JP2003257706A - 温度特性直線化補償用サーミスタ組成物 - Google Patents
温度特性直線化補償用サーミスタ組成物Info
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｂ定数が３０００Ｋ〜５５００Ｋという大きな
値のＮＴＣサーミスタと組み合わせてその出力特性を直
線化できるＮＴＣサーミスタを提供すること。 【解決手段】このため、本発明では、主成分の組成が
（Ａｘ・Ｂｙ）Ｏ3 で表され、Ａ＝Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒの
１つでありＢ＝Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅの１つであり、ｘが
０．８≦ｘ≦１．４、ｙが０．６≦ｙ≦１．２でかつｘ
＋ｙ＝２であり、必要に応じて添加物としてＺｎ、Ｓ
ｍ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｓｎ、Ｌａ、Ｔａ群から選ばれた少なくとも１種以上を
元素換算で合計０．２０ｍｏｌ％まで含有することを特
徴とする温度特性直線化補償用サーミスタ組成物を提供
すること。
値のＮＴＣサーミスタと組み合わせてその出力特性を直
線化できるＮＴＣサーミスタを提供すること。 【解決手段】このため、本発明では、主成分の組成が
（Ａｘ・Ｂｙ）Ｏ3 で表され、Ａ＝Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒの
１つでありＢ＝Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅの１つであり、ｘが
０．８≦ｘ≦１．４、ｙが０．６≦ｙ≦１．２でかつｘ
＋ｙ＝２であり、必要に応じて添加物としてＺｎ、Ｓ
ｍ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｓｎ、Ｌａ、Ｔａ群から選ばれた少なくとも１種以上を
元素換算で合計０．２０ｍｏｌ％まで含有することを特
徴とする温度特性直線化補償用サーミスタ組成物を提供
すること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＮＴＣ（Ｎｅｇａｔ
ｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅ
ｎｔ）サーミスタ組成物に係り、特にＢ定数の大きなＮ
ＴＣサーミスタと組み合わせてその出力特性を直線化す
る温度特性補償用のＮＴＣサーミスタ組成物を提供する
ものである。
ｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅ
ｎｔ）サーミスタ組成物に係り、特にＢ定数の大きなＮ
ＴＣサーミスタと組み合わせてその出力特性を直線化す
る温度特性補償用のＮＴＣサーミスタ組成物を提供する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ＮＴＣサーミスタは温度が変化するとそ
の抵抗値が負性変化するため、例えば各種温度センサ等
に使用されている。そしてサーミスタの特性を示す定数
としてＢ定数が使用されている。Ｂ定数は温度変化対応
して抵抗値が変化する程度を示すものであり、これが大
きい程いわゆる温度変化に対する感度が良好のものとし
て取り扱われる。
の抵抗値が負性変化するため、例えば各種温度センサ等
に使用されている。そしてサーミスタの特性を示す定数
としてＢ定数が使用されている。Ｂ定数は温度変化対応
して抵抗値が変化する程度を示すものであり、これが大
きい程いわゆる温度変化に対する感度が良好のものとし
て取り扱われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＮＴ
Ｃサーミスタ組成物のＢ定数は、３０００Ｋ〜５５００
Ｋであり、温度に対して抵抗変化がリニアでなく、曲線
である。このため温度測定に際しては、この非直線性を
補正する補償回路を組む必要性があり、高価なものとな
った。
Ｃサーミスタ組成物のＢ定数は、３０００Ｋ〜５５００
Ｋであり、温度に対して抵抗変化がリニアでなく、曲線
である。このため温度測定に際しては、この非直線性を
補正する補償回路を組む必要性があり、高価なものとな
った。
【０００４】したがって本発明の目的は、高価な温度補
償用回路を使用する必要もなく、しかもワンチップ型
の、温度特性補正用ＮＴＣサーミスタを提供することが
可能なＮＴＣサーミスタ組成物を提供することである。
償用回路を使用する必要もなく、しかもワンチップ型
の、温度特性補正用ＮＴＣサーミスタを提供することが
可能なＮＴＣサーミスタ組成物を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、主成分の組成が（Ａｘ・Ｂｙ）Ｏ3 で
表され、 Ａ＝Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒの１つであり Ｂ＝Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅの１つであり ｘが０．８≦ｘ≦１．４、ｙが０．６≦ｙ≦１．２でか
つｘ＋ｙ＝２であり、必要に応じて添加物としてＺｎ、
Ｓｍ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｔａ群から選ばれた少なくとも１種以
上を元素換算で合計０．２０ｍｏｌ％まで含有すること
を特徴とする温度特性直線化補償用サーミスタ組成物を
提供するものである。
め、本発明では、主成分の組成が（Ａｘ・Ｂｙ）Ｏ3 で
表され、 Ａ＝Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒの１つであり Ｂ＝Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅの１つであり ｘが０．８≦ｘ≦１．４、ｙが０．６≦ｙ≦１．２でか
つｘ＋ｙ＝２であり、必要に応じて添加物としてＺｎ、
Ｓｍ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｔａ群から選ばれた少なくとも１種以
上を元素換算で合計０．２０ｍｏｌ％まで含有すること
を特徴とする温度特性直線化補償用サーミスタ組成物を
提供するものである。
【０００６】そしてこれにより、Ｂ定数が５００Ｋ〜２
５００Ｋと小さな値のＮＴＣサーミスタ組成物を得るこ
とができる。これを従来の３０００Ｋ〜５５００Ｋとい
う大きな値のＮＴＣサーミスタ組成物と接続して使用す
ることにより、温度特性を直線化することができ、しか
もこれらのＮＴＣサーミスタのグリーンシートを積層す
ることによりワンチップ構成とすることができるので、
非常に安価に、使用面積もほとんど増加することなく、
温度特性を直線化することができる。
５００Ｋと小さな値のＮＴＣサーミスタ組成物を得るこ
とができる。これを従来の３０００Ｋ〜５５００Ｋとい
う大きな値のＮＴＣサーミスタ組成物と接続して使用す
ることにより、温度特性を直線化することができ、しか
もこれらのＮＴＣサーミスタのグリーンシートを積層す
ることによりワンチップ構成とすることができるので、
非常に安価に、使用面積もほとんど増加することなく、
温度特性を直線化することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を説明する。
出発材料として市販のＣａ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｂａ、Ｓｒ、
Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｍ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｔａの酸化物を、焼結後の組成
が後掲の表１〜表３に示す通りの組成比になるように秤
量配合し、ボールミルで１６時間湿式混合した。
出発材料として市販のＣａ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｂａ、Ｓｒ、
Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｍ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｔａの酸化物を、焼結後の組成
が後掲の表１〜表３に示す通りの組成比になるように秤
量配合し、ボールミルで１６時間湿式混合した。
【０００８】その後、脱水乾燥し、乳鉢、乳棒を用いて
粉体にし、これをアルミナ匣鉢に入れ、１０００〜１４
００℃で２時間焼成する。この焼成体をボールミルで微
粉砕後、脱水乾燥し、バインダーとしてポリビニールア
ルコールを加え、乳鉢、乳棒で顆粒に造粒した後、直径
１６ｍｍ、厚さ２．５ｍｍの円板状に加圧成形し、２時
間本焼成して試料を得る。このようにして得られた試料
の両面に銀ペーストをスクリーン印刷し、８５０℃で焼
付けを行い、電極を形成する。
粉体にし、これをアルミナ匣鉢に入れ、１０００〜１４
００℃で２時間焼成する。この焼成体をボールミルで微
粉砕後、脱水乾燥し、バインダーとしてポリビニールア
ルコールを加え、乳鉢、乳棒で顆粒に造粒した後、直径
１６ｍｍ、厚さ２．５ｍｍの円板状に加圧成形し、２時
間本焼成して試料を得る。このようにして得られた試料
の両面に銀ペーストをスクリーン印刷し、８５０℃で焼
付けを行い、電極を形成する。
【０００９】得られた各試料を直流４端子法を用いて２
５℃の抵抗値（Ｒ２５）と８５℃の抵抗値（Ｒ８５）を
測定し、後述の数式１を用いてＢ定数（Ｂ２５／８５）
を算出し、後掲の表１〜表３に示す結果を得た。なお×
印は本発明の範囲外のものであることを示す
５℃の抵抗値（Ｒ２５）と８５℃の抵抗値（Ｒ８５）を
測定し、後述の数式１を用いてＢ定数（Ｂ２５／８５）
を算出し、後掲の表１〜表３に示す結果を得た。なお×
印は本発明の範囲外のものであることを示す
【００１０】
【数１】
【００１１】
【表１】
【００１２】
【表２】
【００１３】
【表３】
【００１４】これにより明らかな如く、請求項１の範囲
の組成により、Ｂ定数が５００〜２５００Ｋの低Ｂ定数
のＮＴＣサーミスタ組成物を提供できることがわかる。
主成分はペロブスカイト型結晶構造を有するものであ
り、ｘ＋ｙ＝２であってもｘが０．８未満の場合はＢ定
数が２５００Ｋを超える（Ｎｏ．１、３１、３９、４
７、５５参照）。
の組成により、Ｂ定数が５００〜２５００Ｋの低Ｂ定数
のＮＴＣサーミスタ組成物を提供できることがわかる。
主成分はペロブスカイト型結晶構造を有するものであ
り、ｘ＋ｙ＝２であってもｘが０．８未満の場合はＢ定
数が２５００Ｋを超える（Ｎｏ．１、３１、３９、４
７、５５参照）。
【００１５】またｘが１．４を超えると、これまたＢ定
数が２５００Ｋを超える（Ｎｏ．５、３５、４３、５
１、５９参照）。
数が２５００Ｋを超える（Ｎｏ．５、３５、４３、５
１、５９参照）。
【００１６】ｙが０．６未満の場合は、Ｂ定数が２５０
０Ｋを超える（Ｎｏ．５、３５、４３、５１、５９参
照）。
０Ｋを超える（Ｎｏ．５、３５、４３、５１、５９参
照）。
【００１７】ｙが１．２を超えると、Ｂ定数が２５００
Ｋを超える（Ｎｏ．１、３１、３９、４７、５５参
照）。
Ｋを超える（Ｎｏ．１、３１、３９、４７、５５参
照）。
【００１８】添加物の合計量が０．２ｍｏｌ％を超える
と、Ｂ定数が５００Ｋ以下ときわめて小さな値となる
（Ｎｏ．８、１１、１６、２０参照）。
と、Ｂ定数が５００Ｋ以下ときわめて小さな値となる
（Ｎｏ．８、１１、１６、２０参照）。
【００１９】このような低Ｂ定数特性を有する本発明に
よるＮＴＣサーミスタにより、従来の高Ｂ定数特性を有
するＮＴＣサーミスタの温度特性の直線化補償状態につ
いて説明する。
よるＮＴＣサーミスタにより、従来の高Ｂ定数特性を有
するＮＴＣサーミスタの温度特性の直線化補償状態につ
いて説明する。
【００２０】図１に示す如く、従来の高Ｂ定数特性を有
するＮＴＣサーミスタ（ＮＴＣ１）と、本発明による低
Ｂ定数特性を有するＮＴＣサーミスタ（ＮＴＣ２）と固
定抵抗Ｒ１とを直列接続し、入力電圧Ｅｉと出力電圧Ｅ
ｏｕｔをそれぞれ測定し、図３〜図７に示す如き特性が
得られた。
するＮＴＣサーミスタ（ＮＴＣ１）と、本発明による低
Ｂ定数特性を有するＮＴＣサーミスタ（ＮＴＣ２）と固
定抵抗Ｒ１とを直列接続し、入力電圧Ｅｉと出力電圧Ｅ
ｏｕｔをそれぞれ測定し、図３〜図７に示す如き特性が
得られた。
【００２１】従来のＮＴＣ１と本発明のＮＴＣ２は、図
２に示す如く、例えばＮＴＣサーミスタをグリーンシー
ト２、３としたものに電極Ａｇ−Ｐｄを塗布した。そし
て、これらを複数枚積層焼結し、端子電極４を形成して
得た、１チップタイプの複合型サーミスタＮを構成し
た。
２に示す如く、例えばＮＴＣサーミスタをグリーンシー
ト２、３としたものに電極Ａｇ−Ｐｄを塗布した。そし
て、これらを複数枚積層焼結し、端子電極４を形成して
得た、１チップタイプの複合型サーミスタＮを構成し
た。
【００２２】例えば、ＮＴＣ２については、サーミスタ
を構成する出発材料の酸化物を混合、微粉砕したものを
有機溶剤等によりグリーンシートに成形し、Ａｇ−Ｐｄ
電極を塗布してこれを積層する。ＮＴＣ１についても同
様であり、これら積層したものを一体化し、焼結したの
ち端子電極４を形成し、１チップタイプのサーミスタＮ
を得る。
を構成する出発材料の酸化物を混合、微粉砕したものを
有機溶剤等によりグリーンシートに成形し、Ａｇ−Ｐｄ
電極を塗布してこれを積層する。ＮＴＣ１についても同
様であり、これら積層したものを一体化し、焼結したの
ち端子電極４を形成し、１チップタイプのサーミスタＮ
を得る。
【００２３】図３に示す例１では従来のＮＴＣ１とし
て、主成分としてＭｎ２０ｍｏｌ％、Ｎｉ７５ｍｏｌ
％、Ａｌ５ｍｏｌ％の酸化物にＺｒＯ2 を１０重量％添
加したものを使用した。Ｂ２５／８５は４１５０Ｋであ
り、２５℃の抵抗値（Ｒ２５）は５００Ωである。また
低Ｂ定数のＮＴＣ２として、表１のＮｏ．１２に示すＢ
２５／８５が１７４０Ｋのものを使用した。なおＲ２５
は１５００Ωであった。また固定抵抗Ｒ1 として８２０
Ωの抵抗値のものを使用した。
て、主成分としてＭｎ２０ｍｏｌ％、Ｎｉ７５ｍｏｌ
％、Ａｌ５ｍｏｌ％の酸化物にＺｒＯ2 を１０重量％添
加したものを使用した。Ｂ２５／８５は４１５０Ｋであ
り、２５℃の抵抗値（Ｒ２５）は５００Ωである。また
低Ｂ定数のＮＴＣ２として、表１のＮｏ．１２に示すＢ
２５／８５が１７４０Ｋのものを使用した。なおＲ２５
は１５００Ωであった。また固定抵抗Ｒ1 として８２０
Ωの抵抗値のものを使用した。
【００２４】温度を−４０℃から１２５℃まで変化させ
たときのＮＴＣ１及びＮＴＣ２の抵抗値を、図３の特性
線Ａ１、Ｂ１で示す。そして−４０℃〜１２５℃までの
出力電圧Ｅｏｕｔを図３の特性線Ｃ１で示す。この特性
線Ｃ１は直線係数Ｒ2 ＝０．９９９である。直線係数は
Ｒ2 ＝１のとき直線を示す。
たときのＮＴＣ１及びＮＴＣ２の抵抗値を、図３の特性
線Ａ１、Ｂ１で示す。そして−４０℃〜１２５℃までの
出力電圧Ｅｏｕｔを図３の特性線Ｃ１で示す。この特性
線Ｃ１は直線係数Ｒ2 ＝０．９９９である。直線係数は
Ｒ2 ＝１のとき直線を示す。
【００２５】図４に示す例２では、従来のＮＴＣ１とし
て、例１と同じＢ２５／８５が４１５０ＫでＲ２５が１
５００Ωのものを使用した。低Ｂ定数のＮＴＣ２として
は、表１のＮｏ．１０に示すＢ２５／８５が５００Ｋの
ものを使用し、Ｒ２５として１５００Ωのものを使用し
た。また固定抵抗Ｒ1 として４２０Ωの抵抗値のものを
使用した。
て、例１と同じＢ２５／８５が４１５０ＫでＲ２５が１
５００Ωのものを使用した。低Ｂ定数のＮＴＣ２として
は、表１のＮｏ．１０に示すＢ２５／８５が５００Ｋの
ものを使用し、Ｒ２５として１５００Ωのものを使用し
た。また固定抵抗Ｒ1 として４２０Ωの抵抗値のものを
使用した。
【００２６】温度を−４０℃から１２５℃まで変化させ
たときのＮＴＣ１及びＮＴＣ２の抵抗値を、図４の特性
線Ａ２、Ｂ２で示す。そして−４０℃〜１２５℃までの
出力電圧Ｅｏｕｔを、図４の特性線Ｃ２で示す。この特
性線Ｃ２は直線係数Ｒ2 ＝０．９９５である。
たときのＮＴＣ１及びＮＴＣ２の抵抗値を、図４の特性
線Ａ２、Ｂ２で示す。そして−４０℃〜１２５℃までの
出力電圧Ｅｏｕｔを、図４の特性線Ｃ２で示す。この特
性線Ｃ２は直線係数Ｒ2 ＝０．９９５である。
【００２７】図５に示す例３では、従来のＮＴＣ１とし
て、例１と同じＢ２５／８５が４１５０ＫでＲ２５が１
００Ωのものを使用した。低Ｂ定数のＮＴＣ２として
は、表１のＮｏ．１３に示すＢ２５／８５が２５００Ｋ
のものを使用し、Ｒ２５として１５００Ωのものを使用
した。また固定抵抗Ｒ1 として４２０Ωの抵抗値のもの
を使用した。
て、例１と同じＢ２５／８５が４１５０ＫでＲ２５が１
００Ωのものを使用した。低Ｂ定数のＮＴＣ２として
は、表１のＮｏ．１３に示すＢ２５／８５が２５００Ｋ
のものを使用し、Ｒ２５として１５００Ωのものを使用
した。また固定抵抗Ｒ1 として４２０Ωの抵抗値のもの
を使用した。
【００２８】温度を−４０℃から１２５℃まで変化させ
たときのＮＴＣ１及びＮＴＣ２の抵抗値を図５の特性線
Ａ３、Ｂ３で示す。そして−４０℃〜１２５℃までの出
力電圧Ｅｏｕｔを、図４の特性線Ｃ３で示す。この特性
線Ｃ３は直線係数Ｒ2 ＝０．９９５である。
たときのＮＴＣ１及びＮＴＣ２の抵抗値を図５の特性線
Ａ３、Ｂ３で示す。そして−４０℃〜１２５℃までの出
力電圧Ｅｏｕｔを、図４の特性線Ｃ３で示す。この特性
線Ｃ３は直線係数Ｒ2 ＝０．９９５である。
【００２９】図６に示す例４では、従来のＮＴＣ１とし
て、例１と同じＢ２５／８５が４１５０ＫでＲ２５が１
５００Ωのものを使用した。低Ｂ定数のＮＴＣ２として
は、表１のＮｏ．８に示すＢ２５／８５が４２０Ｋのも
のを使用し、Ｒ２５として１５００Ωのものを使用し
た。また固定抵抗Ｒ1 として２７０Ωの抵抗値のものを
使用した。
て、例１と同じＢ２５／８５が４１５０ＫでＲ２５が１
５００Ωのものを使用した。低Ｂ定数のＮＴＣ２として
は、表１のＮｏ．８に示すＢ２５／８５が４２０Ｋのも
のを使用し、Ｒ２５として１５００Ωのものを使用し
た。また固定抵抗Ｒ1 として２７０Ωの抵抗値のものを
使用した。
【００３０】温度を−４０℃から１２５℃まで変化させ
たときのＮＴＣ１及びＮＴＣ２の抵抗値を図６の特性線
Ａ４、Ｂ４で示す。そして−４０℃〜１２５℃までの出
力電圧Ｅｏｕｔを図６の特性線Ｃ４で示す。この特性線
Ｃ４の直線係数はＲ2 ＝０．９９４で小さく直線性があ
まり良くない。しかもＥｏｕｔの変化量が−４０℃〜１
２５℃までの間で１Ｖ未満（正確には表４の例４に示す
如く、０．６７７Ｖ）と小さく、感度が良くない。
たときのＮＴＣ１及びＮＴＣ２の抵抗値を図６の特性線
Ａ４、Ｂ４で示す。そして−４０℃〜１２５℃までの出
力電圧Ｅｏｕｔを図６の特性線Ｃ４で示す。この特性線
Ｃ４の直線係数はＲ2 ＝０．９９４で小さく直線性があ
まり良くない。しかもＥｏｕｔの変化量が−４０℃〜１
２５℃までの間で１Ｖ未満（正確には表４の例４に示す
如く、０．６７７Ｖ）と小さく、感度が良くない。
【００３１】図７に示す例では、従来のＮＴＣ１とし
て、例１と同じＢ２５／８５が４１５０ＫでＲ２５が１
００Ωのものを使用した。低Ｂ定数のＮＴＣ２としては
表１のＮｏ．１４に示すＢ２５／８５が２９１０Ｋのも
のを使用し、Ｒ２５として１５００Ωのものを使用し
た。また固定抵抗Ｒ１として４２０Ωのものを使用し
た。
て、例１と同じＢ２５／８５が４１５０ＫでＲ２５が１
００Ωのものを使用した。低Ｂ定数のＮＴＣ２としては
表１のＮｏ．１４に示すＢ２５／８５が２９１０Ｋのも
のを使用し、Ｒ２５として１５００Ωのものを使用し
た。また固定抵抗Ｒ１として４２０Ωのものを使用し
た。
【００３２】温度を−４０℃から１２５℃まで変化させ
たときのＮＴＣ１及びＮＴＣ２の抵抗値を図７の特性線
Ａ５、Ｂ５で示す。そして−４０℃〜１２５℃までの出
力電圧Ｅｏｕｔを図７の特性線Ｃ５で示す。この特性線
Ｃ５の直線係数はＲ2 ＝０．９９０であり、直線性がな
いこと明らかである。
たときのＮＴＣ１及びＮＴＣ２の抵抗値を図７の特性線
Ａ５、Ｂ５で示す。そして−４０℃〜１２５℃までの出
力電圧Ｅｏｕｔを図７の特性線Ｃ５で示す。この特性線
Ｃ５の直線係数はＲ2 ＝０．９９０であり、直線性がな
いこと明らかである。
【００３３】なお図３〜図７における−４０℃〜１２５
℃の各特性線の値を表４で示す。
℃の各特性線の値を表４で示す。
【００３４】これよりＮＴＣ２のＢ定数が２５００Ｋよ
りも大きい場合はＲ2 が０．９９５未満であって出力電
圧に直線性が得られず、また５００Ｋ未満の場合は出力
電圧の変化量が小さく、しかも直線性も良くないことが
わかる。
りも大きい場合はＲ2 が０．９９５未満であって出力電
圧に直線性が得られず、また５００Ｋ未満の場合は出力
電圧の変化量が小さく、しかも直線性も良くないことが
わかる。
【００３５】本発明によれば抵抗体付きＮＴＣサーミス
タチップを複数個並列接続することなく、温度に対する
抵抗値変化を直線化できるので、リニア性の高い複合型
ＮＴＣサーミスタチップを提供できる。
タチップを複数個並列接続することなく、温度に対する
抵抗値変化を直線化できるので、リニア性の高い複合型
ＮＴＣサーミスタチップを提供できる。
【００３６】積層チップＮＴＣサーミスタ構造のため積
層時にそれぞれのグリーンシートを成形し、一体で焼結
してチップを作製できる。
層時にそれぞれのグリーンシートを成形し、一体で焼結
してチップを作製できる。
【００３７】なお本発明において、Ｃａ：Ｍｎを０．８
ｍｏｌ：１．２ｍｏｌにするとき、その温度−出力電圧
特性を示す特性線を傾度の大きい、つまり感度が良好で
あって、しかも直線性の優れているＢ定数が１８００Ｋ
（表１のＮｏ．２参照）の温度特性直線化補償用サーミ
スタ組成物を提供することができる。
ｍｏｌ：１．２ｍｏｌにするとき、その温度−出力電圧
特性を示す特性線を傾度の大きい、つまり感度が良好で
あって、しかも直線性の優れているＢ定数が１８００Ｋ
（表１のＮｏ．２参照）の温度特性直線化補償用サーミ
スタ組成物を提供することができる。
【００３８】また、Ｃａ：Ｍｎを１．０ｍｏｌ：１．０
ｍｏｌとし、添加物としてＣｏ、Ａｌ及びＳｎのいずれ
かを０．１ｍｏｌ％含有させることにより、その温度−
出力電圧特性を示す特性線を傾度の大きい、つまり感度
が良好であって、しかも直線性の優れているＢ定数が１
７４０Ｋ〜１２９０Ｋ（表１．２のＮｏ．１２、Ｎｏ．
２２、Ｎｏ．２８参照）の温度特性直線化補償用サーミ
スタ組成物を提供することができる。
ｍｏｌとし、添加物としてＣｏ、Ａｌ及びＳｎのいずれ
かを０．１ｍｏｌ％含有させることにより、その温度−
出力電圧特性を示す特性線を傾度の大きい、つまり感度
が良好であって、しかも直線性の優れているＢ定数が１
７４０Ｋ〜１２９０Ｋ（表１．２のＮｏ．１２、Ｎｏ．
２２、Ｎｏ．２８参照）の温度特性直線化補償用サーミ
スタ組成物を提供することができる。
【００３９】そして、Ｓｒ：Ｆｅを１．０ｍｏｌ：１．
０ｍｏｌとし、添加物としてＺｎを０又は０．１ｍｏｌ
％含有させることにより、感度が良好であって、しかも
直線性の優れているＢ定数が１６１０Ｋ、１３２０Ｋ
（表３のＮｏ．５７、Ｎｏ．６０参照）の温度特性直線
化補償用サーミスタ組成物を提供することができる。
０ｍｏｌとし、添加物としてＺｎを０又は０．１ｍｏｌ
％含有させることにより、感度が良好であって、しかも
直線性の優れているＢ定数が１６１０Ｋ、１３２０Ｋ
（表３のＮｏ．５７、Ｎｏ．６０参照）の温度特性直線
化補償用サーミスタ組成物を提供することができる。
【００４０】本発明では、ＮＴＣサーミスタは、その構
造が遷移金属で構成され、特性が類似しており、焼結温
度も一定であり、同じ様な材質のグリーンシートを積層
するので、焼結時の縮率等によるデラミネーション及び
クラックの発生が起きない、すぐれたものが得られる。
造が遷移金属で構成され、特性が類似しており、焼結温
度も一定であり、同じ様な材質のグリーンシートを積層
するので、焼結時の縮率等によるデラミネーション及び
クラックの発生が起きない、すぐれたものが得られる。
【００４１】また積層順番を種々に変更できるので、温
度に対する抵抗値変化を調整することもでき、温度に対
する抵抗値変化のリニア性の精度向上が容易である。
度に対する抵抗値変化を調整することもでき、温度に対
する抵抗値変化のリニア性の精度向上が容易である。
【００４２】このように本発明では、従来のチップ形状
そのままで、温度に対する抵抗値変化のリニアな積層Ｎ
ＴＣサーミスタが提供できる。
そのままで、温度に対する抵抗値変化のリニアな積層Ｎ
ＴＣサーミスタが提供できる。
【００４３】
【発明の効果】本発明により、Ｂ定数が５００Ｋ〜２５
００Ｋと小さな値のＮＴＣサーミスタ組成物を得ること
ができる。これを従来の３０００Ｋ〜５５００Ｋという
大きな値のＮＴＣサーミスタ組成物と接続して使用する
ことにより温度特性を直線化することができ、しかもこ
れらのＮＴＣサーミスタのグリーンシートを重ねること
によりワンチップ構成とすることができるので、非常に
安価に、使用面積もほとんど増加することなく、温度特
性を直線化することができる。
００Ｋと小さな値のＮＴＣサーミスタ組成物を得ること
ができる。これを従来の３０００Ｋ〜５５００Ｋという
大きな値のＮＴＣサーミスタ組成物と接続して使用する
ことにより温度特性を直線化することができ、しかもこ
れらのＮＴＣサーミスタのグリーンシートを重ねること
によりワンチップ構成とすることができるので、非常に
安価に、使用面積もほとんど増加することなく、温度特
性を直線化することができる。
【図１】ＮＴＣサーミスタ特性補償接続状態説明図であ
る。
る。
【図２】ＮＴＣサーミスタの積層状態説明図である。
【図３】低Ｂ定数ＮＴＣサーミスタを使用した補償特性
説明図（その１）である。
説明図（その１）である。
【図４】低Ｂ定数ＮＴＣサーミスタを使用した補償特性
説明図（その２）である。
説明図（その２）である。
【図５】低Ｂ定数ＮＴＣサーミスタを使用した補償特性
説明図（その３）である。
説明図（その３）である。
【図６】低Ｂ定数ＮＴＣサーミスタを使用した補償特性
説明図（その４）である。
説明図（その４）である。
【図７】低Ｂ定数ＮＴＣサーミスタを使用した補償特性
説明図（その５）である。
説明図（その５）である。
１ 電極
２、３ グリーンシート
ＮＴＣ１ 高Ｂ定数特性を有するＮＴＣサーミスタ
ＮＴＣ２ 低Ｂ定数特性を有するＮＴＣサーミスタ
Ｎ 複合型サーミスタ
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Ｆターム(参考） 4G030 AA07 AA08 AA09 AA10 AA11
AA12 AA13 AA16 AA17 AA20
AA21 AA25 AA27 AA28 AA29
AA32 AA36 AA39 BA06 GA03
GA04 GA08 GA14 GA22 GA27
5E034 BA09 BB01 BC03 BC05 DA07
DB03 DC01
Claims (4)
- 【請求項１】主成分の組成が（Ａｘ・Ｂｙ）Ｏ3 で表さ
れ、 Ａ＝Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒの１つであり Ｂ＝Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅの１つであり ｘが０．８≦ｘ≦１．４、ｙが０．６≦ｙ≦１．２でか
つｘ＋ｙ＝２であり、 必要に応じて添加物としてＺｎ、Ｓｍ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｔａ群
から選ばれた少なくとも１種以上を元素換算で合計０．
２０ｍｏｌ％まで含有することを特徴とする温度特性直
線化補償用サーミスタ組成物。 - 【請求項２】その組成が（Ｃａｘ・Ｍｎｙ）Ｏ3 で表さ
れ、 ｘが０．８、ｙが１．２であることを特徴とする温度特
性直線化補償用サーミスタ組成物。 - 【請求項３】主成分の組成が（Ｃａｘ・Ｍｎｙ）Ｏ3 で
表され、 ｘが１．０、ｙが１．０であり、 添加物としてＣｏ、Ａｌ及びＳｎのいずれかを０．１ｍ
ｏｌ％含有することを特徴とする温度特性直線化補償用
サーミスタ組成物。 - 【請求項４】主成分の組成が（Ｓｒｘ・Ｆｅｙ）Ｏ3 で
表され、 ｘが１．０、ｙが１．０であり、 添加物としてＺｎを０又は０．１ｍｏｌ％含有すること
を特徴とする温度特性直線化補償用サーミスタ組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002058247A JP3996411B2 (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 複合型ｎｔｃサーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002058247A JP3996411B2 (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 複合型ｎｔｃサーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003257706A true JP2003257706A (ja) | 2003-09-12 |
| JP3996411B2 JP3996411B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=28668264
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002058247A Expired - Lifetime JP3996411B2 (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 複合型ｎｔｃサーミスタ |
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|---|---|---|---|---|
| JP2008078576A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Tdk Corp | Ｎｔｃ組成物及びｎｔｃ素子 |
| JP2008205384A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Tdk Corp | サーミスタ組成物及びサーミスタ素子 |
| WO2009025178A1 (ja) * | 2007-08-22 | 2009-02-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 半導体セラミック材料およびｎｔｃサーミスタ |
| CN100555479C (zh) * | 2005-09-30 | 2009-10-28 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种深低温氧化物热敏电阻材料及其制造方法 |
| KR101220312B1 (ko) | 2012-06-28 | 2013-01-10 | 태성전장주식회사 | 써미스터 온도센서용 세라믹 조성물 및 그 조성물로 제조된 써미스터 소자 |
| CN102924064A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-02-13 | 江苏聚盛电子科技有限公司 | 一种宽温区ntc热敏陶瓷材料及其制备方法 |
| CN109485402A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-03-19 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种改善锰钴铁基热敏陶瓷烧结性的方法 |
| CN110357586A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-10-22 | 山东格仑特电动科技有限公司 | 一种一致性好的ntc热敏电阻材料及其制备方法 |
| CN111499355A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-08-07 | 南京先正电子股份有限公司 | 一种ntc热敏电阻 |
| CN115894026A (zh) * | 2022-11-29 | 2023-04-04 | 唐山恭成科技有限公司 | 一种低电阻率高b值的ntc热敏电阻材料及制备方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| CN108794018A (zh) * | 2017-05-02 | 2018-11-13 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种ntc热敏陶瓷材料及其制备方法 |
-
2002
- 2002-03-05 JP JP2002058247A patent/JP3996411B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN101765569B (zh) * | 2007-08-22 | 2012-11-28 | 株式会社村田制作所 | 半导体陶瓷材料及ntc热敏电阻 |
| JPWO2009025178A1 (ja) * | 2007-08-22 | 2010-11-25 | 株式会社村田製作所 | 半導体セラミック材料およびｎｔｃサーミスタ |
| US8035474B2 (en) | 2007-08-22 | 2011-10-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semi-conductive ceramic material and NTC thermistor using the same |
| WO2009025178A1 (ja) * | 2007-08-22 | 2009-02-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 半導体セラミック材料およびｎｔｃサーミスタ |
| KR101220312B1 (ko) | 2012-06-28 | 2013-01-10 | 태성전장주식회사 | 써미스터 온도센서용 세라믹 조성물 및 그 조성물로 제조된 써미스터 소자 |
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| JP3996411B2 (ja) | 2007-10-24 |
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