JP2003258733A - 多値光強度変調回路 - Google Patents
多値光強度変調回路Info
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Abstract
際に生じていた複数の中間レベル値の振幅歪みを抑圧す
る。 【解決手段】 光搬送波をn系列に分配する光分配手段
と、n系列の光搬送波をn個の2値電気信号でそれぞれ
強度変調し、n系列の2値光変調信号を出力するn個の
光強度変調器と、光分配手段で分配されたn系列の光搬
送波またはn個の光強度変調器から出力されたn系列の
2値光変調信号の位相を合わせる光位相調整手段と、光
分配手段で分配されたn系列の光搬送波またはn個の光
強度変調器から出力されるn系列の2値光変調信号の光
強度をほぼ1:2:…:2n-1に設定する光強度調整手
段と、光位相調整手段および光強度調整手段を介して得
られるn系列の2値光変調信号を結合し、2n値光変調
信号を出力する光結合手段とを備える。
Description
生成する多値光強度変調回路(もしくは装置)に関す
る。
要求により周波数利用効率の向上が望まれている波長多
重伝送方式では、複数の波長チャネルを狭間隔に配置す
るための光スペクトルの帯域抑圧が重要な課題になって
いる。これを解決する手段として、信号を多値にし、そ
の分ビットレートを下げることによりスペクトル広がり
を抑圧する方法がある。例えば、振幅レベルを2n 個設
定して信号を伝送する場合、従来の2値光強度変調方式
と比較して、ビットレートが2/2nで同じ情報量を伝
送でき、スペクトル帯域も約2/2n倍に抑圧すること
ができる。
度変調回路の構成例(光源66は回路には含まれない)
を示す(以下の、非特許文献1参照)。図7において、
2つの入力端子61,62には、それぞれ等しいパワー
の2値電気信号が入力される。この一方の2値電気信号
のパワーを減衰器63で1/2に減衰させて結合器64
で結合することにより、4値電気信号を生成する。この
4値電気信号を光強度変調器65に印加し、光源66か
ら出力された光搬送波を強度変調することにより、4値
光変調信号が生成される。
号から4値電気信号、4値光変調信号を生成させるシミ
ュレーション例における、各信号のアイパターンを示
す。図8(a)、(b)に示す2つの2値電気信号が、
図7に示すようなシステムにより電気的に結合され、図
8(c)に示す4値電気信号が得られ、これを用いて光
搬送波の強度変調を行うことにより図8(d)に示すよ
うな4値光変調信号が得られる。
て、以下のものを挙げるが、このうち、特許文献1およ
び2は、後述する「課題を解決するための手段」の説明
において、本発明の具体的な構成との対比として説明す
るものとする。また、非特許文献2は、後述する実施形
態に関し、マッハツェンダ型干渉計のような可変減衰器
を用いる構成の従来参照例として挙げるものである。
「テンジービーエス・フォーアレイ・エーエスケー・ラ
イトウエイブ・システム(A 10Gb/s 4-ary ASK Lightwa
veSystem)」, ECOC97会議録, (英国), IE
E, 1997年9月, 第448号, p.255−258
i)他著, 「ピーエルシーベイスド オプティカル・ア
ド/ドロップスイッチ ウイズ オートマチック・レベ
ルコントロール(PLC-Based Optical Add/Drop Switch
with Automatic Level Control)」, ジャーナル・オブ
・ライトウエイブ・テクノロジー(Journal of Lightwa
ve Technology),(米国), IEEE, 1999年12
月, 第17巻, 第12号,p.2562−2571
器65としてマッハツェンダ型光強度変調器が広く用い
られているが、このマッハツェンダ型光強度変調器を2
値強度変調に用いた場合の応答特性を図9(a)に示
す。図から明らかなように、2値電気信号のマーク
(1)およびスペース(0)レベルの振幅歪みが抑圧さ
れ、良好な2値光変調信号が得られる。しかし、4値電
気信号により光搬送波の強度変調を行うと、図9(b)
に示すように、レベル0およびレベル3の振幅歪みは
抑圧されるものの、レベル1およびレベル2の振幅歪み
が拡大する問題がある。
応答特性が非線形であるので、4値光変調信号の各レベ
ル間隔を均等にするためには、予めレベル1とレベル2
の間隔を狭めた4値電気信号を生成する必要がある。こ
れは4値以上の多値電気信号により強度変調を行う場合
も同様であり、中間レベルのレベル間隔設定および振幅
歪みの問題が避けられない。この発明は上述した事情に
鑑みてなされたもので、多値電気信号から多値光変調信
号に変換する際に生じていた複数の中間レベル値の振幅
歪みを抑圧することができる多値光強度変調回路を提供
することを目的とする。
れる光搬送波をn系列(nは2以上の整数)に分配する光
分配手段と、前記n系列の光搬送波がそれぞれ入力され
るn個の光強度変調器であって、各光強度変調器は、入
力される2値電気信号により前記光搬送波を強度変調し
て2値光変調信号を出力するものである光強度変調器
と、前記n個の光強度変調器から出力されるn系列の2
値光変調信号間に光位相差を与える光位相調整手段と、
前記n個の光強度変調器から出力されるn系列の2値光
変調信号間にそれぞれ光強度差を与える光強度調整手段
と、前記光位相調整手段および前記光強度調整手段を介
して得られるn系列の2値光変調信号を結合し、2n値光
変調信号を出力する光結合手段とを備え、前記光位相
差、前記光強度差は、前記2n値光変調信号を生成するた
めにあらかじめ設定されるものである多値光強度変調回
路を提供する。
前記n個の光強度変調器の入力側もしくは出力側に置い
て良い。前記光強度調整手段もまた、少なくとも1つの
前記n個の光強度変調器の入力側もしくは出力側に置い
て良い。典型例として、前記光強度調整手段は、(n−
1)系列の入力光の光強度を1/2,1/4,…,1/
2n-1 に減衰させる構成である。
配手段の光強度分配比が1:1であり,前記光強度調整
手段は、2系列の2値光変調信号間の光強度比を2:1±8
%に設定するものであり、前記光位相調整手段により、
2系列の2値光変調信号間の光位相差を90度±3%に設定
するものであり、前記光結合手段は前記2系列の2値光
変調信号を結合して4値光変調信号を生成する構成であ
る。
列(nは2以上の整数)に分配する光分配手段と、前記n
系列の光搬送波がそれぞれ入力されるn個の光強度変調
器であって、各光強度変調器は、入力される2値電気信
号により前記光搬送波を強度変調して2値光変調信号を
出力するものである光強度変調器と、前記n個の光強度
変調器から出力されるn系列の2値光変調信号間に光位
相差を与える光位相調整手段と、前記光位相調整手段を
介して得られるn系列の2値光変調信号を結合し、2n値
光変調信号を出力する光結合手段とを備え、前記光分配
手段の分配比および前記光結合手段の結合比、および前
記光位相差は、前記2n値光変調信号を生成するためにあ
らかじめ設定されるものである多値光強度変調回路を提
供する。前記光位相調整手段は、少なくとも1つの前記
n個の光強度変調器の入力側もしくは出力側に置いて良
い。
段の光強度分配比はa:1であり、前記光結合手段の光強
度結合比はb:1であり、a・b=2±8%を満たし、2つの前
記2値強度変調手段のいずれかの入力側か出力側に前記
光位相調整手段が配置され、該光位相調整手段は2系列
の前記2値光変調信号間の光位相差を90度±3%に設定す
るものであり、前記光結合手段は前記2系列の2値光変
調信号を結合して4値光変調信号を生成する構成があ
る。上記各多値光強度変調回路において、ニオブ酸リチ
ウム(LN)基板上に集積して形成するとともに、前記
光強度変調器としてマッハツェンダ型光強度変調器を用
いるようにすることができる。
多値通信方式」)に開示された構成例では,異なる光源
を用いて複数の2値光信号を生成した後に、これらを結
合するが、異なる光源どうしの光位相関係はランダムな
ので、位相の調整が実質的に不可能であり、結合した際
に干渉雑音を生じる。一方、本発明では一つの光搬送波
を分岐して複数の光2値信号を生成するため、各信号間
の位相差がそれぞれ一定になる。よって、各位相差は調
整可能であり、結合の際に干渉雑音が生じない。さら
に、光位相差、光強度比をあらかじめ適切な値に設定す
ることにより、振幅歪を最小限に抑圧することができ
る。
は多値レベル数に応じた光源が必要になるため、各光源
毎に温度,電力を制御しなければならず、制御が複雑に
なるとともに、各光源毎の設置スペースも必要になる。
一方、本発明では多値レベル数に関係なく光源が1つで
済むため、システム構成が簡単になり制御も容易にな
る。また、従来の構成例では直接変調を行うため,変調
速度の高速化に伴いチャープ(光波長の過渡的変動)が
生じる。一方本発明では外部変調を行うためチャープが
生じにくくなり,高速化にも適用できる。
1号)に記載のシステムでは、電気信号に振幅歪みが生
じている場合、出力光信号にも振幅歪みが射影・拡張さ
れる(上述の、「関連する技術」参照)。これに対し本
発明では、電気信号に振幅歪みが生じていても,これを
抑圧した出力波形を得る事ができる。
施の形態を説明する。 (第1の実施形態)図1は、本発明の多値光強度変調回
路の第1の実施形態を示す。ただし、光源10は変調回
路の構成要素ではない。以下の実施形態でも同様に、光
源以外の部分を変調回路の構成要素とする。また、光強
度変調回路は光強度変調装置と称しても良い。
送波は光分配器11で光強度が2分割され、それぞれ光
強度変調器12a,12bに入力される。一方、光強度
変調器12a,12bには、2つの入力端子14a,1
4bから等しい光強度の2値電気信号がそれぞれ入力さ
れ、光搬送波を強度変調する。ここで生成される2つの
2値光変調信号は、その一方が光位相・強度調整手段1
6に入力され、他方の信号に対して位相が+90度もし
くは−90度ずれる(即ち、直交する)とともに、強度
が1/2になるように調整される。
比が2:1±8%に設定されて光結合器17で結合され、4
値光変調信号として出力される。また、図1では、光位
相・強度調整手段16を光強度変調器12bの後段に配
置しているが、光強度変調器12bの前段に配置しても
同様に動作する。また、光位相・強度調整手段16を光
強度変調器12aの前段または後段に配置してもよい。
90度に設定する理由を説明する。2n値光強度変調回
路でn=2の場合において,各経路の電界強度を図10の
ように定義する。出力電界は、以下のように定義され
る。
で、上式より出力光パワーは位相差に関係なく一定であ
るが、レベル3は光結合器17で2つの2値光変調信号が
結合するため、結合時の光信号間の位相差により出力パ
ワーが変動する。上式からも,レベル3の光パワーが位
相差に対し正弦波的に変動するのが分かる。各レベル間
のレベル間隔が等間隔になるためには上式および図11
より位相差が±90°でなければならない。
るシミュレーションにより求めた2つの2値電気信号
(図2(a)、(b))、2つの2値光変調信号(図2
(c)、(d))、4値光変調信号(図2(e))のア
イパターンを示す。本実施形態では、光強度変調器12
a,12bでは2値電気信号による光強度変調であるの
で、図2(c)、(d)に示すように、マーク(1)お
よびスペース(0)レベルの振幅歪みを抑圧でき、その
上で2つの2値光変調信号の位相および光強度を調整し
て結合する。従って、図2(e)に示すように、4値光
変調信号の各レベルの振幅歪みも抑圧することができ
る。
図8(a)〜(d)のシミュレーションにおける2値電
気信号は同一符号列で、アイ開口劣化はそれぞれ0.5dB
である。このときの4値光変調信号のアイ開口劣化は、
従来方式で2.2dB であるのに対して本発明方式では0.2d
B となり、大幅に波形劣化が改善されていることが確認
された。ただし、4値光変調信号のアイ開口劣化は、各
レベル間(レベル0−1、1−2、2−3)でアイ開口
度を求め、最もアイ開口度が小さいものを最悪値とし
て、 10 log10(アイ開口度の最悪値/(1/3)) [dB] として求めた。
度変調回路において、出力4値光変調信号のアイ開口劣
化が0.52dBとなる2値電気信号を、本実施形態の変調回
路に入力し,強度調整量および位相差に誤差を与えてア
イ開口劣化を計算して従来方式と比較し、本実施形態の
方が優れた結果が得られる範囲(許容誤差)を求めた。
まず、強度調整に関しては、図12のグラフから明らか
なように、光強度の減衰量(元の強度を1とした場合の
割合)は0.5が最適値でアイ開口劣化が最小になるが,
最適値から離れるに伴い(即ち、誤差が増加するに伴
い)アイ開口劣化が大きくなる。減衰量が0.46〜0.54の
間で、本実施形態の方式の方が従来方式に比べてアイ開
口劣化がより小さい。即ち、最適減衰量から±8%以内の
誤差であれば、本実施形態の方式の方が優れた効果が得
られる。
フから明らかなように、位相変化量は90°が最適値でア
イ開口劣化が最小になるが、最適値から離れるに伴いア
イ開口劣化が大きくなる。減衰量が87〜93°の間で、本
実施形態の方式の方が従来方式に比べてアイ開口劣化が
より小さい。即ち、最適位相変化量から±3%以内の誤差
であれば、本実施形態の方式の方が優れた効果が得られ
る。
光強度変調回路の第2の実施形態を示す。本実施形態の
特徴は、第1の実施形態における光位相・強度調整手段
16の機能を光位相調整手段21と光強度調整手段22
に分割し、それぞれ光強度変調器12a,12bの後段
に配置したところにある。なお、光位相調整手段21と
光強度調整手段22の位置は、光強度変調器12a,1
2bの前後のいずれでもよく、また一方の光強度変調器
側に配置してもよい。
整する構成や、光位相調整デバイスに位相調整バイアス
を印加することにより位相調整を行う構成などを用いる
ことができる。光強度調整手段22としては、例えば光
強度を1/2に減衰させる固定減衰器でもよく、マッハ
ツェンダ型干渉計のような可変減衰器(上記、非特許文
献2参照)を用い、バイアス電圧の制御により光強度を
調整するようにしてもよい。あるいは光カプラなどの光
強度2分岐手段を用いてもよい。
光強度変調回路の第3の実施形態を示す。本実施形態の
特徴は、第2の実施形態における光分配器11、光強度
調整手段22および光結合器17に代えて、分配比a:
1の光分配器31および結合比b:1の光結合器32を
用いたところにある。ここで、aおよびbは、 a・b=2(±8%) を満たす定数である。これにより、光強度変調器12
a,12bから出力される2つの2値光変調信号の光強
度比を2:1±8%に調整して結合し、4値光変調信号を得
ることができる。光位相調整手段21の位置は、光強度
変調器12a,12bのいずれか一方かつ前後のいずれ
でもよい。
光強度変調回路の第4の実施形態を示す。図において、
光源10から出力された光搬送波は光分配器41で光強
度が3分割され、それぞれ光強度変調器12a,12
b,12cに入力される。一方、光強度変調器12a,
12b,12cには、3つの入力端子14a,14b,
14cから等しい光強度の2値電気信号がそれぞれ入力
され、光搬送波を強度変調する。
る2値光変調信号は、光位相・強度調整手段16a,1
6bで位相が調整されるとともに、光強度が1/2、1
/4に減衰される。これらの信号は、光強度変調器12
aから出力される2値光変調信号とともに光結合器42
で結合され、8値光変調信号として出力される。
相差の一例を以下に示す。光結合器42が、始めに光強度
変調器12aと光位相・強度調整手段16aとの出力を結合
し、次にそれと光位相・強度調整手段16bとを結合する
構成において(図14に示す、この場合の光結合器42の
概略構成を参照)、光強度変調器12aの出力光の位相を
0°とした場合の相対位相として、光位相・強度調整手
段16aの出力光位相を90°とし、光強度位相・強度調
整手段16bの出力光位相は、出力レベルが0から7の8
値のうち3の場合に180°、5の場合に90°、7の
場合に135°となるように動的に設定する。このよう
な動的設定について、以下に更に詳しく説明する。表1
は、8値光変調信号の複数の出力レベルと調整される位
相量との関係を示す図である。
力信号(即ち、光強度変調器12a、光位相・強度変調
手段16a、16bからの3つの2値光変調信号)の各
出力レベルにおける出力レベル値を示している。第3列
では、光強度変調器12aからの信号と光位相・強度変
調手段16aからの信号とを光結合器42により結合さ
れて得られた合成信号の、各出力レベルにおけるレベル
値と位相とを示している。
からの出力信号が更に結合される際、各レベル間のレベ
ル間隔が等しくなるためには、両信号の位相が直交しな
ければならない。この条件は、光位相・強度調整手段16
bが、レベル3,レベル5,レベル7にそれぞれ上述し
た位相値180°,90°,135°を割り当てた場合に満たさ
れる。ここで他のレベルでは、合成信号または光位相・
強度調整手段16bの出力のどちらか一方の出力レベル値
が0であるため、位相差を考慮しなくていい。
bの位置は光強度変調器14b,14cの前後いずれで
もよく、また第2の実施形態のように光位相調整手段と
光強度調整手段に分離して配置してもよい。さらに、光
分配器41および光結合器42として、第3の実施形態
に示したように所定の分配比、結合比を設定できるもの
を用いても良い。特に、3つの2値光変調信号が4:
2:1で結合されるようにすれば、光強度調整手段は不
要となる。
としてn分配、n結合のものを用い、n個の光強度変調
器と光位相・強度調整手段を組合せ、出力値に応じた位
相調整を行い、光強度を1:2:…:2n-1 に設定する
ことにより、n個の2値光変調信号から2n 値光変調信
号を生成することができる。なお、2n 値光変調信号の
各レベル間隔は、光強度調整手段に入力する(n−1)
系列の入力光の光強度を調整して設定される。
光強度変調回路の第5の実施形態を示す。本実施形態の
特徴は、4値光変調信号を生成する第2の実施形態の構
成において、LN基板51上に、光分配器11、マッハ
ツェンダ型光強度変調器52a,52b、光位相調整手
段21、光強度調整手段22、光結合器17を形成し、
それらの間を光導波路で接続したところにある。
2bには、入力端子14a,14bから等しい光強度の
2値電気信号がそれぞれ入力され(符号500は、変調
信号が印加される電極を示す)、光分配器11で2分配
された各光搬送波を強度変調する。バイアス端子53
a,53bから印加されるDCバイアスは、それぞれ、
入力端子14a,14bから入力される電気信号がゼロ
の時に、マッハツェンダ型光強度変調器52a,52b
の出力光強度がほぼゼロとなるように設定される。
る構成か、光位相調整デバイスに位相調整バイアスを印
加することにより位相調整を行う構成が用いられる(こ
の場合、端子55aから位相調整バイアスを印加)。ま
た、光強度調整手段22では、マッハツェンダ型干渉計
のような可変減衰器を用いる場合には、バイアス電圧の
制御により光強度を調整する(この場合、端子55bか
ら強度調整バイアスを印加)。
らそれぞれ2値光変調信号を生成し、その複数の2値光
変調信号の位相と光強度を調整して結合することによ
り、多値光変調信号を生成することができる。これによ
り、2値光変調信号におけるマークとスペースレベルの
振幅歪みの抑圧を活かし、多値光変調信号の全レベル値
の振幅歪みを抑圧することができる。
態を示すブロック図である。
値光変調信号の生成過程を示す図である。
態を示すブロック図である。
態を示すブロック図である。
態を示すブロック図である。
態を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
調信号の生成過程を示す図である。
出力光強度特性を示す図である。
の定義を示す図である。
すグラフである。
示すグラフである。
を示すグラフである。
である。
Claims (13)
- 【請求項1】 入力される光搬送波をn系列(nは2以
上の整数)に分配する光分配手段と、 前記n系列の光搬送波がそれぞれ入力されるn個の光強
度変調器であって、各光強度変調器は、入力される2値
電気信号により前記光搬送波を強度変調して2値光変調
信号を出力するものである光強度変調器と、 前記n個の光強度変調器から出力されるn系列の2値光
変調信号間に光位相差を与える光位相調整手段と、 前記n個の光強度変調器から出力されるn系列の2値光
変調信号間にそれぞれ光強度差を与える光強度調整手段
と、 前記光位相調整手段および前記光強度調整手段を介して
得られるn系列の2値光変調信号を結合し、2n値光変調
信号を出力する光結合手段とを備え、 前記光位相差、前記光強度差は、前記2n値光変調信号を
生成するためにあらかじめ設定されるものである多値光
強度変調回路。 - 【請求項2】 請求項1に記載の多値光強度変調回路に
おいて、 前記光位相調整手段は、少なくとも1つの前記n個の光
強度変調器の入力側に置かれる多値光強度変調回路。 - 【請求項3】 請求項1に記載の多値光強度変調回路に
おいて、 前記光位相調整手段は、少なくとも1つの前記n個の光
強度変調器の出力側に置かれる多値光強度変調回路。 - 【請求項4】 請求項1に記載の多値光強度変調回路に
おいて、 前記光強度調整手段は、少なくとも1つの前記n個の光
強度変調器の入力側に置かれる多値光強度変調回路。 - 【請求項5】 請求項1に記載の多値光強度変調回路に
おいて、 前記光強度調整手段は、少なくとも1つの前記n個の光
強度変調器の出力側に置かれる多値光強度変調回路。 - 【請求項6】 請求項1に記載の多値光強度変調回路に
おいて、 前記光強度調整手段は、(n−1)系列の入力光の光強
度を1/2,1/4,…,1/2n-1 に減衰させる構成
である多値光強度変調回路。 - 【請求項7】 請求項1に記載の多値光強度変調回路に
おいて、 n=2であり、 前記光分配手段の光強度分配比が1:1であり、 前記光強度調整手段は、2系列の2値光変調信号間の光
強度比を2:1±8%に設定するものであり、 前記光位相調整手段により、2系列の2値光変調信号間
の光位相差を90度±3%に設定するものであり、 前記光結合手段は前記2系列の2値光変調信号を結合し
て4値光変調信号を生成する構成である多値光変調回
路。 - 【請求項8】 請求項1に記載の多値光強度変調回路に
おいて、ニオブ酸リチウム(LN)基板上に集積して形
成するとともに、前記光強度変調器としてマッハツェン
ダ型光強度変調器を用いた多値光強度変調回路。 - 【請求項9】 入力される光搬送波をn系列(nは2以
上の整数)に分配する光分配手段と、 前記n系列の光搬送波がそれぞれ入力されるn個の光強
度変調器であって、各光強度変調器は、入力される2値
電気信号により前記光搬送波を強度変調して2値光変調
信号を出力するものである光強度変調器と、 前記n個の光強度変調器から出力されるn系列の2値光
変調信号間に光位相差を与える光位相調整手段と、 前記光位相調整手段を介して得られるn系列の2値光変
調信号を結合し、2n値光変調信号を出力する光結合手段
とを備え、 前記光分配手段の分配比および前記光結合手段の結合
比、および前記光位相差は、前記2n値光変調信号を生成
するためにあらかじめ設定されるものである多値光強度
変調回路。 - 【請求項10】 請求項9に記載の多値光強度変調回路
において、 前記光位相調整手段は、少なくとも1つの前記n個の光
強度変調器の入力側に置かれる多値光強度変調回路。 - 【請求項11】 請求項9に記載の多値光強度変調回路
において、 前記光位相調整手段は、少なくとも1つの前記n個の光
強度変調器の出力側に置かれる多値光強度変調回路。 - 【請求項12】 請求項9に記載の多値強度変調回路に
おいて、 n=2であり、 前記光分配手段の光強度分配比はa:1であり、 前記光結合手段の光強度結合比はb:1であり、 a・b=2±8%を満たし、 2つの前記2値強度変調手段のいずれかの入力側か出力
側に前記光位相調整手段が配置され、該光位相調整手段
は2系列の前記2値光変調信号間の光位相差を90度±3%
に設定するものであり、 前記光結合手段は前記2系列の2値光変調信号を結合し
て4値光変調信号を生成する構成である多値光変調回
路。 - 【請求項13】 請求項9に記載の多値光強度変調回路
において、ニオブ酸リチウム(LN)基板上に集積して
形成するとともに、前記光強度変調器としてマッハツェ
ンダ型光強度変調器を用いた多値光強度変調回路。
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