JP2003249700A - 磁気抵抗効果素子及びそれを備える磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、並びに磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果素子及びそれを備える磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、並びに磁気抵抗効果ヘッドの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 再生出力の向上と、バルクハウゼンノイズの
低減とを同時に満たす磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 【解決手段】 反強磁性層５０と、第２の磁性層４５
と、非磁性中間層４０と、第１の磁性層３５とがこの順
に積層されてなり、該第１の磁性層３５は、トラック幅
方向の中心部の飽和磁化よりも小さな飽和磁化を有する
領域をトラック幅方向の少なくとも一端に有し、トラッ
ク幅をＴｗｒ、トラック幅方向の中心部の飽和磁化より
も小さな飽和磁化を有する領域のトラック幅方向の幅を
ｘｅとするときに０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦０．２であ
る磁気抵抗効果素子３０が、上部シールド９０と下部シ
ールド１０との間に配設されている。これにより、縦バ
イアス磁界の影響が、第１の磁性層３５のトラック幅方
向の中心部よりも端部領域において増大しており、第１
の磁性層３５の端部における磁区発生が効率よく制御さ
れる。
低減とを同時に満たす磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 【解決手段】 反強磁性層５０と、第２の磁性層４５
と、非磁性中間層４０と、第１の磁性層３５とがこの順
に積層されてなり、該第１の磁性層３５は、トラック幅
方向の中心部の飽和磁化よりも小さな飽和磁化を有する
領域をトラック幅方向の少なくとも一端に有し、トラッ
ク幅をＴｗｒ、トラック幅方向の中心部の飽和磁化より
も小さな飽和磁化を有する領域のトラック幅方向の幅を
ｘｅとするときに０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦０．２であ
る磁気抵抗効果素子３０が、上部シールド９０と下部シ
ールド１０との間に配設されている。これにより、縦バ
イアス磁界の影響が、第１の磁性層３５のトラック幅方
向の中心部よりも端部領域において増大しており、第１
の磁性層３５の端部における磁区発生が効率よく制御さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反強磁性層と、第
２の磁性層と、非磁性中間層と、第１の磁性層とがこの
順に積層されてなる磁気抵抗効果素子及びそれを備える
磁気抵抗効果ヘッド、並びにそれらの製造方法に関す
る。
２の磁性層と、非磁性中間層と、第１の磁性層とがこの
順に積層されてなる磁気抵抗効果素子及びそれを備える
磁気抵抗効果ヘッド、並びにそれらの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の高密度化に伴い、感
度の高い再生用磁気ヘッドが求められている。高感度の
再生磁気ヘッドとしては、Physical Review B、第４３
巻、１２９７〜１３００頁「軟磁性多層膜における巨大
磁気抵抗効果」に記載のように、２層の磁性層を非磁性
金属層で分離し、一方の磁性層に反強磁性層からの交換
バイアス磁界を印加する構造が知られている。
度の高い再生用磁気ヘッドが求められている。高感度の
再生磁気ヘッドとしては、Physical Review B、第４３
巻、１２９７〜１３００頁「軟磁性多層膜における巨大
磁気抵抗効果」に記載のように、２層の磁性層を非磁性
金属層で分離し、一方の磁性層に反強磁性層からの交換
バイアス磁界を印加する構造が知られている。
【０００３】このような多層膜において、抵抗Rは、２
層の磁性層の磁化の間の角θの関数として、cosθに比
例して変化する成分を有することが上記論文に示されて
おり、このような効果を、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）
またはスピン・バルブ効果と呼んでいる。
層の磁性層の磁化の間の角θの関数として、cosθに比
例して変化する成分を有することが上記論文に示されて
おり、このような効果を、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）
またはスピン・バルブ効果と呼んでいる。
【０００４】巨大磁気抵抗効果ヘッドは、膜面に平行に
検出電流を流す場合（Current in plane、以下ＣＩＰと
称する。）と、膜面に垂直に電流を流す場合（Current
perpendicular to the plane、以下ＣＰＰと称する。）
とがあり、ＣＩＰモードに比べてＣＰＰモードのＭＲ比
は、室温において２倍以上に向上することが知られてい
る。
検出電流を流す場合（Current in plane、以下ＣＩＰと
称する。）と、膜面に垂直に電流を流す場合（Current
perpendicular to the plane、以下ＣＰＰと称する。）
とがあり、ＣＩＰモードに比べてＣＰＰモードのＭＲ比
は、室温において２倍以上に向上することが知られてい
る。
【０００５】さらに近年、高感度の再生磁気ヘッドとし
て、トンネル磁気抵抗効果ヘッド（ＴＭＲヘッド）が注
目されている。トンネル磁気抵抗効果ヘッドは、２つの
強磁性層の間にトンネル障壁層が挟まれた強磁性トンネ
ル接合を用いた磁気抵抗効果ヘッドで、その構造は、例
えば特開平４−１０３０１４号に記載がある。トンネル
磁気抵抗効果ヘッドは、ＣＰＰモードの巨大磁気抵抗効
果ヘッド構造と極めて類似の構造を取り、巨大磁気抵抗
効果ヘッドにおける非磁性金属層を絶縁層であるトンネ
ルバリア層に置き換えた構造を取る。
て、トンネル磁気抵抗効果ヘッド（ＴＭＲヘッド）が注
目されている。トンネル磁気抵抗効果ヘッドは、２つの
強磁性層の間にトンネル障壁層が挟まれた強磁性トンネ
ル接合を用いた磁気抵抗効果ヘッドで、その構造は、例
えば特開平４−１０３０１４号に記載がある。トンネル
磁気抵抗効果ヘッドは、ＣＰＰモードの巨大磁気抵抗効
果ヘッド構造と極めて類似の構造を取り、巨大磁気抵抗
効果ヘッドにおける非磁性金属層を絶縁層であるトンネ
ルバリア層に置き換えた構造を取る。
【０００６】従来のＣＩＰモードの巨大磁気抵抗効果ヘ
ッドは、図１６に示すように、自由層３５、非磁性金属
層（Ｃｕ層）４０、固定層４５及び反強磁性層５０が積
層されてなる磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）３０を備えて
いる。固定層４５の磁化は、反強磁性層５０からの交換
バイアス磁界によって、素子高さ方向に固定される。一
般に、自由層３５の磁化容易方向は、ヘッドのトラック
幅方向と平行とされる。
ッドは、図１６に示すように、自由層３５、非磁性金属
層（Ｃｕ層）４０、固定層４５及び反強磁性層５０が積
層されてなる磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）３０を備えて
いる。固定層４５の磁化は、反強磁性層５０からの交換
バイアス磁界によって、素子高さ方向に固定される。一
般に、自由層３５の磁化容易方向は、ヘッドのトラック
幅方向と平行とされる。
【０００７】ＣＩＰモードの巨大磁気抵抗効果ヘッドを
作製するには、まず、基板５上に、磁気シールド層１
０、磁気ギャップ層２０及び磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ
膜）３０を積層する。次に、磁気抵抗効果膜３０の両端
部に、永久磁石６０及び電極膜７０を配置する。次に、
電極膜７０上に、磁気ギャップ層８０を介して磁気シー
ルド膜９０を形成する。
作製するには、まず、基板５上に、磁気シールド層１
０、磁気ギャップ層２０及び磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ
膜）３０を積層する。次に、磁気抵抗効果膜３０の両端
部に、永久磁石６０及び電極膜７０を配置する。次に、
電極膜７０上に、磁気ギャップ層８０を介して磁気シー
ルド膜９０を形成する。
【０００８】ＣＰＰモード巨大磁気抵抗効果ヘッドもま
た、図１７に示すように、自由層３５、Ｃｕ層４０、固
定層４５及び反強磁性層５０が積層されてなる磁気抵抗
効果膜（ＧＭＲ膜）３０を備えている。固定層４５の磁
化は、反強磁性層５０からの交換バイアス磁界によっ
て、素子高さ方向に固定される。また、自由層３５の磁
化容易方向は、ヘッドのトラック幅方向と平行とされ
る。
た、図１７に示すように、自由層３５、Ｃｕ層４０、固
定層４５及び反強磁性層５０が積層されてなる磁気抵抗
効果膜（ＧＭＲ膜）３０を備えている。固定層４５の磁
化は、反強磁性層５０からの交換バイアス磁界によっ
て、素子高さ方向に固定される。また、自由層３５の磁
化容易方向は、ヘッドのトラック幅方向と平行とされ
る。
【０００９】ＣＰＰモード巨大磁気抵抗効果ヘッドを作
製するには、まず、基板５上に、下部電極膜を兼ねた下
部磁気シールド層１０を形成し、その上に磁気抵抗効果
膜（ＧＭＲ膜）３０を積層する。磁気抵抗効果膜３０を
パターニングした後、その両端部に永久磁石６０を配置
する。なお、Ａｌ２Ｏ３からなる絶縁膜６５を、永久磁
石６０を覆うように配設し、電流が永久磁石６０を流れ
ないようにする。そして、絶縁膜６５上に、上部電極膜
を兼ねた上部磁気シールド層９０を形成する。
製するには、まず、基板５上に、下部電極膜を兼ねた下
部磁気シールド層１０を形成し、その上に磁気抵抗効果
膜（ＧＭＲ膜）３０を積層する。磁気抵抗効果膜３０を
パターニングした後、その両端部に永久磁石６０を配置
する。なお、Ａｌ２Ｏ３からなる絶縁膜６５を、永久磁
石６０を覆うように配設し、電流が永久磁石６０を流れ
ないようにする。そして、絶縁膜６５上に、上部電極膜
を兼ねた上部磁気シールド層９０を形成する。
【００１０】トンネル磁気抵抗効果ヘッドは、前述のＣ
ＰＰモードの巨大磁気抵抗効果ヘッドとほぼ同様の構造
をとる。具体的には、トンネル磁気抵抗効果ヘッドは、
ＣＰＰモードの巨大磁気抵抗効果ヘッドにおける磁気抵
抗効果膜３０の代わりに、図１８に示すような、自由層
３５、トンネルバリア層４１、固定層４５及び反強磁性
層５０が積層されてなるトンネル磁気抵抗効果膜３１を
備えている。
ＰＰモードの巨大磁気抵抗効果ヘッドとほぼ同様の構造
をとる。具体的には、トンネル磁気抵抗効果ヘッドは、
ＣＰＰモードの巨大磁気抵抗効果ヘッドにおける磁気抵
抗効果膜３０の代わりに、図１８に示すような、自由層
３５、トンネルバリア層４１、固定層４５及び反強磁性
層５０が積層されてなるトンネル磁気抵抗効果膜３１を
備えている。
【００１１】ところで、巨大磁気抵抗効果膜又はトンネ
ル磁気抵抗効果膜（ここでは両者を総称して磁気抵抗効
果膜と呼ぶ。）の両端部に配設されている永久磁石膜
は、磁気抵抗効果膜に対して、トラック幅方向の縦バイ
アス磁界を印加することにより、自由層の磁区構造から
生じるバルクハウゼンノイズを抑えることを目的として
配設されている。永久磁石膜により印加される縦バイア
ス磁界は、図１９に示すように、磁気抵抗効果素子のト
ラック幅方向の両端部では強く、トラック幅方向の中心
部ではシールド膜の影響で減衰するように分布してい
る。
ル磁気抵抗効果膜（ここでは両者を総称して磁気抵抗効
果膜と呼ぶ。）の両端部に配設されている永久磁石膜
は、磁気抵抗効果膜に対して、トラック幅方向の縦バイ
アス磁界を印加することにより、自由層の磁区構造から
生じるバルクハウゼンノイズを抑えることを目的として
配設されている。永久磁石膜により印加される縦バイア
ス磁界は、図１９に示すように、磁気抵抗効果素子のト
ラック幅方向の両端部では強く、トラック幅方向の中心
部ではシールド膜の影響で減衰するように分布してい
る。
【００１２】自由層において、ノイズの原因となる磁区
構造は、自己反磁界が大きいトラック幅方向の両端部で
生じやすい。このため、自由層のトラック両端部には、
縦バイアス磁界をより強く印加することが望ましい。
構造は、自己反磁界が大きいトラック幅方向の両端部で
生じやすい。このため、自由層のトラック両端部には、
縦バイアス磁界をより強く印加することが望ましい。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】磁気記録の分野では、
記録密度が向上するに伴い、磁気ヘッドのトラック幅の
減少及び再生感度の向上が求められている。
記録密度が向上するに伴い、磁気ヘッドのトラック幅の
減少及び再生感度の向上が求められている。
【００１４】磁気ヘッドのトラック幅を小さくすると、
磁気抵抗効果素子の両端部に配設されている永久磁石間
の距離も狭くなるので、縦バイアス磁界が強く印加され
る自由層の領域の割合が、トラック幅に対して増加す
る。言い換えると、磁気ヘッドのトラック幅を小さくす
るにつれ、自由層のトラック幅方向の中心部に印加され
る縦バイアス磁界が増加する。
磁気抵抗効果素子の両端部に配設されている永久磁石間
の距離も狭くなるので、縦バイアス磁界が強く印加され
る自由層の領域の割合が、トラック幅に対して増加す
る。言い換えると、磁気ヘッドのトラック幅を小さくす
るにつれ、自由層のトラック幅方向の中心部に印加され
る縦バイアス磁界が増加する。
【００１５】ところが、自由層のトラック幅方向の中心
部では、縦バイアス磁界が増加するほど、信号磁界に対
する自由層の磁化回転が小さくなり、再生感度が減少し
てしまう。このため、自由層のトラック中心部には、縦
バイアス磁界を可能な限り小さく印加して、感度を良好
に確保することが好ましい。
部では、縦バイアス磁界が増加するほど、信号磁界に対
する自由層の磁化回転が小さくなり、再生感度が減少し
てしまう。このため、自由層のトラック中心部には、縦
バイアス磁界を可能な限り小さく印加して、感度を良好
に確保することが好ましい。
【００１６】そこで、再生感度を向上させるために、永
久磁石膜の膜厚を薄くして、自由層のトラック幅方向の
中心部に印加される縦バイアス磁界を小さくする手法が
考えられる。しかしながら、永久磁石膜の膜厚を薄くす
ると、自由層端部における縦バイアス磁界が不足するた
め、磁区発生を十分に抑制できず、バルクハウゼンノイ
ズが生じるという問題がある。
久磁石膜の膜厚を薄くして、自由層のトラック幅方向の
中心部に印加される縦バイアス磁界を小さくする手法が
考えられる。しかしながら、永久磁石膜の膜厚を薄くす
ると、自由層端部における縦バイアス磁界が不足するた
め、磁区発生を十分に抑制できず、バルクハウゼンノイ
ズが生じるという問題がある。
【００１７】このため、狭トラック化された磁気ヘッド
においては、再生感度の向上と、バルクハイゼンノイズ
の低減とを同時に達成することが困難であった。
においては、再生感度の向上と、バルクハイゼンノイズ
の低減とを同時に達成することが困難であった。
【００１８】本発明は、このような従来の実情に鑑み
て、狭トラック化されていても、再生感度が高く、且
つ、バルクハウゼンノイズが生じ難い磁気抵抗効果素子
及びそれを備える磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗効果ヘ
ッドの製造方法を提供することを目的とする。また、本
発明は、上述の磁気抵抗効果ヘッドを備え、記録密度の
高い磁気記録媒体と組み合わせることが可能である磁気
記憶装置を提供することを目的とする。
て、狭トラック化されていても、再生感度が高く、且
つ、バルクハウゼンノイズが生じ難い磁気抵抗効果素子
及びそれを備える磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗効果ヘ
ッドの製造方法を提供することを目的とする。また、本
発明は、上述の磁気抵抗効果ヘッドを備え、記録密度の
高い磁気記録媒体と組み合わせることが可能である磁気
記憶装置を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明に係る磁気抵抗効果ヘッドは、反強磁性層
と、第２の磁性層と、非磁性中間層と、第１の磁性層と
をこの順に積層し、第１の磁性層のトラック幅方向の端
部に厚みがトラック幅方向の中心部よりも小さい領域を
設け、この厚みが小さな領域の長さを所定範囲内にした
構造の磁気抵抗効果素子を搭載したことを主な特徴とす
る。
めに、本発明に係る磁気抵抗効果ヘッドは、反強磁性層
と、第２の磁性層と、非磁性中間層と、第１の磁性層と
をこの順に積層し、第１の磁性層のトラック幅方向の端
部に厚みがトラック幅方向の中心部よりも小さい領域を
設け、この厚みが小さな領域の長さを所定範囲内にした
構造の磁気抵抗効果素子を搭載したことを主な特徴とす
る。
【００２０】第１の磁性層のトラック幅方向の両端部で
は、自己反磁界が大きいため、ノイズの原因となる磁区
構造が生じやすい。ところで、第１の磁性層での磁区の
発生を防止するために必要な縦バイアス磁界は、第１の
磁性層の飽和磁化と膜厚との積（磁化量）に応じて変化
する。つまり、この積が小さいほど、必要となる縦バイ
アス磁界強度は小さい。
は、自己反磁界が大きいため、ノイズの原因となる磁区
構造が生じやすい。ところで、第１の磁性層での磁区の
発生を防止するために必要な縦バイアス磁界は、第１の
磁性層の飽和磁化と膜厚との積（磁化量）に応じて変化
する。つまり、この積が小さいほど、必要となる縦バイ
アス磁界強度は小さい。
【００２１】そこで、本発明では、第１の磁性層の端部
領域の膜厚を、第１の磁性層のトラック幅方向の中心部
の膜厚よりも小さくして、縦バイアス磁界の影響を、ト
ラック幅方向の中心部よりも端部領域において増大させ
る。これにより、第１の磁性層のトラック幅方向の中心
部に印加する縦バイアス磁界を増加させることなく、第
１の磁性層のトラック幅方向の端部における磁区発生を
効率よく制御できる。
領域の膜厚を、第１の磁性層のトラック幅方向の中心部
の膜厚よりも小さくして、縦バイアス磁界の影響を、ト
ラック幅方向の中心部よりも端部領域において増大させ
る。これにより、第１の磁性層のトラック幅方向の中心
部に印加する縦バイアス磁界を増加させることなく、第
１の磁性層のトラック幅方向の端部における磁区発生を
効率よく制御できる。
【００２２】また、膜厚ではなく飽和磁化を小さくする
ことによって、第１の磁性層のトラック幅方向の両端部
の磁化量を小さくしても良い。そこで、本発明に係る磁
気ヘッドの別の特徴は、反強磁性層と、第２の磁性層
と、非磁性中間層と、第１の磁性層とをこの順に積層
し、トラック幅方向の中心部の飽和磁化よりも小さな飽
和磁化を有する領域を、第１の磁性層のトラック幅方向
の両端に設け、この飽和磁化の小さな領域の長さを所定
範囲内にした構造の磁気抵抗効果素子を搭載したことを
主な特徴とする。
ことによって、第１の磁性層のトラック幅方向の両端部
の磁化量を小さくしても良い。そこで、本発明に係る磁
気ヘッドの別の特徴は、反強磁性層と、第２の磁性層
と、非磁性中間層と、第１の磁性層とをこの順に積層
し、トラック幅方向の中心部の飽和磁化よりも小さな飽
和磁化を有する領域を、第１の磁性層のトラック幅方向
の両端に設け、この飽和磁化の小さな領域の長さを所定
範囲内にした構造の磁気抵抗効果素子を搭載したことを
主な特徴とする。
【００２３】本発明では、第１の磁性層の端部領域の飽
和磁化を、第１の磁性層のトラック幅方向の中心部の飽
和磁化よりも小さくして、縦バイアス磁界の影響をトラ
ック幅方向の中心部よりも端部領域において増大させ
る。これにより、第１の磁性層のトラック幅方向の中心
部に印加する縦バイアス磁界を増加させることなく、第
１の磁性層の端部における磁区発生を効率よく制御でき
る。
和磁化を、第１の磁性層のトラック幅方向の中心部の飽
和磁化よりも小さくして、縦バイアス磁界の影響をトラ
ック幅方向の中心部よりも端部領域において増大させ
る。これにより、第１の磁性層のトラック幅方向の中心
部に印加する縦バイアス磁界を増加させることなく、第
１の磁性層の端部における磁区発生を効率よく制御でき
る。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用するのに望ま
しい磁気抵抗効果ヘッドについて、詳細に説明する。本
発明を適用した磁気抵抗効果ヘッドは、例えばＣＩＰモ
ードの磁気ヘッドの場合、基板上に、下部シールド膜
（ＮｉＦｅ膜）、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ
３膜）及び巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）がこの順に
積層されている。
しい磁気抵抗効果ヘッドについて、詳細に説明する。本
発明を適用した磁気抵抗効果ヘッドは、例えばＣＩＰモ
ードの磁気ヘッドの場合、基板上に、下部シールド膜
（ＮｉＦｅ膜）、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ
３膜）及び巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）がこの順に
積層されている。
【００２５】また、ＧＭＲ膜のトラック幅方向の両端部
には、後述する自由層に縦バイアス磁界を印加して磁区
発生を制御するための磁区制御膜として、残留磁束密度
が0.7Ｔの永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）が配設されて
いる。
には、後述する自由層に縦バイアス磁界を印加して磁区
発生を制御するための磁区制御膜として、残留磁束密度
が0.7Ｔの永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）が配設されて
いる。
【００２６】ここで、トラック幅方向とは、媒体面に平
行な方向において、磁気ヘッドが記録媒体に対して相対
的に移動する方向に垂直な方向である。
行な方向において、磁気ヘッドが記録媒体に対して相対
的に移動する方向に垂直な方向である。
【００２７】さらにまた、この永久磁石上には、Ｎｂ／
Ａｕ／Ｎｂからなり、磁気抵抗効果膜に電流を供給する
電極が積層されている。そして、ＧＭＲ膜及び電極上に
は、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３膜）、上部
シールド膜（ＮｉＦｅ膜）が、この順に積層されてい
る。
Ａｕ／Ｎｂからなり、磁気抵抗効果膜に電流を供給する
電極が積層されている。そして、ＧＭＲ膜及び電極上に
は、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３膜）、上部
シールド膜（ＮｉＦｅ膜）が、この順に積層されてい
る。
【００２８】磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）は、反強磁性
層と、第２の磁性層（以下、固定層と称する。）と、非
磁性中間層と、第１の磁性層（以下、自由層と称す
る。）とがこの順に積層されたものである。ここで、固
定層とは、反強磁性層により磁化が一定方向に固定され
ている磁性層のことである。また、自由層とは、記録媒
体からの信号磁界を受けて、自由に磁化の方向を変える
ことの可能な磁性層のことである。
層と、第２の磁性層（以下、固定層と称する。）と、非
磁性中間層と、第１の磁性層（以下、自由層と称す
る。）とがこの順に積層されたものである。ここで、固
定層とは、反強磁性層により磁化が一定方向に固定され
ている磁性層のことである。また、自由層とは、記録媒
体からの信号磁界を受けて、自由に磁化の方向を変える
ことの可能な磁性層のことである。
【００２９】そして、本発明を適用するのに望ましい磁
気抵抗効果膜は、第1の実施の形態として、以下のよう
に構成されることを特徴とする。即ち、自由層は、厚み
がトラック幅方向の中心部よりも小さい領域をトラック
幅方向の両端に有し、トラック幅をＴｗｒ、厚みがトラ
ック幅方向の中心部よりも小さい領域のトラック幅方向
の幅をｘｅとするときに、０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦
０．２であることを特徴とする。
気抵抗効果膜は、第1の実施の形態として、以下のよう
に構成されることを特徴とする。即ち、自由層は、厚み
がトラック幅方向の中心部よりも小さい領域をトラック
幅方向の両端に有し、トラック幅をＴｗｒ、厚みがトラ
ック幅方向の中心部よりも小さい領域のトラック幅方向
の幅をｘｅとするときに、０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦
０．２であることを特徴とする。
【００３０】一般に、自由層のトラック幅方向の両端部
では、自己反磁界が大きいため、ノイズの原因となる磁
区構造が生じやすい。自由層での磁区の発生を防止する
ために必要な縦バイアス磁界は、自由層の飽和磁化と膜
厚との積に応じて変化する。つまり、この積が小さいほ
ど、必要となる縦バイアス磁界強度は小さい。
では、自己反磁界が大きいため、ノイズの原因となる磁
区構造が生じやすい。自由層での磁区の発生を防止する
ために必要な縦バイアス磁界は、自由層の飽和磁化と膜
厚との積に応じて変化する。つまり、この積が小さいほ
ど、必要となる縦バイアス磁界強度は小さい。
【００３１】そこで、本発明では、自由層の端部領域の
膜厚を、自由層のトラック幅方向の中心部の膜厚よりも
小さくし、且つ、ｘｅ／Ｔｗｒを０．０８以上、０．２
以下とすることにより、縦バイアス磁界の影響を中心部
よりも端部領域において増大させる。これにより、自由
層のトラック幅方向の中心部に印加する縦バイアス磁界
を増加させることなく、自由層の端部における磁区発生
を効率よく制御する。
膜厚を、自由層のトラック幅方向の中心部の膜厚よりも
小さくし、且つ、ｘｅ／Ｔｗｒを０．０８以上、０．２
以下とすることにより、縦バイアス磁界の影響を中心部
よりも端部領域において増大させる。これにより、自由
層のトラック幅方向の中心部に印加する縦バイアス磁界
を増加させることなく、自由層の端部における磁区発生
を効率よく制御する。
【００３２】この磁気抵抗効果膜としては、例えば図１
の（ａ）に示すように、トラック幅方向の中心部よりも
小さい厚みを有する領域の厚みが一定であるものであっ
てもよい。又は、例えば図１の（ｂ）に示すように、ト
ラック幅方向の中心部よりも小さい厚みを有する領域の
厚みが傾斜しているものであってもよい。
の（ａ）に示すように、トラック幅方向の中心部よりも
小さい厚みを有する領域の厚みが一定であるものであっ
てもよい。又は、例えば図１の（ｂ）に示すように、ト
ラック幅方向の中心部よりも小さい厚みを有する領域の
厚みが傾斜しているものであってもよい。
【００３３】ここで、磁気抵抗効果膜のトラック幅方向
をｚ軸とし、磁気抵抗効果素子膜の面内においてｚ軸方
向に垂直な方向をｙ軸とし、磁気抵抗効果膜を構成する
各膜の積層方向をｘ軸とする。
をｚ軸とし、磁気抵抗効果素子膜の面内においてｚ軸方
向に垂直な方向をｙ軸とし、磁気抵抗効果膜を構成する
各膜の積層方向をｘ軸とする。
【００３４】トラック幅方向の中心部よりも小さい厚み
を有する領域は、磁気抵抗効果膜のｙｚ平面を観察した
図２の（ａ）に示すように、領域の幅をｘｅ１、ｘｅ２
とし、領域の長さを素子高さと同じとして、自由層のト
ラック幅方向の両端部に形成されているものであっても
よい。
を有する領域は、磁気抵抗効果膜のｙｚ平面を観察した
図２の（ａ）に示すように、領域の幅をｘｅ１、ｘｅ２
とし、領域の長さを素子高さと同じとして、自由層のト
ラック幅方向の両端部に形成されているものであっても
よい。
【００３５】また、図２の（ｂ）に示すように、領域の
幅をｘｅとし、領域の長さを素子高さと同じとして、自
由層のトラック幅方向の片側の端部のみに形成されてい
ても、縦バイアス磁界の影響が中心部よりも端部領域に
おいて増加し、自由層の端部における磁区発生が制御さ
れる。
幅をｘｅとし、領域の長さを素子高さと同じとして、自
由層のトラック幅方向の片側の端部のみに形成されてい
ても、縦バイアス磁界の影響が中心部よりも端部領域に
おいて増加し、自由層の端部における磁区発生が制御さ
れる。
【００３６】また、図２の（ｃ）に示すように、領域の
幅をｘｅ１、ｘｅ２とし、領域の長さを素子高さの半分
として、自由層のトラック幅方向の両端部に形成されて
いるものであってもよい。さらにまた、図２の（ｄ）に
示すように、領域の幅をｘｅ１、ｘｅ１とし、領域の長
さを適宜調整して、自由層のトラック幅方向の両端部に
複数形成されているものであってもい。
幅をｘｅ１、ｘｅ２とし、領域の長さを素子高さの半分
として、自由層のトラック幅方向の両端部に形成されて
いるものであってもよい。さらにまた、図２の（ｄ）に
示すように、領域の幅をｘｅ１、ｘｅ１とし、領域の長
さを適宜調整して、自由層のトラック幅方向の両端部に
複数形成されているものであってもい。
【００３７】なお、図２ではｘｅ１＝ｘｅ２の場合につ
いてのみ説明したが、ｘｅ１とｘｅ２とは、０．０８≦
ｘｅ１／Ｔｗｒ≦０．２及び０．０８≦ｘｅ２／Ｔｗｒ
≦０．２であるならば、ｘｅ１＜ｘｅ２、ｘｅ１＞ｘｅ
２という関係であってもよい。
いてのみ説明したが、ｘｅ１とｘｅ２とは、０．０８≦
ｘｅ１／Ｔｗｒ≦０．２及び０．０８≦ｘｅ２／Ｔｗｒ
≦０．２であるならば、ｘｅ１＜ｘｅ２、ｘｅ１＞ｘｅ
２という関係であってもよい。
【００３８】なお、素子高さとは、磁気抵抗効果素子膜
３０の面内において、トラック幅方向に垂直な方向、即
ちｘ軸方向の磁気抵抗効果素子膜３０の高さである。
（以下、素子高さをｈＭＲと称する。） また、本発明を適用するのに望ましい磁気抵抗効果膜
は、第２に実施の形態として、以下のように構成される
ことを特徴とする。即ち、自由層は、トラック幅方向の
中心部の飽和磁化よりも小さな飽和磁化を有する領域を
トラック幅方向の両端に有し、トラック幅をＴｗｒ、ト
ラック幅方向の中心部の飽和磁化よりも小さな飽和磁化
を有する領域のトラック幅方向の幅をｘｅとするとき
に、０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦０．２であることを特徴
とする。
３０の面内において、トラック幅方向に垂直な方向、即
ちｘ軸方向の磁気抵抗効果素子膜３０の高さである。
（以下、素子高さをｈＭＲと称する。） また、本発明を適用するのに望ましい磁気抵抗効果膜
は、第２に実施の形態として、以下のように構成される
ことを特徴とする。即ち、自由層は、トラック幅方向の
中心部の飽和磁化よりも小さな飽和磁化を有する領域を
トラック幅方向の両端に有し、トラック幅をＴｗｒ、ト
ラック幅方向の中心部の飽和磁化よりも小さな飽和磁化
を有する領域のトラック幅方向の幅をｘｅとするとき
に、０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦０．２であることを特徴
とする。
【００３９】本発明では、自由層の端部領域の飽和磁化
を、自由層のトラック幅方向の中心部の飽和磁化よりも
小さくし、且つ、ｘｅ／Ｔｗｒを０．０８以上、０．２
以下とすることにより、縦バイアス磁界の影響をトラッ
ク幅方向の中心部よりも端部領域において増大させる。
これにより、自由層のトラック幅方向の中心部に印加す
る縦バイアス磁界を増加させることなく、自由層の端部
における磁区発生を効率よく制御する。
を、自由層のトラック幅方向の中心部の飽和磁化よりも
小さくし、且つ、ｘｅ／Ｔｗｒを０．０８以上、０．２
以下とすることにより、縦バイアス磁界の影響をトラッ
ク幅方向の中心部よりも端部領域において増大させる。
これにより、自由層のトラック幅方向の中心部に印加す
る縦バイアス磁界を増加させることなく、自由層の端部
における磁区発生を効率よく制御する。
【００４０】この磁気抵抗効果膜としては、自由層のｘ
ｅ領域上に、自由層のｘｅ領域と反強磁性的に結合させ
る膜を介して強磁性膜を設けることにより、ｘｅ領域の
自由層の飽和磁化を制御しているものがある。また、自
由層が複数の異なる材料を含んでおり、ｘｅは、トラッ
ク幅方向の中心部の飽和磁化よりも小さな飽和磁化を有
し、且つ、トラック幅方向の中心部とは異なる材料から
なるものであってもよい。更に、自由層の厚みが、トラ
ック幅方向の中心部よりも小さい端部領域上に、自由層
のトラック幅方向の中心部よりも小さい飽和磁化を有す
る材料を埋め込んだもの等であってもよい。
ｅ領域上に、自由層のｘｅ領域と反強磁性的に結合させ
る膜を介して強磁性膜を設けることにより、ｘｅ領域の
自由層の飽和磁化を制御しているものがある。また、自
由層が複数の異なる材料を含んでおり、ｘｅは、トラッ
ク幅方向の中心部の飽和磁化よりも小さな飽和磁化を有
し、且つ、トラック幅方向の中心部とは異なる材料から
なるものであってもよい。更に、自由層の厚みが、トラ
ック幅方向の中心部よりも小さい端部領域上に、自由層
のトラック幅方向の中心部よりも小さい飽和磁化を有す
る材料を埋め込んだもの等であってもよい。
【００４１】上述した第1の実施の形態の磁気抵抗効果
膜及び第２の実施の形態の磁気抵抗効果膜の何れにおい
ても、ｘｅは、Ｔｗｒによって適宜選択されるものであ
るが、例えばＴｗｒが０．２μｍであるとき、１６ｎｍ
以上、４０ｎｍ以下であることが望ましい。特に、Ｔｗ
ｒが０．１μｍよりも小さいときには、４ｎｍ以上、２
０ｎｍ以下であることが望ましい。
膜及び第２の実施の形態の磁気抵抗効果膜の何れにおい
ても、ｘｅは、Ｔｗｒによって適宜選択されるものであ
るが、例えばＴｗｒが０．２μｍであるとき、１６ｎｍ
以上、４０ｎｍ以下であることが望ましい。特に、Ｔｗ
ｒが０．１μｍよりも小さいときには、４ｎｍ以上、２
０ｎｍ以下であることが望ましい。
【００４２】なお、ｘｅ／Ｔｗｒが０．０８より小さい
と、再生感度が十分に向上せず、十分な効果をえること
ができない。一方、ｘｅ／Ｔｗｒが０．２より大きい
と、再生出力波形の上下非対称性が１０％を越えてしま
う。ここで、再生波形の上下非対称性とは、正側出力の
ピーク値V+と負側出力のピーク値V-に対して、|V＋−V
−|/|V＋＋V−|と定義されるものである。再生波形の上
下非対称性は、小さいほど好ましく、具体的には１０％
以下であることが望ましい。
と、再生感度が十分に向上せず、十分な効果をえること
ができない。一方、ｘｅ／Ｔｗｒが０．２より大きい
と、再生出力波形の上下非対称性が１０％を越えてしま
う。ここで、再生波形の上下非対称性とは、正側出力の
ピーク値V+と負側出力のピーク値V-に対して、|V＋−V
−|/|V＋＋V−|と定義されるものである。再生波形の上
下非対称性は、小さいほど好ましく、具体的には１０％
以下であることが望ましい。
【００４３】また、上述の磁気抵抗効果膜の何れにおい
ても、自由層のトラック幅方向の中心部の厚みをＴ、厚
みＴなる領域における自由層の飽和磁化をＭｓ、厚みが
トラック幅方向の中心部よりも小さい領域の厚みをｔ、
厚みｔなる領域における自由層の飽和磁化をＭｓ’とす
るとき、０．４＜Ｍｓ’・ｔ／Ｍｓ・Ｔ＜１であること
が良い。
ても、自由層のトラック幅方向の中心部の厚みをＴ、厚
みＴなる領域における自由層の飽和磁化をＭｓ、厚みが
トラック幅方向の中心部よりも小さい領域の厚みをｔ、
厚みｔなる領域における自由層の飽和磁化をＭｓ’とす
るとき、０．４＜Ｍｓ’・ｔ／Ｍｓ・Ｔ＜１であること
が良い。
【００４４】又は、自由層のトラック幅方向の中心部の
飽和磁化をＭｓ、飽和磁化Ｍｓなる領域における自由層
の厚みをＴ、飽和磁化がトラック幅方向の中心部よりも
小さい領域の飽和磁化をＭｓ’、飽和磁化をＭｓ’なる
領域における自由層の厚みをｔとするときに、０．４＜
Ｍｓ’・ｔ／Ｍｓ・Ｔ＜１であることが良い。
飽和磁化をＭｓ、飽和磁化Ｍｓなる領域における自由層
の厚みをＴ、飽和磁化がトラック幅方向の中心部よりも
小さい領域の飽和磁化をＭｓ’、飽和磁化をＭｓ’なる
領域における自由層の厚みをｔとするときに、０．４＜
Ｍｓ’・ｔ／Ｍｓ・Ｔ＜１であることが良い。
【００４５】この範囲とすることで、再生出力波形の上
下非対称性が１０％以下となる。また、Ｍｓ’・ｔがＭ
ｓ・Ｔより小さいと、自由層のトラック幅方向の実効的
な長さは、幾何学的な自由層の幅よりも小さくなる。す
なわち、素子のアスペクト比（深さ方向の長さ/トラッ
ク幅方向の長さ）が実効的に大きくなるので、自由層の
深さ方向の自己反磁界が小さくなる。このため、自由層
の磁化が信号磁界に対して回転しやすくなり、再生感度
がさらに向上するという利点がある。
下非対称性が１０％以下となる。また、Ｍｓ’・ｔがＭ
ｓ・Ｔより小さいと、自由層のトラック幅方向の実効的
な長さは、幾何学的な自由層の幅よりも小さくなる。す
なわち、素子のアスペクト比（深さ方向の長さ/トラッ
ク幅方向の長さ）が実効的に大きくなるので、自由層の
深さ方向の自己反磁界が小さくなる。このため、自由層
の磁化が信号磁界に対して回転しやすくなり、再生感度
がさらに向上するという利点がある。
【００４６】以上のように構成される第1の実施の形態
の磁気抵抗効果膜又は第２の実施の形態の磁気抵抗効果
膜では、自由層のトラック幅方向の中心部での磁化反転
を妨げないような、小さな縦バイアス磁界を自由層に印
加するときにおいても、自由層の端部領域が単磁区化さ
れる。
の磁気抵抗効果膜又は第２の実施の形態の磁気抵抗効果
膜では、自由層のトラック幅方向の中心部での磁化反転
を妨げないような、小さな縦バイアス磁界を自由層に印
加するときにおいても、自由層の端部領域が単磁区化さ
れる。
【００４７】したがって、これらの磁気抵抗効果膜を備
える磁気ヘッドは、高い再生感度を達成できるととも
に、バルクハウゼンノイズの発生を防止されている。ま
た、本発明を適用した磁気ヘッドは、狭トラック化され
て永久磁石間の距離が小さくなり、例えばＴｗｒが０．
０５〜０．１μｍとなるときにおいても、高い再生感度
を達成できるとともに、バルクハウゼンノイズの発生を
防止されたものとなる。
える磁気ヘッドは、高い再生感度を達成できるととも
に、バルクハウゼンノイズの発生を防止されている。ま
た、本発明を適用した磁気ヘッドは、狭トラック化され
て永久磁石間の距離が小さくなり、例えばＴｗｒが０．
０５〜０．１μｍとなるときにおいても、高い再生感度
を達成できるとともに、バルクハウゼンノイズの発生を
防止されたものとなる。
【００４８】ところで、上述した磁気抵抗効果ヘッドを
備える磁気記憶装置は、例えば図３に示すように、磁気
記録媒体１と、磁気記録媒体１を駆動する磁気記録媒体
駆動部と、磁気抵抗効果ヘッドを備える磁気ヘッド２を
駆動する磁気ヘッド駆動部３と、磁気ヘッドにより再生
された磁気記録媒体１の信号を処理する再生信号処理系
４とを備える。
備える磁気記憶装置は、例えば図３に示すように、磁気
記録媒体１と、磁気記録媒体１を駆動する磁気記録媒体
駆動部と、磁気抵抗効果ヘッドを備える磁気ヘッド２を
駆動する磁気ヘッド駆動部３と、磁気ヘッドにより再生
された磁気記録媒体１の信号を処理する再生信号処理系
４とを備える。
【００４９】また、磁気抵抗効果ヘッドは、誘導型薄膜
磁気ヘッドと一体化されていてもよい。ここで、誘導型
薄膜磁気ヘッド２００は、例えば図４に示すように、下
部磁気コア２０１と、下部磁気コア２０２に対向して設
けられた上部磁気コア２０３と、上部磁気コア２０３と
下部磁気コア２０２との間に配置されたコイル２０４と
を備えるものである。
磁気ヘッドと一体化されていてもよい。ここで、誘導型
薄膜磁気ヘッド２００は、例えば図４に示すように、下
部磁気コア２０１と、下部磁気コア２０２に対向して設
けられた上部磁気コア２０３と、上部磁気コア２０３と
下部磁気コア２０２との間に配置されたコイル２０４と
を備えるものである。
【００５０】以上のように構成される磁気記憶装置は、
上述の磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドを備えてい
るので、記録密度が非常に高い、つまりトラック幅が狭
い磁気記録媒体と組み合わせても、バルクハウゼンノイ
ズが生じにくく、高再生出力を達成する。例えば、ＣＩ
Ｐ−ＧＭＲヘッドならば、１００Ｇｂ／ｉｎ２程度の記
録密度を持つ磁気記録媒体に組み合わせることが、可能
となる。また、ＴＭＲヘッドならば、１００Ｇｂ／ｉｎ
２以上の記録密度を持つ磁気記録媒体と組み合わせるこ
とが、可能となる。さらにまた、ＣＰＰ−ＧＭＲヘッド
ならば、１５０Ｇｂ／ｉｎ２以上の記録密度を持つ磁気
記録媒体と組み合わせることが、可能となる。
上述の磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッドを備えてい
るので、記録密度が非常に高い、つまりトラック幅が狭
い磁気記録媒体と組み合わせても、バルクハウゼンノイ
ズが生じにくく、高再生出力を達成する。例えば、ＣＩ
Ｐ−ＧＭＲヘッドならば、１００Ｇｂ／ｉｎ２程度の記
録密度を持つ磁気記録媒体に組み合わせることが、可能
となる。また、ＴＭＲヘッドならば、１００Ｇｂ／ｉｎ
２以上の記録密度を持つ磁気記録媒体と組み合わせるこ
とが、可能となる。さらにまた、ＣＰＰ−ＧＭＲヘッド
ならば、１５０Ｇｂ／ｉｎ２以上の記録密度を持つ磁気
記録媒体と組み合わせることが、可能となる。
【００５１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した磁気抵抗
効果ヘッドについて、具体的な実験結果に基づいて詳細
に説明する。
効果ヘッドについて、具体的な実験結果に基づいて詳細
に説明する。
【００５２】＜実施例１＞本発明を適用した磁気ヘッド
として、図５に示すように、基板５上に下部シールド膜
（ＮｉＦｅ膜）１０、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ
２Ｏ３膜）２０を形成した後、巨大磁気抵抗効果膜（Ｇ
ＭＲ膜）３０を形成してなるＣＩＰモードの巨大磁気抵
抗効果素子を備える磁気ヘッドを作製した。
として、図５に示すように、基板５上に下部シールド膜
（ＮｉＦｅ膜）１０、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ
２Ｏ３膜）２０を形成した後、巨大磁気抵抗効果膜（Ｇ
ＭＲ膜）３０を形成してなるＣＩＰモードの巨大磁気抵
抗効果素子を備える磁気ヘッドを作製した。
【００５３】ここで、ＧＭＲ膜３０は、図６の（ａ）及
び図７の（ａ）に示すプロセスに従って、以下のように
して形成した。
び図７の（ａ）に示すプロセスに従って、以下のように
して形成した。
【００５４】まず、工程ａ１では、反強磁性層（ＰｔＭ
ｎ）５０、固定層（Ｃｏ/Ｒu/Ｃｏ積層膜）４５、非磁
性中間層（Ｃｕ）４０、自由層（ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ積
層膜）３５を順次積層した。
ｎ）５０、固定層（Ｃｏ/Ｒu/Ｃｏ積層膜）４５、非磁
性中間層（Ｃｕ）４０、自由層（ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ積
層膜）３５を順次積層した。
【００５５】次に、工程ａ２では、有機レジスト膜１０
０を積層した後、ＧＭＲ膜３０をイオンミリングにより
パターニングして、自由層のトラック幅方向の長さ（以
下、Ｔｗｒと称する。）を０．２μｍとした。
０を積層した後、ＧＭＲ膜３０をイオンミリングにより
パターニングして、自由層のトラック幅方向の長さ（以
下、Ｔｗｒと称する。）を０．２μｍとした。
【００５６】次に、工程ａ３では、自由層のトラック幅
方向の端部を入射角度を変えてイオンミリングし、自由
層端部の膜厚が、自由層のトラック幅方向の中心部の膜
厚よりも薄くなるようにした。ここでは、膜厚が薄い自
由層の領域の長さ（以下、ｘｅと称する。）を０．０３
４μｍとして、ｘｅがＴｗｒに対して０．１＜ｘｅ／Ｔ
ｗｒ＜０．２となるようにした。なお、自由層のトラッ
ク幅方向の中心部の膜厚を４ｎｍ、自由層の端部の膜厚
を１．８ｎｍとした。
方向の端部を入射角度を変えてイオンミリングし、自由
層端部の膜厚が、自由層のトラック幅方向の中心部の膜
厚よりも薄くなるようにした。ここでは、膜厚が薄い自
由層の領域の長さ（以下、ｘｅと称する。）を０．０３
４μｍとして、ｘｅがＴｗｒに対して０．１＜ｘｅ／Ｔ
ｗｒ＜０．２となるようにした。なお、自由層のトラッ
ク幅方向の中心部の膜厚を４ｎｍ、自由層の端部の膜厚
を１．８ｎｍとした。
【００５７】ここで、イオンミリングとは、加速された
イオンを試料表面に当て、試料を構成する原子を表面よ
りはじき出す現象、即ちスパッタリングを利用して、薄
膜試料を作製する方法である。実施例１において自由層
の端部を除去するときには、アルゴンガス圧を０．５ｍ
Ｔｏｒｒ、加速電圧を５００Ｖとしてイオンミリングを
行い、ｘｅを制御した。また、図５に示すような磁気ヘ
ッドの断面の形状は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用
いて、詳細に観察することができる。
イオンを試料表面に当て、試料を構成する原子を表面よ
りはじき出す現象、即ちスパッタリングを利用して、薄
膜試料を作製する方法である。実施例１において自由層
の端部を除去するときには、アルゴンガス圧を０．５ｍ
Ｔｏｒｒ、加速電圧を５００Ｖとしてイオンミリングを
行い、ｘｅを制御した。また、図５に示すような磁気ヘ
ッドの断面の形状は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用
いて、詳細に観察することができる。
【００５８】次に、工程ａ４では、以上のようにして作
製されたＧＭＲ膜の両端部に、磁区制御用の膜として、
残留磁束密度が0.7Ｔの永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）
６０を、３０nm積層した後に所望の形状に加工した。さ
らに、電極７０として、永久磁石上に、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎ
ｂを積層した後に所望の形状に加工した。
製されたＧＭＲ膜の両端部に、磁区制御用の膜として、
残留磁束密度が0.7Ｔの永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）
６０を、３０nm積層した後に所望の形状に加工した。さ
らに、電極７０として、永久磁石上に、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎ
ｂを積層した後に所望の形状に加工した。
【００５９】さらに、工程ａ５では、レジスト膜を除去
した。その後、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３
膜）８０、上部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を積層し
た後に所望の形状に加工することにより、磁気ヘッドを
作製した。なお、ｈＭＲを０．１８μｍとした。
した。その後、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３
膜）８０、上部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を積層し
た後に所望の形状に加工することにより、磁気ヘッドを
作製した。なお、ｈＭＲを０．１８μｍとした。
【００６０】また、上記実施例１の磁気ヘッドの永久磁
石膜厚（以下、ｔｐｍと称する。）を適宜変化させ、異
なるｔｐｍを有する磁気ヘッドを複数作製した。
石膜厚（以下、ｔｐｍと称する。）を適宜変化させ、異
なるｔｐｍを有する磁気ヘッドを複数作製した。
【００６１】＜比較例１＞自由層の端部膜厚を薄くする
工程を含まないこと以外は実施例１と同様にして、従来
型の巨大磁気抵抗効果ヘッドを作製した。なお、従来型
の巨大磁気抵抗効果ヘッドにおけるＴｗｒ及びｈＭＲ
は、実施例１と同様である。
工程を含まないこと以外は実施例１と同様にして、従来
型の巨大磁気抵抗効果ヘッドを作製した。なお、従来型
の巨大磁気抵抗効果ヘッドにおけるＴｗｒ及びｈＭＲ
は、実施例１と同様である。
【００６２】また、比較例１の磁気ヘッドのｔｐｍを適
宜変化させ、異なるｔｐｍを有する従来型の磁気ヘッド
を複数作製した。
宜変化させ、異なるｔｐｍを有する従来型の磁気ヘッド
を複数作製した。
【００６３】以上のようにして作製した実施例１及び比
較例１に対し、３ｍＡの電流を流して、トランスファー
カーブを測定した。測定結果を、図８に示す。
較例１に対し、３ｍＡの電流を流して、トランスファー
カーブを測定した。測定結果を、図８に示す。
【００６４】図８から、実施例１は、ヒステリシスがな
く安定に動作することがわかる。一方、比較例１では、
ヒステリシスが発生し、バルクハウゼンノイズが生じや
すいことがわかる。
く安定に動作することがわかる。一方、比較例１では、
ヒステリシスが発生し、バルクハウゼンノイズが生じや
すいことがわかる。
【００６５】次に、異なるｔｐｍを有する磁気ヘッド及
び従来型の磁気ヘッドに対して、再生出力およびトラン
スファーカーブを測定した。以上の結果を図９に示す。
び従来型の磁気ヘッドに対して、再生出力およびトラン
スファーカーブを測定した。以上の結果を図９に示す。
【００６６】図９から、本発明を適用した磁気ヘッド及
び従来型の磁気ヘッドともに、ｔｐ ｍを小さくするほ
ど、即ち、縦バイアス磁界を弱くするほど、再生出力が
向上することがわかる。
び従来型の磁気ヘッドともに、ｔｐ ｍを小さくするほ
ど、即ち、縦バイアス磁界を弱くするほど、再生出力が
向上することがわかる。
【００６７】しかしながら、従来型の磁気ヘッドでは、
ｔｐｍを６０nmより小さくすると、トランスファーカー
ブにヒステリシスが生じている。このため、従来型の磁
気ヘッドのｔｐｍを小さくすることはできない。
ｔｐｍを６０nmより小さくすると、トランスファーカー
ブにヒステリシスが生じている。このため、従来型の磁
気ヘッドのｔｐｍを小さくすることはできない。
【００６８】これに対して、本発明を適用した磁気ヘッ
ドでは、ｔｐｍを小さくしてもヒステリシスは生じてい
ない。また、本発明を適用した磁気ヘッドのｔｐｍを３
０nmとすると、ｔｐｍが６０nmの従来ヘッドに比べて、
再生出力を２．５倍に向上できることがわかる。
ドでは、ｔｐｍを小さくしてもヒステリシスは生じてい
ない。また、本発明を適用した磁気ヘッドのｔｐｍを３
０nmとすると、ｔｐｍが６０nmの従来ヘッドに比べて、
再生出力を２．５倍に向上できることがわかる。
【００６９】なお、実施例１のＧＭＲ膜３０の自由層３
５を、酸化膜層を含むスペキュラ構造の自由層と置き換
えても、バルクハウゼンノイズがなく出力も高いな巨大
磁気抵抗効果ヘッドを得られることが、本発明者等によ
り確認された。
５を、酸化膜層を含むスペキュラ構造の自由層と置き換
えても、バルクハウゼンノイズがなく出力も高いな巨大
磁気抵抗効果ヘッドを得られることが、本発明者等によ
り確認された。
【００７０】なお、ＧＭＲ膜を製膜する際に、自由層３
５、非磁性中間層４０、固定層４５、反強磁性層５０の
順に積層することもできるが、本発明におけるＧＭＲ膜
は、本実施例に示す順序で積層する方が製造しやすい。
５、非磁性中間層４０、固定層４５、反強磁性層５０の
順に積層することもできるが、本発明におけるＧＭＲ膜
は、本実施例に示す順序で積層する方が製造しやすい。
【００７１】＜実施例２＞図１０に示すように、基板５
上に下部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）１０、磁気ギャップ
形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３膜）２０を形成した後、巨大
磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）３０を形成してなるＣＩＰ
モードの巨大磁気抵抗効果素子を備える磁気ヘッドを作
製した。
上に下部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）１０、磁気ギャップ
形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３膜）２０を形成した後、巨大
磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）３０を形成してなるＣＩＰ
モードの巨大磁気抵抗効果素子を備える磁気ヘッドを作
製した。
【００７２】ここで、ＧＭＲ膜３０は、図６の（ｂ）及
び図７の（ｂ）に示すプロセスに従って、以下のように
して形成した。
び図７の（ｂ）に示すプロセスに従って、以下のように
して形成した。
【００７３】まず、工程ｂ１では、反強磁性層（ＰｔＭ
ｎ）５０、固定層（Ｃｏ/Ｒu/Ｃｏ積層膜）４５、非磁
性中間層（Ｃｕ）４０、自由層（ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ積
層膜）３５を順次積層した。
ｎ）５０、固定層（Ｃｏ/Ｒu/Ｃｏ積層膜）４５、非磁
性中間層（Ｃｕ）４０、自由層（ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ積
層膜）３５を順次積層した。
【００７４】次に、工程ｂ２では、自由層上に、有機レ
ジスト膜１００を積層した後、これをマスクとして自由
層３５をイオンミリングし、トラック中心部を除く自由
層の膜厚を薄くした。
ジスト膜１００を積層した後、これをマスクとして自由
層３５をイオンミリングし、トラック中心部を除く自由
層の膜厚を薄くした。
【００７５】次に、工程ｂ３では、一旦、有機レジスト
膜１００を除去した。
膜１００を除去した。
【００７６】次に、工程ｂ４では、自由層上に、トラッ
ク幅方向の幅がより大きい有機レジスト膜１０５を積層
した。
ク幅方向の幅がより大きい有機レジスト膜１０５を積層
した。
【００７７】次に、工程ｂ５では、有機レジスト膜１０
５をマスクとして、ＧＭＲ膜３０をイオンミリングによ
りパターニングした。これにより、Ｔｗｒが０．２μ
ｍ、ｘｅが０．０６μｍとなるＧＭＲ膜３０を形成し
た。なお、自由層のトラック幅方向の中心部の膜厚を4n
m、自由層の端部の膜厚を1.8nmとした。
５をマスクとして、ＧＭＲ膜３０をイオンミリングによ
りパターニングした。これにより、Ｔｗｒが０．２μ
ｍ、ｘｅが０．０６μｍとなるＧＭＲ膜３０を形成し
た。なお、自由層のトラック幅方向の中心部の膜厚を4n
m、自由層の端部の膜厚を1.8nmとした。
【００７８】次に、工程ｂ６では、以上のようにして作
製されたＧＭＲ膜の両端部に、磁区制御用の膜として、
残留磁束密度が0.7Ｔの永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）
６０を、３０nm積層した後に所望の形状に加工した。さ
らに、電極７０として、永久磁石上に、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎ
ｂを積層した後に所望の形状に加工した。
製されたＧＭＲ膜の両端部に、磁区制御用の膜として、
残留磁束密度が0.7Ｔの永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）
６０を、３０nm積層した後に所望の形状に加工した。さ
らに、電極７０として、永久磁石上に、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎ
ｂを積層した後に所望の形状に加工した。
【００７９】次に、工程ｂ７では、レジスト膜を除去し
た。その後、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ
３膜）８０、上部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を積層
した後に所望の形状に加工することにより、磁気ヘッド
を作製した。なお、ｈＭＲは０．１８μｍとした。
た。その後、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ
３膜）８０、上部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を積層
した後に所望の形状に加工することにより、磁気ヘッド
を作製した。なお、ｈＭＲは０．１８μｍとした。
【００８０】さらに、実施例２の磁気ヘッドにおいて、
ｘｅを適宜変化させ、異なるｘｅを有するＧＭＲ膜を備
える磁気ヘッドを複数作製した。なお、磁気ヘッドのｔ
ＰＭは、全ての磁気ヘッドにおいて６０nmとした。
ｘｅを適宜変化させ、異なるｘｅを有するＧＭＲ膜を備
える磁気ヘッドを複数作製した。なお、磁気ヘッドのｔ
ＰＭは、全ての磁気ヘッドにおいて６０nmとした。
【００８１】そして、異なるｘｅを有する磁気ヘッドの
各に対して、再生出力と、再生波形の上下非対称性Asy
m.とを測定した。以上の結果を図１１に示す。
各に対して、再生出力と、再生波形の上下非対称性Asy
m.とを測定した。以上の結果を図１１に示す。
【００８２】なお、Asym.とは、正側出力のピーク値V+
と負側出力のピーク値V-に対して、Asym.=|V+− V-|/|V
+＋ V-|と定義する。Asym.は、小さい値であるほど好ま
しく、具体的には１０％以下であることが望ましい。
と負側出力のピーク値V-に対して、Asym.=|V+− V-|/|V
+＋ V-|と定義する。Asym.は、小さい値であるほど好ま
しく、具体的には１０％以下であることが望ましい。
【００８３】図１１から、Ｔｗｒに対するｘｅの比であ
るｘｅ／Ｔｗｒが0より大きく０．４５より小さいと、
再生出力が向上することがわかる。また、ｘｅ／Ｔｗｒ
が０より大きく０．４５より小さい範囲では、トランス
ファーカーブにヒステリシスが生じなかった。
るｘｅ／Ｔｗｒが0より大きく０．４５より小さいと、
再生出力が向上することがわかる。また、ｘｅ／Ｔｗｒ
が０より大きく０．４５より小さい範囲では、トランス
ファーカーブにヒステリシスが生じなかった。
【００８４】また、ｘｅ／Ｔｗｒが０．１より大きく
０．２より小さいとき、Asym.が１０％以下と良好で再
生出力も高い再生ヘッドが得られた。
０．２より小さいとき、Asym.が１０％以下と良好で再
生出力も高い再生ヘッドが得られた。
【００８５】＜実施例３＞図１２の（ａ）に示すよう
に、基板５上に下部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）１０、磁
気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３膜）２０を形成し
た後、巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）３０を形成して
なるＣＩＰモードの巨大磁気抵抗効果素子を備える磁気
ヘッドを作製した。
に、基板５上に下部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）１０、磁
気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３膜）２０を形成し
た後、巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）３０を形成して
なるＣＩＰモードの巨大磁気抵抗効果素子を備える磁気
ヘッドを作製した。
【００８６】ここで、ＧＭＲ膜３０は、図６の（ｃ）に
示すプロセスに従って、以下のようにして形成した。
示すプロセスに従って、以下のようにして形成した。
【００８７】まず、工程ｃ１では、反強磁性層（ＰｔＭ
ｎ）５０、固定層（Ｃｏ/Ｒu/Ｃｏ積層膜）４５、非磁
性中間層（Ｃｕ）４０、自由層（ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ積
層膜）３５を順次積層した。ここで、自由層の飽和磁化
は1.3×106Ａ／ｍであった。また、自由層の膜厚を4nm
とした。
ｎ）５０、固定層（Ｃｏ/Ｒu/Ｃｏ積層膜）４５、非磁
性中間層（Ｃｕ）４０、自由層（ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ積
層膜）３５を順次積層した。ここで、自由層の飽和磁化
は1.3×106Ａ／ｍであった。また、自由層の膜厚を4nm
とした。
【００８８】次に、工程ｃ２では、自由層上に、有機レ
ジスト膜１００を積層した後、これを有機レジスト膜１
００をマスクとして自由層３５をイオンミリングし、ト
ラック中心部を除く自由層の端部を除去した。
ジスト膜１００を積層した後、これを有機レジスト膜１
００をマスクとして自由層３５をイオンミリングし、ト
ラック中心部を除く自由層の端部を除去した。
【００８９】次に、工程ｃ３では、自由層を除去した部
分に飽和磁化が0.8×106Ａ／ｍである強磁性膜（ＮｉＦ
ｅ）３６を4nm積層した。
分に飽和磁化が0.8×106Ａ／ｍである強磁性膜（ＮｉＦ
ｅ）３６を4nm積層した。
【００９０】次に、工程ｃ４では、一旦、有機レジスト
膜を除去した。
膜を除去した。
【００９１】次に、工程ｃ５では、自由層上に、トラッ
ク幅方向の幅がより大きい有機レジスト膜を積層した。
ク幅方向の幅がより大きい有機レジスト膜を積層した。
【００９２】次に、工程ｃ６では、有機レジスト膜をマ
スクとして、ＧＭＲ膜をイオンミリングによりパターニ
ングした。これにより、Ｔｗｒが０．２μｍ、ｘｅが
０．０３４μｍとなるＧＭＲ膜を形成した。
スクとして、ＧＭＲ膜をイオンミリングによりパターニ
ングした。これにより、Ｔｗｒが０．２μｍ、ｘｅが
０．０３４μｍとなるＧＭＲ膜を形成した。
【００９３】次に、工程ｃ７では、以上のようにして作
製されたＧＭＲ膜の両端部に、磁区制御用の膜として、
残留磁束密度が0.7Ｔの永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）
６０を、３０nm積層した後に所望の形状に加工した。さ
らに、電極７０として、永久磁石上に、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎ
ｂを積層した後に所望の形状に加工した。
製されたＧＭＲ膜の両端部に、磁区制御用の膜として、
残留磁束密度が0.7Ｔの永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）
６０を、３０nm積層した後に所望の形状に加工した。さ
らに、電極７０として、永久磁石上に、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎ
ｂを積層した後に所望の形状に加工した。
【００９４】次に、工程ｃ８では、レジスト膜を除去し
た。その後、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ
３膜）８０、上部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を積層
した後に所望の形状に加工することにより、磁気ヘッド
を作製した。なお、ｈＭＲは０．１８μｍとした。
た。その後、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ
３膜）８０、上部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を積層
した後に所望の形状に加工することにより、磁気ヘッド
を作製した。なお、ｈＭＲは０．１８μｍとした。
【００９５】以上のように構成された実施例３の磁気ヘ
ッドによれば、バルクハウゼンノイズがなく、高い再生
出力が得られることが、本発明者等により確認された。
ッドによれば、バルクハウゼンノイズがなく、高い再生
出力が得られることが、本発明者等により確認された。
【００９６】なお、ＥＤＸ分析（エネルギー分散型Ｘ線
分析）法を用いて磁気抵抗効果素子の成分分析を行うこ
とにより、自由層が、トラック幅方向の中心部と端部と
で飽和磁化の異なる材料から構成されていることが確認
できる。ここで、ＥＤＸ分析とは、固体表面に細く絞っ
た電子線を照射して、励起された特性Ｘ線を検出する方
法である。
分析）法を用いて磁気抵抗効果素子の成分分析を行うこ
とにより、自由層が、トラック幅方向の中心部と端部と
で飽和磁化の異なる材料から構成されていることが確認
できる。ここで、ＥＤＸ分析とは、固体表面に細く絞っ
た電子線を照射して、励起された特性Ｘ線を検出する方
法である。
【００９７】さらに、上記実施例３の磁気ヘッドの磁気
抵抗効果膜として、図１２の（ｂ）に示すように、自由
層３５の端部を完全に除去せず、自由層３５の端部領域
の厚み（ｔ）を適宜調整し、この自由層３５の端部上
に、飽和磁化が0.8×106Ａ／ｍであるＮｉＦｅを積層し
てなる磁気抵抗効果膜を複数作製した。そして、これら
の磁気抵抗効果膜を備える磁気ヘッドを複数作製し、そ
の各々に対して、再生波形の上下非対称性Asym.を測定
した。以上の結果を、図１３に示す。
抵抗効果膜として、図１２の（ｂ）に示すように、自由
層３５の端部を完全に除去せず、自由層３５の端部領域
の厚み（ｔ）を適宜調整し、この自由層３５の端部上
に、飽和磁化が0.8×106Ａ／ｍであるＮｉＦｅを積層し
てなる磁気抵抗効果膜を複数作製した。そして、これら
の磁気抵抗効果膜を備える磁気ヘッドを複数作製し、そ
の各々に対して、再生波形の上下非対称性Asym.を測定
した。以上の結果を、図１３に示す。
【００９８】図１３から、トラック幅方向の中心部の飽
和磁化（Ｍｓ）と膜厚（Ｔ）との積に対する、厚みがト
ラック幅方向の中心部よりも小さい領域の厚み（ｔ）と
厚みｔなる領域における自由層の飽和磁化（Ｍｓ’）と
の積の比であるＭｓ’・ｔ／Ｍｓ・Ｔが、０．４より大
きく１より小さいとき、Asym.は１０％以下となり、再
高い再生出力を達成する磁気ヘッドが得られることがわ
かる。
和磁化（Ｍｓ）と膜厚（Ｔ）との積に対する、厚みがト
ラック幅方向の中心部よりも小さい領域の厚み（ｔ）と
厚みｔなる領域における自由層の飽和磁化（Ｍｓ’）と
の積の比であるＭｓ’・ｔ／Ｍｓ・Ｔが、０．４より大
きく１より小さいとき、Asym.は１０％以下となり、再
高い再生出力を達成する磁気ヘッドが得られることがわ
かる。
【００９９】＜実施例４＞図１４に示すように、基板５
上に下部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）１０、磁気ギャップ
形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３膜）２０を形成した後、巨大
磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）３０を形成してなるＣＩＰ
モードの巨大磁気抵抗効果素子を備える磁気ヘッドを作
製した。
上に下部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）１０、磁気ギャップ
形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ３膜）２０を形成した後、巨大
磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）３０を形成してなるＣＩＰ
モードの巨大磁気抵抗効果素子を備える磁気ヘッドを作
製した。
【０１００】ここで、ＧＭＲ膜３０は、図６の（ｄ）に
示すプロセスに従って、以下のようにして形成した。
示すプロセスに従って、以下のようにして形成した。
【０１０１】まず、工程ｄ１では、反強磁性層（ＰｔＭ
ｎ）５０、固定層（Ｃｏ/Ｒu/Ｃｏ積層膜）４５、非磁
性中間層（Ｃｕ）４０、自由層（ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ積
層膜）３５を順次積層した。ここで、自由層の飽和磁化
は1.3×106Ａ／ｍであった。また、自由層の膜厚を4nm
とした。
ｎ）５０、固定層（Ｃｏ/Ｒu/Ｃｏ積層膜）４５、非磁
性中間層（Ｃｕ）４０、自由層（ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ積
層膜）３５を順次積層した。ここで、自由層の飽和磁化
は1.3×106Ａ／ｍであった。また、自由層の膜厚を4nm
とした。
【０１０２】次に、工程ｄ２では、自由層のトラック幅
方向の中心部上に、有機レジスト膜を積層した。
方向の中心部上に、有機レジスト膜を積層した。
【０１０３】次に、工程ｄ３では、自由層の端部、即ち
自由層上に有機レジスト膜が積層されていない領域に、
Ｒu５１（0.8nm）、ＮｉＦｅ５２（1.6nm）を積層し
た。レジスト膜がない部分の自由層３５の正味の飽和磁
化は、実効的に0.8×106Ａ／ｍと小さくなる。これは、
レジスト膜がない部分の自由層とＮｉＦｅ５２とが反強
磁性的に強く結合されるためである。
自由層上に有機レジスト膜が積層されていない領域に、
Ｒu５１（0.8nm）、ＮｉＦｅ５２（1.6nm）を積層し
た。レジスト膜がない部分の自由層３５の正味の飽和磁
化は、実効的に0.8×106Ａ／ｍと小さくなる。これは、
レジスト膜がない部分の自由層とＮｉＦｅ５２とが反強
磁性的に強く結合されるためである。
【０１０４】次に、工程ｄ４では、一旦、有機レジスト
膜を除去した。
膜を除去した。
【０１０５】次に、工程ｄ５では、自由層上に、トラッ
ク幅方向の幅がより大きい有機レジスト膜を積層した。
ク幅方向の幅がより大きい有機レジスト膜を積層した。
【０１０６】次に、工程ｄ６では、有機レジスト膜をマ
スクとして、ＧＭＲ膜をイオンミリングによりパターニ
ングした。これにより、Ｔｗｒが０．２μｍ、正味の飽
和磁化が小さい領域の長さｘｅが０．０３４μｍのＧＭ
Ｒ膜３０を形成した。
スクとして、ＧＭＲ膜をイオンミリングによりパターニ
ングした。これにより、Ｔｗｒが０．２μｍ、正味の飽
和磁化が小さい領域の長さｘｅが０．０３４μｍのＧＭ
Ｒ膜３０を形成した。
【０１０７】次に、工程ｄ７では、以上のようにして作
製されたＧＭＲ膜の両端部に、磁区制御用の膜として、
残留磁束密度が0.7Ｔの永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）
６０を、３０nm積層した後に所望の形状に加工した。さ
らに、電極７０として、永久磁石上に、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎ
ｂを積層した後に所望の形状に加工した。
製されたＧＭＲ膜の両端部に、磁区制御用の膜として、
残留磁束密度が0.7Ｔの永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）
６０を、３０nm積層した後に所望の形状に加工した。さ
らに、電極７０として、永久磁石上に、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎ
ｂを積層した後に所望の形状に加工した。
【０１０８】次に、工程ｄ８では、レジスト膜を除去し
た。その後、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ
３膜）８０、上部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を積層
した後に所望の形状に加工することにより、磁気ヘッド
を作製した。なお、ｈＭＲは０．１８μｍとした。
た。その後、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ２Ｏ
３膜）８０、上部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）９０を積層
した後に所望の形状に加工することにより、磁気ヘッド
を作製した。なお、ｈＭＲは０．１８μｍとした。
【０１０９】以上のように構成された実施例４の磁気ヘ
ッドによれば、バルクハウゼンノイズがなく、高い再生
出力が得られることが、本発明者等により確認された。
ッドによれば、バルクハウゼンノイズがなく、高い再生
出力が得られることが、本発明者等により確認された。
【０１１０】＜実施例５＞図１５に示すように、基板５
上に、下部電極膜（ＮｉＦｅ膜）を兼ねた下部磁気シー
ルド膜１０を形成し、その上に巨大磁気抵抗効果膜（Ｇ
ＭＲ膜）３０を形成してなるＣＰＰモードの巨大磁気抵
抗効果素子を備える磁気ヘッドを作製した。
上に、下部電極膜（ＮｉＦｅ膜）を兼ねた下部磁気シー
ルド膜１０を形成し、その上に巨大磁気抵抗効果膜（Ｇ
ＭＲ膜）３０を形成してなるＣＰＰモードの巨大磁気抵
抗効果素子を備える磁気ヘッドを作製した。
【０１１１】ここで、ＧＭＲ膜３０の形成は、Ｔｗｒを
０．１μｍ、ｘｅを０．０１５μｍとすること以外は実
施例１にて説明した図６の（ａ）に示すプロセスと同様
にして行った。
０．１μｍ、ｘｅを０．０１５μｍとすること以外は実
施例１にて説明した図６の（ａ）に示すプロセスと同様
にして行った。
【０１１２】以上のようにして作製されたＧＭＲ膜の両
端部に、磁区制御用の膜として、上下に絶縁膜（Ａｌ２
Ｏ３膜）６５を積層した永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）
６０を、３０nm積層して所望の形状に加工した。ここ
で、永久磁石膜の残留磁束密度は0.7Ｔである。さら
に、上部電極膜（ＮｉＦｅ膜）を兼ねた上部磁気シール
ド層９０を配設することにより、磁気ヘッドを作製し
た。なお、ｈＭＲは０．１μｍとした。
端部に、磁区制御用の膜として、上下に絶縁膜（Ａｌ２
Ｏ３膜）６５を積層した永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）
６０を、３０nm積層して所望の形状に加工した。ここ
で、永久磁石膜の残留磁束密度は0.7Ｔである。さら
に、上部電極膜（ＮｉＦｅ膜）を兼ねた上部磁気シール
ド層９０を配設することにより、磁気ヘッドを作製し
た。なお、ｈＭＲは０．１μｍとした。
【０１１３】以上のようにして作製された実施例５の磁
気ヘッドによれば、実施例１と比較してトラック幅を狭
くしているが、、バルクハウゼンノイズがなく高い再生
出力を達成できることが本発明者等によって確認され
た。
気ヘッドによれば、実施例１と比較してトラック幅を狭
くしているが、、バルクハウゼンノイズがなく高い再生
出力を達成できることが本発明者等によって確認され
た。
【０１１４】＜実施例６＞基板上に、下部電極膜（Ｎｉ
Ｆｅ膜）を兼ねた下部磁気シールド膜を形成し、その上
にトンネル磁気抵抗効果膜（ＴＭＲ膜）を形成してなる
トンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製した。
Ｆｅ膜）を兼ねた下部磁気シールド膜を形成し、その上
にトンネル磁気抵抗効果膜（ＴＭＲ膜）を形成してなる
トンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製した。
【０１１５】ここで、ＴＭＲ膜は、以下のようにして形
成した。まず、反強磁性層（ＰｔＭｎ）、固定層（Ｃｏ
/Ｒu/Ｃｏ積層膜）、トンネルバリア層、自由層（Ｎｉ
Ｆｅ／ＣｏＦｅ積層膜）を順次積層した。
成した。まず、反強磁性層（ＰｔＭｎ）、固定層（Ｃｏ
/Ｒu/Ｃｏ積層膜）、トンネルバリア層、自由層（Ｎｉ
Ｆｅ／ＣｏＦｅ積層膜）を順次積層した。
【０１１６】次に、有機レジスト膜を積層した。
【０１１７】次に、ＴＭＲ膜をイオンミリングによりパ
ターニングして、Ｔｗｒを０．１２μｍとした。
ターニングして、Ｔｗｒを０．１２μｍとした。
【０１１８】次に、自由層のトラック幅方向の端部を、
入射角度を変えてイオンミリングし、自由層端部の膜厚
が、自由層のトラック幅方向の中心部の膜厚よりも薄く
なるようにした。ここでは、膜厚が薄い自由層の領域の
長さｘｅを０．０１８μｍとして、ｘｅがＴｗｒに対し
て０．８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦０．２となるようにした。な
お、自由層のトラック幅方向の中心部の膜厚を4nm、自
由層の端部の膜厚を1.8nmとした。
入射角度を変えてイオンミリングし、自由層端部の膜厚
が、自由層のトラック幅方向の中心部の膜厚よりも薄く
なるようにした。ここでは、膜厚が薄い自由層の領域の
長さｘｅを０．０１８μｍとして、ｘｅがＴｗｒに対し
て０．８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦０．２となるようにした。な
お、自由層のトラック幅方向の中心部の膜厚を4nm、自
由層の端部の膜厚を1.8nmとした。
【０１１９】以上のようにして作製されたＴＭＲ膜の両
端部に、磁区制御用の膜として、上下に絶縁膜（Ａｌ２
Ｏ３膜）を積層した永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）を、
３０nm積層して所望の形状に加工した。ここで、永久磁
石膜の残留磁束密度は0.7Ｔである。さらに、上部電極
膜（ＮｉＦｅ膜）を兼ねた上部磁気シールド層を配設す
ることにより、磁気ヘッドを作製した。なお、ｈＭＲは
０．１μｍとした。
端部に、磁区制御用の膜として、上下に絶縁膜（Ａｌ２
Ｏ３膜）を積層した永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）を、
３０nm積層して所望の形状に加工した。ここで、永久磁
石膜の残留磁束密度は0.7Ｔである。さらに、上部電極
膜（ＮｉＦｅ膜）を兼ねた上部磁気シールド層を配設す
ることにより、磁気ヘッドを作製した。なお、ｈＭＲは
０．１μｍとした。
【０１２０】以上のようにして作製された実施例６の磁
気ヘッドによれば、実施例１と比較してトラック幅を狭
くしているが、、バルクハウゼンノイズがなく高い再生
出力を達成できることが本発明者等によって確認され
た。
気ヘッドによれば、実施例１と比較してトラック幅を狭
くしているが、、バルクハウゼンノイズがなく高い再生
出力を達成できることが本発明者等によって確認され
た。
【０１２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、バルクハウゼンノイズが生じ難く、且つ再生
出力が高い磁気抵抗効果素子及びそれを備える磁気抵抗
効果ヘッドを得ることができる。
によれば、バルクハウゼンノイズが生じ難く、且つ再生
出力が高い磁気抵抗効果素子及びそれを備える磁気抵抗
効果ヘッドを得ることができる。
【０１２２】また、本発明によれば、例えば１００Gbit
/in2という超高密度記録の媒体と組み合わせた磁気記憶
装置を実現できる。
/in2という超高密度記録の媒体と組み合わせた磁気記憶
装置を実現できる。
【図１】本発明を適用した磁気抵抗効果膜の自由層端部
の形状を示す模式図である。
の形状を示す模式図である。
【図２】本発明を適用した磁気抵抗効果膜のｙｚ平面を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図３】本発明を適用した磁気記憶装置の模式図であ
る。
る。
【図４】本発明を適用した磁気ヘッドの模式図である。
【図５】ＣＩＰモードの磁気抵抗効果ヘッドの、摺動面
と平行な面の断面図である。
と平行な面の断面図である。
【図６】本発明による巨大磁気抵抗効果膜の製造プロセ
スを示すフローチャートである。
スを示すフローチャートである。
【図７】本発明による巨大磁気抵抗効果膜の製造プロセ
スを示す図である。
スを示す図である。
【図８】トランスファーカーブを示す特性図である。
【図９】再生出力の永久磁石膜厚依存性を示す特性図で
ある。
ある。
【図１０】ＣＩＰモードの巨大磁気抵抗効果ヘッドの、
摺動面と平行な面の断面図である。
摺動面と平行な面の断面図である。
【図１１】ｘｅ／Ｔｗｒと再生出力、並びに再生波形の
上下非対称性との依存性を示す特性図である。
上下非対称性との依存性を示す特性図である。
【図１２】ＣＩＰモードの巨大磁気抵抗効果ヘッドの、
摺動面と平行な面の断面図である。
摺動面と平行な面の断面図である。
【図１３】再生出力および再生波形の上下非対称性のMs
1t1/Ms2t2依存性を示す特性図である。
1t1/Ms2t2依存性を示す特性図である。
【図１４】ＣＩＰモードの巨大磁気抵抗効果ヘッドの、
摺動面と平行な面の断面図である。
摺動面と平行な面の断面図である。
【図１５】ＣＰＰモードの巨大磁気抵抗効果ヘッドの、
摺動面と平行な面の断面図である。
摺動面と平行な面の断面図である。
【図１６】従来のＣＩＰモード巨大磁気抵抗効果ヘッド
の断面図である。
の断面図である。
【図１７】従来のＣＰＰモード巨大磁気抵抗効果ヘッド
の断面図である。
の断面図である。
【図１８】従来のトンネル磁気抵抗効果膜の断面図であ
る。
る。
【図１９】縦バイアス磁界のトラック幅方向の分布を示
す特性図である。
す特性図である。
５ 基板、１０ 下部シ−ルド膜、２０ 下部磁気ギャ
ップ形成用絶縁膜、３０ 巨大磁気抵抗効果膜、３１
トンネル磁気抵抗効果膜、３５ 自由層、３６巨大磁性
膜、４０ Ｃｕ、４１ トンネル障壁層、４５ 固定
層、５０ 反強磁性層、５１ Ｒu、５２ ＮｉＦｅ、
６０ 永久磁石膜、６５ Ａｌ２Ｏ３膜、７０ 電極、
８０ 上部磁気ギャップ形成用絶縁膜、９０ 上部シ−
ルド膜、１００ 有機レジスト膜、１０５ 有機レジス
ト膜、１１０ イオンミリング。
ップ形成用絶縁膜、３０ 巨大磁気抵抗効果膜、３１
トンネル磁気抵抗効果膜、３５ 自由層、３６巨大磁性
膜、４０ Ｃｕ、４１ トンネル障壁層、４５ 固定
層、５０ 反強磁性層、５１ Ｒu、５２ ＮｉＦｅ、
６０ 永久磁石膜、６５ Ａｌ２Ｏ３膜、７０ 電極、
８０ 上部磁気ギャップ形成用絶縁膜、９０ 上部シ−
ルド膜、１００ 有機レジスト膜、１０５ 有機レジス
ト膜、１１０ イオンミリング。
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フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5D034 BA03 BA12 BB08 CA04 DA07
5E049 AA04 AA09 AC00 AC05 BA12
CB02 DB12 FC01 GC01
Claims (22)
- 【請求項１】反強磁性層と、第２の磁性層と、非磁性中
間層と、第１の磁性層とがこの順に積層されてなり、 該第１の磁性層は、厚みがトラック幅方向の中心部より
も小さい領域を、トラック幅方向の両端に有し、 トラック幅をＴｗｒ、厚みがトラック幅方向の中心部よ
りも小さい領域のトラック幅方向の幅をｘｅとするとき
に、０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦０．２であることを特徴
とする磁気抵抗効果素子。 - 【請求項２】第１の磁性層のトラック幅方向の中心部の
厚みをＴ、厚みＴなる領域における第１の磁性層の飽和
磁化をＭｓ、厚みがトラック幅方向の中心部よりも小さ
い領域の厚みをｔ、厚みｔなる領域における第１の磁性
層の飽和磁化をＭｓ’とするときに、０．４＜Ｍｓ’・
ｔ／Ｍｓ・Ｔ＜１であることを特徴とする請求項１記載
の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項３】上記第１の磁性層は、飽和磁化の異なる複
数の材料を含むことを特徴とする請求項１記載の磁気抵
抗効果素子。 - 【請求項４】反強磁性層と、第２の磁性層と、非磁性中
間層と、第１の磁性層とがこの順に積層されてなり、 該第１の磁性層は、トラック幅方向の中心部の飽和磁化
よりも小さな飽和磁化を有する領域を、トラック幅方向
の両端に有し、 トラック幅をＴｗｒ、トラック幅方向の中心部の飽和磁
化よりも小さな飽和磁化を有する領域のトラック幅方向
の幅をｘｅとするときに、０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦
０．２であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 【請求項５】第１の磁性層のトラック幅方向の中心部の
飽和磁化をＭｓ、飽和磁化Ｍｓなる領域における第１の
磁性層の厚みをＴ、飽和磁化がトラック幅方向の中心部
よりも小さい領域の飽和磁化をＭｓ’、飽和磁化をＭ
ｓ’なる領域における第１の磁性層の厚みをｔとすると
きに、０．４＜Ｍｓ’・ｔ／Ｍｓ・Ｔ＜１であることを
特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果素子。 - 【請求項６】上記第１の磁性層は、飽和磁化の異なる複
数の材料を含むことを特徴とする請求項４記載の磁気抵
抗効果素子。 - 【請求項７】上部シールドと、下部シールドと、該上部
シールドと該下部シールドとの間に配設された磁気抵抗
効果素子と、該磁気抵抗効果型素子のトラック幅方向の
両端に設けられた磁区制御膜とを備え、 該磁気抵抗効果素子は、反強磁性層と、第２の磁性層
と、非磁性中間層と、第１の磁性層とがこの順に積層さ
れてなり、該第１の磁性層は、厚みがトラック幅方向の
中心部よりも小さい領域をトラック幅方向の両端に有
し、 トラック幅をＴｗｒ、厚みがトラック幅方向の中心部よ
りも小さい領域のトラック幅方向の幅をｘｅとするとき
に、０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦０．２であることを特徴
とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項８】第１の磁性層のトラック幅方向の中心部の
厚みをＴ、厚みＴなる領域における第１の磁性層の飽和
磁化をＭｓ、厚みがトラック幅方向の中心部よりも小さ
い領域の厚みをｔ、厚みｔなる領域における第１の磁性
層の飽和磁化をＭｓ’とするときに、０．４＜Ｍｓ’・
ｔ／Ｍｓ・Ｔ＜１であることを特徴とする請求項７記載
の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項９】上記第１の磁性層は、飽和磁化の異なる複
数の材料を含むことを特徴とする請求項７記載の磁気抵
抗効果ヘッド。 - 【請求項１０】上部シールドと、下部シールドと、該上
部シールドと該下部シールドとの間に配設された磁気抵
抗効果素子と、該磁気抵抗効果型素子のトラック幅方向
の両端に設けられた磁区制御膜とを備え、 該磁気抵抗効果素子は、反強磁性層と、第２の磁性層
と、非磁性中間層と、第１の磁性層とがこの順に積層さ
れてなり、該第１の磁性層は、トラック幅方向の中心部
の飽和磁化よりも小さな飽和磁化を有する領域を、トラ
ック幅方向の両端に有し、 トラック幅をＴｗｒ、トラック幅方向の中心部の飽和磁
化よりも小さな飽和磁化を有する領域のトラック幅方向
の幅をｘｅとするときに、０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦
０．２であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項１１】第１の磁性層のトラック幅方向の中心部
の飽和磁化をＭｓ、飽和磁化Ｍｓなる領域における第１
の磁性層の厚みをＴ、飽和磁化がトラック幅方向の中心
部よりも小さい領域の飽和磁化をＭｓ’、飽和磁化をＭ
ｓ’なる領域における第１の磁性層の厚みをｔとすると
きに、０．４＜Ｍｓ’・ｔ／Ｍｓ・Ｔ＜１であることを
特徴とする請求項１０記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項１２】上記第１の磁性層は、飽和磁化の異なる
複数の材料を含むことを特徴とする請求項１０記載の磁
気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項１３】磁気記録媒体と、 上部シールドと、下部シールドと、該上部シールドと該
下部シールドとの間に配設された磁気抵抗効果素子と、
該磁気抵抗効果型素子のトラック幅方向の両端に設けら
れた磁区制御膜とを備える磁気ヘッドと、 該磁気ヘッドを駆動する磁気ヘッド駆動部と、 該磁気記録媒体を駆動する磁気記録媒体駆動部と、 該磁気ヘッドにより再生された該磁気記録媒体の信号を
処理する再生信号処理系とを備え、 該磁気抵抗効果素子は、反強磁性層と、第２の磁性層
と、非磁性中間層と、第１の磁性層とがこの順に積層さ
れてなり、該第１の磁性層は、厚みがトラック幅方向の
中心部よりも小さい領域を、トラック幅方向の両端に有
し、 トラック幅をＴｗｒ、厚みがトラック幅方向の中心部よ
りも小さい領域のトラック幅方向の幅をｘｅとするとき
に、０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦０．２であることを特徴
とする磁気記憶装置。 - 【請求項１４】第１の磁性層のトラック幅方向の中心部
の厚みをＴ、厚みＴなる領域における第１の磁性層の飽
和磁化をＭｓ、厚みがトラック幅方向の中心部よりも小
さい領域の厚みをｔ、厚みｔなる領域における第１の磁
性層の飽和磁化をＭｓ’とするときに、０．４＜Ｍｓ’
・ｔ／Ｍｓ・Ｔ＜１であることを特徴とする請求項１３
記載の磁気記憶装置。 - 【請求項１５】上記第１の磁性層は、飽和磁化の異なる
複数の材料を含むことを特徴とする請求項１３記載の磁
気記憶装置。 - 【請求項１６】磁気記録媒体と、 上部シールドと、下部シールドと、該上部シールドと該
下部シールドとの間に配設された磁気抵抗効果素子と、
該磁気抵抗効果型素子のトラック幅方向の両端に設けら
れた磁区制御膜とを備え、該磁気記録媒体の再生を行う
磁気ヘッドと、 該磁気ヘッドを駆動する磁気ヘッド駆動部と、 該磁気記録媒体を駆動する磁気記録媒体駆動部と、 該磁気ヘッドにより再生された該磁気記録媒体の信号を
処理する再生信号処理系とを備え、 該磁気抵抗効果素子は、反強磁性層と、第２の磁性層
と、非磁性中間層と、第１の磁性層とがこの順に積層さ
れてなり、該第１の磁性層は、トラック幅方向の中心部
の飽和磁化よりも小さな飽和磁化を有する領域をトラッ
ク幅方向の両端に有し、 トラック幅をＴｗｒ、トラック幅方向の中心部の飽和磁
化よりも小さな飽和磁化を有する領域のトラック幅方向
の幅をｘｅとするときに、０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦
０．２であることを特徴とする磁気記憶装置。 - 【請求項１７】第１の磁性層のトラック幅方向の中心部
の飽和磁化をＭｓ、飽和磁化Ｍｓなる領域における第１
の磁性層の厚みをＴ、飽和磁化がトラック幅方向の中心
部よりも小さい領域の飽和磁化をＭｓ’、飽和磁化をＭ
ｓ’なる領域における第１の磁性層の厚みをｔとすると
きに、０．４＜Ｍｓ’・ｔ／Ｍｓ・Ｔ＜１であることを
特徴とする請求項１６記載の磁気記憶装置。 - 【請求項１８】上記第１の磁性層は、飽和磁化の異なる
複数の材料を含むことを特徴とする請求項Ｆ記載１６磁
気記憶装置。 - 【請求項１９】反強磁性層、第２の磁性層、非磁性中間
層、及び第１の磁性層を積層して磁気抵抗効果膜を形成
する工程と、 前記第１の磁性層上にレジストパターンを形成する工程
と、 前記レジストパターンをマスクとして、第１の入射角度
で、磁気抵抗効果膜をミリングする工程と、 前記第１の入射角度とは異なる第２の入射角度で、前記
自由層のトラック幅方向端部をミリングする工程と前記
磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両端に磁区制御膜を
形成し、更に、前記磁気抵抗効果膜に電気的接触させる
電極を形成する工程と、 前記レジストパターンを除去する工程とを備えることを
特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。 - 【請求項２０】反強磁性層、第２の磁性層、非磁性中間
層、及び第１の磁性層を積層して磁気抵抗効果膜を形成
する工程と、 前記第１の磁性層上に第１のレジストパターンを形成す
る工程と、 第１のレジストパターンをマスクとして、第１の磁性層
をミリングする工程と、 第１のレジストパターンを除去する工程と、 第１のレジストパターンよりトラック幅方向の幅が広い
第２のレジストパターンを形成する工程と、 前記第２のレジストパターンをマスクとして、前記磁気
抵抗効果膜をミリングする工程と、 前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両端に磁区制御
膜を形成し、更に、前記磁気抵抗効果膜に電気的接触さ
せる電極を形成する工程と 前記第２のレジストパターンを除去する工程とを備える
ことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。 - 【請求項２１】反強磁性層、第２の磁性層、非磁性中間
層、及び第１の磁性層を積層して磁気抵抗効果膜を形成
する工程と、 第１の磁性層上に第１のレジストパターンを形成する工
程と、 第１のレジストパターンをマスクとして、第１の磁性層
のトラック幅方向の端部をミリングする工程と、 第１の磁性層より小さい飽和磁化を有する強磁性膜を、
ミリング後の第１の磁性層の端部に配設する工程と、 第１のレジストパターンを除去する工程と、 第１のレジストパターンよりトラック幅方向の幅が広い
第２のレジストパターンを形成する工程と、 第２のレジストパターンをマスクとして、前記磁気抵抗
効果膜をミリングする工程と、 前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両端に磁区制御
膜を形成し、更に、前記磁気抵抗効果膜に電気的接触さ
せる電極を形成する工程と第２のレジストパターンを除
去する工程とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項２２】反強磁性層、第２の磁性層、非磁性中間
層、及び第１の磁性層を積層して磁気抵抗効果膜を形成
する工程と、 前記第１の磁性層の中心部に、第１のレジストパターン
を形成する工程と、 第１のレジストパターンが形成されていない第１の磁性
層の端部領域に、中間層及び強磁性層を積層する工程
と、 前記レジストパターンを除去する工程と、 第１のレジストパターンよりトラック幅方向の幅が広い
第２のレジストパターンを形成する工程と、 前記第２のレジストパターンをマスクとして、所定の入
射角度で、磁気抵抗効果膜をミリングする工程と、 前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両端に磁区制御
膜を形成し、更に、前記磁気抵抗効果膜に電気的接触さ
せる電極を形成する工程と第２のレジストパターンを除
去する工程とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002048942A JP3984839B2 (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 磁気抵抗効果ヘッド |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002048942A JP3984839B2 (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 磁気抵抗効果ヘッド |
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|---|---|
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-
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- 2002-02-26 JP JP2002048942A patent/JP3984839B2/ja not_active Expired - Fee Related
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