JP2003258304A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 73
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 53
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 39
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 15
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電流分散膜として金属酸化膜の透明導電膜を用
いた構造のＬＥＤにおいて、透明導電膜の低抵抗化を可
能として順方向動作電圧Ｖｆを低くし、且つＶｆの素子
間バラツキをなくする。 【解決手段】第一導電型基板１の上に、活性層３を第一
導電型クラッド層２と第二導電型クラッド層４とで挟ん
だ発光部を形成し、その上に金属酸化膜からなる透明導
電層８を形成し、前記透明導電層の表面の一部に上部電
極９を形成し、第一導電型基板１の発光部層が形成され
た反対側の面に、全面又は部分的に電極１０を形成した
半導体発光素子において、前記第二導電型クラッド層４
と前記透明導電層８の間に、Ｚｎ層６とＮｉ層７の積層
構造を設ける。
いた構造のＬＥＤにおいて、透明導電膜の低抵抗化を可
能として順方向動作電圧Ｖｆを低くし、且つＶｆの素子
間バラツキをなくする。 【解決手段】第一導電型基板１の上に、活性層３を第一
導電型クラッド層２と第二導電型クラッド層４とで挟ん
だ発光部を形成し、その上に金属酸化膜からなる透明導
電層８を形成し、前記透明導電層の表面の一部に上部電
極９を形成し、第一導電型基板１の発光部層が形成され
た反対側の面に、全面又は部分的に電極１０を形成した
半導体発光素子において、前記第二導電型クラッド層４
と前記透明導電層８の間に、Ｚｎ層６とＮｉ層７の積層
構造を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高輝度の半導体発
光素子、特に順方向動作電圧の低い半導体発光素子及び
その製造方法に関するものである。
光素子、特に順方向動作電圧の低い半導体発光素子及び
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光ダイオード（Light Emitting
Diode：ＬＥＤ）は、ＧａＰの緑色、ＡｌＧａＡｓの赤
色がほとんどであった。しかし、最近ＧａＮ系やＡｌＧ
ａＩｎＰ系の結晶層をＭＯＶＰＥ法で成長できるように
なったことから、橙色、黄色、緑色、青色の高輝度ＬＥ
Ｄが製作できるようになってきた。
Diode：ＬＥＤ）は、ＧａＰの緑色、ＡｌＧａＡｓの赤
色がほとんどであった。しかし、最近ＧａＮ系やＡｌＧ
ａＩｎＰ系の結晶層をＭＯＶＰＥ法で成長できるように
なったことから、橙色、黄色、緑色、青色の高輝度ＬＥ
Ｄが製作できるようになってきた。
【０００３】ＭＯＶＰＥ法で形成したエピタキシャルウ
ェハは、これまでに無かった短波長の発光や、高輝度を
示すＬＥＤの製作を可能とした。しかし、高輝度を得る
ために、電流分散層の膜厚を厚く成長させようとする
と、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハのコストが高くなる
ことが問題であった。
ェハは、これまでに無かった短波長の発光や、高輝度を
示すＬＥＤの製作を可能とした。しかし、高輝度を得る
ために、電流分散層の膜厚を厚く成長させようとする
と、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハのコストが高くなる
ことが問題であった。
【０００４】これらの問題を解決する方法としては、電
流分散層としてできるだけ抵抗の低い値が得られる材料
を用いる方法がある。例えばＡｌＧａＩｎＰ４元系の場
合には、電流分散層としてＧａＰやＡｌＧａＡｓが用い
られたりしている。しかし、これらの抵抗率の低い材料
を用いてもやはり電流分散を良くするためには、膜厚を
８μｍ以上まで厚くする必要がある。
流分散層としてできるだけ抵抗の低い値が得られる材料
を用いる方法がある。例えばＡｌＧａＩｎＰ４元系の場
合には、電流分散層としてＧａＰやＡｌＧａＡｓが用い
られたりしている。しかし、これらの抵抗率の低い材料
を用いてもやはり電流分散を良くするためには、膜厚を
８μｍ以上まで厚くする必要がある。
【０００５】この膜を薄くするためには、電流分散層の
抵抗率を低くすることが考えられる。また移動度を大幅
に変えることは困難であることから、キャリア濃度を高
くしようとすることも試みられているが、現段階では電
流分散層を薄くできるほどキャリア濃度を高くすること
はできない。
抵抗率を低くすることが考えられる。また移動度を大幅
に変えることは困難であることから、キャリア濃度を高
くしようとすることも試みられているが、現段階では電
流分散層を薄くできるほどキャリア濃度を高くすること
はできない。
【０００６】この解決手段として、半導体の電流分散層
の変わりに、キャリア濃度が非常に高く、薄い膜厚で十
分な電流分散を得ることができるため、透明導電膜を用
いる方法が提案されている。
の変わりに、キャリア濃度が非常に高く、薄い膜厚で十
分な電流分散を得ることができるため、透明導電膜を用
いる方法が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属酸
化膜を用いた透明導電膜を用いた場合、その上に金属電
極が形成されるが、エピタキシャルウェハ最上層と透明
導電膜間に接触抵抗が発生してしまい、順方向動作電圧
が高くなるという問題が発生する。
化膜を用いた透明導電膜を用いた場合、その上に金属電
極が形成されるが、エピタキシャルウェハ最上層と透明
導電膜間に接触抵抗が発生してしまい、順方向動作電圧
が高くなるという問題が発生する。
【０００８】この問題を解決するために、エピタキシャ
ルウェハ最上層と透明導電膜間にＺｎ若しくはＡｕ−Ｚ
ｎ合金膜を挿入して順方向動作電圧（以下Ｖｆと略す）
を低くする方法が開示されている（特開平１１−４０２
０号公報明細書参照）。
ルウェハ最上層と透明導電膜間にＺｎ若しくはＡｕ−Ｚ
ｎ合金膜を挿入して順方向動作電圧（以下Ｖｆと略す）
を低くする方法が開示されている（特開平１１−４０２
０号公報明細書参照）。
【０００９】しかしこの方法では、透明導電膜を４２０
℃以上で形成すると、エピタキシャルウェハ最上層と透
明導電膜間に形成したＺｎ若しくはＡｕ−Ｚｎ合金膜が
球状化してしまい、半導体発光素子若しくはエピタキシ
ャルウェハ面内でＺｎ若しくはＡｕ−Ｚｎ合金膜が無い
部分ができてしまう。このため半導体発光素子の中に、
非常にＶｆが高いものができる。また、前記球状化を抑
止するために、透明導電膜形成温度を４２０℃より低く
すると、透明導電膜が十分に低抵抗化できず、透明導電
膜を形成した効果が無い。
℃以上で形成すると、エピタキシャルウェハ最上層と透
明導電膜間に形成したＺｎ若しくはＡｕ−Ｚｎ合金膜が
球状化してしまい、半導体発光素子若しくはエピタキシ
ャルウェハ面内でＺｎ若しくはＡｕ−Ｚｎ合金膜が無い
部分ができてしまう。このため半導体発光素子の中に、
非常にＶｆが高いものができる。また、前記球状化を抑
止するために、透明導電膜形成温度を４２０℃より低く
すると、透明導電膜が十分に低抵抗化できず、透明導電
膜を形成した効果が無い。
【００１０】またエピタキシャルウェハ最上層と透明導
電膜間にＺｎ、Ａｕ−Ｚｎ合金膜以外にＮｉ、Ｉｎ、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ、
Ａｕ−Ｇｅ、Ａｕ−Ｓｎ、Ｉｎ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｂｅ、Ｉ
ｎ−Ｚｎを挿入して、Ｖｆを低くする方法が開示されて
いる（特開２００１−３６１３０、２００１−６８７２
８号公報参照）。
電膜間にＺｎ、Ａｕ−Ｚｎ合金膜以外にＮｉ、Ｉｎ、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ、
Ａｕ−Ｇｅ、Ａｕ−Ｓｎ、Ｉｎ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｂｅ、Ｉ
ｎ−Ｚｎを挿入して、Ｖｆを低くする方法が開示されて
いる（特開２００１−３６１３０、２００１−６８７２
８号公報参照）。
【００１１】しかしＩｎ−Ｚｎを用いた場合、上記した
透明導電膜の形成条件では、４２０℃以上で形成する
と、エピタキシャルウェハ最上層と透明導電膜間に形成
したＩｎ−Ｚｎ合金膜が球状化してしまい、半導体発光
素子若しくはエピタキシャルウェハ面内でＩｎ−Ｚｎ合
金膜が無い部分ができてしまう。このため半導体発光素
子の中に、非常にＶｆが高いものができる。
透明導電膜の形成条件では、４２０℃以上で形成する
と、エピタキシャルウェハ最上層と透明導電膜間に形成
したＩｎ−Ｚｎ合金膜が球状化してしまい、半導体発光
素子若しくはエピタキシャルウェハ面内でＩｎ−Ｚｎ合
金膜が無い部分ができてしまう。このため半導体発光素
子の中に、非常にＶｆが高いものができる。
【００１２】また、その他の材料でも、融点が４２０℃
以下の材料では、前記球状化現象が起こる。融点が４２
０℃以上の前記材料を挿入すると、前記球状化現象を抑
えることができるが、Ｚｎ系材料を用いた時よりもＶｆ
が高い。
以下の材料では、前記球状化現象が起こる。融点が４２
０℃以上の前記材料を挿入すると、前記球状化現象を抑
えることができるが、Ｚｎ系材料を用いた時よりもＶｆ
が高い。
【００１３】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、電流分散膜として金属酸化膜の透明導電膜を用いた
構造の半導体発光素子において、透明導電膜の低抵抗化
を可能として順方向動作電圧Ｖｆを低くし、且つＶｆの
素子間バラツキをなくすことにある。
し、電流分散膜として金属酸化膜の透明導電膜を用いた
構造の半導体発光素子において、透明導電膜の低抵抗化
を可能として順方向動作電圧Ｖｆを低くし、且つＶｆの
素子間バラツキをなくすことにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、次のように構成したものである。
め、本発明は、次のように構成したものである。
【００１５】請求項１の発明に係る半導体発光素子は、
第一導電型の基板の上に、活性層を第一導電型のクラッ
ド層と第二導電型のクラッド層とで挟んだ発光部を形成
し、その上に金属酸化膜からなる透明導電層を形成し、
前記透明導電層の表面の一部に上部電極を形成し、第一
導電型の基板の発光部層が形成された反対側の面に、全
面又は部分的に電極を形成した半導体発光素子におい
て、前記第二導電型のクラッド層と前記透明導電層の間
に、Ｚｎ層とＮｉ層が順次積層されていることを特徴と
する。
第一導電型の基板の上に、活性層を第一導電型のクラッ
ド層と第二導電型のクラッド層とで挟んだ発光部を形成
し、その上に金属酸化膜からなる透明導電層を形成し、
前記透明導電層の表面の一部に上部電極を形成し、第一
導電型の基板の発光部層が形成された反対側の面に、全
面又は部分的に電極を形成した半導体発光素子におい
て、前記第二導電型のクラッド層と前記透明導電層の間
に、Ｚｎ層とＮｉ層が順次積層されていることを特徴と
する。
【００１６】請求項２の発明は、請求項１に記載の半導
体発光素子において、前記発光部と前記Ｚｎ層との間
に、第二導電型の電流分散層が形成されていることを特
徴とする。これはＺｎ層が電流分散層側に存する形態で
ある。
体発光素子において、前記発光部と前記Ｚｎ層との間
に、第二導電型の電流分散層が形成されていることを特
徴とする。これはＺｎ層が電流分散層側に存する形態で
ある。
【００１７】請求項３の発明は、請求項１又は２に記載
の半導体発光素子において、前記透明導電層の上に形成
された電極の直下にあたる部分の一部には、順次積層さ
れた前記Ｚｎ層とＮｉ層が形成されていないことを特徴
とする。
の半導体発光素子において、前記透明導電層の上に形成
された電極の直下にあたる部分の一部には、順次積層さ
れた前記Ｚｎ層とＮｉ層が形成されていないことを特徴
とする。
【００１８】請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれ
かに記載の半導体発光素子において、前記Ｚｎ層とＮｉ
層の厚さがそれぞれ１ｎｍ以上であり、前記Ｚｎ層とＮ
ｉ層の厚さが合わせて１５ｎｍ以下であることを特徴と
する。
かに記載の半導体発光素子において、前記Ｚｎ層とＮｉ
層の厚さがそれぞれ１ｎｍ以上であり、前記Ｚｎ層とＮ
ｉ層の厚さが合わせて１５ｎｍ以下であることを特徴と
する。
【００１９】請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれ
かに記載の半導体発光素子において、前記上部電極が円
形、角形又は円形の角形に突起を付けた形状を具備する
ことを特徴とする。
かに記載の半導体発光素子において、前記上部電極が円
形、角形又は円形の角形に突起を付けた形状を具備する
ことを特徴とする。
【００２０】請求項６の発明は、請求項３に記載の半導
体発光素子において、順次積層された前記Ｚｎ層とＮｉ
層が形成されていない領域は、上部電極と中心が略合致
し、且つ前記電極の０．６〜１．３倍であることを特徴
とする。
体発光素子において、順次積層された前記Ｚｎ層とＮｉ
層が形成されていない領域は、上部電極と中心が略合致
し、且つ前記電極の０．６〜１．３倍であることを特徴
とする。
【００２１】請求項７の発明は、請求項１〜６のいずれ
かに記載の半導体発光素子において、前記基板がＧａＡ
ｓから成り、前記発光部がＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎ
Ｐから成ることを特徴とする。
かに記載の半導体発光素子において、前記基板がＧａＡ
ｓから成り、前記発光部がＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎ
Ｐから成ることを特徴とする。
【００２２】請求項８の発明に係る半導体発光素子の製
造方法は、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体発光
素子を製造する方法において、透明導電層の形成温度を
４２０℃以上とすることを特徴とする。
造方法は、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体発光
素子を製造する方法において、透明導電層の形成温度を
４２０℃以上とすることを特徴とする。
【００２３】なお、請求項３及び請求項６に記載の半導
体発光素子において、電極を設けるに際しては、フォト
リソプロセスにより、エピタキシャルウェハ上に部分的
に金属薄膜層の形成されていない部分と中心を略合致さ
せる様に電極を配列するとよい。
体発光素子において、電極を設けるに際しては、フォト
リソプロセスにより、エピタキシャルウェハ上に部分的
に金属薄膜層の形成されていない部分と中心を略合致さ
せる様に電極を配列するとよい。
【００２４】＜発明の要点＞本発明は、上記目的を達す
るために、電流分散膜として金属酸化膜の透明導電膜を
用いた構造のＬＥＤにおいて、エピタキシャルウェハの
表面にＶｆを低くするための金属層としてＺｎとＮｉの
積層構造を設け、これにより半導体発光素子のＶｆの素
子間バラツキ、特にＶｆの高い素子の発生をなくし、且
つ透明導電膜の形成温度を高くして低抵抗の透明導電膜
の形成を可能とし、以てＶｆが低く、且つバラツキが少
ない高発光出力の透明電極付ＬＥＤを提供するものであ
る。
るために、電流分散膜として金属酸化膜の透明導電膜を
用いた構造のＬＥＤにおいて、エピタキシャルウェハの
表面にＶｆを低くするための金属層としてＺｎとＮｉの
積層構造を設け、これにより半導体発光素子のＶｆの素
子間バラツキ、特にＶｆの高い素子の発生をなくし、且
つ透明導電膜の形成温度を高くして低抵抗の透明導電膜
の形成を可能とし、以てＶｆが低く、且つバラツキが少
ない高発光出力の透明電極付ＬＥＤを提供するものであ
る。
【００２５】Ｚｎ層とＮｉ層の厚さは、図４に示すよう
に、Ｚｎ層及びＮｉ層共にそれぞれ１ｎｍ以上であれ
ば、Ｚｎ層が均一化し、順方向動作電圧Ｖｆを素子間バ
ラツキなしに、従来並に又はそれ以下に低くする効果
（図４で１．９０Ｖ以下）が得られ、厚さを増すにつれ
てＶｆも低下するが、図３に示すように、Ｚｎ層とＮｉ
層の層厚を厚くするに従って発光出力が低下するため、
発光出力の点からはあまり厚くすることは得策でなく、
前記Ｚｎ層とＮｉ層の厚さを合わせて１５ｎｍ以下とす
るのがよい。
に、Ｚｎ層及びＮｉ層共にそれぞれ１ｎｍ以上であれ
ば、Ｚｎ層が均一化し、順方向動作電圧Ｖｆを素子間バ
ラツキなしに、従来並に又はそれ以下に低くする効果
（図４で１．９０Ｖ以下）が得られ、厚さを増すにつれ
てＶｆも低下するが、図３に示すように、Ｚｎ層とＮｉ
層の層厚を厚くするに従って発光出力が低下するため、
発光出力の点からはあまり厚くすることは得策でなく、
前記Ｚｎ層とＮｉ層の厚さを合わせて１５ｎｍ以下とす
るのがよい。
【００２６】またＺｎ層及びＮｉ層の領域の内、透明導
電層の上に形成されている電極の直下にあたる部分つい
ては、Ｚｎ層及びＮｉ層の一部を欠いた形態（図２）と
することもできる。この形態において、Ｚｎ層とＮｉ層
が形成されていない領域は、上部電極と厳密に一致させ
る必要はなく、上部電極と中心が略合致し、且つ該電極
の０．６〜１．３倍とすることができる。
電層の上に形成されている電極の直下にあたる部分つい
ては、Ｚｎ層及びＮｉ層の一部を欠いた形態（図２）と
することもできる。この形態において、Ｚｎ層とＮｉ層
が形成されていない領域は、上部電極と厳密に一致させ
る必要はなく、上部電極と中心が略合致し、且つ該電極
の０．６〜１．３倍とすることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。以下の例は、第一導電型をｎ型と
し、第二導電型をｐ型とした例となっている。
基づいて説明する。以下の例は、第一導電型をｎ型と
し、第二導電型をｐ型とした例となっている。
【００２８】［従来例］従来例として、図５に示した構
造の発光波長６３０ｎｍ付近の赤色発光ダイオード用エ
ピタキシャルウェハを作製した。
造の発光波長６３０ｎｍ付近の赤色発光ダイオード用エ
ピタキシャルウェハを作製した。
【００２９】まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＶＰ
Ｅ法で、ｎ型（Ｓｅドープ）ＧａＡｓバッファ層、ｎ型
（Ｓｅドープ）（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ下クラ
ッド層２、アンドープ（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5
Ｐ活性層３、ｐ型（亜鉛ドープ）（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）
0.5Ｉｎ0.5Ｐ上クラッド層４、を成長させ、その上にｐ
型（亜鉛ドープ）（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ及び
ＧａＰ電流分散層５をＭＯＶＰＥ成長で成長させた。
Ｅ法で、ｎ型（Ｓｅドープ）ＧａＡｓバッファ層、ｎ型
（Ｓｅドープ）（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ下クラ
ッド層２、アンドープ（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5
Ｐ活性層３、ｐ型（亜鉛ドープ）（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）
0.5Ｉｎ0.5Ｐ上クラッド層４、を成長させ、その上にｐ
型（亜鉛ドープ）（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ及び
ＧａＰ電流分散層５をＭＯＶＰＥ成長で成長させた。
【００３０】次に、このエピタキシャルウェハにＺｎを
２ｎｍ蒸着し、Ｚｎ層６を形成した。更に前記エピタキ
シャルウェハを、上述の４２０℃より高い温度である５
００℃に加熱し、スプレー法にて透明導電膜８としての
ＩＴＯ膜を形成した。
２ｎｍ蒸着し、Ｚｎ層６を形成した。更に前記エピタキ
シャルウェハを、上述の４２０℃より高い温度である５
００℃に加熱し、スプレー法にて透明導電膜８としての
ＩＴＯ膜を形成した。
【００３１】エピタキシャルウェハ上面には、上部電極
として直径１２５μｍの円形のｐ側電極（第二導電型チ
ップ上面電極）９を、マトリックス状に蒸着で形成し
た。ｐ側電極９は、金・亜鉛、ニッケル、金を、それぞ
れ６０ｎｍ、１０ｎｍ、１０００ｎｍの順に蒸着した。
更にエピタキシャルウェハ底面には、全面にｎ側電極
（裏面電極）１０を形成した。ｎ側電極１０は、金・ゲ
ルマニウム、ニッケル、金を、それぞれ６０ｎｍ、１０
ｎｍ、５００ｎｍの順に蒸着し、その後、電極の合金化
であるアロイを、窒素ガス雰囲気中４３０℃で５分行っ
た。
として直径１２５μｍの円形のｐ側電極（第二導電型チ
ップ上面電極）９を、マトリックス状に蒸着で形成し
た。ｐ側電極９は、金・亜鉛、ニッケル、金を、それぞ
れ６０ｎｍ、１０ｎｍ、１０００ｎｍの順に蒸着した。
更にエピタキシャルウェハ底面には、全面にｎ側電極
（裏面電極）１０を形成した。ｎ側電極１０は、金・ゲ
ルマニウム、ニッケル、金を、それぞれ６０ｎｍ、１０
ｎｍ、５００ｎｍの順に蒸着し、その後、電極の合金化
であるアロイを、窒素ガス雰囲気中４３０℃で５分行っ
た。
【００３２】前記ＩＴＯ膜及び電極付きエピタキシャル
ウェハを、ダイシング等で加工して、チップサイズ３０
０μｍ角の発光ダイオードチップを作製し、更にダイボ
ンディング、ワイヤボンディングを行って発光ダイオー
ドを製作した。
ウェハを、ダイシング等で加工して、チップサイズ３０
０μｍ角の発光ダイオードチップを作製し、更にダイボ
ンディング、ワイヤボンディングを行って発光ダイオー
ドを製作した。
【００３３】この従来例の発光ダイオードの発光特性を
調べた結果、発光出力は２．２ｍＷ、Ｖｆは１．９０Ｖ
〜６．０７Ｖ（２０ｍＡ通電時）であった。このように
Ｖｆの値に１．９０Ｖ〜６．０７Ｖとバラツキがあるの
は、この従来例の発光ダイオードの場合、透明導電膜を
５００℃（つまり４２０℃以上）で形成しているため、
エピタキシャルウェハ最上層と透明導電膜間に形成した
Ｚｎ膜が球状化してしまい、エピタキシャルウェハ面内
でＺｎ膜が無い部分ができ、このため半導体発光素子の
中に、非常にＶｆが高いものができると考えられる。
調べた結果、発光出力は２．２ｍＷ、Ｖｆは１．９０Ｖ
〜６．０７Ｖ（２０ｍＡ通電時）であった。このように
Ｖｆの値に１．９０Ｖ〜６．０７Ｖとバラツキがあるの
は、この従来例の発光ダイオードの場合、透明導電膜を
５００℃（つまり４２０℃以上）で形成しているため、
エピタキシャルウェハ最上層と透明導電膜間に形成した
Ｚｎ膜が球状化してしまい、エピタキシャルウェハ面内
でＺｎ膜が無い部分ができ、このため半導体発光素子の
中に、非常にＶｆが高いものができると考えられる。
【００３４】また、エピタキシャルウェハにＺｎ系以外
の金属を２ｎｍ蒸着してみたが、この場合は、発光出力
が２．２ｍＷ、Ｖｆは２．０１〜２．０５Ｖ（２０ｍＡ
通電時）であり、やはりＶｆの値にバラツキが生じた。
の金属を２ｎｍ蒸着してみたが、この場合は、発光出力
が２．２ｍＷ、Ｖｆは２．０１〜２．０５Ｖ（２０ｍＡ
通電時）であり、やはりＶｆの値にバラツキが生じた。
【００３５】［実施例１］次に、実施例１として、図１
に示した構造の発光波長６３０ｎｍ付近の赤色発光ダイ
オード用エピタキシャルウェハを作製した。
に示した構造の発光波長６３０ｎｍ付近の赤色発光ダイ
オード用エピタキシャルウェハを作製した。
【００３６】ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＶＰＥ法
で、ｎ型（Ｓｅドープ）ＧａＡｓバッファ層、ｎ型（Ｓ
ｅドープ）（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ下クラッド
層２、アンドープ（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活
性層３、ｐ型（亜鉛ドープ）（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐ上クラッド層４、を成長させ、その上にｐ型
（亜鉛ドープ）（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ及びＧ
ａＰ電流分散層５をＭＯＶＰＥ成長で成長させた。
で、ｎ型（Ｓｅドープ）ＧａＡｓバッファ層、ｎ型（Ｓ
ｅドープ）（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ下クラッド
層２、アンドープ（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5Ｐ活
性層３、ｐ型（亜鉛ドープ）（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐ上クラッド層４、を成長させ、その上にｐ型
（亜鉛ドープ）（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ及びＧ
ａＰ電流分散層５をＭＯＶＰＥ成長で成長させた。
【００３７】次に、このエピタキシャルウェハにＺｎを
１ｎｍ蒸着してＺｎ層６を形成し、更にＮｉを１ｎｍ蒸
着してＮｉ層７を形成した。更に前記エピタキシャルウ
ェハを５００℃に加熱し、スプレー法にて透明導電膜８
としてのＩＴＯ膜を形成した。
１ｎｍ蒸着してＺｎ層６を形成し、更にＮｉを１ｎｍ蒸
着してＮｉ層７を形成した。更に前記エピタキシャルウ
ェハを５００℃に加熱し、スプレー法にて透明導電膜８
としてのＩＴＯ膜を形成した。
【００３８】エピタキシャルウェハ上面には、上部電極
として直径１２５μｍの円形のｐ側電極（第二導電型チ
ップ上面電極）９を、マトリックス状に蒸着で形成し
た。ｐ側電極９は、金・亜鉛、ニッケル、金を、それぞ
れ６０ｎｍ、１０ｎｍ、１０００ｎｍの順に蒸着した。
更にエピタキシャルウェハ底面には、全面にｎ側電極
（裏面電極）１０を形成した。ｎ側電極１０は、金・ゲ
ルマニウム、ニッケル、金を、それぞれ６０ｎｍ、１０
ｎｍ、５００ｎｍの順に蒸着し、その後、電極の合金化
であるアロイを、窒素ガス雰囲気中４３０℃で５分行っ
た。
として直径１２５μｍの円形のｐ側電極（第二導電型チ
ップ上面電極）９を、マトリックス状に蒸着で形成し
た。ｐ側電極９は、金・亜鉛、ニッケル、金を、それぞ
れ６０ｎｍ、１０ｎｍ、１０００ｎｍの順に蒸着した。
更にエピタキシャルウェハ底面には、全面にｎ側電極
（裏面電極）１０を形成した。ｎ側電極１０は、金・ゲ
ルマニウム、ニッケル、金を、それぞれ６０ｎｍ、１０
ｎｍ、５００ｎｍの順に蒸着し、その後、電極の合金化
であるアロイを、窒素ガス雰囲気中４３０℃で５分行っ
た。
【００３９】前記ＩＴＯ膜及び電極付きエピタキシャル
ウェハを、ダイシング等で加工して、チップサイズ３０
０μｍ角の発光ダイオードチップを作製し、更にダイボ
ンディング、ワイヤボンディングを行って発光ダイオー
ドを製作した。
ウェハを、ダイシング等で加工して、チップサイズ３０
０μｍ角の発光ダイオードチップを作製し、更にダイボ
ンディング、ワイヤボンディングを行って発光ダイオー
ドを製作した。
【００４０】この実施例１の発光ダイオードの発光特性
を調べた結果、発光出力は２．２ｍＷであり、Ｖｆは
１．９０±０．０２Ｖ（２０ｍＡ通電時）と一定してい
た。つまり、この実施例１の発光ダイオードの場合、透
明導電膜を５００℃（つまり４２０℃以上）で形成して
いるにも拘わらず、半導体発光素子の素子間バラツキが
なく、全ての素子のＶｆが１．９０Ｖを中心とする±
０．０２Ｖの偏差の中に収まっており、特にＶｆの高い
素子が発生するということはなかった。また、透明導電
膜の形成温度を５００℃（つまり４２０℃以上）と高く
しているため、透明導電膜も低抵抗のものとなった。
を調べた結果、発光出力は２．２ｍＷであり、Ｖｆは
１．９０±０．０２Ｖ（２０ｍＡ通電時）と一定してい
た。つまり、この実施例１の発光ダイオードの場合、透
明導電膜を５００℃（つまり４２０℃以上）で形成して
いるにも拘わらず、半導体発光素子の素子間バラツキが
なく、全ての素子のＶｆが１．９０Ｖを中心とする±
０．０２Ｖの偏差の中に収まっており、特にＶｆの高い
素子が発生するということはなかった。また、透明導電
膜の形成温度を５００℃（つまり４２０℃以上）と高く
しているため、透明導電膜も低抵抗のものとなった。
【００４１】［実施例２］実施例２として、図２のよう
な構造の、発光波長６３０ｎｍ付近の赤色発光ダイオー
ド用エピタキシャルウェハを作製した。これは上記Ｚｎ
層及びＮｉ層の領域の内、透明導電層の上に形成されて
いる電極の直下にあたる部分ついて、Ｚｎ層及びＮｉ層
の一部を欠いた形態としたものである。
な構造の、発光波長６３０ｎｍ付近の赤色発光ダイオー
ド用エピタキシャルウェハを作製した。これは上記Ｚｎ
層及びＮｉ層の領域の内、透明導電層の上に形成されて
いる電極の直下にあたる部分ついて、Ｚｎ層及びＮｉ層
の一部を欠いた形態としたものである。
【００４２】ＭＯＶＰＥ法によるエピタキシャル成長方
法、エピタキシャル層１〜５を有するエピタキシャル構
造等は、基本的に前記の従来例と同じとし、またＩＴＯ
膜形成方法、電極形成方法及び電極形状も基本的に前記
の従来例と同じとした。更にプロセス加工及びワイヤボ
ンディング工程も、前記の実施例１と同じとした。
法、エピタキシャル層１〜５を有するエピタキシャル構
造等は、基本的に前記の従来例と同じとし、またＩＴＯ
膜形成方法、電極形成方法及び電極形状も基本的に前記
の従来例と同じとした。更にプロセス加工及びワイヤボ
ンディング工程も、前記の実施例１と同じとした。
【００４３】上記エピタキシャル層１〜５を有するエピ
タキシャルウェハに対し、フォトリソにより、レジスト
マスクをマトリックス状に形成した。レジストマスクが
ある部分の大きさは、直径１２５μｍの円形である。
タキシャルウェハに対し、フォトリソにより、レジスト
マスクをマトリックス状に形成した。レジストマスクが
ある部分の大きさは、直径１２５μｍの円形である。
【００４４】このレジストマスク付エピタキシャルウェ
ハに、蒸着法でＺｎ層６を１ｎｍ、更にその上にＮｉ層
７を１ｎｍ形成し、更にレジスト膜を除去することで、
マトリックス状に直径１２５μｍのＺｎ層６とＮｉ層７
が形成されていない金属層付きエピタキシャルウェハを
製作した。
ハに、蒸着法でＺｎ層６を１ｎｍ、更にその上にＮｉ層
７を１ｎｍ形成し、更にレジスト膜を除去することで、
マトリックス状に直径１２５μｍのＺｎ層６とＮｉ層７
が形成されていない金属層付きエピタキシャルウェハを
製作した。
【００４５】その後、透明導電膜８としてのＩＴＯ膜を
形成し、そのＩＴＯ膜上に、直径１２５１μｍの円形の
ｐ側電極９を、Ｚｎ層６及びＮｉ層７が無い部分の中心
と略合致させる様に、マトリックス状に蒸着で形成し
た。ｐ側電極９は、金・亜鉛、ニッケル、金を、それぞ
れ６０ｎｍ、１０ｎｍ、１０００ｎｍの順に蒸着した。
更にエピタキシャルウェハ底面には、全面にｎ側電極１
０を形成し、ｎ側電極１０は、金・ゲルマニウム、ニッ
ケル、金を、それぞれ６０ｎｍ、１０ｎｍ、５００ｎｍ
の順に蒸着し、その後、電極の合金化であるアロイを、
窒素ガス雰囲気中４３０℃で５分行った。
形成し、そのＩＴＯ膜上に、直径１２５１μｍの円形の
ｐ側電極９を、Ｚｎ層６及びＮｉ層７が無い部分の中心
と略合致させる様に、マトリックス状に蒸着で形成し
た。ｐ側電極９は、金・亜鉛、ニッケル、金を、それぞ
れ６０ｎｍ、１０ｎｍ、１０００ｎｍの順に蒸着した。
更にエピタキシャルウェハ底面には、全面にｎ側電極１
０を形成し、ｎ側電極１０は、金・ゲルマニウム、ニッ
ケル、金を、それぞれ６０ｎｍ、１０ｎｍ、５００ｎｍ
の順に蒸着し、その後、電極の合金化であるアロイを、
窒素ガス雰囲気中４３０℃で５分行った。
【００４６】前記ＩＴＯ膜及び電極付きエピタキシャル
ウェハを、ダイシング等で加工して、チップサイズ３０
０μｍ角の発光ダイオードチップを作製した。
ウェハを、ダイシング等で加工して、チップサイズ３０
０μｍ角の発光ダイオードチップを作製した。
【００４７】この実施例２の発光ダイオードの発光特性
を調べた結果、発光出力は２．６ｍＷであり、Ｖｆは
１．９２±０．０２Ｖ（２０ｍＡ通電時）と一定してい
た。つまり、この実施例２の発光ダイオードの場合、透
明導電膜を５００℃（つまり４２０℃以上）で形成して
いるにも拘わらず、半導体発光素子の素子間バラツキが
なく、全ての素子のＶｆが±０．０２Ｖの偏差の中に収
まっており、特にＶｆの高い素子が発生するということ
はなかった。また、透明導電膜の形成温度を５００℃
（つまり４２０℃以上）と高くしているため、透明導電
膜も低抵抗のものとなった。
を調べた結果、発光出力は２．６ｍＷであり、Ｖｆは
１．９２±０．０２Ｖ（２０ｍＡ通電時）と一定してい
た。つまり、この実施例２の発光ダイオードの場合、透
明導電膜を５００℃（つまり４２０℃以上）で形成して
いるにも拘わらず、半導体発光素子の素子間バラツキが
なく、全ての素子のＶｆが±０．０２Ｖの偏差の中に収
まっており、特にＶｆの高い素子が発生するということ
はなかった。また、透明導電膜の形成温度を５００℃
（つまり４２０℃以上）と高くしているため、透明導電
膜も低抵抗のものとなった。
【００４８】［比較例］比較例として、図１のような構
造の、発光波長６３０ｎｍ付近の赤色発光ダイオード用
エピタキシャルウェハを作製した。
造の、発光波長６３０ｎｍ付近の赤色発光ダイオード用
エピタキシャルウェハを作製した。
【００４９】ＭＯＶＰＥ法によるエピタキシャル成長方
法、エピタキシャル層１〜５を有するエピタキシャル構
造等は、基本的に前記の実施例１と同じとし、またＩＴ
Ｏ膜形成方法、電極形成方法及び電極形状も基本的に前
記の実施例１と同じとした。また更にプロセス加工も、
実施例１と同じとした。
法、エピタキシャル層１〜５を有するエピタキシャル構
造等は、基本的に前記の実施例１と同じとし、またＩＴ
Ｏ膜形成方法、電極形成方法及び電極形状も基本的に前
記の実施例１と同じとした。また更にプロセス加工も、
実施例１と同じとした。
【００５０】ただし、実施例１の場合と異なり、半導体
層とＩＴＯ膜の間に形成する金属については、上記Ｚｎ
層６及びＮｉ層７の代わりに、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｇｅ、Ｎｉ
及びそれらのＡｕ化合物として、発光ダイオードを製作
した。
層とＩＴＯ膜の間に形成する金属については、上記Ｚｎ
層６及びＮｉ層７の代わりに、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｇｅ、Ｎｉ
及びそれらのＡｕ化合物として、発光ダイオードを製作
した。
【００５１】その結果、発光ダイオードの発光特性は、
順方向動作電圧（２０ｍＡ通電時）が、それぞれ１．９
５Ｖ、１．９４Ｖ、１．９７Ｖ、１．９４Ｖであり、そ
れらのＡｕ化合物でも２．０Ｖ以下であった。また発光
出力は、上記構造全て２．５ｍＷ以上であった。
順方向動作電圧（２０ｍＡ通電時）が、それぞれ１．９
５Ｖ、１．９４Ｖ、１．９７Ｖ、１．９４Ｖであり、そ
れらのＡｕ化合物でも２．０Ｖ以下であった。また発光
出力は、上記構造全て２．５ｍＷ以上であった。
【００５２】上記実施例と従来例及び比較例との対比か
ら明らかなように、本発明に従って半導体層とＩＴＯ膜
の間にＺｎ層６及びＮｉ層７を介在させることにより、
高出力でＶｆが低く、且つ素子間でのＶｆバラツキの非
常に小さいＩＴＯ膜付きＬＥＤができる。これによりＬ
ＥＤ用のエピタキシャル層の膜厚は五分の一から数十分
の一まで薄くすることができる。ＬＥＤを構成するエピ
タキシャルウェハの中で電流分散膜の厚さがもっとも厚
かったためである。これにより、エピタキシャルウェハ
の価格を大幅に低くすることができた。
ら明らかなように、本発明に従って半導体層とＩＴＯ膜
の間にＺｎ層６及びＮｉ層７を介在させることにより、
高出力でＶｆが低く、且つ素子間でのＶｆバラツキの非
常に小さいＩＴＯ膜付きＬＥＤができる。これによりＬ
ＥＤ用のエピタキシャル層の膜厚は五分の一から数十分
の一まで薄くすることができる。ＬＥＤを構成するエピ
タキシャルウェハの中で電流分散膜の厚さがもっとも厚
かったためである。これにより、エピタキシャルウェハ
の価格を大幅に低くすることができた。
【００５３】上記実施例では、Ｚｎ層６及びＮｉ層７の
厚さをそれぞれ１ｎｍとしたが、これ以外の値を採るこ
とができる。ただし、半導体層とＩＴＯ膜の間に挿入し
たＺｎ層６が薄すぎると、Ｚｎの効果が薄れ、Ｖｆが高
くなる。またＮｉ層７が薄すぎるとＺｎ層が均一になら
ず、Ｖｆがばらつく。さらに半導体層とＩＴＯ膜の間に
挿入したＺｎ層６とＮｉ層７の全厚が厚すぎると、金属
層での光吸収が大きくなることから、発光出力が低くな
る。このため、Ｚｎ層、Ｎｉ層とＺｎ層とＮｉ層の合計
膜厚には、最適値がある。
厚さをそれぞれ１ｎｍとしたが、これ以外の値を採るこ
とができる。ただし、半導体層とＩＴＯ膜の間に挿入し
たＺｎ層６が薄すぎると、Ｚｎの効果が薄れ、Ｖｆが高
くなる。またＮｉ層７が薄すぎるとＺｎ層が均一になら
ず、Ｖｆがばらつく。さらに半導体層とＩＴＯ膜の間に
挿入したＺｎ層６とＮｉ層７の全厚が厚すぎると、金属
層での光吸収が大きくなることから、発光出力が低くな
る。このため、Ｚｎ層、Ｎｉ層とＺｎ層とＮｉ層の合計
膜厚には、最適値がある。
【００５４】図３にＺｎ層とＮｉ層の総厚と光出力の関
係を、また図４にＺｎ層とＮｉ層の総厚とＶｆの関係を
示す。
係を、また図４にＺｎ層とＮｉ層の総厚とＶｆの関係を
示す。
【００５５】Ｚｎ層とＮｉ層の厚さは、図４に示すよう
に、Ｚｎ層及びＮｉ層共にそれぞれ１ｎｍ以上であれ
ば、Ｚｎ層が均一化し、順方向動作電圧Ｖｆを素子間バ
ラツキなしに、従来並に低くする効果（図４で１．９０
Ｖ以下）が得られ、厚さを増すにつれてＶｆも低下す
る。一方、図３に示すように、Ｚｎ層とＮｉ層を厚くす
るに従って発光出力が低下するため、発光出力の点から
はあまり厚くすることは得策でなく、前記Ｚｎ層とＮｉ
層の厚さを合わせて１５ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ
以下、更に好ましくは７．５ｎｍ以下とするのがよい。
に、Ｚｎ層及びＮｉ層共にそれぞれ１ｎｍ以上であれ
ば、Ｚｎ層が均一化し、順方向動作電圧Ｖｆを素子間バ
ラツキなしに、従来並に低くする効果（図４で１．９０
Ｖ以下）が得られ、厚さを増すにつれてＶｆも低下す
る。一方、図３に示すように、Ｚｎ層とＮｉ層を厚くす
るに従って発光出力が低下するため、発光出力の点から
はあまり厚くすることは得策でなく、前記Ｚｎ層とＮｉ
層の厚さを合わせて１５ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ
以下、更に好ましくは７．５ｎｍ以下とするのがよい。
【００５６】上記実施例では、表面電極と金属層の形状
は、円形であるが、異形状、例えば四角、菱形、多角形
等としても、同様の効果が得られる。
は、円形であるが、異形状、例えば四角、菱形、多角形
等としても、同様の効果が得られる。
【００５７】また、従来例及び実施例での透明導電膜形
成方法は、スプレー法で形成したものであるが、その他
の透明導電膜形成方法、例えばスパッタ法や蒸着法等で
形成しても、同様の効果を得ることができる。
成方法は、スプレー法で形成したものであるが、その他
の透明導電膜形成方法、例えばスパッタ法や蒸着法等で
形成しても、同様の効果を得ることができる。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
流分散膜として金属酸化膜の透明導電膜を用いた構造の
ＬＥＤにおいて、エピタキシャルウェハの表面に順方向
動作電圧Ｖｆを低くするための金属層としてＺｎとＮｉ
の積層構造を設けているので、これにより半導体発光素
子の素子間バラツキ、特に順方向動作電圧Ｖｆの高い素
子の発生をなくし、且つ透明導電膜の形成温度を高くし
て低抵抗の透明導電膜の形成を可能とし、以て順方向動
作電圧Ｖｆが低く、且つバラツキが少ない高発光出力の
透明電極付ＬＥＤを得ることができる。
流分散膜として金属酸化膜の透明導電膜を用いた構造の
ＬＥＤにおいて、エピタキシャルウェハの表面に順方向
動作電圧Ｖｆを低くするための金属層としてＺｎとＮｉ
の積層構造を設けているので、これにより半導体発光素
子の素子間バラツキ、特に順方向動作電圧Ｖｆの高い素
子の発生をなくし、且つ透明導電膜の形成温度を高くし
て低抵抗の透明導電膜の形成を可能とし、以て順方向動
作電圧Ｖｆが低く、且つバラツキが少ない高発光出力の
透明電極付ＬＥＤを得ることができる。
【００５９】また、高出力であり順方向動作電圧Ｖｆが
低く、且つ素子間でのＶｆバラツキの非常に小さいＩＴ
Ｏ膜付きＬＥＤができる様になったことから、ＬＥＤ用
のエピタキシャル層の膜厚は五分の一から数十分の一ま
で薄くすることができるようになった。ＬＥＤを構成す
るエピタキシャルウェハの中で電流分散膜の厚さがもっ
とも厚かったためである。これにより、エピタキシャル
ウェハの価格を大幅に低くすることができた。
低く、且つ素子間でのＶｆバラツキの非常に小さいＩＴ
Ｏ膜付きＬＥＤができる様になったことから、ＬＥＤ用
のエピタキシャル層の膜厚は五分の一から数十分の一ま
で薄くすることができるようになった。ＬＥＤを構成す
るエピタキシャルウェハの中で電流分散膜の厚さがもっ
とも厚かったためである。これにより、エピタキシャル
ウェハの価格を大幅に低くすることができた。
【図１】本発明の実施例１にかかるＬＥＤの断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施側２にかかるＬＥＤの断面図であ
る。
る。
【図３】ＺｎとＮｉ層の膜厚と発光出力との関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図４】ＺｎとＮｉ層の膜厚とＶｆとの関係を示すグラ
フである。
フである。
【図５】従来例にかかるＬＥＤの断面図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板（第一導電型基板）
２ ｎ型下クラッド層（第一導電型クラッド層）
３ 活性層
４ ｐ型上クラッド層（第二導電型クラッド層）
５ ｐ型電流分散層（第二導電型電流分散層）
６ Ｚｎ層
７ Ｎｉ層
８ 透明導電膜
Claims (8)
- 【請求項１】第一導電型の基板の上に、活性層を第一導
電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とで挟んだ
発光部を形成し、その上に金属酸化膜からなる透明導電
層を形成し、前記透明導電層の表面の一部に上部電極を
形成し、第一導電型の基板の発光部層が形成された反対
側の面に、全面又は部分的に電極を形成した半導体発光
素子において、 前記第二導電型のクラッド層と前記透明導電層の間に、
Ｚｎ層とＮｉ層が順次積層されていることを特徴とする
半導体発光素子。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体発光素子におい
て、 前記発光部と前記Ｚｎ層との間に、第二導電型の電流分
散層が形成されていることを特徴とする半導体発光素
子。 - 【請求項３】請求項１又は２に記載の半導体発光素子に
おいて、 前記透明導電層の上に形成された電極の直下にあたる部
分の一部には、順次積層された前記Ｚｎ層とＮｉ層が形
成されていないことを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発
光素子において、 前記Ｚｎ層とＮｉ層の厚さがそれぞれ１ｎｍ以上であ
り、前記Ｚｎ層とＮｉ層の厚さが合わせて１５ｎｍ以下
であることを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の半導体発
光素子において、 前記上部電極が円形、角形又は円形の角形に突起を付け
た形状を具備することを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項６】請求項３に記載の半導体発光素子におい
て、 順次積層された前記Ｚｎ層とＮｉ層が形成されていない
領域は、上部電極と中心が略合致し、且つ前記電極の
０．６〜１．３倍であることを特徴とする半導体発光素
子。 - 【請求項７】請求項１〜６のいずれかに記載の半導体発
光素子において、 前記基板がＧａＡｓから成り、前記発光部がＡｌＧａＩ
ｎＰ又はＧａＩｎＰから成ることを特徴とする半導体発
光素子。 - 【請求項８】請求項１〜６のいずれかに記載の半導体発
光素子を製造する方法において、透明導電層の形成温度
を４２０℃以上とすることを特徴とする半導体発光素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002052512A JP2003258304A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002052512A JP2003258304A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258304A true JP2003258304A (ja) | 2003-09-12 |
Family
ID=28664182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002052512A Withdrawn JP2003258304A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003258304A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100428509C (zh) * | 2004-10-18 | 2008-10-22 | 三垦电气株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| JP2011199319A (ja) * | 2003-05-07 | 2011-10-06 | Samsung Led Co Ltd | 薄膜電極、及びその製造方法 |
| JP2013004925A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
-
2002
- 2002-02-28 JP JP2002052512A patent/JP2003258304A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN100428509C (zh) * | 2004-10-18 | 2008-10-22 | 三垦电气株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法 |
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