
は、現像処理時におけるレジストパターンのパターン倒
れの存否の確認を簡易かつ迅速に行うことができる基板
評価システム及び基板評価方法を提供することにある。

【０００９】本発明の別の目的は、１枚の基板のうちの
パターン倒れ発生率及びパターン倒れの傾向を容易に確
認でき、その定量化を図ることにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の観点に係る基板評価システムは、レ
ジストが塗布された基板を第1の条件及びこの第１の条
件とは異なる第２の条件で露光するように、露光装置側
に指令可能な指令手段と、前記第１の条件及び第２の条
件で露光された基板のレジストパターンを現像する手段
と、少なくとも前記第２の条件で露光されたレジストパ
ターンを検査する手段と、前記検査の結果、前記第２の
条件で露光されたレジストパターンに欠陥がなければ、
前記第１の条件で露光した場合のレジストパターンに欠
陥がないものとみなす認定手段とを具備する。

【００１１】このような構成によれば、レジストが塗布
された基板を、第１の条件とは異なる第２の条件で露光
することにより、第２の条件下においてもレジストパタ
ーンに欠陥、例えば、パターン倒れが発生していなけれ
ば、例えばこの第２の条件での処理よりも良好な条件で
ある前記第１の条件で露光した場合に、パターン倒れが
発生していないものとみなす。すなわち、例えば、あえ
て悪条件で露光した場合にパターン倒れが発生していな
ければ、通常の露光処理条件で露光した場合のレジスト
パターンについて検査しなくても、それが欠陥がないも
のと認定でき、パターン倒れの存否を簡易かつ迅速に行
うことができる。ここで、レジストパターンを検査する
手段としては、例えば１枚の基板上において任意に選択
した複数のレジストパターン表面の像を観察する装置を
用いる。また、ここでは第１の条件とは第２の条件より
良好な条件であればよく、両者は相対的なものである。

【００１２】また、例えば、検査用基板を用いて前記第
２の条件で露光することにより、すなわち、あえてパタ
ーンを倒れやすくすることにより、ラインアンドスペー
スにおける１ラインのうちの一部分のみにパターン倒れ
が生じるというようなことはほとんどなく、倒れるか倒
れないかをはっきり区別させることができ、パターン倒
れの存否を容易かつ迅速に確認することができる。

【００１３】本発明の第２の観点に係る基板評価システ
ムは、レジストが塗布された基板を第１の条件及びこの
第１の条件とは異なる第２の条件で露光するように、露
光装置側に指令可能な指令手段と、前記第１の条件及び
第２の条件で露光された基板のレジストパターンを現像
する手段と、少なくとも前記第２の条件で露光されたレ
ジストパターンを検査する手段と、前記検査の結果、前
記第２の条件で露光されたレジストパターンの欠陥の数
が所定以下のとき、前記第１の条件で露光した場合のレ
ジストパターンに欠陥がないものとみなす認定手段とを
具備する。

【００１４】このような構成によれば、あえて第１の条
件とは異なる、例えば第１の条件より悪条件の第２の条
件で露光した場合に、例えばパターン倒れの数が所定数
以下のとき、前記第１の条件で露光した場合のレジスト
パターンについて検査しなくても、それが欠陥がないも
のと認定でき、パターン倒れの存否を簡易かつ迅速に行
うことができる。

【００１５】本発明の一の形態によれば、前記第１の条
件は、露光フォーカスをベスト値とするものであり、前
記第２の条件は、露光フォーカスを前記ベスト値からず
らしたものである。例えば、前記ベスト値からずらして
露光することにより、倒れやすいパターンの形状を形成
することができる。これにより、倒れるか倒れないかを
はっきり区別させることができ、検査においてパターン
倒れの存否を容易かつ迅速に確認することができる。

【００１６】本発明の一の形態によれば、前記指令手段
は、前記第２の条件におけるフォーカス値を可変して露
光するように指令する手段を含む。例えば、ベストフォ
ーカス値から段階的にずらして、正常でないパターン形
状を複数形成することにより、検査においてパターン倒
れの傾向を容易に把握できるようにすることができる。

【００１７】本発明の一の形態によれば、前記認定手段
は、前記レジストパターンの所定のアスペクト比ごとに
処理を行う。これにより、例えば上記ベストフォーカス
値から段階的にずらして、正常でない複数のパターン形
状を複数形成したうえで、更に、これら複数のパターン
形状についてそれぞれ異なる所定のアスペクト比ごとに
露光することにより、パターン倒れの傾向を高精度に把
握できるようにすることができる。

【００１８】本発明の第３の観点に係る基板評価システ
ムは、基板にレジストを塗布する塗布処理部と、基板を
現像する現像処理部と、該現像処理部で現像されたレジ
ストパターンを検査する検査部と、少なくとも前記塗布
処理部、現像処理部及び検査部の間で基板の搬送を行う
搬送機構とを有する基板処理装置と、前記塗布処理部で
レジストが塗布された基板を、第１の条件及びこの第１
の条件とは異なる第２の条件で露光するように露光装置
側に指令する指令手段と、前記検査部による検査の結
果、前記第２の条件で露光されたレジストパターンに欠
陥がなければ、前記第１の条件で露光した場合のレジス
トパターンに欠陥がないものとみなす認定手段とを有す
る制御装置とを具備する。

【００１９】このような構成によれば、塗布処理部でレ
ジストが塗布された後、第１の条件及びこの第１の条件
とは異なる露光されたそれぞれのレジストパターンを現
像し、第２の条件で露光されたレジストパターンを検査
部において検査する。これにより、あえて第１の条件と
は異なる、例えば第１の条件より悪条件の第２の条件で
露光した場合にパターン倒れが発生していなければ、前
記第１の条件で露光した場合のレジストパターンについ
て検査しなくても、それが欠陥がないものと認定でき、
パターン倒れの存否を簡易かつ迅速に行うことができ
る。ここで、レジストパターンを検査する手段として
は、例えば１枚の基板上において任意に選択した複数の
レジストパターン表面の像を観察する装置を用いる。

【００２０】本発明の第４の観点に係る基板評価システ
ムは、基板にレジストを塗布する塗布処理部と、基板を
現像する現像処理部と、該現像処理部で現像されたレジ
ストパターンを検査する検査部と、少なくとも前記塗布
処理部、現像処理部及び検査部の間で基板の搬送を行う
搬送機構とを有する基板処理装置と、前記塗布処理部で
レジストが塗布された基板を、第１の条件及びこの第１
の条件とは異なる第２の条件で露光するように露光装置
側に指令する指令手段と、前記検査部による検査の結
果、前記第２の条件で露光されたレジストパターンの欠
陥の数が所定以下のとき、前記第１の条件で露光した場
合のレジストパターンに欠陥がないものとみなす認定手
段とを有する制御装置とを具備する。

【００２１】このような構成によれば、あえて、第１の
条件とは異なる、例えば第１の条件より悪条件の第２の
条件で露光した場合に、例えばパターン倒れの数が所定
数以下のとき、前記第１の処理条件で露光した場合のレ
ジストパターンについて検査しなくても、それが欠陥が
ないものと認定でき、パターン倒れの存否を簡易かつ迅
速に行うことができる。

【００２２】本発明の第５の観点に係る基板評価システ
ムは、レジストが塗布された基板を露光する露光装置に
対し、段階的なパラメータ値を有する複数のレジストの
パターンを形成するための露光指令を指令可能な指令手
段と、前記露光指令に基づき露光された基板を現像する
手段と、前記現像された基板上の前記レジストパターン
を検査する手段とを具備する。

【００２３】本発明では、例えばテスト用のパターンと
して予め定められた段階的なパラメータ値を有する複数
のレジストパターンを基板に形成する。そして形成した
レジストパターンのパターン倒れの有無を検査する。検
査の結果、例えばそれら段階的なパラメータ値を持った
それぞれのレジストパターンのうち、仮にあるパラメー
タ値を持ったパターンが倒れていることが判明するとす
る。パターン倒れの発生が判明すれば、このパターン倒
れが発生しているパターンが有するそのパラメータ値よ
り良好な条件のパラメータ値を持ったパターンについて
は、パターン倒れが発生しないものとみなすことができ
る。これにより、例えば露光条件または現像条件を種々
変えてこのような本発明の検査を行えば、パターン倒れ
が発生する環境（条件）を容易に把握することができ、
これを定量化することができる。

【００２４】上記パラメータ値の「良好な条件」とは、
パターン倒れの発生しやすさの度合いが少なければ少な
いほど良好な条件であるという意味である。また、例え
ば上記「露光条件」とは、例えば露光フォーカス値がベ
スト値、あるいはベスト値から段階的にずらしたデフォ
ーカス値で露光する場合を少なくとも含み、それらのう
ち１つである。また、上記「現像条件」とは、現像時間
（現像液が基板上に存在している間の時間）、リンス液
の供給量、リンス液を振り切るときの基板の回転数、リ
ンス処理後の有機溶剤（表面張力を低下させるための溶
剤）の置換量、この有機溶剤を振り切るときの基板の回
転数を少なくとも含む。

【００２５】本発明の一の形態では、前記パラメータ
は、前記レジストパターンの長さ、幅、ピッチ及びアス
ペクト比のうち少なくとも１つである。本発明におい
て、「長さ」とは、基板の平面方向から見た（基板面を
平面図で見た）場合のレジストパターンの長さ（ライン
長）である。このようにパラメータを多数用意すること
でパターン倒れの傾向をより高精度に把握できるように
なる。

【００２６】本発明の第１の観点に係る基板評価方法
は、レジストが塗布された基板を第１の条件及びこの第
１の条件とは異なる第２の条件で露光する工程と、前記
第１の条件及び第２の条件で露光された基板のレジスト
パターンを現像する工程と、少なくとも前記第２の条件
で露光されたレジストパターンを検査する工程と、前記
検査の結果、前記第２の条件で露光されたレジストパタ
ーンに欠陥がなければ、前記第１の条件で露光した場合
のレジストパターンに欠陥がないものとみなす工程とを
具備する。

【００２７】本発明の第２の観点に係る基板評価方法
は、レジストが塗布された基板を第１の条件及びこの第
１の条件とは異なる第２の条件で露光する工程と、前記
第１の条件及び第２の条件で露光された基板のレジスト
パターンを現像する工程と、少なくとも前記第２の条件
で露光されたレジストパターンを検査する工程と、前記
検査の結果、前記第２の条件で露光されたレジストパタ
ーンの欠陥の数が所定以下のとき、前記第１の条件で露
光した場合のレジストパターンに欠陥がないものとみな
す工程とを具備する。

【００２８】本発明の第３の観点に係る基板評価方法
は、レジストが塗布された基板上に段階的なパラメータ
値を有する複数のレジストのパターンを形成するために
該基板を露光する工程と、前記露光された基板を現像す
る工程と、前記現像された基板上の前記レジストパター
ンを検査する工程とを具備する。

【００２９】本発明の基板評価システムは、レジストが
塗布された基板を通常の第１の条件及びこの通常の第１
の条件とは異なる第２の条件で露光するように、露光装
置側に指令可能な指令手段と、前記第１の条件及び第２
の条件で露光された基板のレジストパターンを現像する
手段と、少なくとも前記第２の条件で露光されたレジス
トパターンを検査する手段と、前記検査の結果、前記第
２の条件で露光されたレジストパターンに欠陥がなけれ
ば、前記第１の条件で露光した場合のレジストパターン
に欠陥がないものとみなす認定手段とを具備する。

【００３０】本発明の基板評価システムは、レジストが
塗布された基板を通常の第１の条件及びこの通常の第１
の条件とは異なる第２の条件で露光するように、露光装
置側に指令可能な指令手段と、前記第１の条件及び第２
の条件で露光された基板のレジストパターンを現像する
手段と、少なくとも前記第２の条件で露光されたレジス
トパターンを検査する手段と、前記検査の結果、前記第
２の条件で露光されたレジストパターンの欠陥の数が所
定以下のとき、前記第１の条件で露光した場合のレジス
トパターンに欠陥がないものとみなす認定手段とを具備
する。

【００３１】本発明の基板評価システムは、基板にレジ
ストを塗布する塗布処理部と、基板を現像する現像処理
部と、該現像処理部で現像されたレジストパターンを検
査する検査部と、少なくとも前記塗布処理部、現像処理
部及び検査部の間で基板の搬送を行う搬送機構とを有す
る基板処理装置と、前記塗布処理部でレジストが塗布さ
れた基板を、通常の第１の条件及びこの通常の第１の条
件とは異なる第２の条件で露光するように露光装置側に
指令する指令手段と、前記検査部による検査の結果、前
記第２の条件で露光されたレジストパターンに欠陥がな
ければ、前記第１の条件で露光した場合のレジストパタ
ーンに欠陥がないものとみなす認定手段とを有する制御
装置とを具備する。

【００３２】本発明の基板評価システムは、基板にレジ
ストを塗布する塗布処理部と、基板を現像する現像処理
部と、該現像処理部で現像されたレジストパターンを検
査する検査部と、少なくとも前記塗布処理部、現像処理
部及び検査部の間で基板の搬送を行う搬送機構とを有す
る基板処理装置と、前記塗布処理部でレジストが塗布さ
れた基板を、通常の第１の条件及びこの通常の第１の条
件とは異なる第２の条件で露光するように露光装置側に
指令する指令手段と、前記検査部による検査の結果、前
記第２の条件で露光されたレジストパターンの欠陥の数
が所定以下のとき、前記第１の条件で露光した場合のレ
ジストパターンに欠陥がないものとみなす認定手段とを
有する制御装置とを具備する。

【００３３】本発明の更なる特徴と利点は、添付した図
面及び発明の実施の形態の説明を参酌することにより一
層明らかになる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。

【００３５】図１〜図３は本発明に係る塗布現像処理装
置の全体構成を示す図であり、図１はその平面図、図２
は正面図及び図３は背面図である。

【００３６】この塗布現像処理装置１は、被処理基板と
して半導体ウェハＷをウェハカセットＣＲで複数枚例え
ば２５枚単位で外部から装置１に搬入し又は装置１から
搬出したり、ウェハカセットＣＲに対してウェハＷを搬
入・搬出したりするためのカセットステーション１０
と、後述するようにレジスト塗布後及び現像後のウェハ
の状態を検査する検査ステーション１４と、塗布現像工
程の中で１枚ずつウェハＷに所定の処理を施す枚葉式の
各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ス
テーション１１と、この処理ステーション１１と隣接し
て設けられる露光装置３５との間でウェハＷを受け渡し
するためのインターフェース部１２とを一体に接続した
構成を有している。

【００３７】カセットステーション１０では、図１に示
すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に
複数個例えば４個までのウェハカセットＣＲがそれぞれ
のウェハ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方
向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウ
ェハカセットＣＲ内に収納されたウェハのウェハ配列方
向（Ｚ方向）に移動可能なウェハ搬送体２１が各ウェハ
カセットＣＲに選択的にアクセスするようになってい
る。更に、このウェハ搬送体２１は、θ方向に回転可能
に構成されており、後述するように処理ステーション１
１側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメ
ントユニット（ＡＬＩＭ）及びイクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。

【００３８】検査ステーション１４では、図１に示すよ
うに、例えば装置１の背面側にレジスト膜厚の測定装置
３７が配設され、正面側に現像処理後のレジストパター
ンの欠陥を検査する検査手段として検査装置３８が配設
されている。これらレジスト膜厚測定装置３７と検査装
置３８との間には、これらの装置３７及び３８に対して
ウェハＷの受け渡しが可能であって、ウェハ搬送体２１
に対してもウェハＷの受け渡し可能なウェハ搬送機構４
０が配設されている。検査装置３８は例えば、ＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）等の表面観察装置であり、本実施
形態では特にパターン倒れの検査を行う。

【００３９】処理ステーション１１では、図１に示すよ
うに、中心部に垂直搬送型の主ウェハ搬送機構２２が設
けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複
数の組に亙って多段に配置されている。この例では、５
組Ｇ１,Ｇ２,Ｇ３,Ｇ４,Ｇ５の多段配置構成であり、第
１及び第２の組Ｇ１,Ｇ２の多段ユニットは装置１の正
面（図１において手前）側に並置され、第３の組Ｇ３の
多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配
置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインターフェー
ス部１２に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニ
ットは背部側に配置されている。なお第５の組Ｇ５は、
主ウェハ搬送機構２２のメンテナンスのためにレール２
５に沿って移動可能に構成されている。

【００４０】主ウェハ搬送機構２２は、前述の検査ステ
ーション１４におけるウェハ搬送機構４０と同一の構成
を有している。この主ウェハ搬送機構２２は、筒状支持
体４９の内側に、ウェハ搬送装置４６を上下方向（Ｚ方
向）に昇降自在に装備している。筒状支持体４９はモー
タ（図示せず）の回転軸に接続されており、このモータ
の回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウェハ
搬送装置４６と一体に回転し、それによりこのウェハ搬
送装置４６は、θ方向に回転自在となっている。

【００４１】図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カ
ップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せて所定の
処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジ
スト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）及び本発明に係る現像
処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられて
いる。第２の組Ｇ２でも、２台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）及び現
像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられ
ている。レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）ではレジ
スト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒で
あることから、このように下段に配置するのが好まし
い。しかし、必要に応じて上段に配置することも可能で
ある。

【００４２】図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウ
ェハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の
処理ユニット、例えば下から順にクーリングユニット
（ＣＯＬ）、アドヒージョンユニット（ＡＤ）、アライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、プリベーキングユニット（ＰＡＢ）及び
ポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）
が重ねられている。第４の組Ｇ４でも、オーブン型の処
理ユニット、例えば下から順にクーリングユニット（Ｃ
ＯＬ）が２段、イクステンション・クーリングユニット
（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、プリベーキングユニット（ＰＡＢ）及びポストエ
クスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）が重ねら
れている。なお、現像後に加熱処理を行うためのポスト
ベーキングユニットが配置される場合もある。

【００４３】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処
理温度の高いベーキングユニット（ＰＡＢ）やポストエ
クスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）を上段に
配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なく
することができる。しかし、ランダムな多段配置とする
ことも可能である。

【００４４】インターフェース部１２は、奥行方向では
処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向で
は小さなサイズにつくられている。インターフェース部
１２の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと
定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面
部には周辺露光装置２３が配設され、中央部にはウェハ
搬送体２４が設けられている。このウェハ搬送体２４
は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲ及び周
辺露光装置２３にアクセスするようになっている。さら
に、ウェハ搬送体２４は、θ方向に回転可能に構成さ
れ、処理ステーション１１側の第４の組Ｇ４の多段ユニ
ットに属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）に
も、及び隣接する露光装置側のウェハ受渡し台（図示せ
ず）にもアクセスできるようになっている。

【００４５】図４及び図５は、本発明の一実施形態に係
る現像処理ユニット（ＤＥＶ）を示す平面図及び断面図
である。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）の中央部には
環状のカップＣΡが配設されている。カップＣΡの内側
には、基板を水平に保持するスピンチャック５２が配置
されている。スピンチャック５２は真空吸着によってウ
ェハＷを固定保持した状態で駆動モータ５４によって回
転駆動される。駆動モータ５４は、ユニット底板５０に
設けられた開口５０ａに昇降移動可能に配置され、アル
ミニウムからなるキャップ状のフランジ部材５８を介し
て、エアシリンダからなる昇降駆動手段６０および昇降
ガイド手段６２と結合されている。このような昇降機構
により、主ウェハ搬送機構２２との間でウェハＷの受け
渡しが可能となる。

【００４６】図５に示すように、カップＣＰ内に収容さ
れたウェハＷ上において、このウェハＷの表面に現像液
を供給するための現像液ノズル３６がノズルスキャンア
ーム９２の先端部に取り付けられている。この現像液ノ
ズル３６には供給管８１が接続されており、この供給管
８１を介して現像液供給機構３１により現像液が供給さ
れるようになっている。この現像液ノズル３６は長尺形
状を有し、例えば図示しない複数の孔、又はスリット状
に形成された供給口より現像液が供給されるようになっ
ている。ノズルスキャンアーム９２は、ユニット底板５
０の上に一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール９
４上で水平移動可能な垂直支持部材９６の上端部に取り
付けられており、図示しないＹ方向駆動機構によって垂
直支持部材９６と一体にＹ方向に移動するようになって
いる。また、ノズルスキャンアーム９２は垂直支持部材
９６に沿ってＺ方向にも移動可能に構成されており、現
像液ノズル３６と、スピンチャック５２で保持されたウ
ェハＷとの距離が調節できるようになっている。

【００４７】また、ノズル保持体２７に保持されウェハ
Ｗ表面にリンス液を供給するためのリンスノズル１５
が、上記現像液ノズル３６と同様に、スキャンアーム１
７及び垂直支持部材２６により、ガイドレール９４に沿
ってＹ方向に移動可能に設けられている。リンスノズル
１５には供給管８２が接続されており、この供給管８２
を介してリンス液供給機構３２からリンス液が供給され
るようになっている。ここでリンス液としては、例えば
純水を使用する。このノズルスキャンアーム１７も垂直
支持部材２６に沿って移動可能に構成されており、リン
スノズル１５と、スピンチャック５２で保持されたウェ
ハＷとの距離が調節できるようになっている。

【００４８】カップＣＰの隣には、ノズル保持体２８に
保持されウェハＷ表面にフッ素を含む有機系の処理液と
しての有機溶剤を供給するための有機溶剤ノズル１６
が、スキャンアーム１８の先端に取り付けられ、このス
キャンアーム１８はモータ１９により、このモータ１９
を中心としてθ方向に回動可能に設けられている。有機
溶剤ノズル１６には供給管８３が接続されており、この
供給管８３を介して有機溶剤供給機構３３から有機溶剤
が供給されるようになっている。ここで有機溶剤として
は、例えば純水より揮発性の高いハイドロフルオロエー
テル（ＨＦＥ）系溶剤（メチルパーフルオロイソブチル
エーテルとメチルパーフルオロブチルエーテルとを混合
したもの、又はこれら単独）を使用するが、キシレン、
ヘキサメチルジシラザン等も用いることができる。な
お、このハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）系溶剤
は、レジストを溶かさない程度の溶剤であり、レジスト
上に供給しても問題はない。

【００４９】カップＣＰ内の底部には、ウェハ上に供給
された現像液、リンス液及び有機溶剤を排液するための
排液管５７が設けられており、図示しない装置１の外側
へ排液されるようになっている。また、カップＣＰの底
部には、現像液や有機溶剤の供給により発生したミスト
等、カップＣＰ内の雰囲気を排気するための排気管５９
が設けられており、通常運転時においては真空ポンプ５
１により常時排気されている状態となっている。

【００５０】また、カップＣＰには、カップＣＰの温度
を計測するカップ温度センサ７４が取り付けられてお
り、更にこのカップＣＰの温度を調整するための温調ヒ
ータ８４が設けられている。このヒータ８４は、カップ
ＣＰ全体の温度を所定の温度、通常時には例えば２３℃
前後に調整するようになっている。

【００５１】更に、カップＣＰにおける排気管５９及び
排液管５７にも同様に、排気管５９及び排液管５７の温
度を計測する温度センサ７５及び７６と、それぞれ排気
管５９及び排液管５７の温度を調整する温調ヒータ８５
及び８６とが取り付けられている。

【００５２】このようなカップＣＰ、排気管５９及び排
液管５７における温調システムにより、例えば、上記の
ように揮発性の高い有機溶剤をウェハに供給したときに
生じる雰囲気の温度低下、またカップＣＰ、排気管５９
及び排液管５７の温度低下を抑制でき、常に好適な雰囲
気下で現像処理が可能となる。また、カップＣＰ内が冷
えた状態で次のウェハがカップ内に収容されると、ウェ
ハに対する悪影響、特に熱履歴の不均一という問題が発
生するが、このようなカップの温調によりそのような問
題を解消できる。更に、カップが冷えるとカップに結露
が発生するため、カップが冷えた状態でウェハを収容し
た場合、結露したパーティクルを含む水分がウェハに垂
れ落ちる可能性があり、問題となるが、本実施形態によ
ればこのような問題はない。

【００５３】現像液供給機構３１、リンス液供給機構３
２及び有機溶剤供給機構３３は、それぞれ制御部３０の
指令に基づき、それぞれの処理液を現像液ノズル３６、
リンスノズル１５及び有機溶剤ノズル１６へ供給するよ
うになっている。また、この制御部３０は、上記各処理
液供給のタイミングの制御とともに、駆動モータ５４の
回転数を制御するモータコントローラ３４に指令を送出
し、統括的な処理を行う。

【００５４】また制御部３０は、例えば上記温度センサ
８４，８５，８６により各部が計測され、この計測され
た温度が所定の正常範囲内になければ異常とみなし、警
告装置４５はこれを受けて何らかの警告を行うようにな
っている。この警告装置としては、例えば警告ブザーや
警告灯、あるいは操作ディスプレイ上の警告表示等を用
いることができる。

【００５５】図６は、本発明の一実施形態に係る基板評
価システムの概念を示す構成図である。制御装置６５に
はホストコンピュータ６４が接続されており、このホス
トコンピュータ６４からの指示の基に、塗布現像処理装
置１と露光装置３５を統括的に制御するようになってい
る。例えば、この制御装置６５にはＣＰＵ７１、ＲＡＭ
７２、データ送受信部１０１、データ格納部１０２、デ
ータ解析部１０３、露光指令部１０４、現像指令部１０
５等が設けられている。

【００５６】データ格納部１０２は、ホストコンピュー
タ６４からのプロセスレシピやウェハの種類、あるいは
レジスト膜厚測定装置３７及び検査装置３８によるウェ
ハの検査結果等のデータを格納する。データ送受信部１
０１は、これらの各種データを塗布現像処理装置１及び
露光装置３５に対して送受信を行う。データ解析部１０
３は、後述するように上記検査結果等を解析して処理さ
れたウェハ上のレジストパターンの欠陥の有無を認定す
る。露光指令部１０４、現像指令部１０５等は、データ
格納部１０２に格納されたデータに基づいて露光するよ
うに指令したり、現像するように指令したりする。

【００５７】塗布現像処理装置１、露光装置３５等は工
場内に配設されているが、工場外においは例えば、塗布
現像処理装置１のメンテナンス等の各種管理を行うため
の管理コンピュータ７０が配設されている。この管理コ
ンピュータ７０は、例えば制御装置６５に公衆回線やＬ
ＡＮ等の通信回線６３で接続され遠隔操作が可能となっ
ている。これにより、管理コンピュータ７０は、各種デ
ータを格納しているデータ格納部１０２にもアクセス可
能となっている。なお、通信回線６３は無線通信であて
もよい。

【００５８】次に、以上説明した塗布現像処理装置１の
一連の処理工程について説明する。

【００５９】先ず、カセットステーション１０におい
て、ウェハ搬送体２１がカセット載置台２０上の処理前
のウェハを収容しているカセットＣＲにアクセスして、
そのカセットＣＲから１枚のウェハＷを取り出し、ウェ
ハ搬送機構４０を介してアライメントユニット（ＡＬＩ
Ｍ）に搬送される。このアライメントユニット（ＡＬＩ
Ｍ）にてウェハＷの位置合わせが行われた後、主ウェハ
搬送機構２２によりアドヒージョンユニット（ＡＤ）へ
搬送され疎水化処理が行われ、次いでクーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）にて所定の冷却処理が行われる。その後、
レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、（Ｐ
ＡＢ）で所定の加熱処理が行われ、クーリングユニット
（ＣＯＬ）において冷却処理される。そして、ウェハＷ
はウェハ搬送機構４０によりレジスト膜厚測定装置３７
に搬入されここで膜厚が測定される。その後ウェハ搬送
体２４によりインターフェース部１２を介して図示しな
い露光装置により露光処理が行われる。露光処理が終了
した後は、ポストエクスポージャーベーキングユニット
（ＰＥＢ）で所定の加熱処理が行われ、次に現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）に搬送されて現像処理が行われる。こ
の現像処理後は、所定の加熱処理（ポストベーキング）
を行うこともある。そしてウェハＷはクーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）で所定の冷却処理が行われ、検査装置３８
でレジストパターンの観察が行われる。そしてウェハ搬
送体２１によりカセットＣＲに戻される。

【００６０】次に、図７、図８及び図９を参照して、現
像処理ユニット（ＤＥＶ）における処理について説明す
る。図７及び図８は各処理液を供給する際の側面図であ
り、図９は、レジストパターンの拡大断面図である。

【００６１】先ず、スピンチャック５２が上昇し、主ウ
ェハ搬送機構２２からウェハＷを受け取ると、スピンチ
ャック５２が下降しウェハＷがカップＣＰ内に収容され
る。そして、図７（ａ）に示すように現像液ノズル３６
が現像液を吐出しながらウェハＷ上を移動し、吐出が終
了した後にウェハＷを例えば６０秒間放置し現像処理を
進行させる。ここでウェハＷを所定の回転数で回転させ
て現像液４１を伸展させ、例えば６０秒間放置すること
により現像処理を進行させる。ここで高スループット化
を図るため、ウェハＷを回転させながら現像液を吐出し
ても構わない。

【００６２】次に、図７（ｂ）に示すように、現像液ノ
ズル３６をカップ外へ移動させ、リンスノズル１５をウ
ェハＷの中心上へ移動させる。そして、図７（ｃ）に示
すように、ウェハＷを回転させながらリンス液４２を吐
出し、現像液を洗い流す。このとき図９（ａ）に示すよ
うに、パターン２９の上面２９ａがリンス液４２から出
ないようにするために、ウェハの回転数を低速の３００
ｒｐｍ〜８００ｒｐｍ、より好ましくは５００ｒｐｍと
する。パターン２９の上面２９ａがリンス液４２から出
てしまうと、リンス液の表面張力によりパターン倒れが
生じるおそれがあるためである。このようにウェハＷの
回転を３００ｒｐｍ〜８００ｒｐｍの低速回転とするこ
とにより、ウェハ上で流れるリンス液の速度を極力小さ
くして、現像液４１を洗い流すときのパターン倒れを防
止することができる。

【００６３】次に、図８（ａ）に示すように、リンスノ
ズル１５をカップ外へ移動させ、有機溶剤ノズル１６を
ウェハＷの中心上へ移動させる。そして、図８（ｂ）に
示すように、ウェハＷを停止させた状態で、ウェハＷの
中心上に有機溶剤４３を吐出する。そして図８（ｃ）に
示すように、ウェハＷを３００ｒｐｍ〜１０００ｒｐ
ｍ、より好ましくは５００ｒｐｍで回転させ、図９
（ｂ）に示すように、ウェハＷ上に残存していたリンス
液４２を有機溶剤４３に置換する。このように、ウェハ
Ｗを低速の３００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍで回転させて
有機溶剤４３で置換することにより、ウェハＷ全面に有
機溶剤４３を伸展させつつ、ウェハＷ上からリンス液４
２が流れ出る際のパターン倒れを防止することができ
る。

【００６４】次に、以上のように現像されたレジストパ
ターンの評価について説明する。なお、本実施形態で
は、例えばロット単位で処理する場合にその先行処理と
して検査用のウェハを用いて検査を行う場合について説
明する。

【００６５】上記検査装置３８によりウェハ上のレジス
トパターンを検査するため、本実施形態では、例えば図
１０に示すように、ウェハＷにおいて２つの十字クロス
上の計２５個の露光ショット部分Ｓを観察対象としてい
る。そして、図１１に示すように、ウェハＷ上の各ショ
ットＳの範囲はそれぞれ、現像後のラインアンドスペー
スＬＳが例えば５つ含まれている視野とし、各ショット
Ｓごとにパターン倒れが生じているか否かを全てのライ
ンアンドスペースＬＳ（計１２５個）について１，０判
定する。このような実験を、有機溶剤を用いた場合と用
いていない場合とで行い、これらの１，０判定結果は、
データ格納部１０２に格納する。例えば、図１２に示す
ようにパターンのアスペクト比ごと及び露光フォーカス
値ごとにデータ格納部１０２に格納される。ここで図示
するデータ格納部１０２のデータは、ほんの一部であっ
て有機溶剤を用いた場合のみについて現してある。

【００６６】露光フォーカス値に関しては、図１３に例
えばアスペクト比４．０におけるフォーカス値とパター
ンの断面形状とを示す。に示すようにフォーカス値±
０をベスト値（通常行われる露光条件）としており、こ
の場合には、正確な長方形のパターン形状を得ることが
できる。一方、〜に示すように、このベスト値から
フォーカス値をあえてずらし悪条件下で露光することに
より、それぞれ図示するようなパターン形状を得ること
ができ、フォーカス値がずれていくに従ってパターンの
下方部の幅が小さくなり、より不安定で倒れやすい状態
になっていく。なお、フォーカス値の数字は各種露光機
メーカーによって異なり、ここでは実質的な意味はな
い。

【００６７】図１４は、アスペクト比４．０であって有
機溶剤を供給した場合と供給しない場合について、上記
ウェハ１枚中におけるパターン倒れの割合を示してい
る。ここではフォーカス値−０．１及び−０．２につい
て実験を行った。これにより、有機溶剤を使用した場合
としない場合とで、パターン倒れ発生の割合に大きな差
が見られた。これは、フォーカス値をあえてベスト値か
らずらしてパターンを倒れやすくしたことに起因する。
すなわち、このように倒れやすくすることにより、ライ
ンアンドスペースにおける１ラインのうちの一部分のみ
にパターン倒れが生じるというようなことはほとんどな
く、倒れるか倒れないかをはっきり区別させることがで
きるからである。これにより、検査においてパターン倒
れの存否を容易かつ迅速に確認することができる。

【００６８】また、レジストが塗布されたウェハＷを、
ベスト値からずらしたフォーカス値で露光することによ
り、このような悪条件下においてもパターン倒れが所定
数以下であれば、この悪条件での処理よりも良好な条件
で露光した場合に、パターン倒れが発生していないもの
とみなすようにする。例えば、図１４に示すように、ア
スペクト比４．０のレジストパターンにおいて有機溶剤
を供給した場合であって、フォーカス値−０．２におけ
るパターン倒れが１０％以下（実験結果では９．５％）
であれば、これより露光条件の良好なベスト値±０で露
光した場合には、ウェハを検査しなくてもパターン倒れ
が生じていないものとみなすことができる。実際、フォ
ーカス値−０．１におけるパターン倒れの割合は０％で
あり、ベスト値±０で露光した場合にはパターン倒れが
生じていないものとみなしても何ら問題はない。なお、
このような認定は、例えば前述したようにデータ解析部
１０３で行う。

【００６９】あるいは、同じくアスペクト比４．０のレ
ジストパターンにおいて有機溶剤を供給した場合であっ
て、ベスト値±０より悪条件であるフォーカス値−０．
１のパターン倒れが発生していなければ（実験結果では
０％）、これより露光条件の良好なベスト値±０で露光
した場合にはウェハを検査しなくてもパターン倒れが生
じていないものとみなすことができる。

【００７０】以上のように、あえて悪条件で露光した場
合にパターン倒れが発生していないか、又は、パターン
倒れが所定数以下であれば、それより良好な条件で露光
した場合のレジストパターンについて検査しなくても、
それがパターン倒れがないものと認定でき、パターン倒
れの存否を簡易かつ迅速に行うことができ、また、その
定量化を図ることができる。

【００７１】また、本実施形態では、例えば、ベストフ
ォーカス値からずらしたフォーカス値を−０．１〜−
０．３と段階的に複数にすることにより、パターン倒れ
の傾向を容易に把握できるようにすることができる。更
に、これら段階的な複数のパターン形状について、本実
施形態のようにそれぞれ異なるアスペクト比ごとに露光
することにより、パターン倒れの傾向をより高精度に把
握できるようにすることができる。

【００７２】また、データ格納部１０２に格納された実
験結果をデータベースとして利用し、例えばリンス液４
２を有機溶剤４３に置換する際のウェハの回転数を適宜
変えたり、有機溶剤の供給量を適宜変える等、最適なプ
ロセス処理によりフィードフォワード的な処理を実現す
ることができ、歩留まりの向上を図ることができる。

【００７３】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。

【００７４】図１５は検査装置３８の検査の対象となる
テストウェハＷの各露光ショット部分Ｓ（図１０）の１
つにおけるラインアンドスペースＬＳ（レジストパター
ン）を示すイメージ図である。上記の実施形態における
レジストパターンの各ラインは全て同じ長さ、幅であっ
た。しかし、本実施形態では、各ラインの幅、長さ、ピ
ッチ等のパラメータを種々用意し、これらのパラメータ
値をそれぞれ段階的に変えてパターンを形成した。この
図１５に示す例では、例えばレジストパターンの長さを
１μｍ、２μｍ、４μｍ、８μｍとし、レジストパター
ンの幅を０．０９μｍ、０．１μｍ、０．１１μｍ、
０．１２μｍとした。上記実施形態と同様に、本実施形
態でも各ショットＳ（１枚のウェハで２５個）ごとにパ
ターン倒れが生じているか否かを全てのラインアンドス
ペースＬＳについて１，０判定する。このような実験
を、有機溶剤を用いた場合と用いていない場合とで行
い、これらの１，０判定結果をデータ格納部１０２に格
納しておく。

【００７５】また本実施形態においては、パラメータと
してアスペクト比も考慮するようにしてもよい。この場
合、パターンの幅とレジストの膜厚との比であるため、
段階的な膜厚値の分の数だけテストウェハを用意して実
験を行えばよい。また、露光フォーカス値を段階的に変
えて実験を行うこともできるし、さらには現像処理時に
おける種々の条件を変えて行うこともできる。現像条件
としては、例えば現像時間（現像液が基板上に存在して
いる間の時間）、リンス液の供給量、リンス液を振り切
るときの基板の回転数、リンス処理後の有機溶剤（表面
張力を低下させるための溶剤）の置換量、この有機溶剤
を振り切るときの基板の回転数等が挙げられる。

【００７６】図１６は、ノーマルリンス液を用いた場合
（純水を用いた場合）と界面活性剤入りのリンス液を用
いた場合（純水に界面活性剤を添加したリンス液を用い
た場合）とで比較したパターン倒れの実験結果を示すグ
ラフである。アスペクト比が小さいほど、パターン倒れ
を起こしにくいことがわかる。これは、アスペクト比の
大きいパターンはリンス液の表面張力に対して力学的に
不安定でありパターン倒れを起こしやすいことに起因す
る。

【００７７】また、界面活性剤リンス液を用いた場合の
方が、ノーマルリンス液を用いた場合よりもパターン倒
れを起こす割合が少ないのは、界面活性剤リンス液の表
面張力がノーマルリンス液の表面張力よりも小さいから
である。

【００７８】以上のように、これら段階的なパラメータ
値ごとのパターン倒れの分布がわかるので、その定量化
を図ることができる。

【００７９】また、本実施形態のようにパターンに異な
る複数のパラメータを持たせて露光することにより、パ
ターン倒れの傾向をより高精度に把握することができ
る。

【００８０】本発明は以上説明した実施形態には限定さ
れるものではなく、種々の変形が可能である。

【００８１】例えば、上記実施形態のレジストパターン
の評価において、検査用のウェハについてのみ説明した
が、製品ウェハについても、例えば当該製品ウェハの端
部（製品領域でない部分）に上記のような悪条件で露光
したレジストパターンを数箇所形成しておき、ウェハご
とにそのレジストパターンを検査し、この検査の結果、
パターン倒れが発生しているか否かの判断のみで、迅速
に製品領域における正常な露光条件下でのパターン倒れ
の存否を認定することができる。

【００８２】また、上記実施形態においては、塗布現像
処理装置１内に検査装置３８を設けたが、検査装置３８
のみ独立させてもよい。これにより、複数の塗布現像処
理装置１で処理されたウェハＷを当該独立した共通の検
査装置３８にて検査し、検査結果をデータ格納部１０２
に格納し、この格納された複数の塗布現像処理装置１の
情報を基にデータ格納部１０３にて最適なプロセス条件
（例えば有機溶剤の供給量等）を各塗布現像処理装置１
にフィードフォワードすることもできる。 更に、上記
実施形態においては、基板として半導体ウェハを使用し
たが、これに限らず、液晶ディスプレイ等に使用される
ガラス基板についても本発明は適用可能である。

【００８３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パターン倒れの存否を簡易かつ迅速に行うことができ、
また、１枚の基板のうちのパターン倒れ発生率及びパタ
ーン倒れの傾向を容易に確認でき、その定量化を図るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る塗布現像処理装
置の平面図である。

【図２】図１に示す塗布現像処理装置の正面図である。

【図３】図１に示す塗布現像処理装置の背面図である。

【図４】本発明の一実施形態に係る現像処理ユニットを
示す平面図である。

【図５】図５に示す現像処理ユニットを示す断面図であ
る。

【図６】本発明の一実施形態に係る基板評価システムの
概念を示す構成図である。

【図７】現像処理ユニットにおける処理を順に示す側面
図である。

【図８】同処理を順に示す側面図である。

【図９】現像処理の際のレジストパターンを示す断面図
であり、（ａ）はリンス液供給後、（ｂ）は有機溶剤供
給後、（ｃ）は有機溶剤が乾燥する途中を示す図であ
る。

【図１０】ウェハ上におけるレジストパターンの検査部
分を示す平面図である。

【図１１】各検査部分のうちのラインアンドスペース
（レジストパターン）を示す斜視図である。

【図１２】所定の露光条件で露光されたパターン倒れの
発生データをデータ格納部が格納している状態を示す図
である。

【図１３】所定のアスペクト比におけるフォーカス値と
パターン形状とを示す図である。

【図１４】有機溶剤で置換した場合と置換しない場合お
けるパターン倒れの発生割合を示す図である。

【図１５】他の実施形態に係るラインアンドスペースを
示すイメージ図である。

【図１６】有機溶剤で置換した場合と置換しない場合と
で比較した、異なるアスペクト比ごとのパターン倒れの
実験結果を示すグラフである。

【符号の説明】

Ｗ…半導体ウェハ ＤＥＶ…現像処理ユニット ＣＯＴ…レジスト塗布処理ユニット １…塗布現像処理装置 １４…検査ステーション ２２…主ウェハ搬送機構 ２９…レジストパターン ３５…露光装置 ３８…検査装置 ４０…ウェハ搬送機構 ６５…制御装置 １０１…データ送受信部 １０２…データ格納部 １０３…データ解析部 １０４…露光指令部 １０５…現像指令部

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レジストが塗布された基板を第１の条件
   及びこの第１の条件とは異なる第２の条件で露光するよ
   うに、露光装置側に指令可能な指令手段と、 前記第１の条件及び第２の条件で露光された基板のレジ
   ストパターンを現像する手段と、 少なくとも前記第２の条件で露光されたレジストパター
   ンを検査する手段と、 前記検査の結果、前記第２の条件で露光されたレジスト
   パターンに欠陥がなければ、前記第１の条件で露光した
   場合のレジストパターンに欠陥がないものとみなす認定
   手段とを具備することを特徴とする基板評価システム。
2. 【請求項２】 レジストが塗布された基板を第１の条件
   及びこの第１の条件とは異なる第２の条件で露光するよ
   うに、露光装置側に指令可能な指令手段と、 前記第１の条件及び第２の条件で露光された基板のレジ
   ストパターンを現像する手段と、 少なくとも前記第２の条件で露光されたレジストパター
   ンを検査する手段と、 前記検査の結果、前記第２の条件で露光されたレジスト
   パターンの欠陥の数が所定以下のとき、前記第１の条件
   で露光した場合のレジストパターンに欠陥がないものと
   みなす認定手段とを具備することを特徴とする基板評価
   システム。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の基板評価
   システムにおいて、 前記検査手段は、前記レジストパターン表面の像を観察
   するものであることを特徴とする基板評価システム。
4. 【請求項４】 請求項１又は請求項２に記載の基板評価
   システムにおいて、 前記第１の条件は、露光フォーカスをベスト値とするも
   のであり、 前記第２の条件は、露光フォーカスを前記ベスト値から
   ずらしたものであることを特徴とする基板評価システ
   ム。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の基板評価システムにお
   いて、 前記指令手段は、 前記第２の条件におけるフォーカス値を可変して露光す
   るように指令する手段を含むことを特徴する基板評価シ
   ステム。
6. 【請求項６】 請求項１から請求項５のうちいずれか１
   項に記載の基板検評価システムにおいて、 前記認定手段は、 前記レジストパターンの所定のアスペクト比ごとに処理
   を行うことを特徴とする基板評価システム。
7. 【請求項７】 基板にレジストを塗布する塗布処理部
   と、基板を現像する現像処理部と、該現像処理部で現像
   されたレジストパターンを検査する検査部と、少なくと
   も前記塗布処理部、現像処理部及び検査部の間で基板の
   搬送を行う搬送機構とを有する基板処理装置と、 前記塗布処理部でレジストが塗布された基板を、第１の
   条件及びこの第１の条件とは異なる第２の条件で露光す
   るように露光装置側に指令する指令手段と、前記検査部
   による検査の結果、前記第２の条件で露光されたレジス
   トパターンに欠陥がなければ、前記第１の条件で露光し
   た場合のレジストパターンに欠陥がないものとみなす認
   定手段とを有する制御装置とを具備することを特徴とす
   る基板評価システム。
8. 【請求項８】 基板にレジストを塗布する塗布処理部
   と、基板を現像する現像処理部と、該現像処理部で現像
   されたレジストパターンを検査する検査部と、少なくと
   も前記塗布処理部、現像処理部及び検査部の間で基板の
   搬送を行う搬送機構とを有する基板処理装置と、 前記塗布処理部でレジストが塗布された基板を、第１の
   条件及びこの第１の条件とは異なる第２の条件で露光す
   るように露光装置側に指令する指令手段と、前記検査部
   による検査の結果、前記第２の条件で露光されたレジス
   トパターンの欠陥の数が所定以下のとき、前記第１の条
   件で露光した場合のレジストパターンに欠陥がないもの
   とみなす認定手段とを有する制御装置とを具備すること
   を特徴とする基板評価システム。
9. 【請求項９】 請求項７又は請求項８に記載の基板評価
   システムにおいて、 前記検査手段は、前記レジストパターン表面の像を観察
   するものであることを特徴とする基板評価システム。
10. 【請求項１０】 請求項７又は請求項８に記載の基板評
    価システムにおいて、 前記第１の条件は、露光フォーカスをベスト値とするも
    のであり、 前記第２の条件は、露光フォーカスを前記ベスト値から
    ずらしたものであることを特徴とする基板評価システ
    ム。
11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の基板評価システム
    において、 前記指令手段は、 前記第２の条件におけるフォーカス値を可変して露光す
    るように指令する手段を含むことを特徴する基板評価シ
    ステム。
12. 【請求項１２】 請求項７又は請求項８に記載の基板検
    評価システムにおいて、 前記認定手段は、 前記レジストパターンの所定のアスペクト比ごとに処理
    を行うことを特徴とする基板評価システム。
13. 【請求項１３】 レジストが塗布された基板を露光する
    露光装置に対し、段階的なパラメータ値を有する複数の
    レジストのパターンを形成するための露光指令を指令可
    能な指令手段と、 前記露光指令に基づき露光された基板を現像する手段
    と、 前記現像された基板上の前記レジストパターンを検査す
    る手段とを具備することを特徴とする基板評価システ
    ム。
14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の基板評価システム
    において、 前記パラメータは、前記テストパターンの長さ、幅、ピ
    ッチ及びアスペクト比のうち少なくとも１つであること
    を特徴とする基板評価システム。
15. 【請求項１５】 レジストが塗布された基板を第１の条
    件及びこの第１の条件とは異なる第２の条件で露光する
    工程と、 前記第１の条件及び第２の条件で露光された基板のレジ
    ストパターンを現像する工程と、 少なくとも前記第２の条件で露光されたレジストパター
    ンを検査する工程と、 前記検査の結果、前記第２の条件で露光されたレジスト
    パターンに欠陥がなければ、前記第１の条件で露光した
    場合のレジストパターンに欠陥がないものとみなす工程
    とを具備することを特徴とする基板評価方法。
16. 【請求項１６】 レジストが塗布された基板を第１の条
    件及びこの第１の条件とは異なる第２の条件で露光する
    工程と、 前記第１の条件及び第２の条件で露光された基板のレジ
    ストパターンを現像する工程と、 少なくとも前記第２の条件で露光されたレジストパター
    ンを検査する工程と、 前記検査の結果、前記第２の条件で露光されたレジスト
    パターンの欠陥の数が所定以下のとき、前記第１の条件
    で露光した場合のレジストパターンに欠陥がないものと
    みなす工程とを具備することを特徴とする基板評価方
    法。
17. 【請求項１７】 レジストが塗布された基板上に段階的
    なパラメータ値を有する複数のレジストのパターンを形
    成するために該基板を露光する工程と、 前記露光された基板を現像する工程と、 前記現像された基板上の前記レジストパターンを検査す
    る工程とを具備することを特徴とする基板評価方法。